DE4030675C2 - Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung von Materialien auf einem Substrat - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung von Materialien auf einem SubstratInfo
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- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einem Reaktor mit einer eine lokalisierte
Abscheidezone zur Abscheidung von Materialien auf einem Substrat erzeugenden
Materialquelle.
Weiterhin betrifft die Erfindung noch ein Verfahren zur Abscheidung von Materia
lien auf einem Substrat aus einer mittels einer Materialquelle in einem Reaktor
erzeugten lokalisierten Abscheidezone.
Die Herstellung von Diamantschichten durch Abscheidung aus Gasphasen bei relativ
niedrigen Drücken ist z. B. aus der US-PS 4 767 608 sowie aus Metallurgical
Transactions 20 A (1989) 1282-1284, Japanese Journal of Applied Physics 28 (1989)
1718-1724, Materials Letters 8 (1989) 369-374, Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 134-136
und J. Appl. Phys. 67 (1990) 2596-2602 bekannt. Durch einige dieser Verfahren
werden mit Hilfe strahlförmig fokussierter Abscheidezonen auf kleinen Flächen
Diamantschichten mit sehr hohen Raten von 50 bis 1000 µm/Stunde erzeugt. Zu
diesen Verfahren gehören die Abscheidung von Diamant durch Plasmaspritztech
niken und durch chemische Flammen, z. B. von Acetylen/Sauerstoffbrennern.
Bei der Abscheidung von Diamantschichten und -partikeln bilden sich außerhalb des
Zentralbereichs der Abscheidezone sehr leicht unerwünschte Mischphasen aus Dia
mant und anderen Kohlenstoffmodifikationen. Dies kann mit Variationen der Tempe
ratur der Substratoberfläche erklärt werden, die außerhalb des Zentralbereichs der
Abscheidezone stark abfallen kann. In Gegenwart von Luft oder anderen nicht direkt
für die Abscheidung notwendigen Gasen kann es beispielsweise bei der Flammen
synthese von Diamant außerhalb des Zentralbereichs der Abscheidezone zu
unerwünschten Nebenreaktionen kommen, die zu einer Graphitisierung der gerade
erzeugten Diamantschicht führen können oder diese infolge des Sauerstoffüberschus
ses an der Peripherie der Abscheidezone oxidativ zerstören. Diese Nachteile des
Standes der Technik sind besonders dann gravierend, wenn die strahlförmige gebün
delte Abscheidezone zur Vergrößerung der Abscheidefläche über das Substrat be
wegt wird. Dann werden nämlich die unerwünschten Nebenprodukte, die außerhalb
des Zentralbereichs der Abscheidezone abgelagert wurden, unter der durch die
Bewegung sich bildenden neuen Beschichtung begraben oder in die neu sich bildende
Schicht eingeschleppt und verschlechtern so die an sich guten Eigenschaften des im
Zentralbereich der Abscheidezone gebildeten Materials. Beispielsweise können diese
Mischphasen in Transmissionsfenstern zu unerwünschten Absorptionen und Streuun
gen führen oder die Wärmeleitfähigkeit der Diamantschichten verringern.
Aus EP 0 324 538 ist ein Verfahren zur Herstellung von Diamant mittels Abschei
dung aus der Gasphase (CVD) bekannt, das daraus besteht, eine Rohmaterialverbin
dung zur Synthese von Diamant unter Bildung einer Verbrennungsflamme zu ver
brennen, ein Substrat zur Abscheidung von Diamant in der Verbrennungsflamme zu
positionieren und das Substrat auf einer vorgegebenen Temperatur zu halten. Gemäß
der Offenbarung kann das Substrat vorzugsweise in einem ungesättigten Teil der
Verbrennungsflamme positioniert werden. Die Abscheidung von Diamant auf dem
Substrat kann jedoch auch durch Positionieren des Substrates im gesättigten Teil der
Verbrennungsflamme erfolgen. Des weiteren kann die Abscheidung von Diamant
auch erfolgen, indem ein Teil des Substrates in dem Teil der Verbrennungsflamme
mit Suaerstoffüberschuß positioniert wird. Damit wird ein Verfahren offenbart, bei
dem eine Abscheidung von Material in jedem Teil der Verbrennungsflamme statt
findet. Daher werden auch bei diesem Verfahren die oben geschilderten Mischpha
sen aus Diamant und anderen Kohlenstoffmodifikationen bei der Abscheidung ge
bildet. Nur das nach Patentanspruch 2 eingeschränkte Verfahren vermeidet diese
Nachteile, indem das Substrat in den ungesättigten Teil der Verbrennungsflamme
(Zentralbereich) gebracht wird. Das erfordert jedoch eine nicht offenbarte, genaue
Kontrolle der Einhaltung der Position und eine Begrenzung der maximalen Größe
des Substrates auf die Ausdehnung des ungesättigten Teiles der Verbrennungs
flamme.
Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Abscheidung erwünschter Materialien
auch auf großen Substraten durch einfachen Ausschluß unerwünschter Reaktionspro
dukte zu erreichen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei einer Vorrichtung der
eingangs genannten Art die Abscheidezone auf eine Öffnung in der gegenüberliegen
den Reaktorwand gerichtet ist, wobei das Substrat in dieser Öffnung derart angeord
net ist, daß es einen Teil der Wand bildet.
Vorteilhafte und zweckmäßige Ausgestaltungen und Ausführungsformen der erfin
dungsgemäßen Vorrichtung bestehen darin,
- - daß das Substrat derart angeordnet ist, daß es in den Reaktor hineinragt und eine Wandüberhöhung bildet,
- - daß das Substrat und die Abscheidezone relativ zueinander beweglich ange ordnet sind,
- - daß die Wandüberhöhung des Substrates zeitlich, insbesondere mit konstanter Geschwindigkeit oder in Stufen, veränderlich ist,
- - daß das Substrat an einem drehbaren, radförmigen Substrathalter in der Abscheidezone angebracht ist,
- - oder daß ein Förderband zum Einbringen des Substrates in die Abscheidezone vorgesehen ist,
- - daß die Teile des Substrates, die nicht der Abscheidezone ausgesetzt sind, in eine Schutzgasatmosphäre eingebracht sind,
- - daß sich die nicht der Abscheidezone ausgesetzten Substratteile in einem Raum befinden, der von einem Schutzgas durchspült ist,
- - daß zumindest ein Teil des Schutzgases im Bereich der Abschirmblende in den die Abscheidezone enthaltenen Reaktor eintritt,
- - daß der Bereich um die Abscheidezone einer definierten Atmosphäre einschließlich einer Unterdruckzone ausgesetzt ist,
- - daß die Substrattemperatur durch die Geschwindigkeit der Relativbewegung zwischen Abscheidezone und Substratoberfläche einstellbar ist,
- - daß die Temperatureinstellung durch das Einbringen von Heiz- und Kühl zonen zusätzlich beeinflußbar ist,
- - daß die Substratoberfläche nacheinander verschiedenen Abscheidezonen ausgesetzt ist,
- - wobei die Abscheidezonen nach dem gleichen Grundprinzip arbeiten und gleiche oder verschiedene Materialien erzeugen, oder nach verschiedenen Grundprinzipien, z. B. CVD und Tauchverfahren, arbeiten und verschiedene Materialien erzeugen,
- - daß das der Abscheidezone zugeführte Substrat entweder aus einer einzigen Materialsorte
- - oder aus unterschiedlichen Materialien besteht.
Weiterhin wird die Aufgabe durch ein Verfahren gelöst, bei dem die mittels einer
Materialquelle in einem Reaktor erzeugte lokalisierte Abscheidezone auf eine
Öffnung in der gegenüberliegenden Reaktorwand gerichtet ist, wobei in dieser
Öffnung das Substrat angeordnet wird und Bereiche der Abscheidezone mittels eines
Schalbleches vom Substrat ferngehalten werden.
Das Verfahren kann bevorzugt deart ausgestaltet werden, daß das Substrat in den
Reaktor hineinragt und eine Wandüberhöhung bildet, und daß die Wandüberhöhung
des Substrates zeitlich, mit konstanter Geschwindigkeit oder in Stufen, verändert
wird.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das entsprechende Verfahren ermöglichen
eine selektive und kontinuierliche Beschichtung eines Substrates mit Materialien
gleicher oder unterschiedlicher Art. Unter selektiver Beschichtung ist hier die
innerhalb eines Reaktors erfolgende räumlich selektive Abscheidung auf einem
Substrat zu verstehen. Mit kontinuierlicher Beschichtung ist gemeint, daß das
Substrat kontinuierlich nur in einem bestimmten Teil (räumliche Selektion) des
Reaktors ein- und ausgeführt (eingetaucht) wird, ohne benachbarte Bereiche zu
berühren.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung ermöglicht außerdem die Beschichtung dotierter
und strukturierter Materialien und erlaubt, daß die Oberflächentemperatur des
Substrates von den Reaktionsbedingungen weitgehend entkoppelt werden kann.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird der Abscheideprozeß so geführt, daß
die Substratoberfläche trotz der Relativbewegung zwischen Substrat und Abscheide
zone nur mit den Teilbereichen der Zone in Kontakt kommt, die die erwünschten
Materiakien zu erzeugen erlauben. Die Teilbereiche, in denen unerwünschte
Nebenprodukte erzeugt werden können, werden vom Substratmaterial ferngehalten.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung ermöglicht, daß die Bereiche der Abscheidezone,
in denen unerwünschte Nebenprodukte entstehen oder unerwünschte Nebenreaktio
nen ablaufen können, durch die als Blende oder Schalblech wirkende Wand des
Reaktors vom Substrat ferngehalten werden, wobei gleichzeitig die Substratoberflä
che den Teilen der Abscheidezone ausgesetzt wird, die die gewünschten Materialien
oder deren Vorstufen enthalten.
Als Generator zur Erzeugung der zur Abscheidung kommenden Materialien wird
zweckmäßigerweise ein Sauerstoff/Acetylen-Brenner, wie er zur Herstellung von
Diamanten verwendet werden kann, gewählt. An dessen Stelle kann aber auch
beispielsweise eine Plasmazone oder jede andere, eine lokalisierte Abscheidezone
erzeugende Materialquelle gesetzt werden. Auch ist das Verfahren nicht auf die
Herstellung von Diamantschichten beschränkt, sondern kann überall dort eingesetzt
werden, wo in Teilen der Abscheidezone unerwünschte Reaktionen zu nicht ver
wendbarem Material führen, der Zentralbereich der Abscheidezone aber die
erwünschten Materialien anliefert.
Diese und andere (im einzelnen angegebene) Gesichtspunkte
der Erfindung werden in den nachfolgenden Ausgestaltungen
der Erfindung offenbart und erläutert.
Ferner sind Ausführungsbeispiele der Erfindung in einer
Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher
beschrieben.
In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 schematisch einen Längsschnitt durch eine
Vorrichtung zur Abscheidung von Materialien auf
einem Substrat,
Fig. 2 schematisch eine Aufsicht auf einen Teil der
Vorrichtung entlang der Schnittlinie A-A in Fig. 1,
Fig. 3 schematisch eine Detailansicht der Abscheidezone in
einer Abwandlung der Vorrichtung nach Fig. 1 und
Fig. 4 ein Raman-Spektrum einer durch Abscheidung herge
stellten Diamantschicht.
Gemäß Fig. 1 ist ein Brenner 1 an Zuleitungen 2 und 3 für
Sauerstoff und Acetylen mit Ventilen 4 und 5 ange
schlossen. Der Brenner 1 ist in einem Behälter 6 ange
ordnet, in dessen Boden 7 eine Öffnung 8 dergestalt einge
bracht worden ist, daß der Bereich 9 der Abscheidezone,
der erwünschtes Material 10 liefert (für den Fall der
Diamantsynthese der reduzierende Teil einer
Sauerstoff/Acetylen-Flamme), die Öffnung 8 abdeckt. In die
Öffnung 8 wird von unten ein Substrat 11 derart
eingebracht, daß es lediglich in den Bereich 9 der
Abscheidezone eintauchen kann. Die Teilbereiche 12 und 13
der Abscheidezone, in denen das bereits abgeschiedene
Material wieder zerstört werden kann, z. B. durch
Oxidation, oder in denen unerwünschte Nebenprodukte
mitgeführt werden, wird durch den als Schalblech wirkenden
Boden 7 vom Substrat 11 ferngehalten und die Nebenprodukte
können zusätzlich durch eine Absaugung 14 entfernt
werden. Das Substrat selbst kann auf einem Trägerrad 15
mit Antrieb 16 oder einer ähnlichen Transportvorrichtung
montiert sein, wobei seine Oberfläche fortlaufend oder in
einzelnen Teilen und Schritten der Abscheidezone 9 zuge
führt werden kann. Auch ist die Montage verschiedener
Substrate aus unterschiedlichen Materialien möglich. Neben
einem Transportrad kommen ein über Transportrollen
laufendes Band oder auch ein an der Substrat-Montagestelle
abgeflachtes Polygon in Frage.
Zum Schutz des sich außerhalb der Abscheidezone befind
lichen Teils der Substrathalterung und des Substrates
(oder von Substratteilen) kann die Transportvorrichtung in
einen Behälter 17 eingebaut werden, der reit Schutz- oder
Spülgas (Pfeil 18) beaufschlagt werden kann. Hierbei ist
sowohl eine statische Befüllung des Behälters 17 als auch
ein Durchströmen des Behälters 17 möglich. Im Fall der
Durchströmung kann das Spülgas an jeder beliebigen Stelle
des Behälters 17 diesen verlassen oder aber vorzugsweise,
wie in Fig. 1 gezeigt, an die Öffnung 8 und zwischen
Substrat 11 und Schalblech 7 hindurchgeführt werden
(Pfeile 19 bis 22) und dort in den Behälter 6 austreten.
Die Schutzwirkung des Schalblechs 7 kann auf diese Weise
noch erhöht werden.
In der Aufsicht auf die Abscheidezone und deren Umgebung
nach Fig. 2 haben die Bezugszeichen dieselbe Bedeutung
nach Fig. 1.
Die Dimensionierung der Vorrichtung ist in der Detail
darstellung in Fig. 3 noch etwas näher erläutert. Dort ist
gezeigt, daß der Durchmesser dB der Öffnung 8 kleiner
oder maximal gleich groß wie die Abmessung dR der die
gewünschten Materialien erzeugenden Abscheidezone 9 sein
muß, um die genannte Schutzwirkung zu erzielen. Der
Abstand z zwischen Substrat und Schälblechoberfläche ist
vorzugsweise größer, mindestens aber gleich Null, keines
falls aber kleiner als Null. Wenn z größer als Null ist,
liegt eine Wandüberhöhung des Subtrates vor. Die lineare
Abmessung dS, I des Substrates 11 muß natürlich kleiner
als dB sein, um die Substratoberfläche, wie beschrieben,
der geeigneten Abscheidezone 9 selektiv zuführen zu
können. Darüber hinaus spielt, wie der Vergleich von
Fig. 1 und Fig. 2 zeigt, die relative Orientierung des
bewegten Substrates keine weitere Rolle.
Die Substrattemperatur kann durch Variation der
Geschwindigkeit der Relativbewegung zwischen Substrat und
der Abscheidezone auf einfache Weise eingestellt werden.
Ist beispielsweise die Brennerflamme sehr energiereich, so
kann die Substratoberfläche durch schnelleres Hindurch
bewegen durch die Abscheidezone in ihrer Temperatur
niedrig gehalten werden. Dieser Temperaturregelvorgang
kann, wie ebenfalls in Fig. 1 beispielhaft dargestellt,
durch das Einbringen eines kühlenden oder, falls
notwendig, auch eines heizenden Tauchbades 23, den Einbau
von Reflektor-, Heiz- oder Kühlflächen 24 unterschied
licher Ausdehnung oder durch die Länge der Transport
strecke, d. h. beispielsweise durch den Durchmesser des
Trägerrades 15, beeinflußt werden.
Es ist auch möglich, den schichtweisen Materialauftrag so
zu bewerkstelligen, daß mehrere Abscheidezonen
nacheinander aufgebaut werden und das Substrat in der
genannten Weise durch mehrere dieser Zonen gefahren wird. Dabei können gleich
artige Materialien oder, z. B. zur Erzeugung von Vielschichtstrukturen, unterschied
liche Materialien aufgebracht werden. Die Beschichtungstechnik kann für die unter
schiedlichen Zonen identisch oder verschieden sein. Beispielsweise kann sich in dem
in Fig. 1 gezeigten Tauchbad 23 noch ein Material befinden, das während des
Tauchvorgangs auf das Substrat aufgebracht wird und dort als Teil der Schichtstruk
tur verbleibt oder beim Durchlaufen der nächsten Reaktionszone chemisch oder
physikalisch verändert wird, z. B. Zersetzung, Sinterung, partielle Verdampfung. Es
ist auch möglich, die Temperatur des Substrates beim Eintauchen in die Abscheide
zone durch Vorheizen in nichtreaktiven Zonen, z. B. mittels Strahlung, auf einen
gewünschten Wert zu bringen, so daß die Abscheidung auf zu kalten Substratober
flächen, die beispielsweise bei der Diamantsynthese zu einer Verschlechterung der
Materialeigenschaften führen kann, vermieden wird. Selbstverständlich ist, falls dies
gewünscht ist, auch der Einbau nichtreaktiver Vorkühlzonen möglich.
Es wurden Diamantschichten und Diamantpartikel unter Einhaltung folgender
Randbedingungen hergestellt:
Substrat-Temperatur:
etwa 700°C; Substrat durch Rotation gekühlt.
Substrat-Material:
einkristallines Silizium-Wafer.
Rohgasgemisch:
Acetylen/Sauerstoff; Gesamtfluß 2000 cm3 unter Standardbedingungen; O/C- Verhältnis 0,82.
Substrat-Temperatur:
etwa 700°C; Substrat durch Rotation gekühlt.
Substrat-Material:
einkristallines Silizium-Wafer.
Rohgasgemisch:
Acetylen/Sauerstoff; Gesamtfluß 2000 cm3 unter Standardbedingungen; O/C- Verhältnis 0,82.
Die erzielte lineare Abscheiderate auf dem sich drehenden
und durch die Flamme geführten Substrat lag im Maximum bei
0,1 mm pro Stunde. Die Morphologie einer auf diese Weise
hergestellten Diamantschicht zeigt die typische
< 100 < Facettierung von Diamant. In dem in Fig. 4
gezeigten Raman-Spektrum einer solchen Schicht beträgt die
Halbwertsbreite des bei 1332 cm-1 lokalisierten Diamant
typischen Peaks nur 3 cm-1. Dies zeigt zusammen mit dem
Fehlen der typischen Graphit-Peaks bei etwa 1360 cm-1 die
Phasenreinheit des erfindungsgemäß abgeschiedenen
Materials an.
Claims (17)
1. Vorrichtung mit einem Reaktor mit einer eine lokalisierte Abscheidezone zur
Abscheidung von Materialien auf einem Substrat erzeugenden Materialquelle, die auf
eine Öffnung in der gegenüberliegenden Reaktorwand gerichtet ist, wobei das
Substrat in dieser Öffnung derart angeordnet ist, daß es einen Teil der Wand bildet.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat derart angeordnet ist, daß es in den Reaktor hineinragt und eine
Wandüberhöhung bildet.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat und die Abscheidezone relativ zueinander beweglich angeordnet
sind.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wandüberhöhung des Substrates zeitlich, insbesondere mit konstanter
Geschwindigkeit oder in Stufen, veränderlich ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat an einem drehbaren, radförmigen Substrathalter in der
Abscheidezone angebracht ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Förderband zum Einbringen des Substrates in die Abscheidezone vorgesehen
ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Teile des Substrates, die nicht der Abscheidezone ausgesetzt sind, in eine
Schutzgasatmosphäre eingebracht sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß sich die nicht der Abscheidezone ausgesetzten Substratteile in einem Raum
befinden, der von einem Schutzgas durchspült ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß zumindest ein Teil des Schutzgases im Bereich der Abschirmblende in den die
Abscheidezone enthaltenen Reaktor eintritt.
10. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Bereich um die Abscheidezone einer definierten Atmosphäre einschließlich
einer Unterdruckzone ausgesetzt ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrattemperatur durch die Geschwindigkeit der Relativbewegung
zwischen Abscheidezone und Substratoberfläche einstellbar ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Temperatureinstellung durch das Einbringen von Heiz- und Kühlzonen
zusätzlich beeinflußbar ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Substratoberfläche nacheinander verschiedenen Abscheidezonen ausgesetzt
ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das der Abscheidezone zugeführte Substrat aus einer einzigen Materialsorte
besteht.
15. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das der Abscheidezone zugeführte Substrat aus unterschiedlichen Materialien
besteht.
16. Verfahren zur Abscheidung von Materialien auf einem Substrat aus einer mittels
einer Materialquelle in einem Reaktor erzeugten lokalisierten Abscheidezone, die auf
eine Öffnung in der gegenüberliegenden Reaktorwand gerichtet ist, wobei in dieser
Öffnung das Substrat angeordnet wird und Bereiche der Abscheidezone mittels eines
Schalbleches vom Substrat ferngehalten werden.
17. Verfahren nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat in den Reaktor hineinragt und eine Wandüberhöhung bildet, und
daß die Wandüberhöhung des Substrates zeitlich, mit konstanter Geschwindigkeit
oder in Stufen, verändert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904030675 DE4030675C2 (de) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung von Materialien auf einem Substrat |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904030675 DE4030675C2 (de) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung von Materialien auf einem Substrat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4030675A1 DE4030675A1 (de) | 1992-04-02 |
DE4030675C2 true DE4030675C2 (de) | 1998-10-29 |
Family
ID=6415151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904030675 Expired - Fee Related DE4030675C2 (de) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung von Materialien auf einem Substrat |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4030675C2 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19604461C1 (de) * | 1996-02-08 | 1997-04-03 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mit mikroelektronischen Strukturen |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4767608A (en) * | 1986-10-23 | 1988-08-30 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for synthesizing diamond by using plasma |
EP0324538A1 (de) * | 1988-01-14 | 1989-07-19 | Yoichi Hirose | Dampf-Phasen-Verfahren zur Herstellung eines Diamanten |
-
1990
- 1990-09-28 DE DE19904030675 patent/DE4030675C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4767608A (en) * | 1986-10-23 | 1988-08-30 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for synthesizing diamond by using plasma |
EP0324538A1 (de) * | 1988-01-14 | 1989-07-19 | Yoichi Hirose | Dampf-Phasen-Verfahren zur Herstellung eines Diamanten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4030675A1 (de) | 1992-04-02 |
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