DE19817481C2 - Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik, Elektronik und betrifft
ein Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes, der beispielsweise für
Heizleiterelemente oder Sensoren zur Anwendung kommen kann.
Werkstoffe mit dem sogenannten PTC-Effekt (positiver Temperaturkoeffizient) sind
bereits seit mehreren Jahren bekannt. Dieser PTC-Effekt tritt bei dotierten BaTiO3-
Werkstoffen auf. Er besteht darin, daß BaTiO3 durch eine Dotierung mit Oxiden (Mn,
La, Cu, Sb u. a.) in geringen Mengen unterhalb des Curiepunktes niederohmig wird
und oberhalb des Curiepunktes hochohmig ist. Der Widerstandssprung geht über
mehrere Zehnerpotenzen. Charakteristische Widerstandssprünge sind an dem
klassischen Experiment erkennbar (Ber. DKG 47 (1970) 10, S. 639-642) (Fig. 1).
Dabei kann der Widerstandssprung auf der Temperaturskala verschoben werden.
Durch Einführung von Pb++-Ionen anstelle von Ba++-Ionen wird der
Widerstandssprung zu höheren Temperaturen und durch die Einführung von Sr++-
Ionen anstelle von Ba++-Ionen wird der Widerstandssprung zu niedrigeren
Temperaturen verschoben.
Dieser Widerstandssprung über viele Zehnerpotenzen in einem relativ kleinen
Temperaturbereich ist besonders interessant für den Einsatz zum "Schalten" als
Sensoren, wie beispielsweise Füllstandsanzeigen, Durchflußmesser,
Motorschutzfühler, Temperaturschalter u. a. Besonders günstig ist dabei, daß der
Widerstandssprung in einen Temperaturbereich bis zu 400°C verschoben werden
kann. Mit steigender Sprungtemperatur wird jedoch die Realisierung von
Spitzenwerten immer schwieriger. Im Temperaturbereich von über 300°C werden
Spitzenwerkstoffe verlangt, die sich durch folgend Eigenschaften auszeichnen
sollten:
- - Sprungtemperaturen oberhalb von 300°C
- - niedriger Kaltwiderstand von < 20 Ωcm
- - steile Sprungcharakteristik in einem engen Temperaturbereich
- - Sprung über viele Zehnerpotenzen beim Widerstand.
Die Erfüllung dieser Forderungen hat immer wieder Probleme bereitet. Schon im
klassischen Experiment zeigt sich bei höheren Temperaturen eine immer größere
"Verschmierung" des Sprunges. Die Sprungkurve läßt sich zwar mit Variation der
Sintertemperatur etwas verändern, aber bei steilen Sprüngen liegt der
Kaltwiderstand zu hoch (teilweise im Bereich von 103 Ωcm).
Die Ursachen dafür liegen insbesondere darin, daß bei steigender Einführung von
Pb++-Ionen in den Versatz (45 Mol-% für Sprungtemperaturen um 300°C) die
Zusammensetzung (BaxPb1-x)TiO3 immer instabiler wird und bei den hohen
Sintertemperaturen um 1300°C PbO abspaltet, welches verdampft. Stöchiometrie,
Korngrenzen und Oberflächenzusammensetzung werden dadurch gestört. Diese
hohen Sintertemperaturen sind notwendig, um einen dicht gesinterten Werkstoff zu
erhalten. Bei niedrigeren Sintertemperaturen wird ein dichter Werkstoff nicht erreicht.
Trotz intensiver Forschungen in den letzten Jahren ist man bei PTC-Widerständen
für Sprungtemperaturen um 300°C über den im Stand der Technik beschriebenen
Zustand nicht hinausgekommen (J. Am. Ceram. Soc. 77(9) 1994 S. 2422). Dies ist
auch aus Firmenkatalogen erkennbar.
Nach der US 4,960,551 ist ein Verfahren zur Herstellung einer modifizierten Blei-
Barium-Titanat-Keramik bekannt, die als PTC-Thermistor eingesetzt werden kann.
Dabei wird aus Ba, Pb, Sb und Ti eine Mischung mit Sauerstoff hergestellt, der eine
Pb-Quelle, die sich aus der Zersetzung von Metallsalzen und organischen Säuren
ergibt, zugegeben wird. Weiterhin enthält diese Mischung eine Kombination von
Zusätzen aus 0,01-4,0 Atom-% BN und Zusätze aus der Gruppe BaCO3, SiO2 und
TiO2.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines
Kaltleiterwerkstoffes anzugeben, bei dem die Sinterung bei einer deutlich niedrigeren
Temperatur durchgeführt werden kann.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst.
Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
Bei der erfindungsgemäßen Lösung werden einem bekannten dotierten
(BaxPb1-x)TiO3-Werkstoff im verglühten Zustand mindestens eine Verbindung von
einem der Elemente Bor oder Silicium in Form ihrer Nitride oder Carbide
zugegeben. Vorteilhafterweise sind dies mindestens ein Bornitrid und/oder Borcarbid
in einer Menge von 0,2-8 Mol-%, vorteilhafterweise 2-5 Mol-%.
Diese Verbindungen zersetzen sich durch Oxydation beim Sintern oberhalb von 800°C
in die Oxide B2O3 und/oder SiO2, die dann mit PbO und/oder BaO eine
Flüssigphase bilden und die Sinterung einleiten. Im Laufe der Sinterung reagieren
die zugesetzten Verbindungen dann zu Oxiden ihrer Elemente, die
überraschenderweise keine negativen Auswirkungen auf die Eigenschaften des
hergestellten Kaltleiterwerkstoffs haben.
Wenn, im Gegensatz zu der erfindungsgemäßen Lösung, bei der Synthese die
reinen Oxide SiO2 oder B2O3 als Ausgangsstoffe zugesetzt werden, so bilden sich
die Flüssigphasen bei wesentlich niedrigeren Temperaturen (um 500°C). In dem Fall
bilden sie mit den noch freien Oxiden (PbO und TiO2) Verbindungen, was zur Folge
hat, daß bei niedrigeren Temperaturen ein bleireiches Glas entsteht. Da nunmehr
das Pb bereits zum Teil in dem Glas gebunden ist, fehlt es bei der Perowskitbildung.
Aufgrund dessen entsteht bei dieser Verfahrensführung, im Gegensatz zu der
erfindungsgemäßen Verfahrensführung, sowohl eine andere Glasphase, im
wesentlichen mit einem höheren Bleianteil, weiterhin bilden sich andere Perowskite
aus, da weniger Blei zur Verfügung steht und es entstehen mehr Fremdphasen, da
ein TiO2-Überschuß vorhanden ist. Demzufolge entsteht nach dieser
Verfahrensführung zwar hinsichtlich der Bruttozusammensetzung möglicherweise
eine Übereinstimmung mit dem erfindungsgemäßen Werkstoff, jedoch zeigt dieser
Werkstoff eine andere Struktur mit einem höheren Glas- und Fremdphasenanteil,
was sich letztendlich auch in den schlechteren elektrischen Daten niederschlägt.
Überraschenderweise werden durch die erfindungsgemäße Lösung nicht nur die
Temperaturen bei der Sinterung der Kaltleiterwerkstoffe stark herabgesetzt sondern
auch weitere Eigenschaften des gesinterten Kaltleiterwerkstoffs gegenüber
bekannten Kaltleiterwerkstoffen verbessert.
So zeigen die erfindungsgemäßen Kaltleiterwerkstoffe einen vergleichsweise sehr
geringen Kaltwiderstand. Nach dem Stand der Technik werden günstigstenfalls
Kaltwiderstände von < 300 Ωcm erreicht. Nach der erfindungsgemäßen Lösung
werden ohne Probleme Kaltwiderstände von 10-30 Ωcm (vergleiche Beispiel 4
sogar 7 Ωcm) erreicht, und das auch bei Sprungtemperaturen von um 300°C.
Zu den Werten des Standes der Technik ist noch zu sagen, daß Kaltwiderstände um
300 Ωcm nach der Literatur erreicht werden. Aus Katalogen und in der Praxis
eingesetzten Bauteilen wird ersichtlich, daß die praktisch erreichbaren Werte um
einiges höher liegen, insbesondere wenn die Sprungtemperatur zu höheren
Temperaturen hin verschoben wird.
Weiterhin kann die Sprungtemperatur über 300°C verschoben werden, ohne daß
die Sprungkurve wesentlich "verschmiert".
Tatsächlich werden nach dem Stand der Technik Sprungtemperaturen von um 300
°C nur in der Literatur angegeben. Praktisch erreicht werden tatsächlich nur Werte
bis maximal 270°C, wie aus Katalogen und Charakteristiken von in der Produktion
hergestellten Werkstoffen hervorgeht.
Die Verschiebung der Sprungtemperatur zu höheren Temperaturen hin wird generell
durch eine Erhöhung des Anteiles an Pb in der Verbindung erreicht. Auch bei relativ
hohen Pb-Gehalten nach der erfindungsgemäßen Lösung treten die genannten
Verbesserungen der Eigenschaften auf. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Pb-
Verdampfung durch die Erniedrigung der Sintertemperatur weitgehend
eingeschränkt werden kann und damit die Verbindung stabilisiert wird. Somit sind
auch Werkstoffe mit höheren Pb-Gehalten als nach dem Stand der Technik
erreichbar.
Es ist nach der erfindungsgemäßen Lösung ebenfalls möglich, auch bei
Sprungtemperaturen um 300°C einen "scharfen" Knick in der Sprungkurve zu
erhalten, das heißt, daß der Temperaturbereich, in dem der Widerstand sprunghaft
ansteigt, immer schmaler wird und vorteilhafterweise nur noch wenige °C beträgt.
Dadurch werden die "Schalt"eigenschaften der Werkstoffe noch besser.
Eine weitere Verbesserung der Eigenschaften durch die erfindungsgemäße Lösung
wird erreicht, indem der Widerstandssprung größer ist als bei vergleichbaren
Werkstoffen nach dem Stand der Technik. Nach dem Stand der Technik werden
Sprunghöhen über ca. 3,5 Zehnerpotenzen erreicht. Nach der erfindungsgemäßen
Lösung können mehr als 5 Zehnerpotenzen übersprungen werden.
Auch hier ist zu sagen, daß die im Labor erreichten Maximalwerte in der praktischen
Anwendung nicht erreicht werden.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil ist die Absenkung der Sintertemperatur. Nach dem
Stand der Technik können die bekannten Kaltleiterwerkstoffe mit praktisch nutzbaren
Eigenschaften bisher nur bei Temperaturen um 1300°C dicht gesintert werden. Eine
Absenkung der Sintertemperatur durch beispielsweise SiO2-Zusätze bringt eine
drastische Verschlechterung der elektrischen und mechanischen Eigenschaften.
Nach der erfindungsgemäßen Lösung können die Formkörper bei
Sintertemperaturen zwischen 1100 und 1200°C im wesentlichen problemlos und
vor allem dicht gesintert werden.
Die erfindungsgemäße Lösung bezieht sich auf alle bekannten Werkstoffe auf der
Basis von (BaxPb1-x)TiO3 mit allen bekannten Dotierungen, wie beispielsweise Sb2O3,
La2O3, MnO2, CeO2, Y2O3, Bi2O3, bei denen BaTiO3 halbleitend wird.
Im weiteren wird die Erfindung an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Dabei zeigt
Fig. 1 die R, T-Sprungkurven für das klassische Experiment, (Stand der Technik)
und
Fig. 2 die Sprungkurven für die erfindungsgemäß hergestellten erfindungsgemäßen
Werkstoffe nach Beispiel 1 bis 4
Aus 55 Mol-% BaTiO3 und 45 Mol-% PbO und TiO2 im Verhältnis 1 : 1 wird ein
Versatz (Ba0,55Pb0,45)TiO3 mit einer Dotierung von 0,1 Mol-% Sb2O3 synthetisiert.
Dazu sind 120 g Einwaage der Ausgangsstoffe mit 120 ml Alkohol und 360 g
Achatkugeln in einer Kugelmühle 16 Stunden gemischt worden. Nach dem Trocknen
wird die Mischung bei 950°C 2 h verglüht und zerkleinert. Anschließend erfolgt das
Feinmahlen der verglühten Mischung mit Bornitrid (BN) in verschiedenen Anteilen
(Tabelle 1).
Bei Beispiel 5 ist gleichzeitig der Pb-Anteil auf 70 Mol-% (x = 0,3) erhöht worden.
Die erhaltenen Pulver werden nach der Feinmahlung gepreßt und in abgedeckten
Tiegeln bei Temperaturen zwischen 1100 und 1200°C (Tabelle 1) gesintert. Die
Haltezeit beträgt 0,5-1 h (Tabelle 1). Die gesinterten Körper werden mit einer
Leitpaste (Nr. 6740 Fa. Thermik) kontaktiert, die dann bei 900°C eingebrannt wird.
Anschließend sind der Kaltwiderstand, die Sprungtemperatur und die Sprunghöhe
gemessen worden (Tabelle 1).
Die Kurven in Fig. 2 sind folgende Beispiele zuzuordnen.
Kurve 1 bp Beispiel 1
Kurve 2 bp Beispiel 2
Kurve 3 bp Beispiel 3
Kurve 4 bp Beispiel 4
Kurve 2 bp Beispiel 2
Kurve 3 bp Beispiel 3
Kurve 4 bp Beispiel 4
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes, bei dem einem Werkstoff
aus dotiertem (BaxPb1-x)TiO3 im verglühten Zustand vor und/oder während der
Mahlung 0,2-8 Mol-% einer Verbindung von Bor und/oder Silicium, in Form ihrer
Nitride oder Carbide, zugegeben wird und nach der Mahlung und Formgebung die
Sinterung durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem x im Bereich von 0,15-0,6 eingestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem x = 0,2-0,5 eingestellt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem 2-5 Mol-% Bornitrid oder Borcarbid
zugegeben werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem (BaxPb1-x)TiO3 als Dotierung 0,1 Mol-%
Sb2O3 zugegeben wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Sinterung bei Temperaturen von 1100-
1200°C durchgeführt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998117481 DE19817481C2 (de) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998117481 DE19817481C2 (de) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19817481A1 DE19817481A1 (de) | 1999-10-21 |
DE19817481C2 true DE19817481C2 (de) | 2000-05-11 |
Family
ID=7865130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998117481 Revoked DE19817481C2 (de) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19817481C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006000935B4 (de) * | 2006-01-05 | 2016-03-10 | Epcos Ag | Monolithisches keramisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4960551A (en) * | 1987-11-28 | 1990-10-02 | Central Glass Company, Limited | Method of producing modified lead barium titanate ceramic useful as PTC thermistor |
-
1998
- 1998-04-20 DE DE1998117481 patent/DE19817481C2/de not_active Revoked
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4960551A (en) * | 1987-11-28 | 1990-10-02 | Central Glass Company, Limited | Method of producing modified lead barium titanate ceramic useful as PTC thermistor |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Ber. DKG 47(1970), 10, S. 639-642 * |
J. Am. Ceram. Soc. 77(9), 1994, S. 2422 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006000935B4 (de) * | 2006-01-05 | 2016-03-10 | Epcos Ag | Monolithisches keramisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19817481A1 (de) | 1999-10-21 |
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