DE19731853A1 - Solarzelleneinheit sowie Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Solarzelleneinheit sowie Verfahren zu deren HerstellungInfo
- Publication number
- DE19731853A1 DE19731853A1 DE19731853A DE19731853A DE19731853A1 DE 19731853 A1 DE19731853 A1 DE 19731853A1 DE 19731853 A DE19731853 A DE 19731853A DE 19731853 A DE19731853 A DE 19731853A DE 19731853 A1 DE19731853 A1 DE 19731853A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrodes
- solar cell
- cell unit
- applying
- carrier web
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000004753 textile Substances 0.000 claims description 14
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 12
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 241001235534 Graphis <ascomycete fungus> Species 0.000 description 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007372 rollout process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000002910 structure generation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/0008—Electrical discharge treatment, e.g. corona, plasma treatment; wave energy or particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2309/00—Parameters for the laminating or treatment process; Apparatus details
- B32B2309/60—In a particular environment
- B32B2309/68—Vacuum
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
Die Erfindung betrifft eine Solarzelleneinheit mit einer wenig
stens in Teilbereichen biegsamen Trägerbahn und damit verbunde
nen Solarzellen auf der Basis von amorphem Silicium, welche
elektrisch miteinander gekoppelt sind. Die Erfindung betrifft
ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelleneinheit,
bei dem Solarzellen auf der Basis von amorphem Silicium mit
einer zumindest in Teilbereichen biegsamen Trägerbahn verbun
den und elektrisch miteinander gekoppelt werden.
Das derzeit am weitesten verbreitete Material für Dünnschicht
solarzellen ist amorphes Silicium, das keine kristalline Struk
tur aufweist. Solche Solarzellen sind wie ein Sandwich aus meh
reren Schichten aufgebaut. Das eigentliche Siliciumelement ist
prinzipiell aus drei Schichten aufgebaut, nämlich einem höher
n-dotierten Emitter, einer elektrischen Raumleitungszone und
einer p-dotierten Basis. Oben- und untenseitig sind Elektroden
aufgebracht, die für einen Stromfluß durch das Siliciumelement
sorgen. Als Träger dienen in der Regel starre Metall- oder
Glasplatten. Auf der dem Träger abgewandten Seite sind die
Elektroden durch eine transparente Schutzschicht, meist aus
Glas, abgedeckt.
Die Herstellung derartiger Solarzellen geschieht in der Weise,
daß auf die Schutzschicht aus Glas einseitig eine transparente
Elektrodenschicht aus mit Fluor dotierten Zinnoxid durch eine
chemische Zersetzung bei Atmosphärendruck abgeschieden wird.
Zur Bildung einzelner Elektroden wird die Elektrodenschicht
unter Bildung eines geeigneten Musters mittels Laser oder me
chanischer Abtragung strukturiert. Anschließend erfolgt die
Beschichtung mit amorphem Silicium als pin-Schichtfolge in
einer Prozeßkammer mittels Hochfrequenz-Glimmentladung, bei
der Silan zersetzt wird. Die dotierten p- und n-Schichten wer
den dabei durch Zumischen der Dotierstoffe B2H6 und PH3 zum
Silian erzeugt. Anschließend wird die Siliciumschicht zwecks
Herstellung einzelner Siliciumelemente strukturiert. Dann
folgt die Aufdampfung einer weiteren Elektrodenschicht im Va
kuum. Auch diese muß in einzelne Elektroden mittels Strukturer
zeugung aufgeteilt werden. Anschließend erfolgt die elektri
sche Verbindung der Elektroden in Serienschaltung. Die vorbe
schriebenen Herstellungsschritte werden zum Teil in großen
teil- oder vollkontinuierlich arbeitenden Anlagen ausgeführt,
in die auf einer Seite Glasscheiben oder Stahlbänder einlaufen
und auf der anderen Seite die fertigen Module herauskommen
(Bernhard Krieg, Strom aus der Sonne, Elektor Verlag, Aachen,
1992, Seiten 65 bis 68).
Schon seit längerem werden Versuche durchgeführt, Solarzellen
mit flexiblen Trägerbahnen zu kombinieren. So wird in der
DE-AS 21 60 345 vorgeschlagen, auf einer mit Glasseide bekleb
ten Polyimidfolie Solarzellenmoduln aufzukleben, und zwar der
art, daß ein Aufwickeln trotz der Starrheit der Solarzellenmo
duln möglich ist. Eine Weiterentwicklung ist in der DE 38 27 433 C2
offenbart. Bei der Herstellung des Trägers für die So
larzellenmoduln wird in den noch nicht ausgehärteten Silikon
kleber ein Abreißgewebe eingebracht. Anschließend erfolgt eine
Aushärtung des Verbundes aus Polyimidfolie, Glasseidengewebe
und Abreißgewebe unter Vakuum. Vor dem Aufkleben der Solarzel
len wird das Abreißgewebe derart abgezogen, daß eine aufgeris
sene Silikonstrukturoberfläche auf dem Glasseidengewebe zur
Aufklebung der Solarzellen entsteht.
Weitere Vorschläge sind in dem Aufsatz von Reinhard Wecker,
Verwendung photovoltaischer Elemente in Verbindung mit weitge
spannten leichten Flächentragwerken, Elektrizitätswirtschaft,
Jg. 91 (1992), Heft 9, Seiten 523 bis 528 enthalten. Hier wird
auf eine hochreißfeste Membran ein weiches Einbettungsmaterial
aufgebracht. Darauf werden Stabilisierungsplatten und wiederum
auf diese Solarzellen befestigt. Die Solarzellen werden dann
von einer hochtransparenten Kunststoffolie abgedeckt.
Allen drei vorbeschriebenen Lösungen ist gemein, daß die Solar
zellen als fertige Module auf die vorgefertigten Textilträger
aufgebracht werden, die Fertigung von Solarzellen und Textil
trägern also getrennt erfolgt. Das Zusammenrollen oder auch Zu
sammenklappen wird durch die in sich starren Solarzellen behin
dert. Die Flexibilität des Trägermaterials bzw. des Gesamtsy
stems wird hierdurch erheblich beeinträchtigt. Die Verbindung
zwischen den starren Solarzellen und dem textilen Träger unter
liegt insbesondere an den Kantenbereichen einer extremen Bean
spruchung, die ein häufiges Ein- und Auseinanderrollen bzw.
-klappen unmöglich macht.
Es ist allerdings auch bekannt, auf polykristallinem Silicium
aufgebaute Solarzellen auf handelsübliche Graphittextilen als
Träger direkt zu bilden (A. J. Rand et al., Silicon on Graphi
te Cloth, Proc., First World Conference on Photovoltic Energy
Conversion, December 5-9, 1994, Seiten 1262 bis 1265). Hierzu
wird ein Graphitgewebe zunächst in der Weise vorbehandelt, daß
es mit einer Barriere aus dielektrischem Material, beispiels
weise Silikon, beschichtet wird, um ein Wandern von Metallio
nen, die sich herstellungsbedingt im Graphitgewebe befinden,
in die aktive Siliciumschicht zu vermeiden. Eine andere Metho
de besteht in der intensiven Reinigung des Graphitgewebes. Auf
das so vorbehandelte Gewebe wird dann die Solarzelle direkt
als gewachsene Struktur in der Weise hergestellt, daß das Gra
phitgewebe vollständig in geschmolzener Siliciummasse eingebet
tet wird. Das polykristalline Silicium wird anschließend in
der für kristalline Siliciumsolarzellen üblichen Vorgehenswei
se behandelt. So wird u. a. bei 800°C Phosphor aus einem Trä
gergas in die Oberfläche diffundiert und anschließend in einem
durch Hochfrequenz erzeugten Sauerstoffplasma abgeätzt. Darauf
folgt eine naßchemische Ätzung zur Entfernung unerwünschter
Oxidschichten. Zum Schluß werden die elektrischen Kontakte auf
getragen, beispielsweise mittels Siebdruck.
Das Verfahren ist relativ aufwendig und setzt hochtemperaturbe
ständige und damit teure Materialien für das Trägergewebe vor
aus. Außerdem müssen die Gewebe außerordentlich rein sein, da
mit die Funktion der Solarzellen nicht beeinträchtigt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Solarzellenein
heit zu konzipieren, die sich durch hohe Flexiblität sowie ein
fache und kostengünstige Herstellung auszeichnet und deshalb
vielseitig verwendbar ist. Eine weitere Aufgabe besteht darin,
ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Solarzelleninheit
vorzuschlagen.
Soweit es die Solarzelleneinheit selbst angeht, wird die vor
stehende Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf der
Trägerbahn ein Muster von ersten Elektroden, damit verbundene
Siliciumelemente, ein Muster von zweiten Elektroden, welche
mit den Siliciumelementen verbunden sind, und schließlich eine
transparente Schutzschicht angeordnet sind. Aufgrund dieses
Schichtenaufbaus ergibt sich eine äußerst flexible Solarzellen
einheit, die in aufgerolltem oder zusammengeklapptem Zustand
wenig Raumbedarf hat und bei denen die Gefahr der Beschädigung
der Siliciumelemente gering ist. Entsprechend kann der Ein- und
Ausrollvorgang beliebig wiederholt werden.
Für die Trägerbahnen kommen verschiedenste Materialien und
Strukturen in Frage, beispielsweise flexible Folien aus Kunst
stoff oder Metall. Vorzugsweise sollten Textilbahnen verwendet
werden, die ein Gewebe, Gewirke oder ein Vliesstoff darstel
len. Dabei können natürliche und synthetische Faserstoffe zur
Anwendung kommen. Vorzugsweise sollte die Trägerbahn einen nie
drigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und eine geringe Feuchte
aufnahme aufweisen.
Insbesondere bei textilen Trägerbahnen ist es zweckmäßig, auf
der Seite, auf der die Siliciumelemente gebildet werden sol
len, eine Glättungsbeschichtung nach Art einer Grundierung auf
zubringen. Hierdurch soll eine glatte Oberfläche erzielt wer
den. Ferner soll hierdurch das Einbringen von Verunreinigungen
insbesondere in der Prozeßkammer für die Bildung der Silicium
schichten vermieden werden. Als Beschichtungsmaterial eignen
sich vorzugsweise elektrisch nicht leitende, filmbildende, ins
besondere thermoplastische Kunststoffe, welche bei Erwärmung
klebfähig werden. Dies hat den Vorzug, daß durch Erwärmen der
Trägerbahn eine gute Verbindung mit den ersten Elektroden her
gestellt werden kann.
Alternativ zu der vorbeschriebenen Glättungsbeschichtung be
steht die Möglichkeit, eine Trägerbahn zu verwenden, die auf
zumindest einer Oberfläche aus thermoplastischem Kunststoff be
steht, wobei in dieser Oberfläche ein dem Muster der ersten
Elektroden entsprechendes Muster von Vertiefungen unter Anwen
dung von Hitze eingeprägt wird. Die Vertiefungen dienen dann
der Aufnahme der ersten Elektroden.
Die Siliciumelemente sind vorzugsweise als zueinander paralle
le Streifen ausgebildet, die sich hauptsächlich quer zur Roll
richtung des Solarzellenelements erstrecken. Wenn die Streifen
eine Breite von nicht mehr als 5 mm haben, wird das Aufrollen
der Solarzelleneinheit durch die Siliciumelemente praktisch
nicht behindert. Dabei ist es zweckmäßig, wenn die Streifen
einen freien Abstand von 0,05 bis 2 mm haben.
Die Elektroden sollten eine Dicke von maximal 50 µm, zweck
mäßigerweise noch weniger, beispielsweise 20 µm, haben. Die
Siliciumelemente können in einer Dicke von 25 bis 500 µm
hergestellt werden.
Nach einem weiteren Vorschlag der Erfindung ist vorgesehen,
daß die Trägerbahn Bereiche hat, welche von Solarzellenelemen
ten frei sind. Diese Bereiche können scharnierartig in der Wei
se wirken, daß das Solarzellenelement auch zusammengefaltet
werden kann. Dabei kann es bei dieser Ausführungsform zweck
mäßig sein, wenn die Solarzelleneinheit in dem Bereich, wo So
larzellenelemente angeordnet sind, versteift ist, beispielswei
se durch entsprechende Beschichtungen oder Imprägnierungen, da
hierdurch der Faltvorgang vereinfacht wird.
Was das Verfahren angeht, wird die Aufgabe in einem ersten
Vorschlag erfindungsgemäß durch folgende Herstellungsschritte
gelöst:
- a) Aufbringen eines Musters von ersten Elektroden auf die Trägerbahn im Abstand zueinander;
- b) Aufbringen von Abdeckungen mit Freiräumen für die ersten Elektroden;
- c) Abscheiden von amorphen Siliciumschichten auf den Oberflä chen der Elektroden unter Bildung von Siliciumelementen;
- d) Aufbringung eines Musters von zweiten Elektroden im Abstand zueinander auf eine transparente Schutzfolie;
- e) Aufbringen der Schutzfolie auf die Siliciumelemente unter Bildung von Kontakten zwischen Siliciumelementen und zwei ten Elektroden.
Das vorbeschriebene Verfahren kann dadurch modifiziert werden,
daß die zweiten Elektroden zunächst nicht auf die transparente
Abdeckfolie, sondern zuerst auf die Siliciumelemente mittels
Siebdrucktechnik und dann eine transparente Abdeckschicht auf
die zweiten Elektroden aufgebracht wird.
Der Vorzug des Verfahrens besteht darin, daß die Herstellung
flexibler Solarzelleneinheiten einfach und kostengünstig mit
geringem Materialaufwand durchführbar ist.
Das vorbeschriebene Verfahren läßt sich im wesentlichen auch
umgekehrt durchführen, und zwar mit Hilfe von folgenden Verfah
rensschritten:
- a) Aufbringen eines Musters von zweiten Elektroden auf eine transparente Schutzfolie im Abstand zueinander;
- b) Aufbringen von Abdeckungen mit Freiräumen für die zweiten Elektronen auf der Schutzfolie;
- c) Abscheiden von amorphen Siliciumschichten auf den Oberflä chen der zweiten Elektroden unter Bildung von Siliciumele menten;
- d) Aufbringen von ersten Elektroden auf die freien Oberflächen der Siliciumelemente;
- e) Aufbringen der Trägerbahn unter Bildung einer Klebverbin dung.
Auch dieses Verfahren läßt sich modifizieren, und zwar in der
Weise, daß das Aufbringen der ersten Elektroden zunächst auf
die Trägerbahnen in einem für den Kontakt mit den Siliciumele
menten geeigneten Muster erfolgt und dann die Siliciumelemen
ten verbunden werden. Die erfindungsgemäßen Verfahren führen
zu einer Solarzelleneinheit, deren Aufbau grundsätzlich iden
tisch ist.
Für das Aufbringen der Elektroden kommt insbesondere die Sieb
drucktechnik in Frage. Sofern besonders dünne Elektrodenschich
ten verwirklicht werden sollen, wie dies beispielsweise bei
den vom Licht beaufschlagten zweiten Elektroden sein sollte,
empfiehlt sich die Metallbedampfung zwecks Ausbildung der Elek
troden.
Was die Anbringung der Abdeckungen angeht, besteht durchaus
die Möglichkeit, sie schon vor dem Aufbringen der Elektroden
anzubringen. Vorgezogen wird jedoch die oben beschriebene
Reihenfolge. Dabei besteht grundsätzlich die Möglichkeit, die
Abdeckungen in der Solarzelleneinheit zu belassen. Da sie
jedoch nach Ausbilden der Siliciumelemente nicht mehr benötigt
werden, kommt eine daran anschließende Entfernung der
Abdeckungen in Frage.
Zweckmäßigerweise werden als Abdeckungen eine oder mehrere Ab
deckschablonen verwendet, welche das Muster der Elektroden und
damit auch der Siliciumelemente bestimmen. Dabei sollten die
Abdeckungen so angeordnet werden, daß sie die Zwischenräume
zwischen den Elektroden ausfüllen.
In der Zeichnung ist die Erfindung anhand Ausführungsbeispie
len näher veranschaulicht. Es zeigen:
Fig. 1 das Aufbringen einer Glättungsbeschichtung auf
eine textile Trägerbahn;
Fig. 2 das Aufbringen eines Musters von ersten Elek
troden auf die Glättungsbeschichtung;
Fig. 3 das Anbringen einer Abdeckschablone;
Fig. 4 das Abscheiden von Siliciumschichten in einer
Prozeßkammer mit Hochfrequenzglimmentladung;
Fig. 5 die fertige Solarzelleneinheit mit aufkaschier
ter und innenseitig mit zweiten Elektroden
versehener Abdeckfolie;
Fig. 6 das Aufbringen von zweiten Elektroden auf
einer Schutzfolie;
Fig. 7 das Anbringen einer Abdeckschablone auf die
Schutzfolie;
Fig. 8 das Abscheiden von Siliciumschichten in einer
Prozeßkammer mit Hochfrequenzglimmentladung;
Fig. 9 das Aufbringen der ersten Elektroden;
Fig. 10 die fertige Solarzelleneinheit nach Aufrakeln
einer Klebeschicht und Aufkleben einer tex
tilen Trägerbahn.
Das in den Fig. 1 bis 5 dargestellte erste Verfahren be
ginnt mit der Bereitstellung einer textilen Trägerbahn 1. Auf
diese Trägerbahn 1 wird eine Glättungsbeschichtung 2 aus einem
elektrisch nicht leitenden, filmbildenden thermoplastischen
Kunststoff mittels eines Rakels 3 aufgebracht, so daß an der
freien Oberseite eine glatte Oberfläche 4 entsteht (Fig. 1).
Fig. 2 läßt eine Siebdruckschablone 5 oberhalb der Oberfläche
4 erkennen. In dieser Siebdruckschablone 5 wechseln sich
undurchlässige Sperrbezirke - beispielhaft mit 6 bezeichnet - mit
durchlässigen Bezirken - beispielhaft mit 7 bezeichnet - ab.
Mittels eines Rakels 8 wird ein flüssiges oder pastöses Me
tall 9, beispielsweise Silberpaste, durch die durchlässigen
Bezirke 7 der Siebdruckschablone 5 gedrückt, so daß ein strei
fenförmiges Muster von ersten Elektroden - beispielhaft mit 10
bezeichnet - entsteht, die sich im wesentlichen senkrecht zur
Zeichnungsebene erstrecken. An den Stirnseiten können dabei
auch die elektrischen Verbindungen gedruckt werden.
Aus Fig. 3 ist zu erkennen, daß obenseitig eine Abdeckschablo
ne 11 aufgelegt ist, deren hochstehenden Stege - beispielhaft
mit 12 bezeichnet - die Zwischenräume zwischen den ersten Elek
troden 10 ausfüllen. Die Abdeckschablone 11 deckt alle Berei
che ab, welche später nicht mit Siliciummaterial beaufschlagt
werden sollen. Als Material für die Abdeckschablone kommen vor
allem solche Materialien in Frage, auf denen das Siliciummate
rial nicht anhaftet, beispielsweise Silikon.
Das so erhaltene Substrat kommt dann - wie Fig. 4 zeigt - in
eine Prozeßkammer 13 mit einer darin angeordneten Hochfrequenz
elektrode 14 für die Glimmentladung. In der Prozeßkammer 13
wird ein Vakuum von ca. 0,2 mbar Druck aufrechterhalten, und
es herrscht eine Temperatur von 200 bis 250°C. Nacheinander
werden über einen Kammereinlaß 15 die Dotierstoffe B2H6 und
PH3 zum in der Prozeßkammer 13 befindlichen Silan zugemischt.
Das amorphe Silicium wird aus dem gasförmigen Silan durch Zer
setzen mit Hilfe der Hochfrequenzglimmentladung abgeschieden,
wie dies Stand der Technik ist (Bernhard Krieg, a.a.O.).
Parallel dazu wird auf einer Schutzfolie 16 ein streifenförmi
ges Muster von zweiten Elektroden - beispielhaft mit 17 be
zeichnet - aufgebracht, und zwar durch selektive Metallbedamp
fung (Fig. 5). Die Schutzfolie 16 wird dann so aufkaschiert,
daß die zweiten Elektroden 17 auf den in der Prozeßkammer 13
aufgebauten Siliciumelementen - beispielhaft mit 18 bezeichnet - auf
liegen. Im Anschluß daran werden dann die ersten und zwei
ten Elektroden 10, 17 derart in Serie geschaltet, daß an einer
Stirnseite eine erste Elektrode 10 mit der zweiten Elektrode
17 auf einem benachbarten Siliciumelement 18 und diese dann an
der anderen Stirnseite mit der ersten Elektrode 10 eines wie
derum benachbarten Siliciumelements 18 verbunden werden.
Das vorbeschriebene Verfahren läßt sich auch kontinuierlich
durchführen, wobei Ein- und Ausgänge an der Prozeßkammer 13
vorgesehen sein müssen, die vakuumdicht sind. Die Formgebung
der Siliciumelemente 18 kann durch entsprechende Gestaltung
der durchlässigen Bezirke 7 und Sperrbezirke 6 an der Sieb
druckschablone 5 und durch eine daran angepaßte Abdeckschablo
ne 11 an die jeweiligen Anforderungen angepaßt werden, wobei
jedoch ein Streifenmuster mit parallelen Streifen zweckmäßig
ist. Dabei können auch Bezirke freigelassen werden, um dort
ein Falten der Solarzelleneinheit 19 in den von Siliciumelemen
ten 18 freien Bereichen zu ermöglichen. In diesen Fällen kön
nen auch die Bereiche, in denen sich die Siliciumelemente 18
befinden, durch entsprechende Behandlung der textilen Träger
bahn 1, beispielsweise Beschichten, Kaschieren, Laminieren
oder Imprägnieren, starr ausgebildet werden.
Die Solarzelleneinheit 19 läßt sich bei entsprechender Konfek
tionierung vielseitig einsetzen, beispielsweise als Sonnenrol
lo oder Sonnenjalousie, die bei genügenden Lichtverhältnissen
ausgerollt und bei Änderungen der Licht- oder Wettersituation
wieder in ein Schutzgehäuse zurückgezogen werden kann. An großen
Fassaden und auf Dachflächen können lamellenartig konfek
tionierte Solarzelleneinheiten herausgeklappt und der Sonne
nachgeführt werden, solange genügend Sonneneinstrahlung vorhan
den ist. Weitere Anwendungen sind Zeltdachflächen, Segelflä
chen, Sonnenschirme, Sonnenschutzdächer, Lkw-Planen, Markisen
etc. möglich, wobei jeweils die Fähigkeit genutzt werden kann,
die Solarzelleneinheit in Anpassung an die Wetterverhältnisse
ein- oder auszurollen bzw. zusammen- oder auseinanderzuklap
pen.
Die Solarzelleneinheit 19 kann beispielsweise folgende Schicht
dicken aufweisen:
- - textile Trägerbahn 1: beliebig
- - Glättungsbeschichtung 2: ca. 50 µm
- - erste Elektroden 10: ca. 20 µm
- - Siliciumelemente 18: 50 bis 200 µm
- - zweite Elektroden 17: ca. 10 µm
- - Schutzfolie 16: ca. 50 µm
In den
Fig.
6 bis 10 ist das in den
Fig.
1 bis 5 be
schriebene Verfahren im wesentlichen umgekehrt worden. Zu
nächst wird die Schutzfolie
16
bereitgestellt. Über die Sieb
druckschablone
5
mit Sperrbezirken
6
und durchlässigen Bezir
ken
7
wird das verflüssigte Metall
9
mittels des Rakels
8
durch die durchlässigen Bezirke
7
hindurchgedrückt, so daß
zweite Elektroden
17
entstehen (
Fig.
6).
Fig.
7 zeigt die
Auflage der Abdeckschablone
11
auf die Schutzfolie
16
. Das so
erhaltene Substrat wird in die Prozeßkammer
13
eingeführt.
Dort werden die einzelnen Siliciumschichten in der vorbeschrie
benen Weise abgeschieden (
Fig.
8), so daß Siliciumelemente
18
(
Fig.
9) in streifenförmiger Anordnung zu den Stegen
12
der
Abdeckschablone
11
entstehen.
Anschließend werden ebenfalls mit der Siebdrucktechnik erste
Elektroden auf die oberen Flächen der Siliciumelemente 18 auf
getragen. Dann wird die Glättungsbeschichtung 2 auf einem haft
fähigen Material aufgetragen und schließlich die textile Trä
gerbahn 1 aufgeklebt. Man erhält mit diesem Verfahren die glei
che Struktur der Solarzelleneinheit 19 wie mit dem in den Fig.
1 bis 5 dargestellten Verfahren.
Bei beiden Verfahren kann die Abdeckschablone 11 nach dem Ab
scheiden der Siliciumelemente 18 entfernt werden, da sie für
die anschließenden Vorgänge nicht mehr benötigt wird. Es steht
jedoch nichts im Wege, sie dort zu belassen.
Claims (26)
1. Solarzelleneinheit (19) mit einer wenigstens in Teilbe
reichen biegsamen Trägerbahn (1) und damit verbundenen
Solarzellen auf der Basis von amorphem Silicium, welche
elektrisch miteinander gekoppelt sind,
dadurch gekennzeichnet, daß auf der Trägerbahn (1) ein Mu
ster von ersten Elektroden (10), damit verbundene Silicium
elemente (18), ein Muster von zweiten Elektroden (17), wel
che mit den Siliciumelementen (18) verbunden sind, und
schließlich eine transparente Schutzschicht (16) angeord
net sind.
2. Solarzelleneinheit nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerbahn als Textilbahn
(1) ausgebildet ist.
3. Solarzelleneinheit nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Trägerbahn (1) und
den ersten Elektroden (10) eine Glättungsbeschichtung (2)
angeordnet ist.
4. Solarzelleneinheit nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Glättungsbeschichtung (2)
aus einem Kunststoff besteht.
5. Solarzelleneinheit nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerbahn auf zumindest
einer Oberfläche aus Kunststoff besteht und daß in die
Oberfläche Vertiefungen eingeprägt sind, in der die ersten
Elektroden sitzen.
6. Solarzelleneinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 5
dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumelemente (18) als
zueinander parallele Streifen ausgebildet sind.
7. Solarzelleneinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen eine Breite von
nicht mehr als 5 mm haben.
8. Solarzelleneinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen einen freien
Abstand von 0,05 bis 2 mm haben.
9. Solarzelleneinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (10, 17) eine
Dicke von maximal 50 µm haben.
10. Solarzelleneinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumelemente eine
Dicke von 25 bis 500 µm haben.
11. Solarzelleneinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Solarzelleneinheit (19)
Bereiche hat, welche von Solarzellenelementen (18) frei
sind.
12. Solarzelleneinheit nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß die Solarzelleneinheit (19) in
den Bereichen, wo Solarzellenelemente (18) angeordnet
sind, versteift sind.
13. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelleneinheit (19)
nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem Solarzellen auf
der Basis von amorphem Silicium mit einer zumindest in
Teilbereichen biegsamen Trägerbahn (1) verbunden und elek
trisch miteinander gekoppelt werden, gekennzeichnet durch
folgende Verfahrensschritte:
- a) Aufbringen eines Musters von ersten Elektroden (10) auf die Trägerbahn (1) im Abstand zueinander;
- b) Aufbringung von Abdeckungen (11, 12) mit Freiräumen für die ersten Elektroden (10);
- c) Abscheiden von amorphen Siliciumschichten auf den Ober flächen der ersten Elektroden (10) unter Bildung von Siliciumelementen;
- d) Aufbringen eines Musters von zweiten Elektroden (17) auf eine transparente Schutzfolie (16) im Abstand zuein ander;
- e) Aufbringen der Schutzfolie (16) auf die Siliciumele mente (18) unter Bildung von Kontakten zwischen Sili ciumelementen (18) und zweiten Elektroden (17).
14. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelleneinheit (19)
nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem Solarzellen auf
der Basis von amorphem Silicium mit einer zumindest in
Teilbereichen biegsamen Trägerbahn (1) verbunden und elek
trisch miteinander gekoppelt werden, gekennzeichnet durch
folgende Verfahrensschritte:
- a) Aufbringen eines Musters von ersten Elektroden (10) auf die Trägerbahn (1) im Abstand zueinander;
- b) Aufbringung von Abdeckungen (11, 12) mit Freiräumen für die ersten Elektroden (10);
- c) Abscheiden von amorphen Siliciumschichten auf den Ober flächen der ersten Elektroden (10) unter Bildung von Siliciumelementen (18);
- d) Aufbringen von zweiten Elektroden (17) auf die Sili ciumelemente (18);
- e) Aufbringen einer transparenten Schutzschicht (16).
15. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelleneinheit (19)
nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem Solarzellen auf
der Basis von amorphem Silicium mit einer zumindest in
Teilbereichen biegsamen Trägerbahn (1) verbunden und elek
trisch miteinander gekoppelt werden, gekennzeichnet durch
folgende Verfahrensschritte:
- a) Aufbringen eines Musters von zweiten Elektroden auf eine transparente Schutzfolie (16) im Abstand zuein ander;
- b) Aufbringen von Abdeckungen (11, 12) auf die Schutzfolie (16) mit Freiräumen für die zweiten Elektroden (17);
- c) Abscheiden von amorphen Siliciumschichten auf den Ober flächen der zweiten Elektroden (17) unter Bildung von Siliciumelementen (18);
- d) Aufbringen von ersten Elektroden (10) auf die freien Oberflächen der Siliciumelemente (18);
- e) Aufbringen der Trägerbahn (1) auf die ersten Elektroden (10) unter Bildung einer Klebeverbindung.
16. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelleneinheit (19)
nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem Solarzellen auf
der Basis von amorphem Silicium mit einer zumindest in
Teilbereichen biegsamen Trägerbahn (1) verbunden und elek
trisch miteinander gekoppelt werden, gekennzeichnet durch
folgende Verfahrensschritte:
- a) Aufbringen eines Musters von zweiten Elektroden auf eine transparente Schutzfolie (16) im Abstand zuein ander;
- b) Aufbringen von Abdeckungen (11, 12) auf die Schutzfolie (16) mit Freiräumen für die zweiten Elektroden (17);
- c) Abscheiden von amorphen Siliciumschichten auf den Ober flächen der zweiten Elektroden (17) unter Bildung von Siliciumelementen (18);
- d) Aufbringen von ersten Elektroden (10) auf die Träger bahn (1) in einem für den Kontakt mit den Siliciumele menten (18) geeigneten Muster;
- e) Verbinden der ersten Elektroden (10) mit den Silicium elementen (18).
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16,
dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der ersten
und/oder zweiten Elektroden (10, 17) mittels Siebdruck
technik erfolgt.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und/oder zweiten
Elektroden (10, 17) aufgedampft werden.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18,
dadurch gekennzeichnet, daß als Trägerbahn eine Textilbahn
(1) verwendet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19,
dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerbahn (1) mit einer
Glättungsbeschichtung (2) versehen wird.
21. Verfahren nach Anspruch 20,
dadurch gekennzeichnet, daß für die Glättungsbeschichtung
(2) ein thermoplastischer Kunststoff, der bei Erwärmung
klebfähig wird, verwendet wird und daß die Trägerbahn (1)
zur Verbindung mit den ersten Elektroden (10) auf eine die
Klebfähigkeit der Glättungsbeschichtung (2) bewirkende Tem
peratur erwärmt wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Trägerbahn (1) verwendet
wird, die auf zumindest einer Oberfläche aus Kunststoff be
steht, und daß in dieser Oberfläche ein dem Muster der er
sten Elektroden (10) entsprechendes Muster von Vertiefun
gen unter Anwendung von Hitze eingeprägt wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 22,
dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckungen (11, 12) nach
dem Aufbringen der Elektroden (10, 17) angebracht werden.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 23,
dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckungen (10, 11) nach
Bilden die Siliciumelemente (18) wieder entfernt werden.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 24,
dadurch gekennzeichnet, daß als Abdeckungen eine oder meh
rere Abdeckschablonen (11, 12) verwendet werden.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 25,
dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckungen (11, 12) so an
geordnet werden, daß sie die Zwischenräume zwischen den
Elektroden (10, 17) ausfüllen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19731853A DE19731853A1 (de) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Solarzelleneinheit sowie Verfahren zu deren Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19731853A DE19731853A1 (de) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Solarzelleneinheit sowie Verfahren zu deren Herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19731853A1 true DE19731853A1 (de) | 1999-03-04 |
Family
ID=7836765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19731853A Ceased DE19731853A1 (de) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Solarzelleneinheit sowie Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19731853A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999061721A3 (de) * | 1998-05-28 | 2000-02-24 | Mueller Hermann Frank | Awning with flexible solar modules |
DE102009023901A1 (de) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photovoltaisches Modul mit flächigem Zellverbinder |
DE102009031600A1 (de) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photovoltaikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls |
DE102009059312A1 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Solarion AG, 04288 | Solarzelle oder Solarzellenanordnung und Verfahren zur Herstellung für flächenartige Solarmodule |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4234351A (en) * | 1978-07-14 | 1980-11-18 | The Boeing Company | Process for fabricating glass-encapsulated solar cell arrays and the product produced thereby |
DE3142129A1 (de) * | 1981-07-23 | 1983-03-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Photovoltaisches solarmodul |
US4410558A (en) * | 1980-05-19 | 1983-10-18 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous amorphous solar cell production system |
DE3423172A1 (de) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur herstellung einer solarbatterie |
US4686322A (en) * | 1985-08-12 | 1987-08-11 | Rca Corporation | Solar panel |
US5158618A (en) * | 1990-02-09 | 1992-10-27 | Biophotonics, Inc. | Photovoltaic cells for converting light energy to electric energy and photoelectric battery |
DE4128766A1 (de) * | 1991-08-29 | 1993-03-04 | Flachglas Ag | Solarmodul sowie verfahren zu dessen herstellung |
US5500051A (en) * | 1983-07-13 | 1996-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
-
1997
- 1997-07-24 DE DE19731853A patent/DE19731853A1/de not_active Ceased
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4234351A (en) * | 1978-07-14 | 1980-11-18 | The Boeing Company | Process for fabricating glass-encapsulated solar cell arrays and the product produced thereby |
US4410558A (en) * | 1980-05-19 | 1983-10-18 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous amorphous solar cell production system |
DE3142129A1 (de) * | 1981-07-23 | 1983-03-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Photovoltaisches solarmodul |
DE3423172A1 (de) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur herstellung einer solarbatterie |
US5500051A (en) * | 1983-07-13 | 1996-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US4686322A (en) * | 1985-08-12 | 1987-08-11 | Rca Corporation | Solar panel |
US5158618A (en) * | 1990-02-09 | 1992-10-27 | Biophotonics, Inc. | Photovoltaic cells for converting light energy to electric energy and photoelectric battery |
DE4128766A1 (de) * | 1991-08-29 | 1993-03-04 | Flachglas Ag | Solarmodul sowie verfahren zu dessen herstellung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NL-Z.: Solar Enery Materials and Solar Cells, Bd. 37, 1995, S. 295-306 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999061721A3 (de) * | 1998-05-28 | 2000-02-24 | Mueller Hermann Frank | Awning with flexible solar modules |
DE102009023901A1 (de) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photovoltaisches Modul mit flächigem Zellverbinder |
DE102009031600A1 (de) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photovoltaikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls |
DE102009059312A1 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Solarion AG, 04288 | Solarzelle oder Solarzellenanordnung und Verfahren zur Herstellung für flächenartige Solarmodule |
DE102009059312B4 (de) | 2009-12-23 | 2019-07-11 | Markus Hörmann | Solarzelle oder Solarzellenanordnung und Verfahren zur Herstellung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AT500259B1 (de) | Dünnschichtanordnung und verfahren zum herstellen einer solchen dünnschichtanordnung | |
DE102006044936B4 (de) | Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen und dessen Verwendung | |
DE4415132C2 (de) | Verfahren zur formgebenden Bearbeitung von dünnen Wafern und Solarzellen aus kristallinem Silizium | |
DE3303312A1 (de) | Verfahren zur herstellung verbesserter fotozellen-bauelemente und solarzelle | |
WO2020228893A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines ein trägersubstrat aufweisenden displays, ein nach diesem verfahren hergestelltes trägersubstrat sowie ein für ein flexibles display bestimmtes deckglas | |
DE102008051921A1 (de) | Mehrschichtsystem mit Kontaktelementen und Verfahren zum Erstellen eines Kontaktelements für ein Mehrschichtsystem | |
DE2839038C2 (de) | ||
DE3119682A1 (de) | "verfahren zur herstellung einer maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels strahlungslithographie" | |
WO2011095485A2 (de) | Solarzellenstring und verfahren zu dessen herstellung | |
EP2058870A2 (de) | Kontaktierung und Modulverschaltung von Dünnschichtsolarzellen auf polymeren Trägern | |
DE19731853A1 (de) | Solarzelleneinheit sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE4412050C2 (de) | Photoelektrochemisches Solarmodul und Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP1807871B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer beidseitig lichtempfindlichen solarzelle und beidseitig lichtempfindliche solarzelle | |
DE102009053416A1 (de) | Verfahren zur Herstellung und Verschaltung einer Solarzellanordnung | |
EP2404322A2 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen unter nutzung von dotierungstechniken | |
DE3317309A1 (de) | Duennschicht-solarzellenanordnung | |
WO2007085343A1 (de) | Verfahren zum herstellen von seriell verschalteten solarzellen sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens | |
EP3513425A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer kristallinen siliziumschicht und siliziumbasiertes halbleiterbauelement | |
DE3234925A1 (de) | Duennschichtvorrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
DE102012106607B4 (de) | Verfahren zur Versiegelung von Modulen mit optoelektronischen Bauelementen | |
DE102019112472B3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines ein Trägersubstrat aufweisenden Displays sowie ein nach diesem Verfahren hergestelltes Trägersubstrat | |
DE4336582A1 (de) | Solarzellenanordnung aus Solarzelleneinzelelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102004021568B4 (de) | Verfahren zur Herstellung flexibler Dünnschicht-Solarzellenanordnungen | |
WO2022101241A2 (de) | Anordnung umfassend organische leuchtdioden auf einem flexiblen substrat | |
DE19758589B4 (de) | Solarzelle und Verfahren zur Herstellung von Solarzellen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BIRKENHAUER, JOHANN W., 41179 MOENCHENGLADBACH, DE |
|
8131 | Rejection |