DE19646476A1 - Verbindungsstruktur - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbindungsstruktur zur thermi
schen Verbindung von mindestens zwei Bauelementen aus Materialien mit
unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten, wobei mindestens ein Bau
element als elektronisches Leistungselement ausgebildet ist.
Elektronische Leistungselemente, wie beispielsweise Laserdioden, entwic
keln im Betrieb eine hohe Verlustleistung, die in Wärme umgesetzt wird.
Um die Zuverlässigkeit des Bauteils zu gewährleisten, ist es erforderlich,
diese Wärme abzuführen. Hierzu ist es bekannt, derartige Leistungsele
mente auf sogenannten "Wärmespreizern" oder Kühlern zu montieren. Die
Wärmespreizer oder Kühler stellen in der Regel Substrate dar, die auf
grund ihrer Materialbeschaffenheit eine besonders gute Eignung als
Wärmesenke zum Entzug der Wärme aus dem Leistungselement aufweisen.
Die Wärmeleitung vom Leistungselement auf ein derartiges Substrat
erfolgt bislang über ein weiches, niedrig schmelzendes Lotmaterial, wie
beispielsweise Indium-Lot, das aufgrund seiner niedrigen mechanischen
Fließgrenze im Verbindungsbereich einen Abbau der mechanischen Span
nungen, die durch die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten
des Leistungselements und des Substrats verursacht werden, ermöglicht.
Zur Herstellung der Verbindung wird das Indium-Lot flächig als Lotmate
rialschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und das Leistung
selement in "Die-Bond-Technik" mit seiner Oberfläche auf der Lotmateri
alschicht kontaktiert. Durch die bekannte Verwendung des Indium-Lots zur
Kontaktierung zwischen einem Leistungselement und einem als Wärme
senke dienenden Substrats kann also verhindert werden, daß es aufgrund
thermisch bedingter mechanischer Spannungen zu Beschädigungen am
Leistungselement kommen kann. Diesen vorteilhaften mechanischen
Eigenschaften des Indium-Lots, die einen Spannungsabbau in der Verbin
dungsanordnung zwischen dem Leistungselement und dem Substrat er
möglichen, steht jedoch als erheblicher Nachteil die mangelhafte Alte
rungsbeständigkeit dieses Lotmaterials gegenüber. In der Praxis führt dies
dazu, daß es beispielsweise bei optoelektronischen Baugruppen, die eine
auf einem Kühlsubstrat kontaktierte Laserdiode aufweisen, schon nach
einer relativ geringen Betriebszeit von häufig weniger als 5.000 Stunden
zu einem Bauteilversagen kommt.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine
Verbindungsstruktur der eingangs genannten Art vorzuschlagen, die einen
sicheren Abbau thermisch bedingter Spannungen zwischen den Bauele
menten ohne nachteilige Beeinflussung der Lebensdauer des Leistungsele
ments ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch eine Verbindungsstruktur mit den Merkmalen
des Anspruchs 1 gelöst.
Erfindungsgemäß werden zur Herstellung der Verbindungsstruktur höher
schmelzende Verbindungsmaterialien verwendet, die zwischen den Kon
taktflächen der Bauelemente als vereinzelte Verbindungselemente ausge
bildet sind.
Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, daß eine höhere Lebensdauer
und Zuverlässigkeit bei aus den vorgenannten unterschiedlichen Bauele
menten zusammengesetzten Baugruppen grundsätzlich nur durch die
Verwendung höher schmelzender Verbindungsmaterialien möglich ist. Da
bei einem Metall die Eigenschaft eines hohen Schmelzpunkts physikalisch
stets mit dem Merkmal einer entsprechend hohen mechanischen Fließgren
ze gepaart ist, wird bei der erfindungsgemäßen Verbindungsanordnung
diese an sich für den beabsichtigten Verwendungszweck des Verbin
dungsmaterials negative Eigenschaft durch eine besondere Gestaltung der
Verbindungsstruktur zwischen den miteinander zu verbindenden Bauele
mente kompensiert. Durch die Ausbildung vereinzelter Verbindungsele
mente wird die bekannte Verbindungsgestaltung als flächiger Lotschicht
auftrag durch eine in einzelne relativ formelastische Verbindungselemente
aufgelöste Verbindungsstruktur ersetzt. Durch die erfindungsgemäß
vereinzelte Anordnung der Verbindungselemente sind diese in ihrem
Verformungsverhalten voneinander unabhängig, so daß die für den Span
nungsabbau nachteilige Stützwirkung, wie sie in dem bekannten, flächig
als Schicht aufgebrachten Lotmaterial beobachtet werden kann, entfällt.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Verbindungsstruktur
besteht diese aus Verbindungselementen, die jeweils aus einem einheitli
chen Verbindungsmaterial aufgebaut sind und unmittelbar mit den Kon
taktflächen der Bauelemente verbunden sind. Als Material für derartige
Verbindungselemente bietet sich im besonderen Maße Gold an, das un
mittelbar mit den beispielsweise als Gold- oder Zinnmetallisierung ausge
bildeten Kontaktflächen der Bauelemente verbunden werden kann. Die
Herstellung einer derartigen Verbindung kann mittels des an sich bekann
ten Thermokompressionsbondens erfolgen, bei dem die miteinander zu
verbindenden Bauelemente von ihren, den Kontaktflächen gegenüberlie
genden Rückseiten her mit Druck und Temperatur beaufschlagt werden.
Der Aufbau der Verbindungsstruktur mit vereinzelten Verbindungsele
menten kann durch alle bekannten Verfahren, wie beispielsweise die
galvanische Abscheidung oder andere Abscheideverfahren, durch Auf
dampfen oder Sputtern oder auch durch mechanische Herstellungsverfah
ren, erfolgen. Als Beispiele für mechanische Herstellungsverfahren seien
hier nur genannt, die Ausbildung von Verbindungssäulen oder -stegen aus
einem vollflächig aufgetragenen Verbindungsmaterial durch entsprechende
Materialbearbeitung oder durch bekannte Stapelbondtechniken, bei denen
mehrere Ball-Bonds zur Ausbildung eines säulenartigen Stapels überein
ander geschichtet werden.
Wenn die Verbindungselemente zur Kontaktierung einander gegenüberlie
gender Kontaktflächen eine Zwischenlage aus einem Lotmaterial aufwei
sen, ist es auch möglich, statt des vorstehend beschriebenen Thermokom
pressionsbonden ein Lötverfahren einzusetzen, um die Verbindungsstruk
tur auszubilden. Da zum Abbau der thermischen Spannungen die Verbin
dungselemente jeweils in ihrer Gesamtheit zur Verfügung stehen, kann als
Lotmaterial ein höher oder hochschmelzendes Lot, wie beispielsweise ein
AuSn-Lot, zum Einsatz kommen.
Das Lotmaterial kann auf eine der einander gegenüberliegenden Kontakt
flächen aufgetragen werden oder auch auf ein Teilstück zweier bereits
zuvor jeweils auf eine von zwei einander gegenüberliegenden Kontaktflä
chen aufgebrachten Teilstücken der Verbindungselemente aufgebracht
sein.
Bei einer bevorzugten Ausführung der Verbindungsstruktur dient die dem
weiteren Bauelement zugewandte Oberfläche des Leistungselements als
Kontaktfläche zur Verbindung mit der als Gegenkontaktfläche ausgebil
deten Oberfläche des weiteren Bauelements, derart, daß die Verbindung
selemente zwischen den Oberflächen der Bauelemente angeordnet sind und
die Verbindung zwischen den Bauelementen in "Die-Bond-Technik"
ausgeführt werden kann.
Bei einer derartigen Verbindung zwischen den Bauelementen können die
Verbindungselemente zusätzlich zu ihrer Wärmeleitfunktion in ihrer
Gesamtheit einen elektrischen Kontakt zwischen dem Leistungselement
und dem weiteren Bauelement bilden.
Darüber hinaus besteht jedoch auch die Möglichkeit, die einzelnen Ver
bindungselemente der Verbindungsstruktur zur elektrischen Verbindung
zwischen voneinander isolierten, vereinzelten Kontaktflächen des Lei
stungselements mit entsprechend vereinzelten Kontaktflächen des weiteren
Bauelements zu verwenden. Eine derartige Verbindung entspricht der an
sich bekannten "Flip-Chip-Verbindung", bei der der Chip mit seinen
Anschlußflächen in einer Überdeckungslage mit entsprechenden An
schlußflächen eines Substrats auf diesem kontaktiert wird. Hierdurch ist
es bei entsprechender Gestaltung des als Wärmesenke dienenden Substrats
möglich, dieses gleichzeitig auch zur Umverdrahtung der Chipanschlußflä
chen zu nutzen.
Eine besonders vorteilhafte Verwendungsmöglichkeit der Chipstruktur
ergibt sich bei einer optoelektronischen Baugruppe mit einem Laserele
ment, beispielsweise einem Laserbarren, und einem Kühlsubstrat, wobei
die mit einer Kontaktmetallisierung versehene Oberfläche des Laserele
ments über eine Vielzahl von Verbindungselementen mit der ebenfalls mit
einer Kontaktmetallisierung versehene Oberfläche des Kühlsubstrats
verbunden ist und das Kühlsubstrat gleichzeitig als elektrische Kontakt
einrichtung dient.
Eine weitere vorteilhafte Verwendung der Verbindungsstruktur ergibt sich
bei einer IC-Baugruppe mit einem als Chip oder auch als eine Chipeinheit
ausgeführten Leistungselement und einem als Wärmesenkeeinrichtung
ausgebildeten weiteren Bauelement, wobei die Anschlußflächen des Chips
oder der Chipeinheit über eine Vielzahl von Verbindungssäulen oder
Verbindungsstegen mit elektrischen Anschlußflächen der Wärmesenkeein
richtung verbunden sind und das Kühlsubstrat gleichzeitig zur Umver
drahtung der Anschlußflächen des Chips oder der Chipeinheit dient.
Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen und Verwendungen
der Verbindungsstruktur anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 eine Verbindungsstruktur einer in "Die-Bond-Technik" hergestell
ten Verbindung zwischen einem Laserbarren und einem Kühlsubstrat in
einer Seitenansicht,
Fig. 2 die in Fig. 1 dargestellte Verbindungsstruktur in einer Draufsicht;
Fig. 3 eine alternative Ausführungsform zu der in Fig. 1 dargestellten
Verbindungsstruktur;
Fig. 4 eine Variante zur Herstellung einer Verbindungsstruktur in einer
Draufsicht;
Fig. 5 die in Fig. 4 dargestellte Verbindungsstruktur in einer Seitenan
sicht;
Fig. 6 eine weitere Ausführungsform als Alternative zu der in Fig. 1
dargestellten Verbindungsstruktur;
Fig. 7 eine Verbindungsstruktur bei einer in "Flip-Chip-Technik" durch
geführten Verbindung in Seitenansicht;
Fig. 8 die in Fig. 7 dargestellte Verbindungsstruktur in Draufsicht.
Fig. 1 zeigt eine optoelektronische Baugruppe 20 mit einem Laserbarren
21 und einem Kühlsubstrat 22, die über eine Verbindungsstruktur 23
miteinander verbunden sind.
Der in Fig. 1 dargestellte Laserbarren 21 kann beispielsweise aus einer
AlGaAs/GaAs-Legierung oder einer InGaAs/GaAs-Legierung mit einer
Oberflächenmetallisierung 24 aus Gold bestehen, wobei die Oberflächen
metallisierung 24 eine Rückseite 35 und eine gegenüberliegende Oberflä
che 27 bedeckt. Der Laserbarren 21 weist Stirnflächen auf, die als opti
sche Flächen 25, 26 ausgebildet sind.
Das Kühlsubstrat 22 besteht im vorliegenden Fall aus Kupfer oder Dia
mant und ist zumindest an seiner dem Laserbaren 21 zugewandten Ober
fläche mit einer Oberflächenmetallisierung 24 aus Gold versehen.
Zwischen einander gegenüberliegenden Oberflächen 27, 28 des Laserbar
rens 21 und des Kühlsubstrats 22 ist die Verbindungsstruktur 23 mit
einzelnen Verbindungssäulen 29 ausgebildet. Wie aus der Darstellung
gemäß Fig. 2 hervorgeht, befinden sich im vorliegenden Fall die Verbin
dungssäulen 29 in regelmäßiger Anordnung über der Oberfläche 27 der
Laserdiode 21 verteilt. Zur Herstellung der in Fig. 1 dargestellten Verbin
dung zwischen dem Laserbarren 21 und dem Kühlsubstrat 22 erfolgt
zunächst wahlweise auf der Oberfläche 27 des Laserbarrens 21 oder auf
der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 die Ausbildung der Verbin
dungsstruktur 23.
Nach Herstellung der Verbindungsstruktur 23, etwa auf der Oberfläche
28 des Kühlsubstrats 22, wird der Laserbarren 21 in an sich aus der
Die-Bond-Technik bekannter Manier mit seiner Oberfläche 27 auf die Verbin
dungsstruktur 23 aufgesetzt und es erfolgt eine Thermokompressionsver
bindung, bei der der Laserbarren 21 und/oder das Kühlsubstrat 22 von
seiner bzw. ihrer Rückseite 35 bzw. 36 her mit Druck und Temperatur
durch ein geeignetes Bondwerkzeug beaufschlagt werden. Dabei verbinden
sind die Verbindungssäulen 29 der Verbindungsstruktur 23 über ihre der
Oberfläche 27 des Laserbarrens zugewandte Kontaktfläche 37 (Fig. 2) mit
der Oberfläche 27 bzw. der auf die Oberfläche 27 aufgebrachten Oberflä
chenmetallisierung 24.
In den Fig. 4 bis 6 sind beispielhaft zwei Möglichkeiten zur Erzeugung
der Verbindungsstruktur 23 erläutert. Wie eine Zusammenschau der Fig. 4
und 5 deutlich macht, besteht eine Möglichkeit zur Ausbildung der Ver
bindungsstruktur 23 darin, zunächst einen flächigen Verbindungsmaterial
auftrag zur Erzeugung einer zusammenhängenden Verbindungsmaterial
schicht 30 auf der Oberfläche 27 des Laserbarrens 21 oder, wie es hier der
Fall ist, auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 anzuordnen. Sicher
lich ist es zu bevorzugen, die Verbindungsmaterialschicht 30 auf der
Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 anzuordnen.
Die im vorliegenden Fall aus Gold oder einer überwiegend Gold aufwei
senden Legierung bestehende Verbindungsmaterialschicht wird nachfol
gend mit geeigneten, hier nicht näher dargestellten Werkzeugen, bearbei
tet, um längs und quer verlaufende nut- oder rillenartige Vertiefungen 31,
32 zur Erzeugung eines in Fig. 4 dargestellten, gleichmäßig ausgebildeten
Gitterrasters 33 auszubilden. Wie aus der Darstellung in Fig. 5 abgeleitet
werden kann, führt die Einbringung von lediglich längs verlaufenden
Vertiefungen 31 oder quer verlaufenden Vertiefungen 32 zur Ausbildung
von in entsprechender Richtung auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats
22 verlaufenden Verbindungsstegen 34. Werden sowohl längs- als quer
verlaufende Vertiefungen 31, 32 in die Verbindungsmaterialschicht 30
eingebracht, so entstehen die in der Fig. 2 dargestellten Verbindungssäu
len 29.
Nach der Präparierung der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 in der
vorstehend beschriebenen Art und Weise wird das Leistungselement,das
im Fall der Fig. 1 und 2 als Laserbarren 21 ausgebildet ist, in an sich aus
der Die-Bond-Technik bekannter Manier mit seiner Oberfläche 27 auf die
Verbindungsstruktur 23 aufgesetzt und es erfolgt eine Thermokompressi
onsverbindung, bei der der Laserbarren 21 und/oder das Kühlsubstrat 22
von seiner bzw. ihrer Rückseite 35 bzw. 36 her mit Druck und Temperatur
durch ein geeignetes Bondwerkzeug beaufschlagt werden.
Dabei verbinden sind die Verbindungssäulen 29 der Verbindungsstruktur
23 über ihre der Oberfläche 27 des Laserbarrens zugewandte Kontaktflä
che 37 (Fig. 2) mit der Oberfläche 27 bzw. der auf die Oberfläche 27
aufgebrachten Oberflächenmetallisierung 24.
Fig. 6 zeigt alternativ zu der in Fig. 1 dargestellten Verbindungsstruktur
23 eine Verbindungsstruktur 38, zwischen dem Laserbarren 21 und dem
Kühlsubstrat 22, deren Verbindungssäulen 39 aus sogenannten
"Stapelbonds" bestehen. Hierzu werden mit einer hier nicht näher darge
stellten Drahtbondkapillare nacheinander mehrere Ball-Bonds 40, 41 und
42 übereinander erzeugt, wobei lediglich der erste Ball-Bond 40 unmittel
bar auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 erzeugt wird und die
nachfolgenden Ball-Bonds 41, 42 jeweils auf dem zuvor erzeugten ange
ordnet sind. Die nachfolgende Verbindung des Laserbarrens 21 mit dem
mit der Verbindungsstruktur 38 versehenen Kühlsubstrat 22 wird ebenfalls
wieder in "Die-Bond-Technik" durchgeführt.
Fig. 3 zeigt eine Baugruppe 43, die hinsichtlich der Komponenten mit der
in Fig. 1 dargestellten Baugruppe 20 übereinstimmt und einen Laserbarren
21 sowie ein Kühlsubstrat 22 aufweist. Im Unterschied zur Baugruppe 20
weist die Baugruppe 43 eine Verbindungsstruktur 44 auf, die aus Verbin
dungssäulen 45 zusammengesetzt ist. Die Verbindungssäulen 45 weisen
jeweils zwei Säulenteilstücke 46, 47 auf, die über eine Zwischenlage 48
aus Lotmaterial miteinander verbunden sind.
Zur Erzeugung der in Fig. 3 dargestellten Verbindungsstruktur 44 werden
zunächst sowohl auf der Oberfläche 27 des Laserbarrens 21 als auch auf
der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 die Säulenteilstücke 46 bzw. 47
erzeugt. Dies kann jeweils in gleicher Weise wie die vorstehend beschrie
bene Erzeugung der Verbindungssäulen 29 oder 38 geschehen.
Anschließend wird auf eine Kontaktfläche 49 der Säulenteilstücke 46 oder
eine Kontaktfläche 50 der Säulenteilstücke 47 ein Lotmaterial 51 zur
Ausbildung der in Fig. 3 dargestellten Zwischenlage 48 aufgebracht. Die
Erzeugung der Verbindungsstruktur 44 und damit die Verbindung des
Laserbarrens 21 und des Kühlsubstrats 22 zur Ausbildung der Baugruppe
43 kann dann durch ein Lotmaterial-Umschmelzverfahren erfolgen. Zur
Anordnung des Lotmaterials 51 auf den Säulenteilstücken 46 bzw. 47
erweist es sich als besonders vorteilhaft, das Lotmaterial in Form von
unter dem Begriff "preform" bekannten Lötplättchen aufzubringen.
Wie aus den Fig. 1 und 3 zu ersehen ist, ist sowohl bei der Baugruppe 20
als auch bei der Baugruppe 43 der Laserbarren 21 und das Kühlsubstrat
22 mit einem elektrischen Anschlußleiter 52 bzw. 53 versehen, wobei die
elektrische Verbindung zwischen dem Anschlußleiter 53 und dem Laser
barren 21 über das Kühlsubstrat 22 und die Verbindungsstruktur 23
erfolgt.
Die in Fig. 7 dargestellte Chip-Baugruppe 54 weist einen Chip 55 auf,
dessen Anschlußflächen 56 über eine Verbindungsstruktur 57 aus einzel
nen Verbindungssäulen 58 mit Anschlußflächen 59 des Kühlsubstrats 60
verbunden sind. Das Kühlsubstrat 60 besteht aus einem wärmeleitenden,
jedoch elektrisch isolierenden Material, wie beispielsweise kubisches
Bornitrid oder Diamant, und ist, wie aus Fig. 8 hervorgeht, auf seiner dem
Chip 55 gegenüberliegenden Oberfläche 61 mit Leiterbahnen 62 versehen,
die hier in einer sogenannten "fan-out"-Verteilung angeordnet sind und in
eine Anschlußflächenanordnung 63 mit Anschlußflächen 64 münden. Wie
aus Fig. 8 zu ersehen ist, weisen die Anschlußflächen 64 der Anschlußflä
chenanordnung 63 einen wesentlich größeren Abstand voneinander auf als
die Anschlußflächen 56 des Chips 55, so daß durch die auf der Oberfläche
61 des Kühlsubstrats 60 erfolgte Umverdrahtung eine erleichterte Kon
taktierung des Chips 55 möglich ist.
Die Verbindungsstruktur 57 kann auch durch eine beliebige der vorste
hend erläuterten Verbindungsstrukturen ersetzt werden. Zur Herstellung
der in Fig. 7 dargestellten Verbindung kann eine "Flip-Chip-Kontaktierung" durchgeführt werden, bei der der Chip 55 anders als bei
der "Die-Bond-Technik" mit seinen Anschlußflächen dem Substrat zuge
wandt in "face-down"-Orientierung auf dem Substrat kontaktiert wird.
Claims (10)
1. Verbindungsstruktur zur Herstellung einer thermischen Verbindung
von mindestens zwei Bauelementen aus Materialien mit unter
schiedlichen Ausdehnungskoeffizienten, wobei mindestens ein Bau
element als elektronisches Leistungselement ausgebildet ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Verbindungsstruktur höherschmelzende Materialien
verwendet werden, die zwischen den Kontaktflächen (27, 28; 56,
59) der Bauelemente (21, 22; 55, 60) als vereinzelte Verbindungse
lemente (29, 39, 45, 58) ausgebildet sind.
2. Verbindungsstruktur nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungselemente (29, 39, 45, 58) jeweils aus einem
einheitlichen Verbindungsmaterial hergestellt sind und unmittelbar
mit den Kontaktflächen (27, 28; 56, 59) der Bauelemente (21, 22;
55, 60) verbunden sind.
3. Verbindungsstruktur nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungselemente (39, 45) jeweils mehrlagig aufgebaut
sind.
4. Verbindungsstruktur nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungselemente (45) zur Kontaktierung einander ge
genüberliegender Kontaktflächen (27, 28; 49, 50) eine Zwischenlage
(48) aus einem Lotmaterial (51) aufweisen.
5. Verbindungsstruktur nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Zwischenlage (48) aus Lotmaterial (51) zwischen zwei un
mittelbar mit den Kontaktflächen (27, 28) der Bauelemente (21, 22)
verbundenen Teilstücken (46, 47) der Verbindungselemente (45)
angeordnet ist.
6. Verbindungsstruktur nach einem oder mehreren der vorangehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die dem weiteren Bauelement (22) zugewandte Oberfläche (27)
des Leistungselements (21) als Kontaktfläche zur Verbindung mit
der als Gegenkontaktfläche ausgebildeten Oberfläche (28) des wei
teren Bauelements (22) dient.
7. Verbindungsstruktur nach einem oder mehreren der vorangehenden
Ansprüche,
gekennzeichnet durch
die Verwendung als elektrische Kontakteinrichtung.
8. Verbindungsstruktur nach einem oder mehreren der vorangehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungselemente (58) zur Verbindung zwischen elektri
schen Kontaktflächen (56) des Leistungselements (55) mit elektri
schen Kontaktflächen (59) des weiteren Bauelements (60) dienen.
9. Optoelektronische Baugruppe mit einer Verbindungsstruktur gemäß
einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 mit einem als Laserele
ment (21) ausgebildeten Leistungselement und einem als Kühl
substrat (22) ausgebildeten weiteren Bauelement, wobei die mit ei
ner Kontaktmetallisierung (24) versehene Kontaktfläche (27) des
Laserelements (21) über eine Vielzahl von Verbindungselementen
(29) mit der mit einer Kontaktmetallisierung (24) versehenen Ge
genkontaktfläche (28) des Kühlsubstrats (22) verbunden sind und
das Kühlsubstrat (22) gleichzeitig als elektrische Kontakteinrich
tung dient.
10. IC-Baugruppe mit einer Verbindungsstruktur gemäß einem oder
mehreren der Ansprüche 1 bis 8 mit einem als Chip (55) oder Chi
peinheit ausgebildeten Leistungselement und einem als Kühlsubstrat
(60) ausgebildeten weiteren Bauelement, wobei elektrische Kon
taktflächen (56) des Chips (55) oder der Chipeinheit über eine Viel
zahl von Verbindungselementen (58) mit elektrischen Kontaktflä
chen (59) des Kühlsubstrats (60) verbunden sind, und das Kühl
substrat (60) gleichzeitig zur Umverdrahtung des Chips (55) oder
der Chipeinheit dient.
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---|---|---|---|
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US08/965,877 US6043985A (en) | 1996-11-11 | 1997-11-07 | Thermal connecting structure for connecting materials with different expansion coefficients |
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19646476A1 true DE19646476A1 (de) | 1998-05-14 |
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US6043985A (de) |
DE (1) | DE19646476C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10139681A1 (de) * | 2001-08-11 | 2003-03-06 | Infineon Technologies Ag | Bauelement mit einem auf einem Träger montierten Halbleiterkörper |
EP1569263A2 (de) * | 2004-02-27 | 2005-08-31 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zum Verbinden zweier Wafer und Waferanordnung |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19924289A1 (de) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Siemens Ag | Elektronisches Schaltungsmodul mit flexibler Zwischenschicht zwischen elektronischen Bauelementen und einem Kühlkörper |
US6420207B1 (en) * | 2000-01-04 | 2002-07-16 | Multek Hong Kong Limited | Semiconductor package and enhanced FBG manufacturing |
SG99877A1 (en) * | 2001-01-04 | 2003-11-27 | Inst Materials Research & Eng | Forming an electrical contact on an electronic component |
DE10245631B4 (de) | 2002-09-30 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement |
JP5230099B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2013-07-10 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | 2つのウェーハを相互接触させる方法および装置 |
DE10361521A1 (de) | 2003-12-03 | 2005-07-07 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur wechselseitigen Kontaktierung von zwei Wafern |
US7085135B2 (en) * | 2004-06-21 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Thermal dissipation structure and method employing segmented heat sink surface coupling to an electronic component |
DE102007054856A1 (de) * | 2007-11-16 | 2009-05-20 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Beleuchtungsvorrichtung mit einer Substratplatte und einem Kühlkörper |
EP2442358A4 (de) * | 2009-06-10 | 2014-04-16 | Toyota Motor Co Ltd | Halbleiterbauelement |
US9731370B2 (en) * | 2013-04-30 | 2017-08-15 | Infineon Technologies Ag | Directly cooled substrates for semiconductor modules and corresponding manufacturing methods |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1141029B (de) * | 1960-06-23 | 1962-12-13 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE3031912A1 (de) * | 1980-08-23 | 1982-04-01 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Anordnung zur potentialunabhaengigen waermeabfuehrung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5591941A (en) * | 1993-10-28 | 1997-01-07 | International Business Machines Corporation | Solder ball interconnected assembly |
EP0657932B1 (de) * | 1993-12-13 | 2001-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vorrichtung mit Chipgehäuse und Verfahren zu Ihrer Herstellung |
US5539153A (en) * | 1994-08-08 | 1996-07-23 | Hewlett-Packard Company | Method of bumping substrates by contained paste deposition |
US5764485A (en) * | 1996-04-19 | 1998-06-09 | Lebaschi; Ali | Multi-layer PCB blockade-via pad-connection |
US5808874A (en) * | 1996-05-02 | 1998-09-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic connections with liquid conductive elements |
US5773884A (en) * | 1996-06-27 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto |
-
1996
- 1996-11-11 DE DE19646476A patent/DE19646476C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-07 US US08/965,877 patent/US6043985A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1141029B (de) * | 1960-06-23 | 1962-12-13 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE3031912A1 (de) * | 1980-08-23 | 1982-04-01 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Anordnung zur potentialunabhaengigen waermeabfuehrung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology - Part A, Vol. 18, Nr. 1, 1995, S. 82-86 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10139681A1 (de) * | 2001-08-11 | 2003-03-06 | Infineon Technologies Ag | Bauelement mit einem auf einem Träger montierten Halbleiterkörper |
EP1569263A2 (de) * | 2004-02-27 | 2005-08-31 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zum Verbinden zweier Wafer und Waferanordnung |
EP1569263A3 (de) * | 2004-02-27 | 2009-05-06 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zum Verbinden zweier Wafer und Waferanordnung |
US7872210B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-01-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for the connection of two wafers, and a wafer arrangement |
US8471385B2 (en) | 2004-02-27 | 2013-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for the connection of two wafers, and a wafer arrangement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6043985A (en) | 2000-03-28 |
DE19646476C2 (de) | 2002-03-14 |
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