DE19646476A1 - Verbindungsstruktur - Google Patents

Verbindungsstruktur

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbindungsstruktur zur thermi­ schen Verbindung von mindestens zwei Bauelementen aus Materialien mit unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten, wobei mindestens ein Bau­ element als elektronisches Leistungselement ausgebildet ist.
Elektronische Leistungselemente, wie beispielsweise Laserdioden, entwic­ keln im Betrieb eine hohe Verlustleistung, die in Wärme umgesetzt wird. Um die Zuverlässigkeit des Bauteils zu gewährleisten, ist es erforderlich, diese Wärme abzuführen. Hierzu ist es bekannt, derartige Leistungsele­ mente auf sogenannten "Wärmespreizern" oder Kühlern zu montieren. Die Wärmespreizer oder Kühler stellen in der Regel Substrate dar, die auf­ grund ihrer Materialbeschaffenheit eine besonders gute Eignung als Wärmesenke zum Entzug der Wärme aus dem Leistungselement aufweisen. Die Wärmeleitung vom Leistungselement auf ein derartiges Substrat erfolgt bislang über ein weiches, niedrig schmelzendes Lotmaterial, wie beispielsweise Indium-Lot, das aufgrund seiner niedrigen mechanischen Fließgrenze im Verbindungsbereich einen Abbau der mechanischen Span­ nungen, die durch die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten des Leistungselements und des Substrats verursacht werden, ermöglicht.
Zur Herstellung der Verbindung wird das Indium-Lot flächig als Lotmate­ rialschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und das Leistung­ selement in "Die-Bond-Technik" mit seiner Oberfläche auf der Lotmateri­ alschicht kontaktiert. Durch die bekannte Verwendung des Indium-Lots zur Kontaktierung zwischen einem Leistungselement und einem als Wärme­ senke dienenden Substrats kann also verhindert werden, daß es aufgrund thermisch bedingter mechanischer Spannungen zu Beschädigungen am Leistungselement kommen kann. Diesen vorteilhaften mechanischen Eigenschaften des Indium-Lots, die einen Spannungsabbau in der Verbin­ dungsanordnung zwischen dem Leistungselement und dem Substrat er­ möglichen, steht jedoch als erheblicher Nachteil die mangelhafte Alte­ rungsbeständigkeit dieses Lotmaterials gegenüber. In der Praxis führt dies dazu, daß es beispielsweise bei optoelektronischen Baugruppen, die eine auf einem Kühlsubstrat kontaktierte Laserdiode aufweisen, schon nach einer relativ geringen Betriebszeit von häufig weniger als 5.000 Stunden zu einem Bauteilversagen kommt.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Verbindungsstruktur der eingangs genannten Art vorzuschlagen, die einen sicheren Abbau thermisch bedingter Spannungen zwischen den Bauele­ menten ohne nachteilige Beeinflussung der Lebensdauer des Leistungsele­ ments ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch eine Verbindungsstruktur mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Erfindungsgemäß werden zur Herstellung der Verbindungsstruktur höher schmelzende Verbindungsmaterialien verwendet, die zwischen den Kon­ taktflächen der Bauelemente als vereinzelte Verbindungselemente ausge­ bildet sind.
Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, daß eine höhere Lebensdauer und Zuverlässigkeit bei aus den vorgenannten unterschiedlichen Bauele­ menten zusammengesetzten Baugruppen grundsätzlich nur durch die Verwendung höher schmelzender Verbindungsmaterialien möglich ist. Da bei einem Metall die Eigenschaft eines hohen Schmelzpunkts physikalisch stets mit dem Merkmal einer entsprechend hohen mechanischen Fließgren­ ze gepaart ist, wird bei der erfindungsgemäßen Verbindungsanordnung diese an sich für den beabsichtigten Verwendungszweck des Verbin­ dungsmaterials negative Eigenschaft durch eine besondere Gestaltung der Verbindungsstruktur zwischen den miteinander zu verbindenden Bauele­ mente kompensiert. Durch die Ausbildung vereinzelter Verbindungsele­ mente wird die bekannte Verbindungsgestaltung als flächiger Lotschicht­ auftrag durch eine in einzelne relativ formelastische Verbindungselemente aufgelöste Verbindungsstruktur ersetzt. Durch die erfindungsgemäß vereinzelte Anordnung der Verbindungselemente sind diese in ihrem Verformungsverhalten voneinander unabhängig, so daß die für den Span­ nungsabbau nachteilige Stützwirkung, wie sie in dem bekannten, flächig als Schicht aufgebrachten Lotmaterial beobachtet werden kann, entfällt.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Verbindungsstruktur besteht diese aus Verbindungselementen, die jeweils aus einem einheitli­ chen Verbindungsmaterial aufgebaut sind und unmittelbar mit den Kon­ taktflächen der Bauelemente verbunden sind. Als Material für derartige Verbindungselemente bietet sich im besonderen Maße Gold an, das un­ mittelbar mit den beispielsweise als Gold- oder Zinnmetallisierung ausge­ bildeten Kontaktflächen der Bauelemente verbunden werden kann. Die Herstellung einer derartigen Verbindung kann mittels des an sich bekann­ ten Thermokompressionsbondens erfolgen, bei dem die miteinander zu verbindenden Bauelemente von ihren, den Kontaktflächen gegenüberlie­ genden Rückseiten her mit Druck und Temperatur beaufschlagt werden.
Der Aufbau der Verbindungsstruktur mit vereinzelten Verbindungsele­ menten kann durch alle bekannten Verfahren, wie beispielsweise die galvanische Abscheidung oder andere Abscheideverfahren, durch Auf­ dampfen oder Sputtern oder auch durch mechanische Herstellungsverfah­ ren, erfolgen. Als Beispiele für mechanische Herstellungsverfahren seien hier nur genannt, die Ausbildung von Verbindungssäulen oder -stegen aus einem vollflächig aufgetragenen Verbindungsmaterial durch entsprechende Materialbearbeitung oder durch bekannte Stapelbondtechniken, bei denen mehrere Ball-Bonds zur Ausbildung eines säulenartigen Stapels überein­ ander geschichtet werden.
Wenn die Verbindungselemente zur Kontaktierung einander gegenüberlie­ gender Kontaktflächen eine Zwischenlage aus einem Lotmaterial aufwei­ sen, ist es auch möglich, statt des vorstehend beschriebenen Thermokom­ pressionsbonden ein Lötverfahren einzusetzen, um die Verbindungsstruk­ tur auszubilden. Da zum Abbau der thermischen Spannungen die Verbin­ dungselemente jeweils in ihrer Gesamtheit zur Verfügung stehen, kann als Lotmaterial ein höher oder hochschmelzendes Lot, wie beispielsweise ein AuSn-Lot, zum Einsatz kommen.
Das Lotmaterial kann auf eine der einander gegenüberliegenden Kontakt­ flächen aufgetragen werden oder auch auf ein Teilstück zweier bereits zuvor jeweils auf eine von zwei einander gegenüberliegenden Kontaktflä­ chen aufgebrachten Teilstücken der Verbindungselemente aufgebracht sein.
Bei einer bevorzugten Ausführung der Verbindungsstruktur dient die dem weiteren Bauelement zugewandte Oberfläche des Leistungselements als Kontaktfläche zur Verbindung mit der als Gegenkontaktfläche ausgebil­ deten Oberfläche des weiteren Bauelements, derart, daß die Verbindung­ selemente zwischen den Oberflächen der Bauelemente angeordnet sind und die Verbindung zwischen den Bauelementen in "Die-Bond-Technik" ausgeführt werden kann.
Bei einer derartigen Verbindung zwischen den Bauelementen können die Verbindungselemente zusätzlich zu ihrer Wärmeleitfunktion in ihrer Gesamtheit einen elektrischen Kontakt zwischen dem Leistungselement und dem weiteren Bauelement bilden.
Darüber hinaus besteht jedoch auch die Möglichkeit, die einzelnen Ver­ bindungselemente der Verbindungsstruktur zur elektrischen Verbindung zwischen voneinander isolierten, vereinzelten Kontaktflächen des Lei­ stungselements mit entsprechend vereinzelten Kontaktflächen des weiteren Bauelements zu verwenden. Eine derartige Verbindung entspricht der an sich bekannten "Flip-Chip-Verbindung", bei der der Chip mit seinen Anschlußflächen in einer Überdeckungslage mit entsprechenden An­ schlußflächen eines Substrats auf diesem kontaktiert wird. Hierdurch ist es bei entsprechender Gestaltung des als Wärmesenke dienenden Substrats möglich, dieses gleichzeitig auch zur Umverdrahtung der Chipanschlußflä­ chen zu nutzen.
Eine besonders vorteilhafte Verwendungsmöglichkeit der Chipstruktur ergibt sich bei einer optoelektronischen Baugruppe mit einem Laserele­ ment, beispielsweise einem Laserbarren, und einem Kühlsubstrat, wobei die mit einer Kontaktmetallisierung versehene Oberfläche des Laserele­ ments über eine Vielzahl von Verbindungselementen mit der ebenfalls mit einer Kontaktmetallisierung versehene Oberfläche des Kühlsubstrats verbunden ist und das Kühlsubstrat gleichzeitig als elektrische Kontakt­ einrichtung dient.
Eine weitere vorteilhafte Verwendung der Verbindungsstruktur ergibt sich bei einer IC-Baugruppe mit einem als Chip oder auch als eine Chipeinheit ausgeführten Leistungselement und einem als Wärmesenkeeinrichtung ausgebildeten weiteren Bauelement, wobei die Anschlußflächen des Chips oder der Chipeinheit über eine Vielzahl von Verbindungssäulen oder Verbindungsstegen mit elektrischen Anschlußflächen der Wärmesenkeein­ richtung verbunden sind und das Kühlsubstrat gleichzeitig zur Umver­ drahtung der Anschlußflächen des Chips oder der Chipeinheit dient.
Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen und Verwendungen der Verbindungsstruktur anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Verbindungsstruktur einer in "Die-Bond-Technik" hergestell­ ten Verbindung zwischen einem Laserbarren und einem Kühlsubstrat in einer Seitenansicht,
Fig. 2 die in Fig. 1 dargestellte Verbindungsstruktur in einer Draufsicht;
Fig. 3 eine alternative Ausführungsform zu der in Fig. 1 dargestellten Verbindungsstruktur;
Fig. 4 eine Variante zur Herstellung einer Verbindungsstruktur in einer Draufsicht;
Fig. 5 die in Fig. 4 dargestellte Verbindungsstruktur in einer Seitenan­ sicht;
Fig. 6 eine weitere Ausführungsform als Alternative zu der in Fig. 1 dargestellten Verbindungsstruktur;
Fig. 7 eine Verbindungsstruktur bei einer in "Flip-Chip-Technik" durch­ geführten Verbindung in Seitenansicht;
Fig. 8 die in Fig. 7 dargestellte Verbindungsstruktur in Draufsicht.
Fig. 1 zeigt eine optoelektronische Baugruppe 20 mit einem Laserbarren 21 und einem Kühlsubstrat 22, die über eine Verbindungsstruktur 23 miteinander verbunden sind.
Der in Fig. 1 dargestellte Laserbarren 21 kann beispielsweise aus einer AlGaAs/GaAs-Legierung oder einer InGaAs/GaAs-Legierung mit einer Oberflächenmetallisierung 24 aus Gold bestehen, wobei die Oberflächen­ metallisierung 24 eine Rückseite 35 und eine gegenüberliegende Oberflä­ che 27 bedeckt. Der Laserbarren 21 weist Stirnflächen auf, die als opti­ sche Flächen 25, 26 ausgebildet sind.
Das Kühlsubstrat 22 besteht im vorliegenden Fall aus Kupfer oder Dia­ mant und ist zumindest an seiner dem Laserbaren 21 zugewandten Ober­ fläche mit einer Oberflächenmetallisierung 24 aus Gold versehen.
Zwischen einander gegenüberliegenden Oberflächen 27, 28 des Laserbar­ rens 21 und des Kühlsubstrats 22 ist die Verbindungsstruktur 23 mit einzelnen Verbindungssäulen 29 ausgebildet. Wie aus der Darstellung gemäß Fig. 2 hervorgeht, befinden sich im vorliegenden Fall die Verbin­ dungssäulen 29 in regelmäßiger Anordnung über der Oberfläche 27 der Laserdiode 21 verteilt. Zur Herstellung der in Fig. 1 dargestellten Verbin­ dung zwischen dem Laserbarren 21 und dem Kühlsubstrat 22 erfolgt zunächst wahlweise auf der Oberfläche 27 des Laserbarrens 21 oder auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 die Ausbildung der Verbin­ dungsstruktur 23.
Nach Herstellung der Verbindungsstruktur 23, etwa auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22, wird der Laserbarren 21 in an sich aus der Die-Bond-Technik bekannter Manier mit seiner Oberfläche 27 auf die Verbin­ dungsstruktur 23 aufgesetzt und es erfolgt eine Thermokompressionsver­ bindung, bei der der Laserbarren 21 und/oder das Kühlsubstrat 22 von seiner bzw. ihrer Rückseite 35 bzw. 36 her mit Druck und Temperatur durch ein geeignetes Bondwerkzeug beaufschlagt werden. Dabei verbinden sind die Verbindungssäulen 29 der Verbindungsstruktur 23 über ihre der Oberfläche 27 des Laserbarrens zugewandte Kontaktfläche 37 (Fig. 2) mit der Oberfläche 27 bzw. der auf die Oberfläche 27 aufgebrachten Oberflä­ chenmetallisierung 24.
In den Fig. 4 bis 6 sind beispielhaft zwei Möglichkeiten zur Erzeugung der Verbindungsstruktur 23 erläutert. Wie eine Zusammenschau der Fig. 4 und 5 deutlich macht, besteht eine Möglichkeit zur Ausbildung der Ver­ bindungsstruktur 23 darin, zunächst einen flächigen Verbindungsmaterial­ auftrag zur Erzeugung einer zusammenhängenden Verbindungsmaterial­ schicht 30 auf der Oberfläche 27 des Laserbarrens 21 oder, wie es hier der Fall ist, auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 anzuordnen. Sicher­ lich ist es zu bevorzugen, die Verbindungsmaterialschicht 30 auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 anzuordnen.
Die im vorliegenden Fall aus Gold oder einer überwiegend Gold aufwei­ senden Legierung bestehende Verbindungsmaterialschicht wird nachfol­ gend mit geeigneten, hier nicht näher dargestellten Werkzeugen, bearbei­ tet, um längs und quer verlaufende nut- oder rillenartige Vertiefungen 31, 32 zur Erzeugung eines in Fig. 4 dargestellten, gleichmäßig ausgebildeten Gitterrasters 33 auszubilden. Wie aus der Darstellung in Fig. 5 abgeleitet werden kann, führt die Einbringung von lediglich längs verlaufenden Vertiefungen 31 oder quer verlaufenden Vertiefungen 32 zur Ausbildung von in entsprechender Richtung auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 verlaufenden Verbindungsstegen 34. Werden sowohl längs- als quer verlaufende Vertiefungen 31, 32 in die Verbindungsmaterialschicht 30 eingebracht, so entstehen die in der Fig. 2 dargestellten Verbindungssäu­ len 29.
Nach der Präparierung der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 in der vorstehend beschriebenen Art und Weise wird das Leistungselement,das im Fall der Fig. 1 und 2 als Laserbarren 21 ausgebildet ist, in an sich aus der Die-Bond-Technik bekannter Manier mit seiner Oberfläche 27 auf die Verbindungsstruktur 23 aufgesetzt und es erfolgt eine Thermokompressi­ onsverbindung, bei der der Laserbarren 21 und/oder das Kühlsubstrat 22 von seiner bzw. ihrer Rückseite 35 bzw. 36 her mit Druck und Temperatur durch ein geeignetes Bondwerkzeug beaufschlagt werden.
Dabei verbinden sind die Verbindungssäulen 29 der Verbindungsstruktur 23 über ihre der Oberfläche 27 des Laserbarrens zugewandte Kontaktflä­ che 37 (Fig. 2) mit der Oberfläche 27 bzw. der auf die Oberfläche 27 aufgebrachten Oberflächenmetallisierung 24.
Fig. 6 zeigt alternativ zu der in Fig. 1 dargestellten Verbindungsstruktur 23 eine Verbindungsstruktur 38, zwischen dem Laserbarren 21 und dem Kühlsubstrat 22, deren Verbindungssäulen 39 aus sogenannten "Stapelbonds" bestehen. Hierzu werden mit einer hier nicht näher darge­ stellten Drahtbondkapillare nacheinander mehrere Ball-Bonds 40, 41 und 42 übereinander erzeugt, wobei lediglich der erste Ball-Bond 40 unmittel­ bar auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 erzeugt wird und die nachfolgenden Ball-Bonds 41, 42 jeweils auf dem zuvor erzeugten ange­ ordnet sind. Die nachfolgende Verbindung des Laserbarrens 21 mit dem mit der Verbindungsstruktur 38 versehenen Kühlsubstrat 22 wird ebenfalls wieder in "Die-Bond-Technik" durchgeführt.
Fig. 3 zeigt eine Baugruppe 43, die hinsichtlich der Komponenten mit der in Fig. 1 dargestellten Baugruppe 20 übereinstimmt und einen Laserbarren 21 sowie ein Kühlsubstrat 22 aufweist. Im Unterschied zur Baugruppe 20 weist die Baugruppe 43 eine Verbindungsstruktur 44 auf, die aus Verbin­ dungssäulen 45 zusammengesetzt ist. Die Verbindungssäulen 45 weisen jeweils zwei Säulenteilstücke 46, 47 auf, die über eine Zwischenlage 48 aus Lotmaterial miteinander verbunden sind.
Zur Erzeugung der in Fig. 3 dargestellten Verbindungsstruktur 44 werden zunächst sowohl auf der Oberfläche 27 des Laserbarrens 21 als auch auf der Oberfläche 28 des Kühlsubstrats 22 die Säulenteilstücke 46 bzw. 47 erzeugt. Dies kann jeweils in gleicher Weise wie die vorstehend beschrie­ bene Erzeugung der Verbindungssäulen 29 oder 38 geschehen.
Anschließend wird auf eine Kontaktfläche 49 der Säulenteilstücke 46 oder eine Kontaktfläche 50 der Säulenteilstücke 47 ein Lotmaterial 51 zur Ausbildung der in Fig. 3 dargestellten Zwischenlage 48 aufgebracht. Die Erzeugung der Verbindungsstruktur 44 und damit die Verbindung des Laserbarrens 21 und des Kühlsubstrats 22 zur Ausbildung der Baugruppe 43 kann dann durch ein Lotmaterial-Umschmelzverfahren erfolgen. Zur Anordnung des Lotmaterials 51 auf den Säulenteilstücken 46 bzw. 47 erweist es sich als besonders vorteilhaft, das Lotmaterial in Form von unter dem Begriff "preform" bekannten Lötplättchen aufzubringen.
Wie aus den Fig. 1 und 3 zu ersehen ist, ist sowohl bei der Baugruppe 20 als auch bei der Baugruppe 43 der Laserbarren 21 und das Kühlsubstrat 22 mit einem elektrischen Anschlußleiter 52 bzw. 53 versehen, wobei die elektrische Verbindung zwischen dem Anschlußleiter 53 und dem Laser­ barren 21 über das Kühlsubstrat 22 und die Verbindungsstruktur 23 erfolgt.
Die in Fig. 7 dargestellte Chip-Baugruppe 54 weist einen Chip 55 auf, dessen Anschlußflächen 56 über eine Verbindungsstruktur 57 aus einzel­ nen Verbindungssäulen 58 mit Anschlußflächen 59 des Kühlsubstrats 60 verbunden sind. Das Kühlsubstrat 60 besteht aus einem wärmeleitenden, jedoch elektrisch isolierenden Material, wie beispielsweise kubisches Bornitrid oder Diamant, und ist, wie aus Fig. 8 hervorgeht, auf seiner dem Chip 55 gegenüberliegenden Oberfläche 61 mit Leiterbahnen 62 versehen, die hier in einer sogenannten "fan-out"-Verteilung angeordnet sind und in eine Anschlußflächenanordnung 63 mit Anschlußflächen 64 münden. Wie aus Fig. 8 zu ersehen ist, weisen die Anschlußflächen 64 der Anschlußflä­ chenanordnung 63 einen wesentlich größeren Abstand voneinander auf als die Anschlußflächen 56 des Chips 55, so daß durch die auf der Oberfläche 61 des Kühlsubstrats 60 erfolgte Umverdrahtung eine erleichterte Kon­ taktierung des Chips 55 möglich ist.
Die Verbindungsstruktur 57 kann auch durch eine beliebige der vorste­ hend erläuterten Verbindungsstrukturen ersetzt werden. Zur Herstellung der in Fig. 7 dargestellten Verbindung kann eine "Flip-Chip-Kontaktierung" durchgeführt werden, bei der der Chip 55 anders als bei der "Die-Bond-Technik" mit seinen Anschlußflächen dem Substrat zuge­ wandt in "face-down"-Orientierung auf dem Substrat kontaktiert wird.

Claims (10)

1. Verbindungsstruktur zur Herstellung einer thermischen Verbindung von mindestens zwei Bauelementen aus Materialien mit unter­ schiedlichen Ausdehnungskoeffizienten, wobei mindestens ein Bau­ element als elektronisches Leistungselement ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß für die Verbindungsstruktur höherschmelzende Materialien verwendet werden, die zwischen den Kontaktflächen (27, 28; 56, 59) der Bauelemente (21, 22; 55, 60) als vereinzelte Verbindungse­ lemente (29, 39, 45, 58) ausgebildet sind.
2. Verbindungsstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungselemente (29, 39, 45, 58) jeweils aus einem einheitlichen Verbindungsmaterial hergestellt sind und unmittelbar mit den Kontaktflächen (27, 28; 56, 59) der Bauelemente (21, 22; 55, 60) verbunden sind.
3. Verbindungsstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungselemente (39, 45) jeweils mehrlagig aufgebaut sind.
4. Verbindungsstruktur nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungselemente (45) zur Kontaktierung einander ge­ genüberliegender Kontaktflächen (27, 28; 49, 50) eine Zwischenlage (48) aus einem Lotmaterial (51) aufweisen.
5. Verbindungsstruktur nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenlage (48) aus Lotmaterial (51) zwischen zwei un­ mittelbar mit den Kontaktflächen (27, 28) der Bauelemente (21, 22) verbundenen Teilstücken (46, 47) der Verbindungselemente (45) angeordnet ist.
6. Verbindungsstruktur nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die dem weiteren Bauelement (22) zugewandte Oberfläche (27) des Leistungselements (21) als Kontaktfläche zur Verbindung mit der als Gegenkontaktfläche ausgebildeten Oberfläche (28) des wei­ teren Bauelements (22) dient.
7. Verbindungsstruktur nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung als elektrische Kontakteinrichtung.
8. Verbindungsstruktur nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungselemente (58) zur Verbindung zwischen elektri­ schen Kontaktflächen (56) des Leistungselements (55) mit elektri­ schen Kontaktflächen (59) des weiteren Bauelements (60) dienen.
9. Optoelektronische Baugruppe mit einer Verbindungsstruktur gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 mit einem als Laserele­ ment (21) ausgebildeten Leistungselement und einem als Kühl­ substrat (22) ausgebildeten weiteren Bauelement, wobei die mit ei­ ner Kontaktmetallisierung (24) versehene Kontaktfläche (27) des Laserelements (21) über eine Vielzahl von Verbindungselementen (29) mit der mit einer Kontaktmetallisierung (24) versehenen Ge­ genkontaktfläche (28) des Kühlsubstrats (22) verbunden sind und das Kühlsubstrat (22) gleichzeitig als elektrische Kontakteinrich­ tung dient.
10. IC-Baugruppe mit einer Verbindungsstruktur gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 mit einem als Chip (55) oder Chi­ peinheit ausgebildeten Leistungselement und einem als Kühlsubstrat (60) ausgebildeten weiteren Bauelement, wobei elektrische Kon­ taktflächen (56) des Chips (55) oder der Chipeinheit über eine Viel­ zahl von Verbindungselementen (58) mit elektrischen Kontaktflä­ chen (59) des Kühlsubstrats (60) verbunden sind, und das Kühl­ substrat (60) gleichzeitig zur Umverdrahtung des Chips (55) oder der Chipeinheit dient.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10139681A1 (de) * 2001-08-11 2003-03-06 Infineon Technologies Ag Bauelement mit einem auf einem Träger montierten Halbleiterkörper
EP1569263A2 (de) * 2004-02-27 2005-08-31 Osram Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Verbinden zweier Wafer und Waferanordnung

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19924289A1 (de) * 1999-05-27 2000-12-07 Siemens Ag Elektronisches Schaltungsmodul mit flexibler Zwischenschicht zwischen elektronischen Bauelementen und einem Kühlkörper
US6420207B1 (en) * 2000-01-04 2002-07-16 Multek Hong Kong Limited Semiconductor package and enhanced FBG manufacturing
SG99877A1 (en) * 2001-01-04 2003-11-27 Inst Materials Research & Eng Forming an electrical contact on an electronic component
DE10245631B4 (de) * 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
DE10361521A1 (de) 2003-12-03 2005-07-07 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur wechselseitigen Kontaktierung von zwei Wafern
JP5230099B2 (ja) * 2003-12-03 2013-07-10 パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー ２つのウェーハを相互接触させる方法および装置
US7085135B2 (en) * 2004-06-21 2006-08-01 International Business Machines Corporation Thermal dissipation structure and method employing segmented heat sink surface coupling to an electronic component
DE102007054856A1 (de) * 2007-11-16 2009-05-20 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Beleuchtungsvorrichtung mit einer Substratplatte und einem Kühlkörper
JP5246334B2 (ja) * 2009-06-10 2013-07-24 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US9731370B2 (en) * 2013-04-30 2017-08-15 Infineon Technologies Ag Directly cooled substrates for semiconductor modules and corresponding manufacturing methods

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1141029B (de) * 1960-06-23 1962-12-13 Siemens Ag Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3031912A1 (de) * 1980-08-23 1982-04-01 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Anordnung zur potentialunabhaengigen waermeabfuehrung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5591941A (en) * 1993-10-28 1997-01-07 International Business Machines Corporation Solder ball interconnected assembly
EP0657932B1 (de) * 1993-12-13 2001-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Vorrichtung mit Chipgehäuse und Verfahren zu Ihrer Herstellung
US5539153A (en) * 1994-08-08 1996-07-23 Hewlett-Packard Company Method of bumping substrates by contained paste deposition
US5764485A (en) * 1996-04-19 1998-06-09 Lebaschi; Ali Multi-layer PCB blockade-via pad-connection
US5808874A (en) * 1996-05-02 1998-09-15 Tessera, Inc. Microelectronic connections with liquid conductive elements
US5773884A (en) * 1996-06-27 1998-06-30 International Business Machines Corporation Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1141029B (de) * 1960-06-23 1962-12-13 Siemens Ag Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3031912A1 (de) * 1980-08-23 1982-04-01 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Anordnung zur potentialunabhaengigen waermeabfuehrung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology - Part A, Vol. 18, Nr. 1, 1995, S. 82-86 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10139681A1 (de) * 2001-08-11 2003-03-06 Infineon Technologies Ag Bauelement mit einem auf einem Träger montierten Halbleiterkörper
EP1569263A2 (de) * 2004-02-27 2005-08-31 Osram Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Verbinden zweier Wafer und Waferanordnung
EP1569263A3 (de) * 2004-02-27 2009-05-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Verbinden zweier Wafer und Waferanordnung
US7872210B2 (en) 2004-02-27 2011-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the connection of two wafers, and a wafer arrangement
US8471385B2 (en) 2004-02-27 2013-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the connection of two wafers, and a wafer arrangement

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