DE19935823A1 - Elektro-optische Mikroelektronikanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Abstract

Bei einer elektro-optischen Mikroelektronikanordnung sind mit integrierten elektronischen Komponenten verbundene lichtemittierende Komponenten (21, 22, 23) durch eine auf einem integrierten Halbleiterschaltkreissystem (20) vorgesehene, Elektroden (22, 23) bildende Metallisierungsebene und eine lichtemittierende Schicht (21) aus halbleitendem organischen Material auf dieser Metallisierungsebene gebildet.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektro-optische Mi­ kroelektronikanordnung nach dem Oberbegriff des Patentan­ spruchs 1 sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung nach Pa­ tentanspruch 17.

In der Mikroelektronik ist es üblich geworden, neben rein elektronischen Anordnungen, wie integrierten Halbleiter­ schaltkreisen, in denen elektronische Funktionseinheiten, wie Transistoren, Dioden, Kapazitäten usw. in einem Halbleiter­ substrat integriert sind, in Verbindung mit derartigen elek­ tronischen Funktionseinheiten auch optische Komponenten zu kombinieren. Dabei ermöglicht es der gegenwärtige Stand der Halbleitertechnologie, Photosensoren, wie etwa Photodioden, und optische Wellenleiter mit elektronischen Systemen, wie etwa Verstärkern, monolithisch zu integrieren. Dies kann bei­ spielsweise in MOS-Technik erfolgen, wobei die Herstellung von Photosensoren und optischen Wellenleitern mit der Her­ stellung der elektronischen Verstärkerfunktionseinheiten pro­ zeßkompatibel ist.

Dies ist jedoch für elektro-optische Mikroelektronikanord­ nungen, welche eine Kombination von lichtemittierenden Kompo­ nenten und elektronischen Funktionseinheiten der vorgenannten Art darstellen, nicht ohne weiteres möglich. Solche Mikro­ elektronikanordnungen sind beispielsweise optische Anzeigean­ ordnungen oder optische Verbindungen. Bisher wurde das Licht in einer eigenen Anordnung, z. B. auf der Basis von Verbin­ dungshalbleitern - etwa III-V-Verbindungshalbleitern - er­ zeugt, die extern mit einem integrierten Halbleiterschalt­ kreis auf Siliziumbasis verbunden werden mußte.

Neben lichtemittierenden Elementen auf der Basis der genann­ ten Verbindungshalbleiter sind auch lichtemittierende Elemen­ te auf der Basis von halbleitenden Polymeren bekannt gewor­ den. Sich für diesen Zweck eignende Polymere in Form von kon­ jugierten Polymeren oder Spiroverbindungen sind beispielswei­ se in der DE 196 15 128 A1 und der EP 0 676 461 A2 beschrie­ ben.

Flächenleuchtdioden aus derartigen Polymeren sind beispiels­ weise aus "Physikalische Blätter" 54 (1998) Nr. 3, Seiten 225-230 oder der Druckschrift "c't" 1999, Heft 2, Seiten 76- 81 bekannt geworden.

Der prinzipielle Aufbau einer derartigen Flächenleuchtdiode ist in Fig. 1 dargestellt. Dabei ist auf einen transparenten Glas- oder Kunststoffträger 10 eine ebenfalls transparente Elektrode 11, beispielsweise aus Indium-Zinn-Oxid, auf diese eine lichtemittierende Schicht 12 aus einem halbleitenden Po­ lymer und auf diese wiederum eine Gegenelektrode 13, bei­ spielsweise aus Aluminium, aufgebracht. Bei Anlegen einer elektrischen Spannung ergeben sich in der Schicht 12 aus halbleitendem Polymer Lichtemissionen bewirkende Rekombina­ tionsprozesse von Elektronen und Löchern, wobei das Licht ge­ mäß dem dargestellten prinzipiellen Aufbau über die transpa­ rente Elektrode 11 und den transparenten Träger 10 abge­ strahlt wird.

Aus der oben genannten Druckschrift "c't" ist es weiterhin bekannt, daß der Wirkungsgrad derartiger Elemente verbessert werden kann, wenn statt einer Schicht 12 aus einem einzigen halbleitenden Polymer eine Schichtstruktur aus zwei unter­ schiedlichen Polymeren verwendet wird, von denen eines den einen Ladungsträgertyp, etwa Elektronen, und das andere den anderen Ladungsträgertyp, etwa Löcher, besser leitet. Die lichtemittierenden Rekombinationen finden dann nicht wie bei einer Schicht aus einem einzigen Polymer an Metall-Halblei­ ter-Kontakten sondern an der Grenzschicht der unterschiedli­ chen Polymere statt.

Aus der letztgenannten Druckschrift ist es schließlich auch bekannt, in einer monolithisch integrierten Struktur elektro­ nische Funktionseinheiten, wie beispielsweise MOS-Transisto­ ren, mit lichtemittierenden Polymerdioden zu vereinigen. Da­ mit wird beispielsweise der Aufbau "intelligenter Bildpunkte" möglich. Für den Aufbau von lichtemittierenden Dioden wird dabei aber lediglich von dem vorstehend erläuterten Aufbau in einer vertikalen Schichtfolge Träger-Elektrode-Polymer-Elek­ trode ausgegangen. Ein solcher vertikaler Aufbau ist jedoch herstellungstechnisch aufwendig und mit der üblichen Halblei­ ter-Prozeßtechnologie, wenn überhaupt, nur schlecht kompati­ bel.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Aufbau von lichtemittierenden Elementen auf der Basis halb­ leitender organischer Materialien anzugeben, der herstel­ lungstechnisch in einfacher Weise an die prozeßtechnischen Gegebenheiten der integrierten Halbleiterschaltkreistechnolo­ gie angepaßt ist.

Diese Aufgabe wird bei einer elektro optischen Mikroelektro­ nikanordnung der gattungsgemäßen Art erfindungsgemäß durch die Maßnahmen nach dem kennzeichnenden Teil des Patentan­ spruchs 1 gelöst.

Ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen elek­ tro optischen Mikroelektronikanordnung ist Gegenstand des Pa­ tentanspruchs 17.

Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sowohl hinsichtlich der Anordnung als auch des Verfahrens sind Gegenstand ent­ sprechender Unteransprüche.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispie­ len gemäß den Figuren der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 den oben bereits erläuterten bekannten prinzipiel­ len Aufbau einer Flächenleuchtdiode auf der Basis halbleiten­ der Polymere;

Fig. 2 den grundsätzlichen Aufbau einer erfindungsgemäßen elektro optischen Mikroelektronikanordnung mit einer einzigen lichtemittierenden Komponente auf der Basis von halbleitendem organischen Material bzw. Kunststoff;

Fig. 3 eine der Fig. 2 entsprechende Darstellung einer er­ findungsgemäßen elektro optischen Mikroelektronikanordnung mit mehr als einer lichtemittierenden Komponente;

Fig. 4 schematisch ein Halbleiterschaltkreissystem mit ei­ ner Metallisierungsebene zur Verdrahtung von elektronischen Funktionseinheiten in einem Substrat auf Silizium-Basis und einer darüber befindlichen erfindungsgemäß ausgebildeten lichtemittierenden Struktur auf der Basis von halbleitendem organischen Material bzw. Kunststoff mit Kontakten in einer Metallisierungsebene; und

Fig. 5 schematisch ein Ausführungsbeispiel mit einer op­ tischen Kopplung einer erfindungsgemäß ausgebildeten licht­ emittierenden Komponente mit einem Photosensor in einem Halb­ leiterschaltkreissystem.

Vor der Erläuterung der Ausführungsbeispiele sei zunächst darauf hingewiesen, daß im Rahmen vorliegender Erfindung der Begriff "Halbleiterschaltkreissystem" ein die elektronischen Funktionseinheiten, wie Transistoren, Dioden, Kapazitäten usw. enthaltendes Halbleitersubstrat und darauf befindliche durch Oxidschichten voneinander isolierte, Leiterbahnen und Anschlußelemente (Pads) bildende Metallisierungsebenen be­ zeichnet. Mit anderen Worten ausgedrückt, handelt es sich da­ bei um das elektronisch aktive System ohne äußere elektrische Anschlüsse und Gehäusekomponenten.

Es sei ferner darauf hingewiesen, daß der Begriff "Halblei­ terschaltkreissystem" sich im Rahmen vorliegender Erfindung nicht nur auf monolithisch integrierte Schaltkreissysteme be­ zieht, bei denen in einem einkristallinen Siliziumsubstrat elektronische Funktionseinheiten ausgebildet sind. Er umfaßt vielmehr auch Schaltkreissysteme auf Polysilizium-Basis oder auf der Basis von amorphem Silizium auf Glasträgern.

Anhand von Fig. 2 wird der prinzipielle Aufbau einer erfin­ dungsgemäßen elektro optischen Mikroelektronikanordnung be­ schrieben. Auf einem Halbleiterschaltkreissystem 20 auf Sili­ ziumbasis der vorstehend erläuterten Art ist eine lichtemit­ tierende Komponente 21, 22, 23 vorgesehen. Das Halbleiter­ schaltkreissystem 20 selbst kann im oben beschriebenen Sinne konventioneller Art sein und braucht daher nicht näher erläu­ tert zu werden.

Auf diesem Halbleiterschaltkreissystem 20 sind aus einer ein­ zigen Metallisierungsebene durch in der Halbleitertechnologie übliche Strukturierungsmaßnahmen entstandene Elektroden 22 und 23 angeordnet. Diese Elektroden 22 und 23 sind abgesehen von elektrischen Verbindungen mit Pads und Leiterbahnen des Halbleiterschaltkreissystems 20 üblicherweise durch eine nichtdargestellte Isolatorschicht etwa in Form einer Sili­ ziumdioxidschicht von darunterliegenden Metallisierungsebenen des Halbleiterschaltkreissystems 20 isoliert. Wie anhand von Fig. 4 noch erläutert wird, erfolgen die elektrischen Verbin­ dungen in an sich bekannter Weise über Durchkontaktierungen durch Kontaktlöcher in der Isolatorschicht.

Auf das Halbleiterschaltkreissystem 20 ist über den Kontakten 22 und 23 eine Schicht 21 aus halbleitendem organischen Mate­ rial bzw. Kunststoff vorgesehen, aus welcher die Lichtemis­ sion über Rekombinationen von Elektronen und Löchern erfolgt.

Wie sich aus Fig. 2 ergibt, ist der Kern der Erfindung in ei­ ner lateralen Struktur der lichtemittierenden Komponente 21, 22, 23 zu sehen, woraus sich eine prozeßtechnisch äußerst vorteilhafte Anpassung an eine Halbleiterschaltkreistechnolo­ gie ergibt. Im Gegensatz zu der oben erläuterten vertikalen Struktur einer lichtemittierenden Diode auf der Basis halb­ leitender Polymere kann die Elkektrodenstruktur 22, 23 aus einer einzigen Metallisierungsebene erzeugt werden, die, wie in der Halbleitertechnik üblich, auf dem Halbleiterschalt­ kreissystem 20 abgeschieden und strukturiert werden kann. Ebenso kann die Schicht 21 aus halbleitendem organischen Ma­ terial bzw. Kunststoff (ggf. auch mehr als eine Schicht) in üblicher Prozeßtechnik aufgebracht und ggf. strukturiert wer­ den. Neben dieser Kompatibilität mit üblichen Halbleiterpro­ zessen ergibt sich aus der lateralen Struktur der weitere Vorteil, daß keine transparenten Elektroden aus einem von den in der Halbleitertechnologie üblichen Metallisierungsmateria­ lien verschiedenen Material notwendig sind, weil sich die Elektroden nur auf einer Seite der lichtemittierenden Schicht 21 befinden und deren andere Seite daher für die Lichtab­ strahlung vollständig frei ist.

Als halbleitende organische Materialien bzw. Kunststoffe fin­ den in besonderer Ausgestaltung der Erfindung organische Po­ lymere oder Oligomere Verwendung.

Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung können auch an verschiedenen Stellen eines Halbleiterschaltkreissy­ stems unterschiedliche halbleitende organische Materialien bzw. Kunststoffe vorgesehen werden, wodurch auf ein- und dem­ selben Halbleiterschaltkreissystem verschiedene Lichtfarben erzeugt werden können.

Ein derartiges Ausführungsbeispiel ist in Fig. 3 dargestellt, in der gleiche bzw. sich entsprechende Elemente wie in Fig. 2 mit gleichen bzw. sich entsprechenden Bezugszeichen versehen sind. Dabei sind auf dem Halbleiterschaltkreissystem 20 zwei lichtemittierende Komponenten mit Elektroden 22-1, 23-1 bzw. 22-2, 23-2 sowie jeweils einer, jeweils einem Elektrodenpaar zugeordneten Schicht 21-1 bzw. 21-2 aus unterschiedlichen halbleitenden organischen Materialien bzw. Kunststoffen vor­ gesehen. Aufgrund dieser unterschiedlichen Materialien strah­ len die beiden lichtemittierenden Komponenten unterschiedli­ che Lichtfarben ab.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung können die Elektroden der lichtemittierenden Komponenten auch mindestens teilweise aus unterschiedlichen Metallen bestehen, so daß die jeweiligen Elektroden einer lichtemittierenden Komponente ei­ ne unterschiedliche Ladungsträger-Austrittsarbeit besitzen. In Fig. 3 ist eine solche Ausgestaltung für die Elektroden 22-1, 23-1 der linksseitigen lichtemittierenden Komponente dargestellt. Sie besitzt einen Kern 22-3, der beispielsweise aus dem gleichen Metall wie dasjenige der Elektrode 23-1 be­ stehen kann, sowie eine Oberflächenschicht 22-4 aus einem vom Metall der Elektrode 23-1 verschiedenen Metall. In vorteil­ hafter Weise ist eine solche Elektrodenausbildung aus unter­ schiedlichen Metallen für als Kathoden wirkende Elektroden vorgesehen. Damit lassen sich die zur Lichtemission führenden Ladungsträger-Rekombinationsprozesse günstig beeinflussen.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung mit Schichten aus halbleitendem organischen Material bzw. Kunststoff in Form von aneinander angrenzenden, sich mindestens teilweise überdeckenden Schichten aus unterschiedlichen derartigen Ma­ terialien ist in Fig. 4 dargestellt, in der ebenfalls gleiche bzw. sich entsprechende Elemente wie in den Fig. 2 und 3 mit gleichen bzw. sich entsprechenden Bezugszeichen versehen sind. Aus Gründen der Vereinfachung der Darstellung sind da­ bei Schichtverläufe sowohl bei Schichten aus halbleitendem organischen Material bzw. Kunststoff als auch bei Metallisie­ rungen ohne in der Praxis entstehende Verrundungen an Kanten dargestellt, was übrigens auch für die bereits erläuterten Ausführungsbeispiele gilt.

Fig. 4 zeigt zunächst schematisch eine bereits oben erwähnte Ausführungsform eines Halbleiterschaltkreissystems 20 aus ei­ nem Träger 20-1 beispielsweise aus Glas sowie einem darauf befindlichen, elektronische Funktionseinheiten enthaltenden Substrat 20-2 auf Siliziumbasis.

Wie in der Technik integrierter Halbleiterschaltkreise üb­ lich, ist auf dem Substrat 20-2 eine der Verdrahtung der elektronischen Funktionseinheiten dienende Metallisierungs­ ebene vorgesehen, aus der mittels üblicher Strukturierungs­ prozesse Leiterbahnen und Anschlußelemente (Pads) 25 herge­ stellt und die durch eine Isolatorschicht 20-3 wie üblich aus Siliziumdioxid gegen das Substrat 20-2 isoliert sind. Eine elektrische Verbindung der Leiterbahnen und Pads 25 mit den elektronischen Funktionseinheiten im Substrat 20-2 erfolgt über Kontaktlöcher 26.

Gegen die Verdrahtungs-Metallisierungsebene - Leiterbahnen und Pads 25 - durch eine Isolatorschicht 20-4 isoliert, ist wiederum wie bei den Ausführungsbeispielen nach den Fig. 2 und 3 eine Metallisierungsebene vorgesehen, aus der durch entsprechende Strukturierung die Kontakte 22-1, 23-1, 22-2, 23-2 ausgebildet sind.

Auf den Kontakten 22-1, 23-1, 22-2, 23-2 sind Schichten 30, 31, 32 aus halbleitendem organischen Material bzw. Kunststoff ausgebildet, wobei es sich bei den Schichten 30 und 31 um strukturierte nur auf bestimmten Stellen des Substrats 20-2 befindliche Schichten handelt, die von der im Ausführungsbei­ spiel ganzflächigen Schicht 32 überdeckt werden.

Je nach Art der Materialien der Schichten 30, 31, 32 können verschiedene Lichtfarbenkombinationen realisiert werden, wo­ bei sich wie oben bereits erläutert, durch unterschiedliche Leitfähigkeit der Ladungsträgertypen lichtemittierende La­ dungsträgerrekombinationen an den Grenzschichten der unter­ schiedlichen Materialien ergeben.

Elektrische Verbindungen zwischen Kontakten 22-1, 23-1, 22-2, 23-2 der lichtemittierenden Komponenten sowie den Leiterbah­ nen und Pads 25 der Verdrahtungs-Metallisierungsebene auf dem Halbleiterschaltkreissystem 20 erfolgen über Kontaktlöcher 24 in der Isolatorschicht 20-4.

Fig. 5, in der gleiche bzw. sich entsprechende Elemente wie in den Fig. 2 bis 4 mit gleichen bzw. sich entsprechenden Bezugszeichen versehen sind, zeigt schematisch ein Ausfüh­ rungsbeispiel, bei der eine optische Kopplung einer erfin­ dungsgemäß ausgebildeten lichtemittierenden Komponente mit einem Photosensor vorgesehen ist, der seinerseits Bestandteil eines integrierten Halbleiterschaltkreissystems ist.

Dabei ist auf dem Halbleiterschaltkreissystem 20 wiederum ei­ ne lichtemittierende Komponente mit Elektroden 22 und 23 so­ wie einer darüber befindlichen lichtemittierenden Schicht 21 aus halbleitendem organischen Material bzw. Kunststoff ausge­ bildet, die durch die Isolatorschicht 20-4 gegen das Halblei­ terschaltkreissystem 20 isoliert ist.

Zusätzlich zu hier nicht eigens dargestellten Verdrahtungs- Metallisierungsebenen ist bei diesem Ausführungsbeispiel auf dem Halbleiterschaltkreissystem 20 ein Lichtwellenleiter 41 vorgesehen, der beispielsweise aus Silizium-Oxid-Nitrid/Sili­ ziumdioxid bestehen kann und zu einem Photosensor 42 führt. Ein solcher Photosensor kann z. B. eine Photodiode in MOS- Technik sein.

Der Lichtwellenleiter 41 ist mit der lichtemittierenden Kom­ ponente 21, 22, 23 über eine optische Durchführung 40 gekop­ pelt, die ebenso wie der Lichtwellenleiter aus Silizium-Oxid- Nitrid/Siliziumdioxid bestehen kann.

Die erfindungsgemäße laterale Ausbildung der lichtemittieren­ den Komponente hat dabei den weiteren Vorteil, daß ohne zu­ sätzliche Maßnahmen zur Gewährleistung der Transparenz auf beiden sich in vertikaler Richtung gegenüberliegenden Seiten der Schicht 21 Licht abgestrahlt und also in einfacher Weise auch direkt in die optische Durchführung 40 eingekoppelt wer­ den kann.

Die vorstehend beschriebene Art der Lichtleitung zwischen lichtemittierenden und lichtempfangenden Komponenten auf ei­ nem Halbleiterschaltkreissystem eignet sich z. B. zur Taktver­ teilung zwischen verschiedenen Teilen des Systems, wobei in solchen Teilen jeweils ein Photosensor vorgesehen ist, der das optische Signal in ein elektrisches Taktsignal umwandelt. Damit können bei einer rein elektronischen Signalverteilung möglicherweise auftretende Verzerrungen minimiert werden.

Der wesentliche Vorteil der erfindungsgemäßen Mikroelektro­ nikanordnung liegt unter anderen in der besonders einfachen und damit billigen Herstellung. Gemäß einem Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Mikroelektronikanordnung wird auf ein integriertes Halbleiterschaltkreissystem, bei­ spielsweise das System 20 nach Fig. 1, zur Bildung von in ei­ ner Ebene liegenden Kontakten, beispielsweise 22, 23 eine Me­ tallisierungsebene aufgebracht, auf diese Metallisiserungs­ ebene mindestens eine Schicht, beispielsweise 21, aus halb­ leitendem organischen Material bzw. Kunststoff ganzflächig aufgebracht und danach an vorgegebene Strukturen lichtemit­ tierender Komponenten angepaßt strukturiert. Das Aufbringen von Schichten aus halbleitendem organischen Material bzw. Kunststoff kann in einfacher Weise durch Aufschleudern (spin coating), wie etwa beim Aufbringen von Photolack auf Halblei­ tersubstrate, erfolgen. Die Strukturierung von Schichten aus halbleitendem organischen Material bzw. Kunststoff kann eben­ falls nach in der Halbleitertechnik üblichen Prozessen durch Phototechnik, etwa mittels Photolackmasken, erfolgen. Es ist auch denkbar, daß Polymere direkt ohne Masken strukturiert werden, wenn es sich um Materialien handelt, die sich wie Photolacke verhalten.

Claims (18)

1. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung, in der elek­ tronische Komponenten und lichtemittierende Komponenten mit­ einander verbunden sind und in der lichtemittierende Kompo­ nenten auf der Basis von halbleitenden organischen Materia­ lien Verwendung finden, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf einem integrierten Halbleiterschalt­ kreissystem (20; 20-1, 20-2) eine Metallisierungsebene vorge­ sehen ist, welche in dieser einen Ebene Elektroden (22, 23; 22-1, 23-1, 22-2, 23-2) für lichtemittierende Komponenten (21, 22, 23; 21-1, 21-2, 22-1, 23-1, 22-2, 23-2; 22-1, 23-1, 22-2, 23-2, 30, 31, 32) auf der Basis von halbleitenden orga­ nischen Materialien bilden, und auf der Metallisierungsebene mindestens eine Schicht (beispielsweise 21) aus halbleitendem organischen Material vorgesehen ist.

2. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als halb­ leitende organische Materialien konjugierte Polymere Verwen­ dung finden.

3. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als halb­ leitende organische Materialien konjugierte Oligomere Verwen­ dung finden.

4. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch lichtemittierende Komponenten (21, 22, 23; 21-1, 21-2, 22-1, 22-2, 23-1, 23-2), die durch Elektrodenpaare (22, 23; 22-1, 23-1, 22-2, 23-2) in der einen Metallisierungsebene und je­ weils eine auf diesem befindliche Schicht (21; 21-1, 21-2) aus halbleitendem organischen Material gebildet sind.

5. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten (21; 21-1, 21-2) aus dem gleichen halbleitenden or­ ganischen Material bestehen.

6. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach Ansprüch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten (21-1, 21-2; 30, 31, 32) aus unterschiedlichen halbleitenden organischen Materialien bestehen.

7. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch lichtemittierende Komponenten (22-1, 22-2, 23-1, 23-2, 30, 31, 32), die durch Elektrodenpaare (22-1, 22-2, 23-1, 23-2) in der einen Metallisierungsebene und sich mindestens teil­ weise überdeckende Schichten (30, 31, 32) aus unterschiedli­ chen halbleitenden organischen Materialien gebildet sind.

8. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeich­ net, daß jeweils zwei, eine Anode und eine Kathode für lichtemittierende Komponenten bildende Elektroden (22, 23; 22-1, 23-1, 22-2, 23-2) aus unterschiedlichen Metallen beste­ hen.

9. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß Kathoden bildende Elektroden (beispielsweise 21-1) mindestens in einer Oberflächenschicht (22-4) aus einem von einem Metall von An­ oden (beispielsweise 23-1) verschiedenen Metall bestehen.

10. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeich­ net, daß das integrierte Halbleiterschaltkteissystem (20) ein monolithisch integriertes System auf der Basis eines ein­ kristallinen Silizium-Substrats ist.

11. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeich­ net, daß das integrierte Halbleiterschaltkreissystem (20) ein System auf der Basis von Polysilizium ist.

12. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeich­ net, daß das integrierte Halbleiterschaltkreissystem (20-1, 20-2) ein System auf der Basis von amorphem Silizium ist.

13. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das amor­ phe Silizium auf einem Glas-Träger (20-2) vorgesehen ist.

14. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeich­ net, daß die Metallisierungsebene (22-1, 23-1, 22-2, 23-2) sowie die lichtemittierende(n) Schicht(en) (30, 31, 32) aus halbleitendem organischen Material, welche die lichtemittie­ renden Komponenten (22-1, 23-1, 22-2, 23-2, 30, 31, 32) bil­ den, auf einer Isolatorschicht (20-4) vorgesehen ist, welche die lichtemittierenden Komponenten gegen eine eine Verdrah­ tungsebene des integrierten Halbleiterschaltkreissystems (20- 1, 20-2) bildende Metallisierungsebene (25) isoliert.

15. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß Elektro­ den (22-1, 23-1, 22-2, 23-2) der lichtemittierenden Komponen­ ten (22-1, 23-1, 22-2, 23-2, 30, 31, 32) über Kontaktlöcher (24) in der Isolatorschicht (20-4) mit Anschlußelementen (25) in der Verdrahtungsebene elektrisch verbunden sind.

16. Elektro-optische Mikroelektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, gekennzeichnet durch eine optische Kopplung (40, 41) von lichtemittierenden Kompo­ nenten (21, 22, 23) mit Photosensoren (42) im integrierten Halbleiterschaltkreissystem (20).

17. Verfahren zur Herstellung einer elektro optischen Mikro­ elektronikanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß auf ein inte­ griertes Halbleiterschaltkreissystem (beispielsweise 20) zur Bildung von in einer Ebene liegenden Kontakten (beispielswei­ se 22, 23) eine Metallisierungsebene aufgebracht, auf diese Metallisierungsebene mindestens eine Schicht (beispielsweise 21) aus halbleitendem organischen Material ganzflächig aufge­ bracht und danach an vorgegebene Strukturen lichtemittieren­ der Komponenten angepaßt strukturiert wird.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die mindestens eine Schicht (beispiels­ weise 21) durch Aufschleudern aufgebracht wird.