DE19852325C1 - Verfahren zum Erzeugen eines kontinuierlichen Dampfstromes enthaltend eine Verbindung, in der Gallium in einwertiger Form vorliegt, Verdampfungstiegel zum Verdampfen einer Substanz sowie Verwendung des Verdampfungstiegels in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung - Google Patents

Abstract

Verfahren zum Erzeugen eines kontinuierlichen Dampfstromes, enthaltend eine Verbindung, in der Gallium in einwertiger Form vorliegt, im Rahmen eines Vakuumbeschichtungsverfahren zur Vakuumbeschichtung eines Substrates, bei welchem Verfahren eine Gallium in 2- oder 3-wertiger Form enthaltende Verdampfungssubstanz, die zusammen mit metallischem Gallium in einem allseitig geschlossenen eine Dampfstromaustrittsöffnung aufweisenden Verdampfungstiegel angeordnet wird, verdampft und der Dampf mit dem metallischen Gallium in Kontakt gebracht wird, wobei das 2- oder 3-wertige Gallium zu 1-wertigem Gallium reduziert wird und anschließend über die Dampfstromaustrittsöffnung in Richtung des Substrates austritt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines kon­ tinuierlichen Dampfstromes enthaltend eine Verbindung, in der Gallium in einwertiger Form vorliegt im Rahmen eines Vakuum­ beschichtungsverfahrens zur Vakuumbeschichtung eines Substrats.

Einwertiges Gallium (Ga¹⁺) wird häufig als Dotierungssubstanz in Röntgenabsorbermaterialien, z. B. CsBr oder RbBr für Spei­ cherleuchtstoffe verwendet. Damit beschichtete Substrate wer­ den z. B. für Strahlungsdetektoren für röntgentechnologische Anwendungen benötigt. Das einwertige Gallium wird als GaBr aufgebracht, wobei GaBr chemisch nicht isolierbar ist. Um dennoch eine Dotierung zu erreichen, ist in US 573 60 69 als Ausgangsstoff GaCl vorgeschlagen, welches mit metallischem Ga und dem Röntgenabsorbermaterial CsBr vermengt wird. Dieses Gemisch wird bei 400°C getrocknet, wonach bei hoher Tempera­ tur (z. B. 925°C) ein Einkristall des Leuchtstoffes gezüchtet wird. Der pulverförmige Leuchtstoff wird durch Mahlen des Einkristalls gewonnen und in einer Lösung eines Bindesmittels (z. B. Polyethylacrylat) in einem Lösungsmittel (z. B. Ethyl­ acetat) dispergiert und auf die Trägerfolie beschichtet, bei­ spielsweise durch Gießen, Rollen oder Sedimentieren. Schich­ ten hoher Qualität lassen sich hierdurch nicht herstellen. Normalerweise werden gute Röntgenabsorberschichten im Rahmen eines Vakuum-Aufdampfverfahrens hergestellt, d. h., das Rönt­ genabsorbermaterial wird in einer Verdampfungsvorrichtung zu­ nächst verdampft und lagert sich auf dem Träger ab. Einer Aufbringung der einwertiges Gallium enthaltenden Dotierungs­ substanz, bei der sich um GaBr, aber auch um GaJ handeln kann, mittels eines Vakuumbeschichtungsverfahrens stehen die hohen Dampfdrucke der hierfür erforderlichen Ausgangsmate­ rialien, nämlich der 2- oder 3-wertigen Gallium-Halogenidver­ bindung sowie des metallischen Galliums hindernd entgegen, da diese im Vakuum bei üblichen Aufdampftemperaturen im Bereich mehrerer einhundert Grad schlagartig verdampfen würden, noch bevor die Reaktion der Ausgangsmaterialien unter Bildung des Dotierstoffes eingesetzt hat. Infolgedessen ist eine Dotie­ rung mit einwertigem Gallium im Rahmen einer Vakuumbeschich­ tung und insbesondere eine gleichzeitige Erzeugung der Rönt­ genabsorberschicht und das Einbringen der Dotierung im Rahmen einer Co-Verdampfung bislang nicht möglich.

Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein Verfahren anzu­ geben, das trotz der eingangs beschriebenen Probleme die Er­ zeugung eines kontinuierlichen, Dotierungssubstanz enthalten­ den Dampfstromes auch im Vakuum ermöglicht, so daß eine Vaku­ umdotierung möglich ist.

Zur Lösung dieses Problems ist ein Verfahren zum Erzeugen ei­ nes kontinuierlichen Dampfstromes enthaltend eine Verbindung, in der Gallium in einwertiger Form vorliegt im Rahmen eines Vakuumbeschichtungsverfahren zur Vakuumbeschichtung eines Substrates vorgesehen, bei dem eine Gallium in einer 2- oder 3-wertigen Form enthaltende Verdampfungssubstanz, die zusam­ men mit metallischem Gallium in einem allseitig geschlossenen eine Dampfstromaustrittsöffnung aufweisenden Verdampfungstie­ gel angeordnet wird, verdampft und der Dampf mit dem metalli­ schen Gallium in Kontakt gebracht wird, wobei das 2- oder 3- wertige Gallium zu 1-wertigem Gallium reduziert wird und an­ schließend über die Dampfstromaustrittsöffnung in Richtung des Substrats austritt.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren sind die Reaktionskomponen­ ten, also die Verdampfungssubstanz bestehend aus einer Galli­ umverbindung, insbesondere einem Gallium-Halogenid, bei dem das Gallium in 2- oder 3-wertiger Form vorliegt, sowie das metallische Gallium in einem geschlossenen Verdampfungstiegel angeordnet, wo die Verdampfung der Verdampfungssubstanz sowie die eigentliche Reaktion erfolgt. An dem Tiegel ist lediglich eine sehr kleine Dampfstromaustrittsöffnung vorgesehen, über die der die Dotierungssubstanz, also beispielsweise das GaBr enthaltene Dampfstrom austreten kann. Da die Reaktionssub­ stanzen in einem geschlossenen, lediglich eine kleine Öffnung aufweisenden Tiegel vorhanden sind, wird trotz der gegebenen Temperatur ein schlagartiges Verdampfen verhindert, da die sich im Inneren ergebenden Druckverhältnisse eine vollstän­ dige Verdampfung verhindern. Es kann in dem geschlossenen Reaktionsraum eine hinreichende Reaktion der dampfförmig vor­ liegenden Verdampfungssubstanz und des metallischen Galliums stattfinden, so daß ein kontinuierlicher, die Dotierungssub­ stanz enthaltender Dampfstrom erzeugt werden kann, der über die Austrittsöffnung in das Vakuum und in Richtung des Substrats austritt. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es also, im Rahmen eines Vakuumbeschichtungsverfahrens inner­ halb einer Vakuumbeschichtungsanlage, in der Vakuum vorliegt, kontinuierlich den Dotierstoffdampfstrom zu erzeugen.

Die Verdampfungssubstanz kann erfindungsgemäß im Verdamp­ fungstiegel auf einer ersten Ebene und das metallische Gal­ lium auf einer darüberliegenden zweiten Ebene angeordnet wer­ den, so daß die Verdampfungssubstanz getrennt vom metalli­ schen Gallium verdampft wird, mit diesem jedoch innerhalb des Tiegels in Kontakt kommt und reagiert. Alternativ hierzu kann erfindungsgemäß die Verdampfungssubstanz mit dem metallischen Gallium auch vermischt werden, so daß die Verdampfungssub­ stanz im metallischen Gallium verdampft wird und sich eine unmittelbare Reaktion einstellt. Die Reaktionstemperatur zur Reduktion liegt zwischen 250°C und 950°C, insbesondere zwi­ schen 300°C und 900°C. Je höher die Temperatur, desto voll­ ständiger die Reaktion, bevorzugt sollte die Reaktionstempe­ ratur, bei welcher also die dampfförmige Verdampfungssubstanz und das metallische Gallium reagieren, bei ca. 500°C liegen.

Um im Rahmen der Erfindungsausgestaltung, bei welcher die Verdampfung der Verdampfungssubstanz getrennt vom metalli­ schen Gallium erfolgt, zu vermeiden, daß die Substanz zu schnell verdampft, kann erfindungsgemäß zwischen dem metalli­ schen Gallium und der Verdampfungssubstanz ein Temperaturgra­ dient von 300°C bis 500°C, insbesondere von 350°C bis 450°C eingestellt werden, wozu erfindungsgemäß die Verdampfungssub­ stanz gekühlt und/oder das metallische Gallium erwärmt werden kann. Auf diese Weise ist es also möglich, einerseits zur Er­ niedrigung des Dampfdrucks die Verdampfungssubstanz zu küh­ len, andererseits aber im Bereich, in dem die Reaktion statt­ findet, die Reaktionstemperatur einzustellen.

Weiterhin vorteilhaft ist es, wenn erfindungsgemäß der Ver­ dampfungstiegel im Bereich der Dampfaustrittsöffnung gekühlt wird, was ebenfalls dazu führt, daß dort lokal eine Dampf­ druckerniedrigung erfolgt. Dies führt dazu, daß der beim Aus­ tritt durch die Dampfaustrittsöffnung stattfindende Entspan­ nungsprozess des Teilchendampfes beim Austritt in das Vakuum "schwächer" ausfällt, es treten weniger Teilchenstöße im Rah­ men der Entspannung auf, die Dampfteilchen können geradlini­ ger in Richtung des Substrates fliegen. Einem Auseinander­ driften und "Verschmieren" des Dampfstromes kann so entgegen gewirkt werden, es läßt sich ein relativ scharfer Dampfstrom in Richtung des Substrats einstellen. Um sowohl einen Aufbau der erforderlichen Druckverhältnisse im Inneren des Tiegels zu ermöglichen, wie auch einen hinreichend scharfen Dampf­ stromstrahl zu erzeugen, wird zweckmäßigerweise ein Verdamp­ fungstiegel verwendet, dessen Dampfstromaustrittsöffnung ei­ nen Durchmesser zwischen 2 µm und 2 mm, insbesondere 5 µm und 1,5 mm, vorzugsweise zwischen 10 µm und 1 mm aufweist. Es können auch mehrere solcher kleinen Dampfaustrittsöffnungen vorgesehen sein. Der verwendete Verdampfungstiegel sollte aus einem mit der Verdampfungssubstanz und/oder dem metallischen Gallium nicht reagierenden oder davon nicht benetzbaren Mate­ rial, insbesondere aus Graphit, Aluminiumoxid oder Bornitrid bestehen. Gemäß einer weiteren Erfindungsausgestaltung kann die Verdampfungssubstanz vor, während oder nach der Aufdamp­ fung eines Beschichtungsmaterials, mit dem das Substrat be­ schichtet wird/ist, insbesondere einem Röntgenabsorbermate­ rial, aufgedampft werden, d. h., es ist möglich, in einer ge­ meinsamen Verdampfungsanlage beispielsweise zunächst das Röntgenabsorbermaterial aufzudampfen, und anschließend die Dotierungssubstanz, weiterhin ist eine umgekehrte Aufdampf­ reihenfolge möglich, sowie besonders zweckmäßig auch eine gleichzeitige Verdampfung und damit Beschichtung des Substrats mit der Gallium in einwertiger Form enthaltenden Verdampfungsverbindung und dem Röntgenabsorbermaterial mög­ lich ist. Es kann also mit besonderem Vorteil eine Co-Ver­ dampfung vorgenommen werden.

Daneben betrifft die Erfindung ferner einen Verdampfungstie­ gel zum Verdampfen einer Substanz, insbesondere einer galli­ umhaltigen Substanz im Rahmen eines Vakuumbeschichtungsver­ fahrens, geeignet zur Verwendung bei einem Verfahren der vor­ genannten Art. Dieser Verdampfungstiegel zeichnet sich erfin­ dungsgemäß dadurch aus, daß er wenigstens einen Raum zur Auf­ nahme wenigstens einer Verdampfungssubstanz und wenigstens einer chemisch auf den Substanzdampf einwirkenden weiteren Substanz aufweist und allseitig verschließbar oder verschlos­ sen ist, wobei an einer Seite wenigstens eine Dampfstrom­ austrittsöffnung mit einem Durchmesser von weniger als 2 mm, insbesondere von weniger als 1 mm vorgesehen ist.

Erfindungsgemäß können zwei übereinander liegende, voneinan­ der mittels einer dampfdurchlässigen Trennwand getrennte Räume vorgesehen sein, wobei der untere Raum zur Aufnahme der Verdampfungssubstanz und der obere Raum zur Aufnahme der wei­ teren Substanz vorgesehen ist. Die Trennwand kann erfindungs­ gemäß von einem Draht- oder Lochgitter od. dgl. oder von einer eine oder mehrere Öffnungen aufweisenden deckelartigen Abdeckung gebildet sein, wobei die Trennwand zweckmäßiger­ weise aus einem mit der weiteren Substanz und/oder dem Substratdampf nicht reagieren und/oder davon nicht benetzba­ ren Material besteht. Ist der obere Raum insbesondere zur Aufnahme metallischen Galliums geeignet, kann die Trennwand erfindungsgemäß aus Graphit oder Aluminiumoxid bestehen.

Erfindungsgemäß kann ferner wenigstens eine Heizeinrichtung zum Erwärmen eines Bereichs des Tiegels vorgesehen sein, wel­ che zweckmäßigerweise im Bereich des Badens, gegebenenfalls des unteren Raums, oder aber im Bereich der Trennwand vorge­ sehen ist. Weiterhin kann erfindungsgemäß wenigstens eine Kühleinrichtung zum Kühlen eines Bereichs des Tiegels vorge­ sehen sein, die im oberen Tiegelbereich, insbesondere im Be­ reich der Dampfaustrittsöffnung angeordnet sein kann. Der obere Raum selbst kann mit einer die Dampfaustrittsöffnung aufweisenden deckelartigen Abdeckung verschließbar sein. Der Tiegel selbst, wie auch gegebenenfalls die obere deckelartige Abdeckung kann aus Graphit, Aluminiumoxid oder Bornitrid be­ stehen.

Schließlich betrifft die Erfindung die Verwendung des Verdampfungtiegels in einer Vorrichtung zum Vaku­ umbeschichten eines Substrats mit einem Verdampfungsmaterial.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung er­ geben sich aus den im folgenden beschriebenen Ausführungsbei­ spielen sowie anhand der Zeichnungen. Dabei zeigen:

Fig. 1 in Form einer Prinzipskizze eine Vorrichtung zum Vakuumbeschichten,

Fig. 2 einen Verdampfungstiegel einer ersten Ausführungsform,

Fig. 3 einen Verdampfungstiegel einer zweiten Ausführungsform, und

Fig. 4 einen Verdampfungstiegel einer dritten Ausführungs­ form.

Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung zum Vakuumbeschichten 1, die lediglich in grob schematisierter Form angegeben ist. Die Vorrichtung umfaßt ein Vakuumgehäuse 2, in dem das Substrat 3, das zu beschichten ist, angeordnet werden kann. Diesem Substrat 3 ist eine Heizeinrichtung 4 zugeordnet, über die das Substrat 3 erwärmbar ist. Ferner ist ein erster Verdamp­ fungstiegel 5 mit zugeordneter Heizeinrichtung 6 vorgesehen, in dem beispielsweise das Röntgenabsorbermaterial, welches auf das Substrat 3 abgeschieden werden soll, angeordnet ist und verdampft werden kann. Ferner ist ein weiterer Verdamp­ fungstiegel 7 vorgesehen, dem im gezeigten Beispiel lediglich exemplarisch ebenfalls eine Heizeinrichtung 8 zugeordnet ist. In diesem Verdampfungstiegel 7 befinden sich die Reaktions­ komponenten für die Erzeugung des Dotierstoffdampfstromes, welcher ebenfalls auf dem Substrat 3 abgeschieden wird. Fer­ ner ist eine Steuerungseinrichtung 9 sowie eine Pumpenein­ richtung 10 gezeigt, wobei die Steuerungseinrichtung 9 bei­ spielsweise zur Steuerung sämtlicher Heizeinrichtungen 4, 6, 8 wie auch zur Steuerung der Pumpe 10, mittels welcher im Vakuumgehäuse 2 das Vakuum erzeugt wird, dient.

Fig. 2 zeigt einen Verdampfungstiegel 7' einer ersten Ausfüh­ rungsform. Dieser Verdampfungstiegel 7' besteht aus einem Tiegelgehäuse 11, bestehend vorzugsweise aus Bornitrid, Alu­ miniumoxid oder Graphit. Im Inneren des Verdampfungstiegel 7' sind im gezeigten Beispiel die Verdampfungssubstanz 12, bei­ spielsweise GaBr₂ oder GaBr₃ sowie die weitere Substanz 13, beispielsweise metallisches Gallium, angeordnet. Im Bereich des Bodens ist im gezeigten Beispiel eine Heizeinrichtung 14 vorgesehen, mittels welcher es möglich ist, die Materialien 12, 13 zu erwärmen. Dies führt dazu, daß die Verdampfungssub­ stanz 12 verdampft, der Substanzdampf kommt unmittelbar in Kontakt mit der weiteren Substanz 13 und kann mit dieser zur Erzeugung der Dotierstoffverbindung reagieren.

Werden beispielsweise als Verdampfungssubstanz GaBr₂ oder GaBr₃ und als weitere Substanz metallisches Ga verwendet, so wird die dampfförmige Verdampfungssubstanz von dem metalli­ schen Gallium reduziert, was sich folgendermaßen beschreiben läßt:

2 GaBr₂ (gasförmig) + 2 Ga (flüssig) → 4 GaBr (gasförmig)
2 GaBr₃ (gasförmig) + 4 Ga (flüssig) → 6 GaBr (gasförmig)

Der auf diese Weise erzeugte Dotierstoffdampf enthaltenen GaBr tritt über die Dampfaustrittsöffnung 15, die an einer auf das Tiegelgehäuse 11 aufsetzbaren deckelartigen Abdeckung 16 ausgebildet ist, in das Vakuum des Vorrichtungsgehäuses 2 aus in Richtung des Substrats 3. Der Durchmesser der Dampf­ austrittsöffnung liegt zweckmäßigerweise im Bereich zwischen 10 µm und 1 mm. Auch die deckelartige Abdeckung 16 ist aus dem vorbeschriebenen Material. Ihr kommen neben dem Ver­ schließen zwei weitere Funktionen zu. Zum einen wird mittels der dort vorgesehenen Dampfaustrittsöffnung der Dampfstrom kanalisiert und mengenmäßig begrenzt, da die aus dem Inneren des Verdampfungstiegels 7' austretende Menge abhängig von dem Durchmesser der Öffnung 15 ist, andererseits dient die Ab­ deckung 16 auch als Schutz des Substrates gegen Spritzer des metallischen Galliums beim Freiwerden des gasförmigen GaBr.

Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Verdamp­ fungstiegels 7". Dieser weist eine horizontale Trennwand 17 auf, die das Tiegelinnere in zwei Räume 18, 19 teilt. Im un­ teren Raum 18 befindet sich die Verdampfungssubstanz, also beispielsweise das GaBr₂ oder GaB₃, im oberen Bereich die weitere Substanz, also beispielsweise das metallische Gal­ lium. Die Trennwand ist für den Substratdampf der Verdamp­ fungssubstanz durchlässig, so daß dieser mit der oberen Sub­ stanz reagieren kann. Hierzu ist die Trennwand 17 als Draht­ gitter oder auch als Lochdeckel ausgebildet und besitzt eine Reihe von Durchbrechungen, wobei der Durchmesser vorzugsweise zwischen 0,5 bis 5 mm liegen sollte. Wird im oberen Raum 19 metallisches Gallium eingegeben, so verhindert die hohe Ober­ flächenspannung ein Tropfen durch die Löcher der Trennwand 17 in den unteren Bereich 18. Die Trennwand 17 sollte aus einem mit keiner der im Verdampfungstiegel befindlichen Substanz reagieren oder von dieser benetzbar sein. Hierzu eignen sich Aluminiumoxid oder Graphit im Falle der Verwendung der ge­ nannten Gallium-Substanzen. Ansonsten entspricht der Tiegel­ aufbau dem gemäß Fig. 2.

Schließlich zeigt Fig. 4 eine dritte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verdampfungstiegels 7'''. Dieser zeigt den aus Fig. 3 bekannten Mehrkammeraufbau. Im Bereich unterhalb des unteren Raumes 18 ist bei dieser Ausführung eine Kühlein­ richtung 20 vorgesehen, mittels welcher es möglich ist, die­ sen Bereich gegenüber dem übrigen Bereich des Tiegels zu küh­ len, also auf eine niedrigere Temperatur zu bringen.

Im Bereich der Trennwand 17 ist eine Heizeinrichtung 21 vor­ gesehen, die es ermöglicht, den Bereich des metallischen Gal­ liums auf eine höhere Temperatur zu erwärmen, beispielsweise auf ca. 500°C. Hierdurch ist es also möglich, zwischen dem Bereich des flüssigen Galliums und der Verdampfungssubstanz einen Temperaturgradienten, beispielsweise von 350°C bis 450°C, zu erzeugen. Dies führt insbesondere dazu, daß die Verdampfungssubstanz im festen Zustand erhalten bleiben kann und nicht schnell verdampft. Dabei versteht es sich, daß die "Kühleinrichtung" 20 natürlich auch eine Art Heizeinrichtung sein kann, mittels welcher es möglich ist, den dortigen Be­ reich auf eine, verglichen mit der Temperatur im Bereich der Trennwand 17, geringere Temperatur zu erwärmen.

Wie Fig. 4 ferner zu entnehmen ist, ist im Bereich der Dampfaustrittsöffnung 15 eine weitere Kühleinrichtung 22 vor­ gesehen, mittels welcher es möglich ist, diesen Bereich zu kühlen, wobei es sich hier natürlich wiederum um eine Erwär­ mungseinrichtung handeln kann, die zu einer vergleichsweise niedrigen Erwärmung führt. Hierdurch ist es möglich, lokal den in diesem Bereich herrschenden Dampfdruck zu erniedrigen, so daß der eintretende Entspannungsvorgang des Dotierstoff­ dampfstroms beim Austritt in das Vakuum gering ist und eine expansionsbedingte Aufweitung des Dampfstromstrahles zum Substrat hin vermieden wird. Schließlich bleibt festzuhalten, daß sämtliche Heiz- und Kühleinrichtungen über die Steue­ rungseinrichtung 9 (siehe Fig. 1) gesteuert werden können.

Claims (22)

1. Verfahren zum Erzeugen eines kontinuierlichen Dampfstro­ mes enthaltend eine Verbindung, in der Gallium in einwertiger Form vorliegt im Rahmen eines Vakuumbeschichtungsverfahrens zur Vakuumbeschichtung eines Substrates, bei welchem Verfah­ ren eine Gallium in 2- oder 3-wertiger Form enthaltende Ver­ dampfungssubstanz, die zusammen mit metallischem Gallium in einem allseitig geschlossenen, eine Dampfstromaustrittsöff­ nung aufweisenden Verdampfungstiegel angeordnet wird, ver­ dampft und der Dampf mit dem metallischen Gallium in Kontakt gebracht wird, wobei das 2- oder 3-wertige Gallium zu 1-wer­ tigem Gallium reduziert wird und anschließend über die Dampfstromaustrittsöffnung in Richtung des Substrats aus­ tritt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Verdampfungssubstanz im Verdampfungstiegel auf einer ersten Ebene und das metallische Gallium auf einer darüberliegenden zweiten Ebene angeordnet werden, so daß die Verdampfungssubstanz getrennt vom metalli­ schen Gallium verdampft wird, oder daß die Verdampfungssub­ stanz mit dem metallischen Gallium vermischt wird, so daß die Verdampfungssubstanz im metallischen Gallium verdampft wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionstemperatur zur Reduktion zwischen 250°C und 950°C, insbesondere zwischen 300°C und 900°C liegt.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Verdampfung getrennt erfolgt, dadurch gekennzeich­ net, daß zwischen dem metallischen Gallium und der Ver­ dampfungssubstanz ein Temperaturgradient von 300°C bis 500°C, insbesondere von 350°C bis 450°C eingestellt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß zur Einstellung des Tempera­ turgradienten die Verdampfungssubstanz gekühlt und/oder das metallische Gallium erwärmt wird.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Ver­ dampfungstiegel im Bereich der Dampfaustrittsöffnung gekühlt wird.

7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ver­ dampfungstiegel verwendet wird, dessen Dampfstromaustritts­ öffnung einen Durchmesser zwischen 2 µm und 2 mm, insbesondere 5 µm und 1,5 mm, vorzugsweise zwischen 10 µm und 1 mm aufweist.

8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ver­ dampfungstiegel aus einem mit der Verdampfungssubstanz und/oder dem metallischen Gallium nicht reagierenden oder da­ von nicht benetzbaren Material, insbesondere aus Graphit, Aluminiumoxid oder Bornitrid verwendet wird.

9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ver­ dampfungssubstanz eine Gallium-Bromid- oder eine Gallium- Indium-Verbindung ist.

10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Gal­ lium in einwertiger Form enthaltende Verdampfungsverbindung vor, während oder nach der Aufdampfung eines Beschichtungs­ material, insbesondere des Röntgenabsorbermaterials aufge­ dampft wird.

11. Verdampfungstiegel zum Verdampfen einer Substanz, insbe­ sondere einer galliumhaltigen Substanz im Rahmen eines Vaku­ umbeschichtungsverfahrens, geeignet zur Verwendung bei einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiegel (7', 7", 7''') wenigstens einen Raum zur Aufnahme wenigstens einer Verdamp­ fungssubstanz (12) und wenigstens einer chemisch auf den Sub­ stanzdampf einwirkenden weiteren Substanz (13) aufweist und allseitig verschließbar oder verschlossen ist, wobei an einer Seite wenigstens eine Dampfstromaustrittsöffnung (15) mit einem Durchmesser von weniger als 2 mm, insbesondere weniger als 1 mm vorgesehen ist.

12. Verdampfungstiegel nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß zwei übereinanderliegende, voneinander mittels einer dampfdurchlässigen Trennwand (17) getrennte Räume (18, 19) vorgesehen sind, wobei der untere Raum (18) zur Aufnahme der Verdampfungssubstanz (12) und der obere Raum (19) zur Aufnahme der weiteren Substanz (13) vor­ gesehen ist.

13. Verdampfungstiegel nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennwand (17) von einem Draht-, Lochgitter oder von einer eine oder mehrere Öffnungen aufweisenden deckelartigen Abdeckung gebildet ist.

14. Verdampfungstiegel nach Anspruch 12 oder 13, da­ durch gekennzeichnet, daß die Trennwand (17) aus einem mit der weiteren Substanz und/oder dem Substratdampf nicht reagierenden und/oder davon nicht benetz­ baren Material besteht.

15. Verdampfungstiegel nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß insbesondere bei einem zur Aufnahme metallischen Galliums geeigneten oberen Raum die Trennwand (17) aus Graphit oder Aluminiumoxid besteht.

16. Verdampfungstiegel nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Heizeinrichtung (14) zum Erwärmen eines Bereichs des Tiegels vorgesehen ist.

17. Verdampfungstiegel nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (14, 21) im Bereich des Bodens, gegebenenfalls des unteren Raums (18), oder im Bereich der Trennwand (17) vorgesehen ist.

18. Verdampfungstiegel nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Kühleinrichtung (20, 22) zum Kühlen eines Bereichs des Tiegels vorgesehen ist.

19. Verdampfungstiegel nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinrichtung (22, 20) im oberen Tiegelbereich, insbesondere im Bereich der Dampfaustrittsöffnung (15), oder im Bereich des Bodens, ge­ gebenenfalls des unteren Raums (18) vorgesehen ist.

20. Verdampfungstiegel nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß er mit einer die Dampfaustrittsöffnung (15) aufweisenden deckelarti­ gen Abdeckung (16) verschließbar ist.

21. Verdampfungstiegel nach einem der Ansprüche 11 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß er und ge­ gebenenfalls die obere deckelartige Abdeckung aus Graphit, Aluminiumoxid oder Bornitrid ist.

22. Verwendung eines Verdampfungstiegels nach einem der Ansprüche 11 bis 21 in einer Vorrichtung zur Vakuumbe­ schichtung eines Substrats.