DE19735904A1 - Verfahren zum Bestücken eines Leiterrahmens - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestücken eines Lei
terrahmens nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei der Bestückung von Leiterrahmen durch diskrete Komponenten
und/oder Halbleitereinrichtungen besteht das Problem, daß Lötmaterial,
das zum Anbringen der diskreten Komponenten am Leiterrahmen verwendet
wird, in Bereiche überläuft, auf denen sich eine Halbleitereinrichtung
befindet, die hierdurch beschädigt werden kann, oder in Verankerungs
löcher fließt, die zum Verankern von Einkapselungsmaterial dienen sol
len. Außerdem können hierdurch Drahtbondbereiche kontaminiert werden, so
daß Bonddrähte nicht ausreichend am Leiterrahmen haften und beim Ein
kapseln abgelöst werden können. Zwar ist es bekannt, V-förmige Nuten in
den Leitern des Leiterrahmens vorzusehen, jedoch erfordert dies einen
zusätzlichen Herstellungsschritt und außerdem behindern sie das Ausbrei
ten des Lötmaterials unter Umständen nur unzureichend, da sie nur rela
tiv geringfügige Tiefen aufweisen können.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren nach dem Oberbe
griff des Anspruchs 1 zu schaffen, das wirksam ein Ausbreiten von Löt
material über einen vorgesehenen Bereich hinaus verhindert.
Diese Aufgabe wird entsprechend dem kennzeichnenden Teil des
Anspruchs 1 gelöst.
Hierbei wird der Leiterrahmen zunächst mit einem nichtbenetz
baren Material beschichtet, das bezüglich eines Lötmaterials nichthaf
tend ist, wonach dort, wo diskrete Komponenten aufgelötet oder Bond
drähte angebracht werden sollen, auf dem nichtbenetzbaren Material ein
benetzbares Material aufgebracht wird, das lötbar und bondbar ist. Auf
diese Weise kann Lötpaste verwendet werden, um diskrete Komponenten
aufzulöten und Bonddrähte anzubonden. Hierbei wird die schmelzflüssige
Lötpaste durch das nichtbenetzbare Material davon abgehalten, auf dieses
überzufließen und somit in Bereiche vorzudringen, in denen das Lötmate
rial Schäden oder Beeinträchtigungen hervorrufen kann. Flußmittelreste
können durch Waschen anschließend entfernt werden.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden
Beschreibung und den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der in den beigefügten
Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen bestückten Leiterrahmen.
Fig. 2A bis 5B zeigen einen Ausschnitt aus einem Leiterrahmen
während verschiedener Schritte zum Bestücken desselben.
Fig. 6 zeigt eine alternative Ausführungsform.
Fig. 7 zeigt ein Flußdiagramm bezüglich der Durchführung des
Verfahrens zum Bestücken eines Leiterrahmens.
Der in Fig. 1 dargestellte Baustein 10 verwendet einen Leiter
rahmen 12, wobei eine Anzahl von diskreten Komponenten 14 und eine An
zahl von Halbleitereinrichtungen 16 an dem Leiterrahmen 12 befestigt
sind. Nach deren Anbringen wird eine Anzahl von Bonddrähten 22 verwen
det, um die elektrischen Verbindungen zwischen den Halbleitereinrich
tungen 16 und Teilen des Leiterrahmens 12 zu bilden. Außerdem besitzt
der Leiterrahmen 12 eine Anzahl von Verankerungslöchern 18, die verwen
det werden, daß ein Kapselungsmittel 20, wenn der Baustein 10 fertig
ist, am Leiterrahmen 12 verankert bleibt. Nach der Verkapselung werden
Verbindungsstücke 13 entfernt.
Auf einen Leiterrahmen 12 gemäß Fig. 2A, der beispielsweise
aus einem Kupferblech hergestellt ist, wird gemäß Fig. 2B nichtbenetz
bares Material 150 aufgebracht, das vorzugsweise den gesamten Leiterrah
men 12 einschließlich der Verbindungsstücke 13 bedeckt. Auf diese Weise
ist keine zusätzliche Maskierung notwendig. Bei dem nichtbenetzbaren
Material 150 kann es sich um ein geeignetes Material wie Nickel, Kobalt,
Nickel-Eisen, Zinn-Nickel, Chrom, Aluminium, Titan oder Molybdän han
deln. Nickel wird bevorzugt auf der Kupferoberfläche des Leiterrahmens
12 galvanisch abgeschieden. Obwohl eine galvanische Abscheidung bevor
zugt ist, können auch andere Plattierungsverfahren wie Metallsputtern
verwendet werden. Vorzugsweise wird das nichtbenetzbare Material 150 in
einer Dicke zwischen 0,1 µm bis 8 µm und vorzugsweise zwischen 0,5 µm
und 3 µm und insbesondere in einer Stärke von etwa 1 µm aufgetragen.
Anschließend wird ein benetzbares Material auf ausgewählten
Bereichen des Leiterrahmens 12 plattiert, und zwar gemäß Fig. 3 bei
spielsweise ein Paar von leitenden Bondinseln 200 (beispielsweise Löt
hügel) und ein Bondbereich 200, die sich auf dem nichtbenetzbaren Mate
rial 150 befinden. Leitende Bondinseln 200 werden vorzugsweise aus einem
geeigneten lötbaren Material wie Silber, Palladium, Gold, Zinn, Zinn-
Blei oder einer leitenden Legierung gebildet. Vorzugsweise wird hierzu
Silber verwendet, das galvanisch oder nichtgalvanisch aufgebracht werden
kann und vorzugsweise in einer Dicke zwischen 0,5 µm bis 4 µm, insbeson
dere zwischen etwa 1 µm und 3 µm und insbesondere bevorzugt in einer
Stärke von 2 µm aufgebracht wird. Wenn alternativ Palladium verwendet
wird, wird dies in einer Dicke von etwa 0,05 µm bis etwa 0,5 µm und
vorzugsweise in einer Dicke von etwa 0,075 µm bis etwa 0,2 µm und be
sonders bevorzugt in einer Dicke von 0,1 µm aufgebracht.
Für die Bondbereiche 202 eignen sich Materialien wie bei
spielsweise Silber, Palladium und Gold beispielsweise in den vorstehend
aufgeführten Stärken.
In diesem Zustand sind alle Teile des Leiterrahmens 12, die
dazu bestimmt sind, diskrete Komponenten 14 oder Bonddrähte 22 aufzuneh
men, mit einem geeigneten Material beschichtet, um Oxidation zu verhin
dern und ein festes Anheften an den Leiterrahmen 12 sicherzustellen.
Anschließend wird Lötpaste 220 auf die Bondinseln 200 aufge
bracht, die etwa aus Lötmetallen und Flußmittel besteht. Bei dem Fluß
mittel kann es sich um ein wasserlösliches oder ein solches mit niedri
gem Harzgehalt wie etwa das Flußmittel "no-clean LR725" der Firma Alpha
Metals, Inc., Jersey City, New Jersey, handeln. Die Lötpaste 220 ist
vorzugsweise aus Zinn, Blei und Flußmittel zusammengesetzt. Der Prozent
satz von Zinn liegt etwa zwischen 60 bis 70%, insbesondere bei etwa 63%,
der Prozentsatz von Blei liegt etwa zwischen 30 und 40%, insbeson
dere bei etwa 37%, und der Prozentsatz an Flußmittel liegt etwa zwi
schen 10 bis 30%, insbesondere bei etwa 20%. Die Lötpaste 220 kann
aber auch andere geeignete Metalle wie Silber, Blei und Metallegierungen
enthalten.
Die Lötpaste 200 kann beispielsweise mit einem Lötpastenspen
dergerät, das pneumatisch gesteuert sein kann, aufgebracht werden. Die
Aufbringung kann auch durch Siebdruck oder Übertragungsdruck vorgenommen
werden. Die Lötpaste wird vorzugsweise bei einer Raumtemperatur zwischen
etwa 20 und etwa 30°C, vorzugsweise bei etwa 22 bis 28°C und insbeson
dere bei etwa 25°C aufgetragen.
Danach wird, wie in Fig. 5A dargestellt, eine diskrete Kompo
nente 14 auf der Lötpaste 220 plaziert und ausreichender Wärmeeinwirkung
ausgesetzt. Die diskrete Komponente 14 wird somit elektrisch leitend mit
der Bondinsel 200 verbunden, wenn sich die Lötpaste verflüssigt und
einen Fleck 220' aus geschmolzener Lötpaste bildet. Da das Material 150
nicht benetzbar ist, wird geschmolzene Lötpaste praktisch daran gehin
dert, sich über die Bondinsel 200 hinaus auf Bereiche des Leiterrahmens
12 auszudehnen, wo eine Beeinträchtigung des Bausteins 10 auftreten
könnte.
Das Erhitzen kann dadurch geschehen, daß der Leiterrahmen 12
mit einer oder mehreren diskreten Komponenten 14 in einem Infrarot-
Aufschmelzofen angeordnet wird. Letzterer wird auf eine Temperatur zwi
schen etwa 80 bis 330°C, vorzugsweise zwischen etwa 185 bis 250°C und
insbesondere auf 220°C erhitzt. Der Leiterrahmen 112 wird in dem Ofen
während eines genügenden Zeitraums gehalten, so daß die Lötpaste 220
geschmolzen wird. Dies geschieht insbesondere während eines Zeitraums
von etwa 20 sec bis etwa 150 sec, vorzugsweise zwischen etwa 30 sec und
120 sec und insbesondere für etwa 50 sec.
Hierbei wird der Ofen vorzugsweise mit Stickstoff oder mit
einer Mischung aus Stickstoff und Sauerstoff gefüllt. Wenn letzteres
verwendet wird, wird der Anteil an Stickstoff bei etwa 95 bis 100%,
vorzugsweise bei etwa 98 bis etwa 99,99% und insbesondere bei etwa
99,9999% Stickstoff gehalten. Die Lötpaste 220 kann aber auch in einem
luftenthaltenden Ofen in fließfähigen Zustand gebracht werden.
Nach Entnahme des Leiterrahmens 12 aus dem Ofen wird dieser
gekühlt, wobei ein Flußmittelrest 232 über Teilen des Leiterrahmens 112
und der nun harte Fleck 220' aus Lötpaste verbleiben. Flußmittelreste
232 entstehen durch Überkochen und Abfließen von der Bondinsel 200 auf
Abschnitte der nichtbenetzbaren Schicht 150. Die Flußmittelreste 232
können auch über Bondbereiche 202 und Verankerungslöcher 118 fließen. Um
Flußmittelreste 232 zu entfernen, wird der Leiterrahmen 12 einem Reini
gungsschritt unterworfen, um die Flußmittelreste 232 von dem nichtbe
netzbaren Material 150, den Bondinseln 200, dem erhärteten Fleck 220'
aus geschmolzener Lötpaste, den Bondbereichen 202 und den diskreten
Komponenten 14 zu entfernen.
Fig. 5B zeigt die Situation nach Entfernen von Flußmittel
resten 232 durch Spülen mit Wasser. Die Flecken 220' sind wirksam auf
die Bondinseln 200 beschränkt geblieben und nicht in die Bereiche der
Verankerungslöcher 118 oder der Bondbereiche 202 gelangt, da das nicht
benetzbare Material 150 eine entsprechende Barriere gebildet hat. Nach
der Durchführung der Reinigung kann ein Drahtbonden ohne Kontaminations
risiko durchgeführt werden.
Bei der in Fig. 6 dargestellten Ausführungsform wird nicht
benetzbares Material 150 selektiv als Barrieren auf dem Leiterrahmen 12
angeordnet. Hierbei kann sich die geschmolzene Lötpaste 220 bis über die
gesamte Bondinsel 200 in Abhängigkeit von der Menge der verwendeten
Lötpaste ausdehnen.
Gemäß Fig. 7 beginnt das Verfahren damit, daß in einem Schritt
700 wenigstens ein Leiterrahmen 12 aus einem Kupferblech gebildet wird.
Der Leiterrahmen 12 wird vorzugsweise mit einer Vielzahl von Leitungen
versehen, die durch diskrete Komponenten 14 und Bonddrähte 22 verbunden
werden können. Im nächsten Schritt 702 wird wenigstens ein Teil des
Leiterrahmens 12 mit einem nichtbenetzbaren Material 150 beschichtet. Im
nächsten Schritt 704 wird eine Beschichtung aus benetzbarem Material,
etwa aus Silber, aufgebracht. Im nachfolgenden Schritt 706 werden eine
oder mehrere diskrete Komponenten 14 auf Lötpaste aufgebracht, die auf
ausgewählte Bereiche des benetzbaren Materials aufgebracht wurde. Der
Leiterrahmen 12 und die diskreten Komponenten werden dann etwa in einem
Infrarot-Rückflußofen angeordnet, um das Lötmaterial zu schmelzen und
die diskreten Komponenten 14 mit dem Leiterrahmen 12 zu verbinden. In
einem nachfolgenden Schritt 708 wird ein Waschen zum Entfernen von Fluß
mittelresten vorgenommen.
Claims (7)
1. Verfahren zum Bestücken eines Leiterrahmens (12) aus einer
Vielzahl von Leitern mit diskreten Komponenten (14) und/oder Halbleiter
einrichtungen (16), die durch Löten bzw. Drahtbonden mit Leitern des
Leiterrahmens elektrisch verbunden werden, dadurch gekenn
zeichnet, daß wenigstens Teile des Leiterrahmens (12) mit einem
nicht durch schmelzflüssiges Lötmaterial benetzbaren Material beschich
tet und leitende Bondinseln bzw. -bereiche (200, 202) über den beschich
teten Bereichen des Leiterrahmens (12) durch Beschichtung mit benetzba
rem Material gebildet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Bondinseln bzw. -bereiche (200, 202) aus Silver, Palladium, Gold, Zinn-
Blei, Zinn oder Legierungen gebildet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß Bondbereiche (200) für diskrete Komponenten (14) aus Silber, Palla
dium oder Gold gebildet werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein wasserlösliches oder einen niedrigen Harzanteil auf
weisendes Flußmittel enthaltendes Lötmaterial verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
Flußmittelreste nach dem Löten durch Waschen entfernt werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß der bestückte Leiterrahmen (12) gekapselt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß als nichtbenetzbares Material Nickel, Kobalt, Nickel-
Eisen, Zinn-Nickel, Chrom, Aluminium, Titan oder Molybdän verwendet
wird.
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