DE19901058A1 - Vorrichtung zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid - Google Patents
Vorrichtung zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen in einem FluidInfo
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Abstract
Um bei einer Vorrichtung zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid mit mindestens einer geladene Teilchen vorgegebener Ladung und Energie erzeugenden Emissionsquelle den technischen und konstruktiven Aufwand zu verringern sowie die notwendigen Sicherungsvorkehrungen zu vereinfachen, wird vorgeschlagen, daß eine Filmerzeugungsvorrichtung zum Erzeugen eines Fluidfilms vorgesehen ist und daß der Fluidfilm mit den geladenen Teilchen beaufschlagbar ist. Ferner wird, um bei einem Verfahren zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid, umfassend das Bestrahlen des Fluids mit geladenen Teilchen vorgegebener Ladung und Energie, mit möglichst geringem Aufwand und unter minimalen Sicherheitsvorkehrungen das Verfahren zu vereinfachen, vorgeschlagen, daß zum Bestrahlen ein Fluidfilm erzeugt wird.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abbau und/oder
Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen
in einem Fluid mit mindestens einer geladene Teilchen vor
gegebener Ladung und Energie erzeugenden Emissionsquelle.
Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum
Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer
Verunreinigungen in einem Fluid umfassend das Bestrahlen des
Fluids mit geladenen Teilchen vorgegebener Ladung und
Energie.
Eine Vorrichtung und ein Verfahren der eingangs beschriebenen
Art sind bekannt. Sowohl die Vorrichtung als auch das Ver
fahren werden zur Abwasserreinigung eingesetzt. Zur Anwendung
kommen Elektronenbeschleuniger mit einer thermischen Kathode
und Beschleunigerspannungen, die oberhalb 500 kV liegen.
Die Reaktionskinetik für die Reinigung von mit Verunreini
gungen belasteten Flüssigkeiten erfordert Reaktionszeiten,
die kürzer als 1 µs sind. Bei den bekannten Verfahren werden
kontinuierliche Elektronenströme angewandt, die eine niedrige
Stromdichte aufweisen. Die emittierten Elektronen werden dann
auf eine Reaktionsfläche geleitet und ein von den Elektronen
gebildeter Elektronenstrahl wird zeilenweise über die Reak
tionsfläche abgelenkt. Als Nachteil ergeben sich zwangsläufig
niedrige Prozeßraten bei vergleichsweise großem technischen
Aufwand. Dieser besteht vor allem in einer Fokussierung des
Elektronenstrahls sowie einer Elektronenstrahlführung bzw.
Elektronenstrahlablenkung. Dies ist erforderlich, da die bis
lang verwendeten Elektronenbeschleuniger eine thermische
Kathode aufweisen, die eine punktförmige Elektronenquelle
bildet und deshalb keinen großflächigen Elektronenstrahl
erzeugt.
Darüber hinaus ist zu berücksichtigen, daß bei einer steigen
den Beschleunigerspannung zunehmend härtere Röntgenstrahlung
entsteht, die aufwendig abgeschirmt werden muß. Als Folge
davon werden die Systemkomponenten bei hohen Spannungen
stärker strapaziert, was sich negativ auf deren Lebensdauer
auswirkt und eine schlechtere Handhabbarkeit der Vorrichtung
zur Folge hat. Ferner muß das Bedienungspersonal aufwendig
geschult werden, insbesondere auf dem Gebiet der Strahlen
schutzkunde und der Hochspannungssicherheit. Schließlich
weisen Beschleuniger mit hohen Spannungen große Systemab
messungen auf. Vorrichtungen der eingangs beschriebenen Art
mit derartigen Beschleunigern benötigen also viel Platz.
Ein weiterer Nachteil der bekannten Vorrichtung besteht
darin, daß die Reichweite geladener Teilchen in Flüssigkeiten
begrenzt ist. Sie nimmt in der Regel exponentiell ab. Dies
gilt insbesondere auch für die Elektronenreichweite in
Wasser, die definiert ist als eine Abnahme der ursprünglichen
monoenergetischen Elektronenenergie auf den Betrag 1/e. In
der Praxis muß bei der Reinigung von Flüssigkeiten mit
Elektronenstrahlen dieser Zusammenhang berücksichtigt werden,
bzw. bei der Ermittlung des Wirkungsgrades muß entsprechend
das unbestrahlte Volumen in Abzug gebracht werden. Dies hat
zur Folge, daß Flüssigkeiten in Behältern relative lange
bestrahlt werden müssen. Eine kontinuierliche Prozeßführung
ist damit praktisch nicht realisierbar.
Es ist dementsprechend Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine gattungsgemäße Vorrichtung und ein Verfahren der ein
gangs beschriebenen Art so zu verbessern, daß der technische
und konstruktive Aufwand verringert wird sowie die notwen
digen Sicherungsvorkehrungen beim Betrieb vereinfacht werden
können.
Diese Aufgabe wird bei einer Vorrichtung der eingangs
beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine
Filmerzeugungsvorrichtung zum Erzeugen eines Fluidfilms vor
gesehen ist und daß der Fluidfilm mit den geladenen Teilchen
beaufschlagbar ist.
Durch die Filmerzeugungsvorrichtung kann ein Fluidfilm
erzeugt werden, der gerade so dick ist, daß die verwendeten
Teilchenstrahlen diesen vollständig durchdringen können.
Dadurch wird auf einfache Weise ein vollständiger Abbau der
in dem Fluid befindlichen Verunreinigungen möglich.
Ein weiterer Vorteil ist bei der vorliegenden Erfindung darin
zu sehen, daß bei sehr dünnen Flüssigkeitsschichten die
Beschleunigungsspannungen der Emissionsquelle exponentiell
mit der abnehmenden Filmdicke abnehmen. Diese niedrigeren
Betriebsspannungen führen zu einem geringeren Abschirmaufwand
gegen die entstehende Röntgenstrahlung, die Lebensdauer des
Systems erhöht sich, die Vorrichtung ist nahezu beliebig
skalierbar und besitzt eine wesentlich geringere Baugröße.
Günstig ist es, wenn die Filmerzeugungsvorrichtung mindestens
einen bewegbaren Träger umfaßt. Die Erzeugung des Fluidfilms
mit einer einen bewegbaren Träger aufweisenden Film
erzeugungsvorrichtung ist besonders einfach. Ein bewegbarer
Träger ermöglicht eine kontinuierliche Prozeßführung und
besitzt Vorzüge gegenüber einer als schiefe Ebene gebildeten
Filmerzeugungsvorrichtung. Wenn ein Fluid über eine schiefe
Ebene geleitet wird, ist die Dicke des Fluidfilms nur schwer
einstellbar. Auch ist es damit nur schwer möglich, einen sehr
dünnen Fluidfilm zu erzeugen, der noch zusammenhängend ist.
Der bewegbare Träger bietet im Gegensatz zu einer Vor
richtung, die einen Tropfenfilm aus Flüssigkeitstropfen
erzeugt, den Vorteil, daß der Fluidfilm homogen ist und auf
einem nahezu beliebig skalierbaren Träger erzeugt werden
kann. Die Bildung von Tropfen schließt ferner die Verwendung
eines Dosierventils oder auch einer Flüssigkeits- oder Fluid
düse ein, die aufgrund der in dem Fluid befindlichen Ver
unreinigungen leicht verstopfen kann. Auf derartige Vor
richtungen kann bei der vorliegenden Erfindung verzichtet
werden.
Vorteilhaft ist es, wenn der Träger eine Trägeroberfläche
aufweist und wenn der Fluidfilm auf der Trägeroberfläche
angeordnet ist. Dies macht den Fluidfilm leicht zugänglich
für die von der Emissionsquelle erzeugten Teilchen. Außerdem
besteht die Möglichkeit, durch eine besondere Gestaltung der
Oberfläche, den Fluidfilm sicher auf dieser zu halten, bei
spielsweise kann die Oberfläche aufgerauht werden oder ein
bestimmtes Muster aus Vertiefungen und Erhöhungen aufweisen.
Günstig ist es, wenn die Vorrichtung eine Benetzungsvor
richtung zum Benetzen des Trägers mit dem Fluid umfaßt. Vor
teilhaft dabei ist, daß ganz unterschiedliche Verfahren ange
wandt werden können, um den Träger mit dem Fluid in Kontakt
zu bringen. So kann je nach räumlicher Situation oder
sonstigen Gegebenheiten eine entsprechende Benetzungsvor
richtung vorgesehen werden.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Benetzungsvorrichtung
mindestens ein Bad zum Aufnehmen des Fluids umfaßt. Der
Träger wird so auf einfachste Art und Weise benetzt, indem
nämlich der Träger mit seiner Oberfläche und das Fluid in
Verbindung gebracht werden, das sich in dem Bad befindet.
Aufgrund seiner Bewegung und den zwischen dem Fluid und der
Trägeroberfläche wirkenden Adhäsionskräften reißt der Träger
einen Teil des Fluids an seiner Oberfläche mit. Auf diese
Weise wird ein dünner Fluidfilm auf der Oberfläche des
Trägers gebildet.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann
vorgesehen sein, daß der Träger auf einer geschlossenen Bahn
umläuft. Dadurch wird es möglich, einen einfach gestalteten
Träger zu verwenden und eine kontinuierliche Prozeßführung zu
realisieren.
Besonders einfach wird der konstruktive Aufwand dann, wenn
der umlaufende Träger durch eine Walze gebildet wird. Walzen
können nahezu in beliebiger Art und Größe hergestellt werden.
Ihre Oberfläche kann auf eine besonders vorteilhafte Art und
Weise beschichtet werden, um das Fluid mitzureißen und fest
zuhalten. Ferner haben Walzen den Vorteil, daß sie leicht
antreibbar sind. Dazu genügt es, eine die Walze entlang ihrer
Drehachse durchsetzende Welle anzutreiben, die lediglich zwei
Lager zur Lagerung und Halterung erfordert. Durch die Ver
wendung einer Walze eignet sich die Vorrichtung besonders für
stark verschmutzte Flüssigkeiten, da der Flüssigkeits
transport von der Walze übernommen wird, und deshalb keine
dünnen Zuleitungen oder düsenförmige Flüssigkeitsverteiler,
wie sie bei einer schiefen Ebene verwendet werden, erforder
lich sind. Darüber hinaus eignet sich eine solche Vorrichtung
für eine Mehrstufenreinigung. Ein modularer Aufbau zum Abbau
von verschiedenen stark oder auch unterschiedlich belasteten
Flüssigkeiten in mehreren Stufen kann hierzu vorgesehen sein.
Dabei ist es denkbar, mehrere Walzen neben- oder hinterein
ander anzuordnen und die vorgereinigte Flüssigkeit der Vor
stufe einer nachfolgenden Reinigungswalze zuzuführen.
Bei einer anderen Ausführungsform kann vorgesehen sein, daß
der umlaufende Träger durch ein Band gebildet wird. Im Gegen
satz zu einer üblicherweise zylindrischen Walze besitzt ein
Band den Vorteil, daß es wesentlich kompliziertere Umlauf
bahnen beschreiben kann, die zudem unterschiedliche Radien
aufweisen können. Mit einem Band ist es ferner möglich, ebene
Abschnitte festzulegen. Dies kann insbesondere bei einer
flächenhaften Bestrahlung des Fluidfilms vorteilhaft sein.
Grundsätzlich kann vorgesehen sein, daß die Vorrichtung eine
Steuerungseinheit für die Filmerzeugungsvorrichtung umfaßt
zur Steuerung und Anpassung der Dicke des Fluidfilms an die
Energie der von der Emissionsquelle emittierten geladenen
Teilchen. Wie eingangs beschrieben hängt die Eindringtiefe
der geladenen Teilchen in das Fluid im wesentlichen exponen
tiell von der Dicke des Fluidfilms ab. Ist durch die
Emissionsquelle die Energie der Teilchen festgelegt, dann
kann mit der Steuerungseinheit die Dicke des Fluidfilms
variiert werden. Dadurch wird zu jeder Zeit gewährleistet,
daß der gesamte Fluidfilm ausreichend bestrahlt wird, um alle
darin befindlichen Verunreinigungen in gewünschter Weise
abzubauen oder umzuwandeln.
Grundsätzlich kann vorgesehen sein, daß ein an dem Träger
anliegender Abstreifer vorgesehen ist zum Abstreifen des
behandelten Fluids von dem Träger. Auf diese Weise wird ver
mieden, daß das behandelte Fluid wieder mit dem noch unbe
handelten Fluid in Kontakt tritt. Das abgestreifte Fluid kann
beispielsweise in ein Aufnahmebehältnis geleitet werden.
Günstig ist es, wenn der Träger relativ zu dem Bad derart
angeordnet ist, daß der Träger mit einem Teil der Trägerober
fläche in das im Bad befindliche Fluid eintaucht. Auf diese
Weise eignet sich die Vorrichtung insbesondere für stark ver
schmutzte Fluide, da der Fluidtransport von dem Träger über
nommen wird, weshalb keine dünnen Zuleitungen oder düsen
förmige Fluidverteiler erforderlich sind.
Günstig ist es, wenn der Träger relativ zum Bad verstellbar
ist. Durch Verstellung des Trägers relativ zum Bad kann die
Dicke des Fluidfilms eingestellt werden. Je tiefer der Träger
in ein Fluid konstanter Viskosität eintaucht, umso dicker
wird der erzeugte Fluidfilm. Auf diese Weise läßt sich eine
besonders einfache Fluidfilmdickenverstellung realisieren,
die insbesondere dann wichtig ist, wenn Fluide unterschied
licher Viskositäten gereinigt werden sollen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann
vorgesehen sein, daß zwischen dem Abstreifer und einem Auf
fangbehältnis zum Aufnehmen des behandelten Fluids eine
Fluidverbindung vorgesehen ist. Dadurch wird es vermieden,
daß das behandelte Fluid zurück in das Bad mit dem noch unbe
handelten Fluid gelangt. Auf diese Weise läßt sich vorteil
haft eine mehrstufige Anordnung der Vorrichtung bilden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung kann ferner vorgesehen sein, daß die Emissions
quelle ein Austrittsfenster aufweist, das maximal 1 cm, vor
zugsweise maximal 5 mm, noch besser maximal 2 mm, von dem auf
dem Träger befindlichen Fluidfilm entfernt angeordnet ist.
Durch die Anordnung eines Fensters der Emissionsquelle
möglichst dicht bei dem Fluidfilm wird die Ionisierung den
Fluidfilm umgebender Luft auf ein Minimum reduziert. Der
Abstand stellt darüber hinaus sicher, daß noch eine aus
reichende Strahlungsintensität der Emissionsquelle an dem
Fluidfilm wirksam wird.
Vorteilhaft ist es, wenn die Elektronenemissionsquelle
relativ zum Träger derart angeordnet ist, daß die Elektronen
im wesentlichen quer zur Trägeroberfläche emittiert werden.
Dies ermöglicht eine homogene Bestrahlung des Fluidfilms mit
dem Elektronenstrahl, denn die zu durchsetzende Luftschicht
weist in der Regel bei großen Krümmungsradien eine ebenfalls
homogene Dicke auf. Dies führt zu einer homogenen Verteilung
der Strahlintensität über die gesamte zu bestrahlende Fläche.
Grundsätzlich kann vorgesehen sein, daß das Fluid durch eine
Flüssigkeit und/oder ein Gas gebildet wird. Es ist somit
möglich, mit der vorliegenden Vorrichtung sowohl eine
Flüssigkeit als auch ein Gemisch aus einer Flüssigkeit und
einem Gas oder ein Gasgemisch oder auch Aerosole zu
behandeln.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn von der Emissionsquelle
ein flächenhafter, in einer quer zu einer Strahlrichtung ver
laufenden Ebene ausgedehnter Teilchenstrahl erzeugbar ist.
Ein flächenhafter Teilchenstrahl umgeht den eingangs
beschriebenen Nachteil von Teilchenquellen, insbesondere
Elektronenquellen mit thermischer Kathode. Bei einem nahezu
punktförmigen Teilchenstrahl derartiger Elektronenquellen muß
dieser aufwendig abgelenkt oder auch umgelenkt werden, um
einen flächenhaften Fluidfilm zu überstreichen. Durch die
Wahl einer Emissionsquelle, die einen flächigen Teilchen
strahl erzeugen kann, wird somit der konstruktive Aufwand
dahingehend reduziert, daß aufwendige Ablenk- und Umlenkvor
richtungen für den Teilchenstrahl entfallen können. Darüber
hinaus sind flächenhafte Emissionsquellen derart kombinier
bar, daß dadurch die Fläche des Teilchenstrahls nahezu
beliebig vervielfacht werden kann. Somit ist die Vorrichtung
in nahezu jeder Größe herstellbar.
Günstig ist es, wenn durch die Emissionsquelle möglichst
geringe Teilchenenergien in einem Bereich von ungefähr 50 keV
bis ungefähr 300 keV, vorzugsweise ungefähr 100 keV bis unge
fähr 200 keV, erzeugbar sind. Diese Begrenzung der Elek
tronenenergien verringert den Abschirmaufwand gegen ent
stehende Röntgenstrahlung erheblich.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann
vorgesehen sein, daß die Emissionsquelle gepulst betreibbar
ist. Ein gepulster Betrieb reicht aus, um die benötigten
Sekundärelektronen zu erzeugen. Ferner kann eine Reaktion zum
Abbau insbesondere durch eine temporär höhere Leistungsdichte
besonders gut initiiert werden. Außerdem bietet sich dadurch
die Möglichkeit, die Bestrahlungsdauer und die Bestrahlungs
frequenz an die Reaktionskinetik der chemischen und/oder
biologischen Verunreinigungen anzupassen. Dadurch kann mit
möglichst wenig Strahlung und somit unter Minimierung der
insgesamt aufgewandten Energie sowie der Strahlenbelastung
ein maximales Abbauergebnis erzielt werden.
Günstig ist es dabei, wenn die Vorrichtung eine Steuer- und
Regelungseinheit zum Anpassen der Pulsdauer der Emissions
quelle an die Reaktionskinetik umfaßt. Je nach der Art der
vorliegenden Verunreinigungen, die beispielsweise über ein
Nachweissystem bestimmt werden können, kann die Pulsdauer und
auch die Pulslänge individuell auf den vorliegenden Reini
gungsbetrieb eingestellt werden. Dies steigert die Effizienz
zum Abbau der Verunreinigungen.
Dabei ist es besonders günstig, wenn durch die Emissions
quelle Pulsdauern kürzer als 10 µsek, vorzugsweise als 5 µsek
erzeugbar sind. Auf diese Weise ist es möglich, Pulsdauern
und Pulsabstände so zu wählen, daß sie mit Sicherheit im
Bereich der Reaktionszeiten der abzubauenden chemischen und
biologischen Systeme bzw. Moleküle liegen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann
vorgesehen sein, daß die Emissionsquelle durch eine
Elektronenemissionsquelle gebildet wird, die Elektronen
emittiert. Elektronenstrahlen eignen sich insbesondere zum
direkten und unmittelbaren Schadstoffabbau in Luft und
Flüssigkeiten. Dabei werden im wesentlichen hochenergetische
Primärelektronen mit Elektronenenergien größer als 100 keV
genutzt, um durch direkte Elektronenstoßionisation im Medium
niederenergetische Sekundärelektronen mit Elektronenenergien
kleiner als 100 kev zu produzieren. Letztere sind für die
Einleitung der chemischen Prozesse beim Schadstoffabbau ver
antwortlich. Die niederenergetischen Elektronen besitzen
große Wirkungsquerschnitte zum Aufbrechen atomarer Bindungen
in den chemischen und biologischen Molekülen und damit für
die Zerlegung der Schadstoffe in unschädliche chemische
Komponenten. Elektronenemissionsquellen haben gegenüber
anderen Emissionsquellen, die beispielsweise Ionen erzeugen,
den Vorteil, daß Elektronen in der Regel tiefer in
Materialien eindringen. Außerdem sind Elektronenquellen
relativ einfach zu realisieren.
Dabei kann es vorteilhaft sein, wenn die Elektronenemissions
quelle durch einen Feldemissionsemitter gebildet wird. Auf
diese Weise wird die Anwendung einer Elektronenemissions
quelle mit einer thermischen Kathode umgangen.
Besonders günstig ist es, wenn der Feldemissionsemitter durch
einen Kaltkathodenemitter gebildet wird, mit einer Kathode,
umfassend mehrere auf einer Fläche im Abstand voneinander
angeordneten kleinflächigen Faseremittern, mit einer Anode,
die ein sich in einer Fläche erstreckendes Anodengitter ist,
und wenn die kleinflächigen Faseremitter so auf der Kathode
angeordnet sind, daß sich der jeweils von einem der klein
flächigen Faseremitter ausgehende Feldlinienverlauf mit dem
der jeweils benachbarten kleinflächigen Faseremitter so
ergänzt und überlappt, daß in der Fläche des Anodengitters
eine über dessen Ausdehnung im wesentlichen konstante
Elektronenstromdichte bei großflächiger Feldemission von
Elektronen aus der Kathode vorliegt. Mit einem derartigen
Kaltkathodenemitter ist also ein flächiger Elektronenstrahl
erzeugbar. Das bedeutet, daß ein flächenhafter Fluidfilm
gleichmäßig und konstant bestrahlbar ist. Und dies ohne
zusätzliche Ablenkvorrichtungen für den Teilchenstrahl.
Darüber hinaus kann mit einer solchen Elektronenquelle ein
nahezu beliebig skalierbarer Teilchenstrahl erzeugt werden,
der exakt an die zu bestrahlende Fläche anpaßbar ist.
Ferner wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe
gelöst durch ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art,
das dadurch gekennzeichnet ist, daß zum Bestrahlen ein Fluid
film erzeugt wird. Durch die Erzeugung eines Fluidfilms wird
wie bereits beschrieben die benötigte Beschleunigungsspannung
für die geladenen Teilchen mit der Abnahme der Dicke des
Fluidfilms exponentiell verringert. Die notwendigen Sicher
heitsvorkehrungen lassen sich dadurch wirkungsvoll redu
zieren.
Ferner kann es vorteilhaft sein, wenn der Fluidfilm relativ
zur Ausbreitungsrichtung der geladenen Teilchen bewegt wird.
Auf diese Weise läßt sich ein kontinuierlicher Prozeßablauf
realisieren, indem kontinuierlich ein Fluidfilm durch den
Teilchenstrahl hindurchbewegt wird.
Bei einer vorteilhaften Variante des Verfahrens kann vorge
sehen sein, daß ein flächenhafter, in einer quer zu einer
Strahlrichtung verlaufenden Ebene ausgedehnter Teilchenstrahl
erzeugt wird. Bei einer entsprechenden Wahl der Größe des
großflächigen Teilchenstrahls kann der Fluidfilm auf seiner
gesamten Breite gleichzeitig mit dem Teilchenstrahl beauf
schlagt werden. Zusätzliche Verfahrensschritte zum Ablenken
des Teilchenstrahls sind dadurch unnötig.
Günstig ist es dabei, wenn der Fluidfilm großflächig
bestrahlt wird. Dadurch läßt sich ohne zusätzliche
Ablenkungsschritte ein Fluidfilm homogen mit einem Teilchen
strahl beaufschlagen.
Bei einer weiteren Variante des Verfahrens kann vorgesehen
sein, daß der Fluidfilm auf seiner gesamten Breite quer zur
seiner Bewegungsrichtung bestrahlt wird. Dieser Verfahrens
schritt läßt sich beispielsweise mit einer stationären An
ordnung einer Teilchenquelle realisieren, die einen Teilchen
strahl erzeugt, der mindestens so breit wie der Fluidfilm
ist. Dadurch läßt sich eine kontinuierliche Bewegung des
Fluidfilms durch den Teilchenstrahl erzeugen.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Fluidfilm mit Elek
tronen bestrahlt wird. Aufgrund ihrer günstigen Eindringtiefe
eignen sich Elektronen besonders gut zum Abbau chemischer
und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid.
Besonders günstig ist es, wenn das behandelte Fluid aufge
fangen wird und das aufgefangene Fluid erneut behandelt wird.
Durch einen derartigen mehrstufigen Prozeß, der in einer
beliebigen Anzahl von Reinigungsstufen durchgeführt werden
kann, ist es möglich, eine vollständige Reinigung des ver
schmutzten Fluids zu erzielen.
Die nachfolgende Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
der Erfindung dient im Zusammenhang mit der Zeichnung der
näheren Erläuterung. Es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines ersten Aus
führungsbeispiels einer erfindungsgemäßen
Reinigungsvorrichtung;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer Bestrah
lungsfläche auf einer Walze;
Fig. 3 eine perspektivische und teilweise
geschnittene Darstellung einer Elektronen
emissionsquelle;
Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines zweiten Aus
führungsbeispiels einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung;
Fig. 5 eine Querschnittansicht eines dritten Aus
führungsbeispiels einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung; und
Fig. 6 eine Querschnittsansicht einer mehrstufigen
Reinigungsanlage.
In den Fig. 1 bis 6 sind Vorrichtungen zum Reinigen ver
schmutzter Flüssigkeiten und Teile derartiger Vorrichtungen
dargestellt. Zur Vereinfachung sind identische Teile mit den
selben Bezugszeichen versehen.
In Fig. 1 ist eine insgesamt mit dem Bezugszeichen 1 ver
sehene Reinigungsvorrichtung dargestellt. Sie umfaßt einen
Kaltkathodenbeschleuniger 2 und einen Walzenreaktor 3. Der
Walzenreaktor 3 wird durch eine zylindrische Walze 4
gebildet, durch deren Symmetrieachse eine Welle 5 verläuft,
die eine Drehachse für die Walze 4 festlegt. Die Welle 5 wird
von einem nicht dargestellten Motor angetrieben und dadurch
in Pfeilrichtung in Drehung versetzt. Die Walze 4 ist relativ
zu einem Schmutzwasserbehälter 6 so angeordnet, daß eine
durch die Umfangswandung der Walze 4 gebildete Walzenober
fläche 4a teilweise in Schmutzwasser 7 eintaucht, das sich in
dem Schmutzwasserbehälter 6 befindet.
Die mit ihrer Walzenoberfläche 4a in das Schmutzwasser 7 ein
tauchende Walze 4 reißt aufgrund ihrer Umlaufbewegung einen
Teil des Schmutzwassers 7 mit, das aufgrund von Adhäsions
kräften an der Walzenoberfläche 4a haften bleibt. Auf diese
Weise bildet sich auf der Walzenoberfläche 4a ein Wasserfilm
8. Mit einer derartigen Anordnung lassen sich Wasserfilme 8
mit Dicken kleiner 1 mm erzeugen.
Der Kaltkathodenbeschleuniger 2 ist relativ zum Walzenreaktor
3 derart angeordnet, daß die in der Kathode 9 des Kalt
kathodenbeschleunigers 2 erzeugten Elektronen durch ein Aus
trittsfenster 10 austreten können und im wesentlichen quer
zur Walzenoberfläche 4a auf den Wasserfilm 8 auftreffen.
Ein Ausführungsbeispiel eines Kaltkathodenbeschleunigers 2
ist in Fig. 3 dargestellt. Er umfaßt ein Gehäuse 40, in
welchem die als Ganzes mit 9 bezeichnete Kathode angeordnet
ist, welche über eine Zuleitung 41 mit einer Hochspannungs
quelle 42 verbunden ist. Diese Kathode 9 umfaßt eine
Kathodenplatte 43, welche sich in einer Ebene 44 erstreckt
und an ihrem Außenrand als Feldformer einen im Querschnitt
kreisförmigen Wulst 45 trägt, welcher symmetrisch zur Ebene
44 angeordnet ist und die gesamte Kathodenplatte 43 an ihrem
Außenumfang umschließt.
Auf einer der Zuleitung 41 gegenüberliegenden Seite der
Kathodenplatte 43 sind in einem regelmäßigen Muster 46 klein
flächige Faseremitterplättchen 47 angeordnet, welches bei
spielsweise aus verfilzten Kohlefasern hergestellt sind. Vor
zugsweise haben diese Faseremitterplättchen 47 eine Außen
kontur 48, die rechteckig ist. Die Außenkontur 48 kann aber
auch kreisrund oder dreieckig sein.
Das Muster 46, an welchem die Faseremitterplättchen 47 auf
der Kathodenplatte 43 angeordnet sind, ist im einfachsten
Fall ein quadratisches Muster, d. h. die Faseremitterplättchen
47 liegen jeweils an den Eckpunkten eines Quadrats. Es sind
aber in gleicher Weise alle anderen Arten eines regelmäßigen
Musters denkbar.
Der Seite der Kathodenplatte 43, welche die Faseremitter
plättchen 47 trägt, zugewandt ist eine als Ganzes mit 49
bezeichnete Anode in dem Gehäuse 40 angeordnet, welche ein
Anodengitter 50 umfaßt, das sich parallel zur Ebene 44 und im
Abstand von der Kathodenplatte 43 erstreckt und eine Fläche
aufweist, welche mindestens der Größe der Kathodenplatte 43
entspricht und deckungsgleich mit dieser liegt. Vorzugsweise
erstreckt sich das Anodengitter 50 in Richtung seiner Ebene
51 über die Kathodenplatte 43 und vorzugsweise auch über den
Wulst 45 hinaus.
Das Anodengitter 50 ist seinerseits über eine Zuleitung 38
ebenfalls mit der Hochspannungsquelle 42 verbunden.
Auf der der Kathode 9 gegenüberliegenden Seite der Anode 49
ist in dem Gehäuse das als Ganzes mit 10 bezeichnete Aus
trittsfenster vorgesehen, welches eine von einem Rahmen 53
umgebene Fensteröffnung 55 aufweist, die von einer über die
Fensteröffnung 55 gespannten Folie 57 verschlossen ist.
Vorzugsweise ist der Rahmen 53 aus zwei Rahmenhälften 59 und
60 aufgebaut, zwischen denen die sich über die Fensteröffnung
55 hinweg erstreckende Folie 57 eingespannt ist.
Der Rahmen 53 ist vorzugsweise aus rechteckförmig ange
ordneten und parallel zueinander verlaufenden Längsschenkeln
52 und Querschenkeln 54 aufgebaut, wobei sich zusätzlich noch
zwischen den Querschenkeln 54 über die Fensteröffnung 55
hinweg Stützstege 56 erstrecken, die senkrecht zu einer Ebene
58 stehen, in der sich die Folie 57 erstreckt, und sehr
schmal ausgebildet sind, so daß von den Stützstegen 56 nur
ein geringstmöglicher Teil der Fensteröffnung 55 überdeckt
ist, während die Stützstege 56 zur Erhöhung ihrer Stabilität
eine senkrecht zur Ebene 58 verlaufende Höhe H aufweisen,
welche ungefähr der der Längsschenkel 52 und Querschenkel 54
entspricht.
Vorzugsweise sind die Stützstege 56 parallel und äquidistant
über die Fensteröffnung 55 verteilt angeordnet und mit den
Querschenkeln 54 verbunden. Es ist aber auch möglich, sich
kreuzende Stützstege 56 vorzusehen, die ebenfalls äquidistant
zueinander angeordnet sind, so daß ein Teil der Stützstege 56
parallel zu den Längsschenkeln 52 und ein Teil parallel zu
den Querschenkeln 54 verläuft und die Stützstege 56 vorzugs
weise an ihren Schnittpunkten miteinander fest verbunden
sind.
Sowohl die Längsschenkel 52, die Querschenkel 54, als auch
die Stützstege 56 sind Teil jeweils einer Rahmenhälfte 59 und
60, wobei jede Rahmenhälfte 59 und 60 des Rahmens 53 die
Folie 57 in der Ebene 58 hält und abstützt. Zusätzlich ist
die Folie 57 noch gegenüber einer Verschiebung in Richtung
der Ebene 58 zwischen den jeweiligen Längsschenkeln 52 und
Querschenkeln 54 kraftschlüssig festgespannt.
Der Kaltkathodenbeschleuniger 2 funktioniert so, daß nach
Anliegen der Hochspannung durch die Hochspannungsquelle 42,
ausgehend von den Faseremitterplättchen 47 ein Feldlinien
verlauf 68 entsteht, der in der Ebene 51 des Anodengitters 50
senkrecht zu dieser steht und für die gesamte Ausdehnung der
Ebene 51 im wesentlichen homogen ist. Ebenso sind die Faser
emitterplättchen 47 in entsprechenden Abständen A, B so anzu
ordnen, daß sich der jeweils von einem Faseremitterplättchen
47 ausgehende Feldlinienverlauf 68 mit dem des jeweils
benachbarten Faseremitterplättchens 47 so weit ergänzt und
überlappt, daß in der Ebene 51 in beiden Abstandsrichtungen A
und B eine im wesentlichen konstante Feldliniendichte vor
liegt.
Vorzugsweise haben die Faseremitterplättchen 47 Flächen von
100 mm2 und die Abstände in Richtung A und B betragen vor
zugsweise mindestens 100 mm.
Von den Faseremitterplättchen 47, insbesondere einzelnen
Faserspitzen der die Faseremitterplättchen 47 bildenden
Fasern, austretende Elektronen folgen den Feldlinien 68 zum
Anodengitter 50, werden im Verlauf ihres Weges bis zum
Anodengitter 50 beschleunigt, treten dann durch das Anoden
gitter 50 hindurch und treffen auf das Fenster 10, wobei die
Folie 57 so ausgebildet ist, daß auch die Elektronen durch
die Folie hindurchtreten und als ein senkrecht zu den Feld
linien flächenhaft ausgedehnter Elektronenstrahl 11 das
Gehäuse 40 des Kaltkathodenbeschleunigers 2 verlassen. Auf
grund der gleichförmigen Dichte der Feldlinien 68 in der
Ebene 51 erfolgt auch die Verteilung der aus den Faser
emitterplättchen 47 austretenden Elektronen in der Ebene 51
gleichförmig, so daß bereits bei der Anode 49 ein flächen
hafter und in allen Flächenausdehnungen gleichförmiger
Elektronenstrahl 11 zur Verfügung steht und somit auch der
flächenhafte, aus dem Gehäuse 40 austretende Elektronenstrahl
11 in allen Richtungen der Flächenausdehnung der Ebene 58
eine im wesentlichen konstante Dichte aufweist.
Der verwendete Kaltkathodenbeschleuniger 2 wird mit Be
schleunigungsspannungen bis zu 200 kV betrieben und
ermöglicht ferner Pulsdauern bei gepulstem Betrieb von
typischerweise ≦ 10 µsek. Es werden dabei Stromdichten von
etwa 0,1 A/cm2 erzeugt. Ferner kann der verwendete Kalt
kathodenbeschleuniger 2 mit Wiederholraten bis zu 100 Hz
betrieben werden.
Der durch den Kaltkathodenbeschleuniger 2 erzeugte flächige
Elektronenstrahl 11 trifft die Walzenoberfläche 4a in einer
Bestrahlungszone 20, die sich über die gesamte Breite der
Walzenoberfläche 4a in Richtung der Drehachse sowie über
einen Teil der Walzenoberfläche 4a in Umfangsrichtung
erstreckt, der durch einen Umfangswinkelausschnitt α bestimmt
ist.
Der auf der Walzenoberfläche 4a befindliche Wasserfilm 8 wird
aufgrund der Rotation der Walze 4 durch die Bestrahlungszone
20 hindurchbewegt, wobei die Rotationsgeschwindigkeit so ein
gestellt wird, daß der Wasserfilm 8 beim Durchwandern der
Bestrahlungszone 20 von dem Elektronenstrahl 11 vollständig
durchdrungen wird. Beispielsweise beträgt bei Beschleuni
gungsspannungen bis etwa 200 kV die Eindringtiefe der Elek
tronen in Wasser etwa 0,5 mm.
Die Dicke des Wasserfilms 8 kann auf verschiedene Arten
variiert werden. In Abhängigkeit der Eintauchtiefe der Walze
4 in das Schmutzwasser 7 des Schmutzwasserbehälters 6 ändert
sich die Dicke des Wasserfilms 8. Je tiefer die Walze 4 in
das Schmutzwasser 7 eintaucht, um so dicker ist der ent
stehende Wasserfilm 8. Dies gilt insbesondere dann, wenn die
Viskosität des Schmutzwassers 7 gleichbleibt. Ändert sich
jedoch die Viskosität des Schmutzwassers, hat dies auch eine
Änderung der Adhäsionskräfte zur Folge, die wiederum einen
direkten Einfluß auf die Dicke des Wasserfilms 8 haben. Um so
größer die Adhäsionskräfte sind, um so dicker wird der
Wasserfilm 8. Deswegen genügt es, wenn nur ein kleiner Teil
der Walzenoberfläche 4a in das Schmutzwasser 7 eintaucht,
wenn die Adhäsionskräfte zwischen den Wasserteilchen und der
Walzenoberfläche 4a groß sind. Eine derartige Anordnung ist
in Fig. 1 zu sehen. Sind die Adhäsionskräfte zwischen den
Wasserteilchen und der Walzenoberfläche 4a gering, dann wird
bevorzugt eine Anordnung gewählt, bei der der überwiegende
Teil der Walzenoberfläche 4a in das Schmutzwasser 7 ein
taucht. Diese Anordnung findet bei der Reinigungsvorrichtung
Anwendung, wie sie in Fig. 5 zu sehen ist.
Eine weitere Möglichkeit zur Variation der Dicke des Wasser
films 8 besteht darin, die Umdrehungsgeschwindigkeit der
Walze 4 zu variieren. Eine Erhöhung der Umlaufgeschwindigkeit
der Walze 4 führt zu einer Abnahme der Dicke des Wasserfilms
8.
Bislang wurde nichts zum Abstand zwischen dem Kaltkathoden
beschleuniger 2 und dem Walzenreaktor 3 ausgesagt. Bevorzugt
beträgt der Abstand zwischen dem Austrittsfenster 10 des
Kaltkathodenbeschleunigers 2 und dem Wasserfilm 8, der sich
auf der Walze 4 des Walzenreaktors 3 befindet, etwa 1 cm. Je
geringer der. Abstand zwischen Austrittsfenster 10 und Wasser
film 8 ist, um so geringer wird der Elektronenverlust oder,
anders ausgedrückt, erhöht sich die Wirkung der Elektronen in
dem zu bestrahlenden Wasserfilm 8.
Der Schadstoffabbau im Wasserfilm 8 wird in einem mehr
stufigen Prozeß erreicht. Dabei werden hochenergetische
Primärelektronen mit Elektronenenergien größer als 100 keV
genutzt. Durch diese werden durch direkte Elektronenstoß
ionisation im Wasserfilm 8 niederenergetische Sekundärelek
tronen mit Elektronenenergien kleiner als 100 kev erzeugt.
Diese niederenergetischen Sekundärelektronen sind für die
Einleitung der chemischen und/oder biologischen und/oder
physikalischen Prozesse beim Abbau der Verunreinigungen im
Wasserfilm 8 verantwortlich. Im Schmutzwasser 7 können sich
chemische und biologische Schadstoffe befinden, die die
Qualität des Wassers in vielfältiger Hinsicht herabsetzen
können. Aufgrund ihrer großen Wirkungsquerschnitte zum Auf
brechen atomarer Bindungen in den Molekülen und damit für die
Zerlegung der Schadstoffe in unschädliche chemische Kompo
nenten eignen sich besonders die niederenergetischen Elek
tronen.
Das in Form des Wasserfilms 8 bestrahlte Schmutzwasser 7
bleibt nach dem Bestrahlen durch den Elektronenstrahl 11
weiter an der Walzenoberfläche 4a haften und gelangt aufgrund
der Drehung der Walze 4 in den Bereich eines Abstreifers 12,
der so angeordnet ist, daß eine walzenseitige Kante 16 quer
zur Bewegungsrichtung der Walze 4 an der Walzenoberfläche 4a
anliegt und auf diese Weise den Wasserfilm 8 von der
Walzenoberfläche 4a abstreift. Der Abstreifer 12 legt eine
Ebene fest, die eine Neigung von der Walze 4 weg aufweist,
damit das von der Walze 4 in Form des Wasserfilms 8 entfernte
Wasser 17 über den geneigten Abstreifer 12 abfließen kann.
Eine parallel zur Drehachse der Walze 4 am anderen Ende des
Abstreifers 12 angeordnete Rinne 13 leitet das Wasser 17 in
einen weiteren Wasserbehälter 14, der zur Aufnahme des
gereinigten Wassers 15 dient.
In Fig. 4 ist ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfin
dungsgemäßen Vorrichtung dargestellt. Die wesentlichen Unter
schiede einer Reinigungsvorrichtung 1' zum ersten Aus
führungsbeispiel sind darin zu sehen, daß der Kaltkathoden
beschleuniger 2 relativ zum Walzenreaktor 3 derart angeordnet
ist, daß der Elektronenstrahl 11 in einer Richtung aus dem
Austrittsfenster 10 austritt, die sowohl quer zur Oberfläche
der Walze 4 als auch zur Oberfläche des im Schmutzwasser
behälter 6 befindlichen Schmutzwassers 7 verläuft. Im ersten
Ausführungsbeispiel treten die Elektronen aus dem Austritts
fenster 10 des Kaltkathodenbeschleunigers 2 im wesentlichen
parallel zur Oberfläche des im Schmutzwasserbehälter 6
befindlichen Schmutzwassers 7 aus. Diese Anordnung des
Kaltkathodenbeschleunigers 2 relativ zur Walze 4 ist not
wendig, da die Walze 4 mit mehr als der Hälfte ihrer Walzen
oberfläche 4a in das Schmutzwasser 7 eintaucht. Es besteht
also nur noch auf einem begrenzten Bereich der Walzenober
fläche 4a die Möglichkeit, diese mit dem Elektronenstrahl 11
zu beaufschlagen, ohne daß der Elektronenstrahl 11 etwa auch
den Schmutzwasserbehälter 6 und zusätzlich darin befindliches
Schmutzwasser 7 durchdringen muß. Durch das tiefere Ein
tauchen der Walze 4 in das Schmutzwasser 7 kann ein dickerer
Wasserfilm 8 auf der Walzenoberfläche 4a erzeugt werden, was
insbesondere dann vorteilhaft ist, wenn das Schmutzwasser 7
schlecht auf der Walzenoberfläche 4a haftet.
In Fig. 5 ist als drittes Ausführungsbeispiel einer erfin
dungsgemäßen Vorrichtung eine Bandreinigungsvorrichtung 30
dargestellt, die im wesentlichen identisch mit der Reini
gungsvorrichtung 1 aus Fig. 1 ist. Jedoch ist bei der
Bandreinigungsvorrichtung 30 der Walzenreaktor 3 durch ein
Förderband 21 ersetzt. Das Förderband 21 umgibt drei
Antriebsrollen 22a, 22b und 22c, deren Antriebsachsen sowohl
parallel zueinander als auch parallel zu einer Oberfläche 23
des im Schmutzwasserbehälter 6 befindlichen Schmutzwassers 7
verlaufen. Zwei der Antriebsrollen 22a und 22b sind derart
angeordnet, daß das Förderband 21 die Rolle 22b, die inner
halb des Schmutzwasserbehälters 6 angeordnet ist, teilweise
umläuft und in der Folge davon quer zur Oberfläche 23 in
Richtung auf die andere Antriebsrolle 22a zuläuft, die sich
außerhalb des Schmutzwasserbehälters 6 befindet. Ausgehend
von dieser Antriebsrolle 22a verläuft das Förderband 21 auf
die Antriebsrolle 22c hin, so daß dieser Abschnitt des
Förderbands 21 in Richtung auf die Oberfläche 23 hin geneigt
ist.
Wie bei den Reinigungsvorrichtungen 1 und 1', bei denen der
Walzenreaktor 3 vorgesehen ist, wird an einer von den Rollen
22a, 22b und 22c weg weisenden Bandoberfläche 24 in Folge der
Bewegung des Förderbands 21 durch Adhäsionskräfte zwischen
den Wasserteilchen und der Bandoberfläche 24 ein Wasserfilm 8
gebildet, indem das Förderband 21 durch das Schmutzwasser 7
bewegt wird. Der Wasserfilm 8 wird mittels des Elektronen
strahls 11 bestrahlt und im weiteren Verlauf der Bewegung des
Förderbands 21 durch die Kante 16 des Abstreifers 12 von der
Bandoberfläche 24 gelöst. Das abgestreifte Wasser 17 wird
über die Rinne 13 in den Wasserbehälter 14 für das gereinigte
Wasser 15 geleitet.
In Fig. 6 ist ein viertes Ausführungsbeispiel einer Reini
gungsvorrichtung dargestellt. Dabei handelt es sich um eine
Kombination der in Fig. 1 dargestellten Reinigungsvor
richtung 1 mit der Reinigungsvorrichtung 1', wie sie in
Fig. 4 zu sehen ist. Die in der Fig. 6 rechts dargestellte
Reinigungsvorrichtung 1 reinigt in der oben beschriebenen
Weise den Wasserfilm 8 und leitet das gereinigte Wasser 17
über den Abstreifer 12 und die Rinne 13 in den Schmutzwasser
behälter 6' der Reinigungsvorrichtung 1'. Damit befindet sich
in diesem Schmutzwasserbehälter 6' das durch die Reinigungs
vorrichtung 1 in einer ersten Stufe gereinigte Wasser 15.
Dieses vorgereinigte Wasser 15 wird einer zweiten Reinigungs
stufe zugeführt, die beispielsweise durch die Reinigungs
vorrichtung 1' gebildet wird. Es ist aber auch denkbar, die
zweite Reinigungsstufe andersgeartet, beispielsweise als bio
logische, chemische und/oder physikalische Stufe, auszu
bilden.
In Fig. 6 ist der Kaltkathodenbeschleuniger 2' gegenüber dem
Kaltkathodenbeschleuniger 2 der Reinigungsvorrichtung 1 um
90° gedreht angeordnet, damit die Walze 4' tiefer in das im
Schmutzwasserbehälter 6' vorgereinigte Wasser 15 eintauchen
kann. Der Kaltkathodenbeschleuniger 2' kann auch in anderen
Winkelstellungen relativ zur Walze 4' angeordnet werden,
solange sichergestellt ist, daß der Elektronenstrahl 11' in
einer Richtung parallel zur Normalen der Bestrahlungszone 20
auf den auf der Walzenoberfläche 4a befindlichen Wasserfilm
8' auftrifft. Das von der Reinigungsvorrichtung 1' gereinigte
Wasser 15' wird schließlich in einem Wasserbehälter 14 aufge
fangen. Das gereinigte Wasser 15' im Wasserbehälter 14 hat
somit zwei Reinigungsstufen durchlaufen.
Es ist jedoch auch denkbar, mehr als nur zwei Reinigungs
vorrichtungen 1, 1' oder 30 miteinander zu kombinieren. Es
ist jede beliebige Anzahl von derartigen Reinigungsvor
richtungen 1 denkbar. Dabei können diese wie in Fig. 3 dar
gestellt in Serie angeordnet sein, es besteht jedoch auch die
Möglichkeit, diese parallel anzuordnen, und zwar derart, daß
die Drehachsen der Walzen 4 der Reinigungsvorrichtungen 1
zusammenfallen. Das bedeutet, daß sich die Reinigungsvor
richtung 1 in Richtung der Drehachse der Walze 4 beliebig
erstreckt. Gleiches gilt für die Reinigungsvorrichtung 1' und
die Bandreinigungsvorrichtung 30, wobei sich bei letzterer
das Förderband 21 in Richtung der Drehachsen der Antriebs
rollen 22a, 22b und 22c beliebig erstreckt.
Diese Form der Mehrstufenreinigung kann zum Abbau von ver
schieden stark oder aber auch unterschiedlich belasteten
Flüssigkeiten Verwendung finden.
Claims (31)
1. Vorrichtung zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer
und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid
mit mindestens einer geladene Teilchen vorgegebener
Ladung und Energie erzeugenden Emissionsquelle,
dadurch gekennzeichnet, daß eine
Filmerzeugungsvorrichtung (3; 21) zum Erzeugen eines
Fluidfilms (8) vorgesehen ist und daß der Fluidfilm mit
den geladenen Teilchen beaufschlagbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Filmerzeugungsvorrichtung (3) mindestens einen
bewegbaren Träger (4; 21) umfaßt.
3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Träger (4; 21) eine Trägerober
fläche (4a; 24) aufweist und daß der Fluidfilm (8) auf
der Trägeroberfläche (4a; 24) angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorrichtung (1; 1'; 30) eine Benetzungsvorrich
tung (6) zum Benetzen der Trägeroberfläche (4a; 24) mit
dem Fluid (7) umfaßt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Benetzungsvorrichtung mindestens ein Bad (6)
zum Aufnehmen des Fluid (7) umfaßt.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß der Träger (4; 21) auf einer
geschlossenen Bahn umläuft.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der umlaufende Träger durch eine Walze (4) gebildet
wird.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der umlaufende Träger durch ein Band (21) gebildet
wird.
9. Vorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (1; 1'; 30)
eine Steuerungseinheit für die Filmerzeugungsvorrich
tung (3) umfaßt zur Steuerung und Anpassung einer Dicke
des Fluidfilms (8) an die Energie der von der
Emissionsquelle (2) emittierten geladenen Teilchen.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß ein an dem Träger (4) anliegender
Abstreifer (12) zum Abstreifen des behandelten Fluids
(8) von dem Träger vorgesehen ist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß der Träger (4; 21) relativ zu dem
Bad (6) derart angeordnet ist, daß der Träger (4; 21)
mit einem Teil der Trägeroberfläche (4a; 24) in das im
Bad (6) befindliche Fluid (7) eintaucht.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß der Träger (4; 21) relativ zum Bad
(6) verstellbar ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Fluidverbindung (13) zwischen
dem Abstreifer (12) und einem Auffangbehältnis (14) zum
Aufnehmen des behandelten Fluids (15) vorgesehen ist.
14. Vorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Emissionsquelle (2) ein
Austrittsfenster (10) aufweist, das maximal 1 cm von
dem Fluidfilm (8) entfernt angeordnet ist.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 14, dadurch
gekennzeichnet, daß die Emissionsquelle (2) relativ zum
Träger (4; 21) derart angeordnet ist, daß die Teilchen
im wesentlichen quer zur Trägeroberfläche (4a; 24)
emittiert werden.
16. Vorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (7) durch eine
Flüssigkeit und/oder ein Gas gebildet wird.
17. Vorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß von der Emissionsquelle (2)
ein flächenhafter, in einer quer zu einer Strahl
richtung verlaufenden Ebene ausgedehnter Teilchenstrahl
(11) erzeugbar ist.
18. Vorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß durch die Emissionsquelle
(2) Teilchenenergien im Bereich von ungefähr 50 keV bis
ungefähr 300 keV erzeugbar sind.
19. Vorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Emissionsquelle (2)
gepulst betreibbar ist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorrichtung (1) eine Steuer- und Regelungs
einheit zum Anpassen der Pulsdauer der Emissionsquelle
(2) an eine Reaktionskinetik der Verunreinigungen
umfaßt.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 19 oder 20,
dadurch gekennzeichnet, daß durch die Emissionsquelle
(2) Pulsdauern kürzer als 10 µsek erzeugbar sind.
22. Vorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Emissionsquelle durch
eine Elektronenemissionsquelle (2) gebildet wird, die
Elektronen emittiert.
23. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektronenemissionsquelle durch einen Feld
emissionsemitter (2) gebildet wird.
24. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet,
daß der Feldemissionsemitter durch einen Kaltkathoden
emitter (2) gebildet wird, mit einer Kathode (9),
umfassend mehrere auf einer Fläche (43) im Abstand (A,
B) voneinander angeordneten kleinflächigen Faser
emittern (47), mit einer Anode (49), die ein sich in
einer Fläche erstreckendes Anodengitter (50) ist, und
daß die kleinflächigen Faseremitter (47) so auf der
Kathode (9) angeordnet sind, daß sich der jeweils von
einem der kleinflächigen Faseremitter (47) ausgehende
Feldlinienverlauf (68) mit dem der jeweils benachbarten
kleinflächigen Faseremitter (47) so ergänzt und über
lappt, daß in der Fläche des Anodengitters (50) eine
über dessen Ausdehnung im wesentlichen konstante
Elektronenstromdichte bei großflächiger Feldemission
von Elektronen aus der Kathode (9) vorliegt.
25. Verfahren zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer
und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid
umfassend das Bestrahlen des Fluids mit geladenen
Teilchen vorgegebener Ladung und Energie, dadurch
gekennzeichnet, daß zum Bestrahlen ein Fluidfilm
erzeugt wird.
26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß
der Fluidfilm relativ zu den geladenen Teilchen bewegt
wird.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 oder 26, dadurch
gekennzeichnet, daß ein flächenhafter, in einer quer zu
einer Strahlrichtung verlaufenden Ebene ausgedehnter
Teilchenstrahl erzeugt wird.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 27, dadurch
gekennzeichnet, daß der Fluidfilm großflächig bestrahlt
wird.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 28, dadurch
gekennzeichnet, daß der Fluidfilm auf seiner gesamten
Breite quer zu seiner Bewegungsrichtung bestrahlt wird.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 oder 29, dadurch
gekennzeichnet, daß der Fluidfilm mit Elektronen,
bestrahlt wird.
31. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 30, dadurch
gekennzeichnet, daß das behandelte Fluid aufgefangen
wird und daß das aufgefangene Fluid erneut behandelt
wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999101058 DE19901058C2 (de) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | Vorrichtung und Verfahren zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999101058 DE19901058C2 (de) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | Vorrichtung und Verfahren zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19901058A1 true DE19901058A1 (de) | 2000-07-20 |
DE19901058C2 DE19901058C2 (de) | 2003-04-03 |
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ID=7894153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1999101058 Expired - Fee Related DE19901058C2 (de) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | Vorrichtung und Verfahren zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19901058C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109641072A (zh) * | 2016-09-01 | 2019-04-16 | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 | 生物介质中的病原体的灭活 |
DE102021203590A1 (de) | 2021-04-12 | 2022-10-13 | Osram Gmbh | Vorrichtung zum entkeimen einer flüssigkeit |
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-
1999
- 1999-01-14 DE DE1999101058 patent/DE19901058C2/de not_active Expired - Fee Related
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DE102021203590A1 (de) | 2021-04-12 | 2022-10-13 | Osram Gmbh | Vorrichtung zum entkeimen einer flüssigkeit |
Also Published As
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
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|
8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: DEUTSCHES ZENTRUM FUER LUFT- UND RAUMFAHRT E.V. |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
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