DE19715501C1 - Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten - Google Patents

Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten, das insbesondere im Bereich der Halbleitertechnologie bei der Metallisierung von integrierten Schaltkreisen Verwendung findet.
Für die Metallisierung von integrierten Schaltkreisen, insbesondere mit CMOS-Technik, wird derzeit vornehmlich Aluminium oder Aluminium mit geringen Zusätzen von Silizium und Kupfer eingesetzt. Mit zunehmend dichterer Integration mit Strukturgrößen unter 1 µm treten jedoch beim Metall Aluminium aufgrund seiner ungenügenden Leitfähigkeit und der auftretenden Elektromigration Probleme auf.
Zur Zeit wird weltweit der Einsatz von Kupfer als Metallisierungsmaterial untersucht, da es einen geringeren spezifischen Widerstand und eine höhere Festigkeit bezüglich Elektromigration aufweist (vgl. z. B. Jian Li, "Copper-Based Metallization for ULSI Application", MRS Bulletin June 1993 S. 18). Dies erlaubt höhere Integrationsdichten und schnellere Taktzeiten der gefertigten Schaltkreise. Die Abscheidung dünner Kupferschichten erfolgt mittels CVD oder Sputtern. Allerdings bereitet die Strukturierung dieser Schichten zu Leiterbahnen, Bondpads und Durchkontaktierungen aus den folgenden Gründen Probleme.
Die bei Aluminium übliche Strukturierung, d. h. Photolithographie und anschließendes Ätzen in Plasma, läßt sich nur bedingt auf Kupfer übertragen. Kupfer als Übergangselement bildet im Gegensatz zu Aluminium keine leichtflüchtigen Verbindungen mit Ätzgasen, die Fluor oder Chlor enthalten (siehe z. B. Y. Igarashi, "High-Reliability Copper Interconnects through Dry Etching Process", Japan. J. Appl. Phys. Vol. 34 (1995), S. 1012-1015). Kupfer muß deshalb bei hohen Temperaturen geätzt werden.
Weitere Möglichkeiten für das Ätzen von Kupfer bestehen im Einsatz von Cyaniden und der Ausnutzung der Rückreaktion der CVD- Abscheidung, wie besipielsweise in M. Schober, "Low Temperature Dry Etching of Copper using a New Chemical Approach", Proceedings of MAM '97, Materials of Advanced Metallization, S. 30 ausgeführt ist. Diese Chemikalien sind jedoch giftig und deshalb aus Gründen der Arbeitssicherheit und des Umweltschutzes möglichst zu vermeiden.
Ein drittes Verfahren mit dem Namen Damascene-Technik ist in S. Lakshminarayanan, "Contact and Via Structures with Copper Interconnects Fabricated using Dual Damascene Technology", IEEE Electron Device Letters, Vol. 15, No 8, Aug 1994, S. 307 erläutert. Bei dieser Technik wird das Kupfer in zuvor strukturierte Gräben abgeschieden. Mit CMP (Chemical Mechanical Polishing) wird das überschüssige Kupfer nachfolgend außerhalb der Gräben durch Schleifen entfernt. Nachteile dieser Technik sind der Dishing-Effekt und der hohe Anfall von flüssigem Sondermüll.
Aus US-A-5075200 ist demgegenüber ein Verfahren bekannt, bei dem auf eine vorstrukturierte Schicht ein Supraleiter-Precursor ganzflächig abgeschieden wird und anschließend mittels Ionen- Elektronen- oder Gammastrahlung die Bereiche außerhalb der Strukturen samt Maske abgetragen werden. Desweiteren ist aus JP- A-08-236240 ein Verfahren bekannt, bei dem ein Metall in eine Einkerbung eingebracht wird und die überstehenden Teile durch Polieren entfernt werden. Darüber hinaus offenbart US-A- 5266446 ein Verfahren, bei dem überschüssiges metallisches Material durch chemisch-mechanisches Polieren entfernt wird. In ähnlicher Weise wird in US-A-5130229 überschüssiges metallisches Material durch chemisch-mechanisches Polieren entfernt.
Aus der nachveröffentlichten Druckschrift US-A-5635423 ist ein Damascene-Verfahren bekannt, bei dem eine leitende Verdrahtung mit Hilfe von chemisch-mechanischem Polieren planarisiert wird. Desweiteren ist aus der DE 44 20 347 C2 ein Verfahren zum Abgleich von elektronischen Bauelementen, die aus einem Substrat und mindestens einer auf dem Substrat angeordneten, die elektrischen Parameter des jeweiligen Bauelements bestimmenden Schicht bestehen und bei denen der Parameterabgleich ohne Abtrag von Substratmaterial durch einen die Dicke der Schicht flächig verringernden Materialabtrag erfolgt, bekannt. Bei diesem Verfahren wird der flächige Materialabtrag mit mindestens einem Laserstrahl vorgenommen, dessen Fokus sich in definiertem Abstand über der Oberfläche der abzutragenden Schicht befindet.
Darüber hinaus ist die allgemeine Verwendung der Lasertechnik in der Leiterplattenfertigung aus dem Artikel Metalloberfläche 8/1991, Seite 349 bis 358, bekannt.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten ohne Einsatz giftiger oder teurer Chemikalien bereitzustellen. Aus Kostengründen sollte das Verfahren mit möglichst wenigen Prozeßschritten auskommen. Für eine hohe Ausbeute soll der Prozeß leicht regelbar und unabhängig von schwer kontrollierbaren Nebeneffekten sein.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen der geltenden Patentansprüche 1 und 2 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Bei dem erfindungsgemäß vorgeschlagenen Verfahren wird zunächst eine strukturierbare Schicht bereitgestellt. Dies kann beispielsweise durch Abscheidung einer SiO2-Schicht auf einem Substrat erfolgen. In dieser Schicht werden Vertiefungen erzeugt, die die Struktur der späteren Metallschicht festlegen. Die Vertiefungen bestehen in der Regel aus einer Reihe von Gräben und Löchern, die dem Verlauf späterer Leiterbahnen und der Position späterer Durchkontaktierungen (Vias, Kontaktlöcher) entsprechen. Die Erzeugung der Vertiefungen kann zum Beispiel mittels Photolithographietechnik und nachfolgendes Ätzen erfolgen. Danach wird entweder direkt auf diese strukturierte Schicht oder auf eine darauf aufgebrachte dünne Zwischenschicht (oder -schichtfolge) die dünne Metallschicht aufgebracht. Die Strukturierung der dünnen Metallschicht erfolgt, indem diese außerhalb der Vertiefungen durch Laserablation wieder entfernt wird.
Mit Laserablation wird das Verdampfen eines Materials durch energiereiche Laserpulse bezeichnet. Gepulste Laser werden zwar seit langem zur Materialbearbeitung eingesetzt (vgl. z. B. R. F. Haglund, in J. C. Miller "Laser Ablation" Springer Verlag, 1994, Vol 28; S. 11 ff.). In der Halbleiterfertigung ist Laserablation jedoch üblicherweise nicht anwendbar, da die zu erzeugenden Strukturen oft kleiner als die Wellenlänge des Laserlichtes sind, und eine sukzessive schreibende Belichtung zu lange dauert. Die vorliegende Erfindung ermöglicht jedoch in vorteilhafter Weise den Einsatz dieser Technik auch zur Erzeugung von Strukturen unterhalb der Auflösungsgrenze der eingesetzten Laserstrahlung.
Eine weitere Möglichkeit der Strukturierung dünner Metallschichten besteht gemäß der vorliegenden Erfindung darin, zunächst die dünne Metallschicht auf ein Substrat aufzubringen. Auf diese Schicht wird dann eine strukturierbare Schicht aufgebracht und derart strukturiert, daß die darunterliegende Metallschicht in bestimmten Bereichen freigelegt wird. Die dünne Metallschicht wird schließlich aus den freigelegten Bereichen durch Laserablation entfernt. Auch in diesem Fall verbleibt somit eine strukturierte dünne Metallschicht.
Unter Substrat ist in beiden obigen Fällen jede Art von Träger zu verstehen, so auch beispielsweise ein Wafer mit einer bereits aufgebrachten Schichtfolge.
Das Verfahren bietet den Vorteil, daß keine giftigen oder teuren Chemikalien für die Strukturierung von dünnen Metallschichten notwendig sind. Das Verfahren ist mit wenigen Prozeßschritten und daher kostengünstig durchführbar und weist keine schwer kontrollierbaren Nebeneffekte auf.
Mit dem Verfahren können in vorteilhafter Weise Leiterbahnen und Durchkontaktierungen in Kupfer ohne giftige oder teure Chemikalien hergestellt werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen
Fig. 1 ein Beispiel für das Verfahren gemäß Anspruch 1 anhand einzelner Verfahrensstufen; hierbei
Fig. 1a einen Siliziumwafer (1) mit einer strukturierbaren Schicht (2) nach der Erzeugung von Vertiefungen (3) und dem Aufbringen einer Haftschicht (4);
Fig. 1b den Siliziumwafer aus Fig. 1a nach dem ganzflächigen Abscheiden einer dünnen Kupferschicht (5);
Fig. 1c den Siliziumwafer aus Fig. 1b mit der fertigen Leiterbahn (6) nach dem Entfernen der Kupferschicht mittels Laserablation außerhalb der Vertiefungen;
Fig. 2 ein Beispiel für das Verfahren gemäß Anspruch 2 anhand einzelner Verfahrensstufen; hierbei
Fig. 2a einen Siliziumwafer (1) mit einer Oxid- (2) und einer Haftschicht (4), auf dem eine dünne Kupferschicht (7) und eine strukturierbare Reflexionsschicht (8) abgeschieden sind;
Fig. 2b das Substrat aus Fig. 2a nach dem Strukturieren der Reflexionsschicht (8); und
Fig. 2c das Substrat aus Fig. 2b mit der fertigen Leiterbahn (10) nach dem Entfernen der Kupferschicht (7) mittels Laserablation aus den freigelegten Bereichen (9).
Bei einem Ausführungsbeispiel für das erfindungsgemäße Verfahren wird entsprechend der Damascene-Technik die Struktur für die Leiterbahnen und Durchkontaktierungen in einem Intermetall­ dielektrikum (2), üblicherweise SiO2, zunächst mit Photo­ lithograhpie und nachfolgendem Ätzen erzeugt. Die erzeugten Vertiefungen (3) werden danach mit einer Haftschicht (4), die auch als Diffusionsbarriere wirkt, beschichtet. Die Haftschicht besteht üblicherweise aus TiN.
Fig. 1a zeigt einen Siliziumwafer (1), auf dem eine Oxidschicht (2) aufgebracht ist. Aus der Oxidschicht (2) wurde ein mittels Photolithographie definierter Graben (3) herausgeätzt und danach eine Haftschicht (4) aufgebracht.
Anschließend wird ganzflächig Kupfer (5) mit einer typischen Dicke von 0,2 bis 2 µm abgeschieden, wie in Fig. 1b gezeigt. Als Abscheidemethode kommen CVD (Chemical Vapour Deposition) aus metallorganischen Precursoren (z. B. CupraSelect®), PVD (Physical Vapour Deposition) wie Sputtern und Aufdampfen, stromlose Abscheidung oder galvanische Abscheidung in Frage. Nach dem Verkupfern erfolgt die Ablation, der wesentliche Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens. Der Wafer wird hierfür in einer geschlossenen Prozeßkammer auf eine Grundtemperatur im Bereich von ca. 200°C bis 500°C erwärmt. Die untere Temperaturgrenze wird hierbei durch eine zunehmend höhere Schwellenergie der Ablation, die obere Grenze durch eine mögliche Schädigung von bereits fertiggestellten Schichten im Wafer (1) definiert. Die Prozeßkammer muß evakuiert oder mit einer inerten Atmosphäre gefüllt sein, um eine Oxidation des Kupfers am Sauerstoff der Luft zu verhindern. Alternativ kann sie auch ein reaktives Prozeßgas enthalten.
Der verkupferte Wafer wird nun ganzflächig oder abschnittsweise mit sich nacheinander überlappenden Feldern vom Laser belichtet. Als Beleuchtungsquelle dient ein Laser mit kurzzeitigen, energiereichen Pulsen. Die kurzen Pulse mit einer typischen Dauer von 1-100 ns sind notwendig, um ein kleines Volumen des Metalls schlagartig zu verdampfen, ohne die Umgebung durch Wärmeableitung zu erwärmen. Hierfür ist bevorzugt ein Excimerlaser geeignet. Auch ein Nd:YAG-Laser oder ein Diodenlaser, möglichst mit Frequenzverdopplung oder -vervierfachung, können eingesetzt werden. Die Absorption der Laserstrahlung ist von der Wellenlänge abhängig. So reflektiert beispielsweise Kupfer im sichtbaren Spektralbereich mit λ < 500 nm sehr gut, während im ultravioletten Spektralbereich, z. B. bei der Linie des KrF mit λ = 248 nm, die Absorption von Kupfer gut ist. Es versteht sich von selbst, daß der Fachmann für eine erfolgreiche Ablation jeweils eine Laserwellenlänge wählen wird, bei der das zu entfernende Metall nennenswerte Absorption aufweist.
Entscheidend für eine erfolgreiche Ablation ist das Überschreiten einer Energiedichteschwelle, welche in der Größenordnung von 0,5 J/cm2 liegt. Bei kleinerer Energiedichte erfolgt nur eine Modifikation der Metalloberfläche. Bei zu hoher Energiedichte wird die darunterliegende Schicht beschädigt. Es ist deshalb bei der Auswahl der Haftschicht zu beachten, daß die Schwelle der Energiedichte der Zerstörung der Haftschicht deutlich über der eingesetzten Energiedichte liegt.
Gute Ergebnisse werden beispielsweise bei der Ablation dünner Kupferschichten unter folgenden Bedingungen erzielt:
Schichtdicke des Kupfers; 800 nm
Schichtdicke der TiN-Haftschicht: 25 nm.
Grundtemperatur des Wafers: 400°C
Vakuum in der Prozeßkammer: 0,1 Pa(1 . 10-3 mbar)
Eingesetzter Laser: KrF-Excimerlaser (Wellenlänge 248 nm)
Energiedichte des Laserstrahles: 0,5 J/cm2
Um die notwendige Energiedichte zu erreichen, muß der Laserstrahl mit einem optischen Element (eine oder mehrere Linsen oder Spiegel) in seinem Querschnitt verkleinert, d. h. fokussiert werden. Die Energiedichte wird durch eine Steuerung der Intensität des Lasers, durch eine Variation der Fokussierung, oder durch einen einstellbaren Strahlabschwächer justiert. Bei jedem Laserblitz wird auf der senkrecht beleuchteten Fläche das Kupfer verdampft, während das Kupfer in den Gräben und Löchern erhalten bleibt. Fig. 1c zeigt einen auf diese Weise erzeugten, mit Metall gefüllten Graben, d. h. eine fertige Leiterbahn (6). Damit ist bereits die gewünschte Strukturierung erfolgt.
Die Prozeßkammer verläßt ein Aerosol aus Kupferstaub, der sich leicht ausfiltern läßt, beziehungsweise eine dampfförmige Verbindung bei Verwendung eines reaktiven Prozeßgases. Es entstehen keine giftigen Abfälle oder Nebenprodukte. Als weitere Prozeßschritte folgen bei Bedarf eine Reinigung, eine Abscheidung einer oberen Diffusionsbarriere (TiN) und ein weiteres Intermetalldielektrikum.
Die Selektivität der Ablation zwischen dem zu entfernenden Metall auf der ebenen Fläche und dem zu erhaltenden Metall im Graben beruht im einfachsten Falle auf der Abhängigkeit der Energiedichteschwelle von der Schichtdicke des Metalls (hier: Kupfer). Um diesen Effekt nutzen zu können, muß der Abscheideprozeß in den Vertiefungen für die Leiterbahnen und Kontaktlöcher eine dickere Schicht erzeugen als außerhalb. Bei nichtselektiver Abscheidung und oberflächenkontrolliertem Prozeß ist dies bei Vertiefungen mit einem Aspektverhältnis (Tiefe/Breite) von größer als 1 der Fall. Ein selektiver Abscheideprozeß oder ein zwischen Abscheidung und Ablation eingefügter Temperschritt mit einem Verfließen der Kupferschicht kann die Schichtdicke in den Gräben ebenfalls bzw. zusätzlich erhöhen.
Im folgenden wird ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert, mit dem gleichförmig dicke und lateral große Flächen aus Kupfer strukturiert werden können. Hier erfolgt die Strukturierung durch Abscheidung einer zusätzlichen (strukturierbaren) Schicht (8) (z. B. SiO2 oder TiN) auf dem Kupfer (7). Dies ist in Fig. 2a gezeigt, in der ein Siliziumwafer (1) mit einer Oxidschicht (2), einer Haftschicht (TiN) (4), der Kupferschicht (7) und der zusätzlichen Schicht (8) dargestellt ist. Die Dicke und der Brechungsindex dieser Schicht (8) sind so gewählt, daß das Licht nicht in das darunterliegende Kupfer einkoppeln kann (Reflexionsschicht). Diese Schicht wird mit normalen Lithographieschritten so strukturiert, daß die Kupferschicht (7) in bestimmten Bereichen (9) freigelegt wird (vgl. Fig. 2b). Die bedeckten Bereiche definieren hierbei die spätere Struktur der Metallschicht. Nachfolgend wird das Kupfer aus den geöffneten Bereichen (9) ablatiert (Fig. 2c). Die gewünschten Leiterbahnen bzw. Flächen (10) bleiben stehen. Die auf den Leiterbahnen (10) verbleibenden Reste der Hilfsschicht (8) können danach entfernt werden.
In beiden Ausführungsbeispielen ist es günstig, auch die verwendete Haftschicht (4) unter der Kupferschicht als Refexionsschicht auszuführen. Damit wird das durch die dünne Kupferschicht transmittierte Licht wieder in das Kupfer zurückreflektiert und somit die Effektivität des Laserpulses erhöht beziehungsweise die notwendige Energiedichte veringert.
Die Prozeßkammer kann während der Ablation entweder mit Vakuum betrieben werden (ein Vakuum von 0,1 Pa(1 . 10-3 mbar)ist ausreichend), oder ein Prozeßgas enthalten. Das zusätzliche Gas kann ein inertes Gas (Stickstoff oder Edelgas), das durch seine Strömung das verdampfte Kupfer aus dem Reaktionsraum entfernt, oder ein reaktives Gas sein, welches sich mit den heißen und angeregten Atomen oder Clustern aus Kupfer verbindet und eine Verbindung mit höherem Dampfdruck bildet, welche nicht an benachbarten Oberflächen kondensiert.
Für eine verbesserte Einkopplung der Laserstrahlung in das teilweise reflektierende Metall kann bei Bedarf auf die zu entfernenden Bereiche eine Antireflexionsschicht (z. B. SiO2) geeigneter Dicke aufgebracht werden. Diese Hilfsschicht wird dann gemeinsam mit dem Kupfer ablatiert.
Um den Effekt der Ablation zu verstärken, kann dem Kupfer während der Abscheidung eine geringe Menge von Fremdstoffen beigemischt werden oder als Trennschicht zwischen Metall und Haftschicht zuvor abgeschieden werden. Diese Fremdstoffe werden bei Bestrahlung mit dem Laser schlagartig verdampft und unterstützen das rückstandsfreie Abtragen des Metalls. Für eine gute Haftung und dauerhafte Stabilität des Kupfers im fertigen Bauelement muß dieser Femdstoff allerdings mit einem Temperschritt (längere Zeit bei erhöhter Temperatur, eventuell in Formiergas) restlos zu entfernen sein. Als Fremdstoffe kommen hierbei z. B. Kohlenwasserstoffe in Betracht.
Entsprechend der derzeitigen technischen Entwicklung wurde im Ausführungsbeispiel Kupfer als Metall zur Metallisierung beschrieben. In Spezialbauelementen werden auch andere Edelmetalle wie Gold, Silber, Platin, Palladium und deren Legierungen eingesetzt, welche bei der Strukturierung durch chemisches Ätzen Probleme bereiten. Auch für diese Metalle ist das erfindungsgemäße Verfahren geeignet.

Claims (25)

1. Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten, insbesondere im Bereich der Halbleitertechnologie, mit folgenden Schritten:
  • 1. - Bereitstellung einer strukturierbaren Schicht (2);
  • 2. - Erzeugen von Vertiefungen (3) in der strukturierbaren Schicht (2);
  • 3. - ganzflächiges Aufbringen einer dünnen Metallschicht (5) aus Kupfer, einem Edelmetall oder einer Edelmetallegierung; und
  • 4. - nachfolgendes Entfernen der dünnen Metallschicht (5) außerhalb der Vertiefungen (3); dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen der dünnen Metallschicht (5) durch Laserablation erfolgt.
2. Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten, insbesondere im Bereich der Halbleitertechnologie, mit folgenden Schritten:
  • 1. - Aufbringen einer dünnen Metallschicht (7) aus Kupfer, einem Edelmetall oder einer Edelmetallegierung auf ein Substrat;
  • 2. - Aufbringen einer strukturierbaren Schicht (8);
  • 3. - Strukturierung der strukturierbaren Schicht (8) derart, daß die darunterliegende dünne Metallschicht (7) in bestimmten Bereichen (9) freigelegt wird; und
  • 4. - nachfolgendes Entfernen der dünnen Metallschicht (7) aus freigelegten Bereichen (9);
    dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen der dünnen Metallschicht (7) durch Laserablation erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Metallschicht (5) so abgeschieden wird, daß ihre Schichtdicke in den Vertiefungen (3) größer ist als außerhalb der Vertiefungen.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen (3) mit einem Aspektverhältnis größer 1 erzeugt werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Metallschicht (5) durch einen selektiven Abscheideprozeß aufgebracht wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Aufbringen und der Entfernung der dünnen Metallschicht (5) ein Temperschritt durchgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als strukturierbare Schicht (2) ein Intermetalldielektrikum eingesetzt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die strukturierbare Schicht (2, 8) eine Reflexionsschicht für die Wellenlänge der eingesetzten Laserstrahlung darstellt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Metallschicht (5, 7) aus Gold, Silber, Platin oder Palladium oder aus einer Legierung aus diesen besteht.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der dünnen Metallschicht (5, 7) 0,2 bis 2 µm beträgt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Metallschicht (5, 7) zur Durchführung der Laserablation auf eine Grundtemperatur im Bereich von 200-500°C erwärmt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch, gekennzeichnet, daß die dünne Metallschicht (5, 7) zur Durchführung der Laserablation ganzflächig mit der Laserstrahlung belichtet wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Metallschicht (5, 7) zur Durchführung der Laserablation abschnittsweise mit sich nacheinander überlappenden Feldern der Laserstrahlung belichtet wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserablation in einer Prozeßkammer erfolgt, die evakuiert ist.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserablation in einer Prozeßkammer erfolgt, die ein inertes Gas enthält.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 1, 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserablation in einer Prozeßkammer erfolgt, die ein reaktives Prozeßgas enthält.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß für die Laserablation ein Excimerlaser, ein Nd:YAG-Laser oder ein Diodenlaser mit einer Impulsdauer im Bereich von jeweils 1-100 ns eingesetzt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der dünnen Metallschicht (5, 7) eine Haftschicht (4) als Diffusionsbarriere abgeschieden wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftschicht (4) eine Refexionsschicht für die Wellenlänge der eingesetzten Laserstrahlung darstellt, oder eine separate Reflexionsschicht abgeschieden wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Laserablation auf die zu entfernenden Bereiche der dünnen Metallschicht (5, 7) eine Antireflexionsschicht für die Wellenlänge der eingesetzten Laserstrahlung aufgebracht wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß dem Metall während des Aufbringens eine geringe Menge an Fremdstoffen beigemischt wird, die später durch einen Temperschritt wieder entfernbar sind.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Metallschicht (5, 7) eine Trennschicht, die später durch einen Reinigungsschritt wieder entfernbar ist, abgeschieden wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Strukturierung der strukturierbaren Schicht (2, 8) durch Photolithographie und nachfolgendes Ätzen erfolgt.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin eine obere Diffusionsbarriere auf der Metallschicht (5, 7) abgeschieden wird.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere stukturierbare Schicht abgeschieden wird.
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