DE19817481C2 - Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes

Info

Publication number
DE19817481C2
DE19817481C2 DE1998117481 DE19817481A DE19817481C2 DE 19817481 C2 DE19817481 C2 DE 19817481C2 DE 1998117481 DE1998117481 DE 1998117481 DE 19817481 A DE19817481 A DE 19817481A DE 19817481 C2 DE19817481 C2 DE 19817481C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
jump
temperatures
sintering
mol
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Revoked
Application number
DE1998117481
Other languages
English (en)
Other versions
DE19817481A1 (de
Inventor
Kim Hong-Soo
Kim Joon-Soo
Hans-Juergen Gesemann
Andreas Schoenecker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7865130&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE19817481(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE1998117481 priority Critical patent/DE19817481C2/de
Publication of DE19817481A1 publication Critical patent/DE19817481A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19817481C2 publication Critical patent/DE19817481C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Revoked legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • C04B35/4684Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase containing lead compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00Compounds of titanium
    • C01G23/003Titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30Three-dimensional structures
    • C01P2002/34Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik, Elektronik und betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes, der beispielsweise für Heizleiterelemente oder Sensoren zur Anwendung kommen kann.
Werkstoffe mit dem sogenannten PTC-Effekt (positiver Temperaturkoeffizient) sind bereits seit mehreren Jahren bekannt. Dieser PTC-Effekt tritt bei dotierten BaTiO3- Werkstoffen auf. Er besteht darin, daß BaTiO3 durch eine Dotierung mit Oxiden (Mn, La, Cu, Sb u. a.) in geringen Mengen unterhalb des Curiepunktes niederohmig wird und oberhalb des Curiepunktes hochohmig ist. Der Widerstandssprung geht über mehrere Zehnerpotenzen. Charakteristische Widerstandssprünge sind an dem klassischen Experiment erkennbar (Ber. DKG 47 (1970) 10, S. 639-642) (Fig. 1). Dabei kann der Widerstandssprung auf der Temperaturskala verschoben werden. Durch Einführung von Pb++-Ionen anstelle von Ba++-Ionen wird der Widerstandssprung zu höheren Temperaturen und durch die Einführung von Sr++- Ionen anstelle von Ba++-Ionen wird der Widerstandssprung zu niedrigeren Temperaturen verschoben.
Dieser Widerstandssprung über viele Zehnerpotenzen in einem relativ kleinen Temperaturbereich ist besonders interessant für den Einsatz zum "Schalten" als Sensoren, wie beispielsweise Füllstandsanzeigen, Durchflußmesser, Motorschutzfühler, Temperaturschalter u. a. Besonders günstig ist dabei, daß der Widerstandssprung in einen Temperaturbereich bis zu 400°C verschoben werden kann. Mit steigender Sprungtemperatur wird jedoch die Realisierung von Spitzenwerten immer schwieriger. Im Temperaturbereich von über 300°C werden Spitzenwerkstoffe verlangt, die sich durch folgend Eigenschaften auszeichnen sollten:
  • - Sprungtemperaturen oberhalb von 300°C
  • - niedriger Kaltwiderstand von < 20 Ωcm
  • - steile Sprungcharakteristik in einem engen Temperaturbereich
  • - Sprung über viele Zehnerpotenzen beim Widerstand.
Die Erfüllung dieser Forderungen hat immer wieder Probleme bereitet. Schon im klassischen Experiment zeigt sich bei höheren Temperaturen eine immer größere "Verschmierung" des Sprunges. Die Sprungkurve läßt sich zwar mit Variation der Sintertemperatur etwas verändern, aber bei steilen Sprüngen liegt der Kaltwiderstand zu hoch (teilweise im Bereich von 103 Ωcm).
Die Ursachen dafür liegen insbesondere darin, daß bei steigender Einführung von Pb++-Ionen in den Versatz (45 Mol-% für Sprungtemperaturen um 300°C) die Zusammensetzung (BaxPb1-x)TiO3 immer instabiler wird und bei den hohen Sintertemperaturen um 1300°C PbO abspaltet, welches verdampft. Stöchiometrie, Korngrenzen und Oberflächenzusammensetzung werden dadurch gestört. Diese hohen Sintertemperaturen sind notwendig, um einen dicht gesinterten Werkstoff zu erhalten. Bei niedrigeren Sintertemperaturen wird ein dichter Werkstoff nicht erreicht.
Trotz intensiver Forschungen in den letzten Jahren ist man bei PTC-Widerständen für Sprungtemperaturen um 300°C über den im Stand der Technik beschriebenen Zustand nicht hinausgekommen (J. Am. Ceram. Soc. 77(9) 1994 S. 2422). Dies ist auch aus Firmenkatalogen erkennbar.
Nach der US 4,960,551 ist ein Verfahren zur Herstellung einer modifizierten Blei- Barium-Titanat-Keramik bekannt, die als PTC-Thermistor eingesetzt werden kann. Dabei wird aus Ba, Pb, Sb und Ti eine Mischung mit Sauerstoff hergestellt, der eine Pb-Quelle, die sich aus der Zersetzung von Metallsalzen und organischen Säuren ergibt, zugegeben wird. Weiterhin enthält diese Mischung eine Kombination von Zusätzen aus 0,01-4,0 Atom-% BN und Zusätze aus der Gruppe BaCO3, SiO2 und TiO2.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes anzugeben, bei dem die Sinterung bei einer deutlich niedrigeren Temperatur durchgeführt werden kann.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst. Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
Bei der erfindungsgemäßen Lösung werden einem bekannten dotierten (BaxPb1-x)TiO3-Werkstoff im verglühten Zustand mindestens eine Verbindung von einem der Elemente Bor oder Silicium in Form ihrer Nitride oder Carbide zugegeben. Vorteilhafterweise sind dies mindestens ein Bornitrid und/oder Borcarbid in einer Menge von 0,2-8 Mol-%, vorteilhafterweise 2-5 Mol-%.
Diese Verbindungen zersetzen sich durch Oxydation beim Sintern oberhalb von 800°C in die Oxide B2O3 und/oder SiO2, die dann mit PbO und/oder BaO eine Flüssigphase bilden und die Sinterung einleiten. Im Laufe der Sinterung reagieren die zugesetzten Verbindungen dann zu Oxiden ihrer Elemente, die überraschenderweise keine negativen Auswirkungen auf die Eigenschaften des hergestellten Kaltleiterwerkstoffs haben.
Wenn, im Gegensatz zu der erfindungsgemäßen Lösung, bei der Synthese die reinen Oxide SiO2 oder B2O3 als Ausgangsstoffe zugesetzt werden, so bilden sich die Flüssigphasen bei wesentlich niedrigeren Temperaturen (um 500°C). In dem Fall bilden sie mit den noch freien Oxiden (PbO und TiO2) Verbindungen, was zur Folge hat, daß bei niedrigeren Temperaturen ein bleireiches Glas entsteht. Da nunmehr das Pb bereits zum Teil in dem Glas gebunden ist, fehlt es bei der Perowskitbildung. Aufgrund dessen entsteht bei dieser Verfahrensführung, im Gegensatz zu der erfindungsgemäßen Verfahrensführung, sowohl eine andere Glasphase, im wesentlichen mit einem höheren Bleianteil, weiterhin bilden sich andere Perowskite aus, da weniger Blei zur Verfügung steht und es entstehen mehr Fremdphasen, da ein TiO2-Überschuß vorhanden ist. Demzufolge entsteht nach dieser Verfahrensführung zwar hinsichtlich der Bruttozusammensetzung möglicherweise eine Übereinstimmung mit dem erfindungsgemäßen Werkstoff, jedoch zeigt dieser Werkstoff eine andere Struktur mit einem höheren Glas- und Fremdphasenanteil, was sich letztendlich auch in den schlechteren elektrischen Daten niederschlägt.
Überraschenderweise werden durch die erfindungsgemäße Lösung nicht nur die Temperaturen bei der Sinterung der Kaltleiterwerkstoffe stark herabgesetzt sondern auch weitere Eigenschaften des gesinterten Kaltleiterwerkstoffs gegenüber bekannten Kaltleiterwerkstoffen verbessert.
So zeigen die erfindungsgemäßen Kaltleiterwerkstoffe einen vergleichsweise sehr geringen Kaltwiderstand. Nach dem Stand der Technik werden günstigstenfalls Kaltwiderstände von < 300 Ωcm erreicht. Nach der erfindungsgemäßen Lösung werden ohne Probleme Kaltwiderstände von 10-30 Ωcm (vergleiche Beispiel 4 sogar 7 Ωcm) erreicht, und das auch bei Sprungtemperaturen von um 300°C. Zu den Werten des Standes der Technik ist noch zu sagen, daß Kaltwiderstände um 300 Ωcm nach der Literatur erreicht werden. Aus Katalogen und in der Praxis eingesetzten Bauteilen wird ersichtlich, daß die praktisch erreichbaren Werte um einiges höher liegen, insbesondere wenn die Sprungtemperatur zu höheren Temperaturen hin verschoben wird.
Weiterhin kann die Sprungtemperatur über 300°C verschoben werden, ohne daß die Sprungkurve wesentlich "verschmiert".
Tatsächlich werden nach dem Stand der Technik Sprungtemperaturen von um 300 °C nur in der Literatur angegeben. Praktisch erreicht werden tatsächlich nur Werte bis maximal 270°C, wie aus Katalogen und Charakteristiken von in der Produktion hergestellten Werkstoffen hervorgeht.
Die Verschiebung der Sprungtemperatur zu höheren Temperaturen hin wird generell durch eine Erhöhung des Anteiles an Pb in der Verbindung erreicht. Auch bei relativ hohen Pb-Gehalten nach der erfindungsgemäßen Lösung treten die genannten Verbesserungen der Eigenschaften auf. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Pb- Verdampfung durch die Erniedrigung der Sintertemperatur weitgehend eingeschränkt werden kann und damit die Verbindung stabilisiert wird. Somit sind auch Werkstoffe mit höheren Pb-Gehalten als nach dem Stand der Technik erreichbar.
Es ist nach der erfindungsgemäßen Lösung ebenfalls möglich, auch bei Sprungtemperaturen um 300°C einen "scharfen" Knick in der Sprungkurve zu erhalten, das heißt, daß der Temperaturbereich, in dem der Widerstand sprunghaft ansteigt, immer schmaler wird und vorteilhafterweise nur noch wenige °C beträgt. Dadurch werden die "Schalt"eigenschaften der Werkstoffe noch besser.
Eine weitere Verbesserung der Eigenschaften durch die erfindungsgemäße Lösung wird erreicht, indem der Widerstandssprung größer ist als bei vergleichbaren Werkstoffen nach dem Stand der Technik. Nach dem Stand der Technik werden Sprunghöhen über ca. 3,5 Zehnerpotenzen erreicht. Nach der erfindungsgemäßen Lösung können mehr als 5 Zehnerpotenzen übersprungen werden.
Auch hier ist zu sagen, daß die im Labor erreichten Maximalwerte in der praktischen Anwendung nicht erreicht werden.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil ist die Absenkung der Sintertemperatur. Nach dem Stand der Technik können die bekannten Kaltleiterwerkstoffe mit praktisch nutzbaren Eigenschaften bisher nur bei Temperaturen um 1300°C dicht gesintert werden. Eine Absenkung der Sintertemperatur durch beispielsweise SiO2-Zusätze bringt eine drastische Verschlechterung der elektrischen und mechanischen Eigenschaften. Nach der erfindungsgemäßen Lösung können die Formkörper bei Sintertemperaturen zwischen 1100 und 1200°C im wesentlichen problemlos und vor allem dicht gesintert werden.
Die erfindungsgemäße Lösung bezieht sich auf alle bekannten Werkstoffe auf der Basis von (BaxPb1-x)TiO3 mit allen bekannten Dotierungen, wie beispielsweise Sb2O3, La2O3, MnO2, CeO2, Y2O3, Bi2O3, bei denen BaTiO3 halbleitend wird.
Im weiteren wird die Erfindung an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Dabei zeigt
Fig. 1 die R, T-Sprungkurven für das klassische Experiment, (Stand der Technik) und
Fig. 2 die Sprungkurven für die erfindungsgemäß hergestellten erfindungsgemäßen Werkstoffe nach Beispiel 1 bis 4
Beispiel 1-6
Aus 55 Mol-% BaTiO3 und 45 Mol-% PbO und TiO2 im Verhältnis 1 : 1 wird ein Versatz (Ba0,55Pb0,45)TiO3 mit einer Dotierung von 0,1 Mol-% Sb2O3 synthetisiert. Dazu sind 120 g Einwaage der Ausgangsstoffe mit 120 ml Alkohol und 360 g Achatkugeln in einer Kugelmühle 16 Stunden gemischt worden. Nach dem Trocknen wird die Mischung bei 950°C 2 h verglüht und zerkleinert. Anschließend erfolgt das Feinmahlen der verglühten Mischung mit Bornitrid (BN) in verschiedenen Anteilen (Tabelle 1).
Bei Beispiel 5 ist gleichzeitig der Pb-Anteil auf 70 Mol-% (x = 0,3) erhöht worden. Die erhaltenen Pulver werden nach der Feinmahlung gepreßt und in abgedeckten Tiegeln bei Temperaturen zwischen 1100 und 1200°C (Tabelle 1) gesintert. Die Haltezeit beträgt 0,5-1 h (Tabelle 1). Die gesinterten Körper werden mit einer Leitpaste (Nr. 6740 Fa. Thermik) kontaktiert, die dann bei 900°C eingebrannt wird. Anschließend sind der Kaltwiderstand, die Sprungtemperatur und die Sprunghöhe gemessen worden (Tabelle 1).
Die Kurven in Fig. 2 sind folgende Beispiele zuzuordnen.
Kurve 1 bp Beispiel 1
Kurve 2 bp Beispiel 2
Kurve 3 bp Beispiel 3
Kurve 4 bp Beispiel 4
Tabelle 1

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes, bei dem einem Werkstoff aus dotiertem (BaxPb1-x)TiO3 im verglühten Zustand vor und/oder während der Mahlung 0,2-8 Mol-% einer Verbindung von Bor und/oder Silicium, in Form ihrer Nitride oder Carbide, zugegeben wird und nach der Mahlung und Formgebung die Sinterung durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem x im Bereich von 0,15-0,6 eingestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem x = 0,2-0,5 eingestellt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem 2-5 Mol-% Bornitrid oder Borcarbid zugegeben werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem (BaxPb1-x)TiO3 als Dotierung 0,1 Mol-% Sb2O3 zugegeben wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Sinterung bei Temperaturen von 1100-­ 1200°C durchgeführt wird.
DE1998117481 1998-04-20 1998-04-20 Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes Revoked DE19817481C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1998117481 DE19817481C2 (de) 1998-04-20 1998-04-20 Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1998117481 DE19817481C2 (de) 1998-04-20 1998-04-20 Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19817481A1 DE19817481A1 (de) 1999-10-21
DE19817481C2 true DE19817481C2 (de) 2000-05-11

Family

ID=7865130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1998117481 Revoked DE19817481C2 (de) 1998-04-20 1998-04-20 Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19817481C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006000935B4 (de) * 2006-01-05 2016-03-10 Epcos Ag Monolithisches keramisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4960551A (en) * 1987-11-28 1990-10-02 Central Glass Company, Limited Method of producing modified lead barium titanate ceramic useful as PTC thermistor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4960551A (en) * 1987-11-28 1990-10-02 Central Glass Company, Limited Method of producing modified lead barium titanate ceramic useful as PTC thermistor

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ber. DKG 47(1970), 10, S. 639-642 *
J. Am. Ceram. Soc. 77(9), 1994, S. 2422 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006000935B4 (de) * 2006-01-05 2016-03-10 Epcos Ag Monolithisches keramisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
DE19817481A1 (de) 1999-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69832876T2 (de) Keramischer vielschichtkondensator
DE2441347C3 (de) Herstellungsverfahren für einphasige Ba↓2↓Ti↓9↓O↓2↓↓0↓
DE69304034T2 (de) Nichtreduzierbare, dielektrische keramische Zusammensetzung
DE102004001241B4 (de) Dielektrische Keramiken und deren Verwendung in einem Monolithischen Kramikkondensator
DE69907084T2 (de) Dielektrische Porzellanzusammensetzung
EP3504169B1 (de) Keramikmaterial, bauelement und verfahren zur herstellung des bauelements
DE69833203T2 (de) Verfahren zur herstellung von ptc-halbleiterkeramiken
DE10035172B4 (de) Keramikmasse und Kondensator mit der Keramikmasse
DE19800353C2 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung für Mikrowellenanwendungen
DE4005505A1 (de) Monolithischer keramischer kondensator
DE69009525T2 (de) Festdielektrikumkondensator und Herstellungsverfahren.
DE69707247T2 (de) Keramischer vielschichtkondensator
EP0810611A1 (de) Seltener metallhaltiger Hochtemperatur-Thermistor
DE69009016T2 (de) Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE69009524T2 (de) Festdielektrikumkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE19817481C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes
DE69009693T2 (de) Festdielektrikum-Kondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE69009523T2 (de) Festdielektrikumkondensator und Herstellungsverfahren.
DE69009703T2 (de) Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE3011977A1 (de) Bei niedrigerer temperatur sinterbare dielektrische zusammensetzung und diese verwendender dickschichtkondensator
DE69009012T2 (de) Festdielektrikum-Kondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE69009794T2 (de) Festdielektrikumkondensator und Herstellungsverfahren.
DE69009694T2 (de) Festdielektrikum-Kondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE69009000T2 (de) Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE2930634A1 (de) Verfahren zur herstellung eines dielektrischen materials mit innerhalb des volumens verteilten isolierenden barrieren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8331 Complete revocation