DE2004256A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Oberflaechenanalyse mittels Elektronenstrahl - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Oberflaechenanalyse mittels ElektronenstrahlInfo
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Description
Bayer. Hypotheken- und Wechselbank München,
8 München 22,iFidenmayerstraße 5 ■
Konto Nr. Mx 63 42
Telegrammadresse: Protector München
Postscheckkonto: München 49463
Telefon: 224893
30. Januar 1970 1'/D
J. R. BANBTIRX und W- GH. HIXOF, Cambridge, Großbritannien
Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenanalyse mittels - Elektronenstrahl.
Die Erfindung "betrifft ein Verfahren und ein Gerät
zur Analyse der Oberflächeneigenschaften einer Probe, bei
welchem ein feinfokussierter Strahl oder Taster aus Elektronen
auf die Oberfläche eines zu prüf enden'Probestücks aufprallen
gelassen wirds wobei einer der daraus entstehenden
Effekte, nämlich die Anzahl der von der Probe am Aufprallpunkt abgegebenen Sekundärelektronen, zur Gewinnung von Informationen über die Probenoberfläche benutzt wird. Beispielsweise läßt man in einem abtastenden Elektronenmikroskop den
Strahl einen kleinen Bereich der Probenoberfläche in einem Raster überstreichen, und ein Signal, welches durch eine Ansammlung
von Sekundär elektronen gewonnen wird, steuert die I
Helligkeit des Lichtpunktes einer Kathodenstrahlröhre, die
mit dem Elektronenstrahl synchronisiert ist, so.daß ein zweidimensionales
Bild des abgetasteten Bereichs der Probenoberfläche
zusammengesetzt wird. Die Kontraste in diesem Bild entstehen durch Jbiderungen der Stärke des Sekundärelektronensignals,
wenn der Strahl von Punkt zu Punkt über die Oberfläche
lauf tv .
Röntgenstrahl-Ilikroanalysatoren mit tastendem Elektronenstrahl,
in denen vom "besagten Aufprallpunkt primär Röntgenstrahlen ausgehen, können auch Einrichtungen zum
Aufbau eines Kontrastbildes aus den Sekundärelektronen aufweisen. Außerdem ist es nicht wesentlich, daß der Elektronenstrahl
seitliche Tastbewegungen ausführt, er kann stattdessen
auch bei einer bewegten Probe stationär bleiben. Auch können sowohl Strahl und Probe stillstehen, während irgendein
Faktor wie beispielsweise die Spannung auf der Probe oder die Potentialdifferenz an einer Übergangs zone in der Probe verändert
wird·
Bei diesen bekannten Instrumenten wird der Kontrast in dem Bild primär aus den Änderungen des Koeffizienten der
Sekundäremission am Aufprallpunkt hergeleitet, Biese Inderun gen
rufen einen Wechsel in der Emissionsgeschwindigkeit der Elektronen und eine hieraus folgende .änderung in der Geschwindigkeit
hervor, mit welcher die Elektronen in die Einrichtung (beispielsweise einen Szintillator) eintreten, die als jeweilige
Sammelstelle verwendet wird. Die Änderungen des Sekundäremissionskoeffizienten
entstehen durch die Topographie der Oberfläche, d. h· wenn der Strahl über Beulen oder Gruben
oder Stufen in der Oberfläche streicht, da sich hierdurch der wirksame örtliche Einfallswinkel des Strahls ändert. Auch
können Änderungen des Sekundäremissionskoeffizienten durch Wechsel in der Natur des Materials der Probe hervorgerufen
werden, was beispielsweise dann der Fall ist, wenn der Strahl von einer ein Element enthaltenden Zone zu einer Zone mit .einem
anderen Element lauft.
In allen diesen Fällen ist es die übliche Praxis, möglichst viele der verfügbaren Sekuadärelektronen in der
Erfftesungeeinrichtung aufzufangen, indem man gewöhnlich das
Auffanggerät auf ein im wesentlichen positives Potential be-
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züglich der Probe "bringt, so daß die Elektronen zu diesem
Gerät hingezogen werden· Das positive Potential am Auf fanggerät
erzeugt ein elektrostatisches Feld, welches ähnlich · einer Sammellinse wirkt, Es ist auch "bekannt, für den gleichen
Zweck die Erfassungs einrichtung bzw. den Detektor so auszulegen, daß er einen großen Baumwinkel, sogar entsprechend
einer Halbkugel, gegenüber dem Aufprallpunkt ausfüllt.
Dies ist jedoch nur mit. gewissen Typen von Detektoren möglich
und nicht mit Szintillator en·
Die vorliegende Erfindung resultiert im Grunde aus der Einsicht, daß in dem Detektor nicht notwendigerweise ein
Maximum an Sekundär elektronen gesammelt werden muß," um die I
größte Empfindlichkeit zu erhalten· Im Gegenteil, wenn an
den Detektor eine zu hohe Spannung gelegt wird,, dann fängt
er fast alle Sekundärelektronen ohne Rücksicht auf ihre Richtung
auf und es entsteht "kein merklicher Kontrast, der von
elektrischen oder magnetischen Feldverteilungen an oder in der Nähe- der Probenoberfläche herrühren könnte.
Erfindungsgemäß soll im Bereich zwischen der Probenoberf läch,e und dem Detektor ein derartiges elektrisches oder
magnetisches Feld vorgesehen werden, daß die Elektronen auf
ihrem Weg vom Aufprallpunkt zum Detektor divergieren bzw.
auseinanderlaufen, anstatt in maximaler Anzahl zum Detektor g
einfach hingezogen zu werden» Auf diese Weise werden Unterschiede
in der Richtung der austretenden Sekundärelektronen nicht nur nicht überdeckts sondern sie werden im Gegenteil besonders
hervorgehoben.
An Stellen, wo die Probenoberfläche senkrecht zum
Strahl verläuft, geht die Streuung von der Strahlachse fort.
An Stellen, wo die Probenoberfläche zum Strahl geneigt ist,
tritt gewöhnlich eine Streuung auf, die von der Normalen auf
die Probe am Auftreffpunkt fortgerichtet ist.
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Das Feld, welches die auseinanderlaufenden Flugbahnen der Elektronen hervorruft, kann elektrostatisch oder elektromagnetisch,
oder teilweise elektrostatisch und teilweise elektromagnetisch sein, jedoch ist ein alleiniges elektrostatisches
PeId leichter in einfacher und kontrollierbarer Weise
zu erzeugen. In bevorzugter Ausgestaltung wird eine zylindrische Elektrode vorgesehen, deren Achse mit der Strahlachse
zusammenfällt, wobei der Detektor in die zylindrische Wand
eingebaut wird oder einen Teil von ihr bildet· Eine weitere Elektrode in Form eines Gitters oder einer scheibenähnlichen
Platte kann an der Stirnseite des anliegenden Polstücks der Objektivlinse des strahlformenden Systems angeordnet sein.
Indem man die Sekundärelektronen dazu bringt, vom Auftreffpunkt an auseinanderzulaufen, verringert man im Vergleich
zu bekannten Detektoreinrichtungen die Anzahl der den Detektor erreichenden Elektronen, jedoch kann man gleichzeitig
den Kontrast verbessern, der durch solche kleine örtliche Effekte an der Probenoberfläche hervorgerufen wird, welche
die Elektronen bevorzugt in einer bestimmten anstatt einer anderen Richtung austreten lassen. Zu solchen Effekten
zählt einfach derjenige der Topographie, und der erfindungsgemäße Detektor vermag deutlich zwischen Beulen und Gruben
zu unterscheiden, weil eine zu dem Detektor hin geneigte * Fläche hell erscheint und eine vom Detektor fortgeneigte
Fläche dunkel erscheint. Sogar vergleichsweise flache Vertiefungen oder Wellungen werden enthüllt, während in herkömmlichen
Detektoren der durch solche Dinge erzeugte Kontrast schwach ist.
Jedoch sind die wertvollsten Effekte, die sich mit dem erfindungsgemäßen Detektor beobachten lassen, diejenigen,
die von dem Potentialkontrast oder von den elektromagnetischen Feldern an oder in der Nähe der Probenoberfläche herrühren.
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Die Beobachtung von Potentialkontrasten ist insbesondere
für die Prüfung des Verhaltens τοη Halbleitern, integrierten
Schaltungen und Mikroschaltkreisen wertvoll·
Der Einfluß von örtlichen elektromagnetischen Feldern
ist komplexer,.da sowohl ihre Komponenten senkrecht zur Oberfläche
als auch die parallelen Komponenten den Weg der Sekun- " därelektronen beeinflussen, jedoch durch eine geeignete Placierung
der Detektoren ist es möglich, zwischen ihnen zu unterscheiden. Die Erfindung ermöglicht es, beispielsweise magnetische
Domänen von mikroskopischer Ausdehnung in magnetischen Materialien oder in Aufzeichnungen auf magnetischem
Band zu untersuchen. ,1
Die auseinanderlaufenden Flugbahnen der Elektronen, die durch das elektrostatische Feld des Elektrodensystems des
Detektors gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung erzeugt werden, müssen nicht kontinuierlich auseinanderlaufen,
sie können eine anfänglieh konvergent gerichtete Komponente
enthalten. Insgesamt wird jedoch eine Divergenz bewirkt. Das
Feld kann durch zwei oder mehr überlagerte Felder gebildet
werden und durch Variation der Potentiale an den besagten
Elektroden und an der Probe ist es möglich, die Betriebsweise dee Detektors zu verändern·
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Die Erfindung wird nachstehend an einem Ausführungsbeispiel und anhand der Zeichnungen beschriebene .
Fig© 1 zeigt schematisch eine bevorzugte
form der Erfindung!
* 2 zeigt in einer Drauf sieht und in
den
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Fig. 3 veranschaulicht eine andere Betriebsart des Detektors nach der Fig· 1}
Fig« 4- veranschaulicht eine dritte Betriebsweise·
Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurde in den Zeichnungen die Einrichtung rur Strahlerzeugung, zur Strahlformung
und zur Abtastung nicht dargestellt, da sie von bekannter Art sein kann« Es sei angenommen, daß der Strahl senkrecht nach
oben zielt und durch das äußere Polstück P der End- oder Objektivlinse
dringt, die bei der dargestellten Einrichtung elektromagnetisch ist. Der Strahl fällt auf einen kleinen
Bereich (wenige Mikrometer breit) der Probe S, deren Oberfläche in dem dargestellten Fall senkrecht zum Strahl liegt.
Das Aufschlagen dieser Primär elektronen, deren Energie in der
Größenordnung von 20 KeV liegt, bewirkt die Emission niederenergetischer Sekundärelektronen, deren Energie nur wenige
Elektronenvolt beträgt. Ihre Menge wird von der Watur des Probenmaterials beeinflußt (und auch bis zu einem gewissen
Maß von der örtlichen Topographie), die Richtung ihres Austretens wird jedoch stark von der örtlichen Topographie beeinflußt.
Außerdem werden ihre Flugbahnen beim Verlassen der Probe durch irgendwelche nahe an der Probenoberfläche vorhandene
elektrostatische oder elektromagnetische Felder verändert· In bekannten Detektoren gehen diese Flugbahnänderungen
dadurch verloren, daß der Detektor für die Ansiehung aller oder mindestens möglichst vieler Elektronen ausgelegt
ist. Bei der in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsform .
ist ein Elektrodensystem vorgesehen, welches ein Feld erzeugt, das die Bahnen der einzelnen Elektronen von der elektronenoptischen
Achse des Strahle fortlaufen läßt, so daß die anfänglichen Flugbahnunterschiede verstärkt werden·
Dies wird erreicht durch einen runden zylindrischen
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Schirm C, dessen Achse mit der Strahlach.se zusammenfällt -und
der sich in Axialrichtung etwa von der Probenoberfläche "bis
zum Pol struck P erstreckt. In einer ersten Betriebsweise wird der Zylinder auf einem positiven Potential zwischen 200 und
500 ToIt9" typiseherweise etwa 350 YoIt4 bezüglich der Probenoberfläche gehalten. Das Polstück P der Linse liegt auf null
Volt. Hierdurch entsteht ein rotationssymmetrisches elektrostatisches
!feld, so daß die von der Probenoberfläche in spitzem Winkel bezüglich der elektronenoptischen Achse ausgehenden
Elektronen von dieser Achse fortgelenkt werden und in bestimmten fällen die Oberfläche des Schirms C erreichen«, Somit
wird irgendein Einfluß an der Probenoberfläche, der die Elektronen auf eine Seite der Achse mehr herüberzuziehen trachtet f
als auf die andere Seite, betont, und die Elektronen erreichen vielmehr ein Bogenstück des Schirms als das gegenüberliegende Stück«
Die Flugbahnen einiger Elektronen mit bestimmter Energie (4- Elektron en-Vol'), Sie vom Aufprallpunkt in verschiedenen spitzen Winkeln wir elektronenoptischen Achse ausgehen,
sind in der Zeichnung dargestellt. Elektronen von niedrigerer oder höherer .anfangsenergie beschreiben leicht abgewandelte
Bahnen. Im ^."inde bilden die Probenoberf lache 9 das Polstück
P und der zylindrische Schirm C eine hohle zylindrische
Trommel, deren Endseiten bei null YoIt und deren Mantelfläche ä
auf positivem Potential liegt. Das hierbei entstehende elektrostatische Feld ist rotationssymmetrisch und hat einen Sattelpunkt
im Zentrum» Zunächst wird bei den anfänglich sich
relativ langsam bewegenden Elektronen ihre Geschwindigkeitskomponente
parallel zur elektronenoptischen Achse durch das Feld verstärkt. Somit beginnen diejenigen Elektronen, die am
Anfang irgendwie auseinanderlaufen, zu konvergieren, jedoch bei Annäherung an das Polstück P. werden sie verlangsamt, die .
Axialkomponente ihrer Geschwindigkeit wird zuletzt auf null
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vermindert und das positive Potential des Schirms C zieht sie nach außen, und ihre Axialkomponente kehrt sich um. Die
anfängliche Divergenz der Elektronen "bezüglich der elektronenoptischen
Achse wird nach einer leichten anfänglichen Konvergenz somit auf ein beträchtliches Maß vergrößert. Irgendeine
Asymmetrie in der Plugbahnverteilung nach dem anfänglichen Verlassen des Aufprallpunktes wird daher verstärkt, und
falls die Elektronen vorherrschend in einem bestimmten Sektor austreten, schlagen sie auch vorherrschend auf dem entsprechenden
Sektor des Schirms C auf.
Es sei erwähnt, daß der Schirm nicht unbedingt einen kreisförmigen Querschnitt haben muß. Außerdem muß das Bauteil
P nicht das Polstück selbst sein, sondern es kann auch durch eine geerdete Platte gebildet sein, die das Polstück bedeckt.
.Ähnlich kann die Probe mit einem flachen scheibenähnlichen
geerdeten Schirm überdeckt sein (mit einer kleinen öffnung, die den von dem Strahl beaufschlagten Teil der Probe freigibt),
um voraussagbare Feldbedingungen sicherzustellen. Jedoch läßt sich das Gesamtergebnis (wenn auch weniger voraussagbar) mit
einer Probe geringer Abmessung und ohne geerdeten Schirm erreichen.
Bündig mit der inneren Oberfläche des Schirms C ist eine Gaze G angebracht, welche den Eintrittskäfig für einen
Detektor D in Form eines Szintillators bildet. Diese Gaze erstreckt sich über einen größeren Teil der axialen Länge des
Schirms und in Umfangsrichtung erstreckt sie sich über einen Winkel von etwa 60 bis 120 °. In einer typischen Ausführungsform liegt der Winkel bei 90 °. Die Gaze liegt auf dem gleichen
Potential wie der Schirm C und stört somit die Symmetrie des Feldes nicht.
Der Szintillator selbst kann auf dem üblichen hohen
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Potential von einigen Kilovolt liegen -und über einLichtrohr
zu einem (nicht dargestellten) Fotovervielfacher führen, um
ein elektrisches Signal zu erzeugen, welches proportional der
Anzahl der durch die. Gaze dringenden Elektronen ist. .
-'.. Natürlich wird der Detektor nur ein Signal aus denjenigen
Elektronen gewinnen, die in den von der Gaze ausgefüllten
Sektor des Schildes C fallen· Jeder Kontrast, der von
der Asymmetrie in der Richtung, in welcher die Elektronen den Aufprallpunkt auf der Probenoberfläche verlassen, herrührt,
wird als eine Änderung in der Signalstärke im Detektor D beobachtet.
-
Es ist auch selbstverständlich, daß die erfindungsgemäße
Detektoranordnung neben ihrer Empfindlichkeit gegenüber
der Eichtung der Elektronenbahnen auch wie bekannte Detektoren Kontraste zeigen kann, die sich auf Grund von Unterschieden
in dem Sekundäremissionskoeffizienten ergeben.
Der Schirm O ist normalerweise aus Metall. Alle Teile
können einen dünnen Kohlenstoffüberzug haben, um die Emission
ungewünschter Sekundärelektronen, die durch den Aufprall von hochenergetischen und vom Auftreffpunkt zurückgestreuten Primärelektronen
entstehen, zu vermindern. Ein solcher Überzug ist insbesondere dort nützlich, .wo die Teile in ihren Abmes- j
sungen klein sind. .
Heben dem Detektor D kann, noch ein an sich bekannter
Energie-Analysator verwendet werden, um eine Information über die Mengen von Elektronen zu erhalten, die in den verschiedenen
Energiebändern auftreten.
Bei dem in der Fig. 1 dargestellten Gerät erstreckt sich die Eintrittsgaze bzw. der Käfig G des Detektors über
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den größten Teil der axialen Länge des Schirms O. In einer
Abwandlung kann man die Größe auch vermindern und vorzugsweise einstellbar machen, so daß nur Elektronen, die von
einem bestimmten Abschnitt in. der axialen Länge des Schirms aufgenommen werden, in den Detektor eintreten. Dies läßt sich
durch Abblenden eines Teils der Gaze G erreichen. Das Signal in dem Detektor ist dann ein Maß für die Anzahl von Elektronen,
die nur bestimmte Kombinationen von Energie und Eiehtung aufweisen.
Die Betriebsweise gemäß der Fig. 1 ist die einfachste und am leichtesten zu verstehen. Sie ist für die Beobachtung
fe der Topographie der Probenoberfläche geeignet. Zur BeobacÜtuig
der magnetischen Kontraste werde eine andere Betriebsweise bevorzugt, die in der Fig. 3 veranschaulicht ist. Hier enthält
die verwendete Anordnung ein scheibenförmiges Gitter bzw. eine Platte A, die in die Stirnseite des Polstückes P eingelaseen,
jedoch von ihr isoliert ist. Die relativen Potentiale an den verschiedenen Teilen sind außerdem geändert. Der Einfachheit
halber bleibt das Polstück auf Erdpotential, jedoch liegt die Probe nun bei minus 120 Volt. Der Schirm liegt auf Erdpotential
und die Platte A liegt in einem typischen Fall bei minus 80 ToIt. Die Gaze G des Detektors endlich ist positiv,
beispielsweise auf ein Potential von plus 200 Volt aufgeladen.
Eine Probe mit magnetischen Domänen habe ein magnetisches Feld dicht an ihrer Oberfläche in einer beliebigen
Richtung, d. h· dieses Feld habe eine Komponente senkrecht zur Oberfläche und Komponenten in zwei Sichtungen parallel
zur Oberfläche. Das Elektrodensystem der Fig. 3 erzeugt in Wirklichkeit zwei überlagerte elektrostatische Felder, die
auf die Elektronenbahnen eine divergierende Wirkung ausüben. Das eine Feld liegt zwischen der Probenoberfläche und der
Platte A (die um 40 Volt positiver ist), und das andere Feld
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liegt zwischen der Probenoberflache und dem Schirm C (der
•um 120 Volt positiver ist). Es sind nun allein die parallel
zur Probenoberflache verlauf enden Komponenten des magnetischen
Feldes, die eine Asymmetrie der Richtung der Elektro- '
nenbahnen hervorrufen, und somit ist-diese Betriebsweise" geeignet,
um die Komponenten des magnetischen Feldes in dieser Richtung und nicht die Komponenten senkrecht zur oberfläche
zu beobachten. Die Betriebsweise ist auch dazu geeignet, um elektrische Felder parallel zur Probenoberfläche zu beobachten.
' .-.-■■
Bei der in Fig. 3 gezeigten Betriebsweise ist die
Detektorgaze G auf höherem Potential als der Schirm C und j
verursacht somit selbst eine gewisse Asymmetrie, die jedoch
nur wenig Einfluß auf den wichtigen Teil des, Feldes an der
Probenoberfläche nimmt. Obwohl diese Asymmetrie den "Richtungskontrast" in gewissem Haß e vermindert, stört sie nicht
ernsthaft» Bei den oben beschriebenen zwei richtungsempfindlichen
■ Betriebsweisen spricht der Detektor nicht auf Änderungen
in der Energie der Elektronen an, und somit kann ein
Potentialkontrast nicht gleichzeitig mit einer Empfindlichkeit gegenüber seitlich gerichteten elektrischen und magnetischen
Feldern vorhanden sein.
Die dritte in der Fig. 4 veranschaulichte Betriebs- |
weise ist insbesondere zur Beobachtung elektrischer Potentialkontraste geeignet,, Die Elektrodenanordnung ist die gleiche
wie in Fig* 39 ■-jedoch sind die Potentiale anders. Die
Probe S und der-Schirm C liegen nun beide auf Erdpotential,
und sowohl das Polstück P und die Platte A. liegen auf negativem
Potential von veränderbarem Wert, der in einem bestimmten
Ausführungsbeispiel bei minus 36 Volt liegt. Die Gaze G
des Detektors liegt wiederum auf plus 200 Volt.
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Das resultierende Bremsfeld (auf Grund der negativen Aufladung der Platte A bezüglich der Probenoberfläche) entfernt
fast alle Informationen über die Richtung aus dem Signal, und obwohl es die Elektronen zum Auseinanderlaufen bringt,
ist der Bremseffekt der vorherrschende. Kontraste in dem elektrischen Potential zwischen verschiedenen Bereichen der abgetasteten
Probenoberfläche erzeugen Änderungen in dem Signal, die monoton sind, d. h. die entsprechende Beziehung hat keine
Maxima oder Minima (innerhalb des normalen Betriebsbereichs), und so existiert eine direkte und kontinuierliche Beziehung
zwischen dem Potential der Probenoberfläche und der Signalstärke. Durch Veränderung des Potentials an der Elektrode A
kann die Symmetrie dieser Beziehung gesteuert werden.
Eine zusätzliche ringförmige Elektrode R, die in der Fig. 4 in unterbrochenen Linien eingezeichnet ist, kann dicht
an der Probenoberfläche angebracht sein und eine negative Vorspannung aufweisen, um die Gestalt der Beziehung zwischen
dem Potential auf der Probenoberfläche und dem Signal im Detektor zu verändern und hiermit die Linearität dieser Beziehung
zu verbessern.
Die in der Ifig. 4 veranschaulichte Betriebweise ist
besonders zur Beobachtung des Verhaltens von Mikroschaltkreisen geeignet. Mit einer linearen Signalcharakteristik können
Gleichspannungen und Wechselstrom-Wellenformen an einer Mikroschaltung oder an Schaltungselementen mit nur geringer Verzerrung
gemessen werden.
Der Elektronenstrahl muß nicht senkrecht auf die Probenoberfläche auftreffen, sondern im Gegenteil ist ein
Betrieb bei jedem beliebigen Winkel zwischen O und 90 ° möglich,
wenn die ganze Detektor/Schirmanordnung (einschließlich des Szintillators) gedreht wird. In einem solchen.Fall kann
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das Polstück durch eine Metallplatte mit einem kleinen Loch oder Schlitz zum Eintritt des Elektronenstrahls ersetzt werden,
wobei dieser Teil dasjenige Ende des divergierenden Feldbereichs bildet, welches der Probe gegenüberliegt. Der
scheibenähnliche Einsatz kann dann in das Zentrum dieser
Platte eingebracht werden.
Obwohl die Erfindung bei den beschriebenen Anordnungen
im Zusammenhang mit einem Elektronenstrahl verwendet wird,
der eine bestimmte, .kleine Zone auf der Probenoberfläche synchron
mit dem Kathodenstrahlbild des Kontrastsignals abtastet,
kann die Erfindung auch genau so gut für sich zeitlich verändernde
Erscheinungen verwendet werden, indem man beispielsweise mit einem stationären Fleck oder mit einer eindimensionalenLinienabtastung
arbeitet. In Fällen, wo sich die Erscheinung in regelrecht periodischer Weise ändert, kann man
die Stroboskoptechnik heranziehen. Dies ist von besonderem
Wert bei der Untersuchung von Wechselstromwellenformen an einem ausgewählten Punkt an der Oberfläche einer Mikroschaltung.
Im Zusammenhang mit den beschriebenen Ausführungsformen
war bei den Feldern, welche die Elektronenbahnen zum Divergieren
und/oder zum Abbremsen bringen, nur von elektrostatischen Feldern die Rede. Die Felder können jedoch durch Überlagerung
von magnetischen Feldern, die durch geeignet ange- ^j
ordnete Permanentmagnete oder Elektromagnete erzeugt werden,
modifiziert werden. Es ist eine allgemeine Regel, daß auf
elektrostatische Weise erzeugbare Erscheinungen ebenso durch Verwendung von magnetischen Feldern auftreten können, obwohl
letztere weniger leicht zu entwerfen sind. Es kann sogar möglich sein, ein gänzlich magnetisches Feld zur Herbeiführung
des gewünschten Divergenzeffekts zu erzeugen« Der Effekt läßt sich durch Verwendung zweier axial hintereinander liegender
Elektromagnete herbeiführen9 die als Ringwicklungsn ausgebildet
sind und den Schirm G ersetzen·
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Claims (12)
- AnsprücheVerfahren zur Analyse der Oberflächeneigenschaften einer Probe, indem die Oberfläche dem Aufprall von in einem feinen Strahl fokussierten Elektronen ausgesetzt wird und die vom Aufprallpunkt austretenden resultierenden Sekundärelektronen erfaßt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärelektronen im Raum zwischen dem Aufprallpunkt des Strahl und einem Detektor (C,G) mittels eines elektrostatischen und/ oder elektromagnetischen Feldes zum seitlichen Divergieren bezüglich derjenigen Flugbahnen gebracht werden, die sie bei feldfreiem Raum einnehmen würden·
- 2. Elektronenstrahlgerät, bei welchem ein feinfokussierter Elektronenstrahl auf die Oberfläche einer zu untersuchenden Probe gerichtet ist und die am Auftreffpunkt des Strahls aus der Probe austretenden Sekundärelektronen zur Gewinnung von Informationen über Eigenschaften der Probe im Bereich des Auftreffpunktes erfaßt werden, gekennzeichnet durch ein im Raum zwischen Auftreffpunkt und einem die Sekundärelektronen erfassenden Detektor (D) liegendes elektrostatisches oder magnetisches Feld, welches die Sekundärelektronen gegenüber ihren bei feldfreiem Raum zu erwartenden Flugbahnen divergieren läßt.
- 3. Elektronenstrahlgerät nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch ein derartiges Feld, daß sich die Flugbahnen der Sekundärelektronen fontänenartig auseinanderfächern und eine symmetrische oder eine durch das vom Detektor (C,G) selbst ins Asymmetrische verschobene Verteilung bilden.
- 4. Elektronenstrahlgerät nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine derartige Feldverteilung, daß die Flugbahnen der Sekundärelektronen bezüglich der Oberfläcntnxiori»l«a am Auftreffpunkt der Probe divergieren.009832/1719
- 5· Elektronenstrahlgerät nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine derartige Feldverteilung, daß die Flugbahnen der Sekundärelektronen bezüglich einer mit der Achse des einfallenden Elektronenstrahls zusaamenfallendenLinie divergieren. ·
- 6. Elektronenstrahlgerät nach einem der Ansprüche 2 "bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Feld elektrostatisch erzeugt ist.
- ?· Elektronenstrahigerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Felderzeugung ein zylindrischer Schirm (C) vorgesehen ist, dessen Achse mit der Elektronenstrahl'- | achse zusammenfällt und an dem ein "bezüglich der Probe positives Potential liegt«, '
- 8. Elektronenstrahlgerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Detektor (G,D) einen kleineren Teil der . Mantelfläche des zylindrischen Schildes in Umfangsrichtung belegt«
- 9· Elektronenatralilgerät nach Anspruch 8, gekennzeichnet, durch mindestens feinen weiteren Detektor, der ebenfalls in der Wandung des Schirmes (G) liegt. ■1 - I
- 10. Elektronenstrahlgerät nach einem der Ansprüche 7 ^is 9» dadurch gekennseiclmet 9 daß sich der Schirm (C) über den größeren Teil des Abstandes erstreckt, der zwischen der Probe (S) und dem Polstück (P) der Ob^ektivlinse einer Fokussiereinriehtung für den primären Elektronenstrahl . liegt.
- 11« Elektronenstrahlgerät nach Anspruch 10, dadurch gekenn-, zeichnet, daß entweder das Polstück (P) selbst oder eine009832/1719auf dem Polstück angeordnete Platte auf dem im wesentliche» gleichen Potential wie die Probe (S) liegt.
- 12. Elektronenstrahlger&t »ach Anspruch. 10 ode? 11, gekennzeichnet durch eise am de? Stirnseite des Polstück« bBWt de? Platte angeordnete Elektrode (A)9 deren Potential gegenüber der Probe (S) positiv ist.ELektronenstrahlger&t nach Anspruch 1O9 dadurch gekennzeichnet, daß die Probe (S) und äev !Schirm (C) auf is wesentlichen gleichen Potential liegen, während die im Bereich des Polstücks (P) gelegene Elektrode (A) ein bezüglich der Probe (S) negatives Potential aufweist*Ulektronenstrahlgertt nach Anspruch durch eine ringförmige Elektrode (E)1 welche die fläche umgrenzt und auf einem steuerbaren und von der benoberf lache selbst unabhängigen Potential liegt»Elektronenetrahlgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Potential des Detektors (0,35) positiv gegenüber demjenigen des Schirms (0) ist·16· Hektronenstrahlger&t nach Anspruch 8, äa&wp§& zeichnet, daß der Detektor (G9P) auf gleiche» Potential wie der Schirm (O) liegt.009832/1719Leersei te
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB585569 | 1969-02-01 |
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---|---|
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Family
ID=9803896
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Country | Link |
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US (1) | US3694652A (de) |
JP (1) | JPS4830180B1 (de) |
DE (1) | DE2004256C3 (de) |
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- 1970-01-30 DE DE2004256A patent/DE2004256C3/de not_active Expired
- 1970-01-30 NL NL7001404A patent/NL7001404A/xx unknown
- 1970-01-30 US US7198A patent/US3694652A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-01-31 JP JP45008394A patent/JPS4830180B1/ja active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
US3694652A (en) | 1972-09-26 |
GB1304344A (de) | 1973-01-24 |
JPS4830180B1 (de) | 1973-09-18 |
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DE2004256C3 (de) | 1973-10-18 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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