DE19727240C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer Hochtemperatursupraleiterschicht auf ein Trägerelement - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Aufbringen einer Hochtemperatursupraleiter-(HTSL)Schicht auf mindestens ein Trägerelement, insbe­ sondere langes Metallband, durch thermisch reaktives Verdampfen gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. 4.

Supraleiter sind bekanntermaßen Materialien, bei denen der Gleichstromwiderstand unterhalb einer materialspezifischen Temperatur, die auch Sprungtemperatur genannt wird, gleich Null ist und der Hochfrequenzwiderstand deutlich niedriger als bei nor­ malen Leitern ist. Weiterhin ist ein Supraleiter unterhalb seiner Sprungtemperatur ein idealer Diamagnet, d. h. er schirmt Magnetfelder ab. Supraleiter sind jedoch nur auf sehr aufwendige und teure Weise herzustellen, da ihre Sprungtemperatur nahe dem absoluten Nullpunkt, d. h. maximal 23 K, liegt.

Die in jüngster Zeit entwickelten Hochtemperatursupraleiter sind Materialien aus oxi­ dischen Keramiken, welche dieselben Eigenschaften wie Supraleiter besitzen, jedoch eine Sprungtemperatur von über 23 K aufweisen. Ein bekannter Hochtemperatursu­ praleiter ist YBa₂CU₃O₇ welcher eine Sprungtemperatur von 92 K besitzt. Diese hohe Sprungtemperatur ermöglicht die Anwendung von Hochtemperatursupraleitern in der Technik mit wirtschaftlich vertretbarem Aufwand.

Es sind Aufdampfanlagen zur Herstellung einer HTSL-Schicht auf einem Trägerele­ ment oder Substrat bekannt, bei welcher die Elemente Yttrium, Barium und Kupfer aus beheizten Metallschiffchen verdampft und die Substrate mittels eines rotierenden Substrathalters abwechselnd über den Aufdampfkanal und eine reaktive Oxidations­ zone geführt werden. Nachteilig ist bei dem dort praktizierten Verfahren, daß die zur Erzeugung einer möglichst homogenen HTSL-Schicht erforderliche gleichmäßige Sauerstoffzufuhr nicht in dem gewünschten Maß gewährleistet werden kann und dar­ überhinaus keine langen Substrate, beispielsweise mehrere hundert oder tausend Meter lange, zur Energieübertragung über weite Entfernungen dienende Bänder, be­ schichtet werden können.

Aus der gattungsbildenden US 4,981,839 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von HTSL-Schichten bekannt, bei dem ein Substrat mit einer metall­ oxidischen Schicht vorbeschichtet wird und durch eine Wärme- und Sauerstoffbe­ handlung fertig beschichtet wird. Hierbei ist jedoch eine Zuführung von Sauerstoff mittels eines beweglichen Sauerstoffverteilschlittens nicht vorgesehen.

Ferner ist aus der US 5,017,550 ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung einer oxidischen Dünnschicht bekannt, die in einer Vakuumkammern aufgebracht wird. Die Sauerstoffionenquelle ist dabei wie bei der vorgenannten Druckschaft sta­ tionär in der Vakuumkammer angeordnet.

Aus den Druckschriften JP 04-193967 A, JP 02-243781 A und JP 01-215963 A sind weitere Verfahren und Vorrichtungen zur Herstellung oxidischer Dünnschichten be­ kannt, bei denen ein Substrat durch Sauerstoffzufuhr oxidiert wird. Keine dieser Druckschriften offenbart dabei eine Zuführung von Sauerstoff mittels eines bewegli­ chen Sauerstoffverteilschlittens.

Ferner ist in der DE 196 31 101, die als nachveröffentlichtes Dokument nur hinsicht­ lich der Neuheit relevant ist, eine Beschichtungsapparatur gezeigt, die zwar einen bewegliche Sauerstoffzuführung aufweist, aber bei der die Sauerstoffzuführung nur als einzelner Kanal ausgebildet ist. Bei dem dort beschriebenen Herstellungsverfah­ ren wird ferner vor dem Beschichten der HTSL-Schicht keine Trägerschicht auf das Substrat aufgebracht.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs genannten Art zu schaffen, mit dem bzw. der die Herstellung einer HTSL-Schicht auf einem Trägerelement auf möglichst effektive und qualitativ hoch­ wertige Weise durchgeführt werden kann und auch, sehr lange Trägerelemente be­ schichtet werden können.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Anspruchs 1 bzw. 4 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den weiteren Ansprü­ chen beschrieben.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird der Sauerstoff durch kontinuierliches Hin- und Herbewegen eines mit geringem Abstand unterhalb des Trägerelementes angeordneten Sauer­ stoffverteilschlittens dem Trägerelement zugeführt.

Das erfindungsgemäße Hin- und Herbewegen des Sauerstoff­ verteilschlittens ermöglicht ein sehr gleichmäßiges, genau definiertes Aufbringen des Sauerstoffs auf die wachsende HTSL-Schicht. Da sich der Sauerstoffverteilschlitten in geringem Abstand unterhalb des Trägerelementes befindet, kann die Sauerstoffaufbringung auf die sich bildende HTSL- Schicht mit vergleichsweise hohem Druck durchgeführt wer­ den.

Die erfindungsgemäß Vorrichtung weist eine Sauerstoff­ zufuhreinrichtung mit einem mit geringem Abstand unterhalb des Trägerelementes angeordneten, sich in einer zum Trä­ gerelement parallelen Ebene hin- und herbewegenden Sauer­ stoffverteilschlitten auf, der eine Mehrzahl von nebenein­ anderliegenden, nach oben geöffneten Sauerstoffzufuhrkanä­ len und zwischen den Sauerstoffzufuhrkanälen vorgesehene Durchgangsöffnungen zum Durchtritt der HTSL-Schicht-Ele­ mente aufweist.

Der erfindungsgemäße Sauerstoffverteilschlitten weist, wie bereits im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfah­ ren beschrieben wurde, den Vorteil auf, daß eine HTSL- Schicht auf sehr gleichmäßige und effektive Weise erzeugt werden kann. Die zwischen den Sauerstoffzufuhrkanälen vorgesehenen Durchgangsöffnungen des Sauerstoffverteil­ schlittens ermöglichen hierbei einen Durchtritt der HTSL- Schicht-Elemente, d. h. von Yttrium, Barium und Kupfer im Falle einer YBa₂Cu₃O₇-Schicht, von unten durch den Sauer­ stoffverteilschlitten hindurch, so daß das Aufdampfen der HTSL-Schicht-Elemente auf das Trägerelement durch den Sauerstoffverteilschlitten nicht behindert wird.

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung sind die Führungsschienen des Sauerstoffverteilschlittens zwischen vertikal beabstandeten Kugellagern geführt, die mittels einer Kühlung in einem bestimmten Temperaturbe­ reich gehalten werden. Hierdurch wird eine sehr exakte Führung des Sauerstoffverteilschlittens auch bei hohen Temperaturen gewährleistet. Dies wiederum bietet die Mög­ lichkeit, einen sehr kleinen Spalt zwischen dem Sauer­ stoffverteilschlitten und einer darüber angeordneten Hal­ terung für die Trägerelemente einzuhalten, wodurch ein hoher Sauerstoffdruck im Bereich der Trägerelemente und eine sehr effektive Ausnutzung des Sauerstoffs erreicht werden können.

Auf der Unterseite des Sauerstoffverteilschlittens ist zweckmäßigerweise eine Heizeinrichtung vorgesehen, welche die Unterseite der Querstege zumindest teilweise umgibt. Hierdurch kann der über den Sauerstoffverteilschlitten zugeführte Sauerstoff auf sehr wirksame Weise unmittelbar vor dem Aufbringen auf die HTSL-Schicht auf die erforder­ liche Temperatur erwärmt werden.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen beispielshaft erläutert. In diesen zeigen:

Fig. 1: eine schematische Draufsicht auf eine vollständige HTSL-Beschichtungsanlage ge­ mäß der Erfindung,

Fig. 2: eine Seitenansicht der Beschichtungsanlage von Fig. 1,

Fig. 3: eine Draufsicht auf den Sauerstoffverteil­ schlitten mit Kurbelantrieb,

Fig. 4: einen Schnitt entlang der Linie IV-IV von Fig. 3,

Fig. 5: einen Schnitt längs der Linie V-V von Fig. 3,

Fig. 6: eine vergrößerte Darstellung der Einzel­ heit VI von Fig. 5,

Fig. 7: eine vergrößerte Darstellung der Einzel­ heit VII von Fig. 4,

Fig. 8: einen Querschnitt im Bereich des Sauer­ stoffverteilschlittens zur Verdeutlichung der Schlittenlagerung, Trägerelementhalte­ rung und Sauerstoffzuführung,

Fig. 9: eine vergrößerte Darstellung der Einzel­ heit IX von Fig. 8, und

Fig. 10: einen schematischen Querschnitt zur Ver­ deutlichung des Aufbaus einer HTSL-Schicht auf dem Trägerelement.

Anhand der Fig. 1 und 2 werden im folgenden die wesent­ lichen Bestandteile einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Aufbringung einer HTSL-Schicht auf Trägerelementen in der Form von langen, dünnen Metallbändern beschrieben. Die Vorrichtung besteht im wesentlichen aus einer eingangs­ seitigen Spulenkammer 1, einer ersten Vakuumkammer 2, einer zweiten Vakuumkammer 3, einer dritten Vakuumkammer 4 und einer ausgangsseitigen Spulenkammer 5.

Innerhalb der eingangsseitigen Spulenkammer 1 befinden sich mehrere, beispielsweise vier, nebeneinanderliegende Rollen oder Spulen 6, die um eine gemeinsame horizontale Querachse 7 drehbar sind und auf denen lange, dünne Me­ tallbänder 8 mit einer Länge von beispielsweise mehreren Kilometern aufgewickelt sind. Die Metallbänder 8 stellen Trägerelemente für eine HTSL-Schicht dar, die in der drit­ ten Vakuumkammer 4 auf die Metallbänder 8 aufgedampft wird, wie im folgenden noch näher beschrieben wird.

Die von den Rollen 6 abgewickelten Metallbänder 8 durch­ laufen zunächst die erste Vakuumkammer 2, in welcher aus einem Elektronenstrahlverdampfer 9 kontinuierlich ein Metall, beispielsweise Palladium oder Tantal, verdampft und auf die Unterseite der Metallbänder 8 aufgetragen wird.

In der zweiten Vakuumkammer 3 werden die Metallbänder 8 mit einer texturierten Oxidschicht versehen. Die Oxiddepo­ sition erfolgt wiederum mittels eines Elektronenstrahl­ verdampfers 10, wobei als Materialien beispielsweise Cer­ oxid (CeO₂), Yttrium-stabilisiertes Zinkronoxid (YSZ) oder Magnesiumoxid (MgO) verwendet werden.

Die Metallbänder 8 durchlaufen anschließend die dritte Vakuumkammer 4, in welcher die eigentliche HTSL-Schicht aus YBa₂Cu₃O₇ aufgedampft wird. Die Elemente Yttrium, Bari­ um und Kupfer werden simultan aus drei bodenseitigen Schiffchen 11a, 11b, 11c verdampft, die durch ein speziel­ les, nicht näher dargestelltes Füllsystem mit den Elemen­ ten Yttrium, Barium und Kupfer versorgt werden. Die Raten­ regelung erfolgt nach dem Prinzip der Atomabsorptions- Spektroskopie. In dieser dritten Vakuumkammer 4 erfolgt die Zuführung des für die Ausbildung der HTSL-Schicht erforderlichen Sauerstoffs mittels einer speziellen Sauer­ stoffzuführvorrichtung, die im folgenden noch näher erläu­ tert wird.

In jeder Vakuumkammer 2, 3, 4 befinden sich oberhalb der Metallbänder 8 Heizeinrichtungen 12, 13, 14, welche die Metallbänder 8 auf die erforderliche Temperatur von etwa 700° bis 750°C in den Vakuumkammern 2 und 3 bzw. auf etwa 650°C in der dritten Vakuumkammer 4 erwärmen.

Die Metallbänder 8 durchlaufen die Vakuumkammern 2, 3, 4 mit konstanter Geschwindigkeit und werden anschließend auf Rollen 15 aufgewickelt, die sich nebeneinander in der ausgangsseitigen Spulenkammer 5 befinden und um eine ge­ meinsame Querachse 16 drehbar sind. Der Antrieb der Rollen 6, 15 erfolgt über entsprechende, nicht näher dargestellte Motore.

Die Zufuhr des für die Ausbildung der HTSL-Schicht auf der Unterseite der Metallbänder 8 erforderlichen Sauerstoffs erfolgt über einen speziellen Sauerstoffverteilschlitten 17, der dicht unterhalb der Metallbänder 8 angeordnet ist und in Fig. 2 schematisch und in den Fig. 3 bis 9 im Detail dargestellt ist.

Der Sauerstoffverteilschlitten 17 weist, wie aus Fig. 3 ersichtlich, einen umlaufenden, horizontal angeordneten Rahmen 18 auf, der in der Draufsicht eine rechteckige Form hat. Die beiden Längsseiten des Rahmens 18 weisen in ihren äußersten Randbereichen Führungsschienen 19 auf, die sich geradlinig über die gesamte Länge des Sauerstoffverteil­ schlittens 17 erstrecken. Die beiden Führungsschienen 19 dienen zur beidseitigen Lagerung des Sauerstoffverteil­ schlittens 17 zwischen vertikal übereinanderliegenden Kugellagern 20a, 20b (Fig. 9), die auf ortsfesten Zapfen 21a, 21b sitzen. Auf jeder Seite des Sauerstoffverteil­ schlittens 17 sind so viele Paare von Kugellagern 20a, 20b vorgesehen, daß der Sauerstoffverteilschlitten 17 eine lineare, hin- und hergehende horizontale Bewegung, die durch den Doppelpfeil 23 von Fig. 3 veranschaulicht wird, innerhalb der dritten Vakuumkammer 4 ausführen kann und hierbei exakt, insbesondere in vertikaler Richtung, ge­ führt ist. Die oszillierende Bewegung des Sauerstoffver­ teilschlittens 17 kann beispielsweise mittels eines Kur­ beltriebs 24 und einer entsprechenden Kurbelstange 25 bewirkt werden, welche einerseits hubverstellbar am Kur­ beltrieb 24 und andererseits gelenkig am vorderen Querholm 26 des Rahmens 18 befestigt ist.

In seinem mittleren Bereich weist der Sauerstoffverteil­ schlitten 17 eine Mehrzahl von Querstegen 27 auf, die sich durchgehend von einem Rahmenlängsteil 28 zum gegenüberlie­ genden Rahmenlängsteil 28 erstrecken. Im gezeigten Aus­ führungsbeispiel sind insgesamt sechs Querstege 27 vor­ gesehen, welche, in Längsrichtung des Sauerstoffverteil­ schlittens 17 gesehen, in dessen mittlerem Drittel an­ geordnet sind. In jedem Quersteg 27 ist eine von oben her eingebrachte Vertiefung vorgesehen, die sich über die gesamte Länge der Querstege 27 erstreckt und einen nach oben hin offenen Sauerstoffzufuhrkanal 29 bildet. Die Sauerstoffzufuhrkanäle 29 stehen an ihren beiden Enden mit Längskanälen 30 in Verbindung, welche sich auf der Ober- und Unterseite eines jeden Rahmenlängsteils 28 befinden. In diese Längskanäle 30 sind von oben und unten her Sauer­ stoffzuleitungen 31 eingeführt (siehe Fig. 8), über wel­ che die Längskanäle 30 und damit die Sauerstoffzufuhrkanä­ le 29 innerhalb der Querstege 27 mit Sauerstoff versorgt werden.

Wie aus Fig. 8 und 9 ersichtlich, ist der Sauerstoff­ zufuhrschlitten 17 mit geringem Abstand a unterhalb von Trägerschienen 32, 32a angeordnet, welche sich zwischen den Metallbändern 8 in deren Längsrichtung erstrecken. Die Trägerschienen 32, 32a weisen in ihrem unteren Bereich seitliche Horizontalvorsprünge auf, welche die Randberei­ che der Metallbänder 8 untergreifen und somit eine Gleit­ führung für diese darstellen. Im gezeigten Ausführungsbei­ spiel, bei dem vier nebeneinanderliegende Metallbänder 8 gleichzeitig eine HTSL-Schicht erhalten, sind somit ins­ gesamt 5 Trägerschienen vorgesehen. Von Bedeutung ist insbesondere, daß der Sauerstoffzufuhrschlitten 17 einen geringen vertikalen Abstand a (Fig. 9) zu den beiden äuße­ ren Trägerschienen 32a aufweist, um ein seitliches Ab­ strömen des zugeführten Sauerstoffs zu vermeiden. Dieser vertikale Abstand a kann beispielsweise die Größenordnung von nur einigen Zehntel Millimetern, beispielsweise 0,2 mm, haben. Wie ersichtlich, wird somit der Sauerstoff mittels einer Zwangsführung bis unmittelbar unterhalb der Unterseite der Metallbänder 8 geleitet, so daß der Sauer­ stoff auf sehr effektive Weise genau an die gewünschten Stellen gebracht werden kann. Durch das Hin- und Herbewe­ gen des Sauerstoffzufuhrschlittens erfolgt hierbei eine besonders gleichmäßige Verteilung des Sauerstoffs auf der Unterseite der Metallbänder 8.

Um eine möglichst konstante minimale Spalthöhe (Abstand a) zwischen den äußeren Trägerschienen 32a und dem Sauer­ stoffzufuhrschlitten 17 aufrecht erhalten zu können, sind die Zapfen 21a, 21b, welche die Kugellager 20a, 20b tra­ gen, hohl ausgebildet, so daß von ihrer Außenseite her eine Kühlflüssigkeit über eine in die Hohlräume hinein­ ragende Kühlflüssigkeitsleitung 33 eingeführt werden kann. Über den Ringraum zwischen der Kühlflüssigkeitsleitung 33 und der Hohlraumwandung kann die Kühlflüssigkeit wieder abfließen. Mittels dieser Kühlflüssigkeit können die Zap­ fen 21a, 21b und damit die Lager 20a, 20b in einem be­ stimmten Temperaturbereich gehalten werden, so daß eine sehr genaue und gleichbleibende Führung des Sauerstoff­ zufuhrschlittens 17 möglich ist.

Die seitlichen vertikalen Träger 22, an denen die Zapfen 21a, 21b befestigt sind, sowie weitere Vertikalträger 34, an denen die Trägerschienen 32a gehaltert sind, sind an einer oberen horizontalen Trägerplatte 35 befestigt, wel­ che sich über die gesamte Breite der in Fig. 8 gezeigten Anordnung erstreckt.

In Fig. 8 ist weiterhin oberhalb der Trägerschienen 32, 32a die obere Heizeinrichtung 14 (siehe auch Fig. 2) schematisch eingezeichnet, welche sich in horizontaler Lage über die Metallbänder 8 erstreckt und mit einer zu­ sätzlichen äußeren Abschirmung gegen unerwünschte Wärme­ verluste nach oben versehen ist.

Um ein Durchtreten der im Bodenbereich der dritten Vakuum­ kammer 4 erzeugten Yttrium-, Barium- und Kupferdämpfe zur Unterseite der Metallbänder 8 auch im Bereich des Sauer­ stoffzufuhrschlittens 17 zu ermöglichen, weisen die Quer­ stege 27 einen Abstand voneinander auf, so daß zwischen ihnen Durchgangsöffnungen 37 in der Form von länglichen Spalten vorgesehen sind. Durch diese Durchgangsöffnungen 37 können die Yttrium-, Barium- und Kupferatome ungehin­ dert hindurchtreten und zur Unterseite der Metallbänder 8 gelangen, wie aus Fig. 6 ersichtlich ist.

Zwischen dem Bereich der Querstege 27 und dem vorderen und hinteren Querholm 26 ist jeweils eine großflächige Aus­ sparung 36 vorgesehen, um den Sauerstoffverteilschlitten 17 zur Erhöhung seiner Stabilität zu verlängern.

Aus Fig. 6 geht weiterhin hervor, daß jeder Quersteg 27 auf seiner Unterseite mit einer zusätzlichen Heizeinrich­ tung 38 umgeben ist, die einerseits den innerhalb der Sauerstoffzufuhrkanäle 29 zugeführten Sauerstoff erwärmt und andererseits ein Wärmeschild auf der Unterseite der Metallbänder 8 erzeugt, das eine gleichmäßig hohe Tempera­ tur im Bereich der Metallbänder 8 sicherstellt. Um Wärme­ verluste nach unten zu vermeiden, ist die zusätzliche Heizeinrichtung 38 auf ihrer Unterseite von einer Abschir­ mung 39 umgeben.

Unterhalb der seitlichen Trägerschienen 32a ist weiterhin eine nach unten abgeschirmte, jedoch feststehende Heizung 40 vorgesehen.

In Fig. 10 ist in schematischer, nicht maßstabsgerechter Darstellung ein Ausschnitt des fertig beschichteten Me­ tallbandes 8 ersichtlich. An die Unterseite des Metall­ bandes 8, welches als Trägerelement dient, befindet sich zunächst die in der ersten Vakuumkammer 2 aufgedampfte Metallschicht 41, die beispielsweise aus Palladium oder Tantal besteht. Hieran schließt sich die in der zweiten Vakuumkammer 3 aufgedampfte, texturierte Oxidschicht 42 an, die beispielsweise aus CeO₂, YSZ oder MgO besteht. Auf dieser Oxidschicht 42 wird in der dritten Vakuumkammer 4 die HTSL-Schicht 43 aus Yttrium, Barium und Kupfer aufge­ dampft.

Claims (15)

1. Verfahren zum Aufbringen einer Hochtemperatursupraleiterschicht auf min­ destens ein Trägerelement, insbesondere ein langes Metallband (8), durch thermisch reaktives Verdampfen von Hochtemperatursupraleiterschicht- Elementen, insbesondere von Yttrium, Barium und Kupfer, und Zuführen von Sauerstoff, wobei vorher auf das Trägerelement in einer Vakuumkammer ei­ ne texturierte Oxidschicht aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß Sauerstoff durch kontinuierliches Hin- und Herbewegen eines mit geringem Abstand unterhalb des Trägerelementes angeordneten Sauerstoffverteil­ schlittens (17) dem Trägerelement zugeführt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffzuführung über ein lineares, horizontales Hin- und Herbewegen des Sauerstoffverteilschlittens (17) erfolgt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Trägerelement kontinuierlich durch eine Hoch­ temperatursupraleiter-Beschichtungsstation hindurchgeführt wird.

4. Vorrichtung zum Aufbringen einer Hochtemperatursupra­ leiterschicht auf mindestens ein Trägerelement, insbeson­ dere langes Metallband (8), durch thermisch reaktives Verdampfen von Hochtemperatursupraleiterschicht-Elementen insbesondere von Yttrium, Barium und Kupfer, innerhalb einer Hochtemperatursupraleiter-Beschichtungsstation, mit einer Einrichtung zum Zuführen von Sauerstoff zum Träger­ element, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffzufuhr­ einrichtung einen mit geringem Abstand unterhalb des Trä­ gerelementes angeordneten, sich in einer zum Trägerelement parallelen Ebene hin- und herbewegenden Sauerstoffverteil­ schlitten (17) aufweist, der eine Mehrzahl von nebenein­ anderliegenden, nach oben geöffneten Sauerstoffzufuhrkanä­ len (29) und zwischen den Sauerstoffzufuhrkanälen (29) vorgesehene Durchgangsöffnungen (37) zum Durchtritt der Hochtemperatursupraleiterschicht-Elemente aufweist.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Sauerstoffverteilschlitten (17) eine rechteckige Form hat, wobei an zwei Rahmenlängsteilen (28) Führungs­ schienen (19) ausgebildet und die Sauerstoffzufuhrkanäle (29) quer zu diesen Rahmenlängsteilen (28) angeordnet sind.

6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Sauerstoffzufuhrkanäle (29) innerhalb von parallelen, beabstandeten Querstegen (27) ausgebildet sind, die zumindest über den größten Teil ihrer Länge nach oben offen sind.

7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Sauerstoffzufuhrkanal (29) mit mindestens einem gemeinsamen Längskanal (30) verbunden ist, der sich im längsseitigen Randbereich des Sauerstoff­ verteilschlittens (17) befindet.

8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungsschiene (19) des Sauer­ stoffverteilschlittens (17) zwischen vertikal beabstande­ ten Kugellagern (20a, 20b) geführt sind, die mittels einer Kühlung in einem bestimmten Temperaturbereich gehalten werden.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kugellager (20a, 20b) auf hohlen, mittels eines Kühlfluids gekühlten Zapfen (21a, 21b) gehaltert sind.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß an der Unterseite des Sauerstoffver­ teilschlittens (17) eine sich mit dem Sauerstoffverteil­ schlitten (17) mitbewegende Heizeinrichtung (38) vorgese­ hen ist.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (38) die Unterseite der Querstege (27) zumindest teilweise umgibt.

12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß sich mit geringem Abstand a oberhalb des Sauerstoffverteilschlittens (17) eine Halteeinrichtung (32, 32a) für mindestens ein Trägerelement befindet.

13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Halteeinrichtung aus mehreren beabstandeten, eine Mehrzahl von Trägerelementen in ihren Randbereichen tra­ genden, zueinander parallelen Trägerschienen (32, 32a) besteht.

14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement aus einem langen Metallband (8) besteht, das kontinuierlich durch die Hochtemperatursupraleiter-Beschichtungsstation hindurch­ geführt wird.

15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß hinter der Beschichtungsstation eine Aufwickelvor­ richtung zum Aufwickeln des beschichteten Trägerelements auf eine Rolle (15) vorgesehen ist.