DE19834428C2 - Spannungsvervielfacherschaltung - Google Patents
SpannungsvervielfacherschaltungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Spannungsvervielfacherschaltung.
Spannungsvervielfacherschaltungen werden in elektronischen
Systemen angewendet, in denen eine bestimmte Mindestversor
gungsspannung zum Betrieb erforderlich ist und ein Absinken
der Systemversorgungsspannung unter diese Mindestversorgungs
spannung zu einem Ausfall des elektronischen Systems führt.
Beispielsweise dürfen elektronische Systeme in Automobilen
aus Sicherheitsgründen bei einem Absinken der Bordnetzspan
nung nicht ausfallen. Ein weiterer Anwendungsbereich von
Spannungsvervielfacherschaltungen sind elektronische Systeme,
bei denen einige Systemkomponenten eine höhere Betriebsspan
nung als die zur Verfügung stehende Systemversorgungsspannung
benötigen, wie beispielsweise Highside-Schalter. In solchen
Anwendungen werden Spannungsvervielfacherschaltungen zur Er
zeugung der benötigten höheren Versorgungsspannung in dem
System eingesetzt.
Spannungsvervielfacherschaltungen werden üblicherweise als
Ladungspumpen ausgeführt, die an der zur Verfügung stehenden
Systemversorgungsspannung betrieben werden und die Systemver
sorgungsspannung durch eine Serienschaltung von Pumpstufen
auf die erforderliche Ausgangsspannung "hochpumpen". Eine
Pumpstufe besteht dabei aus einer Diode und einem Kondensa
tor. Gepumpt wird mit einem Oszillator, der über Inverter
schaltungen die Pumpstufen ansteuert. Das Grundprinzip und
die Funktionsweise einer Ladungspumpe ist in S. Wirsum, "DC-
Stromversorgung", Pflaum Verlag München, 1993, auf den Seiten
18 bis 19 beschrieben.
Ein großer Nachteil dieser Lösung ist dabei die ständige
Stromaufnahme der Ladungspumpe, wobei die aufgenommene Leistung
in den Dioden der Pumpstufen teilweise wieder vernichtet
wird. Zusätzlich treten am Eingang der Ladungspumpe Strom
oberwellen aufgrund der gepulsten Stromaufnahme auf, die
Störstrahlungen hervorrufen können und dadurch die anderen
Komponenten des gesamten Systems stören und die Stromveror
gung des Systems beeinträchtigen können.
In DE 196 39 701 ist eine Regelschaltung für Ladungspumpen
beschrieben, bei der über Treiberschaltungen, die zwischen
den Taktgenerator und die Takteingänge der Ladungspumpe ge
schaltet sind, der Ladestrom der Ladungspumpe stetig geregelt
wird. Nach Erreichen der erforderlichen Ausgangsspannung wird
der Ladestrom heruntergeregelt. Es werden allerdings pro
Takteingang der Ladungspumpe eine Treiberschaltung benötigt,
so daß der Schaltungsaufwand bei Ladungspumpen mit einer
Vielzahl von Takteingängen größer wird.
In der US 5,132,895 ist ein DC/DC-Wandler beschrieben, der
die Umschaltung von Parallel- zu Serienschaltung von Konden
satoren zur Spannungserhöhung nutzt. In der dort beschriebe
nen Schaltungsanordnung wird zwar keine Ladungspumpe verwen
det, jedoch wird hier zur Regelung der Ausgangsspannung in
die Stromversorgung eingegriffen. Die schaltungstechnische
Ausgestaltung einer solchen von der Ausgangsspannung gesteu
erten Stromquelle ist in der US 5,132,895 nicht beschrieben.
In der EP 0 655 872 A1 ist eine Schaltungsanordnung zur Er
zeugung einer Konstantspannung mit einer Ladungspumpenanord
nung beschrieben. Insbesondere in Fig. 4 dieses Dokumentes
wird bei der dort angegebenen Schaltungsanordnung die Aus
gangsspannung mittels Stromspiegel und Zenerdioden erfasst.
In der EP 257 810 A2 ist ebenfalls eine Spannungsvervielfach
erschaltung beschrieben, bei der überschüssige Energie des
DC/DC-Wandlers nicht in einer Zenerdiode verbraucht wird. Bei
der dort beschriebenen Schaltungsanordnung wird die Aufladung
bzw. Entladung der Kondensatoren abhängig von der Ausgangs
spannung über eine Regeleinrichtung gesteuert.
Zur Regelung der Stromaufnahme und zur Spannungsbegrenzung
wird innerhalb der Ladungspumpe eingegriffen.
In der US 5,483,434 ist ebenfalls eine Ladungspumpenanordnung
beschrieben.
Ausgehend vom nächstliegenden Stand der Technik der US 5,132,895
liegt der vorliegenden Erfindung die objektiv tech
nische Aufgabe zugrunde, eine Spannungsvervielfacherschaltung
weiter zu bilden, die auf sehr einfache aber nicht desto
trotz sehr effektive Weise eine sehr exakte Regelung des La
destromes der Ladungspumpe ermöglicht.
Dieses Problem wird durch eine Spannungsvervielfacherschal
tung mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 gelöst. Vorteil
hafte Ausgestaltungen der Spannungsvervielfacherschaltung er
geben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.
Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft eine Spannungs
vervielfacherschaltung, die eine Ladungspumpe sowie eine Re
geleinrichtung und eine Strombegrenzereinrichtung aufweist.
Dabei mißt die Regeleinrichtung die Ausgangsspannung der La
dungspumpe und regelt über einen Steuerstrom, der an die
Strombegrenzereinrichtung abgegeben wird, den Ladestrom der
Ladungspumpe. Die Strombegrenzereinrichtung kann den Lade
strom auf der Versorgungsspannungsseite oder auf der Bezugs
potentialseite begrenzen. Vorteilhaft für einen schnellen Anstieg
der Ausgangsspannung der Ladungspumpe erweist sich al
lerdings eine Strombegrenzung auf der Bezugspotentialseite.
Besonders vorteilhaft ist bei der vorliegenden Erfindung, daß
der Ladestrom nach Erreichen der erforderlichen Ausgangsspan
nung vollständig durch die Strombegrenzereinrichtung abge
schaltet wird und nur eine Regeleinrichtung und Strombe
grenzereinrichtung benötigt wird.
In einer bevorzugten Ausführungsform weist die Strombe
grenzereinrichtung einen ersten und einen zweiten Stromspie
gel sowie eine Stromquelle auf, wobei der Steuerstrom von der
Regeleinrichtung die Transistordiode des zweiten Stromspie
gels speist und in einen Strom gespiegelt wird, der von der
Stromquelle geliefert wird, die zusätzlich die Transistordi
ode des ersten Stromspiegels speist. Der in die Transistordi
ode des ersten Stromspiegels eingespeiste Strom wird in den
Ladestrom der Ladungspumpe spiegelt. Damit ist der Ladestrom
abhängig vom Steuerstrom und die Stromaufnahme der Ladungs
pumpe kann somit vorteilhafterweise durch den Steuerstrom
eingestellt werden.
Besonders bevorzugt wird eine Ausführungsform der Strombe
grenzereinrichtung, bei der die beiden Stromspiegel n-Kanal-
MOSFET's aufweisen, die vorteilhafterweise jeweils den Spie
gelstrom sehr genau einstellen, da über die Gates der
MOSFET's ein vernachlässigbar geringer Strom fließt.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird die
Spannungsvervielfacherschaltung als integrierte Schaltung
ausgeführt und läßt sich demnach sehr kostengünstig realisie
ren.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der
Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von
Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung. In der
Zeichnung zeigen
Fig. 1 eine Ladungspumpe nach dem Stand der Technik; und
Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Span
nungsvervielfacherschaltung.
Die in Fig. 1 dargestellte Ladungspumpe weist einen Taktgene
rator 1, fünf Inverterschaltungen 2, 3, 4, 5, 6 sowie vier
Kondensatoren 7, 8, 9, 10, vier npn-Bipolar-Transistoren 12,
13, 14, 15 und zwei als Diode geschaltete pnp-Bipolar-
Transistoren 11 und 16 auf. Der Oszillator schaltet die mit
den Inverterschaltungen verbundenen Anschlüsse der Kondensa
toren abwechselnd auf eine erste Versorgungsspannung VDD, die
mit der Ladungspumpe über einen Versorgungsspannungsanschluß
21 verbunden ist, und auf ein Bezugspotential VSS, das über
einen Bezugspotentialanschluß 22 mit der Ladungspumpe verbun
den ist. Über die in Reihe geschalteten Dioden 11, 12, 13, 14
und 15 werden die Kondensatoren auf jeweils ein Vielfaches
der ersten Versorgungsspannung aufgeladen, wobei am Ende der
Diodenkette die vervielfachte Spannung VCP an einem Ausgang
der Ladungspumpe zur Verfügung steht. Eine zu der Diodenreihe
parallel geschaltete Vorladediode 16 bewirkt, daß unmittelbar
nach dem Einschalten der ersten Versorgungsspannung der Aus
gang der Ladungspumpe nahezu die Versorgungsspannung auf
weist. Die Ladungspumpe nimmt im Betrieb ständig Leistung
auf, die in den Dioden teilweise vernichtet wird.
In Fig. 2 wird die Ladungspumpe in einer Spannungsvervielfa
cherschaltung nach der Erfindung eingesetzt, die an einem
Ausgang 36 die vervielfachte Spannung zur Verfügung stellt.
Über eine Leitung 32, die den Versorgungsspannungsanschluß 21
der Ladungspumpe mit einem ersten Anschluß 41 einer Strombe
grenzereinrichtung 30 verbindet, wird die Ladungspumpe mit
der ersten Versorgungsspannung VDD verbunden. Der Bezugspo
tentialanschluß 22 der Ladungspumpe ist mit einem zweiten An
schluß 40 der Strombegrenzereinrichtung über eine Leitung 33
verbunden. Über einen Steuereingang 39 nimmt die Strombe
grenzereinrichtung einen Steuerstrom auf, der die Strombegrenzung
einstellt und über eine Leitung 34 von einer Rege
leinrichtung 31 geliefert wird.
Die Strombegrenzereinrichtung weist einen ersten aus den
Transistoren M1, M2 bestehenden Stromspiegel und einen zwei
ten aus den Transistoren M3, M4 bestehenden Stromspiegel auf,
die in einer besonders bevorzugten Ausführungsform mit n-
Kanal-MOSFET's aufgebaut sind. Die Transistordiode M1 des er
sten Stromspiegels wird von einer Stromquelle I1, die mit der
ersten Versorgungsspannung VDD verbunden ist, gespeist. Der
erste Stromspiegel nimmt über den zweiten Anschluß 40 einen
Strom I2 von der Ladungspumpe auf, der dem gespiegelten Spei
sestrom der ersten Stromspiegels entspricht. Die Transistor
diode M3 des zweiten Stromspiegels nimmt über den Steuerein
gang 39 einen Steuerstrom I5 auf. Der erste Stromspiegel
weist ein Spiegelverhältnis 1 : X und der zweite Stromspiegel
ein Verhältnis 1 : Y auf. Der über den Steuereingang 39 in die
Strombegrenzereinrichtung fließende Strom I5 wird von dem
zweiten Stromspiegel in einen Strom I6 = I4 . Y gespiegelt, der
von der Stromquelle I1 geliefert wird. Der in die Transistor
diode M1 des ersten Stromspiegels fließende Strom verringert
sich dadurch auf I1-I4 . Y und wird in den Strom I2 = X . (I1-
I4 . Y) gespiegelt, der aus der Ladungspumpe in den ersten
Stromspiegel fließt. Dadurch kann der Ladestrom I2 der La
dungspumpe über den Strom I4 gesteuert und durch die Spiegel
verhältnisse 1 : X und 1 : Y sowie die Stromquelle I1 begrenzt
werden.
Der Ausgang 23 der Ladungspumpe ist über eine Leitung 35 mit
einem Eingang 37 der Regeleinrichtung 31 verbunden. Der Ein
gang 37 ist mit den Emitteranschlüssen zweier Transistoren T1
und T2 verbunden, die beide einen Stromspiegel bilden. Zu der
Transistordiode T1 des Stromspiegels sind zwei Zener-Dioden
D1 und D2 sowie einen Widerstand R1 in Serie geschaltet. Der
n-Anschluß der Zener-Diode D1 ist dabei mit dem Kollektor des
pnp-Bipolartransistors T1 des Stromspiegels verbunden. Der
Widerstand R1 verbindet den p-Anschluß der Zener-Diode D2 mit
der ersten Versorgungsspannung VDD. Die Durchbruchspannung
der beiden Zener-Dioden ist abhängig von der verwendeten Ze
ner-Diode und beträgt bevorzugterweise jeweils 7 V. Der Span
nungsabfall zwischen Emitter und Basis der Transistors T1 be
trägt typischerweise ca. 0,7 V, so daß eine Referenzspannung
VREF ca. 14,7 V + VDD beträgt und eine vervielfachte Aus
gangsspannung am Ausgang 36 der Spannungsvervielfacherschal
tung ca. 14,7 V über der ersten Versorgungsspannung VDD lie
gen muß bzw. größer als die Referenzspannung VREF sein muß,
damit über die Laststrecke des Transistors T1 ein Strom I3
fließt. Der Strom I3 wird durch den Stromspiegel in einen
Spiegelstrom I4 gespiegelt, der durch den Spiegeltransitor T2
in einen Ausgang 38 fließt. Durch Zener-Dioden mit anderen
Durchbruchspannungen oder Erhöhung bzw. Verringerung der An
zahl von Zener-Dioden läßt sich die Referenzspannung VREF
einstellen und damit der Einsatzpunkt der Strombegrenzung.
Der Widerstand flacht die Zener-Dioden-Kennlinien ab und be
wirkt damit eine geringere Stromverstärkung sowie Schwingnei
gung der Spannungsvervielfacherschaltung. Über das Spiegel
verhältnis des Stromspiegels kann der Spiegelstrom I4 einge
stellt werden, der als Steuerstrom in die Strombegrenzerein
richtung fließt. Ein bevorzugtes Spiegelverhältnis beträgt
1 : 1. Durch andere Verhältnisse kann der Spiegelstrom I4 vari
iert werden.
Die folgenden kurzen Rechenbeispiele verdeutlichen die Funk
tionsweise der Spannungsvervielfacherschaltung im Betrieb:
Wählt man Y = 1 für das Spiegelverhältnis 1 : Y und eine Strom
quelle mit I1 = 10 µA in der Strombegrenzereinrichtung, so ge
nügt ein Strom I4 von 10 µA zur Begrenzung der Ladestroms auf
0 A wie aus der Formel I2 = X . (I1-I4 . Y) ersichtlich.
Bei einem Verhältnis von 1 : 10 für 1 : Y genügt bereits ein
Strom I4 von 1 µA zur Abschaltung des Ladestroms.
Sobald die Ausgangsspannung der Ladungspumpe unter einen Wert
absinkt, der unterhalb der Referenzspannung VREF liegt, sper
ren die Zener-Dioden und der Strom I4 wird 0 A, so daß der
aus der Ladungspumpe fließende Strom auf I2 = X . I1 steigt und
die Ladungspumpe wieder die Ausgangsspannung auf den erfor
derlichen Wert vervielfacht.
Claims (5)
1. Spannungsvervielfacherschaltung
mit einer Ladungspumpe (20),
die mindestens einen Eingang (22), in den ein ein stellbares Ladestrom (I2) einkoppelbar ist, und minde stens einen Ausgang (23), an dem eine vervielfachte Span nung (VCP) abgreifbar ist, aufweist,
mit einer der Ladungspumpe (20) nachgeschalteten, externen Regeleinrichtung (31),
die einen mit dem Ausgang (23) der Ladungspumpe (20) verbundenen Stromspiegel (T1, T2) und mindestens eine in Reihe zur Transistordiode (T1) des Stromspiegels (T1, T2) angeordnete Zenerdiode (D1, D2) zur Einstellung einer Re ferenzspannung aufweist,
die die vervielfachte Spannung (VCP) mißt und die ab hängig vom Wert der vervielfachten Spannung (VCP) ein Re gelsignal (I5) an ihrem Ausgang (38) bereitstellt,
und bei der bei Unterschreiten der vervielfachten Spannung (VCP) unter die Referenzspannung die Zenerdioden (D1, D2) sperren,
mit einer der Ladungspumpe (20) vorgeschalteten, externen Strombegrenzereinrichtung (30),
die eingangsseitig mit dem Ausgang (38) der Regelein richtung (31) und die ausgangsseitig mit dem Eingang (22) der Ladungspumpe (20) verbunden ist,
die eine Stromquelle (I1) sowie einen ersten (M1, M2) und einen zweiten (M3, M4) Stromspiegel aufweist, die derart miteinander verschaltet sind,
dass das Regelsignal (I5) eine Transistordiode (M3) des zweiten Stromspiegels speist und in einen Strom (I6), der von der Stromquelle (I1) bereitgestellt wird, gespie gelt wird,
wobei die Stromquelle (I1) zusätzlich eine Tran sistordiode (M1) des ersten Stromspiegels (M1, M2) speist, der den in sie eingespeisten Strom (I1-I6) in den einstellbaren Ladestrom (I2), der in einen Eingang der Ladungspumpe (20) einkoppelbar ist, spiegelt.
mit einer Ladungspumpe (20),
die mindestens einen Eingang (22), in den ein ein stellbares Ladestrom (I2) einkoppelbar ist, und minde stens einen Ausgang (23), an dem eine vervielfachte Span nung (VCP) abgreifbar ist, aufweist,
mit einer der Ladungspumpe (20) nachgeschalteten, externen Regeleinrichtung (31),
die einen mit dem Ausgang (23) der Ladungspumpe (20) verbundenen Stromspiegel (T1, T2) und mindestens eine in Reihe zur Transistordiode (T1) des Stromspiegels (T1, T2) angeordnete Zenerdiode (D1, D2) zur Einstellung einer Re ferenzspannung aufweist,
die die vervielfachte Spannung (VCP) mißt und die ab hängig vom Wert der vervielfachten Spannung (VCP) ein Re gelsignal (I5) an ihrem Ausgang (38) bereitstellt,
und bei der bei Unterschreiten der vervielfachten Spannung (VCP) unter die Referenzspannung die Zenerdioden (D1, D2) sperren,
mit einer der Ladungspumpe (20) vorgeschalteten, externen Strombegrenzereinrichtung (30),
die eingangsseitig mit dem Ausgang (38) der Regelein richtung (31) und die ausgangsseitig mit dem Eingang (22) der Ladungspumpe (20) verbunden ist,
die eine Stromquelle (I1) sowie einen ersten (M1, M2) und einen zweiten (M3, M4) Stromspiegel aufweist, die derart miteinander verschaltet sind,
dass das Regelsignal (I5) eine Transistordiode (M3) des zweiten Stromspiegels speist und in einen Strom (I6), der von der Stromquelle (I1) bereitgestellt wird, gespie gelt wird,
wobei die Stromquelle (I1) zusätzlich eine Tran sistordiode (M1) des ersten Stromspiegels (M1, M2) speist, der den in sie eingespeisten Strom (I1-I6) in den einstellbaren Ladestrom (I2), der in einen Eingang der Ladungspumpe (20) einkoppelbar ist, spiegelt.
2. Schaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Regelsignal (I5) ein Strom (I5) ist und dass bei ge
sperrten Zenerdioden (D1, D2) der Wert des Stromes (I5) Null
ist.
3. Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass in Reihe zu den Zenerdioden (D1, D2) und der Transistor
diode (T1) des Stromspiegels (T1, T2) ein Widerstand (R1)
zur Verringerung der Stromverstärkung und der Schwingungsnei
gung der Spannungsvervielfacherschaltung geschaltet ist.
4. Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Transistoren der Stromspiegel (M1, M2; M3, M4) der
Strombegrenzereinrichtung (30) als n-Kanal-MOSFETs ausgebil
det sind.
5. Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Spannungsvervielfacherschaltung als integrierte
Schaltung ausgebildet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1998134428 DE19834428C2 (de) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | Spannungsvervielfacherschaltung |
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DE19834428A1 DE19834428A1 (de) | 2000-02-10 |
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Family
ID=7875891
Family Applications (1)
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