DE19736356A1 - Kurzschluß-Schutzschaltung - Google Patents
Kurzschluß-SchutzschaltungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Kurzschluß-Schutzschaltung für
einen Schaltausgang mit nicht-selbstgeschütztem
Halbleiterschalter, insbesondere einem Feldeffekttransistor,
dessen Steuerelektrode über einen Eingang eine
Steuerspannung zuführbar ist.
Elektrische Schaltausgänge sollten zweckmäßigerweise
gegenüber Kurzschlüssen, die am Ausgang des Schalters sowohl
gegen Masse als auch gegen eine Versorgungsspannung (z. B.
KFZ-Bordnetzspannung) auftreten können, gesichert sein.
Hierbei ist der Betriebszustand kritisch, bei dem der
Schaltausgang durchgesteuert, also niederohmig, ist und bei
dem gleichzeitig durch einen Kurzschluß eine zu hohe
Spannung über dem Schaltausgang anliegt. Bei diesem
Fehlerfall können sehr schnell Schaltungsteile zerstört
werden. Hierfür sind besondere Schutzmaßnahmen erforderlich.
Bisher war es üblich, selbstgeschützte
Feldeffekttransistoren, insbesondere Leistungs-MOS-FETs
einzusetzen, deren Drain-Source-Strecke bei drohender
Überlastung bzw. Überhitzung automatisch hochohmig
geschaltet wird. Nachteilig dabei ist, daß dieser spezielle
Leistungs-MOS-FET besonders teuer ist. Außerdem ist diese
Art von Schutzschaltung nicht in der Lage, den normalen
Betriebszustand der Schaltung automatisch
wiederherzustellen, nachdem der Fehler beseitigt wurde.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde,
bei einer Kurzschluß-Schutzschaltung der eingangs genannten
Art nicht nur ein sofortiges Abschalten der zu schützenden
Ausgangsschaltstufe im Fehlerfalle zu erreichen, sondern
auch eine automatische Wiedereinschaltung der Stufe nach
Beseitigung des Fehlers zu gewährleisten.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß an
der Steuerelektrode des nicht-selbstgeschützten
Halbleiterschalters eine Reihenschaltung eines Zeitgliedes,
einer Abschaltfreigabestufe und einer Abschaltstufe
vorgesehen ist.
Die erfindungsgemäße Schaltung hat den Vorteil, daß ein
preisgünstiger, nicht-selbstgeschützter Feldeffekttransistor
eingesetzt werden kann, wobei die Schutzbeschaltung mit
wenigen zusätzlichen Bauteilen realisierbar ist.
Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird die
Schaltausgangsspannung des Feldeffekttransistors von der
Abschaltstufe überwacht, welche im Fehler- oder
Kurzschlußfall derart aktiviert wird, daß die Ansteuerung
des Feldeffekttransistors sofort gesperrt und somit die
Ausgangsstufe in einen unkritischen Zustand gebracht wird.
Gleichzeitig wird mit der Sperrung der
Feldeffekttransistor-Ansteuerung die Aufladung des
Zeitgliedes gestartet. Bei Beendigung der Aufladung des
Zeitgliedes werden die Abschaltfreigabestufe und die
Abschaltstufe gesperrt, wodurch die Sperrung der Ansteuerung
des Feldeffekttransistors aufgehoben ist.
Eine besonders vorteilhafte Ausbildung der Erfindung besteht
darin, daß im Falle eines weiter bestehenden Fehlers oder
Kurzschlusses die Ansteuerung des Feldeffekttransistors
sofort wieder gesperrt wird und daß mit Hilfe des
Zeitgliedes eine periodisch kurzzeitige Ansteuerung des
Feldeffekttransistors bis zur Behebung des Fehlers erfolgt.
Dadurch kann ein optimaler Schutz der Ausgangsschaltstufe
sowie ein automatischer Übergang zur normalen Funktion der
Schaltung nach Beheben des Fehlerfalles erreicht werden.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen
Kurzschluß-Schutzschaltung besteht darin, daß das Zeitglied
von einem Transistor gebildet ist, dessen Emitter mit dem
Potential der Quellenelektrode des Feldeffekttransistors
beaufschlagt ist, dessen Basis über ein R/C-Glied mit dem
Eingang des Feldeffekttransistors verbunden ist und dessen
Kollektor an die Abschaltfreigabestufe, über einen
Kondensator an den Emitter und über einen Widerstand an eine
Betriebsspannung angeschlossen ist.
Es kann ferner vorgesehen sein, daß die
Abschaltfreigabestufe von einem Transistor gebildet ist,
dessen Emitter mit dem Potential der Quellenelektrode des
Feldeffekttransistors beaufschlagt ist, dessen Basis über
einen Spannungsteiler mit dem Ausgang des Zeitgliedes
verbunden ist und dessen Kollektor an einen Eingang der
Abschaltstufe angeschlossen ist.
Die erfindungsgemäße Kurzschluß-Schutzschaltung kann auch
derart ausgestaltet sein, daß die Abschaltstufe von einem
Transistor gebildet ist, dessen Emitter mit dem Potential
der Quellenelektrode des Feldeffekttransistors beaufschlagt
ist, dessen Basis mit dem Ausgang der Abschaltfreigabestufe
und über einen Spannungsteiler oder ein R/C-Glied mit der
Senkenelektrode des Feldeffekttransistors verbunden ist und
dessen Kollektor an den Eingang des Feldeffekttransistors
angeschlossen ist.
Die Erfindung läßt zahlreiche Ausführungsformen zu. Eine
davon ist schematisch in der Zeichnung anhand mehrerer
Figuren dargestellt und nachfolgend beschrieben. Es zeigt:
Fig. 1 ein Schaltbild des Ausführungsbeispiels und
Fig. 2 Zeitdiagramme von beim Ausführungsbeispiel
auftretenden Spannungen und Strömen.
Fig. 1 zeigt einen nicht-selbstgeschützten
Feldeffekttransistor 1, dessen Steuerelektrode 2 (Gate) über
einen Widerstand R7 mit dem Eingang 3 und dessen
Senkenelektrode 4 (Drain) mit dem Ausgang 5 verbunden ist,
während dessen Quellenelektrode 6 (Source) an Masse
angeschlossen ist. Dieser Feldeffekttransistor 1, für den je
nach Anwendungsfall verschiedene Typen einsetzbar sind, soll
nun mit Hilfe einer Kurzschluß-Schutzschaltung 7 vor
Überlastungen im Kurzschlußfall geschützt werden. Dabei sind
beispielsweise folgende Fehlerquellen denkbar: Kurzschluß
zwischen Ausgang 5 und Masse bzw. Ausgang 5 und
Bordnetzspannung.
Die Schutzschaltung 7 besteht hierbei aus einem Zeitglied 8,
einer Abschaltfreigabestufe 9 und einer Abschaltstufe 10.
Das Zeitglied 8 enthält im wesentlichen die
Zeitkonstantenglieder R1, C1 und R2, C2, sowie einen
Transistor T1 als Schalter zum Starten bzw. Rücksetzen des
Zeitgliedes. Die Abschaltfreigabestufe 9 umfaßt einen
Spannungsteiler R3, R4 und einen Transistor T2, wobei der
Spannungsteiler an den Ausgang des Zeitgliedes 8
angeschlossen ist. Die Abschaltstufe 10 besteht ebenfalls
aus einem Spannungsteiler R5, R6, welcher mit der
Ausgangsspannung verbunden ist, sowie aus einem Transistor
T3, welcher sowohl vom Spannungsteiler als auch vom Ausgang
der Abschaltfreigabestufe 9 ansteuerbar ist. Anstelle des
Widerstandes R6 kann auch ein Kondensator vorgesehen werden.
Dadurch wird vermieden, daß kurze Stromspitzen bereits zum
Ansprechen der Abschaltstufe führen. Der Ausgang des
Transistors T3 ist schließlich mit der Steuerelektrode 2 des
Feldeffekttransistors 1 verbunden.
Im Fehlerfall, also bei Auftreten eines Kurzschlusses, wird
die bei Normalbetrieb niedrige Ausgangsspannung über den
Feldeffekttransistor 1 auf einen höheren Wert steigen,
wodurch der Feldeffekttransistor und möglicherweise die
angeschlossenen Bauelemente dabei überhitzt und zerstört
werden können.
Bei einem solchen Fehlerfall wird die vorgesehene
Schutzschaltung 7 sofort aktiviert, indem der Transistor T3
von dem über den Spannungsteiler R5, R6 gemessenen
Spannungsabfall so geschaltet wird, daß die an der Elektrode
2 des Feldeffekttransistors 1 anliegende Steuerspannung
gesperrt wird. Dabei entsteht allerdings kurzzeitig ein
hoher Stromimpuls, für den der Feldeffekttransistor 1
ausreichend dimensioniert sein muß. Gleichzeitig mit der
Abschaltung der Ausgangsspannung wird die Aufladung des
Zeitgliedes 8 gestartet, womit möglichst lange
Verzögerungszeiten erreicht werden sollen. Nach Ablauf der
Ladezeit, das heißt nach Aufladung des Zeitgliedes 8, werden
sowohl die Abschaltfreigabestufe 9 als auch die
Abschaltstufe 10 selbst wieder gesperrt. Sollte der Fehler
allerdings nicht behoben sein, so beginnt der
Abschaltvorgang - wie oben beschrieben - wieder von vorn.
Auf diese Weise versucht die Schutzschaltung periodisch, den
Ausgang immer wieder aufzusteuern. Solange der Fehlerfall
noch vorliegt, wird jedoch sofort wieder abgeschaltet.
Die Fig. 2a bis 2c zeigen schematisch den Verlauf von
Spannungen und Strömen bei der Schaltungsanordnung nach
Fig. 1, wobei die jeweiligen Größen nur ungefähr angegeben
sind. Fig. 2a stellt die Spannung am Feldeffekttransistor 1
dar, die von einem niedrigen Wert während des leitenden
Zustandes im Normalbetrieb zu Beginn eines Kurzschlusses bei
t1 auf einen hohen Wert ansteigt und wieder abfällt, wenn
der Kurzschluß bei t2 beendet ist.
Zu Beginn des Kurzschlusses bei t1 wird die an sich zur
Ansteuerung zugeführte Spannung Vg (Fig. 2b) an der
Steuerelektrode über den Widerstand R5 und den Transistor T3
sehr schnell auf einen geringen Wert zurückgenommen, so daß
der Feldeffekttransistor gesperrt ist. Daraufhin lädt sich
der Kondensator C2 langsam auf. Wenn dessen Spannung Vt
einen Wert erreicht hat, der ein Leitendwerden des
Transistors 2 zur Folge hat, wird der Transistor T3
geschlossen, so daß infolge der Spannung am Eingang 3 der
Feldeffekttransistor 1 leitend wird. Unmittelbar danach wird
über den Spannungsteiler R5/R6 der Transistor T3 wieder in
den leitenden Zustand geschaltet, so daß der
Feldeffekttransistor 1 wieder gesperrt wird. Dieser Vorgang
wiederholt sich so oft, bis der Kurzschluß bei t2 beendet
ist. Danach steht wieder die normale Steuerspannung Vg an
der Steuerelektrode 2 des Feldeffekttransistors 1 an.
Fig. 2c stellt den Strom Id durch den Feldeffekttransistor 1
dar. Während des Normalbetriebes fließt ein durch die Last
vorgegebener Strom. Zu Beginn des Kurzschlusses und während
des probehalber Einschaltens des Feldeffekttransistors
fließt ein wesentlich höherer Strom, was in Fig. 2c an den
Stromspitzen erkennbar ist.
Claims (8)
1. Kurzschluß-Schutzschaltung für einen Schaltausgang mit
nicht-selbstgeschütztem Halbleiterschalter, insbesondere
einem Feldeffekttransistor, dessen Steuerelektrode über
einen Eingang eine Steuerspannung zuführbar ist, dadurch
gekennzeichnet, daß an der Steuerelektrode (2) des
nicht-selbstgeschützten Halbleiterschalters (1) eine
Reihenschaltung eines Zeitgliedes (8), einer
Abschaltfreigabestufe (9) und einer Abschaltstufe (10)
vorgesehen ist.
2. Kurzschluß-Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schaltausgangsspannung des
Feldeffekttransistors (1) von der Abschaltstufe (10)
überwacht wird, welche im Fehler- oder Kurzschlußfall derart
aktiviert wird, daß die Ansteuerung des
Feldeffekttransistors (1) sofort gesperrt und somit die
Ausgangsspannung abgeschaltet wird.
3. Kurzschluß-Schutzschaltung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit der Sperrung der
Feldeffekttransistor-Ansteuerung die Aufladung des
Zeitgliedes (8) gestartet wird und daß bei Beendigung der
Aufladung des Zeitgliedes (8) die Abschaltfreigabestufe (9)
und die Abschaltstufe (10) gesperrt werden, wodurch die
Sperrung der Ansteuerung des Feldeffekttransistors (1)
aufgehoben ist.
4. Kurzschluß-Schutzschaltung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß im Falle eines weiter bestehenden
Fehlers oder Kurzschlusses die Ansteuerung des
Feldeffekttransistors (1) sofort wieder gesperrt wird und
daß mit Hilfe des Zeitgliedes (8) eine periodisch
kurzzeitige Ansteuerung des Feldeffekttransistors (1) bis
zur Behebung des Fehlers erfolgt.
5. Kurzschluß-Schutzschaltung nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das
Zeitglied (8) von einem Transistor (T1) gebildet ist, dessen
Emitter mit dem Potential der Quellenelektrode (6) des
Feldeffekttransistors (1) beaufschlagt ist, dessen Basis
über ein R/C-Glied (R1, C1) mit dem Eingang (2, 3) des
Feldeffekttransistors (1) verbunden ist und dessen Kollektor
an die Abschaltfreigabestufe (9), über einen Kondensator
(C2) an den Emitter und über einen Widerstand (R2) an eine
Betriebsspannung angeschlossen ist.
6. Kurzschluß-Schutzschaltung nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Abschaltfreigabestufe (9) von einem Transistor (T2) gebildet
ist, dessen Emitter mit dem Potential der Quellenelektrode
(6) des Feldeffekttransistors (1) beaufschlagt ist, dessen
Basis über einen Spannungsteiler (R3, R4) mit dem Ausgang
des Zeitgliedes (8) verbunden ist und dessen Kollektor an
einen Eingang der Abschaltstufe (10) angeschlossen ist.
7. Kurzschluß-Schutzschaltung nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Abschaltstufe (10) von einem Transistor (T3) gebildet ist,
dessen Emitter mit dem Potential der Quellenelektrode (6)
des Feldeffekttransistors (1) beaufschlagt ist, dessen Basis
mit dem Ausgang der Abschaltfreigabestufe (9) und über einen
Spannungsteiler (R5, R6) mit der Senkenelektrode (4) des
Feldeffekttransistors (1) verbunden ist und dessen Kollektor
an den Eingang (2, 3) des Feldeffekttransistors (1)
angeschlossen ist.
8. Kurzschluß-Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 1
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschaltstufe (10)
von einem Transistor (T3) gebildet ist, dessen Emitter mit
dem Potential der Quellenelektrode (6) des
Feldeffekttransistors (1) beaufschlagt ist, dessen Basis mit
dem Ausgang der Abschaltfreigabestufe (9) und über ein
R/C-Glied mit der Senkenelektrode (4) des
Feldeffekttransistors (1) verbunden ist und dessen Kollektor
an den Eingang (2, 3) des Feldeffekttransistors (1)
angeschlossen ist.
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---|---|---|---|
DE19736356A DE19736356C2 (de) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | Kurzschluß-Schutzschaltung |
US09/130,626 US6072678A (en) | 1997-08-21 | 1998-08-06 | Short-circuit protection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19736356A DE19736356C2 (de) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | Kurzschluß-Schutzschaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19736356A1 true DE19736356A1 (de) | 1999-03-04 |
DE19736356C2 DE19736356C2 (de) | 2001-06-07 |
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---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6072678A (de) |
DE (1) | DE19736356C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19934150A1 (de) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltungsanordnung mit einem Schalter für eine Gleichspannung |
DE10243571A1 (de) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zum Kurzschlussabschalten eines MOSFET-Schalters |
US9093836B2 (en) | 2011-02-07 | 2015-07-28 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for controlling a transistor and control circuit |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10062026A1 (de) * | 2000-12-13 | 2002-07-04 | Siemens Ag | Elektronische Schalteinrichtung |
US10284191B2 (en) | 2015-07-31 | 2019-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Protective circuit enabling different bias levels responsive to event faults |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3238899A1 (de) * | 1982-10-21 | 1984-04-26 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Kurzschlussfeste ansteuerschaltung fuer einen elektrischen verbraucher |
DE3515133A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Kurzschlussfeste transistorendstufe |
DE3703776A1 (de) * | 1986-02-13 | 1987-08-20 | Fuji Electric Co Ltd | Kontaktloser wechselstromschalter |
DE3539646C2 (de) * | 1985-11-08 | 1994-02-17 | Asea Brown Boveri | Schaltungsanordnung zum Schutz gegen Überlast |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE470530B (sv) * | 1992-11-16 | 1994-07-04 | Ericsson Telefon Ab L M | Strömbegränsare |
-
1997
- 1997-08-21 DE DE19736356A patent/DE19736356C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-06 US US09/130,626 patent/US6072678A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3238899A1 (de) * | 1982-10-21 | 1984-04-26 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Kurzschlussfeste ansteuerschaltung fuer einen elektrischen verbraucher |
DE3515133A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Kurzschlussfeste transistorendstufe |
DE3539646C2 (de) * | 1985-11-08 | 1994-02-17 | Asea Brown Boveri | Schaltungsanordnung zum Schutz gegen Überlast |
DE3703776A1 (de) * | 1986-02-13 | 1987-08-20 | Fuji Electric Co Ltd | Kontaktloser wechselstromschalter |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19934150A1 (de) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltungsanordnung mit einem Schalter für eine Gleichspannung |
DE10243571A1 (de) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zum Kurzschlussabschalten eines MOSFET-Schalters |
DE10243571B4 (de) * | 2002-09-19 | 2006-04-20 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zum Kurzschlussabschalten eines MOSFET-Schalters |
US9093836B2 (en) | 2011-02-07 | 2015-07-28 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for controlling a transistor and control circuit |
DE102011003733B4 (de) | 2011-02-07 | 2023-06-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Ansteuerung eines Transistors und Ansteuerschaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6072678A (en) | 2000-06-06 |
DE19736356C2 (de) | 2001-06-07 |
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