DE19900628A1 - Oberflächenwellenbauelement - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächen­ wellenbauelement mit einem Quarzsubstrat.

Es existiert ein großer Bedarf nach Filtern, die eine mitt­ lere Frequenzbandbreite zur Verwendung bei einer Mobilkommu­ nikationsausrüstung oder bei anderen Verbraucherelektronik­ geräten haben. Im allgemeinen ist eine Bandbreite eines Oberflächenwellenbauelements proportional zu dem Quadrat des elektromechanischen Koeffizienten K (K²) des Bauelements.

Ein Oberflächenwellenbauelement (SAW-Bauelement; SAW = Sur­ face Acoustic Wave) mit einem Quarzsubstrat ist wünschens­ wert, da der Temperaturkoeffizient der Gruppenlaufzeit (TCD = Temperature Coefficient Delay) desselben nahezu 0 ist. Quarzsubstrate haben jedoch im wesentlichen einen niedrigen Wert K², weshalb eine Bandbreite eines akustischen Ober­ flächenwellenbauelements, das ein Quarzsubstrat umfaßt, schmal ist. Insbesondere hat eine Komponente, die eine Mehr­ zahl von herkömmlichen Oberflächenwellenbauelementen auf­ weist, von denen jedes einen Interdigitalwandler (IDT; IDT = Interdigital Transducer) hat, und die auf einem herkömmli­ chen Quarzsubstrat angeordnet sind, einen Wert K² von etwa 0,14%.

Substrate, die aus Materialien wie aus z. B. LiTaO₃, beste­ hen, haben große Werte K², die Bandbreite eines Oberflächen­ wellenbauelements mit einem solchen Substrat ist jedoch zu breit, um den oben beschriebenen Bedarf zu erfüllen, da der Wert K² zu groß ist. Zusätzlich haben Substrate aus LiTaO₃ und dergleichen einen hohen TCD-Wert, was bewirkt, daß sich die Charakteristika abhängig von der Temperatur stark verän­ dern.

Um die Probleme zu lösen, wurde ein Oberflächenwellenbau­ elemente mit einem erhöhten Wert K² vorgeschlagen. Dieses Oberflächenwellenbauelement wird durch Bilden eine piezo­ elektrischen Dünnfilms auf einem Quarzsubstrat und durch Bilden eines Interdigitalwandlers auf dem piezoelektrischen Dünnfilm hergestellt.

Das herkömmliche akustische Oberflächenwellenbauelement 110 wird nachfolgend bezugnehmend auf die Fig. 10 und 11 be­ schrieben. Fig. 10 ist eine schematische Draufsicht des herkömmlichen Oberflächenwellenbauelements 110. Fig. 11 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie W-W von Fig. 10.

Wie es in den Fig. 10 und 11 gezeigt ist, ist das herkömm­ liche Oberflächenwellenbauelement 110 derart hergestellt, daß ein piezoelektrischer Dünnfilm 112, wie z. B. ein ZnO- Film und dergleichen, auf einem Quarzsubstrat 111 gebildet wird. Auf dem piezoelektrischen Dünnfilm 112 ist ein Inter­ digitalwandler 113 aus Al gebildet, der ein Paar von kamm­ förmigen Elektroden aufweist, die interdigital zueinander angeordnet sind. Ein Paar von Reflektoren 114 sind auf gegenüberliegenden Seiten des Interdigitalwandlers 113 vorgesehen. Die Reflektoren 114 sind vorgesehen, um akusti­ sche Oberflächenwellen, die sich zu denselben ausbreiten, zu reflektieren, und um die Energie der akustischen Oberflä­ chenwellen einzugrenzen. Somit funktioniert das akustische Oberflächenwellenbauelement 110 als Resonator. Eines oder eine Mehrzahl der akustischen Oberflächenwellenbauelemente werden verwendet, um ein Bandpaßfilter zu bilden. Der Wert K² des akustischen Oberflächenwellenbauelements 110 kann gesteigert werden, indem das Quarzsubstrat 111 verwendet wird, das einen Schnittwinkel und eine Ausbreitungsrichtung hat, die ausgewählt sind, um einen negativen TCD-Wert zu erreichen. Unter Verwendung des piezoelektrischen Dünnfilms 112, der einen positiven TCD-Wert hat, kann es erreicht wer­ den, daß sich die TCD-Werte des Quarzsubstrats 111 und des piezoelektrischen Dünnfilms 112 gegeneinander aufheben. Dem­ entsprechend kann der TCD-Wert des Oberflächenwellenbauele­ ments 110 derart eingestellt werden, daß er nahe bei 0 liegt.

Der Wert K² des Oberflächenwellenbauelements 110 kann ge­ steigert werden, indem eine Kurzschlußelektrode, die aus Aluminium oder dergleichen besteht, zwischen dem Quarzsub­ strat 111 und dem piezoelektrischen Dünnfilm 112 vorgesehen wird.

Somit hat das herkömmliche akustische Oberflächenwellenbau­ element 110 einen erwünschten Wert K² von etwa 1% zusätzlich zu einem TCD-Wert von etwa 0, wodurch ein Oberflächenwellen­ bauelement mit einer mittleren Bandbreite realisiert ist.

Obwohl das herkömmliche Oberflächenwellenbauelement 110 er­ folgreich eine mittlere Bandbreite realisiert hat, wie es oben beschrieben ist, existiert ein weiteres signifikantes Problem, das dem herkömmlichen Oberflächenwellenbauelement 110 zugeordnet ist. Das herkömmliche Oberflächenwellenbau­ element 110 hat ein kleines Impedanzverhältnis Za/Zr. Dieses kleine Impedanzverhältnis stellt ein Problem dar, daß, wenn das Oberflächenwellenbauelement 110 als Resonator verwendet wird, das Oberflächenwellenbauelement 110 nicht ohne wei­ teres oszillieren kann. Wenn ferner ein Filter unter Verwen­ dung des Oberflächenwellenbauelements 110 aufgebaut wird, zeigt das Filter die Nachteile eines großen Einfügungsver­ lustes und gradueller Frequenzcharakteristika an den Band­ enden.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Oberflächenwellenbauelement mit verbesserten Oszillations­ charakteristika zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch ein Oberflächenwellenbauelement nach Patentanspruch 1 gelöst.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung betreffen ein Oberflächenwellenbauelement mit einem Quarz­ substrat und einem darauf gebildeten piezoelektrischen Film, wobei dasselbe ein großes Impedanzverhältnis Za/Zr aufweist, wodurch herausragende Schwingcharakteristika, ein kleiner Einfügungsverlust und abrupte Frequenzcharakteristika an den Bandenden erreicht werden.

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauelement ein Quarz­ substrat, einen Reflektor, der auf dem Quarzsubstrat ange­ ordnet ist, einen piezoelektrischen Dünnfilm, der auf einem Bereich des Quarzsubstrats angeordnet ist, der zumindest einen Teil des Quarzsubstrats, auf dem Reflektor angeordnet ist, nicht umfaßt, und einen Interdigitalwandler, der in Kontakt mit dem piezoelektrischen Dünnfilm angeordnet ist.

Der Interdigitalwandler kann auf dem piezoelektrischen Dünn­ film angeordnet sein. Alternativ kann der Interdigitalwand­ ler zwischen dem piezoelektrischen Dünnfilm und dem Quarz­ substrat angeordnet sein.

Das Oberflächenwellenbauelement kann ferner eine Kurzschluß­ elektrode umfassen, die auf der Seite des piezoelektrischen Dünnfilms, die der Seite desselben gegenüberliegt, angeord­ net ist, auf der der Digitalwandler angeordnet ist.

Das Quarzsubstrat hat vorzugsweise einen Schnittwinkel und eine Ausbreitungsrichtung, die ausgewählt sind, um eine negative Temperaturcharakteristika der Gruppenlaufzeit zu erreichen. Ferner besteht der piezoelektrische Dünnfilm vorzugsweise aus einem Material, das aus der Gruppe ausge­ wählt ist, die aus ZnO, AlN, Ta₂O₅ und CdS besteht.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind die Reflektoren vorzugsweise direkt auf dem Quarzsubstrat ange­ ordnet. Somit ist es möglich, die Reduktion des Reflexions­ koeffizienten zu beseitigen und der Ausbreitungsverlust an dem Reflektor zu reduzieren, wodurch das Impedanzverhältnis Za/Zr des Oberflächenwellenbauelements erhöht wird. Als Er­ gebnis erreicht das Oberflächenwellenbauelement heraus ragen­ de Schwingcharakteristika, wobei ein Filter, das aufgebaut ist, um das Oberflächenwellenbauelement 10 zu umfassen, ei­ nen kleinen Einfügungsverlust und abrupte Frequenzcharak­ teristika an den Bandenden umfaßt.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die bei liegenden Zeich­ nungen detailliert erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf ein Oberflächen­ wellenbauelement gemäß einem bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie X-X von Fig. 1;

Fig. 3 eine schematische Draufsicht einer Modifikation des Oberflächenwellenbauelements des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4 einen Querschnitt entlang einer Linie Y-Y von Fig. 3;

Fig. 5 einen Querschnitt der Ansicht, die eine Variation des in Fig. 1 gezeigten Oberflächenwellenbauele­ ments zeigt;

Fig. 6 eine Querschnittsansicht, die eine Variation des in Fig. 3 gezeigten Oberflächenwellenbauelements dar­ stellt;

Fig. 7 eine schematische Draufsicht eines Oberflächenwel­ lenbauelements gemäß einem zweiten bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 8 ein Querschnitt entlang einer Linie Z-Z von Fig. 7;

Fig. 9 eine Querschnittsansicht, die eine Variation des in Fig. 7 gezeigten Oberflächenwellenbauelements dar­ stellt;

Fig. 10 eine schematische Draufsicht eines herkömmlichen Oberflächenwellenbauelements; und

Fig. 11 einen Querschnitt entlang einer Linie W-W von Fig. 10.

Nach dem Erkennen des Problems bei den oben beschriebenen herkömmlichen Bauelementen haben die Erfinder der vorliegen­ den Erfindung intensiv die Ursachen des kleinen Impedanzver­ hältnisses bei den herkömmlichen Oberflächenwellenbauelemen­ ten, die ein Quarzsubstrat und einen darauf angeordneten piezoelektrischen Film umfassen, untersucht. Die Erfinder haben herausgefunden, daß sich das kleine Impedanzverhältnis auf einen großen Ausbreitungsverlust der akustischen Ober­ flächenwellen bezieht. Insbesondere ist bei einem Oberflä­ chenwellenbauelement mit einer Struktur, bei der der piezo­ elektrische Dünnfilm, wie z. B. einen ZnO-Film, auf dem Quarzsubstrat angeordnet ist, und der Interdigitalwandler und die Reflektoren auf dem piezoelektrischen Dünnfilm an­ geordnet sind, der Ausbreitungsverlust der akustischen Ober­ flächenwellen größer als der eines Oberflächenwellenbauele­ ments, das eine Struktur aufweist, bei der ein Interdigital­ wandler und Reflektoren direkt auf einem Quarzsubstrat ange­ ordnet sind.

Bei einem Oberflächenwellenbauelement mit einer Struktur, bei der ein piezoelektrischer Dünnfilm, wie z. B. ein ZnO-Film, auf einem S-T geschnittenen Quarzsubstrat mit einer Ausbreitungsrichtung von 35° angeordnet ist, und bei der Interdigitalwandler und Reflektoren auf dem piezoelektri­ schen Film angeordnet sind, beträgt der Ausbreitungsverlust 2,4 dB/cm bei 220 MHz und 7,5 dB/cm bei 630 MHz. Es sei an­ gemerkt, daß ein ST-geschnittenes Quarzsubstrat mit einem Ausbreitungswinkel von 35°, das in dieser Beschreibung er­ wähnt ist, ein um 25° bis zu 35° gedrehtes Y-geschnittenes 35 ± 1° X-Ausbreitungsquarzsubstrat umfaßt. Andererseits hat ein akustisches Oberflächenwellenbauelement mit einer Struk­ tur, bei der der Interdigitalelektrodenwandler und die Re­ flektoren direkt auf dem Quarzsubstrat gebildet sind, einen Ausbreitungsverlust von 0,05 dB/cm bei 220 MHz und 0,38 dB/cm bei 630 MHz. Zusätzlich wurde ferner durch den Erfin­ der herausgefunden, daß ein Reflektor, der auf einem piezo­ elektrischen Film angeordnet ist, der auf einem Quarzsub­ strat gebildet ist, einen halb so großen Reflexionskoeffi­ zienten aufweist, als der eines Reflektors, der direkt auf einem Quarzsubstrat angeordnet ist. Die Abnahme des Refle­ xionskoeffizienten wird durch die Phasendifferenz der bei der Reflexion beteiligten Oberfläche bewirkt, die zwischen dem Reflektor und dem piezoelektrischen Film bewirkt wird.

Der Erfinder hat im Folgenden beschriebene neuartige Ober­ flächenwellenbauelemente erfunden und erdacht. Anschließend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung bezugnehmend auf die Zeichnungen beschrieben.

Wie es in den Fig. 1 und 2 gezeigt ist, ist bei einem Ober­ flächenwellenbauelement 10 gemäß einem bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ein piezoelektri­ scher Dünnfilm 12, der vorzugsweise ein ZnO-Film oder der­ gleichen ist, auf einem ST-geschnittenen 35°-Ausbreitungs- Quarzsubstrat 11 angeordnet, jedoch mit Ausnahme eines Ab­ schnitts des Quarzsubstrats 11. Auf den piezoelektrischen Dünnfilm 12 ist durch Photolithographie oder durch andere Verfahren ein Interdigitalwandler 13 gebildet, der ein Paar Kamm-förmiger Elektroden umfaßt, die vorzugsweise metalli­ sche Elektroden sind, die aus Al oder dergleichen bestehen und die angeordnet sind, um sich gegenüberzuliegen. In dem Abschnitt des Quarzsubstrats 11, in dem der piezoelektrische Dünnfilm 12 nicht gebildet ist, d. h. auf den gegenüberlie­ genden Seiten des Interdigitalwandlers 13, sind Reflektoren 14, die vorzugsweise metallische Elektroden sind, die aus Al und dergleichen hergestellt sind, gebildet.

Das Oberflächenwellenbauelement 10 kann in einem Gehäuse versiegelt sein, das aus Keramik oder dergleichen besteht (nicht gezeigt). Eine Anschlußfläche 15 des Interdigital­ wandlers 13 ist mit einer Elektrode für eine externe Ver­ bindung außerhalb des Gehäuses über eine Drahtverbindung verbunden. Somit arbeitet das Oberflächenwellenbauelement 10 als Resonator. Es sei darauf hingewiesen, daß eine Mehrzahl der Oberflächenwellenbauelemente 10 auf einem einzigen Quarzsubstrat 11 angeordnet sein kann, um ein Filter zu de­ finieren.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement 10 sind die Reflektoren 14 vorzugsweise direkt auf dem Quarzsubstrat angeordnet. So­ mit ist es möglich, die Reduktion des Reflexionskoeffizien­ ten zu eliminieren. Zusätzlich ist der Ausbreitungsverlust an dem Reflektor ebenfalls reduziert.

Es sei darauf hingewiesen, daß der Ausbreitungsweg der aku­ stischen Oberflächenwelle bei dem Oberflächenwellenbauele­ ment 10 im allgemeinen eine Region umfaßt, wo der Inter­ digitalwandler gebildet ist, und eine Region zwischen dem Interdigitalwandler 13 und dem Reflektor 14, die nicht die Region ist, wo die Reflektoren 14 angeordnet sind. Da die Regionen, wo die Reflektoren 14 angeordnet sind, im allge­ meinen größer als die andere Region sind, ist die Auswirkung des Reduzierens des Ausbreitungsverlustes groß, obwohl der piezoelektrische Film nur an der Region entfernt ist, wo die Reflektoren angeordnet sind. Es sei ferner darauf hingewie­ sen, daß der piezoelektrische Film zwischen dem Interdigi­ talwandler 13 und dem Quarzsubstrat 11 notwendig ist, um den Wert K² zu erfüllen. Der piezoelektrische Film, der an den Regionen zwischen dem Interdigitalwandler 13 und den Reflek­ toren 14 positioniert ist, könnte entfernt werden.

Gemäß einem Beispiel bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wird das Impedanzverhältnis Za/Zr des Oberflächenwellenbauelements 10 auf 50 bis 60 dB erhöht, während das herkömmliche akustische Oberflächenwellenbauele­ ment ein Impedanzverhältnis Za/Zr von etwa 30 bis 40 dB hat. Als Ergebnis erreicht das Oberflächenwellenbauelement 10 ge­ mäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Er­ findung herausragende Schwingungscharakteristika. Ein Fil­ ter, das unter Verwendung des Oberflächenwellenbauelements 10 aufgebaut ist, zeigt einen kleinen Einfügungsverlust und abrupte Frequenzcharakteristika an den Bandenden.

Da ferner der piezoelektrische Film auf dem Quarzsubstrat 11 an der Region vorgesehen ist, wo der Interdigitalwandler 13 angeordnet ist, beträgt der Wert K² des Oberflächenwellen­ bauelements 10 ungefähr 1%, wodurch das Oberflächenwellen­ bauelement 1 eine mittlere Bandbreite und einen TCD-Wert von etwa 0 aufweist.

Bei der Struktur des oben erwähnten bevorzugten Ausführungs­ beispiels ist ein piezoelektrischer Dünnfilm 12 nur an dem Abschnitt des Quarzsubstrats nicht gebildet, der unter den Reflektoren 14 angeordnet ist. Wie es jedoch in den Fig. 3 und 4 gezeigt ist, ist ein Oberflächenwellenbauelement 10a für diese Erfindung nützlich, das eine Struktur hat, bei der der piezoelektrische Dünnfilm 12 im wesentlichen unter dem Interdigitalwandler 13 vorgesehen ist und in den anderen Abschnitten des Quarzsubstrats 11 nicht vorhanden ist. Wie es ferner in den Fig. 5 und 6 gezeigt ist, kann der Interdi­ gitalwandler 13 zwischen dem piezoelektrischen Film 12 und dem Quarzsubstrat 11 vorgesehen sein.

Ein zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend beschrieben. Gleiche Teile in diesem und den oben beschriebenen bevorzugten Ausführungs­ beispielen weisen die gleichen Bezugszeichen auf, wobei eine erneute detaillierte Beschreibung der gleichen Teile wegge­ lassen worden ist. Fig. 7 ist eine schematische Ansicht ei­ nes Oberflächenwellenbauelements gemäß dem zweiten bevorzug­ ten Ausführungsbeispiel. Fig. 8 ist ein Querschnitt entlang einer Linie Z-Z von Fig. 7.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement 20 gemäß diesem bevor­ zugten Ausführungsbeispiel ist eine Kurzschlußelektrode 16, die vorzugsweise eine Metallelektrode ist, die aus Al oder dergleichen besteht, auf dem Quarzsubstrat 11 vorgesehen, jedoch mit Ausnahme eines Abschnitts des Quarzsubstrats 11. Der piezoelektrische Dünnfilm 12 ist auf der Kurzschlußelek­ trode 16 angeordnet. Auf dem piezoelektrischen Dünnfilm 12 ist der Interdigitalwandler 13, der einen Satz von Metall­ elektroden umfaßt, die aus Al oder dergleichen bestehen, und die angeordnet sind, um sich gegenüberzuliegen, angeordnet. In dem Abschnitt des Quarzsubstrats 11, auf dem der piezo­ elektrische Dünnfilm 12 nicht angeordnet ist, d. h. auf den gegenüberliegenden Seiten des Interdigitalwandlers 13, sind die Reflektoren 14, die vorzugsweise Metallelektroden sind, die aus Al oder dergleichen bestehen, angeordnet.

Durch Bereitstellung der Kurzschlußelektroden 16 zwischen dem Quarzsubstrat 11 und dem piezoelektrischen Dünnfilm 12, wie es oben beschrieben worden ist, wird der Wert K² dieses Oberflächenwellenbauelements noch weiter erhöht, im Ver­ gleich zu dem des Oberflächenwellenbauelements 10 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel. Bei diesem bevorzug­ ten Ausführungsbeispiel ist die Kurzschlußelektrode auf dem Quarzsubstrat angeordnet, wobei der piezoelektrische Dünn­ film auf der Kurzschlußelektrode angeordnet ist, und wobei ferner der Interdigitalwandler 13 auf derselben angeordnet ist. Wie es jedoch in Fig. 9 gezeigt ist, kann der Inter­ digitalwandler 13 auf dem Quarzsubstrat 11 gebildet werden, wobei ferner der piezoelektrische Dünnfilm 12 und darüber hinaus die Kurzschlußelektrode 16 auf dem Interdigitalwand­ ler 13 gebildet sein können. Bei dieser Struktur wird der Ausbreitungsverlust stark reduziert.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispielen wird der ZnO- Film vorzugsweise als der piezoelektrische Dünnfilm ver­ wendet. Es können jedoch auch AlN, Ta₂O₅, CdS und derglei­ chen als piezoelektrischer Dünnfilm verwendet werden.

Obwohl bestimmte bevorzugte Ausführungsbeispiele, die oben beschrieben worden sind, ein ST-geschnittenes 35°-Ausbrei­ tungsrichtung-Quarzsubstrat umfassen, können weitere bevor­ zugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung andere Typen von Quarzsubstraten mit einer Mehrzahl unterschiedli­ cher Schnittwinkel und Ausbreitungsrichtungen umfassen.

Claims (14)

1. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) mit
einem Quarzsubstrat (11);
einem Reflektor (14), der auf dem Quarzsubstrat (11) angeordnet ist;
einem piezoelektrischen Dünnfilm (12), der in einem Be­ reich des Quarzsubstrats (11) angeordnet ist, der zumin­ dest einen Abschnitt des Quarzsubstrats (11) nicht um­ faßt, in dem der Reflektor (14) angeordnet ist; und
einem Interdigitalwandler (13), der angeordnet ist, um den piezoelektrischen Dünnfilm (12) zu berühren.

2. Oberflächenwellenbauelement (20) nach Anspruch 1, bei dem der Interdigitalwandler (13) auf dem piezoelektri­ schen Dünnfilm (12) angeordnet ist.

3. Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1, bei dem der Interdigitalwandler (13) zwischen dem piezoelektrischen Dünnfilm (12) und dem Quarzsubstrat (11) angeordnet ist.

4. Oberflächenwellenbauelement (20) nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, das ferner eine Kurzschlußelektrode (16) aufweist, die auf der Seite des piezoelektrischen Dünnfilms (12) angeordnet ist, die der Seite desselben gegenüberliegt, auf der der Interdigitalwandler (13) an­ geordnet ist.

5. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Quarzsubstrat (11) einen Schnittwinkel und eine Ausbreitungsrichtung hat, die ausgewählt sind, um eine negative Temperaturcharak­ teristik der Gruppenlaufzeit zu erzeugen.

6. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der piezoelektrische Dünnfilm (12) aus einem Material hergestellt ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus ZnO, AlN, Ta₂O₅ und CdS besteht.

7. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Quarzsubstrat (11) ein ST-Schnitt-35°-Ausbreitungs-Quarzsubstrat umfaßt.

8. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Interdigitalwand­ ler (13) zumindest zwei Metallelektroden aufweist.

9. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach Anspruch 8, bei dem die Metallelektroden aus Al hergestellt sind.

10. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Reflektor direkt auf dem Quarzsubstrat (11) angeordnet ist.

11. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner eine Mehrzahl von Reflektoren (14) aufweist, die auf dem Quarzsubstrat an­ geordnet sind.

12. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach Anspruch 11, bei dem die Mehrzahl von Reflektoren (14) auf gegen­ überliegenden Seiten des Interdigitalwandlers (13) ange­ ordnet sind.

13. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach Anspruch 11, bei dem die Reflektoren (14) Metallelektroden auf­ weisen.

14. Oberflächenwellenbauelement (10; 10a; 20) nach Anspruch 13, bei dem die Metallelektroden aus Al bestehen.