DE19958878A1 - Verfahren zum Herstellen von Solarzellen und Dünnschicht-Solarzelle - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Solarzellen und Dünnschicht-SolarzelleInfo
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Abstract
Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Solarzelle beschrieben, welche eine Absorberschicht sowie eine transparente Fensterelektrode umfaßt, wobei die Fensterelektrode erfindungsgemäß mit einer dünnen Schicht auf Metallbasis hergestellt wird, welche zumindest auf der Seite des Lichteinfalls durch mindestens eine hochbrechende Oxid- oder Nitridschicht entspiegelt wird. Damit wird eine bedeutende Verbesserung der Leitfähigkeit der Fensterelektrode und zugleich Dickenreduzierung gegenüber herkömmlichen Fensterelektroden erreicht, die meist aus leitfähig dotiertem Zinkoxid bestehen.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen
mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1 und auf Dünnschicht-Solar
zellen mit den Merkmalen des Oberbegriffs des nebengeordneten Patentanspruchs 6.
Bekanntlich umfassen auf einem Trägermedium aufgebaute fotovoltaische Solarzellen
eine Front- oder Fensterelektrode, eine Absorberschicht und eine Rückelektrode. Als
Fensterelektrode wird generell und im folgenden diejenige Elektrode bezeichnet, durch
deren Ebene das in elektrische Spannung bzw. Leistung umzusetzende Licht in die Ab
sorberschicht eintritt. Die Fensterelektrode muß also möglichst hoch transparent sein bzw.
eine hohe Lichttransmission aufweisen, um den Wirkungsgrad der Solarzelle nicht unnötig
zu verringern. Dagegen kann die auf der anderen Flächenseite der Absorberschicht vor
gesehene Rückelektrode relativ dick und undurchsichtig sein. Sie muß sich im wesent
lichen durch einen möglichst geringen elektrischen Flächenwiderstand und eine gute Haf
tung mit der Absorberschicht sowie ggf. auf dem Substrat auszeichnen. Die Rückelektro
den werden zumeist aus metallischem Molybdän hergestellt, das die vorgenannten Bedin
gungen erfüllt.
Bei der meist verbreiteten Bauart von Dünnschicht-Solarzellen ist die Rückelektrode zwi
schen einem Trägermedium, dem Substrat, und der Absorberschicht angeordnet; die
transparente Fensterelektrode liegt auf der vom Substrat abgewandten Flächenseite der
Zelle. Auch das Substrat muß somit nicht notwendig transparent sein. Es kann aus Glas,
Keramik, Polymerfolien oder auch Metallblechen bestehen.
Bei Superstrat-Solarzellen ist die Fensterelektrode zwischen dem hier notwendig eben
falls hoch transparenten und ggf. reflexionsarm entspiegelten Trägermedium und der Ab
sorberschicht angeordnet, so daß das Licht durch das Trägermedium und die Fenster
elektrode zur Absorberschicht gelangt. Hier muß die vom Trägermedium abgewandte
Rückelektrode nicht transparent sein.
Die Absorberschicht wird zumeist als Chalkopyritschicht mit Kupfer, Indium und Selen als
Bestandteilen (sog. CIS-Absorberschichten) aufgebaut, mitunter auch mit Schwefel an
stelle des Selens. Fallweise wird der Absorberschicht auch Gallium beigefügt (CIGS-Ab
sorberschichten). Die Absorberschicht ist in der Regel p-leitend. Zum Herstellen eines pn-
Übergangs wird auf die p-leitende Absorberschicht eine weniger als 100 nm dicke Puffer
schicht aus einem n-leitenden Material aufgebracht. Bekannt ist es (US-4,611,091), Cad
miumsulfid (CdS) als Material für die Pufferschicht mit einer darüberliegenden leitfähigen
ZnO-Fensterelektrode zu verwenden.
Wird als Material der Fensterelektrode Zinkoxid (ZnO) oder ein anderes transparentes
Oxid verwendet, so muß dieses an sich dielektrische Material als dotierter Halbleiter auf
gebracht werden. Die Leitfähigkeit wird durch Dotierung, i. a. mit Aluminium oder Bor, er
zielt. In industriellem Maßstab werden diese Fensterelektroden meist durch Sputtern
(Kathodenzerstäubung im Magnetfeld) flächig auf die Absorberschicht abgeschieden.
Dann werden allerdings Schichtdicken von 400 nm und mehr benötigt, um den Flächen
widerstand auf ein brauchbares Maß zu begrenzen. Dadurch wird jedoch die Lichttrans
mission im Vergleich mit dünneren Schichten verringert. Ein weiterer Nachteil dieses
Verfahrens ist, daß die Sputterparameter, insbesondere der Sauerstoff-Teildruck in der
reaktiven Atmosphäre der Zerstäubungskammer, zum Erzielen optimaler Ergebnisse nur
in einem sehr engen Bereich variabel eingestellt werden können. Schließlich ist das Ab
scheiden relativ dicker ZnO-Schichten auch wegen einer vergleichsweise geringen Be
schichtungsrate von metallischem Zink in reaktiver Atmosphäre zeitaufwendig und teuer.
Alternativ können keramische Targets verwendet werden, die bereits aus dem gewünsch
ten leitfähigen Zinkoxid bestehen. Ein Vorteil in Bezug auf die Abscheiderate besteht
jedoch nicht.
Man kann zwar eine Fensterelektrode aus ZnO mit optisch ebenfalls noch brauchbaren
Ergebnissen durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD/chemical vapor deposition)
erzeugen, muß aber bei diesem Verfahren zum Erzielen einer zufriedenstellenden Leit
fähigkeit noch größere Schichtdicken bis zu 1500 nm hinnehmen, weil die Stoffdichte der
damit erzeugten Schichten geringer als die gesputterter Schichten ist.
Man hat auch festgestellt, daß eine relativ dünne (z. B. 100 nm) Schicht aus dielektri
schem ZnO zwischen der Absorberschicht und der leitfähig dotierten ZnO-Fensterelek
trode den Wirkungsgrad der Solarzelle erhöht, sowie sich positiv auf die Prozeßstabilität
auswirkt.
Ein Vorteil dieser Konfiguration ist allerdings, daß die bekannten Solarzellen mit CIS-Ab
sorberschicht ein Ruhespannungspotential haben, das auf einem Ladungsunterschied
zwischen der p-leitenden Absorberschicht und der leitfähig dotierten ZnO-Elektrode (n-
leitend) beruht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum kostengünstigen Herstellen
von Solarzellen mit verbesserter Fensterelektrode anzugeben und mit solchen Fenster
elektroden ausgestattete Dünnschicht-Solarzellen bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß hinsichtlich des Verfahrens mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 1 und hinsichtlich der Solarzellen mit den Merkmalen des nebengeord
neten Anspruchs 6 gelöst. Die Merkmale der den unabhängigen Ansprüchen jeweils
nachgeordneten Unteransprüche geben vorteilhafte Weiterbildungen dieser Gegenstände
an.
Gemäß der Erfindung wird die Fensterelektrode mit einer dünnen Schicht auf Metallbasis
hergestellt, welche zumindest auf der Seite des Lichteinfalls durch mindestens eine
hochbrechende Oxid- oder Nitridschicht entspiegelt wird.
Mit der Verwendung einer metallischen Schicht bzw. einer Schicht auf Metallbasis wird
generell die Leitfähigkeit der Fensterelektrode erhöht. Mit der Entspiegelung zumindest
auf der Lichteintrittseite der Metallschicht (das ist deren von der Absorberschicht
wegweisende Oberfläche) wird sichergestellt, dass das nutzbare Licht auch wirklich die
Elektrode durchdringt und nicht an der Oberfläche der Metallschicht großenteils oder
vollständig reflektiert wird.
Grundsätzlich ist es unerheblich, ob die Entspiegelungsschicht selbst elektrisch leitfähig
ist oder nicht. Sie kann als Einzelschicht oder als Schichtfolge nur mit den
Einschränkungen aufgebracht werden, dass sie einerseits hinreichend transparent,
andererseits gut auf der Metallschicht haftet und mit dieser chemisch verträglich ist.
In einer Weiterbildung wird auch zwischen der Absorberschicht und der metallischen
Schicht der Fensterelektrode eine hochbrechende Schicht oder Schichtfolge angeordnet.
Auch für diese ist es grundsätzlich unerheblich, ob sie elektrisch leitfähig ist oder nicht,
wobei sie allerdings jedenfalls den Stromfluß zwischen der Absorberschicht und der
Fensterelektrode nicht nennenswert durch ohmschen Widerstand einschränken darf.
In besonders bevorzugter Ausführung wird als Fensterelektrode eine Schichtenfolge aus
einer dielektrischen Schicht, einer Schicht auf Metall- oder Legierungsbasis und einer
weiteren dielektrischen Schicht erzeugt.
Die hochbrechenden, ggf. dielektrischen Schichten können in bekannter Weise als Oxide
(ZnO, SnO2, BiOx, TiO2, Al2O3) oder Nitride (AlN, Si3N4) abgeschieden werden. Die
metallische Schicht besteht bevorzugt aus Elementen oder Legierungen hoher Leitfähig
keit, wie z. B. Ag, Cu, Au, Al oder Legierungen aus diesen.
Zum Schutz der bereits fertigen dünnen leitfähigen Schicht vor Oxidation während des
Abscheidens einer hochbrechenden bzw. dielektrischen Schicht kann ggf. eine Blocker
schicht auf der Basis z. B. von NiCr, Ti, Al oder Pb zwischen der Schicht auf Metallbasis
und der nach dieser aufzubringenden hochbrechenden bzw. dielektrischen Schicht vor
zusehen sein.
Grundsätzlich sind Schichtfolgen zweier dielektrischer Schichten mit zwischenliegender
Metallschicht (Funktionsschicht) als Wärmedämmschichten zur Verminderung der Emis
sivität von Architektur- oder Automobilverglasungen allgemein bekannt. Die dielektrischen
Schichten haben darin die Funktion der Entspiegelung der metallischen Zwischenschicht
infolge der unterschiedlichen Brechungsindizes. Ohne die dielektrischen Schichten würde
die Schicht auf Metallbasis zu stark auch das sichtbare Licht reflektieren, was jedenfalls
bei Automobilverglasungen nicht erwünscht ist.
Bekannt ist auch, daß ein Zusammenhang zwischen der elektrischen Leitfähigkeit und der
Wärmedämmwirkung der Funktionsschicht derart besteht, daß bei hoher Leitfähigkeit
auch deren Infrarotreflexion hoch ist.
Derartige schon in großem Umfang angewendete und großflächig gefertigte Schichtfolgen
als Fensterelektroden zu verwenden, bringt einerseits den Vorteil einer wesentlich kosten
günstigeren Fertigung im Vergleich zu den herkömmlichen ZnO-Fensterelektroden, ande
rerseits lassen sich die Gesamtdicken dieser Schichten infolge des wesentlich geringeren
Flächenwiderstands z. B. einer metallischen Silberschicht merklich gegenüber den bislang
notwendigen 400 nm ZnO reduzieren.
So kann der erforderliche Flächenwiderstand von R < 10 Ω mit einer weniger als 20 nm
dicken Silberschicht erreicht werden, die zwischen zwei ca. 30 bis 50 nm dicken Dielektri
ka liegt. Damit lässt sich also eine Fensterelektrode von weniger als 120 nm Dicke reali
sieren.
Die erfindungsgemäße Fensterelektrode kann nicht nur mit CIS-Dünnschichtsolarzellen
verwendet werden, sondern auch für mit anderen Dünnschicht-Technologien erzeugte
Solarzellen in Substrat- oder Superstrat-Ausführung. Solarzellen mit amorphem Silizium
oder Cadmiumtellurid als Absorberschicht können ebenfalls mit der hier erörterten Fen
sterelektrode ausgestattet werden. Es ist auch denkbar, beide Elektrodenschichten einer
Dünnschichtsolarzelle durch die erfindungsgemäße transparente Elektrode zu ersetzen.
Möglich ist auch eine Kombination der eine metallische Schicht enthaltende Elektrode mit
einer dünnen, zwischen Absorber und der metallischen Schicht liegenden leitfähigen,
oxidischen Schicht.
Zur Realisierung eines Beispiels wurde auf eine CIS-Dünnschicht-Solarzelle des Aufbaus
Glas/Mo/CIS/CdS eine Fensterelektrode mit folgendem Aufbau aufgebracht:
Dielektrikum 1 | ZnO ca. 50 nm |
Blocker | Ti ca. 3 nm |
Metall | Ag ca. 15 nm |
Dielektrikum 2 | ZnO ca. 55 nm |
Si3N4 ca. 30 nm |
wobei die Schicht aus Siliziumnitrid im wesentlichen als mechanischer Schutz vor
Beschädigungen (Verkratzen) dient. Ein weiterer Effekt kann die Verringerung der
Diffusion von Feuchte in die Absorberschicht sein, die die Lagerstabilität der
unverkapselten Solarzellen bzw. die Klimastabilität der laminierten Solarmodule
herabsetzt.
Für eine solche auf Glas abgeschiedene Schicht wurde ein Flächenwiderstand von R =
8,5 Ω ermittelt. An einer mit dieser Schicht ausgestatteten Solarzelle wurde im sichtbaren
Spektralbereich ein Reflexionsgrad von 1,2% gemessen. Gegenüber konventionellen
Fensterelektroden, die einen Reflexionsgrad von ca. 8% haben, wirkt dieser Schichtauf
bau also auch reflexionsmindernd, erbringt also einen verbesserten Lichtübergang in die
Absorberschicht.
Die Probe wurde in vier Solarzellen unterteilt, auf die jeweils ein metallischer Kontakt auf
gedampft wurde. Als Referenz wurde auf eine gleich aufgebaute Solarzelle durch Dotie
rung mit Aluminium leitfähiges ZnO : Al als Fensterelektrode abgeschieden.
An diesen Solarzellen wurden folgende Kenndaten gemessen
Zwar sind die Werte der Zellen 1 bis 4 niedriger als die mit der Referenzzelle gemessenen
Vergleichswerte, jedoch ist in einem ersten Schritt die grundsätzliche Verwendbarkeit der
Sandwich-Fensterelektrode nachgewiesen worden. Auch wird erwartet, dass bei einer ge
eigneten Optimierung der Aufbringung und Schichtdicken noch bessere Werte zu erzielen
sein werden.
Der im Vergleich niedrigere Wirkungsgrad der Solarzellen mit der erfindungsgemäßen
Fensterelektrode wird dadurch erklärt, daß der Wellenlängenbereich, in dem die Fenster
elektrode transparent ist (ca. 300 nm bis 900 nm), kleiner ist als der Bereich hoher spektra
ler Empfindlichkeit der Absorberschicht (ca. 300 nm bis 1300 nm). In diesem speziellen Fall
wird somit die nutzbare eingestrahlte Lichtmenge im Wellenlängenbereich zwischen ca.
900 nm und 1300 nm von der Fensterelektrode reflektiert.
Mit der Referenzprobe vergleichbare Ergebnisse sind zu erwarten, wenn der Bereich
hoher Transmission der Fensterelektrode an die spektrale Empfindlichkeit des Absorbers
weiter angepasst wird, d. h. nach Möglichkeit die Fensterelektrode auch für Wellenlängen
oberhalb von 900 nm bis etwa 1300 nm transparent ist. Möglichkeiten zur Verlagerung der
oberen Reflexionsschwelle durch Beeinflussen der Leitfähigkeit der metallischen Schicht
sind dem Fachmann bekannt. Allerdings fällt die Leitfähigkeit der Metallschicht ab, wenn
ihre Transparenz für größere Wellenlängen erhöht wird.
Claims (12)
1. Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Solarzelle, welche eine Absorber
schicht sowie mindestens eine auf der Lichteinfallseite angeordnete transparente
Fensterelektrode umfaßt, dadurch gekennzeichnet, dass die Fensterelektrode
mit einer dünnen Schicht auf Metallbasis hergestellt wird, welche zumindest auf
der Seite des Lichteinfalls durch mindestens eine hochbrechende Oxid- oder
Nitridschicht entspiegelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der
Absorberschicht und der metallischen Schicht der Fensterelektrode mindestens
eine hochbrechende Oxid- oder Nitridschicht aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fen
sterelektrode als Folge aus einer ersten dielektrischen oder transparenten
leitfähigen Schicht, der leitfähigen Schicht auf Metallbasis und einer weiteren
dielektrischen oder transparenten leitfähigen Schicht hergestellt wird.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die zweite Elektrode der Solarzelle ebenfalls aus mindestens einer
Metallschicht und einer hochbrechenden Oxid- oder Nitridschicht hergestellt wird.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die Solarzelle mit einer Chalkopyrit-Absorberschicht ausgeführt wird.
6. Dünnschicht-Solarzelle mit einer Absorberschicht und einer auf der Lichteinfall
seite angeordneten transparenten Fensterelektrode, dadurch gekennzeichnet,
daß die Fensterelektrode eine metallische Schicht umfaßt, welche auf ihrer von
der Absorberschicht abgewandten Lichteinfallseite durch mindestens eine
hochbrechende Oxid- oder Nitridschicht entspiegelt ist.
7. Dünnschicht-Solarzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß auch
zwischen der metallischen Schicht der Fensterelektrode und der Absorberschicht
mindestens eine hochbrechende Oxid- oder Nitridschicht angeordnet ist.
8. Dünnschicht-Solarzelle nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Fensterelektrode als Schichtfolge aus einer dielektrischen Schicht, der
leitfähigen Schicht auf Metallbasis und einer weiteren dielektrischen Schicht
besteht.
9. Dünnschicht-Solarzelle nach Anspruch 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Metallschicht aus Silber, Kupfer, Gold, Aluminium oder Legierungen
dieser Metalle besteht.
10. Dünnschicht-Solarzelle nach einem der vorstehenden Produktansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der dielektrischen Schichten aus
Zinkoxid besteht.
11. Dünnschicht-Solarzelle nach einem der vorstehenden Produktansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß ihre zweite Elektrode ebenfalls aus mindestens
einer Metallschicht und einer hochbrechenden Oxid- oder Nitridschicht besteht.
12. Solarzelle nach einem der vorstehenden Produktansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Metallschicht, insbesondere Silberschicht, der Fensterelektrode
weniger als 20 nm dick ist und die Gesamtdicke der Fensterelektrode geringer als
120 nm ist.
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---|---|---|---|
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US09/890,864 US6825409B2 (en) | 1999-12-07 | 2000-11-29 | Method for producing solar cells and thin-film solar cell |
EP00985350.8A EP1151480B1 (de) | 1999-12-07 | 2000-11-29 | Dünnschicht-sonnenzelle |
PCT/FR2000/003327 WO2001043204A1 (fr) | 1999-12-07 | 2000-11-29 | Procede pour la fabrication de cellules solaires et cellule solaire a couche mince |
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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WO (1) | WO2001043204A1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008133770A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-11-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US7888594B2 (en) | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
US7964788B2 (en) | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US8022291B2 (en) | 2008-10-15 | 2011-09-20 | Guardian Industries Corp. | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device |
US8076571B2 (en) | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2820241B1 (fr) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
EP1521309A1 (de) * | 2003-10-02 | 2005-04-06 | Scheuten Glasgroep | Serienverschaltung von Solarzellen mit integrierten Halbleiterkörpern, Verfahren zur Herstellung und Photovoltaikmodul mit Serienverschaltung |
US20050139255A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Korman Charles S. | Solar cell assembly for use in an outer space environment or a non-earth environment |
US20050139256A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Korman Charles S. | Solar cell assembly for use in an outer space environment or a non-earth environment |
US20050139253A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Korman Charles S. | Solar cell assembly for use in an outer space environment or a non-earth environment |
CN101263588B (zh) * | 2005-06-24 | 2013-03-20 | 科纳卡技术股份有限公司 | 制备电极的方法 |
JP2009501448A (ja) * | 2005-07-12 | 2009-01-15 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 光電池の転写方法 |
WO2007011742A2 (en) * | 2005-07-14 | 2007-01-25 | Konarka Technologies, Inc. | Cigs photovoltaic cells |
DE102005046908A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Merck Patent Gmbh | Elektrochemische Abscheidung von Selen in ionischen Flüssigkeiten |
KR100909179B1 (ko) * | 2006-07-24 | 2009-07-22 | 주식회사 엘지화학 | Cis계 태양전지 흡수층의 제조방법 |
WO2008063305A2 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-29 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105299A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080302414A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-12-11 | Den Boer Willem | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
KR100900443B1 (ko) * | 2006-11-20 | 2009-06-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그의 제조방법 |
US7982127B2 (en) | 2006-12-29 | 2011-07-19 | Industrial Technology Research Institute | Thin film solar cell module of see-through type |
US8334452B2 (en) | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
CA2684967C (en) * | 2007-05-07 | 2014-08-19 | Georgia Tech Research Corporation | Formation of high quality back contact with screen-printed local back surface field |
US20080308145A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp | Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
FR2919114B1 (fr) * | 2007-07-16 | 2009-09-04 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique |
FR2919110A1 (fr) * | 2007-07-16 | 2009-01-23 | Saint Gobain | Substrat de face avant d'ecran plasma, utilisation et procede de fabrication |
FR2919429B1 (fr) * | 2007-07-27 | 2009-10-09 | Saint Gobain | Substrat de face avant de cellule photovoltaique et utilisation d'un substrat pour une face avant de cellule photovoltaique |
US20090169723A1 (en) * | 2007-10-02 | 2009-07-02 | University Of Delaware | I-iii-vi2 photovoltaic absorber layers |
FR2922886B1 (fr) * | 2007-10-25 | 2010-10-29 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu de couches a resistivite amelioree. |
US20090194155A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
KR20100119871A (ko) * | 2008-02-18 | 2010-11-11 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 광전지 및 광전지 기재 |
US20090286349A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Georgia Tech Research Corporation | Solar cell spin-on based process for simultaneous diffusion and passivation |
FR2936241B1 (fr) * | 2008-09-24 | 2011-07-15 | Saint Gobain | Electrode avant pour cellule solaire avec revetement antireflet. |
FR2939563B1 (fr) * | 2008-12-04 | 2010-11-19 | Saint Gobain | Substrat de face avant de panneau photovoltaique, panneau photovoltaique et utilisation d'un substrat pour une face avant de panneau photovoltaique |
US20110284051A1 (en) * | 2009-01-29 | 2011-11-24 | Kyocera Corporation | Photoelectric Conversion Cell, Photoelectric Conversion Module, and Method for Manufacturing Photoelectric Conversion Cell |
CN102362355A (zh) * | 2009-03-25 | 2012-02-22 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 在薄膜光伏制品上形成保护层的方法和用这样的层制成的制品 |
DE102009025428A1 (de) * | 2009-06-16 | 2010-12-23 | Schott Solar Ag | Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zur Herstellung |
JP5224470B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-07-03 | 国立大学法人東北大学 | 光電変換部材 |
EP2317562A1 (de) * | 2009-11-03 | 2011-05-04 | Fundacio Privada Institut De Ciencies Fotoniques | Mehrschichtige Metallelektroden für Optoelektronik |
US20110168252A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-07-14 | Guardian Industries Corp. | Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same |
US8502066B2 (en) * | 2009-11-05 | 2013-08-06 | Guardian Industries Corp. | High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same |
US20110186120A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-08-04 | Guardian Industries Corp. | Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same |
FR2984609A1 (fr) * | 2011-12-20 | 2013-06-21 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique a colorant |
CN104393099B (zh) * | 2014-10-09 | 2016-09-14 | 浙江大学 | 一种四氟钇钠碘氧铋复合太阳能薄膜的制备方法 |
CN109713059A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-03 | 中国科学院电工研究所 | 一种cigs电池器件及其制备方法 |
CN113113497B (zh) * | 2021-04-13 | 2023-01-24 | 河南大学 | 一种使用有机增效剂的太阳能电池及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2677714A (en) * | 1951-09-21 | 1954-05-04 | Alois Vogt Dr | Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode |
DE3615889A1 (de) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Solarzellen auf der basis von cuins(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) und verfahren zu deren herstellung |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4207119A (en) * | 1978-06-02 | 1980-06-10 | Eastman Kodak Company | Polycrystalline thin film CdS/CdTe photovoltaic cell |
JPS59217378A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
US4663495A (en) * | 1985-06-04 | 1987-05-05 | Atlantic Richfield Company | Transparent photovoltaic module |
DE3704880A1 (de) | 1986-07-11 | 1988-01-21 | Nukem Gmbh | Transparentes, leitfaehiges schichtsystem |
US4940495A (en) * | 1988-12-07 | 1990-07-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films |
US5078804A (en) * | 1989-06-27 | 1992-01-07 | The Boeing Company | I-III-VI2 based solar cell utilizing the structure CuInGaSe2 CdZnS/ZnO |
US5220181A (en) * | 1989-12-11 | 1993-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element of junction type with an organic semiconductor layer formed of a polysilane compound |
US5176758A (en) * | 1991-05-20 | 1993-01-05 | United Solar Systems Corporation | Translucent photovoltaic sheet material and panels |
JP3722326B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2005-11-30 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
-
1999
- 1999-12-07 DE DE19958878A patent/DE19958878B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-11-29 EP EP00985350.8A patent/EP1151480B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-29 WO PCT/FR2000/003327 patent/WO2001043204A1/fr active Application Filing
- 2000-11-29 US US09/890,864 patent/US6825409B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2677714A (en) * | 1951-09-21 | 1954-05-04 | Alois Vogt Dr | Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode |
DE3615889A1 (de) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Solarzellen auf der basis von cuins(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) und verfahren zu deren herstellung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Appl. Phys. Letters, Bd. 27, 1975, S. 95-98 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7964788B2 (en) | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US8012317B2 (en) | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US8076571B2 (en) | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
WO2008133770A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-11-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
EP2276069A3 (de) * | 2007-04-26 | 2012-06-13 | Guardian Industries Corp. | Frontelektrode mit einer transparenten leitenden Beschichtung auf einem texturierten Glassubstrat zur Verwendung in einer Solarzelle und entsprechendes Herstellungsverfahren |
US7888594B2 (en) | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
US8022291B2 (en) | 2008-10-15 | 2011-09-20 | Guardian Industries Corp. | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1151480B1 (de) | 2014-06-04 |
EP1151480A1 (de) | 2001-11-07 |
US6825409B2 (en) | 2004-11-30 |
DE19958878B4 (de) | 2012-01-19 |
WO2001043204A1 (fr) | 2001-06-14 |
US20020179143A1 (en) | 2002-12-05 |
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DE3713957C2 (de) |
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