DE19639944A1 - Optische Meßvorrichtung für elektrische Felder/Spannungen mit verringerter Temperaturabhängigkeit - Google Patents
Optische Meßvorrichtung für elektrische Felder/Spannungen mit verringerter TemperaturabhängigkeitInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Meßvorrich
tung entsprechend der obigen Bezeichnung, in der der Effekt
elektrooptischer Doppelbrechung nach Pockels dazu benutzt
wird, elektrische Feld-/Spannungsmessung, insbesondere im Be
reich von Mittelspannungen und Hochspannungen, auszuführen.
Bei diesen prinzipiell bekannten Meßvorrichtungen läßt man
einen optischen (vorzugsweise Licht-)Strahl mit zirkularer
Polarisation durch einen diesen Effekt aufweisenden Pockels-
Kristall hindurchtreten. Das Maß der elektrooptisch induzier
ten Doppelbrechung, das mit Hilfe eines hierfür üblichen Ana
lysators detektiert wird, ist auch ein Maß für die im Poc
kels-Kristall wirksam gewordene elektrische Feldstärke bzw.
für die an dafür vorgesehenen Elektroden des Kristalls anlie
gende elektrische Spannung. Die bekanntermaßen auftretenden
zwei Teilstrahlen als Ausgangssignale des Analysators werden
optoelektronischen Wandlern zugeführt und die daraus gewonne
nen elektrischen Signale in an sich bekannter vielfältiger
Weise für Meßanzeigen oder als Regelgröße signalverarbeitet.
Es gibt elektrooptisch wirksame Pockels-Kristalle, die zu
sätzlich zu diesem Doppelbrechungseffekt auch noch die Eigen
schaft optischer Aktivität besitzen. Diese Eigenschaft be
wirkt, daß in dem betreffenden Kristall verlaufende optische
Strahlung, die mit einer bestimmten Polarisation in den Kri
stall eingetreten ist, in dem Kristall eine Drehung dieser
Polarisation erfährt, so daß die aus dem Kristall wieder aus
tretende Strahlung (bei Außerachtlassung sonstiger optischer
Effekte, wie z. B. der elektrooptischen Eigenschaft) eine dem
Strahlungseintritt gegenüber um einen Winkel ρ gedrehte Pola
risation besitzt. Z.B. ist diese optische Aktivität bei im
Kristall herrschender elektrischer Feldstärke gleich null zu
beobachten.
Ein für einschlägige Meßvorrichtungen häufig verwendetes Kri
stallmaterial ist Bi₁₂SiO₂₀ (= BSO). Dieses Material ist be
kanntermaßen auch wie voranstehend beschrieben optisch aktiv.
Eine einschlägige optische Meßvorrichtung ist prinzipiell,
bezogen auf den verwendeten einfallenden Meß-Lichtstrahl, als
eine optische Reihenschaltung mit einem Polarisator (sofern
das Meßlicht nicht bereits als linear polarisierte Strahlung
einfällt), mit einem λ/4-Phasenschieber (im Regelfall ein
λ/4-Plättchen) mit dem elektrooptischen Pockels-Element
(vorzugsweise ein BSO-Kristall) und mit einem Analysator (zur
polarisierten Strahlungsteilung in die erwähnten Teil
strahlen) aufgebaut. Weitere folgende Teile der Meßvorrich
tung sind wie bekannt, elektronischer Art für die Signalver
arbeitung der in den Teil-Strahlen enthaltenen
Intensitäts-Werte.
Der Vollständigkeit halber sei erwähnt, daß in der hier ange
gebenen Reihenschaltung die optische Elemente bekanntermaßen
in ihrer Reihenfolge auch vertauscht angeordnet sein können.
Weitere Einzelheiten zum bekannten Aufbau und zur bekannten
Verwendung sind z. B. den Druckschriften DE-C 34 04 608, EP-A-
0 586 226 und EP-B-0 083 196, insbesondere den in diesen
Druckschriften beschriebenen speziellen Ausführungsformen, zu
entnehmen.
Abgesehen von einer Temperaturabhängigkeit der optischen Ak
tivität und einer Temperaturabhängigkeit des elektrooptischen
Pockels-Effekts des Pockels-Elements der Meßvorrichtung un
terliegt eine solche Vorrichtung auch einer solchen Tempera
turbeeinflussung des jeweiligen Meßwertes, die in einer Tem
peraturabhängigkeit des bekanntermaßen verwendeten λ/4-Phasenschieber,
dem z. B. bereits erwähnten λ/4-Plättchen, be
gründet ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Temperaturab
hängigkeit des Meßergebnisses einer einschlägigen Meßvorrich
tung zu verringern. Im Stand der Technik sind dazu zahlreiche
Vorschläge gemacht worden, die sich auf den elektronischen
Auswertebereich, d. h. auf die elektronische Signalverarbei
tung beschränken. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es,
insbesondere auch zusätzlich zu solchen elektronischen Maß
nahmen, im optischen Teil der Meßvorrichtung wirksam werdende
Maßnahmen anzugeben, die die Temperaturbeeinflussung des Me
ßergebnisses verringern.
Diese Aufgabe wird mit den Maßnahmen des Patentanspruchs ge
löst.
Im Zusammenhang mit der Entwicklungstätigkeit auf dem ein
schlägigen Gebiet wurde festgestellt, daß der größenordnungs
mäßig überwiegende Temperatureinfluß durch den bekanntermaßen
verwendeten λ/4-Phasenschieber bewirkt wird.
Eine Erläuterung der Erfindung wird anhand der Beschreibung
eines Ausführungsbeispiels zur Erfindung gegeben.
Fig. 1 zeigt eine auf an sich bekanntem Prinzip beruhende
Meßvorrichtung zur Ausführung der Erfindung.
Fig. 2 zeigt die erfindungsgemäße, auf die Orientierung der
optischen Achsen des Analysators bezogene Orientierung und
Bemessung des Polarisators 11 und des λ/4-Phasenschiebers 14,
die zusammen die Aufgabe lösen.
Die Fig. 1 zeigt den planaren Aufbau einer optischen Reihen
schaltung mit einem die einfallende Strahlung linear polari
sierenden Element 11 mit der mit 11a angegebenen Orientierung
seiner Polarisations-Ausrichtung, mit einem
λ/4-Phasenschieber 14, der aufgrund seiner optischen Achsen 14 b
und 14c zirkular polarisierte Strahlung 14a liefert, mit
einem elektrooptisch wirksamen Pockels-Kristall 15, der auch
optisch Aktivität aufweist, und mit einem üblichen Analysator
16, dessen optische Achsen mit 16a und 16b bezeichnet und
wie üblich zu einer Basis orientiert sind. Mit 12 ist der Weg
der Lichtstrahlung innerhalb dieser Reihenschaltung bezeich
net. In Richtung des Weges der Lichtstrahlung 12 hat das Poc
kels-Element 15 eine Länge L. Für technisch günstige Einkopp
lung der eingestrahlten Meß-Lichtstrahlung 12 und zur verein
fachten Auskopplung der das Meßsignal enthaltenden aus treten
den Teil-Strahlungen 17₁ und 17₂ sind Umlenkprismen 10 und 17
zusätzlich vorgesehen und ist der Analysator 16 in an sich
bekannter Weise auch zur rechtwinklig zur Strahlung 12 erfol
genden Auskopplung der einen Teil-Strahlung 17₁ ausgebildet.
Mit 19 ist die auf der einen Oberfläche c des Pockels-Elements
15 in der Figur sichtbare angebrachte Elektrode be
zeichnet. Zwischen dieser Elektrode 19 und der auf der gegen
überliegenden Seite des Pockels-Elements 15 angebrachten Ge
genelektrode kann die zu messende elektrische Spannung ange
legt werden, deren Feldausrichtung mit E bezeichnet ist.
Mit 20 ist die Basis-Montageplatte dieses planaren Aufbaus
gemäß Fig. 1 bezeichnet.
Fig. 2 zeigt in Richtung des Strahlweges 12 der optischen
Reihenschaltung der Fig. 1 gesehen die erfindungsgemäße Ori
entierung des linearen Polarisators 11 und des
λ/4-Phasenschieber 14 bezogen auf die Achsen des Analysators 16,
und damit auf die Basisplatte 20. Als Bezugsausrichtung sind
die zueinander orthogonalen optischen Achsen 16a und 16b
des Analysators 16 angegeben. Zum Beispiel ist die Achsrich
tung 16b in die Ebene der Oberfläche der Montageplatte 20
gelegt, was für den dargestellten planaren Aufbau und dessen
technischen Einsatz von Vorteil ist. Mit 14b und 14c sind
Ausrichtungen der beiden zueinander orthogonalen optischen
Achsen des als λ/4-Phasenschieber verwendeten λ/4-Plättchens
angegeben. In der Praxis üblich, ist die Ausrichtung der li
nearen Polarisation 11a des Linearpolarisators 11 mit 45°,
d. h. die Richtungen 14b und 14c winkelhalbierend, ausge
richtet.
Es ist dem Fachmann wohl bekannt, daß die Polarisation 11a
zu den Achsen 14b und 14c in wie angegebener Weise vorzu
sehen ist. Keinerlei Hinweis ist jedoch auf eine besondere
Funktion der Meßvorrichtung und hinsichtlich irgendwelcher
Vorteile derselben bekannt, die Ausrichtungen 11a, 14b und
14c anders als oben bekannt auszuwählen, und zwar bezogen
auf die optischen Hauptachsen 16a und 16b des Analysators
(die technisch zweckmäßigerweise wie angegeben zur Grundplat
te 20 orientiert sind).
Es ist festgestellt worden, daß eine wie in Fig. 2 gezeigte
Winkelausrichtung α der linearen Polarisation 11a (und damit
der Achsen 14b und 14c des λ/4-Phasenschieber) zur Achsaus
richtung 16a, 16b (und damit zur Basisebene 20) von besonde
rem Vorteil ist, nämlich man damit die Temperaturabhängigkeit
der Meßvorrichtung verringern kann. Erfindungsgemäß ist die
ser Winkel α für Verringerung der Temperaturabhängigkeit der
Meßvorrichtung von der Länge L des elektrooptischen und zu
sätzlich optisch aktiven Pockels-Kristalls 15 abhängig, näm
lich wie dies die Formel angibt:
α = (Ψ + 45° ± n * 90°)-ρ.
Darin ist Ψ die Ausrichtung der Achse 16 a zur Basisebene 20
(z. B. = 90 oder 0°), n eine ganze Zahl = 1, 2, . . . und ist ρ ein
Winkelmaß, das (matertialinvariant) die Länge L festlegt. Das
Maß ρ ist die resultierende/integrale Winkeldrehung, die
die Strahlung 12 im Pockels-Kristall 15 aufgrund der opti
schen Aktivität des Kristallmaterials bei Durchtritt der
Strahlung 12 über die Länge L durch den Kristall hindurch er
fährt. Zu messen ist diese Größe z. B. beim Feld E = 0 (wobei
dann elektrooptischer Effekt eliminiert ist).
Wie ersichtlich, ist die erfindungsgemäße Lehre auf Meßein
richtungen mit Pockels-Kristall mit optischer Aktivität an
wendbar, wobei sie nicht nur für die bevorzugt verwendeten
kubischen Kristalle, wie z. B. BSO, BGO sondern auch für Kri
stalle anderer Kristallgruppen gilt z. B. α-Quarz.
Nachfolgend werden zwei quantitative Ausführungsbeispiele ge
geben. Die Länge des Kristalls 15 entspreche einer optisch
aktiven Drehung der Polarisation ρ = 81,6°. Der Polarwinkel
des E-Feldes zum Gittersystem hat den Wert Φ = 118,75°. Es
ist dies ein Beispiel, bei dem eine Meßvorrichtung mit
BSO-Kristall ein Maximum der Kleinsignalempfindlichkeit aufweist.
Ein zweites Beispiel hat eine Kristallänge entsprechend ρ =
103° mit einem Polarwinkel des E-Feldes Φ = 80°. Eine solche
Ausrichtung entspricht einer angenähert maximalen Kleinsigna
lempfindlichkeit bei extrem linearisierter Kennlinie (für
Kleinsignale). Für beide Ausführungsbeispiele beträgt der
Winkel α jeweils (45° + n·90°)-ρ, wobei die Ausrichtung Ψ
(16a, 16b) gleich 0° ist.
Claims (2)
1. Elektrooptische Meßvorrichtung für elektrische
Spannungs-/Feldstärkewerte,
mit, jeweils auf einer Basisplatte (20) angeordnet,
einem elektrooptischen (Pockels-)Kristall (15) mit optischer Aktivität (ρ),
einer in dem Strahlengang (12) der Meß-Lichtstrahlung im Kris tall (15), diesem vorausgehend angeordneten Zirkularpolari satoreinrichtung, bestehend aus linearem Polarisator (11) und um 45° zu dessen Polarisatorachse (11a) gedrehtem λ/4-Phasenschieber (14) und
einem dem Kristall nachfolgend angeordneten Analysator (16) gekennzeichnet dadurch,
daß der Polarisator (11) bzw. seine Polarisationsebene der linearen Polarisation (11a) und damit auch der Phasenschieber (14) zur Basisplatte (20) im Winkel α gedreht positioniert sind mit
α = (Ψ + 45° ± n·90°)-ρ, worin Ψ der Winkel der Ausrichtung der optischen Hauptachse (16a/16b) des Analysators (16) zur Ba sisplatte (20) ist,
n eine ganze Zahl 1, 2, . . . ist und
ρ das Winkelmaß ist, um das im elektrooptischen Kristall (16) über dessen Länge L hinweg aufgrund der optischen Aktivität des Materials des Kristalls, eine integrale Drehung der Pola risationsebene durch den Kristall hindurchgetretener Strah lung (12) erfolgt.
einem elektrooptischen (Pockels-)Kristall (15) mit optischer Aktivität (ρ),
einer in dem Strahlengang (12) der Meß-Lichtstrahlung im Kris tall (15), diesem vorausgehend angeordneten Zirkularpolari satoreinrichtung, bestehend aus linearem Polarisator (11) und um 45° zu dessen Polarisatorachse (11a) gedrehtem λ/4-Phasenschieber (14) und
einem dem Kristall nachfolgend angeordneten Analysator (16) gekennzeichnet dadurch,
daß der Polarisator (11) bzw. seine Polarisationsebene der linearen Polarisation (11a) und damit auch der Phasenschieber (14) zur Basisplatte (20) im Winkel α gedreht positioniert sind mit
α = (Ψ + 45° ± n·90°)-ρ, worin Ψ der Winkel der Ausrichtung der optischen Hauptachse (16a/16b) des Analysators (16) zur Ba sisplatte (20) ist,
n eine ganze Zahl 1, 2, . . . ist und
ρ das Winkelmaß ist, um das im elektrooptischen Kristall (16) über dessen Länge L hinweg aufgrund der optischen Aktivität des Materials des Kristalls, eine integrale Drehung der Pola risationsebene durch den Kristall hindurchgetretener Strah lung (12) erfolgt.
2. Elektrooptische Meßvorrichtung nach Anspruch 1
dadurch gekennzeichnet,
daß der Winkel Ψ = 0° bzw. 90° entsprechend paralleler und
senkrechter Orientierung der optischen Achsen (16a, 16b) des
Analysators (16) zur Ebene der Basisplatte (20) beträgt.
Priority Applications (2)
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DE1996139944 DE19639944A1 (de) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Optische Meßvorrichtung für elektrische Felder/Spannungen mit verringerter Temperaturabhängigkeit |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1996139944 DE19639944A1 (de) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Optische Meßvorrichtung für elektrische Felder/Spannungen mit verringerter Temperaturabhängigkeit |
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DE19639944A1 true DE19639944A1 (de) | 1998-04-09 |
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WO1998013697A1 (de) | 1998-04-02 |
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