DE19737379A1 - Integrierte Mikrowellenschaltung - Google Patents
Integrierte MikrowellenschaltungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine inte
grierte Mikrowellen-/Millimeterwellenschaltung (hiernach
einfach als integrierte Mikrowellenschaltung bezeichnet)
unter Verwendung eines Halbleitersubstrats. Insbesondere
bezieht sich die Erfindung auf eine integrierte Mikrowel
lenschaltung, welche zum Ändern einer Schaltungscharakteri
stik in Abhängigkeit des Vorhandenseins oder Fehlens einer
Verbindung mittels eines Drahts ohne Ändern der Konfigura
tion einer Elektrode geeignet ist.
Eine integrierte Mikrowellenschaltung, welche Mikrowel
len oder Millimeterwellen verwendet und auf einem Halblei
tersubstrat gebildet ist, ist aus einer eigenleitenden
Übertragungsleitung und einer Elektrodenstruktur zusammen
gesetzt, welche jeweils auf einen optimalen Zustand bezüg
lich einer Entwurfsfrequenz, eines Entwurfsparameters eines
Halbleiterbauelements, einer Schaltungskonstruktion oder
dergleichen eingestellt sind. Dies liegt daran, daß, da die
Länge einer die Schaltung bildenden Metallverdrahtung etwa
gleich einer Wellenlänge von zu übertragenden elektroni
schen Wellen bestimmt ist, die Impedanz der Schaltung durch
die Änderung der Länge der Übertragungsleitung und die Än
derung der Konfiguration der Elektrodenstruktur sich än
dert, so daß eine Frequenz, bei welcher eine vorbestimmte
Charakteristik erzielt wird, sich ändert. Daher wird eine
herkömmliche integrierte Mikrowellenschaltung individuell
strukturiert und hergestellt, wenn die zu verwendende Fre
quenz unterschiedlich ist. Des weiteren können als Ergebnis
der Technologieentwicklung in den vergangenen Jahren Mikro
wellen und Millimeterwellen relativ leicht verwendet wer
den, und in jedem Land wurden intensive Studien bezüglich
der Anwendung von Mikrowellen und Millimeterwellen
(hiernach als Mikrowellen bezeichnet) auf verschiedene Vor
richtungen durchgeführt.
Jedoch wird die Frequenz (das Frequenzband) der Mikro
wellen, welche bei den jeweiligen Vorrichtungen verwendet
wird, in jedem Land durch die Regierung oder ähnliche In
stitutionen individuell zugewiesen, beispielsweise wird für
Radarsysteme zur Verhinderung von Fahrzeugkollisionen in
Japan ein Frequenzband von 60 GHz und in Amerika und Europa
von 77 GHz zugewiesen. Es ist daher nötig, integrierte
Mikrowellenschaltungen bezüglich unterschiedlicher Länder
und unterschiedlicher Vorrichtungen zu entwerfen und herzu
stellen.
Da es nötig gewesen ist, eine Forschung über eine Ent
wicklung von integrierten Mikrowellenschaltungen bezüglich
dieser unterschiedlicher Frequenzen zu betreiben, tritt die
Schwierigkeit auf, daß eine große Entwicklungszeitdauer und
viel Entwicklungspersonal benötigt werden und die Entwick
lungskosten hoch werden. Da Mikrowellenschaltungen für je
weilige Frequenzen zur Erprobung entworfen und hergestellt
worden sind und bezüglich der jeweiligen Frequenzbänder ge
bildet worden sind, tritt die Schwierigkeit auf, daß die
entsprechenden Herstellungskosten hoch werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die oben
dargestellten Schwierigkeiten zu lösen und eine integrierte
Mikrowellenschaltung zu schaffen, bei welcher die Entwick
lungskosten und die Herstellungskosten minimiert sind.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale des
Anspruchs 1.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung wird eine inte
grierte Mikrowellenschaltung bereitgestellt, welche unter
Verwendung derselben Elektrodenstruktur gebildet ist und
geeignet ist zum Ändern einer Betriebsfrequenz in Abhängig
keit davon, ob die Elektrodenstruktur an einer vorbestimm
ten Position mit einem Erdungsleiter unter Verwendung von
Drahtbonden verbunden ist oder nicht.
D.h. entsprechend der vorliegenden Erfindung wird eine
integrierte Mikrowellenschaltung bereitgestellt, welche bei
einer vorbestimmten ersten Frequenz betrieben wird, mit:
einer Übertragungsleitung, die sich aus einer Elektrode mit einer vorbestimmten Konfiguration zusammensetzt, welche auf einem Halbleitersubstrat gebildet ist und als Blind- bzw. Stichleitung mit offenem Ende arbeitet; und
einer End- bzw. Erdungsleitung, die auf einem dielek trischen Substrat gebildet ist, wobei die Stichleitung mit dem offenen Ende in der Nähe der Erdungsleitung versehen ist und ein Teil des sich anschließenden Teils mit dem Er dungsleiter verbunden ist, wodurch es der Schaltung ermög licht wird, bei einer zweiten Frequenz betrieben zu werden, welche sich von der ersten Frequenz unterscheidet.
einer Übertragungsleitung, die sich aus einer Elektrode mit einer vorbestimmten Konfiguration zusammensetzt, welche auf einem Halbleitersubstrat gebildet ist und als Blind- bzw. Stichleitung mit offenem Ende arbeitet; und
einer End- bzw. Erdungsleitung, die auf einem dielek trischen Substrat gebildet ist, wobei die Stichleitung mit dem offenen Ende in der Nähe der Erdungsleitung versehen ist und ein Teil des sich anschließenden Teils mit dem Er dungsleiter verbunden ist, wodurch es der Schaltung ermög licht wird, bei einer zweiten Frequenz betrieben zu werden, welche sich von der ersten Frequenz unterscheidet.
Des weiteren kann entsprechend der vorliegenden Erfin
dung die oben erwähnte zweite Frequenz auf eine gewünschte
Frequenz durch Bilden eines ersten Teils eingestellt wer
den, welches eine vorbestimmte Länge von dem Endteil der
Elektrode aufweist, welche die oben erwähnte Stichleitung
in der Nähe zu dem oben erwähnten Erdungsleiter und daran
entlang bildet, und durch Verbinden der Elektrode mit dem
Erdungsleiter an einer vorbestimmten Position des ersten
Teils.
Des weiteren ist entsprechend der vorliegenden Erfin
dung vorzugsweise ein Kondensator zum Verhindern eines
Gleichstroms zwischen der Elektrode und dem Erdungsleiter
auf einem Teil der Elektrode vorgesehen, welche die oben
erwähnte Stichleitung bildet.
Des weiteren kann entsprechend der vorliegenden Erfin
dung das Verbindungsteil der Stichleitung mit dem Erdungs
leiter durch den Kondensator verbunden werden.
Des weiteren ist die integrierte Mikrowellenschaltung
einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dadurch
bestimmt, daß die integrierte Mikrowellenschaltung eine Os
zillationsmikrowellenschaltung aufweist mit:
einem Transistor mit drei Anschlüssen, nämlich einem ersten, einem zweiten und einem dritten Anschluß; und
einer Rückkopplungsübertragungsleitung, die mit dem oben erwähnten zweiten Anschluß verbunden ist;
wobei die Stichleitung mit dem oben erwähnten ersten Anschluß verbunden ist, so daß eine Oszillation mit der oben erwähnten ersten Frequenz auftritt, und die Elektrode, welche die oben erwähnte Stichleitung bildet, mit der oben erwähnten Erdungselektrode verbunden ist, wodurch es der Schaltung ermöglicht wird, mit der oben erwähnten zweiten Frequenz zu oszillieren.
einem Transistor mit drei Anschlüssen, nämlich einem ersten, einem zweiten und einem dritten Anschluß; und
einer Rückkopplungsübertragungsleitung, die mit dem oben erwähnten zweiten Anschluß verbunden ist;
wobei die Stichleitung mit dem oben erwähnten ersten Anschluß verbunden ist, so daß eine Oszillation mit der oben erwähnten ersten Frequenz auftritt, und die Elektrode, welche die oben erwähnte Stichleitung bildet, mit der oben erwähnten Erdungselektrode verbunden ist, wodurch es der Schaltung ermöglicht wird, mit der oben erwähnten zweiten Frequenz zu oszillieren.
Des weiteren ist bei der oben beschriebenen Mikrowel
lenschaltung die Elektrode, welche die oben erwähnte Stich
leitung bildet, mit dem oben erwähnten Erdungsleiter durch
eine Varaktordiode verbunden, wodurch es der Schaltung er
möglicht wird, die oben erwähnte zweite Frequenz zu ändern.
Des weiteren ist eine integrierte Mikrowellenschaltung
einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
dadurch bestimmt, daß die integrierte Mikrowellenschaltung
als Mikrowellenverstärkerschaltung ausgebildet ist, mit:
einem Transistor mit drei Anschlüssen, nämlich einem ersten, einem zweiten und einem dritten Anschluß, wobei der zweite Anschluß geerdet ist;
einer Eingangsanpassungsschaltung, welche mit dem oben erwähnten ersten Anschluß verbunden ist; und
einer Ausgangsanpassungsschaltung, welche mit dem oben erwähnten dritten Anschluß verbunden ist;
wobei die oben erwähnte Eingangsanpassungsschaltung und die oben erwähnte Ausgangsanpassungsschaltung jeweils die oben erwähnte Stichleitung mit offenem Ende enthält, um das Mikrowellensignal in dem ersten Frequenzbereich, welcher die oben erwähnte erste Frequenz beinhaltet, zu verstärken, und wobei dann, wenn jede Stichleitung mit dem Erdungslei ter verbunden ist, das Mikrowellensignal in dem zweiten Frequenzbereich verstärkt wird, welcher die oben erwähnte zweite Frequenz beinhaltet.
einem Transistor mit drei Anschlüssen, nämlich einem ersten, einem zweiten und einem dritten Anschluß, wobei der zweite Anschluß geerdet ist;
einer Eingangsanpassungsschaltung, welche mit dem oben erwähnten ersten Anschluß verbunden ist; und
einer Ausgangsanpassungsschaltung, welche mit dem oben erwähnten dritten Anschluß verbunden ist;
wobei die oben erwähnte Eingangsanpassungsschaltung und die oben erwähnte Ausgangsanpassungsschaltung jeweils die oben erwähnte Stichleitung mit offenem Ende enthält, um das Mikrowellensignal in dem ersten Frequenzbereich, welcher die oben erwähnte erste Frequenz beinhaltet, zu verstärken, und wobei dann, wenn jede Stichleitung mit dem Erdungslei ter verbunden ist, das Mikrowellensignal in dem zweiten Frequenzbereich verstärkt wird, welcher die oben erwähnte zweite Frequenz beinhaltet.
Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be
schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht, welche eine integrierte
Mikrowellenschaltung entsprechend einer ersten Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung darstellt.
Fig. 2 zeigt eine Draufsicht, welche die integrierte
Mikrowellenschaltung darstellt, wobei das Ende der Stich
leitung M3 geerdet ist.
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht, welche eine Modifizierung
der ersten Ausführungsform von Fig. 1 darstellt.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht, welche eine Modifizierung
darstellt, die sich von der Modifizierung von Fig. 3 unter
scheidet, welche die erste Ausführungsform von Fig. 1 dar
stellt.
Fig. 5 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand dar
stellt, bei welchem ein MIM-Kondensator auf der in Fig. 1
dargestellten Stichleitung M3 gebildet ist.
Fig. 6 zeigt eine Draufsicht, welche einen Zustand dar
stellt, bei welchem das Ende der in Fig. 5 dargestellten
Stichleitung M3 mit einem leitenden Metall 4 geerdet ist.
Fig. 7A zeigt einen Graphen, welcher eine Übertra
gungscharakteristik zu der Zeit darstellt, zu welcher das
Ende der Stichleitung M3 in der integrierten Mikrowellen
schaltung von Fig. 1 kurzgeschlossen ist, und Fig. 7B
zeigt einen Graphen, welcher eine Übertragungscharakteris
tik zu der Zeit darstellt, zu welcher das Ende der Stich
leitung M3 in der integrierten Mikrowellenschaltung von
Fig. 1 geöffnet ist.
Fig. 8 zeigt ein Blockdiagramm, welches eine Konstruk
tion eines Mikrowellen-/Millimeterwellenoszillators ent
sprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung darstellt.
Fig. 9 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht, welche
einen Zustand darstellt, bei welchem das Ende der Stichlei
stung M15 der zweiten Ausführungsform geerdet ist.
Fig. 10 zeigt eine Ansicht, welche einen Zustand dar
stellt, bei welchem das Ende der Stichleitung M15 durch ei
ne Varaktordiode 20 bei der zweiten Ausführungsform geerdet
ist.
Fig. 11 zeigt einen Graphen, welcher die Ergebnisse ei
ner Simulation zu der Zeit darstellt, zu welcher das Ende
der Stichleitung M15 bei dem Mikrowellen-
/Millimeterwellenoszillator der zweiten Ausführungsform ge
erdet ist.
Fig. 12 zeigt einen Graphen, welcher die Ergebnisse ei
ner Simulation zu der Zeit darstellt, zu welcher das Ende
der Stichleitung M15 in dem Mikrowellen-
/Millimeterwellenoszillator der zweiten Ausführungsform ge
erdet ist.
Fig. 13 zeigt ein Blockdiagramm, welches eine Konstruk
tion der Mikrowellenverstärkerschaltung einer dritten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
Fig. 14 zeigt eine schematische Ansicht, welche eine
Schaltung schematisch darstellt, bei welcher die Stichlei
tung und der Erdungsleiter unter Verwendung eines Brücken
drahts 21 verbunden sind.
Fig. 15 zeigt eine Ansicht, welche schematisch eine
Schaltung darstellt, bei welcher der in Fig. 14 darge
stellte Brückendraht 21 entfernt ist.
Fig. 16 zeigt eine Ansicht, welche eine andere Modifi
zierung der vorliegenden Erfindung darstellt.
Fig. 17 zeigt eine Ansicht, welche eine äquivalente
Schaltung der in Fig. 16 dargestellten Schaltung darstellt.
Fig. 18 zeigt einen Graphen, welcher eine Verstärkungs
charakteristik zu der Zeit darstellt, zu welcher die Über
tragungsleitung 28 und die Übertragungsleitung 31 bei der
Mikrowellen-/Millimeterwellenverstärkerschaltung von Fig.
13 geöffnet sind.
Fig. 19 zeigt einen Graphen, welcher eine Verstärkungs
charakteristik zu dem Zeitpunkt darstellt, zu welchem die
Übertragungsleitung 28 und die Übertragungsleitung 31 durch
Kondensatoren 39 und 38 bei der Mikrowellen-
/Millimeterwellenverstärkerschaltung von Fig. 13 geerdet
sind.
Da wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich die in
tegrierte Mikrowellenschaltung der vorliegenden Erfindung
die oben beschriebene Blind- bzw. Stichleitung (stub) auf
weist, welche wenigstens ein Endteil besitzt, welches in
der Nähe des Erdungsleiters vorgesehen ist, und mit der
zweiten Frequenz, welche sich von der oben beschriebenen
ersten Frequenz unterscheidet, durch Verbinden der oben be
schriebenen Stichleitung mit dem oben beschriebenen Er
dungsleiter betrieben werden kann, kann eine Mikrowellen
schaltung, welche mit einer unterschiedlichen Frequenz be
trieben wird, in derselben Struktur gebildet werden. Daher
kann die integrierte Mikrowellenschaltung mit niedrigen
Entwicklungskosten hergestellt werden.
Da des weiteren entsprechend der vorliegenden Erfindung
die oben erwähnte Stichleitung an irgendeiner Position ge
erdet werden kann und die oben erwähnte zweite Frequenz
frei auf eine gewünschte Frequenz durch Bilden des ersten
Teils eingestellt werden kann, welches eine vorbestimmte
Länge von dem Endteil der Elektrode besitzt, welche die
oben erwähnte Stichleitung in der Nähe des Erdungsleiters
und daran entlang bildet, und durch Verbinden der Elektrode
mit dem oben erwähnten Erdungsleiter an einer vorbestimmten
Position des ersten Teils.
Des weiteren ist entsprechend der vorliegenden Erfin
dung ein Kondensator zum Verhindern eines Gleichstromflus
ses zwischen der Elektrode und dem Erdungsleiter in einem
Teil der Elektrode gebildet, welche die oben erwähnte
Stichleitung bildet, so daß der Kondensator als Stichlei
tung einer Vorspannungsschaltung verwendet werden kann.
Des weiteren sind entsprechend der vorliegenden Erfin
dung die Elektrode, welche die oben erwähnte Stichleitung
bildet, und der Erdungsleiter durch den Kondensator geer
det, so daß der Kondensator als Stichleitung der Vorspan
nungsschaltung verwendet werden kann.
Des weiteren kann die integrierte Mikrowellenschaltung,
welche als Mikrowellenoszillator entsprechend einer ersten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist,
mit der oben erwähnten ersten Frequenz durch Öffnen des En
des der oben erwähnten Stichleitung oszillieren, und die
Schaltung kann mit der zweiten Frequenz durch Verbinden der
Elektrode, welche die oben erwähnte Stichleitung bildet,
mit der oben erwähnten Erdungselektrode oszillieren. Daher
können zwei Arten von Oszillatoren mit derselben Struktur
bereitgestellt werden.
Da des weiteren bei der oben erwähnten integrierten
Mikrowellenschaltung die Elektrode, welche die oben erwähn
te Stichleitung bildet, mit dem oben erwähnten Erdungslei
ter durch eine Varaktordiode verbunden ist, kann die Reso
nanzfrequenz der Resonanzschaltung des Oszillators geändert
werden und kann die Oszillationsfrequenz geändert werden.
Da des weiteren die integrierte Mikrowellenschaltung
als Mikrowellenverstärkerschaltung entsprechend einer ande
ren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung jeweils die
oben erwähnte Stichleitung in der oben erwähnten Eingangs
anpassungsschaltung und der oben erwähnten Ausgangsanpas
sungsschaltung enthält, kann eine Verstärkeroperation mit
derselben Struktur in zwei unterschiedlichen Frequenzbän
dern durchgeführt werden.
Fig. 1 stellt einen Tiefpaßfilter als integrierte
Mikrowellenschaltung entsprechend der ersten Ausführungs
form der vorliegenden Erfindung dar. Bei der in Fig. 1 dar
gestellten integrierten Mikrowellenschaltung ist eine Elek
trode 2 (beispielsweise aus Gold, Aluminium usw.) in einer
linearen Konfiguration auf dem Halbleitersubstrat 1 gebil
det, um eine Hauptübertragungsleitung M2 zu bilden, durch
welche ein Signal übertragen wird. Des weiteren ist eine
Elektrode 3, welche eine vorgeschriebene Länge besitzt,
derart gebildet, daß sie mit der Elektrode 2 an einer vor
geschriebenen Position verbunden ist, um eine Stichleitung
M3 mit einem offenen Ende zu bilden, welche mit der Haupt
übertragungsleitung 2 verbunden ist. Bei der Mikrowellen
schaltung der ersten Ausführungsform ist die Elektrode 3
derart gebildet, daß das Ende nicht zu dem Erdungsleiter E1
hin geschlossen ist, welcher auf dem Halbleitersubstrat ge
bildet ist, und nicht mit dem Erdungsleiter El verbunden
ist. In Fig. 1 sind die Bezugszeichen der Hauptübertra
gungsleitung M2 und der Stichleitung M3 hinter die Bezugs
zeichen der Elektrode 2 und der Elektrode 3 in Klammern ge
setzt. Bei der in Fig. 1 dargestellten integrierten Mikro
wellenschaltung, welche auf die oben erwähnte Weise gebil
det ist, wird die Impedanz zu der Zeit, zu welcher die
Stichleitung M3 mit einem offenen Ende von dem Verbindungs
punkt mit der Hauptübertragungsleitung M2 betrachtet wird,
unendlich, wenn die Länge der Stichleitung mit offenem Ende
bezüglich der Wellenlänge eines durch die Hauptübertra
gungsleitung M2 übertragenen Signals hinreichend groß ist.
Als Konsequenz wird die Mikrowellenschaltung, welche mit
der in Fig. 1 dargestellten Struktur gebildet ist, zu einem
in Fig. 7B dargestellten Tiefpaßfilter.
Bei der integrierten Mikrowellenschaltung von Fig. 1,
welche auf die oben erwähnte Weise gebildet ist und eine
Tiefpaßübertragungscharakteristik besitzt, ist wie in Fig.
2 dargestellt das Ende der Stichleitung M3 kurzgeschlossen,
wenn das Ende der Stichleitung M3 mit offenem Ende (Ende
der Elektrode 3) mit dem Erdungsleiter E1 unter Verwendung
eines leitenden Metalls 4, welches als Draht ausgebildet
ist, verbunden ist. Die Impedanz zu dem Zeitpunkt, zu wel
chem die Stichleitung M3 von einem Verbindungspunkt zu der
Hauptübertragungsleitung M2 betrachtet wird, ist auf 0 ein
gestellt, wenn die Länge der Stichleitung M3 hinreichend
groß bezüglich der Wellenlänge eines Signals ist, welches
durch die Hauptübertragungsleitung M2 übertragen wird. Als
Folge kann die integrierte Mikrowellenschaltung, welche
entsprechend der in Fig. 1 dargestellten Struktur gebildet
ist, als Hochpaßfilter mit einer in Fig. 7A dargestellten
Charakteristik ohne Änderung einer Elektrodenstruktur le
diglich durch Verbinden des Endes der Stichleitung M3 mit
dem Erdungsleiter E1 betrieben werden.
In dem Halbleiterbildungsverfahren wird eine Schutz
schicht normal aus Siliziumnitrid auf der Hauptübertra
gungsleitung M2 und der Stichleitung M3 im Hinblick auf ei
ne Verbesserung der Zuverlässigkeit des Bauelements ge
bildet. Jedoch darf bei der ersten Ausführungsform die
Schutzschicht nicht auf dem Teil gebildet werden, an wel
chem der Draht angeschlossen ist. Demgegenüber darf die
Schutzschicht selbst nicht verwendet werden.
Bei der integrierten Mikrowellenschaltung ist der Er
dungsleiter normal auf der Unterseite des Halbleiter
substrats 1 gebildet. Wenn entsprechend der vorliegenden
Erfindung die Elektrode 3, welche die Stichleitung M3 bil
det, mit dem Masseleiter beispielsweise durch Drahtbonden
verbunden wird, wird der Erdungsleiter El vorzugsweise auf
der Oberseite des Substrats gebildet. Fig. 3 stellt eine
Modifizierung dar, bei welcher eine Erdungsleiterkon
taktstelle E5 zum Drahtbonden auf der Oberseite des Halb
leitersubstrats 1 gebildet ist, wobei das Drahtbonden be
züglich des auf der Unterseite gebildeten Erdungsleiters
unter Verwendung eines Durchgangslochs 6 durchgeführt wird.
Wenn die Schaltung entsprechend der Modifizierung auf die
oben erwähnte Weise gebildet ist, wird die Schaltung auf
dieselbe Weise wie die erste Ausführungsform betrieben und
weist denselben Effekt auf, wie die erste Ausführungsform.
Bei der oben erwähnten ersten Ausführungsform ist die
Elektrode, welche die Stichleitung M3 bildet, direkt mit
dem Erdungsleiter E1 verbunden. Jedoch ist die vorliegende
Erfindung nicht darauf beschränkt. Wie in Fig. 4 darge
stellt kann die Elektrode 3 mit dem Erdungsleiter El durch
den Kondensator wie einen Chipkondensator oder einen auf
dem Halbleitersubstrat 1 gebildeten Kondensator verbunden
werden. Entsprechend Fig. 4 bezeichnet Bezugszeichen 7 ei
nen Kondensator, welcher einen Chipkondensator aufweist
bzw. daraus besteht. Eine Elektrode des Chipkondensators
ist mit der Elektrode 3, welche die Stichleitung M3 bildet,
durch das leitende Metall 4 verbunden, während die andere
Elektrode des Chipkondensators mit dem (nicht dargestell
ten) Erdungsleiter E1 verbunden ist. Durch Bilden der
Schaltung auf diese Weise wird die Stichleitung M3 bezüg
lich eines Hochfrequenzsignals geerdet und kann bezüglich
eines Gleichstroms geöffnet werden.
Des weiteren kann bei dieser Ausführungsform ein MIM-
Kondensator (Metal-Insulator-Metal-capacitor) gebildet wer
den, welcher leicht in der Mitte der Elektrode 3 beim
Schritt des Herstellens des Halbleiters wie in Fig. 5 dar
gestellt gebildet werden kann, so daß kein Gleichstrom
durch die Elektrode 3, welche die Stichleitung M3 bildet,
fließt. Sogar wenn der MIM-Kondensator 8 in die Mitte der
Stichleitung M3 mit dem offenen Ende wie in Fig. 5 darge
stellt eingesetzt wird, zeigt sich eine Filtercharakteri
stik gleich der Struktur der in Fig. 1 dargestellten ersten
Ausführungsform, wenn das Ende der Stichleitung in einem
offenen Zustand gehalten wird. Wenn das Ende der Stichlei
tung M3 kurzgeschlossen ist, kann das Ende der Stichleitung
M3 mit dem offenen Ende direkt mit der Erdungskondensator
kontaktstelle E5 oder dem Erdungsleiter E1 unter Verwendung
des leitenden Metalls 4 wie in Fig. 5 oder Fig. 6 darge
stellt verbunden werden. Sogar wenn die Schaltung auf die
oben erwähnte Weise gebildet ist, wird die Schaltung ent
sprechend der Modifizierung auf ähnliche Weise wie die er
ste Ausführungsform betrieben und besitzt denselben Effekt.
Fig. 8 zeigt ein Blockdiagramm, welches eine Konstruk
tion des Mikrowellen/Millimeterwellenoszillators entspre
chend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung darstellt. Der in Fig. 8 dargestellte Mikrowel
len/Millimeterwellenoszillator wird auf einem Halbleiter
substrat durch Verbinden eines Transistors 18, welcher eine
hervorragende Betriebscharakteristik bezüglich der Mikro
wellen/Millimeterwelle wie ein Feldeffekttransistor auf
weist, mit einer Übertragungsleitung gebildet, die einen
vorbestimmten Parameter aufweist und mit jedem Anschluß des
Transistors und auf die oben erwähnte Weise verbunden ist.
D.h. mit einem Gateanschluß des Transistors 18 ist eine
Stichleitung M15 mit offenem Ende verbunden, welche eine
Resonatorschaltung in einem Resonator bildet. Mit dem Gate
anschluß ist ein Vorspannungsanschluß 10 an der Gateseite
über eine Übertragungsleitung 16 verbunden, welche eine
Gatevorspannungsschaltung bildet. Des weiteren ist mit dem
Drainanschluß des Transistors 18 ein Vorspannungsanschluß
11 an der Drainseite über eine Übertragungsleitung 17 ver
bunden, welche eine Drainvorspannungsschaltung bildet. Des
weiteren ist mit dem Drainanschluß ein Ausgangsanschluß 12
eines Oszillators über eine Übertragungsleitung 13 verbun
den, welche eine Ausgangsanpassungsschaltung bildet. Ein
Sourceanschluß des Transistors 18 ist über die Übertra
gungsleitung 14 geerdet, um eine Rückkopplungsschaltung zu
bilden.
In einem Mikrowellen/Millimeterwellenoszillator der
zweiten Ausführungsform, welcher auf die oben erwähnte
Weise gebildet ist, wird eine Oszillationsfrequenz auf die
folgende Weise eingestellt bzw. bestimmt. Ein Oszillations
zustand bzw. eine Oszillationsbedingung kann durch die fol
genden Gleichungen (1) und (2) dargestellt werden:
(Mathematischer Ausdruck 1)
|Γr| < 1/|Γin| (1)
(Mathematischer Ausdruck 2)
Ang |Γr| = Ang |Γin| (2)
worin Γr einen Reflektionskoeffizienten darstellt, bei welchem die Stichleitung 15, welche eine Oszillationsschal tung bildet, von einem Punkt betrachtet wird, welcher durch das Bezugszeichen A bezeichnet wird, und Γin einen Reflek tionskoeffizienten dargestellt, bei welchem der Transistor 18 von dem Punkt aus betrachtet wird.
|Γr| < 1/|Γin| (1)
(Mathematischer Ausdruck 2)
Ang |Γr| = Ang |Γin| (2)
worin Γr einen Reflektionskoeffizienten darstellt, bei welchem die Stichleitung 15, welche eine Oszillationsschal tung bildet, von einem Punkt betrachtet wird, welcher durch das Bezugszeichen A bezeichnet wird, und Γin einen Reflek tionskoeffizienten dargestellt, bei welchem der Transistor 18 von dem Punkt aus betrachtet wird.
Der Mikrowellen-/Millimeterwellenoszillator der zweiten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung oszilliert und
wird betrieben bei einer Frequenz, welche den durch die Ma
thematischen Ausdrücke (1) und (2) dargestellten Bedingun
gen genügt. Beispielsweise wird ein spezifisches Entwurfs
verfahren wie folgt bereitgestellt. Als Entwurfsverfahren
ist ein Beispiel eines Falles beschrieben, bei welchem die
Stichleitung M15 einen MIM-Kondensator 8 enthält.
- 1) Eine Länge und eine Breite eines Streifenleiters, welcher eine Übertragungsleitung 14 bildet, die mit einem Sourceanschluß des Transistors 18 verbunden ist, sind der art eingestellt bzw. bestimmt, daß ein reziproker Wert (Absolutwert) einer Impedanz, wobei der Transistor 18 von dem Punkt A aus betrachtet wird, bei einer Frequenz in der Mitte einer ersten Oszillationsfrequenz f1 und einer zwei ten Oszillationsfrequenz f2, welche sich von der ersten Os zillationsfrequenz f1 unterscheidet, zu einem Minimum wird, und der mathematische Ausdruck (1) wird bezüglich der er sten Oszillationsfrequenz f1 und der zweiten Oszillations frequenz f2 erfüllt.
- 2) Wenn das Ende der Stichleitung M15 geöffnet ist, sind die Länge und die Breite des Streifenleiters, welcher die Stichleitung M15 bildet, derart eingestellt bzw. be stimmt, daß die Impedanz, wobei die Stichleitung M15 von dem Punkt A aus betrachtet wird, bei einer Oszillationsfre quenz f1 den mathematischen Ausdruck (2) erfüllt.
- 3) Wenn das Ende der Stichleitung M15 kurzgeschlossen ist, sind die Länge und die Breite des Streifenleiters, welcher die Stichleitung M15 bildet, und die Flächen des MIM-Kondensators 8 und der Kontaktstellenelektrode 5 zum Bonden derart eingestellt bzw. bestimmt, daß die Impedanz, bei welcher die Stichleitung M15 von dem Punkt A aus be trachtet wird, bei der Oszillationsfrequenz f2 den mathema tischen Ausdruck (2) erfüllt. Zur Zeit des Bestimmens die ser Werte wird die Länge eines leitenden Metalls 4 wie ei nes Bonddrahts oder dergleichen berücksichtigt.
Bei einem Oszillator, bei welchem jeder der Parameter
auf die oben erwähnte Weise eingestellt bzw. bestimmt ist,
bestimmt die Stichleitung 15, welche eine Resonanzschaltung
bildet, prinzipiell verschiedene Charakteristiken wie die
Frequenz und den Oszillationsausgang des Oszillators. Ob
wohl die Resonanzschaltung aus einer Induktivität und einem
Kondensator zusammengesetzt sein kann, ist die Resonanz
schaltung aus einer Stichleitung mit einem offenen Ende und
einer Stichleitung mit einem kurzgeschlossenen Ende wie ei
ner Mikrostreifenleitung, usw., im allgemeinen Mikrowellen-
/Millimeterwellenoszillatoren, gebildet. In einem derarti
gen Fall können die Frequenzen, welche die oben erwähnten
mathematischen Ausdrücke (1) und (2) erfüllen, zwischen ei
nem Fall der Verwendung einer Streifenleitung mit einem of
fenen Ende und einem Fall der Verwendung einer Streifenlei
tung mit einem kurzgeschlossenen Ende geändert werden. Bei
der zweiten Ausführungsform wird dieses Prinzip dazu ver
wendet, die Oszillationsfrequenz zwischen einem Fall, bei
welchem das Ende geöffnet sein kann, und einem Fall, bei
welchem das Ende kurzgeschlossen ist, zu ändern.
Fig. 9 zeigt einen Fall, bei welchem das Ende der
Streifenleitung wie einer Resonanzschaltung bei dem zweiten
Mikrowellen-/Millimeterwellenoszillator der zweiten Ausfüh
rungsform kurzgeschlossen ist. Entsprechend Fig. 9 enthält
die Stichleitung M15 einen MIM-Kondensator 8, und das Ende
der Stichleitung M15 ist mit einer Kontaktstelle für eine
Drahtverbindung mit einem leitenden Metall 4 verbunden und
ist elektrisch mit einem Erdungsleiter, welcher auf der Un
terseite eines Halbleitersubstrats 1 gebildet ist, über ein
Durchgangsloch 6 verbunden. D.h. der in Fig. 9 dargestellte
Stichleiter M15 ist ein Stichleiter mit einem kurzgeschlos
senen Ende. Die Ergebnisse der Berechnung des oben erwähn
ten bedingenden Ausdrucks unter Verwendung dieser Stichlei
tung M15 mit einem kurzgeschlossenen Ende als Resonanz
schaltung ist in Fig. 11 dargestellt. Aus einem in Fig. 11
dargestellten Graphen ist ersichtlich, daß der Oszillator
bei der Frequenz f1 durch Kurzschließen des Endes dieser
Stichleitung M15 oszilliert. Wenn des weiteren der Draht 4
der Stichleitung M15 mit kurzgeschlossenem Ende entfernt
wird, wird das Ende der Stichleitung M15 elektrisch geöff
net. Das Ergebnis der Berechnung aus den bedingenden Aus
drücken (1) und (2) ist in Fig. 12 bezüglich dieses Falles
dargestellt. Aus Fig. 12 ist ersichtlich, daß der Oszilla
tor bei einer Frequenz f2, welche bezüglich der oben er
wähnten Frequenz f1 unterschiedlich ist, in diesem Zustand
oszilliert.
Der Mikrowellen-/Millimeterwellenoszillator der zweiten
Ausführungsform, welcher auf die oben erwähnte Weise gebil
det ist, kann bei wechselseitig unterschiedlichen Frequen
zen in Abhängigkeit davon oszillieren, ob die Elektrode 15,
welche die Stichleitung M15 bildet, mit dem Erdungsleiter
bei dem Schritt des Drahtbondens in dem Verfahren des end
gültigen Zusammenbaus ohne Ändern einer Struktur einer bei
dem Halbleiterherstellungsverfahren gebildeten Mikrowellen
schaltung verbunden wird.
Bei der zweiten Ausführungsform ist das Ende der Stich
leitung M15 direkt mit dem Erdungsleiter verbunden, jedoch
kann die zweite Ausführungsform derart gebildet werden, daß
das Ende der Stichleitung M15 durch eine Varaktordiode 20
geerdet werden kann. In diesem Fall kann in dem Zustand,
bei welchem das leitende Metall 4 nicht angeschlossen ist,
der Oszillator mit einer Frequenz f1 oszillieren. Wenn wie
in Fig. 10 dargestellt der Oszillator mit der Varaktordiode
20 unter Verwendung des leitenden Metalls 4 verbunden ist,
kann der Oszillator mit einer Frequenz f3 oszillieren, wel
che unterschiedlich zu den Frequenzen f1 und f2 ist. Des
weiteren ist es möglich, die Oszillationsfrequenz f3 durch
Ändern einer an die Diode angelegten Spannung zu ändern.
Fig. 13 zeigt ein Blockdiagramm, welches eine Konstruk
tion einer Mikrowellenverstärkerschaltung einer dritten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die
Mikrowellenverstärkerschaltung enthält beispielsweise einen
Transistor 40, welcher als Feldeffekttransistor ausgebildet
ist, eine Eingangserfassungsschaltung, welche an einen
Gateanschluß des Transistors 40 angeschlossen ist, und eine
Ausgangsanpassungsschaltung, welche an einen Drainanschluß
des Transistors 40 angeschlossen ist. Die Eingangsanpas
sungsschaltung enthält eine Übertragungsleitung 27 und eine
Übertragungsleitung 26, welche in Serie zwischen einem Ein
gangsanschluß 32 und einem Gateanschluß des Transistors 40
angeschlossen sind, und eine Übertragungsleitung 28, welche
zwischen einem Verbindungspunkt zwischen der Übertragungs
leitung 27 und der Übertragungsleitung 26 und einem An
schluß 33 angeschlossen ist, während die Ausgangsanpas
sungsschaltung eine Übertragungsleitung 29 und eine Über
tragungsleitung 30, welche in Serie zwischen einem Aus
gangsanschluß 35 und einem Drainanschluß des Transistors 40
angeschlossen sind, und eine Übertragungsleitung 31 auf
weist, welche zwischen einem Verbindungspunkt zwischen der
Übertragungsleitung 29 und der Übertragungsleitung 30 und
dem Anschluß 34 angeschlossen sind. Bei der Mikrowellenver
stärkerschaltung der dritten Ausführungsform ist ein durch
einen Kondensator 39 geerdeter Anschluß 37 in der Nähe ei
nes Anschlusses 33 vorgesehen, und ein durch einen Konden
sator 38 geerdeter Anschluß 36 ist in der Nähe des An
schlusses 34 vorgesehen. Die Übertragungsleitung 28 und die
Übertragungsleitung 31 sind Stichleitungen mit einem offe
nen Ende, welche aus einer Elektrode sich zusammensetzen,
deren Ende auf einem Halbleitersubstrat getrennt von dem
geerdeten Leiter gebildet ist. Die Anschlüsse 33 und 34
sind Enden der Elektroden, welche jeweils die Übertragungs
leitung 28 und die Übertragungsleitung 31 bilden. Die An
schlüsse 37 und 38 sind Anschlußelektroden, welche Drähte
verbinden können. Entsprechend Fig. 13 ist eine Vorspan
nungsschaltung zum Ansteuern des Transistors 40 ausgelas
sen.
Bei der Mikrowellen-/Millimeterwellenverstärkerschal
tung der dritten Ausführungsform, welche auf die oben er
wähnte Weise gebildet ist, werden dann, wenn die Übertra
gungsleitung 28 und die Übertragungsleitung 31 beide geöff
net sind, die Länge und die Breite jeder Übertragungslei
tung derart eingestellt bzw. bestimmt, daß sie an die Fre
quenz f1 angepaßt sind. Wenn die Übertragungsleitung 28 und
die Übertragungsleitung 31 durch die Kondensatoren 39 und
38 geerdet sind, wird die Länge und die Breite jeder der
Übertragungsleitungen derart eingestellt bzw. bestimmt, daß
sie an eine Frequenz f2 angepaßt sind. Fig. 18 zeigt eine
Verstärkungscharakteristik für den Fall, bei welchem die
Übertragungsleitung 28 und die Übertragungsleitung 31 in
der in Fig. 13 dargestellten Mikrowellenverstärkerschaltung
beide geöffnet sind. Fig. 19 zeigt eine Verstärkungscharak
teristik, welche eine Verstärkungscharakteristik für den
Fall darstellt, bei welchem die Übertragungsleitung 28 und
die Übertragungleitung 31 durch Kondensatoren 39 und 38 in
der Mikrowellen-/Millimeterwellenverstärkerschaltung von
Fig. 13 beide geerdet sind.
Die Mikrowellen-/Millimeterwellenverstärkerschaltung
der dritten Ausführungsform, welche auf die oben erwähnte
Weise gebildet ist, ist derart gebildet, daß eine ge
wünschte Frequenz erzielt wird durch Ändern der Länge jeder
Übertragungsleitung, welche die Eingangsanpassungsschaltung
und die Ausgangsanpassungsschaltung bildet, insbesondere
der Länge und der Breite der Übertagungsleitung 28 und der
Übertragungsleitung 31. Bei der vorliegenden Erfindung ist
diese Eingangsanpassungsschaltung derart gebildet, daß die
Anschlüsse 33 und 37 miteinander verbunden sind, und die
Ausgangsanpassungsschaltung ist derart gebildet, daß An
schlüsse 34 und 36 miteinander verbunden sind, mit dem Er
gebnis, daß ein Anpassungszustand bei einer unterschiedli
chen Frequenz realisiert werden kann. Daher ist es möglich,
eine unterschiedliche Verstärkungscharakteristik durch Ver
binden unter Verwendung des Drahts zu erzielen, nachdem
dieselbe Struktur in demselben Halbleiterherstellungsver
fahren gebildet worden ist.
Bei den oben erwähnten Ausführungsformen 1, 2 und 3
sind das Ende der Elektrode, welche die Stichleitung M3
bildet, und der Erdungsleiter E1 durch Drahtbonden unter
Verwendung eines Drahts wie eines leitenden Metalls 4 ver
bunden. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf
beschränkt. Wie in Fig. 14 dargestellt können das Ende der
Stichleitung M3 und der Erdungsleiter E1 unter Verwendung
einer Drahtbrücke 21 verbunden werden, welche leicht unter
Verwendung des Halbleiterherstellungsverfahrens gebildet
werden kann. Da dieser Brückendraht 21 leicht in dem Zusam
menbauverfahren wie in Fig. 15 dargestellt entfernt werden
kann, kann der Brückendraht 21 auf die Ausführungsformen 1,
2 und 3 der vorliegenden Erfindung angewandt werden.
Des weiteren kann bei der oben erwähnten ersten, zwei
ten und dritten Ausführungsform die Stichleitung mit offe
nem Ende auf eine in Fig. 16 dargestellte Weise gebildet
werden. Die in Fig. 16 dargestellte Stichleitung M22 ist
derart gebildet, daß das Teil C, welches um eine vorbe
stimmte Länge von dem Ende entfernt ist (beispielsweise ei
ne viertel Wellenlänge einer Betriebsfrequenz), in der Nähe
eines Chipkondensators 7 gebildet ist, um eine Verbindung
zu einem Chipkondensator 7 mit einem Draht an dem Teil C zu
ermöglichen. An einem offenen Ende B in der Mikrowellen
schaltung nimmt eine Spannungsamplitude einen maximalen
Wert an, und eine Impedanz wird unendlich (ein sogenannter
Bauch (belly) von Wellen). Des weiteren ist ein Teil, an
welchem der Kurzschlußzustand in der Mikrowellenzone er
zeugt wird, ein Teil, welcher um eine viertel Wellenlänge
von diesem offenen Ende B getrennt ist. Durch Verbinden des
Drahts 4 und des Chipkondensators an diesem Punkt kann ein
Erdungszustand bei einer gewünschten Frequenz geschaffen
werden. Zu dieser Zeit kann an einem gewünschten Punkt,
welcher um eine Viertel Wellenlänge von einem offenen Ende
bei irgendeiner Frequenz abgetrennt ist, eine Erdung flexi
bel unter Verwendung eines leitenden Metalls 4 bei einer
willkürlichen Frequenz in dem Verfahren des Zusammenbaus
realisiert werden. Diese Konstruktion kann auf eine der er
sten, zweiten und dritten Ausführungsform angewandt werden.
Fig. 17 zeigt eine Ansicht, welche eine Modifizierung von
Fig. 16 in einer äquivalenten Schaltung dargestellt. Der in
Fig. 17 dargestellte Kondensator 26 entspricht dem in Fig.
16 dargestellten Kondensator 7. Eine in Fig. 17 darge
stellte Übertragungleitung 25 entspricht einem Teil mit ei
ner 1/4-Wellenlänge von einem Ende B der Übertragungslei
tung, während eine Übertragungsleitung 23 von Fig. 16 einem
verbleibenden Teil der Übertragungsleitung 22 von Fig. 16
entspricht. In dem in Fig. 16 dargestellten Beispiel kann
eine Erdung an irgendeinem Punkt des 1/4-Wellenlängenteils
von dem Ende B der Übertragungsleitung 22 gebildet werden.
Obenstehend wurde eine integrierte Mikrowellenschaltung
offenbart. Bei der integrierten Mikrowellenschaltung können
die Entwicklungskosten reduziert werden und die integrierte
Mikrowellenschaltung kann unter geringen Kosten hergestellt
werden. Die integrierte Mikrowellenschaltung wird mit einer
vorbestimmten ersten Frequenz betrieben und enthält eine
Stichleitung mit einem offenen Ende und besteht aus einer
Übertragungsleitung, die sich aus Elektroden mit einer vor
bestimmten Konfiguration zusammensetzt, welche auf einem
Halbleitersubstrat gebildet sind. Wenigstens ein Endteil
der Stichleitung ist in der Nähe eines auf einem dielektri
schen Substrat gebildeten Erdungsleiters vorgesehen, und
die Elektrode, welche die Stichleitung bildet, ist mit dem
Erdungsleiter an dem Teil in der Nähe des Erdungsleiters
verbunden, wodurch es der Schaltung ermöglicht wird, mit
einer zweiten Frequenz betrieben zu werden, die sich von
der ersten Frequenz unterscheidet.
Claims (7)
1. Integrierte Mikrowellenschaltung, welche mit einer
vorbestimmten ersten Frequenz betrieben wird, mit:
einer Übertragungsleitung, die sich aus Elektroden mit einer vorbestimmten Konfiguration zusammensetzt und auf ei nem Halbleitersubstrat gebildet sind, um als Stichleitung mit offenem Ende zu fungieren; und
einer Erdungsleitung, welche auf einem dielektrischen Substrat gebildet ist, wobei die Stichleitung mit dem offe nen Ende in der Nähe der Erdungsleitung versehen ist und ein Teil des sich anschließenden Teils mit dem Erdungslei ter verbunden ist, wodurch der Schaltung ermöglicht wird, mit einer zweiten Frequenz zu arbeiten, die sich von der ersten Frequenz unterscheidet.
einer Übertragungsleitung, die sich aus Elektroden mit einer vorbestimmten Konfiguration zusammensetzt und auf ei nem Halbleitersubstrat gebildet sind, um als Stichleitung mit offenem Ende zu fungieren; und
einer Erdungsleitung, welche auf einem dielektrischen Substrat gebildet ist, wobei die Stichleitung mit dem offe nen Ende in der Nähe der Erdungsleitung versehen ist und ein Teil des sich anschließenden Teils mit dem Erdungslei ter verbunden ist, wodurch der Schaltung ermöglicht wird, mit einer zweiten Frequenz zu arbeiten, die sich von der ersten Frequenz unterscheidet.
2. Integrierte Mikrowellenschaltung nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß sich das anschließende Teil ent
lang dem Erdungsleiters erstreckt und ein Teil des sich an
schließenden Teils mit dem Erdungsleiter verbunden ist, wo
durch die zweite Frequenz auf eine gewünschte Frequenz in
Abhängigkeit der Entfernung zwischen dem geöffneten und dem
Verbindungsteil eingestellt wird.
3. Integrierte Mikrowellenschaltung nach Anspruch 1 oder
2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator zum Verhin
dern eines Gleichstroms zwischen der Elektrode und dem Er
dungsleiter auf einem Teil der Elektrode gebildet ist, wel
che die Stichleitung bildet.
4. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungsteil der Stich
leitung über einen Kondensator mit dem Erdungsleiter ver
bunden ist.
5. Integrierte Mikrowellenschaltung nach einem der Ansprü
che 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte
Mikrowellenschaltung eine Mikrowellenoszillationsschaltung
ist, mit:
einem Transistor mit drei Anschlüssen, einem ersten An schluß, einem zweiten Anschluß und einem dritten Anschluß; und
einer Rückkopplungsübertragungsleitung, welche mit dem zweiten Anschluß verbunden ist,
wobei die Stichleitung mit dem ersten Anschluß zum Os zillieren mit der ersten Frequenz verbunden ist und die Stichleitung mit der Erdungselektrode verbunden ist, wo durch die Schaltung mit der zweiten Frequenz oszilliert.
einem Transistor mit drei Anschlüssen, einem ersten An schluß, einem zweiten Anschluß und einem dritten Anschluß; und
einer Rückkopplungsübertragungsleitung, welche mit dem zweiten Anschluß verbunden ist,
wobei die Stichleitung mit dem ersten Anschluß zum Os zillieren mit der ersten Frequenz verbunden ist und die Stichleitung mit der Erdungselektrode verbunden ist, wo durch die Schaltung mit der zweiten Frequenz oszilliert.
6. Integrierte Mikrowellenschaltung nach Anspruch 5, da
durch gekennzeichnet, daß die Elektrode, welche die Stich
leitung bildet, über eine Varaktordiode mit dem Erdungslei
ter verbunden ist, wodurch sich die Frequenz der Schaltung
auf die zweite Frequenz ändert.
7. Integrierte Mikrowellenschaltung nach einem der Ansprü
che 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte
Mikrowellenschaltung eine Mikrowellenverstärkerschaltung
ist, mit:
einem Transistor mit drei Anschlüssen, einem ersten An schluß, einem zweiten Anschluß und einem dritten Anschluß, wobei der zweite Anschluß geerdet ist;
einer Eingangsanpassungsschaltung, die mit dem ersten Anschluß verbunden ist; und
einer Ausgangsanpassungsschaltung, die mit dem dritten Anschluß verbunden ist;
wobei die Eingangsanpassungsschaltung und die Ausgangs anpassungsschaltung jeweils die Stichleitung mit einem of fenen Ende enthalten, um das Mikrowellensignal in einem er sten Frequenzbereich zu verstärken, welcher die erste Fre quenz beinhaltet, und wobei dann, wenn jede Stichleitung mit dem Erdungsleiter verbunden ist, das Mikrowellensignal in dem zweiten Frequenzbereich verstärkt wird, welcher eine zweite Frequenz beinhaltet.
einem Transistor mit drei Anschlüssen, einem ersten An schluß, einem zweiten Anschluß und einem dritten Anschluß, wobei der zweite Anschluß geerdet ist;
einer Eingangsanpassungsschaltung, die mit dem ersten Anschluß verbunden ist; und
einer Ausgangsanpassungsschaltung, die mit dem dritten Anschluß verbunden ist;
wobei die Eingangsanpassungsschaltung und die Ausgangs anpassungsschaltung jeweils die Stichleitung mit einem of fenen Ende enthalten, um das Mikrowellensignal in einem er sten Frequenzbereich zu verstärken, welcher die erste Fre quenz beinhaltet, und wobei dann, wenn jede Stichleitung mit dem Erdungsleiter verbunden ist, das Mikrowellensignal in dem zweiten Frequenzbereich verstärkt wird, welcher eine zweite Frequenz beinhaltet.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9024876A JPH10224107A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19737379A1 true DE19737379A1 (de) | 1998-08-20 |
Family
ID=12150411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19737379A Ceased DE19737379A1 (de) | 1997-02-07 | 1997-08-27 | Integrierte Mikrowellenschaltung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10224107A (de) |
KR (1) | KR19980069883A (de) |
DE (1) | DE19737379A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001144394A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
JP5287286B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2013-09-11 | 富士通株式会社 | バイアス回路 |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP9024876A patent/JPH10224107A/ja active Pending
- 1997-08-09 KR KR1019970038027A patent/KR19980069883A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-08-27 DE DE19737379A patent/DE19737379A1/de not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10224107A (ja) | 1998-08-21 |
KR19980069883A (ko) | 1998-10-26 |
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