DE19808994C2 - Ultraschallsensor mit Temperaturkompensationskondensator - Google Patents
Ultraschallsensor mit TemperaturkompensationskondensatorInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf
Ultraschallsensoren für eine Verwendung beim Erfassen von
Hindernissen oder dergleichen durch eine Übertragung und ei
nen Empfang von Ultraschallwellen, und insbesondere auf Ver
besserungen bei Ultraschallsensoren, die ein piezoelektri
sches Element und einen Temperaturkompensationskondensator,
die in einem Gehäuse enthalten sind, aufweisen.
Bekannte Ultraschallsensoren sind herkömmlicherweise für ei
ne Verwendung beispielsweise als Hinderniserfassungssensoren
in Landfahrzeugen angepaßt. Fig. 12 ist eine Querschnittan
sicht, um ein Beispiel der Ultraschallsensoren dieses Typs
zu erklären.
Wie es in Fig. 12 gezeigt ist, umfaßt ein Ultraschallsensor
61 ein zylindrisches, aus einem gewünschten Metall herge
stelltes Gehäuse 62 mit einem geschlossenen Ende. Eine ge
schlossene Endoberfläche 62a des Gehäuses 62 ist für eine
Übertragung und einen Empfang von Ultraschallwellen ange
paßt.
Ein piezoelektrisches Vibrationselement 63 ist innerhalb der
Endoberfläche 62a des Gehäuses 62 befestigt. Das piezoelek
trische Vibrationselement 63 umfaßt eine piezoelektrische
Keramikplatte, die eine Struktur aufweist, damit Elektroden
(nicht gezeigt) auf den zwei Hauptoberflächen der piezoelek
trischen Keramikplatte, die aus einem auf PZT basierenden
piezoelektrischen Keramikmaterial besteht, angeordnet werden
können.
Ein schallabsorbierendes Bauglied 64, das aus einem ge
wünschten Polyesterfilzmaterial hergestellt ist, ist in der
Nähe des piezoelektrischen Vibrationselements 63 angeordnet.
Ferner ist in dem Gehäuse 62 über dem schallabsorbierenden
Bauglied 64 ein Temperaturkompensationskondensator 65 ange
ordnet. Der Temperaturkompensationskondensator 65 weist eine
Struktur auf, die es ermöglicht, daß auf den beiden Haupt
oberflächen des Temperaturkompensationskondensators 65 Elek
troden gebildet werden. Eine Hauptoberflächenelektrode des
Temperaturkompensationskondensators 65 ist mittels eines Zu
leitungsdrahtes 66a mit dem piezoelektrischen Vibrationsele
ment 63 elektrisch verbunden. Die verbleibende Hauptoberflä
chenelektrode des Temperaturkompensationskondensators 65 ist
über einen Zuleitungsdraht 66b mit dem Gehäuse 62 elektrisch
verbunden. Es wird angemerkt, daß das Gehäuse 62 mit der an
deren Hauptoberfläche (d. h. einer unteren Oberfläche, wie
es aus der Zeichnung ersichtlich ist) des piezoelektrischen
Vibrationselements 63 elektrisch gekoppelt ist.
Mehrere Herausführungs- oder "externe" Zuleitungsdrähte 67a,
67b sind jeweils mit den Elektroden auf beiden Hauptoberflä
chen des Temperaturkompensationskondensators 65 verbunden.
Die externen Zuleitungsdrähte 67a, 67b sind mit einem Ver
binder 68 elektrisch gekoppelt, der außerhalb des Gehäuses
vorgesehen ist.
Der Innenraum des Gehäuses 62 ist mit einem schallabsorbie
renden Silikonklebstoff 69 gefüllt, um eine ungewollte Re
flexion von Ultraschallwellen zu beseitigen. Ferner ist ein
schallabsorbierendes Bauglied 70 angeordnet, um die offene
Endseite des Gehäuses 62 abzudecken. Das schallabsorbierende
Bauglied 70 kann aus einem aufgeschäumten Polyurethan herge
stellt sein.
Bei dem Ultraschallsensor 61 ist der Temperaturkompensati
onskondensator 65 unter Berücksichtigung der Tatsache ange
ordnet und aufgebaut, daß die elektrostatische Kapazität des
piezoelektrischen Vibrationselements 63 mit einer Änderung
der Temperatur deutlich variieren kann, woraus sich variie
rende oder abweichende Resonanzeigenschaften ergeben.
Eine Beseitigung des Temperaturkompensationskondensators 65
würde jedoch die Funktionsfähigkeit der Kontaktierungsver
bindungen reduzieren, die durch Anlöten der Zuleitungsdrähte
66a, 66b, 67a, 67b während des Zusammenbauens des Ultra
schallsensors 61 hergestellt werden.
Insbesondere während des Zusammenbaus des Ultraschallsensors
61 ist es notwendig, daß die Kontaktierungsverbindungen mit
tels der Zuleitungsdrähte 66a, 66b vor der Injektion oder
dem Packen des Silikonharzes 69 in das Gehäuse 62 fertigge
stellt sind. Da der Temperaturkompensationskondensator 65
derart strukturiert und angeordnet ist, daß die Elektroden
auf den zwei Hauptoberflächen des Temperaturkompensations
kondensators 65 angeordnet sind, ist es ungünstigerweise
notwendig, jeden einzelnen dieser Zuleitungsdrähte 66a, 66b
mittels Löttechniken mit einer entsprechenden Elektrode auf
den jeweiligen Hauptoberflächen des Temperaturkompensations
kondensators 65 einzeln zu verbinden, während gleichzeitig
der Temperaturkompensationskondensator 65 an einer bestimm
ten Position, die in Fig. 12 gezeigt ist, feststehend gehal
ten werden muß, wodurch die Komplexität und die Schwierig
keit des Drahtkontaktierungsverfahrens erhöht wird.
Zusätzlich ist es während der Injektion des Silikonharzes 69
erforderlich, daß Arbeiter mittels einer Sichtprüfung über
prüfen, ob sich die Zuleitungsdrähte 66a, 66b zuverlässig
und sicher in Kontakt mit dem Temperaturkompensationskonden
sator 65 befinden, und sicherstellen, daß sich die Zulei
tungsdrähte 66a, 66b nicht zufällig von dem Temperaturkom
pensationskondensator 65 gelöst haben. Da bei dieser Struk
tur die Zuleitungsdrähte 66a, 66b mit beiden Hauptoberflä
chen des Temperaturkompensationskondensators 65 gekoppelt
sind, ist es notwendig, jede der zwei Hauptoberflächen des
Temperaturkompensationskondensators 65 mittels zeitaufwen
diger Sichtprüfungsverfahren visuell zu überprüfen, wobei
menschliches Versagen und Fehler bei der Beurteilung auftre
ten können.
Ferner war es hinsichtlich der Kontaktierungsverbindung der
Zuleitungsdrähte 67a, 67b notwendig, daß Arbeiter vor dem
Aushärten des schallabsorbierenden Materials 70 überprüfen,
ob die Zuleitungsdrähte 67a, 67b zuverlässig mit dem Tempe
raturkompensationskondensator 65 gekoppelt sind. Aufgrund
der Tatsache, daß diese Zuleitungsdrähte 67a, 67b jeweils
mit den Elektroden auf beiden Hauptoberflächen des Tempera
turkompensationskondensators 65 verbunden werden sollen, war
es ferner notwendig, daß Arbeiter jede der zwei Hauptober
flächen des Temperaturkompensationskondensators 65 überprü
fen.
Da der Temperaturkompensationskondensator 65 eine Struktur
zum Beseitigen der elektrostatischen Kapazität von den Elek
troden, die an beiden Hauptoberflächen des Temperaturkompen
sationskondensators 65 angeordnet sind, aufweist, bleibt die
resultierende Gesamtgröße des Gerätes außerdem relativ groß.
Folglich kann beim Anlegen von Wärmestößen von außerhalb des
Geräts eine Verformung stattfinden. Ein weiteres Problem,
das bei bekannten Geräten auftritt, besteht darin, daß auf
grund der relativ großen Abmessung des Temperaturkompensati
onskondensators 65 und ferner aufgrund einer erhöhten Flä
che, die für einen Kontakt zwischen dem Silikonharz 69 und
dem Temperaturkompensationskondensator 65 erforderlich ist,
während der Injektion des Silikonharzes 69 Gasblasen oder
Lufthohlräume in dem Gehäuse 62 auftreten können, die eine
Reflexion der Ultraschallwellen verursachen können.
Ein weiteres Problem besteht darin, daß sich aufgrund der
Tatsache, daß der Temperaturkompensationskondensator 65 re
lativ große Abmessungen aufweisen muß, eine Ultraschallwel
lenreflexion, die durch den Temperaturkompensationskondensa
tor 65 verursacht wird, über vernachlässigbaren Pegeln be
finden kann.
Zusätzlich ergibt die Anordnung des Temperaturkompensations
kondensators 65 in einer spezifischen Ausrichtung, bei der
sich die Hauptoberflächen des Temperaturkompensationskondensators
65 in rechten Winkeln zu dem piezoelektrischen Vibra
tionselement 63 befinden, eine bemerkbare Erhöhung des Ab
standes von dem oberen Ende des Temperaturkompensationskon
densators 65 zu dem piezoelektrischen Vibrationselement 63.
Aus diesem Grund ist die Temperaturempfindlichkeit oder das
Temperaturfolgevermögen des Kondensators 65 hinsichtlich
Temperaturänderungen des Vibrationselements 63 nicht ausrei
chend, wodurch es unmöglich wird, ausreichende Temperatur
kompensationsfunktionen zu erhalten.
Aus der DE 295 09 574 U1 und der EP 0 594 331 A1 sind Ultra
schallsensoren bekannt, die ein Piezoelement aufweisen. Das
Piezoelement ist an nur einer Seitenfläche kontaktiert.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen
Ultraschallsensor zu schaffen, der sowohl einen einfacheren
mechanischen Aufbau als auch verbesserte Temperaturkompensa
tionseigenschaften und eine erhöhte Zuverlässigkeit auf
weist.
Diese Aufgabe wird durch einen Ultraschallsensor gemäß An
spruch 1 gelöst.
Um die oben beschriebenen Probleme zu überwinden, schaffen
die bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfin
dung einen Ultraschallsensor mit einem piezoelektrischen Vi
brationselement und einem Temperaturkompensationskondensa
tor, die in einem Gehäuse gehäust sind, wobei der Sensor so
wohl eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit als auch eine
Struktur aufweist, die einen einfacheren Zusammenbau und ei
ne viel einfachere elektrische Kopplung des Temperaturkom
pensationskondensators ermöglicht.
Die bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfin
dung schaffen ferner einen Ultraschallsensor mit einer spe
zifischen Struktur, die das Auftreten einer Verformung in
dem Temperaturkompensationskondensator beim Anlegen von Wär
mestößen an denselben reduziert, die Erzeugung von Luftbla
sen während der Injektion von elastischen Harzmaterialien
zum Füllen der Innenseite des Gehäuses unterdrückt und jede
unerwünschte Ultraschallwellenreflexion beseitigt.
Die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung schaffen
ferner einen Ultraschallsensor mit einem Temperaturkompensa
tionskondensator, wobei der Sensor ein ausgezeichnetes Fol
gevermögen oder "Folgefähigkeit" des Temperaturkompensati
onskondensators hinsichtlich Temperaturänderungen eines zu
geordneten piezoelektrischen Vibrationselements erreicht,
wodurch folglich eine verbesserte Temperaturkompensations
funktion erreicht wird.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung umfaßt ein Ultraschallsensor ein Gehäuse, ein pie
zoelektrisches Vibrationselement, das in dem Gehäuse gehäust
ist, einen Temperaturkompensationskondensator, der in dem
Gehäuse gehäust ist, ein Elektrodenpaar, das auf einer ein
zigen gemeinsamen Oberfläche des Temperaturkompensationskon
densators vorgesehen ist, ein Paar von ersten Zuleitungs
drähten, die das piezoelektrische Element und den Tempera
turkompensationskondensator über das Elektrodenpaar jeweils
elektrisch verbinden, und ein Paar von zweiten Zuleitungs
drähten, die jeweils mit dem Temperaturkompensationskonden
sator über das Elektrodenpaar verbunden sind und sich von
einer Innenseite zu einer Außenseite des Gehäuses er
strecken.
Es wird angemerkt, daß der erste und zweite Zuleitungsdraht
als einzelner, kofunktionaler Zuleitungsdraht gebildet sein
kann.
Da ein Temperaturkompensationskondensator eine Struktur auf
weist, bei der ein Elektrodenpaar auf einer einzigen gemein
samen Oberfläche desselben angeordnet sind, wird es gemäß
dem oben beschriebenen Ultraschallsensor möglich, das Kon
taktierungsverbindungsverfahren der zugeordneten Zuleitungs
drähte hinsichtlich des Temperaturkompensationskondensators
in dem Gehäuse einfacher durchzuführen, während gleichzeitig
eine einfache Überprüfung der kontaktierten Abschnitte zwi
schen dem Temperaturkompensationskondensator und den Zulei
tungsdrähten vor der Injektion und dem Packen eines elastischen
Harzes in die Innenseite des Gehäuses ermöglicht wird.
Folglich wird sowohl die Produktivität beim Zusammenbau der
Ultraschallsensoren als auch die Zuverlässigkeit und das
Verhalten der Ultraschallsensoren erhöht, während die Her
stellungskosten reduziert werden.
Bei dem obigen Ultraschallsensor beträgt die Größe des Tem
peraturkompensationskondensators vorzugsweise weniger als
λ/4 in der Ausbreitungsrichtung der Ultraschallwellen, wo
bei λ eine Wellenlänge einer Ultraschallwelle ist, die in
dem piezoelektrischen Vibrationselement erzeugt wird.
Wenn die Größe des Temperaturkompensationskondensators klei
ner als λ/4 in der Ultraschallwellenausbreitungsrichtung
ist, wobei λ die Wellenlänge einer Ultraschallwelle ist,
ist es möglich, die Erzeugung einer unnötigen oder "Fremd-"
Reflexion zu beseitigen, die durch das Vorhandensein von
Komponenten einer stehenden Wellen einer Ultraschallwelle
verursacht wird, während gleichzeitig die Wärmestoßstabili
tät gesteigert wird, wobei es ferner möglich ist, das Risiko
zu unterdrücken, daß während des Packens des elastischen
Harzes Luftblasen erzeugt werden. Es ist ferner aufgrund des
Unterdrückens von Luftblasen möglich, eine unerwünschte Ul
traschallwellenreflexion, die ansonsten auftritt, zu besei
tigen, wobei es ferner möglich ist, eine Reflexion von uner
wünschten Ultraschallwellen zu unterdrücken, die durch den
Kondensator selbst verursacht werden kann. Dies macht es
möglich, eine Miniaturisierung des Ultraschallsensors zu er
reichen, während die Wärmestoßstabilität und Meßgenauigkeit
verbessert wird.
Bei dem obigen Ultraschallsensor beträgt ein Abstand zwi
schen einem Abschnitt des Temperaturkompensationskondensa
tors, der am weitesten von dem piezoelektrischen Vibrations
element beabstandet ist, und dem piezoelektrischen Vibrati
onselement vorzugsweise weniger als λ/4 in der Ausbrei
tungsrichtung der Ultraschallwelle, wobei λ die Wellenlänge
der Ultraschallwelle ist, die in dem piezoelektrischen Vibrationselement
erzeugt wird.
Wenn der Abstand zwischen dem bestimmten Abschnitt des Tem
peraturkompensationskondensators, der am weitesten von dem
piezoelektrischen Vibrationselement beabstandet ist, und dem
piezoelektrischen Vibrationselement weniger als λ/4 be
trägt, ist die Temperaturfolgefähigkeit des Temperaturkom
pensationskondensators hinsichtlich des piezoelektrischen
Vibrationselements gesteigert, wodurch eine wirksame Unter
drückung von Änderungen der Ultraschallsensormeßgenauigkeit
aufgrund einer Temperaturänderung ermöglicht wird, was wie
derum zu einer Zuverlässigkeit führt, wodurch ein Ultra
schallsensor bereitgestellt wird, der stabile Temperaturei
genschaften aufweist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Diagramm, das einen Querschnitt eines Ultra
schallsensors gemäß einem ersten bevorzugten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines Temperaturkom
pensationskondensators, der bei dem ersten bevor
zugten Ausführungsbeispiel verwendet werden kann.
Fig. 3 und 4 Diagramme, die jeweils eine perspektivische Ansicht
eines weiteren beispielhaften Temperaturkompensati
onskondensators zeigen, der bei dem bevorzugten
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ver
wendet werden kann.
Fig. 5 einen Querschnitt eines Ultraschallsensors gemäß
einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung.
Fig. 6 ein Diagramm, das eine Schaltungskonfiguration eines
Ultraschallsensors des zweiten bevorzugten Aus
führungsbeispiels zeigt.
Fig. 7A einen Querschnitt eines Ultraschallsensors gemäß
einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung, und Fig. 7B eine Schal
tungskonfiguration desselben.
Fig. 8 ein Schaltungsdiagramm einer Meßschaltungsanord
nung, die beim Messen der Eigenschaften eines Ul
traschallsensors gemäß einem bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet
wird.
Fig. 9 einen graphischen Verlauf, der einen Signalverlauf
darstellt, der auf einem Oszilloskop beobachtet
wird, zur Erklärung der Meßergebnisse des Ultra
schallsensors gemäß dem ersten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel.
Fig. 10 ein graphischer Verlauf zur Erklärung der Tempera
tureigenschaften des Sensors gemäß dem ersten be
vorzugten Ausführungsbeispiel.
Fig. 11 ein Diagramm zur Erklärung der Temperatureigen
schaften von Ultraschallsensoren gemäß dem ersten
und zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel und
einem im Stand der Technik bekannten Sensor.
Fig. 12 einen Querschnitt eines im Stand der Technik be
kannten Ultraschallsensors.
Fig. 1 stellt einen Ultraschallsensor gemäß einem bevorzug
ten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung im Quer
schnitt dar. Wie es gezeigt ist, ist der Ultraschallsensor 1
derart aufgebaut, daß ein piezoelektrisches Vibrationsele
ment 3 in einem zylindrischen Gehäuse 2 angeordnet ist. Das
zylindrische Gehäuse 2 kann aus einem gewünschten Metall,
wie z. B. Aluminium, oder einem anderen geeigneten Material
hergestellt sein. Das Gehäuse 2 ist an seinem unteren Teil
geschlossen, wodurch eine Übertragung und ein Empfang von
Ultraschallwellen von einer unteren Endoberfläche 2a ermög
licht wird.
Ein piezoelektrisches Vibrationselement 2 ist mit einem in
neren Abschnitt der Endoberfläche 2a verbunden. Das piezo
elektrische Vibrationselement 3 weist eine Struktur auf, die
es ermöglicht, daß Elektroden (nicht gezeigt) auf beiden
Hauptoberflächen einer piezoelektrischen Platte, die das
piezoelektrische Vibrationselement 3 bildet, angeordnet wer
den, wobei die Platte aus einem auf PZT basierenden piezo
elektrischem Keramikmaterial hergestellt ist. Es wird ange
merkt, daß die untere Elektrode über einen gewünschten Kleb
stoff (nicht gezeigt) mittels Direktkontakt mit dem Gehäuse
2 verbunden ist. Das Gehäuse 2 besteht aus einem metalli
schen Material, so daß die Elektrode an der unteren Oberflä
che des piezoelektrischen Vibrationselements 3 mit dem Ge
häuse 2 elektrisch verbunden ist.
Ein schallabsorbierendes Bauglied 4 ist über dem piezoelek
trischen Vibrationselement 3 angeordnet. Das schallabsorbie
rende Bauglied 4 ist vorgesehen, um Reflexionen von uner
wünschten Ultraschallwellenkomponenten zu absorbieren. Für
das akustische Material 4 können beliebige geeignete Mate
rialien verwendet werden, solange diese Materialien eine Re
flexion von unerwünschten Ultraschallwellen beseitigen kön
nen. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird ein Po
lyesterfilzbauglied verwendet, obwohl die vorliegende Erfin
dung nicht ausschließlich auf dasselbe begrenzt sein sollte.
Ein Temperaturkompensationskondensator 5 ist über dem
schallabsorbierenden Bauglied 4 angeordnet. Wie es detail
liert in Fig. 2 gezeigt ist, weist der Temperaturkompensa
tionskondensator 5 eine Struktur auf, bei der Elektroden 5b,
5c an beiden Enden eines dielektrischen Körpers 5a angeord
net sind, der eine im wesentlichen rechtwinkelige Form aufweist.
Dieser Kondensator 5 ist vorzugsweise aus einem mehr
schichtigen Keramikkondensator aufgebaut, wobei der dielek
trische Körper 5a aus einem dielektrischen Keramikmaterial
hergestellt ist und eine Mehrzahl von Innenelektroden um
faßt, die angeordnet sind, um eine interne elektrostatische
Kapazität aus der Oberfläche herauszuführen. Diese Innen
elektroden sind entweder mit der Elektrode 5b oder der Elek
trode 5c, die in Fig. 2 gezeigt sind, elektrisch verbunden.
Jede der Elektroden 5b, 5c ist angeordnet, um sich von einer
Endoberfläche des dielektrischen Körpers 5a zu erstrecken,
deckt weitere vier Oberflächen ab, koppelt oder paßt mit
denselben zusammen. Folglich ist das Elektrodenpaar 5b, 5c
auf einer gemeinsamen Oberfläche des dielektrischen Körpers
5a, d. h. beispielsweise einer oberen Oberfläche 5d, vorhan
den. Es wird hier angemerkt, daß bei dem Temperaturkompensa
tionskondensator 5 die Elektroden 5b, 5c zu der oberen Ober
fläche 5d ferner entweder auf einer unteren Oberfläche oder
einem Seitenoberflächenpaar zusätzlich vorhanden sein kön
nen.
Im folgenden wenden wir uns wieder Fig. 1 zu. Eine Elektrode
(nicht gezeigt) an einer oberen Oberfläche des piezoelektri
schen Vibrationselements 3 ist mittels eines Zuleitungsdrah
tes 6a mit der Elektrode 5b des Temperaturkompensationskon
densators 5 elektrisch verbunden. Ferner ist die Elektrode
5c des Temperaturkompensationskondensators 5 mittels eines
Zuleitungsdrahtes 6b mit dem Metallgehäuse 2 elektrisch ver
bunden. Die Kontaktierungsverbindung der Zuleitungsdrähte
6a, 6b wird mittels Löttechniken unter Verwendung eines
leitfähigen Klebstoffes oder weiterer geeigneter Techniken
durchgeführt.
Da das Elektrodenpaar 5b, 5c auf einer gemeinsamen Oberflä
che des dielektrischen Körpers 5a angeordnet ist, ist es bei
dem Ultraschallsensor 1 dieses bevorzugten Ausführungsbei
spiels möglich, ohne weiteres eine Kopplung oder Kontaktie
rung der Zuleitungsdrähte 6a, 6b mit dem Temperaturkompensationskondensator
5 vorzunehmen. Insbesondere dort, wo diese
Zuleitungsdrähte 6a, 6b mit den Elektroden 5b, 5c beispiels
weise mittels Löttechniken gekoppelt oder kontaktiert sind,
kann aufgrund der Tatsache, daß diese Elektroden 5b, 5c auf
dieser einen einzigen gemeinsamen Oberfläche des dielektri
schen Körpers 5a angeordnet sind, das Verfahren zum Koppeln
der Zuleitungsdrähte 6a, 6b ohne weiteres auf einer gemein
samen Oberfläche des dielektrischen Körpers 5a durchgeführt
werden.
Es wird ferner angemerkt, daß ein elastisches Harz 7 in das
Gehäuse 2 gepackt ist, um das Innere des Gehäuses 2 zu fül
len. Das elastische Harz 7 besteht aus einem gewünschten
Harz, das eine ausgezeichnete Elastizität oder Nachgiebig
keit aufweist, wie z. B. Silikonharz, Butylgummi oder der
gleichen, um dadurch eine ungewollte Ultraschallwellenrefle
xion zu unterdrücken.
Vor dem Füllen des Gehäuses 2 mit dem elastischen Harz 7 muß
das Kontaktierungsverbindungsverfahren der Zuleitungsdrähte
6a, 6b abgeschlossen sein. Es ist folglich während der In
jektion des elastischen Harzes 7 erforderlich, daß eine
Sichtprüfung durchgeführt werden muß, um zu überprüfen, ob
die Zuleitungsdrähte 6a, 6b fest mit dem Temperaturkompen
sationskondensator 5 kontaktiert und gekoppelt sind. Da die
Zuleitungsdrähte 6a, 6b mit den Elektroden auf einer einzi
gen gemeinsamen Oberfläche des dielektrischen Körpers 5a des
Temperaturkompensationskondensators 5 verbunden sind, wird
es bei dem Ultraschallsensor 1 dieses bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels möglich, durch eine einmalige Sichtprüfung
den Kontakt/Verbindungszustand dieser Zuleitungsdrähte 6a,
6b einfach zu überprüfen.
Insbesondere war es bei im dem Stand der Technik bekannten
Ultraschallsensor 61 erforderlich, daß, nachdem die Sicht
prüfung durchgeführt wurde, um einen Kontaktabschnitt auf
einer Hauptoberfläche des Temperaturkompensationskondensa
tors 65 zu überprüfen, eine Überprüfung des verbleibenden
Kontaktabschnittes auf der gegenüberliegenden Hauptoberflä
che des Kondensators 65 wiederholt ausgeführt werden muß. Im
Gegensatz dazu ist es mit dem Ultraschallsensor 1 dieses be
vorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung
möglich, beide Kontaktoberflächen, die auf einer einzigen
gemeinsamen Oberfläche des dielektrischen Körpers 5a ange
ordnet sind, mit einer einzigen Sichtprüfung zu überprüfen.
Verlängerungszuleitungsdrähte 8a, 8b sind mittels Löttechni
ken oder dergleichen mit dem Temperaturkompensationskonden
sator 5 verbunden. Die Verlängerungszuleitungsdrähte 8a, 8b
sind angeordnet, um sich von einem inneren Teil zu einem äu
ßeren Teil des Gehäuses 2 zu erstrecken, und sind daraufhin
mit einem Stecker 9 verbunden. Der Stecker 9 ist vorgesehen,
um eine schnelle Verbindung mit einer zugeordneten Komponen
te, die einen Verstärker umfaßt, der ein Ausgangssignal des
Ultraschallsensors 1 bereitstellt, zu ermöglichen.
Hinsichtlich einer Kontaktierungsverbindung der Verlänge
rungszuleitungsdrähte 8a, 8b mit dem Temperaturkompensa
tionskondensator 5 muß diese Kontaktierung vor dem Füllen
mit dem elastischen Harz 7 durchgeführt werden. In diesem
Fall ist es auch möglich, den Kontaktzustand dieser Verlän
gerungszuleitungsdrähte 8a, 8b hinsichtlich des Temperatur
kompensationskondensators 5 durch eine Sichtprüfung in einem
einzigen Schritt einfach zu überprüfen.
Ferner ist die Größe des Temperaturkompensationskondensators
5 in der Ultraschallwellenausbreitungsrichtung vorzugsweise
entworfen, um kleiner als ein Viertel der Ultraschallwellen
länge λ zu sein. Bei einem praktischen Beispiel sind die
Länge l, die Breite w und die Dicke t, die in dem bevorzug
ten Ausführungsbeispiel von Fig. 2 gezeigt sind, vorzugs
weise derart angeordnet, daß l = 3,3 mm, w = 1,6 mm und t =
0,6 mm. Anders ausgedrückt, die akustische Wellenausbrei
tungsgeschwindigkeit oder -Rate C in Luft mit einer Tempera
tur von 20°C beträgt C = 344 m/sek. Bei einer Frequenz von
40 kHz ist die Wellenlänge λ gegeben durch λ = C/f = 8,6 mm.
Folglich ist λ/4 = 2, 15 mm, so daß die Breite W = 1,6 mm
kleiner als λ/4 ist. Zusätzlich beträgt der Abstand zwi
schen dem piezoelektrischen Vibratonselement und dem Ab
schnitt des piezoelektrischen Vibrationselements des Tempe
raturkompensationskondensators, der am weitesten von dem
piezoelektrischen Vibrationselement beabstandet ist, vor
zugsweise ungefähr gleich 2,0 mm. Dieser Abstand ist ferner
vorzugsweise kleiner als λ/4.
Die im vorhergehenden genannte Größe W des Temperaturkompen
sationskondensators 5 ist kleiner als λ/4, so daß keine un
nötige Reflexion stattfindet, die andernfalls aufgrund des
Vorhandenseins von Komponenten einer stehenden Welle der Ul
traschallwellen auftreten würden. Außerdem ist aufgrund der
Tatsache, daß aufgrund von Wärme kaum eine Verformung auf
tritt, selbst bei einem externen Anlegen von Wärmestößen an
den Ultraschallsensor die Wärmestoßstabilität gesteigert.
Da zusätzlich der Kontaktbereich zwischen dem Temperatur
kompensationskondensator 5 und dem elastischen Harz 7 wäh
rend der Injektion und dem Packen des elastischen Harzes 7
klein bleibt, treten kaum Luftblasen auf, wodurch folglich
eine Unterdrückung einer unerwünschten Ultraschallwellenre
flexion ermöglicht wird, die ansonsten aufgrund der Erzeu
gung dieser Luftblasen auftreten würden.
Es sollte angemerkt werden, daß, obwohl bei diesem bevorzug
ten Ausführungsbeispiel der Mehrschichtkondensator eine im
wesentlichen rechtwinklige Quaderform zum Bilden des Tempe
raturkompensationskondensators 5 aufgewiesen hat, die Struk
tur der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindung, die als der Temperaturkompensationskondensator
verwendbar ist, nicht ausschließlich darauf begrenzt sein
sollte. Mit anderen Worten, es können beliebige Kondensato
ren mit geeigneten Strukturen ferner verwendet werden, so
lange dieselben aufgebaut sind, um ein Elektrodenpaar auf
einer gemeinsamen Oberfläche des dielektrischen Körpers auf
zuweisen.
Wie es in Fig. 3 gezeigt ist, kann beispielsweise ein Kon
densator 10 verwendet werden, der aus einem im wesentlichen
kreis- oder scheibenförmigen dielektrischen Körper 10a mit
einem Elektrodenpaar 10b, 10c, das auf zumindest einer ge
meinsamen Oberfläche desselben angeordnet ist, aufgebaut
ist. Wie es in Fig. 4 gezeigt ist, kann ferner alternativ
ein Kondensator 11 mit einem scheibenförmigen dielektrischen
Körper 11a und einem Elektrodenpaar 11b, 11c, das auf zumin
dest einer gemeinsamen Hauptoberfläche desselben gebildet
ist, und mit einem unterschiedlichen Elektrodenbereich oder
einer planaren Abdeckung voneinander verwendet werden. Die
scheibenförmigen dielektrischen Körper 10a, 11a können al
ternativ in anderen Formen entworfen sein, die im wesentli
chen Formen rechtwinkliger Platten oder dergleichen aufwei
sen.
Da bei den Kondensatoren das Elektrodenpaar 10b, 10c oder
11b, 11c auf einer einzigen gemeinsamen Oberfläche angeord
net ist, werden hinsichtlich der Kondensatoren 10, 11 die
selben Auswirkungen und Vorteile erreicht, wie sie bei dem
in Fig. 1 gezeigten Ultraschallsensor 1 erhalten wurden,
wenn einer dieser Kondensatoren 10, 11 anstelle des Tempera
turkompensationskondensators 5 verwendet wird.
Falls die Kondensatoren 10, 11, die in den Fig. 3 und 4 ge
zeigt sind, ferner eine Größe bezüglich der Ultraschallwel
lenausbreitungsrichtung aufweisen, die weniger als λ/4 be
trägt, und einen Abstand zwischen einem piezoelektrischen
Vibrationselement und dem Abschnitt der Kondensatoren, der
am weitesten von dem piezoelektrischen Vibrationselement
entfernt ist, aufweisen, der geringer als λ/4 ist, ist es
möglich, d. h. auf eine Art und Weise, die zu dem Fall des
Verwendens des Temperaturkompensationskondensators 5 ähnlich
ist, i) eine Verbesserung der Wärmestoßstabilität, ii) eine
Unterdrückung einer ungewollten Ultraschallwellenreflexion,
die durch die Erzeugung von Luftblasen verursacht wird, und
iii) eine Unterdrückung einer unerwünschten Ultraschallwellenreflexion,
die durch den Temperaturkompensationskondensa
tor selbst verursacht wird, zu erhalten.
Ferner sollte bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen der
vorliegenden Erfindung das Material, das den dielektrischen
Körper des Temperaturkompensationskondensators bildet, nicht
auf das dielektrische Keramikmaterial alleine beschränkt
sein, sondern kann ferner aus anderen Materialien, die Harz
oder Äquivalente desselben umfassen, hergestellt werden.
Auf diese Weise wird das Temperaturfolgeverhalten des Tem
peraturkompensationskondensators 5 hinsichtlich einer Tem
peraturänderung des piezoelektrischen Vibrationselements 3
verbessert, indem der Abstand x (gezeigt in Fig. 1) kleiner
als λ/4 gelassen wird, während gleichzeitig bewirkt wird,
daß der Abschnitt des Temperaturkompensationskondensators 5,
der am weitesten entfernt von dem piezoelektrischen Vibrati
onselement 3 angeordnet ist, im Vergleich zu dem Fall des im
Stand der Technik bekannten Ultraschallsensors 1 näher an
dem piezoelektrischen Vibrationselement 3 angeordnet ist.
Folglich sollte es ohne weiteres ersichtlich sein, daß eine
gewünschte Temperaturkompensationsfunktion, die durch den
Temperaturkompensationskondensator 5 durchgeführt wird, aus
reichend erreichbar ist.
Bezüglich der Kondensatoren 10, 11, die in Fig. 3 und 4 ge
zeigt sind, ist es auf eine zu dem Fall, bei dem der Tempe
raturkompensationskondensator 5 verwendet wird, entsprechen
de Art und Weise möglich, i) eine Verbesserung der Wärme
stoßstabilität, ii) eine Unterdrückung einer ungewollten Ul
traschallwellenreflexion aufgrund der Erzeugung von Luftbla
sen, und iii) eine Unterdrückung einer ungewollten Ultra
schallwellenreflexion durch den Temperaturkompensationskon
densator selbst zu erreichen.
Ein Ultraschallsensor gemäß einem zweiten bevorzugten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist im allgemei
nen durch das Bezugszeichen 21 in Fig. 5 bezeichnet, das eine
Schaltungskonfiguration, die in Fig. 6 dargestellt ist,
aufweist. Der Ultraschallsensor 21 von Fig. 5 weist eine zu
dem Ultraschallsensor 1 des ersten bevorzugten Ausführungs
beispiels ähnliche Struktur auf, wobei ferner ein Übertra
gerelement 22, das als induktives Element wirksam ist, und
ein resistives Element 23 im Inneren des Gehäuses 2 zusätz
lich zu dem Temperaturkompensationskondensator 5 angeordnet
sind. Folglich sind bestimmten Teilen oder Komponenten, die
denen des in Fig. 1 dargestellten Ultraschallsensors 1 ent
sprechen, folglich zum Zweck der Klarheit dieselben Bezugs
zeichen zugeordnet; detaillierte Erklärungen derselben wer
den folglich weggelassen, da die Erklärungen bezüglich des
in Fig. 1 dargestellten Ultraschallsensors 1 hierin aufge
nommen werden.
Ein Zuleitungsdraht 6a, der sich mit einer Elektrode (nicht
gezeigt) an der oberen Oberfläche des piezoelektrischen Vi
brationselements 3 in Kontakt befindet, ist mit einer Elek
trode 5b des Temperaturkompensationskondensators 5 elek
trisch verbunden. Das Übertragerelement 22 ist mit dieser
Elektrode 5b über einen Zuleitungsdraht 24a verbunden. Das
Übertragerelement 22 ist ferner über einen Zuleitungsdraht
24b entsprechend mit der verbleibenden Elektrode 5c des Tem
peraturkompensationskondensators 5 verbunden. Das resistive
Element 23 ist mittels eines Zuleitungsdrahts 25a mit der
Elektrode 5c verbunden.
Das resistive Element 23 umfaßt Elektroden 23b, 23c, die auf
beiden Enden eines Widerstandskörpers 23a angeordnet sind.
Der Zuleitungsdraht 25a ist mit einer Elektrode 23b elek
trisch verbunden. Ferner ist ein Zuleitungsdraht 25b mit der
Elektrode 23b verbunden, während bewirkt wird, daß der Zu
leitungsdraht 25b mit dem Gehäuse 2 an dem anderen Ende des
selben elektrisch gekoppelt ist.
Andererseits ist ein Verlängerungszuleitungsdraht 25c mit
der verbleibenden Elektrode 23c des resistiven Elements 23
elektrisch verbunden. Dieser Verlängerungszuleitungsdraht
25c erstreckt sich von der Innenseite des Gehäuses zu der
Außenseite des Gehäuses 2. Ferner ist das Übertragerelement
22 mit Verlängerungszuleitungsdrähten 26a, 26b gekoppelt.
Die Verlängerungszuleitungsdrähte 26a, 26b, 25c sind mit ei
nem Verbinder (nicht gezeigt) verbunden, der an der Außen
seite des Gehäuses 2 vorgesehen ist.
Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ferner der
Temperaturkompensationskondensator 5 strukturell angeordnet,
um ein Elektrodenpaar 5b, 5c, das auf einer gemeinsamen
Oberfläche des dielektrischen Körpers 5a gebildet ist, auf
zuweisen. Es ist folglich möglich, das Kontaktierungsverfah
ren für eine Verbindung der Zuleitungsdrähte 6a, 25a, 24a,
24b mit dem Temperaturkompensationskondensator entsprechend
dem Verfahren des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels zu
vereinfachen.
Außerdem ist dieses Element bezüglich des resistiven Ele
ments 23 derart konfiguriert, daß die Elektroden 23b, 23c
auf einer einzigen gemeinsamen Oberfläche des Widerstands
körpers 23a plaziert sind. Folglich ist es möglich, das Ver
fahren zum Koppeln der Zuleitungsdrähte 25a, 25b, 25c mit
dem resistiven Element 23 entsprechend dem Fall des Tempera
turkompensationskondensators 5 zu vereinfachen.
Folglich wird bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbei
spiel ferner das Zuleitungsdrahtkontaktierungs/Kopplungsver
fahren viel einfacher durchgeführt, wodurch eine einfache
Überprüfung der Kontaktabschnitte dieser Zuleitungsdrähte
während des Packens des elastischen Harzes 7 ermöglicht
wird.
Es sollte angemerkt werden, daß, da der Temperaturkompen
sationskondensator 5 derart entworfen ist, daß sich seine
maximale Außenabmessung oder Größe wie bei dem ersten bevor
zugten Ausführungsbeispiel vorzugsweise innerhalb etwa 5 mm
befindet, es möglich ist, d. h. entsprechend dem ersten be
vorzugten Ausführungsbeispiel, i) eine Verbesserung der Wärmestoßstabilität,
ii) eine Unterdrückung einer ungewollten
Ultraschallwellenreflexion, die durch eine Erzeugung von
Luftblasen verursacht wird, und iii) eine Unterdrückung ei
ner unerwünschten Ultraschallwellenreflexion an dem Tempera
turkompensationskondensator 5 zu erreichen.
Vorzugsweise kann das Entwurfsschema für eine maximale Au
ßenabmessung von ungefähr 5 mm ferner auf das resistive Ele
ment 23 und das Übertragerelement 22 angewendet werden, wo
durch entsprechende Funktionen und Vorteile, die im vorher
gehenden festgestellt wurden, erreichbar werden.
Wie es im vorhergehenden erörtert wurde, ist der Ultra
schallsensor 21 angeordnet, um darin ein eingebautes Über
tragerelement 22 und ein resistives Element 23 aufzunehmen,
die auf die im vorhergehenden erwähnte Art und Weise ver
bunden sind. Folglich ist es aus der Betrachtung des in Fig.
6 dargestellten Schaltungsdiagramms offensichtlich, daß der
Temperaturkompensationskondensator 5 und das Übertragerele
ment 22 ebenso wie das resistive Element 23 einen eingebau
ten LCR-Resonator bilden, der ein integraler Bestandteil in
dem Gehäuse 2 ist.
In Fig. 6 bezeichnen die Bezugszeichen "L1" und "L2" Primär
seiten- und Sekundärseiteninduktivitäten des Übertragerele
ments 22; "C1" gibt die elektrostatische Kapazität des Tem
peraturkompensationskondensators 5 an; "R1" zeigt den Wider
standswert des resistiven Elements 23; und "R0", "L0", "C0"
und "Cd" zeigen die Teile, die ein Ersatzschaltbild des pie
zoelektrischen Vibrationselements 3 bilden.
Da die Induktivität L2 und die Kapazität C1, Cd hier einen
Parallelresonanzkreis bilden, kann die Resonanzfrequenz f0
folgendermaßen dargestellt werden:
Dies gibt an, daß die Impedanz bei der Resonanzfrequenz un
endlich ist.
Andererseits bilden die äquivalente Induktivität L0 und die
äquivalente elektrostatische Kapazität C0 des piezoelektri
schen Vibrationselements 3 einen Serienresonanzkreis, so daß
die Resonanzfrequenz f0 in diesem Fall gegeben ist als:
Bei der Resonanzfrequenz wird die Impedanz Null.
Es wird folglich offensichtlich, daß das Temperaturfolgever
mögen des Ultraschallsensors 21 verbessert wird, indem die
Werte der Induktivität L2 und der elektrostatischen Kapazi
tät C1 des Temperaturkompensationskondensators 5 geeignet
bestimmt werden, um die Impedanz des Ultraschallsensors 21
bei der Resonanzfrequenz auf einen Minimalwert zu zwingen,
während gleichzeitig ermöglicht wird, daß der Ultraschall
sensor 21 diese Komponenten darin als eingebaute Komponenten
enthält.
Ein Ultraschallsensor gemäß einem dritten bevorzugten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist im allgemei
nen durch das Bezugszeichen 31 in Fig. 7A bezeichnet, der
eine Schaltungskonfiguration besitzt, die in Fig. 7B darge
stellt ist. Der Ultraschallsensor 31 von Fig. 7A entspricht
bezüglich der Struktur dem Ultraschallsensor 1 des ersten
bevorzugten Ausführungsbeispiels, mit der Ausnahme, daß das
Übertragerelement 22, das als induktives Element wirksam
ist, mit dem Temperaturkompensationskondensator 5 verbunden
ist, wodurch ein LC-Resonanzkreis gebildet wird. Entspre
chenden Teilen oder Komponenten sind entsprechende Bezugs
zeichen zugeordnet, wobei eine detaillierte Erklärung wegge
lassen wird.
Das Übertragerelement 22 ist jeweils mit den Elektroden 5b,
5c des Temperaturkompensationskondensators 5 über Zulei
tungsdrähte 24a, 24b verbunden. Das Übertragerelement 22 ist
auch in dem Gehäuse 2 angeordnet und mittels eines elasti
schen Harzes 7 in dem Gehäuse 2 befestigt. Das Element 22
ist mit Zuleitungsdrähten 8a, 8b verbunden.
Auf diese oben beschriebene Art und Weise kann mit dem Ul
traschallsensor 31 gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispie
len der vorliegenden Erfindung der LC-Resonanzkreis in dem
Gehäuse 2 angeordnet werden, indem das Übertragerelement 22
zusätzlich mit dem Temperaturkompensationskondensator 5 ver
bunden wird, wodurch das Temperaturfolgevermögen entspre
chend dem des Ultraschallsensors 21 des zweiten bevorzugten
Ausführungsbeispiels verbessert wird.
Eine Erklärung wird bezüglich praktischer Anwendungsbeispie
le des Ultraschallsensors 1 gemäß dem ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiel und des Ultraschallsensors 21 des zwei
ten bevorzugten Ausführungsbeispiels vorgelegt. Hinsichtlich
der Ultraschallsensoren 1, 21 wurde eine Meßschaltung, die
in Fig. 8 gezeigt ist, zur Messung der Temperatureigenschaf
ten derselben verwendet. Bei der Meßschaltung von Fig. 8 be
zeichnet das Bezugszeichen "41" ein Oszilloskop, wohingegen
"42" einen Funktionsgenerator bezeichnet. Der Funktionsge
nerator arbeitet, um einen Ultraschallpuls mit einem Recht
ecksignalverlauf bei einer Frequenz von 40 kHz mit einer
Pulsbreite von 0,2 Millisekunden, einem Pulszyklus von 50 Hz
und einer Spannung von 10 VO-P zu erzeugen, wobei der Puls an
einem Ultraschallsensor B anliegt und daraufhin auf eine Re
flexionsplatte 43 projiziert wird, die an einer Position an
geordnet ist, die für eine Messung eines von derselben re
flektierten Ultraschallechos mittels des Ultraschallsensors
B etwa 200 mm beabstandet ist, woraufhin ein Übertragungssi
gnalverlauf und deren entsprechender empfangener Signalver
lauf an dem Oszilloskop 41 beobachtet wird.
Wie der Ultraschallsensor B wurde der Ultraschallsensor 1
mit den Spezifikationen, die im folgenden dargestellt wer
den, für eine Messung der Übertragung und des Empfangs von
Ultraschallwellen verwendet; daraufhin wurden die in Fig. 9
dargestellten Ergebnisse erhalten.
Der Ultraschallsensor 1 besteht vorzugsweise aus einem PZT-
basierten piezoelektrischen Keramikmaterial und umfaßt eine
scheibenförmige piezoelektrische Keramikplatte, mit einem
Durchmesser von etwa 7 mm und einer Dicke von etwa 0,16 mm,
wobei auf beiden Hauptoberflächen derselben Silberelektroden
angeordnet sind.
Der Temperaturkompensationskondensator weist einen Mehr
schichtkondensator mit Abmessungen von etwa 3,3 mm × 1,6 mm
× 0,6 mm aufweist, wobei dessen elektrostatische Kapazität
etwa 1400 pF und der Abstand x etwa 2 mm beträgt.
Wie es aus Fig. 9 zu erkennen ist, wurde die Anstiegszeit
dauer des Ultraschallpulses, d. h. eine Zeitperiode vom Ein
leiten einer Übertragung einer Ultraschallwelle bis zu einem
Zeitpunkt, bei dem die Intensität des resultierenden Refle
xionssignals y 2 mVPP (PP = Peak-Peak = Spitze-Spitze) er
reicht hat, gemessen, um zu zeigen, daß diese Zeitdauer 1,0
Millisekunden beträgt, wohingegen die Empfindlichkeit 16 mVPP
beträgt.
Als nächstes wurden die thermischen bzw. Temperatureigen
schaften des Ultraschallsensors 1 gemessen, der gemäß den
obigen Spezifikationen hergestellt wurde, während die Tem
peraturmuster einer Umgebung verändert wurden, in der der
Ultraschallsensor 1 angeordnet werden soll. Die Ergebnisse
sind in Fig. 10 dargestellt. In Fig. 10 gibt die x-Achse die
Temperatur an, wohingegen die y-Achse die tatsächlich gemes
senen elektrostatischen Kapazitätswerte des Ultraschallsen
sors angibt. Ferner gibt eine durchgezogene Linie C die Tem
peratureigenschaft des hierin verwendeten Temperaturkompen
sationskondensators 5 an, eine durchgezogene Linie D zeigt
die Temperatureigenschaft eines Ultraschallsensors ohne den
Temperaturkompensationskondensator 5, wobei eine gestrichel
te Linie E die Temperatureigenschaft des Ultraschallsensors
1 darstellt, d. h. eines Ultraschallsensors, in dem der Tem
peraturkompensationskondensator 5 aufgenommen ist.
Aus Fig. 10 wird offensichtlich, daß eine Kombination des
Temperaturkompensationskondensators 5 mit dem Sensor eine
Unterdrückung einer Änderung der Gesamtkapazität des Ultra
schallsensors 1 aufgrund von Temperaturänderungen ermög
licht, wie es durch die gestrichelte Linie E dargestellt
ist.
Als nächstes wurde die Temperatureigenschaft bezüglich der
Pulsabfallzeitdauer der Ultraschallsensoren 1, 31 und des im
Stand der Technik bekannten Ultraschallsensors 61, der in
Fig. 12 gezeigt ist, gemessen. Die Ergebnisse sind in Fig.
11 dargestellt. Ein Sensorausführungsmuster mit den vorge
schriebenen Spezifikationen wurde als der Ultraschallsensor
1 verwendet; die Ultraschallsensoren 31, 61 wurden vorberei
tet, um die folgenden Spezifikationen aufzuweisen.
Die Spezifikationen des Ultraschallsensors 31 waren diesel
ben, wie diejenigen des Ultraschallsensors 1, mit der Aus
nahme, daß der Sensor 31 ein resistives Element 23 mit einem
Widerstandswert von 10 kΩ und ein Übertragerelement 22 mit
L1 = 64 µH und L2 = 3,86 mH aufgewiesen hat.
Der im Stand der Technik bekannte Ultraschallsensor 61 hatte
dieselben Spezifikationen, wie diejenigen des Ultraschall
sensors 1 des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels, mit
der Ausnahme eines Kondensators, der aus einer dielektri
schen Keramikplatte mit Silberelektroden, die einen Durch
messer von 8,3 mm und eine Dicke von 0,51 mm aufweist, be
steht, die auf dessen zwei Hauptoberflächen angeordnet sind,
und daß der Abstand zwischen dem piezoelektrischen Vibrati
onselement 63 in Fig. 12 und dem am weitest entfernten Teil
des Temperaturkompensationskondensators 65 von dem piezoelektrischen
Vibrationselement 63 auf y = 5 mm eingestellt
wurde.
In Fig. 11 bezeichnet eine durchgezogene Linie F ein experi
mentell erhaltenes Ergebnis des im Stand der Technik bekann
ten Ultraschallsensors, eine gestrichelte Linie G zeigt das
Ergebnis des Ultraschallsensors 1 gemäß dem ersten bevorzug
ten Ausführungsbeispiel, wobei eine durchgezogene Linie H
das Ergebnis des Ultraschallsensors 21 gemäß dem zweiten be
vorzugten Ausführungsbeispiel ist. Die Ergebnisse von Fig.
11 sind ferner in der folgenden Tabelle 1 dargestellt.
Es wird aus Fig. 11 und Tabelle 1 offensichtlich, daß bei
den Ultraschallsensoren 1, 31 eine Änderung der Pulsabfall
zeitdauer im Vergleich zu dem in Stand der Technik bekannten
Ultraschallsensor 61 niedriger bleibt, selbst wenn eine Tem
peraturänderung an dieselben angelegt wird. Folglich ist oh
ne weiteres zu erkennen, daß die Ultraschallsensoren 1, 31
im Vergleich zu dem im Stand der Technik bekannten Ultra
schallsensor 61 deutlich verbesserte Temperatureigenschaften
aufweisen.
Claims (9)
1. Ultraschallsensor mit folgenden Merkmalen:
einem Gehäuse (2);
einem piezoelektrischen Vibrationselement (3), das in dem Gehäuse (2) gehäust ist;
einem gegenüberliegende Seitenflächen aufweisenden Tem peraturkompensationskondensator (5; 10; 11) mit einem Elektrodenpaar (5b, 5c; 10b, 10c; 11b, 11c), der in dem Gehäuse (2) gehäust ist, wobei das Elektrodenpaar (5b, 5c, 10b, 10c, 11b, 11c) auf einer der Seitenflächen des Temperaturkompensationskondensators (5; 10; 11) vorge sehen ist;
einem Paar von ersten Zuleitungsdrähten (6a, 6b; 25a, 25b), die das piezoelektrische Vibrationselement (3) und den Temperaturkompensationskondensator (5; 10; 11) über das Elektrodenpaar (5b, 5c; 10b, 10c; 11b, 11c) elektrisch verbinden; und
einem Paar von zweiten Zuleitungsdrähten (8a, 8b; 24a, 24b), die sich von einer Innenseite des Gehäuses (2) in Richtung einer Außenseite des Gehäuses (2) erstrecken und deren einer mit der einen und deren anderer mit der anderen der Elektroden (5b bzw. 5c; 10b bzw. 10c; 11b bzw. 11c) des Elektrodenpaars (5 b, 5c; 10b, 10c; 11b, 11 c) verbunden ist.
einem Gehäuse (2);
einem piezoelektrischen Vibrationselement (3), das in dem Gehäuse (2) gehäust ist;
einem gegenüberliegende Seitenflächen aufweisenden Tem peraturkompensationskondensator (5; 10; 11) mit einem Elektrodenpaar (5b, 5c; 10b, 10c; 11b, 11c), der in dem Gehäuse (2) gehäust ist, wobei das Elektrodenpaar (5b, 5c, 10b, 10c, 11b, 11c) auf einer der Seitenflächen des Temperaturkompensationskondensators (5; 10; 11) vorge sehen ist;
einem Paar von ersten Zuleitungsdrähten (6a, 6b; 25a, 25b), die das piezoelektrische Vibrationselement (3) und den Temperaturkompensationskondensator (5; 10; 11) über das Elektrodenpaar (5b, 5c; 10b, 10c; 11b, 11c) elektrisch verbinden; und
einem Paar von zweiten Zuleitungsdrähten (8a, 8b; 24a, 24b), die sich von einer Innenseite des Gehäuses (2) in Richtung einer Außenseite des Gehäuses (2) erstrecken und deren einer mit der einen und deren anderer mit der anderen der Elektroden (5b bzw. 5c; 10b bzw. 10c; 11b bzw. 11c) des Elektrodenpaars (5 b, 5c; 10b, 10c; 11b, 11 c) verbunden ist.
2. Ultraschallsensor nach Anspruch 1, bei dem das erste
Paar von Zuleitungsdrähten (6a, 6b; 6a, 25a, 25b) mit
nur einer der Seitenflächen des Temperaturkompensati
onskondensators (5; 10; 11) verbunden ist.
3. Ultraschallsensor nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das
zweite Paar von Zuleitungsdrähten (8a, 8b; 24a, 24b)
mit nur einer der Seitenflächen des Temperaturkompensa
tionskondensators (5; 10; 11) verbunden ist.
4. Ultraschallsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei
dem das Elektrodenpaar (10b, 10c; 11b, 11c), das auf
dem Temperaturkompensationskondensator (10; 11) vorge
sehen ist, auf nur einer der Seitenflächen des Tempera
turkompensationskondensators (10; 11) angeordnet ist.
5. Ultraschallsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei
dem der Temperaturkompensationskondensator (5; 10; 11)
eine Breite aufweist, die weniger als etwa λ/4 in
einer Ausbreitungsrichtung der Ultraschallwelle be
trägt, wobei λ eine Wellenlänge einer Ultraschallwelle
ist, die von dem piezoelektrischen Vibrationselement
(3) erzeugt wird.
6. Ultraschallsensor nach Anspruch 5, bei dem ein Abstand
zwischen einem Abschnitt des Temperaturkompensati
onskondensators (5; 10; 11), der am weitesten von dem
piezoelektrischen Vibrationselement (3) beabstandet
ist, und dem piezoelektrischen Vibrationselement (3)
weniger als etwa λ/4 in der Ausbreitungsrichtung der
Ultraschallwelle beträgt.
7. Ultraschallsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei
dem ein Abstand zwischen einem Abschnitt des Tempera
turkompensationskondensators (5; 10; 11), der am wei
testen von dem piezoelektrischen Vibrationselement (3)
beabstandet ist, und dem piezoelektrischen Vibrations
element (3) weniger als etwa λ/4 in einer Ausbrei
tungsrichtung eine Ultraschallwelle beträgt, wobei λ
eine Wellenlänge einer Ultraschallwelle ist, die durch
das piezoelektrische Vibrationselement (3) erzeugt
wird.
8. Ultraschallsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei
dem der Temperaturkompensationskondensator (5) eine im
wesentlichen rechtwinklige Form aufweist.
9. Ultraschallsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei
dem der Temperaturkompensationskondensator (10; 11)
eine im wesentlichen kreisförmige Form aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05349497A JP3233059B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 超音波センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19808994A1 DE19808994A1 (de) | 1998-10-08 |
DE19808994C2 true DE19808994C2 (de) | 2002-05-29 |
Family
ID=12944398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19808994A Expired - Fee Related DE19808994C2 (de) | 1997-03-07 | 1998-03-03 | Ultraschallsensor mit Temperaturkompensationskondensator |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5987992A (de) |
JP (1) | JP3233059B2 (de) |
DE (1) | DE19808994C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006008718A1 (de) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Volkswagen Ag | Ultraschallsensormodul |
DE10341900B4 (de) * | 2002-09-10 | 2011-06-16 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Ultraschallsensor |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19914411A1 (de) * | 1999-03-30 | 2000-10-12 | Bosch Gmbh Robert | Piezoelektrischer Aktor |
JP3324593B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2002-09-17 | 株式会社村田製作所 | 超音波振動装置 |
DE10113802B4 (de) * | 2001-03-21 | 2007-10-18 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Ansteuern eines piezoelektrischen Stellgliedes |
DE10159679A1 (de) * | 2001-11-30 | 2003-06-12 | Valeo Schalter & Sensoren Gmbh | Ultraschallsensoreinheit und Verfahren zur Herstellung |
SE0200184D0 (sv) * | 2002-01-24 | 2002-01-24 | Siemens Elema Ab | Acoustic Gas Meter |
US6617175B1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-09-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Infrared thermopile detector system for semiconductor process monitoring and control |
DE10223553B4 (de) * | 2002-05-27 | 2004-08-05 | Siemens Ag | Verfahren zur Ansteuerung eines Aktors und zugehörige Steuereinrichtung |
JP4377666B2 (ja) | 2003-12-04 | 2009-12-02 | ニスカ株式会社 | シート供給装置並びに画像読取装置 |
JP4381133B2 (ja) | 2003-12-24 | 2009-12-09 | ニスカ株式会社 | シート供給装置及びこれを用いた画像読取装置 |
JP2006135573A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Nippon Ceramic Co Ltd | 超音波送受波器 |
US7307373B2 (en) * | 2005-08-12 | 2007-12-11 | Daniel Measurement And Control, Inc. | Transducer assembly for an ultrasonic fluid meter |
US7837749B2 (en) * | 2006-06-28 | 2010-11-23 | General Electric Company | System and method for monitoring impact machinery |
ITMO20060361A1 (it) * | 2006-11-07 | 2008-05-08 | Meta System Spa | Dispositivo sensore, particolarmente per applicazioni in sistemi di assitenza al parcheggio, anti-intrusione od altro |
JP2008311736A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Mitsumi Electric Co Ltd | 超音波センサ |
JP2009104493A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Nohmi Bosai Ltd | 光電式分離型感知器 |
JP2009152723A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Nippon Ceramic Co Ltd | 可変トランスを内蔵した超音波センサ |
TW201033050A (en) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | shi-xiong Li | Anti-EMI ultrasonic probe |
JP5195587B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-05-08 | 株式会社デンソー | 超音波センサ |
GB2469867A (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-03 | Shih-Hsiung Li | Ultrasonic transducer with electromagnetic interference (EMI) shield |
JP2011239089A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Denso Corp | 超音波センサ、その調整方法、及びその製造方法 |
JP2012021782A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Panasonic Corp | 超音波流量計測ユニット |
JP2012198106A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | 超音波センサ |
JP2012229990A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Panasonic Corp | 超音波センサ |
KR20120136655A (ko) * | 2011-06-09 | 2012-12-20 | 삼성전기주식회사 | 초음파 센서 |
KR20130013431A (ko) * | 2011-07-28 | 2013-02-06 | 삼성전기주식회사 | 초음파 센서 |
KR20130020331A (ko) * | 2011-08-19 | 2013-02-27 | 삼성전기주식회사 | 초음파 센서 |
KR20130051282A (ko) * | 2011-11-09 | 2013-05-20 | 삼성전기주식회사 | 초음파센서 |
TWI456168B (zh) | 2012-02-21 | 2014-10-11 | 組裝模組、超聲波感測裝置及其製造方法 | |
US20140086013A1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-03-27 | Jeong Min Lee | Method for an equivalent circuit parameter estimation of a transducer and a sonar system using thereof |
DE102012222239A1 (de) | 2012-12-04 | 2014-06-05 | iNDTact GmbH | Messeinrichtung und Bauteil mit darin integrierter Messeinrichtung |
US9103905B2 (en) * | 2012-12-12 | 2015-08-11 | Agency For Defense Development | Sonar system and impedance matching method thereof |
CN105531068B (zh) * | 2013-09-17 | 2018-11-23 | Abb瑞士股份有限公司 | 带有颗粒捕集的用于超声波焊接的方法 |
US9255034B1 (en) | 2014-09-15 | 2016-02-09 | Hyundai Motor Company | Dielectric material for temperature compensation and method of preparing the same |
CN104535988A (zh) * | 2014-12-05 | 2015-04-22 | 常州波速传感器有限公司 | 一种超声波传感器 |
GB2536723A (en) * | 2015-03-27 | 2016-09-28 | Bae Systems Plc | Acoustic Transducer |
EP3274104B1 (de) | 2015-03-27 | 2019-06-26 | BAE Systems PLC | Akustischer wandler |
CN106908799A (zh) * | 2015-12-23 | 2017-06-30 | 法雷奥汽车内部控制(深圳)有限公司 | 一种超声波传感器 |
GB2547284B (en) * | 2016-02-15 | 2019-11-06 | Ft Tech Uk Ltd | Acoustic resonator sensor for determining temperature |
GB2567188A (en) | 2017-10-05 | 2019-04-10 | Ft Tech Uk Ltd | Fluid flow measuring device and associated method |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594331A1 (de) * | 1992-10-19 | 1994-04-27 | Oki Ceramic Industry Co., Ltd. | Piezoelektrischer Sensor |
DE29509574U1 (de) * | 1995-06-12 | 1996-07-11 | Siemens Ag | Schallwandler |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3390286A (en) * | 1966-03-29 | 1968-06-25 | Cons Electrodynamics Corp | Hermetically sealed instrument transducer with external sensitivity selection |
US3400284A (en) * | 1966-07-14 | 1968-09-03 | Cons Electrodynamics Corp | Piezoelectric accelerometer |
US3831111A (en) * | 1973-08-06 | 1974-08-20 | Gen Electric | Temperature compensator for a crystal oscillator |
US3967143A (en) * | 1974-10-10 | 1976-06-29 | Oki Electric Industry Company, Ltd. | Ultrasonic wave generator |
GB2063603B (en) * | 1979-10-05 | 1983-10-05 | Seikosha Kk | Frequency controlled oscillator circuit |
JPS59181585A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Toshiba Corp | 変位発生装置 |
FR2621187A1 (fr) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Cepe | Oscillateur piezoelectrique compense en temperature |
EP0646798B1 (de) * | 1991-09-24 | 2001-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Beschleunigungsmessaufnehmer |
JPH085654A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 加速度センサ |
US5608359A (en) * | 1995-10-10 | 1997-03-04 | Motorola, Inc. | Function-differentiated temperature compensated crystal oscillator and method of producing the same |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP05349497A patent/JP3233059B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-13 US US09/006,286 patent/US5987992A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-03 DE DE19808994A patent/DE19808994C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594331A1 (de) * | 1992-10-19 | 1994-04-27 | Oki Ceramic Industry Co., Ltd. | Piezoelektrischer Sensor |
DE29509574U1 (de) * | 1995-06-12 | 1996-07-11 | Siemens Ag | Schallwandler |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10341900B4 (de) * | 2002-09-10 | 2011-06-16 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Ultraschallsensor |
DE102006008718A1 (de) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Volkswagen Ag | Ultraschallsensormodul |
DE102006008718B4 (de) * | 2006-02-24 | 2017-05-18 | Volkswagen Ag | Ultraschallsensormodul |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5987992A (en) | 1999-11-23 |
DE19808994A1 (de) | 1998-10-08 |
JPH10257595A (ja) | 1998-09-25 |
JP3233059B2 (ja) | 2001-11-26 |
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