DE19755967C2

DE19755967C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Tiefenprofilanalyse von oberflächennahen, dünnen Schichten in Siliciumscheiben

Info

Publication number: DE19755967C2
Application number: DE1997155967
Authority: DE
Inventors: Reinhold Klockenkaemper; Alex Von Bohlen
Original assignee: GES FOERDERUNG SPEKTROCHEMIE
Current assignee: GES FOERDERUNG SPEKTROCHEMIE
Priority date: 1997-12-16
Filing date: 1997-12-16
Publication date: 2000-12-28
Anticipated expiration: 2017-12-17
Also published as: DE19755967A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Tiefenprofilanalyse von oberflächennahen, dünnen Schichten in Siliciumscheiben nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 und eine Vor richtung zur Tiefenprofilanalyse von oberflächennahen, dünnen Schichten in Siliciumscheiben nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 6.

Die Aufnahme von Tiefenprofilen erfordert die Bestimmung der Konzentration von sogenannten Fremdelementen in Abhängigkeit vom Abstand zur Oberfläche, d. h. in Schichten mit einer be stimmbaren Tiefe. Dies ist eine wichtige Aufgabe in der Ana lytik von oberflächennahen Schichten, insbesondere in dünnen Scheiben aus Silicium, z. B. in sogenannten Siliciumwafern. Schichten mit einer Tiefe von ca. 10 bis 1.000 nm können durch bisher bekannte und verbreitete Verfahren, wie z. B. Rutherford Backscattering (RBS), Sekundärionen-Massenspek trometrie (SIMS), Sekundärneutralteilchen-Massenspektrome trie (SNMS), X-Ray Photoelectronspektroscopy (XPS) oder Auger-Elektronenspektrometrie (AES) charakterisiert werden, siehe auch "Fundamendals of Surface and Thin Film Analysis", L. C. Feldmann, J. W. Mayer; PTR Prentice Hall (1986).

Diese bekannten Verfahren der Dünnschichtanalytik haben alle den Nachteil, dass sie sehr schwierig zu quantifizieren sind, eigentlich wären zertifizierte Referenz- oder Kali brierproben notwendig, die in ihrer chemischen Zusammen setzung und in ihren physikalischen Eigenschaften der zu untersuchenden Probe weitgehend ähnlich sein müßten. Da solche Referenz- oder Kalibrierproben im allgemeinen nicht erhältlich sind, begnügt man sich mit Reinst-Standardproben, die aber grundsätzlich nicht gut geeignet sind, weil häufig sogenannte Matrix-Effekte die Richtigkeit der Quantifizie rung beeinträchtigen. Die Rückführbarkeit der Messgrößen auf Basiseinheiten des sogenannten "Systeme International" ist deshalb unsicher und somit werden Forderungen der Qualitäts sicherung, die in den Normen DIN-EN 45.000 und Isoguide 25 genannt werden, selten erfüllt.

Ein weiterer Nachteil dieser bekannten Verfahren besteht darin, dass sehr dünne Schichten mit einer Dicke unter ca. 10 nm nicht mehr analysiert werden können. Es ist auch nach teilig, dass die obengenannten Verfahren einen großen appa rativen Aufwand erfordern, der u. a. durch die Notwendigkeit eines Ultrahochvakuums (UHV) bedingt wird.

Aus der Druckschrift A. Matsubara et al. Ultra-Shallow Depth Profiling of Arsenic Implants in Silicon by Hydride Genera tion-Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectro metry, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 34 (1995) pp. 3965-3969 Part 1, No. 8A, August 1995 ist ein Verfahren mit den wesentli chen Merkmalen des Oberbegriffes des Patentanspruches 1 be kannt. Mit diesem Verfahren ist vorgesehen, Siliciumscheiben mit einem Durchmesser von 4 inch (10 cm) und einer Fläche von ca. 80 cm² zu verwenden, um eine ausreichende Empfind lichkeit zu erreichen, um auch Konzentrationen von ca. 10¹⁸/cm³ nachzuweisen. Diese (relativ) großen Scheiben müssen dabei von einer speziellen Vorrichtung gehalten werden. Nach der Oxidation in dieser Vorrichtung erfolgt eine Ätzung der Oxidationsschicht mit einer relativ großen Menge an Ätzlö sung, die ml-Mengen benötigt. Anschließend erfolgt eine Be stimmung der Dicke der abgeätzten Siliciumschicht durch eine Siliciumbestimmung der Ätzlösung. Eine solche analytische Bestimmung von Silicium ist aufwendig, sie benötigt Kali brier-Standards, ist nicht direkt auf eine Basiseinheit zu rückzuführen und ist ungenau. Desweiteren ist dieses Verfah ren nur für einige wenige Fremdelemente geeignet, insbeson dere für die Übergangsmetalle ist es nicht geeignet.

Aus JP-Abstr. 1-236633 (A) in Pat. Abstr. of JP E-861 Dec. 15, 1989 Vol. 13/No. 568 ist ein Verfahren bekannt, bei dem ein Wafer schrittweise abgeätzt wird, wobei nach jedem Schritt seine Masse per Waage bestimmt wird. Bei Erreichen eines spezifischen Wertes für die Masse wird der Ätzprozess beendet. Es wird jedoch kein Konzentrationstiefenprofil auf genommen, d. h. es werden weder Fremdelemente im Wafer ermit telt, noch wird die Dicke oder Tiefe der abgeätzten Schich ten bestimmt.

Aus US-5,527,707 ist ein Verfahren bekannt, bei dem eine Oxidschicht an der Oberfläche eines Siliciumwafers durch HF- Dampf abgeätzt wird. Verunreinigungen in der Oxidschicht werden dann in Tröpfchen des kondensierten Dampfes durch Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse ermittelt. Es wird jedoch kein Konzentrations-Tiefenprofil aufgenommen, es erfolgt weder eine Quantifizierung, noch eine Dicken- oder Tiefenbestimmung durch Wägung.

Aus JP-Abtr. 090 26 401 A ist ein Verfahren bekannt, bei dem die gesamte Siliciumscheibe in Säure aufgelöst wird. Nach Zugabe von Schwefelsäure bestimmt man ungelöste Verun reinigungen der Oberfläche und des Substrates durch Total reflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse. Es wird kein Tiefen profil aufgenommen, es werden nur unlösliche Verunreinigun gen in und auf dem Wafer als Ganzes bestimmt.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vor richtung zu schaffen, die eine Aufnahme von Tiefenprofilen in Siliciumscheiben mit sehr guter Quantifizierbarkeit und ohne störende Matrixeffekte ermöglicht und die auch noch einzelne, sehr dünne oberflächennahe Schichten erfassen kann und dazu einen relativ geringen apparativen Aufwand erfor dert.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs bezeich neten Art mit den kennzeichnenden Merkmalen des Patentan spruches 1 gelöst.

Bei einem solchen Verfahren ist zur Tiefenprofilanalyse nur ein kleines, vorzugsweise rechteckiges Teilstück einer Sili ciumscheibe mit einer Fläche von nur einigen cm² notwendig. Es hat sich herausgestellt, dass das Verfahren hinreichend empfindlich ist, um noch Konzentrationen von 10¹⁸/cm³ nachzu weisen. Bei Verwendung ganzer Siliciumscheiben mit einer Fläche von ca. 80 cm² können mit dem Verfahren sogar noch ca. 50mal niedrigere Konzentrationen nachgewiesen werden. Ge genüber dem bekannten Verfahren benötigt das erfindungsge mäße Verfahren zur Ätzung jeweils nur einen einzigen Tropfen einer Ätzlösung (etwa 20 µl), was vorteilhaft sowohl hin sichtlich Kosten und Handhabung als auch Arbeits- und Um weltschutz ist. Die erfindungsgemäß vorgesehene Dickenbe stimmung der Oxidschicht durch Differenzwägung läßt sich gegenüber dem bekannten Verfahren wesentlich einfacher und vor allem genauer durchführen und ist direkt auf die Basis einheit Meter zurückzuführen. Von wesentlichem weiteren Vor teil bei diesem Verfahren ist, dass es sich auf fast alle Fremdelemente in Silicium anwenden läßt, nur die leichten Elemente mit Ordnungszahlen < 14, d. h. H bis Al, sind nicht gut nachzuweisen oder ausgenommen.

In ganz besonders vorteilhafter Ausgestaltung ist vorge sehen, dass die den Tropfen verdünnter Flusssäure von oben berührende Siliciumscheibe gegenüber dem Tropfen bewegt wird.

In vorteilhafter Ausgestaltung ist vorgesehen, dass anstelle der Ätzlösung die abgeätzte Siliciumscheibe spektrometrisch analysiert und die Konzentration der Fremdelemente in der obersten Schicht ermittelt wird. Zusätzlich oder alternativ kann dann auch eine direkte Analyse der frisch abgeätzten Siliciumoberfläche erfolgen, wobei eine zusätzliche Analyse eine Kontrolle der erstgenannten Analyse bei nicht flüchti gen Analyten ermöglicht. Bei flüchtigen Analyten stellt dies eine Alternative für den quantitativen Nachweis dar. Eine direkte Analyse der frisch abgeätzten Oberfläche ist noch einfacher und schneller durchzuführen als die Analyse der Ätzlösungen und kann in jedem Falle - auch bei flüchtigen Analyten - durchgeführt werden. Sie ergibt eine Informa tionstiefe von ca. 3 nm, über die Ätzlösung kann eine Infor mationstiefe von besser als 1 nm erreicht werden. Die Tie fenauflösung kann in beiden Fällen besser als 1 nm sein.

Vorzugsweise wird zur spektrometrischen Analyse die Methode der Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse verwendet.

Diese Methode ist eine mikroanalytische Methode, die zur Spurenanalyse nur µl-Lösungen benötigt. Sie ist einfach und zuverlässig sowie genau und richtig.

In Ausgestaltung ist vorgesehen, dass nur ein kleines Teil stück einer Siliciumscheibe analysiert wird.

Die Oxidation kann grundsätzlich chemisch und/oder physika lisch durchgeführt werden. So kann eine physikalische Oxida tion in einem Sauerstoffplasma anstelle einer chemischen Oxidation in einer H₂O₂-Lösung durchgeführt werden. Die physikalische Oxidation erlaubt gröbere, d. h. schnellere Schritte in die Tiefe; das ist bei Schichten, die dicker als 10 nm sind, von Vorteil.

Zur Lösung der eingangs gestellten Aufgabe sieht die Erfin dung auch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Patentan spruches 7 vor. Vorteilhafte Ausgestaltungen dieser Vorrich tung sind in den Unteransprüchen 8 bis 11 angegeben.

Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbeispieles beschrieben. Drei nachfolgende schematische Zeichnungen zei gen:

Fig. 1 die Einrichtung zum Abätzen einer oxidierten Schicht an der Oberfläche einer Siliciumscheibe mit Hilfe eines Tropfens verdünnter Flußsäure, sowie

Fig. 2 die Einrichtung zum Spülen der Oberfläche der abgeätzten Siliciumscheibe mit einem Tropfen hochreinen Wassers, sowie

Fig. 3 die Einrichtung zur Halterung eines rechteckigen oder quadratischen Teilstückes einer Siliciumscheibe in einem kreisrunden Plexiglashalter und zur Einbringung in ein Totalreflexions- Röntgenfluoreszenzspektrometer. Oben: Aufsicht; unten: Querschnitt.

Das Ausführungsbeispiel wird in acht Einzelschritten (1) bis (8) dargelegt:

1. Das zu untersuchende Objekt 1 besteht aus einer ganzen Siliciumscheibe oder aus einem rechteckigen oder quadratischen Teilstück davon; es weist unter der Oberfläche der zu untersuchenden Seite 2 mindestens ein Fremdelement auf. Das Objekt wird zunächst durch eine chemische oder physikalische Einrichtung oder ein Verfahren in einer obersten, sehr dünnen Schicht oxidiert. Grundsätzlich sind zur erfindungsgemäßen Oxidation chemische als auch physikalische Verfahren bzw. Einrichtungen möglich. Beispielsweise eignet sich das Eintauchen des Objektes 1 in eine Lösung von Wasserstoffperoxid (H₂O₂) oder das Einwirken eines Sauerstoffplasmas auf das Objekt 1. Es bildet sich eine Oxidschicht 3 mit einer Dicke von der Größenordnung einiger Nanometer; die Dicke kann durch Variation der Oxidationsdauer vorgewählt werden.
Da die Oxidation von oberflächennahen Schichten auf Silicium grundsätzlich im Stand der Technik bekannt ist, wird hier nicht weiter darauf eingegangen.
2. Die Oxidschicht an der Oberfläche der Seite 2 des Objektes 1 wird durch hochreine, verdünnte Flußsäure, z. B. durch Suprapur® mit 4% Fluorwasserstoff (HF) abgeätzt. Das geschieht dadurch, daß zunächst ein Tropfen 4 der Flußsäure auf einen Plexiglasträger 5 pipettiert wird. Die Scheibe wird dann, von einer Ansaugeinrichtung 6 gehalten, mit Hilfe einer Bewegungseinrichtung 7 parallel zur Ebene des Plexiglasträgers 5 über dem aufliegenden Tropfen 4 bei leichter Berührung desselben bewegt. Die Bewegung erfolgt spiralförmig, sodaß die Oxidschicht 3 vom äußeren Rand des Objektes 1 bis in das Zentrum komplett abgeätzt wird. Die gesamte Vorrichtung ist in Fig. 1 beschrieben.
Das unter der Oxidschicht liegende reine Silicium wird durch Flußsäure nicht abgeätzt. Deshalb wird der Ätzvorgang nach Abtrag der Oxidschicht auf natürliche Weise gestoppt, und eine zeitliche Beschränkung der Ätzdauer ist nicht erforderlich.
Da die Ansaug- und Bewegungseinrichtungen 6 und 7 grundsätzlich im Stand der Technik bekannt sind, wird hier nicht weiter darauf eingegangen.
3. Danach wird das Objekt 1 mit der Seite 2 nach oben gedreht. Mit Hilfe einer Spül- und Saugeinrichtung 8 wird das Objekt 1 mit einem Tropfen 9 hochreinen Wassers, z. B. aus einer Deionisationsanlage, gespült. Dazu wird dieser Tropfen 9 spiralförmig über die Oberfläche der Seite 2 geführt, sodaß er die Oberfläche komplett benetzt. Dieser Vorgang ist in Fig. 2 demonstriert. Anschließend wird der Wassertropfen 9 mit Hilfe der Spül- und Saugeinrichtung 8 dem Säuretropfen 4 auf dem Plexiglasträger 5 zugefügt, und diese Ätzlösung wird im Schritt (5) spektrometrisch untersucht.
Da die Spül- und Saugeinrichtung 8 grundsätzlich im Stand der Technik bekannt ist, wird hier nicht weiter darauf eingegangen.
4. Das Objekt 1 wird nach der Oxidation sowohl vor und nach dem Ätzen mit Flußsäure auf einer Mikrowaage gewogen. Die Differenz der Wägungen ergibt die Masse der oxidierten und abgeätzten Schicht. Ein bestimmter, berechenbarer Teil davon ergibt die Masse des abgeätzten Siliciums. Division dieses Wertes durch die Masse des ursprünglichen Objektes und Multiplikation mit seiner ursprünglichen Dicke ergibt die Dicke der abgeätzten Siliciumschicht.
Da eine Mikrowaage und ihre Verwendung grundsätzlich im Stand der Technik bekannt sind, wird hier nicht weiter darauf eingegangen
5. Die Ätzlösung, die jetzt das abgeätzte Siliciumoxid sowie das abgeätzte Fremdelement oder sein Oxid enthält, wird mit Hilfe der spektrometrischen Methode der Totalreflexions-Röntgen fluoreszenzanalyse (TRFA) untersucht. Dazu wird der Ätzlösung auf dem Plexiglasträger 5 eine zertifizierte Standardlösung eines nicht im Objekt 1 enthaltenen Elementes zugegeben. Die dotierte Ätzlösung wird durch Bestrahlung mit Infrarotlicht eingetrocknet. Der Trocknungsrückstand auf dem Plexiglasträger 5 wird in ein zur TRFA geeignetes Spektrometer eingeführt, ein Spektrum aufgenommen und durch eine Routinerechnung ausgewertet. Dabei dient das der Ätzlösung hinzugefügte Element als sog. interner Standard. Man erhält die Masse des abgeätzten Fremdelementes der Ätzlösung mit der Einheit Nanogramm.
Aufbau und Wirkungsweise eines Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektrometers sind grudsätzlich bekannt. Deshalb wird hier nicht weiter darauf eingegangen.
Es ist grundsätzlich möglich, das erfindungsgemäße Verfahren mit einer anderen geeigneten spektrometrischen Analysenmethode durchzuführen. Es ist aber sehr vorteilhaft, die Methode der Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse zu wählen.
6. Die so erhaltene Masse des Fremdelementes in der Ätzlösung wird zur Masse des abgeätzten Siliziums (s. unter (4)) ins Verhältnis gesetzt. Dieses sog. "Massenverhältnis" kann mit der als bekannt vorausgesetzten oder berechenbaren Dichte der ursprünglichen Schicht des Objektes multipliziert werden und ergibt die sog. "Volumenkonzentration". Man kann weiter mit der sog. Loschmidt-Zahl multiplizieren und durch die relative Atommasse des Fremdelementes dividieren und erhält so die sog. "Atomzahldichte". Man kann auch das Massenverhältnis durch das Verhältnis der relativen Atommassen von Fremdelement und Silicium dividieren und erhält dann das sog. "Atomzahlverhältnis". Die vier Größen Massenverhältnis, Volumenkonzentration, Atomzahldichte und Atomzahlverhältnis sind äquivalente Größen für die Elementkonzentration.
7. Der Prozess mit den Schritten (1) bis (6) wird mehrfach nacheinander wiederholt. Dabei wird die Tiefe der letzten abgeätzten und analysierten Schicht unter der ursprünglichen Oberfläche des Objektes 1 durch Aufsummierung der Dicken aller vorher bereits abgeätzten Schichten ermittelt. Ein Auftrag einer der unter (6) genannten äquivalenten Größen in Abhängigkeit von der Tiefe der jeweiligen Schicht ergibt das gesuchte Tiefenprofil für das nachzuweisende Fremdelement.

Falls sich das Fremdelement b im Eintrocknen der Ätzlösung - s. unter (5) - auf dem Plexiglasträger 5 verflüchtigt, muß der Schritt (5) durch den nachfolgend beschriebenen Schritt (8) ersetzt werden. Für nicht-flüchtige Elemente kann der Schritt (8) zusätzlich zum Schritt (5) ausgeführt werden. Dann erhält man ein weiteres Tiefenprofil, das dem unter (7) erwähnten Tiefenprofil äquivalent ist. Als Objekte sind allerdings nur weitgehend glatte Siliciumscheiben mit einer geringen Rauhigkeit geeignet, z. B. polierte Siliciumscheiben oder sog. Siliciumwafer. Ihre Rauhigkeit wird durch das Ätzen nicht wesentlich vergrößert.

1. Das abgeätzte, aber dennoch glatte Objekt 1 wird in die Probenkammer eines TRFA- Spektrometers gegeben. Ganze Siliciumscheiben können direkt in einen dafür vorgesehenen Probenhalter gelegt werden; rechteckige oder quadratische Teilstücke werden in einen kreisrunden Plexiglashalter 10 gemäß Fig. 3 gelegt. Von dem Objekt 1 wird ein Spektrum aufgenommen und durch eine Routinerechnung ausgewertet. Man erhält direkt, d. h. ohne Nutzung eines internen oder externen Standards, das Massenverhältnis des gesuchten Fremdelementes und des Siliciums in der von der primären Röntgenstrahlung bei Totalreflexion erfaßten obersten Schicht des Objektes 1. Die Dicke dieser Schicht beträgt unabhängig von der Art der primären Röntgenstrahlung ca. 3 Nanometer. Wie unter (6) beschrieben, lassen sich aus dem Massen verhältnis die weiteren drei äquivalenten Größen für die Elementkonzentration berechnen. Wie unter (7) beschrieben, wird der Prozess mit den Schritten (1) bis (4) und dem Schritt (8) anstelle von (5) mehrfach nacheinander angewendet, sodaß sich ein weiteres komplettes Tiefenprofil ergibt.

Bezugszeichenliste

1

Objekt

2

zu untersuchende Seite

3

Oxidschicht

4

Tropfen hochreiner verdünnter Flußsäure

5

Plexiglasträger

6

Ansaugeinrichtung

7

Bewegungseinrichtung

8

Spül- und Saugeinrichtung

9

Tropfen hochreinen Wassers

10

Plexiglashalter

Claims

1. Verfahren zur Tiefenprofilanalyse von oberflächennahen, dünnen Schichten in Siliciumscheiben, bei welchem

a) die Siliciumscheibe an der zu untersuchenden Seite oxidiert wird, wobei aus einer dünnen oberflächennahen Siliciumschicht eine dünne Oxidschicht entsteht,
b) diese Oxidschicht mit verdünnter Flusssäure abgeätzt wird,
c) die Dicke der Oxidschicht und damit der ursprünglichen Siliciumschicht ermittelt wird,
d) die Ätzlösung spektrometrisch analysiert wird und so die Konzentration von Fremdelementen in der Schicht ermittelt wird,
e) die Schritte a) bis d) mehrfach nacheinander wiederholt werden und so die Konzentration von Fremdelementen in Schichten mit bestimmbaren Tiefen unter der Oberfläche der Siliciumscheibe ermittelt wird,

dadurch gekennzeichnet, dass die im Schritt a) gebildete Oxidschicht durch Bewegen eines Tropfens verdünnter Flusssäure über die Oberfläche der Oxidschicht abgeätzt wird und dass nachfolgend die Dicke der Oxidschicht durch eine Differenzwägung der Siliciumscheibe vor und nach dem Abätzen ermittelt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die den Tropfen verdünnter Flusssäure von oben berüh rende Siliciumscheibe gegenüber dem Tropfen bewegt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass anstelle der Ätzlösung die abgeätzte Siliciumscheibe spektrometrisch analysiert und die Konzentration der Fremdelemente in der obersten Schicht ermittelt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass zur spektrometrischen Analyse die Methode der Totalre flexions-Röntgenfluoreszenzanalyse verwendet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass nur ein kleines Teilstück einer Siliciumscheibe analy siert wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidation chemisch und/oder physikalisch durchge führt wird.

7. Vorrichtung zur Tiefenprofilanalyse von oberflächennahen dünnen Schichten in Siliciumscheiben zur Durchführung des Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Oxidation der Siliciumscheibe (1), durch Einrichtungen (6 und 7) zum Bewegen eines Tropfens verdünnter Flusssäure über die Oxidschicht zum Abätzen der Oxidschicht, durch eine Einrichtung zur Differenzwägung und durch eine spektrometrische Einrichtung, in welche die Ätzlösung zur Analyse bzw. zur Konzentrationsbestimmung einbringbar ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtungen (6 und 7) zur Halterung und Bewegung der Siliciumscheibe (1) über den darunter befindlichen Tropfen (4) ausgebildet sind.

9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, gekennzeichnet durch eine spektrometrische Einrichtung, in welche anstelle der Ätzlösung die abgeätzte Siliciumscheibe zur Oberflächen analyse bzw. zur Konzentrationsbestimmung in der obersten Schicht einbringbar ist.

10. Vorrichtung nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Halterung eines rechteckigen oder qua dratischen Teilstückes einer Siliciumscheibe.

11. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die spektrometrische Einrichtung ein Totalreflexions- Röntgenfluoreszenzspektrometer ist.