DE1964288A1 - Hochfrequenzverstaerker - Google Patents

Hochfrequenzverstaerker

Info

Publication number
DE1964288A1
DE1964288A1 DE19691964288 DE1964288A DE1964288A1 DE 1964288 A1 DE1964288 A1 DE 1964288A1 DE 19691964288 DE19691964288 DE 19691964288 DE 1964288 A DE1964288 A DE 1964288A DE 1964288 A1 DE1964288 A1 DE 1964288A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
high frequency
amplifier
circuit
impedance
series
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691964288
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Bachnick
Rolf Wegener
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19691964288 priority Critical patent/DE1964288A1/de
Publication of DE1964288A1 publication Critical patent/DE1964288A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191Tuned amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J5/00Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
    • H03J5/24Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
    • H03J5/242Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
    • H03J5/244Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Hochfre quenzverst ärker Die Erfindung betrifft Hochfrequenzverstärker mit Lei#tungskreisen zwischen aufeinanderfolgenden Verstärkerstufen.
  • Es sind Hochfrequenzverstärker mit Leitungskreisen bekannt, bei denen die Ausgangselektrode der einen Verstärkerstufe über den Innenleiter des Leitungskreises und eine Abstimmimpedanz mit Masse verbunden ist. Bei dieser bekannten Anordnung sind aufeinanderfolgende Stufen induktiv, kapazitiv (am Rochpunkt) oder durch gemeinsame Fußpunktsglieder gekoppelt. Bei sehr kurzen Wellen besteht die Schwierigkeit, daß die aufeinanderfolgenden Stufen räumlich sehr dicht benachbart sind, so daß unerwünschte Verkopplungen auftreten können0 Dies ist besonders dann der Fall, wenn die folgende Stufe kapazitiv an den Hochpunkt des Kreises angekoppelt ist.
  • Es kommt hinzu, daß bei kapazitiver Ankopplung mehrerer Stufen an den Hochpunkt eines Kreises dieser für manche Betriebsfälle uazulässig hoch mit Blindwiderstanden belastet ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile zu vermeiden und einen Hochfrequenzverstärker zu schaffen, dessen Stufen räumlich eng zusammenliegen können.
  • Die Erfindung besteht darin, daß die Ausgangselektrode der einen Verstärkerstufe mit der Eingangselektrode der weiteren Verstarkerstufe über einen aus der Serienschaltung der Innenleiter zweier #/2-Leitungskreise bestehenden -IJeitungskreis verbunden ist, zwischen die eine Abstlmmimpedanz geschaltet ist.
  • Zur näheren Erläuterung der Erfindung werden im folgenden Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen beschrieben Diese zeigen in Fig. 1 die Prinzipschaltung eines bekannten Rochfrequenzverstärkers, Fig. 2 das Ersatzschaltbild des in Fig 1 dargestellten Hochfrequenzverstärkers, Fig. 3 das Ersatzschaltbild eines Verstärkers gemäß der Erfindung Fig. 4,5,6,7 Ausführungsbeispiele der Erfindung.
  • Fig. 1 zeigt das Schaltbild eines bekannten Hochfrequenzverstärkers mit # #/2-Leitungskreisen. Die Hochfrequenzsignale W£. len bei 1 dem Eingangskreis 2 zugeführt, der die Emitterelektrode eines ir Basisschaltung betriebenen Transistors 3 steuert Die Betriebsspan nungen sind der Einfachheit halber hier nicht mit eingezeichnet.
  • Die Kollektorelektrode des Transistors 3 ist über einen Koppelkondensator 4 mit dem Innenleiter 5 eines Leitungskreises 5 verbunden der zur Einstellung der Frequenz des Schwingkreises über eine Kapazitätsdiode 7 und eine in Serie mit dieser Kapazitätsdiode 7 lie gende Induktivität 8 mit Masse verbunden ist. Der Leitungskreis ist mit einer folgenden Stufe (nicht dargestellt) entweder induktiv oder kapazitiv, auf dem Wege über eine Lochkopplung oder mit Fußpunktkopplung verbunden. Wie das entsprechende, in Fig. 2 -dargestellte Ersatzschaltbild zeigt, kann die Eingangsstufe des Leitungskreises 6 durch eine Eingangsimpedanz e und der Ausgangskrei: d.h. die Serienschaltung der Induktivität 8 und der Kapazitätsdiode 7, durch eine Ausgangsimpedanz Ya dargestellt werden. Der Wert der Ausgangsimpedanz ist so bemessen, daß bei der Abstimmung des Beitungskreises 6 durch Änderung der Impedanz Ya die Resonanzfrequenz des in der Ausgangsimpedanz Ya verkörperten Serienresonanzkreises 7,8 einem Frequenzgang unterliegt, der eine wesentlich steilere Charakteristik hat als der Frequenzgang des Leitungskreises 6 selbst. Ein derart aufgebauter Leitungskreis 6 hat bezüglich seiner elektrischen Eigenschaften große Vorteile wegen des relativ großen damit erzielbaren Variationsbereiches der Kapazitätsdiodenabstimmung. Besonders bei sehr hohen Frequenzen, also bei Band IV,V oder noch höheren Frequenzbereichen, hat diese bekannte Schaltung die Schwierigkeit, daß durch die enge Nachbarschaft der aktiven Bauelemente zOBO Transistor 3 und der nicht dargestellte Transistor der folgenden Stufe unerwünschte Kopplungen auftreten können. Dies ist insbesondere bei Anordnungen der Fall, bei denen der Leitungskreis 5,6 aus Streifenleitern aufgebaut ist, d.h.
  • Isolierstoffplatten, bei denen die beiden gegenüberliegenden Kaschierungen den Innen- bzwO Außenleiter des Leitungskreises 5 bilden0 Solche Streifenleitungen haben nämlich den Vorteil, daß die Leitungskreise ohne oder fast ohne zusätzliche Abschirmungen aufgebaut werden können. Da jedoch auch bei solchen Anordnungen bei sehr hohen Frequenzen die räumlichen Abstände der einzelnen Elemente sehr klein werden, können unerwünschte zusätzliche Kopplungen auftreten, Fig. 3 zeigt das Ersatzschaltbild der erfindunggemäßen Anordnung, durch die die genannte Schwierigkeit des in Fig. 1 dargestellten Hochfrequenzverstärkers behoben wird. Wie Fig0 3 zeigt, bleibt die Eingangsimpedanz Xe praktisch unverändert wie auch der Innenleiter 5 und der zugehörige Leitungskreis 6 sowie JIe Ausgangsimpedanz Ya. Diese Ausgangsimpedanz Xa ist jedoch nicht, wie in Fig. 1, mit Masse verbunden, sondern mit einer gleichartigen Impedanz Ya die wiederun in serie mit einem Innenleiter 10 und einer Impedanz Ye2 in Serie liegt, mit der die Eingangselektrode eines folgenden Verstärkers gespeist wird, der zugleich Teil dieser Impedanz ist.
  • Wie die eingezeichneten Strom- und Spannungskurven zeigen, sind die Verhältnisse am Ausgang Ye2 nahezu exakt die gleichen wie am Eingang e . Das bedeutet, daß in einfacher Weise die Ereischarakteristik den Erfordernissen der Eingangselektrode des gesteuerten Verstärkers angepaßt werden kann. Bei der Realisierung der Schaltung entsprechend dem in Fig. 3 dargestellten Ersatzschaltbild wird zweckinäßigerweise aus den beiden in Fig. 4 dargestellten Impedanzen Ya geinäß Fig0 5 eine gemeinsame Impedanz a angewendet, da beide Impedanzen gleichartig sind. Der Leitungskreis zwischen den aufeinanderfolgenden Verstärkerstufen ist dadurch ein Kreis der Wellenlänge #, bei dem die Abstimmorgane zwischen zwei Teilstücken des Innenleiters 5,10 liegen. Seine Wirkungsweise ist somit die eines sogenannten Einstellkreises. Die Abgleicheigenschafte sind entsprechend günstig. In Serie zu den Innenleitern 5 und 10 liegen bei den Schaltungen gemäß Fig. 5 und 6 zwei Induktivitäten 11,12 sowie zwei Dioden 13 und 14. Der Verbindungspunkt beider Dioden 13,14 ist über eine für die Resonanzfrequenz des Kreises 6 hochohmige Induktivität 15 mit Masse verbunden. Die Kathoden beider Dioden sind über Drosseln 16,17 mit einer gemeinsamen Induktivität 18 verbunden, die mit wahlweise umschaltbaren Durchlaß-oder Sperrspannungen verbunden ist. In Fig. 6 ist die Anordnung so getroffen, daß eine Diode immer im Sperrzustand betrieben wird, wiihrend die andere in Serie dazu liegende Diode wahlweise umgeschaltet wird. Die in Fig. 7 dargestellte Schaltung enthält in der Impedanz Ya nur eine Diode 13, die zwischen Sperr- und Durchlaßbereich umschaltbar ist und in Sperrbereich mit liner verstärkten Abstimmspannung betrieben wird. Parallel tur Diode 13 in Pig. 7 bzw. in den Dioden 13,14 in Fig. 6 ist ein Serienresonanzkreis 19,20 geschaltet, dessen Induktivität 19 so bemessen ist, daß diese Variation der Kapazitätdioden 13,14 verbessert wird. Die Kapazität 20 dient im wesentlichen nur als Blocflapasität für Gleichströme.
  • Die Serienresonanz des Kreises 19,20 ist so gewählt, daß sie den Übertragungsbereich nicht stört.

Claims (2)

P a t e n t a n s p r ü c h e
1. Hochfrequenzverstärker mit teitungskreisen zwischen aufeinanderfolgenden Verstärkerstufen, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangselektrode der einen Verstärkerstufe mit der Eingangselektrode der weiteren Verstärkerstufe über einen aus der Serienschaltung der Innenleiter zweier #/2-Leitungskreise bestehenden?L-Leitungskreis verbunden ist, zwischen die eine Abstimmimpedanz geschaltet ist.
2. Hochfrequenzverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet.
daß die Abstimmimpedanz zwei in Serie geschaltete Dioden enthält die durch Gleichspannungsumschaltung in Sperr- bzw. Durchlaßrichtung schaltbar sind und daß die Sperrspannung zur Kapazitäts änderung veränderbar ist.
DE19691964288 1969-12-22 1969-12-22 Hochfrequenzverstaerker Pending DE1964288A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691964288 DE1964288A1 (de) 1969-12-22 1969-12-22 Hochfrequenzverstaerker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691964288 DE1964288A1 (de) 1969-12-22 1969-12-22 Hochfrequenzverstaerker

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1964288A1 true DE1964288A1 (de) 1971-07-01

Family

ID=5754678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691964288 Pending DE1964288A1 (de) 1969-12-22 1969-12-22 Hochfrequenzverstaerker

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1964288A1 (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005048409B4 (de) Verstärkeranordnung für Ultra-Breitband-Anwendungen und Verfahren
DE102007027047B4 (de) Hochfrequenzleistungsverstärker
DE60308037T2 (de) Ein 2v einpoliger umschalter für drahtlose hf hochleistungsanwendungen
DE102018114204A1 (de) Zwischenstufenanpassungsnetzwerk
DE69108466T2 (de) Hochfrequenzleistungsverstärker mit hohem Wirkungsgrad.
DE2108729B2 (de) Koppelschaltung fuer leistungsverstaerker
DE60019808T2 (de) Kern eines leistungsverstärkers
DE68923561T2 (de) Gallium-arsenid-antennenschalter.
DE102008024987A1 (de) Impedanzwandler für einen Verstärker und Verstärker mit einem solchen Impedanzwandler
DE3782027T2 (de) Elektronischer schalter fuer sehr hohe frequenzen.
DE2733478A1 (de) Kraftfahrzeug als antenne
DE1919749B2 (de) Aktive empfangsantenne mit dipolcharakter
DE2165881A1 (de) Linearer, doppelt abgeglichener Diodenmischer
DE68922594T2 (de) Integrierte Mikrowellenschaltung.
DE102005032093B9 (de) Verstärkeranordnung
DE4342249A1 (de) Elektrischer Schalter-Schaltkreis und Verfahren zum Betätigen eines Schalters
DE60101089T2 (de) Multifunktionelle integrierte schaltungsanordnung hoher frequenz
DE1964288A1 (de) Hochfrequenzverstaerker
DE2257222A1 (de) Rueckgekoppelter gabelverstaerker
EP0023943B1 (de) Schaltungsanordnung zum Empfangen und Verstärken von Hochfrequenzsignalen
DE10345498B4 (de) Integrierte Leistungs-Verstärkeranordnung
DE2623412C3 (de) Ferngespeister Zwischenverstärker für Nachrichtenübertragungsstrecken
DE102019101888A1 (de) Konfigurierbares mikroakustisches HF-Filter
DE3802810C2 (de)
DE2711142A1 (de) Mikrowellenverstaerker