DE19712281A1 - Projektionsbelichtungsvorrichtung und Projektionsbelichtungsverfahren unter Verwendung einer Phasenverschiebungsmaske - Google Patents
Projektionsbelichtungsvorrichtung und Projektionsbelichtungsverfahren unter Verwendung einer PhasenverschiebungsmaskeInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Belichtungsver
fahren, das zum Unterdrücken der Wirkung von Maskenfehlern, die
in einer Maske, die ein Levenson-Phasenverschiebungsmasken
muster ausweist, erzeugt wurden, wenn dieselbe hergestellt
wird, und zum Erreichen einer akkuraten Belichtung (Über
tragung) in einem Belichtungsprozeß unter Verwendung der Maske
zur Ausbildung eines feinen Musters in einem Prozeß zur Her
stellung einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung in
der Lage ist.
Das Vorantreiben der Integration von Halbleitervorrichtungen in
den vergangenen Jahren hat das schnelle Fortschreiten der
Miniaturisierung von Schaltungsmustern, die auf Halbleiterwa
fern ausgebildet werden, vorwärts getrieben. Die Photolithogra
phie, welche eine wohlbekannte grundlegende Musterausbildungs
technik ist, ist eine der Schlüsseltechniken zum Erzielen einer
Integration auf hohem Niveau.
Die Photolithographie überträgt ein Bild eines Musters, das auf
einer Maske ausgebildet ist, auf eine Photoresistschicht, die
über einer funktionalen Schicht ausgebildet ist, die auf einem
Halbleiterwafer ausgebildet ist, entwickelt die Photoresist
schicht in das Muster und ätzt die funktionale Schicht unter
Verwendung der gemusterten Photoresistschicht als eine Ätzmas
ke.
Die Photoresistschicht wird einem Entwicklungsprozeß unterwor
fen nachdem das Bild der Maske auf diese übertragen worden ist.
Wenn die Photoresistschicht eine negative Photoresistschicht
ist, bilden die Abschnitte der Photoresistschicht, die mit dem
Belichtungslicht belichtet worden sind, das Muster, wenn die
belichtete Photoresistschicht einem Entwicklungsprozeß unter
worfen wird. Wenn die Photoresistschicht eine positive Photore
sistschicht ist, bilden Teile der Photoresistschicht, die nicht
mit Belichtungslicht belichtet sind, das Muster, wenn die be
lichtete Photoresistschicht einem Entwicklungsprozeß unterwor
fen wird.
Ein Belichtungsverfahren, das in der Photolithographie verwen
det wird, wird erläutert. Fig. 14 ist eine schematische per
spektivische Ansicht, eines Belichtungssystems. In Fig. 14 ge
zeigt sind eine Lichtquelle 101 (in Fig. 14 eine sekundäre
Lichtquelle, die durch Formen von Lichtstrahlen, die durch eine
lichtemittierende Vorrichtung emittiert werden, durch eine vor
bestimmte Blende (Diaphragma) gebildet wird), eine Kondensor
linse 102, eine Maske 103, die ein optisches Muster trägt, ein
Verkleinerungsprojektionslinsensystem 104, eine Pupillenebene
105, die in dem Verkleinerungsprojektionslinsensystem 104 ge
bildet ist, und einen Halbleiterwafer 106, der eine Oberfläche
aufweist, die mit einer Photoresistschicht beschichtet ist.
Ein Belichtungsverfahren unter Verwendung des Belichtungssy
stems aus Fig. 14 wird im folgenden beschrieben. Belichtungs
licht, das durch die Lichtquelle 101 emittiert wird, läuft
durch die Kondensorlinse 102 und fällt auf die Maske 103. Das
Belichtungslicht, das durch die Maske 103 hindurchgeht, läuft
durch das Verkleinerungsprojektionslinsensystem 104 und wird
durch dieses geformt. Ein Bild der Maske 103 wird mit einer
vorbestimmten Verkleinerung auf der Pupillenebene durch das Be
lichtungslicht gebildet, und eine Photoresistschicht, die auf
einem Halbleiterwafer 106 ausgebildet ist, wird dem Belich
tungslicht zur Ausbildung des reduzierten Bildes der Maske 103
auf der Photoresistschicht ausgesetzt bzw. mit diesem belich
tet.
Wenn ein Muster einer Linienbreite in der Größenordnung von 0,5 µm
in der Photoresistschicht ausgebildet wird, ist es üblich,
i-Strahlen mit einer Wellenlänge von 365 nm, die durch eine
Hochdruckquecksilberlampe emittiert werden, als das Belich
tungslicht zu verwenden. Allgemein werden die Auflösungsgrenze
R und die Fokustiefe eines optischen Belichtungssystems ausge
drückt durch:
R = k1 . λ/(NA)
DOF = k2 . λ/(NA)2,
DOF = k2 . λ/(NA)2,
wobei λ die Wellenlänge des Belichtungslichts, NA die numeri
sche Apertur der Projektionslinse und k1 und k2 Konstanten, die
spezifisch für den Prozeß sind, sind. Im Allgemeinen ist k1 un
gefähr gleich 0,6 und k2 ungefähr gleich 0,5.
Es ist aus diesen Ausdrücken bekannt, daß die Auflösungsgrenze
R durch Reduzierung von k1 und λ und durch Erhöhen der numeri
schen Apertur NA verbessert werden kann. Es gibt jedoch eine
Schwierigkeit dahingehend, daß die Verwendung einer Lichtquel
le, die Licht einer kurzen Wellenlänge emittiert, als die
Lichtquelle 101 und die Erhöhung der numerischen Apertur NA zur
Reduzierung der Fokustiefe DOF und zum Stören der Auflösung in
der Lage sind.
Die Auflösung kann durch die Verbesserung der Struktur der Mas
ke anstelle einer Verbesserung der Auflösungsgrenze R durch
Verbessern der Lichtquelle und der Linse verbessert werden.
Eine Phasenverschiebungsmaske hat in den vergangenen Jahren
große Aufmerksamkeit erregt. Eine Levenson-Phasenverschiebungs
maske, d. h. ein Typ von Phasenverschiebungsmasken, wird im Ge
gensatz zu einer herkömmlichen Maske (Binärmaske) erläutert.
Die Fig. 15(a), 15(b) und 15(c) sind eine Schnittansicht einer
herkömmlichen Maske 103a, eine Darstellung einer Feldintensi
tätsverteilung auf der Maske 103a bzw. eine Darstellung einer
Lichtintensitätsverteilung auf einem Halbleiterwafer 1, wenn
der Halbleiterwafer 1 durch die Maske 103a beleuchtet wird. Die
Maske 103a aus Fig. 15(a) weist ein Glassubstrat 107 und ein
metallisches Maskenmuster 108, das auf der unteren Oberfläche
des Glassubstrates 107 ausgebildet ist, auf. Ein elektrisches
Feld, das auf der Maske 103a erzeugt wird, weist eine räumlich
pulsmodulierte Verteilung auf, die den Bereichen, in denen das
metallische Maskenmuster 108 ausgebildet ist, und den Berei
chen, in denen kein Muster ausgebildet ist, entspricht.
Wenn jedoch das metallische Maskenmuster 108 fein ist, unter
liegt das Belichtungslicht der Beugung und erreicht Nicht-
Belichtungsbereiche hinter dem metallischen Maskenmuster 108
und das Belichtungslicht wird in einer gleichförmigen Intensi
tätsverteilung in den Belichtungsbereichen und den Nicht-
Belichtungsbereichen verteilt, wie in Fig. 15(c) gezeigt ist.
Als Folge ist die Auflösung gestört und daher ist es schwierig,
ein feines (d. h. hoch aufgelöstes) Muster auf der Photoresist
schicht auszubilden bzw. auf diese zu drucken.
Falls die gewöhnliche Maske (Binärmaske) 103a zur Belichtung
verwendet wird, bilden drei Lichtstrahlen, d. h. Lichtstrahlen
der ± ersten Beugungsordnung (im folgenden einfach als "±Erste-
Ordnung-Lichtstrahlen" bezeichnet), die unter einem Beugungs
winkel θ auf der Maske 103a gebeugt werden, und ein Lichtstrahl
Nullter-Beugungsordnung (im folgenden einfach als "Nullte-
Ordnung-Lichtstrahl" bezeichnet) ein Bild. Falls die Strahlen
defokussiert werden, steigt die Verschwommenheit des Bildes mit
dem Anstieg der Abweichung des Fokuspunktes von der Fokusebene
an und daher wird eine genaue Belichtung schwierig.
Ein Levenson-Phasenverschiebungsmaske, d. h. ein Typ von Phasen
verschiebungsmaske, wird im folgenden unter Bezugnahme auf die
Fig. 16(a), 16(b) und 16(c) erläutert, die eine Schnittansicht
einer Levenson-Phasenverschiebungsmaske 103b, eine Darstellung
einer Feldintensitätsverteilung auf der Maske 103b bzw. eine
Darstellung einer Lichtintensitätsverteilung sind. Die Leven
son-Phasenverschiebungsmaske 103b, die in Fig. 16(a) gezeigt
ist, wird durch Hinzufügen eines Phasenverschiebers 109 zu der
gewöhnlichen Maske, die in Fig. 15(a) gezeigt ist, gebildet.
Die Levenson-Phasenverschiebungsmaske 103b weist eine alternie
rende Anordnung von Musterkomponenten mit dem Phasenverschieber
109 und von Musterkomponenten ohne irgendeinen Phasenverschie
ber auf.
Der Phasenverschieber 109 ändert die Phase der Lichtstrahlung
um 180°. Die Phasen eines elektrischen Feldes in alternierenden
Bereichen zwischen den benachbarten Belichtungsbereichen auf
der Levenson-Phasenverschiebungsmaske 103b sind einander entge
gengesetzt. Darum löschen sich die Lichtstrahlen in Bereichen,
in denen die Lichtstrahlen miteinander überlappen bzw. sich
überlagern, aufgrund von Interferenz aus, d. h. in Bereichen,
die Zwischenräumen zwischen den Musterkomponenten entsprechen.
Dementsprechend weist die Verteilung der Lichtintensität auf
einem Wafer scharfe Spitzen auf, die akkurat den Bereichen zwi
schen den benachbarten Musterkomponenten auf der Levenson-
Phasenverschiebungsmaske 103b entsprechen, und die Differenz in
der Lichtintensität zwischen den Belichtungsbereichen und den
Nicht-Belichtungsbereichen ist ausreichend groß, und daher kann
ein feines Muster in einer hohen Auflösung auf dem Wafer aus
gebildet bzw. gedruckt werden.
Wenn die gewöhnliche Maske 103a verwendet wird, wird ein Bild
durch drei Lichtstrahlen gebildet, d. h. den Nullter-Ordnung-
Lichtstrahl und die ±Erste-Ordnung-Lichtstrahlen. Wenn die
Levenson-Phasenverschiebungsmaske 103b verwendet wird, wird der
Lichtstrahl bei einem Winkel gebeugt, der kleiner als der Beu
gungswinkel θ ist, bei dem das Licht durch die gewöhnliche
Maske 103a gebeugt wird, und ein Bild wird durch zwei Licht
strahlen ausgebildet, d. h. die ±Erste-Ordnung-Lichtstrahlen.
Theoretisch erscheint kein Licht Nullter-Ordnung, falls die Le
venson-Phasenverschiebungsmaske akkurat ausgebildet wird. Darum
ändert sich ein Bild, das unter Verwendung der Levenson-
Phasenverschiebungsmaske 103b ausgebildet wird, selbst dann
nicht, falls der Fokuspunkt sich in der Richtung der Höhe rela
tiv zu der Fokusebene ändert, und eine akkurate Belichtung wird
erzielt. Derart ist es zu verstehen, daß die Wichtigkeit der
Levenson-Phasenverschiebungsmaske mit dem Fortschreiten der
Miniaturisierung von Halbleitervorrichtungen ansteigt.
Im Prinzip ist eine sehr feine Bearbeitung bzw. ein sehr feiner
Prozeß möglich, wenn die Levenson-Phasenverschiebungsmaske zur
Belichtung verwendet wird. Jedoch treten die folgenden Probleme
aufgrund von Prozeßfehlern bzw. Bearbeitungsfehlern auf, die
erzeugt werden, wenn die Maske hergestellt wird.
Fehler in der Levenson-Phasenverschiebungsmaske umfassen einen
Phasenfehler dahingehend, daß die Phasendifferenz zwischen
Lichtstrahlen, die durch benachbarte Öffnungen der Maske durch
gelassen werden, nicht akkurat gleich 180° ist, und einen In
tensitätsfehler dahingehend, daß die entsprechenden Intensitä
ten von Lichtstrahlen, die durch die benachbarten Öffnungen der
Maske durchgelassen werden, nicht akkurat gleich zueinander
sind. Diese Fehler in der Maske verursachen Probleme, wenn das
Maskenmuster auf eine Resistschicht, die auf eine Oberfläche
des Halbleiterwafers 106 beschichtet ist, übertragen bzw. ge
druckt wird, dahingehend, daß die Größe eines Musters, das
durch einen Lichtstrahl, der durch den Phasenverschieber hin
durchgegangen ist, und diejenige eines Musters, die durch einen
Lichtstrahl ausgebildet wird, der nicht durch einen gewöhnli
chen Phasenverschieber hindurchgegangen ist, welche akkurat
gleich zueinander sein müssen, nicht gleich zueinander sind und
ein akkurates Drucken bzw. Übertragen nicht erreicht werden
kann.
Die Ernsthaftigkeit der Störung der Genauigkeit in der Ausbil
dung von Mustern aufgrund von Fehlern in der Phase und in der
Intensität von durchgelassenen Lichtstrahlen wird noch akuter
mit dem Fortschreiten der Miniaturisierung der Vorrichtungen.
Solche Maskenfehler sind erwähnt in J.J.A.P., Vol. 33,
S. 6816-6822, Proc. SPIE, Vol. 1674, S. 264, J.J.A.P., Vol. 34,
S. 6578-6583 und Proc. SPIE, Vol. 1927, S. 28.
Wie oben erwähnt worden ist, kann in einigen Fällen eine akku
rate Belichtung selbst durch einen feinen Prozeß unter Verwen
dung einer Levenson-Phasenverschiebungsmaske aufgrund von Mas
kenfehlern nicht erreicht werden.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Muster in
einer idealen Form auf einem Halbleiterwafer durch einen Be
lichtungsprozeß unter Verwendung einer Levenson-Phasenver
schiebungsmaske selbst dann auszubilden, falls die Levenson-
Phasenverschiebungsmaske Fehler aufweist, die erzeugt werden,
wenn die Levenson-Phasenverschiebungsmaske hergestellt wird.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Projektionsbelichtungsvor
richtung nach Anspruch 1 oder ein Projektionsbelichtungsverfah
ren nach Anspruch 6.
Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen
angegeben.
Entsprechend eines Aspektes der vorliegenden Erfindung ist eine
Projektionsbelichtungsvorrichtung zum Übertragen eines Masken
musters einer Maske, die ein Levenson-Phasenverschiebungs
maskenmuster aufweist, über ein Verkleinerungsprojektionsmittel
auf ein belichtetes Objekt vorgesehen. Die Projektionsbelich
tungsvorrichtung weist ein Bestrahlungsmittel zum Bestrahlen
der Maske mit Belichtungslicht auf. Ein Filtermittel ist auf
einer Pupillenebene in dem Verkleinerungsprojektionsmittel zum
Abfangen von Beugungslicht Nullter-Ordnung von der Maske vorge
sehen. Ein Fokusierungsmittel fokussiert das Belichtungslicht
von der Pupillenebene zur Ausbildung eines reduzierten Bildes
des Maskenmusters auf das belichtete Objekt.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist das
Filtermittel in der Projektionsbelichtungsvorrichtung einen
zentralen Abschattungsabschnitt zum vollständigen Abfangen des
Beugungslichts Nullter-Ordnung auf.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist das
Filtermittel in der Projektionsbelichtungsvorrichtung einen
zentralen Abschattungsabschnitt, der in der Größe reduziert
ist, zum teilweisen Abfangen des Beugungslichtes Nullter-
Ordnung auf.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist das
Filtermittel in der Projektionsbelichtungsvorrichtung einen
halbtransparenten Abschattungsabschnitt zum teilweisen Abfangen
des Beugungslichtes Nullter-Ordnung auf.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist das
Filtermittel in der Projektionsbelichtungsvorrichtung weiter
einen peripheren Abschattungsabschnitt zum Abfangen von Beu
gungslicht ±Zweiter-Ordnung und Höherer-Ordnung von der Maske
auf.
Entsprechend eines anderen Aspektes der vorliegenden Erfindung
wird ein Projektionsbelichtungsverfahren zum Übertragen eines
Maskenmusters einer Maske, die ein Levenson-Phasenverschie
bungsmaskenmuster aufweist, über ein Verkleinerungsprojektion
system auf ein belichtetes Objekt vorgesehen. Bei dem Projekti
onsbelichtungsverfahren wird die Maske mit Belichtungslicht be
strahlt. Dann wird das Beugungslicht Nullter-Ordnung von der
Maske durch einen Pupillenfilter auf einer Pupillenebene in dem
Verkleinerungsprojektionssystem abgefangen. Des weiteren wird
das Belichtungslicht von der Pupillenebene zur Ausbildung eines
reduzierten Bildes des Maskenmusters auf das belichtete Objekt
fokussiert.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bei
dem Projektionsbelichtungsverfahren das Beugungslicht Erster-
Ordnung vollständig durch einen Abschattungsabschnitt des Pu
pillenfilters abgefangen.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist bei
dem Projektionsbelichtungsverfahren die Maske nur ein Levenson-
Phasenverschiebungsmaskenmuster auf.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bei
dem Projektionsbelichtungsverfahren das Beugungslicht Nullter-
Ordnung teilweise durch einen Abschattungsabschnitt des Pupil
lenfilters abgefangen.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist bei
dem Projektionsbelichtungsverfahren die Maske ein Levenson-
Phasenverschiebungsmaskenmuster und ein gewöhnliches Binärmas
kenmuster auf.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bei
dem Projektionsbelichtungsverfahren das Beugungslicht Nullter-
Ordnung teilweise durch einen Abschattungsabschnitt reduzierter
Größe des Pupillenfilters abgefangen.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bei
dem Projektionsbelichtungsverfahren das Beugungslicht Nullter-
Ordnung teilweise durch einen halbtransparenten Abschattungsab
schnitt des Pupillenfilters abgefangen.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bei
dem Belichtungsverfahren Beugungslicht ±Zweiter- und Höherer-
Ordnung von der Maske des weiteren durch den Pupillenfilter auf
der Pupillenebene in dem Verkleinerungsprojektionssystem abge
fangen.
Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bei
dem Projektionsbelichtungsverfahren das Beugungslicht ±Zweiter- und
Höherer-Ordnung des weiteren durch einen peripheren Ab
schattungsabschnitt des Pupillenfilters abgefangen.
Weitere Merkmale und Vorteile von Ausführungsbeispielen der Er
findung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausfüh
rungsbeispielen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figu
ren zeigen:
Fig. 1 einen schematischen Aufbau eines Ver
kleinerungsprojektionsbelichtungssystems
zum Herstellen einer Halbleitervorrich
tung entsprechend einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine Schnittansicht von Masken und In
tensitätsverteilungen von durchgelasse
nen Lichtstrahlen auf einer Pupillen
ebene;
Fig. 3 übertragene Bilder einer Levenson-
Phasenverschiebungsmaske mit oder ohne
einem Pupillenfilter;
Fig. 4(a) und 4(b) die Variation der Mustergröße mit einer
Fokusverschiebung für ein Levenson-
Phasenverschiebungsmaskenmuster;
Fig. 5 die Abhängigkeit der Mustergröße CD von
Fokusverschiebung für Levenson-Phasen
verschiebungsmaskenmuster;
Fig. 6(a) bis 6(f) übertragene Bilder eines normalen Binär
maskenmusters mit einer Variation eines
Filterdurchmessers;
Fig. 7 eine Beziehung eines Filterdurchmessers
und des Filterdurchmesserverhältnisses
zu dem optischen Nicht-Beugungs-Bild
durchmesser, der zur Berechnung der in
den Fig. 6(a) bis (6f) und in den Fig. 8(a)
bis 8(f) gezeigten Daten verwendet
wird;
Fig. 8(a) bis 8(f) optische Bilder eines Levenson-
Phasenverschiebungsmaskenmusters, das
ein sehr feines Muster aufweist, mit
einer Variation eines Filterdurchmes
sers;
Fig. 9(a) bis 9(f) optische Bilder eines gewöhnlichen Bi
närmaskenmusters mit einer Variation
der Durchlässigkeit von Pupillenfil
tern;
Fig. 10 die Durchlässigkeit der Pupillenfilter,
die zur Ausbildung der Bilder in den
Fig. 9(a) bis 9(f) verwendet werden;
Fig. 11(a) bis 11(f) optische Bilder eines Levenson-
Phasenverschiebungsmusters mit einer
Variation der Durchlässigkeit der Pu
pillenfilter;
Fig. 12(a) ein Beugungsmuster eines gewöhnlichen
Binärmaskenmusters auf einer Pupillene
bene durch ideale Belichtung;
Fig. 12(b) ein Beugungsmuster eines Levenson-
Phasenverschiebungsmaskenmusters auf
einer Pupillenebene durch ideale Be
lichtung;
Fig. 13(a) bis 13(d) optische Bilder einer Levenson-
Phasenverschiebungsmaske mit einer Va
riation der Pupillendurchmesser;
Fig. 14 eine schematische perspektivische
Ansicht eines Verkleinerungspro
jektionsbelichtungssystems;
Fig. 15(a), 15(b) und 15(c) eine Schnittansicht einer gewöhn
lichen Binärmaske, einer Intensi
tätsverteilung eines elektrischen
Feldes an der Maske bzw. einer In
tensitätsverteilung des Lichtes
auf einem Halbleiterwafer; und
Fig. 16(a), 16(b) und 16(c) eine Schnittansicht einer Leven
son-Phasenverschiebungsmaske, ei
ner Intensitätsverteilung eines
elektrischen Feldes an der Maske
bzw. einer Intensitätsverteilung
von Licht auf einem Halbleiterwa
fer.
Die Erfindung wird im folgenden im Detail im Wege des Beispiels
unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben.
Zuerst wird das Prinzip einer ersten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung beschrieben. Fig. 1 zeigt schematisch ein
Verkleinerungsprojektionsbelichtungssystem (im folgenden ein
fach als "Belichtungssystem" bezeichnet), das bei der Herstel
lung einer Halbleitervorrichtung verwendet wird.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, weist das Belichtungssystem eine
Lichtquelle 1 (in dieser Beschreibung eine sekundäre Lichtquel
le, die durch Formen eines Lichtstrahles, der durch eine licht
emittierende Vorrichtung emittiert wird, durch eine vorbestimm
te Blende (Diaphragma) gebildet wird), die einen KrF-Excimer
laser verwendet, der Lichtstrahlung bei einer Wellenlänge von
λ = 248 nm emittiert, auf. Eine Kondensorlinse 2 formt den durch
die Lichtquelle 1 emittierten Lichtstrahl. Eine Maske 3, die
mit einem feinen Muster vorgesehen ist, das die 0,3 µm-Regel
nicht überschreitet, wird mit dem durch die Kondensorlinse 2
kondensierten Lichtstrahl beleuchtet. Ein Verkleinerungsprojek
tionslinsensystem 4 ist unterhalb der Maske 3 zum Empfangen des
durch die Maske 3 hindurchgelassenen Lichtstrahls vorgesehen
bzw. angeordnet. Eine Pupillenebene 5 ist in dem Verkleine
rungsprojektionslinsensystem 4 ausgebildet. Ein Halbleiterwafer
6, der eine Oberfläche aufweist, die mit einer Resistschicht
beschichtet ist, ist unterhalb des Verkleinerungsprojektions
linsensystem 4 plaziert. Die Pupillenebene 5 weist ein Abschat
tungsteil (Schattierungsteil) 5a zum Herausfiltern eines nicht
gebeugten Lichtstrahls Nullter-Ordnung, der durch die Maske 3
hindurchgegangen ist, auf.
Der Belichtungslichtstrahl, der durch die Lichtquelle 1 emit
tiert wird, wird mit einer vorbestimmten Vergrößerung durch die
Maske 3 vergrößert und fällt auf den Halbleiterwafer 6. Derart
wird die Resistschicht, die auf eine Hauptoberfläche des Halb
leiterwafers 6 beschichtet ist, mit dem Lichtstrahl belichtet
bzw. diesem ausgesetzt.
Fig. 2 zeigt Zeichnungen zur Darstellung des folgenden Prin
zips. Es wird angenommen, daß ein Fehler in der Maske 3 während
des Herstellungsverfahrens der Maske 3 produziert worden ist,
und daß die Maske 3 in dem Belichtungssystem, das in Fig. 1 ge
zeigt ist, aufgenommen ist. Eine Verteilung der Intensität des
durchgelassenen Lichtstrahls einer Maske, die einen Fehler auf
weist, auf der Pupillenebene 5 ist die Summe einer Verteilung
der Intensität eines Lichtstrahls, der durch eine ideale Maske,
die keinen Fehler aufweist, hindurchgegangen ist, und einer
Verteilung der Intensität eines Lichtstrahles, der durch eine
gewöhnliche Binärmaske, die ein Muster mit dem doppelten Ab
stand der idealen Maske aufweist aber nicht mit irgendeinem
Phasenverschieber vorgesehen ist, hindurchgegangen ist. Des
weiteren kann ein Bild, das ähnlich zu demjenigen, das durch
Verwendung einer idealen Maske ausgebildet wird, ist, ausgebil
det werden, wenn ein Abschnitt der Pupillenebene durch einen
Pupillenfilter abgeschattet ist, selbst wenn eine Maske, die
einen Fehler aufweist, zur Belichtung verwendet wird.
In Fig. 2 sind Masken zur Belichtung in einem oberen Abschnitt
und eine Intensität von Licht auf der Pupillenebene, die jeder
Maske entspricht, in dem mittleren Abschnitt gezeigt. Die In
tensität von Licht auf der Pupillenebene nach einer Korrektur
ist in einem Abschnitt auf der linken unteren Seite gezeigt.
Ein Pupillenfilter 10 zur Fehlerkorrektur ist in einem Ab
schnitt auf einer rechten unteren Seite gezeigt.
In Fig. 2 sind die Masken von links nach rechts in dem oberen
Abschnitt eine Levenson-Phasenverschiebungsmaske 3a (im folgen
den als "Fehlermaske 3a" bezeichnet), eine ideale Levenson-
Phasenverschiebungsmaske 3b, die keine Fehler aufweist, und ei
ne gewöhnliche Maske (Binärmaske) 3c, die nicht mit irgendwel
chen Phasenverschiebern vorgesehen ist und einen doppelten Ab
stand aufweist.
Jede dieser Masken ist durch Ausbildung eines metallischen Mas
kenmusters 8 wie eines Chrommaskenmusters auf einem Glassub
strat 7 ausgebildet. Ein Levenson-Phasenverschiebungsmasken
muster ist mit zusätzlichen Phasenverschiebern 9 vorgesehen,
die auf alternierenden Öffnungen des Maskenmusters ausgebildet
sind.
Die Abstände der Öffnungen der metallischen Maskenmuster 8 der
Fehlermaske 3a und der idealen Maske 3b sind miteinander
gleich. Der Abstand der Öffnungen des metallischen Maskenmu
sters der gewöhnlichen Maske 3c ist der doppelte derjenigen der
Fehlermaske 3a oder der idealen Maske 3b.
Die Nummern, die unter einer gestrichelten Linie in dem oberen
Abschnitt der Fig. 2 gezeigt sind, sind relative Intensitäten
des durch die Öffnungen der Masken durchgegangenen Lichts. An
genommen, daß die Intensität des durch die Öffnungen der idea
len Maske 3b hindurchgegangenen Lichts gleich 1,0 ist. Dann
sind bei der Fehlermaske 3a, die einen Intensitätsfehler des
durchgegangenen Lichtes von 10% aufweist, die Intensität des
durch eine Öffnung mit dem Phasenverschieber 9 hindurchgegange
nen Lichtes gleich 1,0 und die Intensität des durch eine Öff
nung ohne einen Phasenverschieber hindurchgegangenen Lichtes
gleich 1,1. Es ist aus der Differenz der Intensitätsverteilung
des Lichtes auf der Pupillenebene zwischen der idealen Maske 3b
und der Fehlermaske 3a bekannt, daß die Intensitätsverteilung
des durch die Fehlermaske 3a hindurchgegangenen Lichtes im we
sentlichen die Kombination der Intensitätsverteilung des durch
die ideale Maske 3b hindurchgegangenen Lichtes und der Intensi
tätsverteilung des durch die gewöhnliche Maske 3c, die Öffnun
gen aufweist, die Licht mit einer Intensität von 0,1 durchlas
sen, hindurchgegangenen Lichts ist.
Aufgrund der Linearität des Belichtungssystems ist ein Bild,
das durch das Licht gebildet wird, das durch die Fehlermaske 3a
hindurchgeht, im wesentlichen die Summe eines Bildes des Lich
tes, das durch die ideale Maske 3b hindurchgegangen ist, und
eines Bildes des Lichtes, das durch die gewöhnliche Maske 3c
mit einem doppelten Abstand hindurchgegangen ist. Ein solcher
Mechanismus wird durch Lichtintensitätsverteilungen (Fourier-
Spektrum) auf der Pupillenebene dargestellt, die in dem Mit
telabschnitt von Fig. 2 gezeigt sind. Wie allgemein bekannt
ist, wird die Lichtintensitätsverteilung auf der Pupillenebene,
die durch die ideale Maske 3b gebildet wird, wie in der Mitte
des Mittelabschnittes von Fig. 2 gezeigt ist, nur durch die
±Erste-Ordnung-Lichtstrahlen ohne den Nullte-Ordnung-Licht
strahl gebildet. Die Lichtintensitätsverteilung, die durch die
gewöhnliche Maske 3c gebildet wird, welche mit einem Musterab
stand, der der doppelte der idealen Maske 3b ist, vorgesehen
ist, ist auf der rechten Seite in dem Mittelabschnitt der Fig. 2
gezeigt, und sie wird durch den Nullte-Ordnung-Lichtstrahl
und die ±Erste-Ordnung-Lichtstrahlen gebildet.
Falls angenommen wird, daß der Einfluß der ±Erste-Ordnung-
Lichtstrahlen auf die Lichtintensitätsverteilung, die auf der
Pupillenebene durch die gewöhnliche Maske 3c, die mit dem Mu
ster mit dem doppelten Abstand der idealen Maske 3b vorgesehen
ist, geringfügig ist und ignoriert wird, kann die Lichtintensi
tätsverteilung, die durch die Fehlermaske 3a auf der Pupillene
bene gebildet wird, durch die Kombination der Lichtintensitäts
verteilung, die auf der Pupillenebene durch die ideale Maske 3b
gebildet wird, und die Intensität des Nullte-Ordnung-Licht
strahls in der Lichtintensitätsverteilung, die durch die ge
wöhnliche Maske 3c gebildet wird, genähert bzw. abgeschätzt
werden. Dementsprechend kann geschlossen werden, daß die Stö
rung der Bildausbildungseigenschaften, die der Fehlermaske 3a
zugeschrieben werden können, aufgrund der Wirkung des Nullte-
Ordnung-Lichtstrahls, der in der Lichtintensitätsverteilung,
die durch die gewöhnliche Maske 3c gebildet wird, die mit dem
Muster des doppelten Abstandes der idealen Maske 3b vorgesehen
ist, vorhanden ist. Falls der Nullte-Ordnung-Lichtstrahl, der
die Lichtintensitätsverteilung auf der Pupillenebene durch die
gewöhnliche Maske 3c, die mit dem Muster des doppelten Abstan
des der idealen Maske 3b vorgesehen ist, bildet, durch irgend
ein Mittel abgefangen bzw. aufgefangen wird, kann eine Lichtin
tensitätsverteilung, die ähnlich zu derjenigen ist, die durch
die ideale Maske 3b auf der Pupillenebene ausgebildet wird, auf
der Pupillenebene ausgebildet werden, und dadurch kann die Stö
rung der Bildausbildungseigenschaften vermieden werden.
Der Nullte-Ordnung-Lichtstrahl, der auf der Pupillenebene er
scheint, ist ein Problem bei einem Belichtungsprozeß, der die
Fehlermaske 3a verwendet. Ein Pupillenfilter 10 zum Abschatten
des Nullte-Ordnung-Lichtstrahls wird im folgenden beschrieben.
In dem Abschnitt auf der unteren rechten Seite der Fig. 2 ist
der Pupillenfilter 10 zum Abschatten des Nullte-Ordnung-Licht
strahls gezeigt. Der Pupillenfilter 10 weist einen zentralen
Abschattungsteil 5a, der der Position des Nullte-Ordnung-Licht
strahls entspricht, und einen transparenten Teil, der den ab
schattenden Teil 5a umgibt, auf.
Wenn der Pupillenfilter 10 in Kombination mit der Fehlermaske
3a verwendet wird, kann der Nullte-Ordnung-Lichtstrahl, d. h.
eine Fehlerkomponente, perfekt herausgefiltert werden und ein
ideales Bild, das eine Lichtintensitätsverteilung aufweist, die
nur durch die ±Erste-Ordnung-Lichtstrahlen gebildet wird, wie
sie in dem unteren Abschnitt auf der linken Seite der Fig. 2
gezeigt ist, kann ausgebildet werden, selbst falls die Fehler
maske 3a verwendet wird.
Die Maske, die ein Intensitätsfehler in durchgelassenem Licht
aufweist, ist oben beschrieben worden. In demselben Kontext,
wenn die Levenson-Phasenverschiebungsmaske (Fehlermaske) einen
Phasenfehler, der durch den Verschieber verursacht wird, auf
weist, kann ein Bild, das auf der Pupillenebene erscheint,
durch die Analyse des Beugungslichtflusses ähnlich wie bei dem
Lichtintensitätsfehler betrachtet werden. Derart ist es mög
lich, eine Fehlermaske so zu betrachten, als ob die gewöhnliche
Maske (Phasendifferenz ist gleich 90°), die einen halben Ab
stand 1/2L aufweist, zu der idealen Maske addiert ist. Der Ab
stand ist als der Abstand zwischen dem jeweiligen Zentrum der
benachbarten Muster auf der Maske definiert. Die Wirkung des
Reduzierens des Maskenfehlers kann ähnlich von dem Pupillenfil
ter 10 erwartet werden.
Verbesserungen in einem optischen Bild durch die Wirkung des
Pupillenfilters 10 ist durch optische Bildberechnung gesucht
worden und wird gezeigt. Die Parameter, die für diese Berech
nung benutzt wurden, sind eine numerische Apertur NA = 0,55,
ein Kohärenzfaktor des Belichtungslichtes σ = 0,2 und eine
Wellenlänge des Belichtungslichtes λ = 248 nm.
Fig. 3 zeigt ein übertragenes Bild einer Maske, die einen Pha
senfehler von 10° und ein 1 : 1-Linien-und-Abstands-Muster (L/S-Muster)
aufweist. In Fig. 3 zeigen das obere, das mittlere und
das untere Diagramm entsprechend einen Fall, in dem die Positi
on des Fokus um eine Fokusverschiebung ΔF = 1,0 µm verschoben
ist, einen Fall, in dem die Position des Fokus um eine Fokus
verschiebung ΔF = 0 µm verschoben ist, bzw. einen Fall, in dem
die Position des Fokus um eine Fokusverschiebung ΔF = -1,0 µm
verschoben ist. In Fig. 3 zeigt die linke Spalte ein optisches
Bild, das ohne Verwendung des Pupillenfilters 10 ausgebildet
ist, und die rechte Spalte zeigt ein optisches Bild, das unter
Verwendung des Pupillenfilters 10 ausgebildet ist.
In einem idealen Fall, in dem die Fokusverschiebung ΔF = 0 µm
(das mittlere Diagramm) ist, kann ein ideales optischen Bild
ausgebildet werden, ob der Pupillenfilter 10 verwendet wird
oder nicht. Wenn die Fokusverschiebung ΔF = ± 1,0 µm (das obe
re und das untere Diagramm) ist, ist das optische Bild, das un
ter Verwendung des Pupillenfilters 10 gebildet wird, ein idea
les optisches Bild, das eine fixierte Periode und eine fixierte
Amplitude aufweist und im wesentlichen dasselbe wie dasjenige,
das ausgebildet wird, wenn die Fokusverschiebung ΔF = 0 µm
ist.
Falls jedoch der Pupillenfilter nicht verwendet wird und die
Fokusverschiebung ΔF = ± 1,0 µm ist, variiert die Amplitude
des optischen Bildes in einem weiten Bereich durch die Wirkung
des Phasenfehlers und die entsprechenden Lichtintensitäten der
benachbarten hellen Abschnitte sind stark unterschiedlich von
einander. Daher ist der Pupillenfilter 10 sehr wirksam beim
Verbessern der Qualität des Bildes.
Die Fig. 4(a) und 4(b) sind Graphen, die die kritische Größe
(CD) eines Musters zeigen, die als eine Funktion der Fokusver
schiebung des Fokusversatzes (ΔF) durch ein Scheibenniveau-
Verfahren (Slice-Level-Verfahren), d. h. ein Verfahren, daß die
Breite eines optischen Bildes einer Lichtintensität, die höher
als eine fixierte Lichtintensität ist, als eine Musterbreite
verwendet, bestimmt ist. In einem normalen Zustand ist die Mu
stergröße CD = 0,2 µm. Fig. 4(a) zeigt die Variation der Mu
stergröße (CD) mit einer Fokusverschiebung F, wenn die Maske
einen Phasenfehler von 10° aufweist, und Fig. 4(b) zeigt die
Variation der Mustergröße CD mit einer Fokusverschiebung F,
wenn die Maske einen Intensitätsfehler des durchgehenden Lichts
von 10% aufweist.
In den Fig. 4(a) und 4(b) zeigen die Kurven, die mit weißen
Markierungen ○ und angezeigt sind, Daten einer Mustergröße
CD, wenn der Pupillenfilter verwendet wird, und die Kurven, die
mit schwarzen Markierungen ⚫ und ∎ angezeigt sind, zeigen Da
ten einer Mustergröße CD, wenn der Pupillenfilter nicht verwen
det wird. Die Kurven, die mit großen Markierungen angezeigt
sind, stellen Daten einer Mustergröße CD dar, wenn Verschieber
an den Positionen, die den Öffnungen des Musters entsprechen,
die auf der Maske ausgebildet sind, ausgebildet sind, und die
Kurven, die mit kleinen Markierungen angezeigt sind, stellen
Daten einer Mustergröße CD dar, wenn Verschieber an Positionen,
die den Öffnungen des Muster entsprechen, die auf der Maske
ausgebildet sind, nicht ausgebildet sind. Die Kurven, die durch
runde Markierungen ○ und ⚫ angezeigt sind, stellen die Größe
von hellen Teilen des optischen Bildes dar, und rechteckige
Markierungen und ∎ stellen die Größe von dunklen Teilen des
optischen Bildes dar.
In Fig. 4(a) und 4(b) liegen die weißen rechteckigen Markierun
gen und die schwarzen rechteckigen Markierungen ∎, die die
Größe der dunklen Teile anzeigen, im wesentlichen übereinander,
und die Werte, die durch die Kurven dargestellt werden, die
durch die Markierungen und ∎ angezeigt sind, sind im wesent
lichen gleich. Es ist aus den Fig. 4(a) und 4(b) bekannt, daß
die Kurven, die durch die Markierungen ⚫, und ∎ (Markie
rungen, die den Gebrauch des Filters und die Größe von dunklen
Teilen anzeigen), angezeigt sind, sich voneinander in der Mu
stergröße CD in dem Fokusverschiebungsbereich von 0 µm bis ± 1,0 µm
unterscheiden, und ein maximaler CD-Unterschied aufgrund
der Fokusverschiebung ungefähr 0,04 µm ist. Es ist zu verste
hen, daß die Verwendung des Pupillenfilter 10 wirksam zum Brin
gen der Mustergröße CD zum Annähern an die ideale Mustergröße,
wenn die Fokusverschiebung ΔF = 0 (Belichtung unter Verwendung
der idealen Maske) ist, für entweder einen Fall, in dem es ei
nen Phasenfehler gibt, oder einen Fall, in dem es einen Licht
intensitätsfehler gibt, ist.
Im Wege des Beispiels ist in den Fig. 4(a) und 4(b) ein 1 : 1 L/S
mit 0,2 µm gezeigt. Fig. 5 zeigt die Abhängigkeit der Muster
größe CD von der Fokusverschiebung für Masken ohne Maskenfeh
ler, mit einem Phasenfehler (10°) und mit einem Intensitätsfeh
ler (10%) im durchgelassenen Licht, wenn die L/S-Mustergröße
von 0,16 bis 0,24 µm variiert wird. In Fig. 5 sind in der lin
ken Spalte, der mittleren Spalte und der rechten Spalte ent
sprechend Mustergrößen für einen Fall, in dem es keinen Masken
fehler gibt, einen Fall, in dem es einen Phasenfehler gibt,
bzw. einen Fall, in dem es einen Lichtintensitätsfehler gibt,
gezeigt.
Die Kurven stellen Fälle dar, in denen die L/S-Muster von 0,16
bis 0,24 µm, die Phasen- und Lichtintensitätsfehler aufweisen,
ungefähr gleich den idealen Kurven, die in der linken Spalte
gezeigt sind, werden, wenn der Pupillenfilter 10 verwendet
wird. Es ist zu verstehen, daß der Übertragungsfehler reduziert
wird, und die Wirkung des Pupillenfilter 10 ändert sich nicht
abhängig von der Mustergröße, wie in Fig. 5 gezeigt ist.
Wenn der Pupillenfilter in Kombination mit der idealen Maske
verwendet wird, gibt es überhaupt keinen Einfluß, und natürlich
ist eine normale Übertragung möglich. Wie aus der vorhergehen
den Beschreibung zu verstehen ist, kann die Genauigkeit der Be
lichtung durch Verwendung des Pupillenfilters, der den Nullte-
Ordnung-Lichtstrahl, der durch die Maske hindurchgeht, wenn die
Fehlermaske für die Belichtung verwendet wird, herausfiltert,
sehr stark verbessert werden.
Falls der Pupillenfilter 10 auf der Pupillenebene 5 angeordnet
ist und der abschattende Teil 5a in einem Bereich zum Heraus
filtern des Nullte-Ordnung-Lichtstrahles, der durch die Maske 3
hindurchgeht, ausgebildet ist, kann, wenn das Belichtungssy
stem, das in Fig. 1 gezeigt ist, praktisch zur Belichtung ver
wendet wird, eine im wesentlichen reguläre Übertragung selbst
dann erreicht werden, falls eine Maske 3, die einen Phasenfeh
ler und einen Lichtintensitätsfehler (Fehlermaske) aufweist,
verwendet wird. Die Levenson-Phasenverschiebungsmaske kann
wirksam verwendet werden und eine feine Bearbeitung der 0,3 µm-Regel
kann akkurat verwirklicht werden, wenn die Fehlerkompo
nente durch den Pupillenfilter 10 entfernt wird.
Wenn ein Belichtungsverfahren, das das Scheibenniveau-Verfahren
(Slice-Level-Verfahren) verwendet, verwendet wird, tritt kein
Problem auf, selbst falls der Nullte-Ordnung-Lichtstrahl, d. h.
eine Fehlerkomponente, nicht vollständig herausgefiltert wird,
solange die Lichtintensität nicht höher als ein vorbestimmter
Wert ist. Daher kann der Pupillenfilter 10, auf welchen der
Nullte-Ordnung-Lichtstrahl fällt, so ausgebildet sein, daß er
den Nullte-Ordnung-Lichtstrahl hauptsächlich bzw. im wesentli
chen herausfiltert, aber den Nullte-Ordnung-Lichtstrahl teil
weise durchläßt. Alternativ kann der Pupillenfilter 10 halb
transparent in dem Abschattungsabschnitt ausgebildet sein. Der
art kann durch Ausbilden des Pupillenfilter 10 derart, daß er
den Einfluß des Nullte-Ordnung-Lichtstrahls reduziert, eine
idealere bzw. bessere Belichtung als bei der Belichtung ohne
den Pupillenfilter 10 erreicht werden.
Das Belichtungsverfahren bei der ersten Ausführungsform unter
Verwendung der Levenson-Phasenverschiebungsmaske ist wirksam
beim Übertragen eines sehr feinen Musters wie eines Musters ei
ner Designregel in der Größenordnung von 0,2 µm und es ist dazu
gedacht, eine ideale Belichtung durch Herausfiltern des Nullte-
Ordnung-Lichtstrahls, der durch die Maske hindurchgegangen ist,
insgesamt oder des Hauptteils des Nullte-Ordnung-Lichtstrahls,
der durch die Maske hindurchgegangen ist, d. h. einer Fehlerkom
ponente, zu erreichen.
Das Belichtungsverfahren bei der zweiten Ausführungsform ver
wendet eine Maske, die mit einer Kombination eines sehr feinen
Musters des Levenson-Typs von 0,2 µm 1 : 1-L/S mit einem Muster
großen Abstands eines gewöhnlichen Maskentyps für z. B. Kontakte
und Anschlußflächen vorgesehen ist, die durch Bearbeiten einer
Chromschicht oder von ähnlichem ausgebildet wird. Das Belich
tungsverfahren wird im folgenden zusammen mit einer Korrektur
für Maskenfehler beschrieben.
Wenn eine Binärmaske 3c eines gewöhnlichen Typs, der ein ande
rer als der Levenson-Typ ist, die mit einem Muster aus einer
Metallschicht wie einer Chromschicht vorgesehen ist, verwendet
wird, werden ein Nullte-Ordnung-Lichtstrahl und ±Erste-Ordnung-
Lichtstrahlen durch die Maske 3c übertragen bzw. gehen durch
diese hindurch. Wie in der Beschreibung der ersten Ausführungs
form erläutert worden ist, wird der Nullte-Ordnung-Lichtstrahl
entfernt, wenn der Pupillenfilter 10, der zum Herausfiltern des
Nullte-Ordnung-Lichtstrahles in der Lage ist, verwendet wird,
und daher ist eine normale Bildausbildung unmöglich.
Falls der Nullte-Ordnung-Lichtstrahl aus einem optischen Bild
entfernt wird, welches durch die Interferenz von drei Licht
strahlen, d. h. dem Nullte-Ordnung-Lichtstrahl und den ±Erste-
Ordnung-Lichtstrahlen ausgebildet wird, weist das optische Bild
einen Abstand, der das Doppelte des Maskenabstandes ist, auf.
Darum bringt, falls ein Levenson-Phasenverschiebungsmasken
muster und ein gewöhnliches Maskenmuster (ein binäres Maskenmu
ster, das keine Phasenverschiebung aufweist) auf einer Maske
ausgebildet werden, die Verwendung des Pupillenfilters unab
wendbar einen nachteiligen bzw. einen gegenteiligen Effekt.
Jedoch können, durch einen Kompromiß, Bilder des sehr feinen
Musters und des Musters mit großem Abstand im wesentlichen nor
mal durch Verwendung einer Maske ausgebildet werden, die mit
sowohl dem sehr feinen Muster als auch dem Muster großen Ab
stands vorgesehen ist. Eine im wesentlichen normale Belichtung
kann durch Abfangen eines Teils des Nullte-Ordnung-Lichtstrahls
anstelle des kompletten Abfangen desselben zur Reduzierung der
Nullte-Ordnung-Lichtkomponente, die in dem Muster großen Ab
standes enthalten ist, das in dem Levenson-Phasenverschiebungs
muster ausgebildet ist, und durch Sichern der notwendigen In
tensität der Nullte-Ordnung-Lichtkomponente des Musters großen
Abstandes, das in dem die gewöhnlichen Maskenmuster ausgebildet
ist, die zur Ausbildung eines normalen Bildes notwendig ist,
erhalten bzw. gesichert werden.
Ein Teil der Nullte-Ordnung-Lichtkomponente kann durch Reduzie
ren des Durchmessers des Pupillenfilters 10 zum Erreichen einer
im wesentlichen normalen Belichtung herausgefiltert werden. Die
Erläuterung wird im folgenden gegeben.
Die Fig. 6(a) bis 6(f) sind berechnete Daten eines optischen
Bildes einer gewöhnlichen Maske (Binärmaske) von 0,60 µm L/S
unter Verwendung einer numerischen Apertur NA = 0,55, eines Ko
härenzfaktors der Lichtquelle von σ = 0,2 und der Wellenlänge
des Belichtungslichtes λ = 248 nm.
Die Fig. 6(a) bis 6(f) sind optische Bilder für unterschiedli
che Filterdurchmesser (Wellenzahlen). In Fig. 7 sind Filter
durchmesser (Wellenzahlen) für die optischen Bilder, die in den
Fig. 6(a) bis 6(f) gezeigt sind, und das Verhältnis der Filter
durchmesser zu dem Nicht-Beugung-Licht-Bilddurchmesser gezeigt.
Wenn das Verhältnis des Filterdurchmessers zu dem Nicht-
Beugung-Licht-Bilddurchmesser gleich 1,0 ist, erscheinen Spit
zen in dem optischen Bild, von denen erwartet wird, daß sie in
Intervallen von 1,2 µm unter einer normalen Bedingung auftre
ten, bei Intervallen von 0,6 µm, welches die Hälfte der Periode
des Maskenmusters ist, und eine normale Belichtung ist unmög
lich.
Fig. 6(b) über die Fig. 6(c), 6(d) und 6(e) bis Fig. 6(f) zei
gen das Ergebnis der Berechnung bei einer Änderung des Filter
durchmessers von 0,08/λ über 0,06/λ, 0,04/λ und 0,02/λ bis 0
und eine Änderung des Verhältnisses des Filterdurchmessers zu
dem Nicht-Beugung-Licht-Bilddurchmesser von 0,73 über 0,55,
0,36 und 0,18 bis 0. Es ist zu verstehen, daß ein Bild, das un
gefähr gleich zu einem originalem Bild normaler Periode, d. h.
einem idealen optischen Bild, das durch ein gewöhnliches Mas
kenmuster ausgebildet ist, ist, durch graduelles Vermindern des
Filterverhältnisses des Nullte-Ordnung-Lichtes ausgebildet wer
den kann.
Es ist daraus zu schließen, daß, falls der Filterdurchmesser
gleich 0,08/λ oder darunter und das Verhältnis des Filterdurch
messers zu dem Nicht-Beugung-Licht-Bilddurchmesser gleich 0,73
oder darunter ist und der Nullte-Ordnung-Lichtstrahl nicht
vollständig herausgefiltert wird, dann ein Bild zufriedenstel
lend durch das Slice-Level-Verfahren ausgebildet werden kann.
Andererseits kann, wenn das Levenson-Phasenverschiebungsmasken
muster, das Fehler aufweist, verwendet wird, ein normales Bild
durch Entfernen der Nullte-Ordnung-Lichtkomponente durch den
Pupillenfilter 10 ausgebildet werden. Darum ist, wenn die Fil
terwirkung nicht verwendet wird, wie zum Beispiel in Fig. 6(f)
gezeigt ist, der Einfluß des Maskenfehlers offensichtlich, und
eine normale Bildausbildung ist unmöglich.
Die Fig. 8(a) bis 8(f) zeigen berechnete Ergebnisse der opti
schen Bilder einer Levenson-Phasenverschiebungsmaske, die mit
einem sehr feinen Muster von 0,16 µm-L/S vorgesehen ist. Von
einem Maskenfehler wird angenommen, daß er 10% in einer Durch
lässigkeitsdifferenz (Durchlässigkeitsdifferenz zwischen 0° und
180°) ist. Die Berechnung wurde unter denselben Bedingungen wie
denjenigen ausgeführt, die zur Berechnung der in Fig. 6(a) bis
6(f) gezeigten Daten verwendet wurden, und der Durchmesser des
Filters wurde als ein Parameter verwendet. Der Filterdurchmes
ser und das Verhältnis des Filterdurchmessers zu dem Nicht-
Beugung-optisches-Bilddurchmesser, die zur Berechnung der in
den Fig. 8(a) bis 8(f) gezeigten Daten verwendet wurden, sind
ebenfalls in Fig. 7 gezeigt.
In Fig. 8(a) sind die Werte der benachbarten Spitzen im wesent
lichen gleich zueinander, da der Pupillenfilter das Licht Null
ter-Ordnung, d. h. eine wesentliche Fehlerkomponente, vollstän
dig herausfiltert und eine ideale Bildausbildung erreicht wird.
In den Fig. 8(b), . . . und 8(f) nimmt die Wirkung der Lichtkompo
nente Nullter-Ordnung graduell in dieser Reihenfolge zu und der
Unterschied zwischen den Werten der benachbarten Spitzen neigt
zum Ansteigen.
Es ist aus der synthetischen Untersuchung der vorhergehenden
Fakten bekannt, daß, wenn eine Maske mit einem L/S-Muster
(gewöhnliches Muster) von ungefähr 0,6 µm, d. h. einem Muster
großen Abstandes, und einem L/S-Muster (Levenson-Phasen
verschiebungsmuster) von ungefähr 0,16 µm, d. h. einem sehr fei
nen Muster, vorgesehen ist, zur Belichtung verwendet wird, eine
optimale Belichtung durch Anordnen eines Pupillenfilters mit
einem abschattenden Teil eines Durchmessers von 0,73 mal dem
Durchmesser eines Nicht-Beugung-Bildes der Lichtquelle 1 (des
Bilds des Lichtes Nullter-Ordnung) auf der Pupillenebene 5 des
Belichtungssystems, das in Fig. 1 gezeigt ist, erreicht werden
kann.
Der Pupillenfilter, der einen abschattenden Teil aufweist, der
einen Durchmesser aufweist, der 0,73 mal so groß wie der Nicht-
Beugung-Licht-Bilddurchmesser ist, ist bloß ein Beispiel, und
eine optimale Größe des abschattenden Teils ist abhängig von
der Größe eines Musters, das zu belichten ist, und den Belich
tungsbedingungen.
Zusammenfassend, ein im wesentlichen normales Bild kann selbst
dann ausgebildet werden, falls eine Maske verwendet wird, die
sowohl mit einem gewöhnlichen Maskenmuster als auch einem Le
venson-Phasenverschiebungsmaskenmuster vorgesehen ist, indem
ein Pupillenfilter 10a zur Belichtung verwendet wird, bei dem
der abschattende Teil des Pupillenfilter 10 so ausgebildet ist,
daß ein Teil des Lichtes Nullter-Ordnung, das durch die Maske
übertragen wird bzw. durch diese hindurchgeht, abgeschattet
wird. Derart kann eine Mehrzahl von Mustern unterschiedlicher
Größe akkurat durch einen einzelnen Belichtungszyklus ausgebil
det werden.
Bei der zweiten Ausführungsform ist ein Belichtungsverfahren
beschrieben worden, bei welchem eine Maske, die sowohl mit ei
nem gewöhnlichen Binärmaskenmuster als auch einem Levenson-
Phasenverschiebungsmaskenmuster vorgesehen ist, verwendet wird,
und ein Teil des Lichtes Nullter-Ordnung wird durch einen ab
schattenden Teil einer angemessenen Größe des Pupillenfilters
abgeschattet, um die Fehlerkomponente des Levenson-Phasen
verschiebungsmaskenmusters zu reduzieren, und zur selben Zeit
wird das gewöhnliche Maskenmuster in einer akkuraten Größe
übertragen.
Bei der dritten Ausführungsform wird ein anderes Verfahren der
Belichtung erläutert, bei dem eine Maske, die sowohl mit einem
gewöhnlichen Binärmaskenmuster als auch einem Levenson-Phasen
verschiebungsmaskenmuster vorgesehen ist, ähnlich wie bei der
zweiten Ausführungsform verwendet wird, und bei dem sowohl das
gewöhnliche Binärmaskenmuster als auch das Levenson-Phasen
verschiebungsmaskenmuster im wesentlichen in akkuraten Größen
übertragen werden.
Bei der zweiten Ausführungsform ist der Durchmesser des ab
schattenden Teils 5a, d. h. der Filterdurchmesser, des Pupillen
filters 10 so bestimmt, daß ein Teil des Belichtungslichtes in
einem Kreis mit einem Radius, der sein Zentrum an dem Zentrum
eines Lichtpunktes des Lichtes Nullter-Ordnung hat, der auf der
Pupillenebene 5 ausgebildet ist, herausgefiltert und der andere
Teil der Lichtkomponente Nullter-Ordnung um den Kreis durchge
lassen bzw. übertragen wird. Bei der dritten Ausführungsform
ist der Pupillenfilter 10 mit einem trüben (opak) Abschattungs
teil 5a zur Reduzierung der allgemeinen Durchlässigkeit zur Re
duzierung der Fehlerkomponente des Levenson-Phasenverschie
bungsmaskenmusters und zum gleichzeitigen akkuraten Übertragen
des normalen Maskenmusters vorgesehen.
Optische Bilder, die durch Verwendung eines gewöhnlichen Mas
kenmusters von 0,6 µm-1 : 1-L/S und durch Variieren der Durchläs
sigkeit des Pupillenfilters ausgebildet werden, werden unter
Bezugnahme auf die Fig. 9(a) bis 9(f) erläutert. Die Durchläs
sigkeiten der Filter, die zur Ausbildung der Bilder aus den
Fig. 9(a) bis 9(f) verwendet wurden, sind in der Tabelle aus
Fig. 10 gezeigt, welche ebenso auf die optischen Bilder eines
Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmusters, die in den Fig. 11(a)
bis 11(f) gezeigt sind, anwendbar ist. Andere Parameter,
die zur Berechnung der optischen Bilder verwendet wurden, sind
NA = 0,55, Lichtquellenkohärenzfaktor σ = 0,2 und Wellenlänge
des Beleuchtungslichtes λ = 248 nm.
Die Filterdurchlässigkeit ist 0% für das Bild, das in Fig. 9(a)
gezeigt ist, und das Licht Nullter-Ordnung wird vollständig
herausgefiltert. Darum erscheinen Spitzen, von denen natürli
cherweise erwartet wird, daß sie bei Intervallen von 1,2 µm er
scheinen, bei Intervallen von 0,6 µm, und der Fehler ist zu
groß zum Erreichen einer normalen Belichtung.
Die Durchlässigkeiten der abschattenden Teile der Filter für
die in den Fig. 9(b) bis 9(f) gezeigten Bilder sind 20%, 40%,
60%, 80% bzw. 100% und die Spitzen erscheinen in Intervallen
von 1,2 µm und Spitzen, die Fehlerkomponenten entsprechen, sind
reduziert. Derart steigt die Möglichkeit einer normalen Über
tragung dieser Bilder in dieser Reihenfolge an.
Die Fig. 11(a) bis 11(f) zeigen die Wirkung der Durchlässigkeit
des Pupillenfilters zum Herausfiltern des Lichter Nullter-
Ordnung für das Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster. Das
Maskenmuster bei der dritten Ausführungsform ist, ähnlich zu
demjenigen bei der zweiten Ausführungsform, ein 0,16 µm-1 : 1-L/S-Muster,
und Parameter, die dieselben wie diejenigen sind,
die oben bei der Berechnung der Bilder des gewöhnlichen Musters
verwendet wurden, wurden zur Berechnung der optischen Bilder
verwendet. Die Durchlässigkeiten für die optischen Bilder aus
den Fig. 11(a) bis 11(f) sind, wie in Fig. 7 gezeigt ist, 0%,
20%, 40%, 60%, 80% und 100%.
Wie bei der Beschreibung der ersten und der zweiten Ausfüh
rungsform erwähnt wurde, kann, im Fall der Verwendung der Le
venson-Phasenverschiebungsmaske, eine ideale Belichtung er
reicht werden, falls die Lichtkomponente Nullter-Ordnung voll
ständig herausgefiltert wird. Wie aus Fig. 11 offensichtlich
ist, ist, je näher die Durchlässigkeit an 0% ist, der Unter
schied im Wert zwischen benachbarten Spitzen um so geringer und
das Bild ist um so näher an dem akkuraten optischen Bild. Je
näher die Durchlässigkeit an 100% ist, um so größer ist die
Wirkung der Maskenfehler inklusive des Phasenfehlers in der Le
venson-Phasenverschiebungsmaske und des Durchlässigkeitsfeh
lers, und um so größer ist die Störung des optischen Bildes.
Es ist aus der synthetischen Untersuchung der vorhergehenden
Fakten bekannt, daß, wenn die Maske, die mit sowohl dem Leven
son-Phasenverschiebungsmaskenmuster als auch dem herkömmlichen
Binärmaskenmuster vorgesehen ist, beide Maskenmuster akkurat
durch das Slice-Level-Verfahren übertragen werden können, falls
die Komponente Nullter-Ordnung des Lichtes, das durch die Maske
hindurchgeht, durch einen halbtransparenten Pupillenfilter ge
filtert wird, zum Beispiel mit einer Transparenz von 60%.
Dementsprechend kann ein Bild des Maskenmusters normal auf die
Resistschicht, die auf dem Halbleiterwafer 6 ausgebildet ist,
durch Ausbilden eines Pupillenfilters, der eine Durchlässigkeit
von 60% in einem Bereich aufweist, der mit dem Licht Nullter-
Ordnung in der Pupillenebene 5 des Belichtungssystems, das in
Fig. 1 gezeigt ist, zu bestrahlen ist, übertragen werden, und
ein gewöhnlicher Belichtungsprozeß unter Verwendung der Maske,
die mit sowohl dem Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster als
auch dem gewöhnlichen Binärmaskenmuster vorgesehen ist, kann
ausgeführt werden.
Der Pupillenfilter 10, der den abschattenden Teil 5a mit 60%
Durchlässigkeit aufweist, ist wirksam, wenn die Maske, die mit
einem gewöhnlichen Maskenmuster von 0,6 µm-1 : 1-L/S und einem
Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster von 0,16 µm-1 : 1-L/S
vorgesehen ist, verwendet wird. Jedoch ist es notwendig, die
Durchlässigkeit entsprechend der Änderung in der Größe der Mu
ster zu ändern.
Zusammenfassend, wenn eine Maske, die sowohl mit einem Leven
son-Phasenverschiebungsmaskenmuster als auch einem gewöhnlichen
Maskenmuster vorgesehen ist, zur Belichtung verwendet wird,
können Bilder von beiden Maskenmustern unterschiedlicher Typen
akkurat übertragen werden, wenn das Licht Nullter-Ordnung, das
durch die Maske hindurchgelassen wird, durch einen semitranspa
renten Filter, der eine vorbestimmte Durchlässigkeit aufweist,
zur Reduzierung des Einflusses des Lichtes Nullter-Ordnung auf
das übertragende Bild in einem solchen Ausmaß herausgefiltert
wird, daß die Übertragung des Bildes des gewöhnlichen Maskenmu
sters nicht nachteilig beeinflußt wird.
Bei den ersten bis dritten Ausführungsformen sind Verfahren zur
Belichtung beschrieben, bei denen alles oder ein Teil des Lich
tes Nullter-Ordnung, das durch die Maske hindurchgeht, durch
den Pupillenfilter herausgefiltert wird, der auf der Pupillene
bene des Belichtungssystems angeordnet ist, um die nachteilige
Wirkung des Maskenfehlers zu reduzieren.
Bei der vierten Ausführungsform wird ein anderes Verfahren zur
Belichtung erläutert, welches die Wirkung der Lichtstrahlen der
zweiten Beugungsordnung eliminiert, welche als eine Fehlerkom
ponente wirken, wenn ein Bild eines Levenson-Phasenverschie
bungsmaskenmusters, das einen Fehler aufweist, übertragen wird,
und das ebenso die Wirkung des Lichtes Nullter-Ordnung auf ein
übertragenes Bild eliminiert.
Fig. 12(a) zeigt ein Pupillenebenenbeugungsmuster, das durch
ideale Belichtung unter Verwendung einer gewöhnlichen Maske
ausgebildet ist, und Fig. 12(b) zeigt ein Pupillenebenenbeu
gungsmuster, das durch ideale Belichtung unter Verwendung einer
Levenson-Phasenverschiebungsmaske ausgebildet ist. Wie aus Fig. 12(a)
offensichtlich ist, werden, wenn die gewöhnliche Maske
verwendet wird, ein Muster des Lichtes Nullter-Ordnung in dem
Zentrum, Muster der Strahlen des Lichtes ±Erste-Ordnung an den
entsprechenden äußeren Seiten des Musters des Lichtes Nullter-
Ordnung und Muster der Strahlen des Beugungslichtes ±Zweiter-
Ordnung (im folgenden einfach als "Strahlen des ±Zweiter-
Ordnung-Lichts" bezeichnet) an den entsprechenden äußeren Sei
ten der Muster der Strahlen des Lichtes ±Erster-Ordnung aus ge
bildet. Das Licht Nullter-Ordnung weist die höchste Intensität
auf, und der Einfluß der Strahlen des Lichtes einer höheren
Ordnung auf eine Bildausbildung ist geringer.
Bei der ersten Ausführungsform, die die Levenson-Phasenver
schiebungsmaske verwendet, die einen Fehler aufweist, und wenn
ein Muster, das zu übertragen ist, einen schmalen Abstand wie
das 0,16 µm-1 : 1-L/S-Muster aufweist, ist die numerische Apertur
NA, d. h. der Durchmesser der Pupillenapertur, so eingestellt,
daß er einem Bereich entspricht, der in Fig. 12(a) durch die
gestrichelte Linie 11 umschlossen ist, so daß die Strahlen des
Lichtes ±Erster-Ordnung durchgelassen und die Strahlen des
Lichtes ±Zweiten- und höheren Ordnung eliminiert werden. Daher
werden Fehler, die den Strahlen des Lichtes ±Zweiter-Ordnung
zuzurechnen sind, nicht erzeugt.
Wenn ein Bild eines Musters, das einen großen Abstand aufweist,
unter Verwendung einer Levenson-Phasenverschiebungsmaske über
tragen wird, oder wenn der Durchmesser der Pupille so bestimmt
ist, daß er einen Bereich enthält, der Strahlen des Lichtes
±Zweiter-Ordnung durchläßt, d. h. einen Bereich, der in Fig. 12(a)
durch Linie 12 mit alternierenden kurzen und langen Stri
chen umschlossen ist, fallen Fehlerkomponenten, d. h. Strahlen
des Lichtes Nullter-Ordnung und des Lichtes ±Zweiter-Ordnung,
in einigen Fällen auf die Pupille, obwohl es wünschenswert ist,
daß nur die Strahlen des Lichtes ±Erster-Ordnung erscheinen.
Obwohl das Licht Nullter-Ordnung durch den Pupillenfilter 10
herausgefiltert werden kann, ist es schwierig, die Strahlen des
Lichtes ±Erster-Ordnung durchzulassen und die Strahlen des
Lichtes der ±Zweiten-Ordnung und Höherer-Ordnung durch den Pu
pillenfilter 10 herauszufiltern. Falls die Strahlen des Lichtes
der ±Zweiten-Ordnung auf die Pupille fallen, wird ein Bild mit
1/2-Abstand durch Interferenz zwischen dem Licht ±Erster-
Ordnung und dem Licht ±Zweiter-Ordnung ausgebildet und die Wir
kung auf die Reduzierung des Einflusses des Maskenfehlers wird
vermindert.
Als ein Mittel zur Reduzierung des Einflusses des Lichtes
±Zweiter-Ordnung in Fehlerkomponenten wird hier ein Verfahren
zum Herausfiltern des Lichtes ±Zweiter-Ordnung eingeführt, bei
dem die Größe der Pupille, d. h. der Pupillenapertur, so be
stimmt ist, daß die Pupille einem Bereich entspricht oder enger
als dieser ist, der in Fig. 12(a) durch eine Linie 13 mit al
ternierend einem langen und zwei kurzen Strichen umschlossen
ist, der das Licht Nullter-Ordnung und das Licht ±Erster-
Ordnung enthält, das Licht ±Zweiter-Ordnung nicht enthält, aber
in Kontakt mit den Grenzen der Strahlen des Lichtes ±Zweiter-
Ordnung ist.
Der Bereich, der durch die Linie 13 mit alternierend einem lan
gen und zwei kurzen Strichen in Fig. 12(a) umschlossen ist,
wird durch die folgende Gleichung ausgedrückt:
NA ≦ λ/(L (1+σ)).
Wie in Fig. 12(a) gezeigt ist, liegen die Zentren der Strahlen
des Lichtes ±Erster-Ordnung bei ±(1/2L), und die Zentren der
Strahlen des Lichtes ±Zweiter-Ordnung liegen bei ±(1/L). Die
Radien dieser Strahlen sind NA . σ. Eine Grenze NA = λ/2L ent
spricht einer Pupille, die die Zentren der Strahlen des Lichtes
±Erster-Ordnung enthält, und eine Grenze NA = λ/L entspricht
einer Pupille, die die Zentren der Strahlen des Lichtes
±Zweiter-Ordnung enthält. Dementsprechend wird die NA, die dem
Bereich entspricht, der durch die Linie 13 mit alternierend ei
nem langen und zwei kurzen Strichen in Fig. 12(A) umschlossen
ist, durch Subtrahieren des Radius NA . σ von der Grenze NA, die
der Pupille entspricht, die die Zentren der Strahlen des Lich
tes ±Zweiter-Ordnung enthält, bestimmt.
Fig. 13(a) bis 13(d) zeigen optische Bilder eines Musters gro
ßen Abstandes mit 0,40 µm-1 : 1-L/S einer Levenson-Phasenver
schiebungsmaske, die mit unterschiedlichen Durchmessern der Pu
pille (Blendenzahlen NA) ausgebildet sind. Die Pupillen
durchmesser NA sind 0,25, 0,30, 0,35 bzw. 0,40 für die opti
schen Bilder, die in den Fig. 13(a) bis 13(d) gezeigt sind. Be
züglich der anderen Parameter, der Kohärenzfaktor ist σ = 0,2,
die Größe des Pupillenfilters ist gleich derjenigen der Licht
quelle, und die Durchlässigkeit des abschattenden Teils des Pu
pillenfilters ist 0%.
Die Werte der Spitzen des optischen Bildes, das in Fig. 13(a)
gezeigt ist, das durch Verwendung der Pille des kleinsten
Durchmessers ausgebildet worden ist, sind gleichförmig und das
optische Bild ist ideal. Wie aus den Fig. 13(b), 13(c) und
13(d) offensichtlich ist, steigt der Unterschied im Wert zwi
schen benachbarten Spitzen mit dem Anstieg des Pupillendurch
messers an.
Durch Einsetzen von λ = 0,248, L = 0,8 µm und σ = 0,2 in dem
Ausdruck NA ≦ λ/{L(1+σ)} wird die Beziehung NA ≦ 0,258 erhal
ten. Es ist bekannt, wenn Bezug auf die Daten genommen wird,
die in Fig. 13 gezeigt sind, die durch Verwendung von Na = 0,25
berechnet wurden, welches die Bedingung NA ≦ 0,258 erfüllt, daß
ein optimales Bild, das unbeeinflußt durch den nachteiligen
Einfluß des Lichts ±Zweiter-Ordnung ist, durch Verwendung einer
Pupille der Größe, die die vorhergehende Bedingung erfüllt,
ausgebildet werden kann.
Dementsprechend durch Ausbildung eines Pupillenfilters zum Her
ausfiltern des Lichtes Nullter-Ordnung, das durch die Maske auf
die Pupillenebene des Belichtungssystems, das in Fig. 1 gezeigt
ist, gebeugt ist, und durch Einstellen des Durchmessers der Pu
pille, d. h. des Pupillendurchmessers, derart, daß die Bedingung
NA ≦ λ/{L(1+σ)} erfüllt wird, um die Lichtstrahlen des Lich
tes ±Zweiter-Ordnung und des Lichtes höherer Ordnung heraus zu
filtern, werden die Strahlen des Lichtes ±Erster-Ordnung dazu
gebracht, exklusiv in einer Pupillenebene zu erscheinen, wie in
Fig. 12(b) gezeigt ist. Dadurch kann eine ideale Belichtung des
Musters mit einem großen Abstand unter Verwendung einer Leven
son-Phasenverschiebungsmaske erreicht werden.
Das Belichtungsverfahren entsprechend den Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung weist die nachfolgenden vorteilhaften
Wirkungen auf.
Das Licht Nullter-Ordnung in dem Belichtungslicht, das durch
die Maske hindurchgeht bzw. übertragen wird, die ein Levenson-
Phasenverschiebungsmaskenmuster aufweist, wird durch den Pupil
lenfilter herausgefiltert, wenn das Verkleinerungsprojektions
belichtungsverfahren ausgeführt wird. Darum kann die Störung
der Belichtungseigenschaften aufgrund von Fehlern in der Maske
unterdrückt und eine akkurate Übertragung erreicht werden.
Das Licht Nullter-Ordnung in dem Belichtungslicht, das durch
die Maske übertragen wird bzw. durch diese hindurchgeht, die
ein Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster enthält, wird
vollständig herausgefiltert, wenn das Verkleinerungsprojekti
onsbelichtungsverfahren ausgeführt wird. Dadurch kann die nach
teilige Wirkung von Maskenfehlern eliminiert und eine akkurate
Belichtung erreicht werden.
Das Licht Nullter-Ordnung in dem Belichtungslicht, das durch
die Maske übertragen wird bzw. durch diese hindurchgeht, die
mit sowohl einem Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster als
auch einem gewöhnlichen Binärmaskenmuster vorgesehen ist, wird
teilweise herausgefiltert, wenn das Verkleinerungsprojektions
belichtungsverfahren ausgeführt wird. Dadurch kann eine akkura
te Belichtung von beiden Maskenmustern erreicht werden.
Die Intensität des Lichtes Nullter-Ordnung in dem Belichtungs
licht, das durch die Maske übertragen wird bzw. durch diese
hindurchgeht, die mit sowohl einem Levenson-Phasenverschie
bungsmaskenmuster als auch einem gewöhnlichen Binärmaskenmuster
vorgesehen ist, wird durch den Pupillenfilter, der ein semi
transparentes Abschattungsteil aufweist, reduziert, wenn das
Verkleinerungsprojektionsbelichtungsverfahren ausgeführt wird.
Dadurch kann eine akkurate Belichtung von beiden Maskenmustern
erreicht werden.
Das Licht Nullter-Ordnung in dem Belichtungslicht, das durch
die Maske hindurchgeht bzw. von dieser durchgelassen wird, die
nur mit einem Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster vorgese
hen ist und Maskenfehler aufweist, wird herausgefiltert, wenn
das Verkleinerungsprojektionsbelichtungsverfahren ausgeführt
wird. Dadurch kann die nachteilige Wirkung der Maskenfehler
eliminiert und eine akkurate Belichtung erreicht werden.
Das Licht Nullter-Ordnung in dem Belichtungslicht, das durch
die Maske hindurchgeht bzw. durch diese durchgelassen wird, die
mit sowohl einem Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster als
auch einem gewöhnlichen Binärmaskenmuster vorgesehen ist und
Maskenfehler aufweist, wird teilweise herausgefiltert, wenn das
Verkleinerungsprojektionsbelichtungsverfahren ausgeführt wird.
Dadurch kann die nachteilige Wirkung der Maskenfehler elimi
niert und eine akkurate Belichtung erreicht werden.
Die Größe der Pupille wird so eingestellt, daß das Licht
±Zweiter-Ordnung und das Licht höherer Ordnung in dem Licht,
das durch die Maske gebeugt wird, abgeschattet wird, wenn das
Verkleinerungsprojektionsbelichtungsverfahren unter Verwendung
einer Levenson-Phasenverschiebungsmaske, die Maskenfehler auf
weist, ausgeführt wird. Dadurch kann die nachteilige Wirkung
der Maskenfehler unterdrückt und eine akkurate Belichtung er
reicht werden.
Offensichtlich können zahlreiche zusätzliche Modifikationen und
Variationen im Licht der obigen Lehren vorgenommen werden.
Claims (14)
1. Projektionsbelichtungsvorrichtung zum Übertragen eines
Maskenmusters einer Maske (3), die ein Levenson-
Phasenverschiebungsmaskenmuster aufweist, über ein Verkleine
rungsprojektionsmittel auf ein belichtetes Objekt (6), die
ein Belichtungsmittel (1, 2) zum Belichten der Maske (3) mit
Belichtungslicht,
ein Filtermittel (10), das in einer Pupillenebene (5) in dem Verkleinerungsprojektionsmittel zum Abfangen von Beugungslicht Nullter-Ordnung von der Maske (3) angeordnet ist, und
ein Fokusierungsmittel (4) zum Fokussieren des Belichtungs lichts von der Pupillenebene (5) zum Ausbilden eines reduzier ten Bildes des Maskenmusters auf dem belichteten Objekt (6) aufweist.
ein Filtermittel (10), das in einer Pupillenebene (5) in dem Verkleinerungsprojektionsmittel zum Abfangen von Beugungslicht Nullter-Ordnung von der Maske (3) angeordnet ist, und
ein Fokusierungsmittel (4) zum Fokussieren des Belichtungs lichts von der Pupillenebene (5) zum Ausbilden eines reduzier ten Bildes des Maskenmusters auf dem belichteten Objekt (6) aufweist.
2. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der
das Filtermittel (10) einen zentralen Abschattungsabschnitt
(5a) zum vollständigen Abfangen des Beugungslichts Nullter-
Ordnung aufweist.
3. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der
das Filtermittel (10) einen zentralen Abschattungsabschnitt
(5a), der in der Größe reduziert ist, zum teilweisen Abfangen
des Beugungslichts Nullter-Ordnung aufweist.
4. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der
das Filtermittel (10) einen halbtransparenten Abschattungsab
schnitt zum teilweisen Abfangen des Beugungslichtes Nullter-
Ordnung aufweist.
5. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach einem der Ansprüche
1 bis 4, bei der
das Filtermittel (10) des weiteren einen peripheren Abschat
tungsabschnitt zum Abfangen von Beugungslicht der ±Zweiten-
Ordnung und höherer Ordnung von der Maske aufweist.
6. Projektionsbelichtungsverfahren zum Übertragen eines Mas
kenmusters einer Maske (3), die ein Levenson-Phasenverschie
bungsmaskenmuster aufweist, über ein Verkleinerungsprojektionsy
stem auf ein belichtetes Objekt (6), das durch
Belichten der Maske (3) mit Belichtungslicht,
Abfangen von Beugungslicht Nullter-Ordnung von der Maske (3) durch einen Pupillenfilter (10) auf einer Pupillenebene (5) in dem Verkleinerungsprojektionssystem und
Fokussieren des Belichtungslichtes von der Pupillenebene (5) zur Ausbildung eines reduzierten Bildes des Maskenmusters auf dem belichteten Objekt (6) durchgeführt wird.
Belichten der Maske (3) mit Belichtungslicht,
Abfangen von Beugungslicht Nullter-Ordnung von der Maske (3) durch einen Pupillenfilter (10) auf einer Pupillenebene (5) in dem Verkleinerungsprojektionssystem und
Fokussieren des Belichtungslichtes von der Pupillenebene (5) zur Ausbildung eines reduzierten Bildes des Maskenmusters auf dem belichteten Objekt (6) durchgeführt wird.
7. Projektionsbelichtungsverfahren nach Anspruch 6, welches
durch vollständiges Abfangen des Beugungslichtes Nullter-
Ordnung durch einen Abschattungsabschnitt (5a) des Pupillenfil
ters (10) ausgeführt wird.
8. Projektionsbelichtungsverfahren nach Anspruch 7, bei dem
die Maske (3) nur ein Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster
aufweist.
9. Projektionsbelichtungsverfahren nach Anspruch 6, welches
durch teilweises Abfangen des Beugungslichtes Nullter-Ordnung
durch einen Abschattungsabschnitt (5a) des Pupillenfilters (10)
ausgeführt wird.
10. Projektionsbelichtungsverfahren nach Anspruch 9, bei dem
die Maske (3) ein Levenson-Phasenverschiebungsmaskenmuster und
ein gewöhnliches Binärmaskenmuster aufweist.
11. Projektionsbelichtungsverfahren nach Anspruch 9 oder 10,
welches
durch teilweises Abfangen des Beugungslichtes Nullter-Ordnung
durch einen reduzierten Abschattungsabschnitt des Pupillenfil
ters (10) ausgeführt wird.
12. Projektionsbelichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 9
bis 11, welches
durch teilweises Abfangen des Beugungslichtes Nullter-Ordnung
durch einen halbtransparenten Abschattungsabschnitt des Pupil
lenfilters (10) ausgeführt wird.
13. Projektionsbelichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 6
bis 12, welches
des weiteren durch Abfangen von Beugungslicht der ±Zweiten-
Ordnung und höherer Ordnung von der Maske (3) durch den Pupil
lenfilter (10) auf der Pupillenebene (5) in dem Verkleinerungs
projektionssystem ausgeführt wird.
14. Projektionsbelichtungsverfahren nach Anspruch 13, welches
des weiteren durch Abfangen des Beugungslichtes der ±Zweiten-
Ordnung und höherer Ordnung durch einen peripheren Abschat
tungsabschnitt des Pupillenfilters (10) ausgeführt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8268462A JPH10115932A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 位相シフトマスクを用いた露光方法 |
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DE19712281A Ceased DE19712281A1 (de) | 1996-10-09 | 1997-03-24 | Projektionsbelichtungsvorrichtung und Projektionsbelichtungsverfahren unter Verwendung einer Phasenverschiebungsmaske |
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KR (1) | KR19980032147A (de) |
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