DE19622212C1 - Ellipsometrisches Meßverfahren - Google Patents
Ellipsometrisches MeßverfahrenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein ellipsometrisches Meßver
fahren, insbesondere für intensitätsschwache Spek
tralgebiete und Proben mit geringer Reflektivität.
Intensitätsschwache Spektralgebiete liegen beispiels
weise zwischen 1 µm und 2 µm oder im Ultravioletten
unterhalb 0.22 µm. Ellipsometrische Meßverfahren für
das UV-Spektralgebiet gewinnen zunehmend an Bedeutung
bei der Charakterisierung dünner Schichten für opti
sche Komponenten. Anwendungsgebiete sind beispiels
weise dielektrische Spiegelsysteme für Excimer-Laser
bei 308 nm, 248 nm und 193 nm sowie Antireflexionsbe
schichtungen für die UV-Lithographie.
Mittels ellipsometrischer Meßverfahren lassen sich
optische Konstanten wie Brechungsindex oder Absorp
tionskoeffizient mit hoher Genauigkeit bestimmen. Bei
photometrischen Ellipsometern wechselwirkt polari
siertes Licht mit der zu untersuchenden Probe. Infol
ge der Wechselwirkung ändert sich die Polarisation
des Lichtes. Nach der Wechselwirkung wird der Polari
sationszustand des Lichtes ermittelt und aus der Än
derung des Polarisationszustandes die charakteristi
schen Wechselwirkungsparameter bestimmt. Aus diesen
Parametern wiederum lassen sich Rückschlüsse auf die
interessierenden physikalischen Größen ziehen.
Trifft das von einem Polarisator unter einem Azimuth
winkel γ₁ linear polarisierte Licht auf eine Probe,
so ist das reflektierte Licht im allgemeinen infolge
der Wechselwirkung mit der Probe elliptisch polari
siert. Passiert das reflektierte Licht anschließend
einen Analysator unter einem Azimuthwinkel γ₂, so
beträgt die Intensität I des von einem nachgeschal
teten Detektor gemessenen reflektierten Lichtes (A.
Rösler: "Infrared Spectroscopic Ellipsometry", Akade
mie Verlag Berlin, 1990):
Mit si (i = 0, 1, 2) werden die Stokes-Parameter be
zeichnet. Unter einem Azimuthwinkel γ versteht man
denjenigen Winkel, den der Polarisator oder Analysa
tor mit der Einfalls- bzw. Ausfallsebene des Lichtes
einschließt. Gleichung (1) läßt sich auch schreiben
als:
I(γ₂) = I₀ (1 + α cos(2γ₂) + β sin(2γ₂)) (2)
I₀ bezeichnet die Grundintensität. α und β bezeichnen
die gesuchten ellipsometrischen Kenngrößen. Es gilt
Man unterscheidet zwischen statischer und dynamischer
Ellipsometrie. Bei der statischen Ellipsometrie wird
bei festen (unterschiedlichen) Polarisatorazimuthwin
keln γ₁ und unterschiedlichen (festen) Analysatorazi
muthwinkeln γ₂ die Intensität des reflektierten Lich
tes gemessen. Zur eindeutigen Bestimmung der ellip
sometrischen Kenngrößen α und β müssen dazu mindes
tens drei Intensitätsmessungen bei den Azimuthwinkeln
γ₂ = 0°, 45° und 90° durchgeführt werden (A. Rösler:
"Infrared Spectroscopic Ellipsometry", Akademie Ver
lag Berlin, 1990).
Bei der dynamischen Ellipsometrie rotiert entweder
der Polarisator oder der Analysator mit einer festen
Frequenz ω. Der Detektor mißt ein mit der doppelten
Rotationsfrequenz 2ω oszillierendes Intensitätssig
nal. Alternativ zu rotierenden Polarisationsvor
richtungen finden phasenoszillierende Modulatoren
Verwendung. Dynamische Ellipsometer haben gegenüber
statischen Ellipsometern den Vorteil, daß Proben in
sehr kurzer Zeit spektral vermessen werden können.
Dadurch werden In-situ-Messungen möglich, mit denen
beispielsweise Schichtwachstumprozesse in Echtzeit
verfolgt werden.
Die gesuchten Größen I₀, α und β lassen sich bei dy
namischen ellipsometrischen Verfahren beispielsweise
ermitteln, indem die Signalintensität für eine Perio
denlänge in vier Quadranten aufgeteilt und für jeden
Quadranten die Intensität I(t) integriert wird (N.V.
Nguyen et al., "Error correction for calibration and
data reduction in rotating-polarizer ellipsometry:
applications to a novel multi-channel ellipsometer",
J. Opt. Soc. Am. A, Vol. 8, No. 6, Juni 1991, 919-931).
Ein Nachteil dieses Verfahrens ist allerdings,
daß vor allem bei Wellenlängen unterhalb 220 nm bei
einem Signal-Rausch-Verhälnis unter 500 das Rausch
signal anteilig in die Berechnung von α und β ein
geht. Ein weiterer Nachteil ist, daß für das zeitab
hängige Signal I(t) auch Komponenten höherer Ordnung
(2nωt, n = 2, 3, . . .) miterfaßt werden und unmittel
bar als Meßfehler in α und β eingehen. Die Komponen
ten höherer Ordnung entstehen durch Restpolarisation
der Lichtquelle und durch optische Aktivität von Po
larisator und Analysator.
Eine weitere Möglichkeit zur Ermittlung der ellipso
metrischen Kenngrößen bei dynamischen Ellipsometern
bildet eine Fourier-Transformation der Funktion I(t).
Der Nachteil dieser Auswertemethode ist, daß das Rau
schen bei geringen Amplituden in intensitätsschwachen
Spektralgebieten zu hohen Meßfehlern führt.
Aus A. Zuber et al., "Variable-angle spectroscopic
ellipsometry for the deep UV characterisation of di
electric coatings", Thin Solid Films, 261 (1995), pp.
37-43 ist ein speziell für den UV-Spektralbereich
entwickeltes dynamisches Ellipsometer bekannt. Der
spektrale Einsatzbereich dieses Ellipsometers ist
durch die Absorption der verwendeten optischen Kom
ponenten, die spektrale Intensität der Lichtquelle
sowie die Detektorempfindlichkeit vorgegeben.
Ein Problem dieses und auch anderer kommerziell er
hältlicher Ellipsometer besteht darin, daß das Sig
nal-Rausch-Verhältnis der gemessenen Lichtintensität
einen kritischen Wert von 100 und darüber nicht un
terschreiten darf, da der Einfluß von Rauschquellen
jeder Art die Genauigkeit der Messung drastisch
senkt. Insbesondere das Detektorrauschen und Inten
sitätsschwankungen der Lichtquelle beeinflussen die
Meßsignalauswertung negativ.
Das Rauschproblem rückt vor allem bei geringer Inten
sität der Lichtquelle und hohen Absorptionsverlusten
durch optische Komponenten im Strahlengang in den
Vordergrund. Dieser Sachverhalt ist insbesondere im
UV-Spektralbereich bei Wellenlängen unterhalb 300 nm
gegeben.
Zur Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses wird
in R. Kirsch, "Ein Fourier-Stokes-Analysatorsystem
für polarisiertes Licht", Exper. Tech. Phys 23
(1975), p 583 vorgeschlagen, einen Zerhacker (Chop
per-Rad) in den Strahlengang zu bringen und das re
flektierte Licht mittels eines Lock-In-Verstärkers
auszuwerten. Die Chopper-Frequenz, welche als Refe
renzfrequenz für den Lock-In-Verstärker dient, soll
weit über der Rotationsfrequenz des Analysators lie
gen. Ein Nachteil dieses Aufbaus ist die Tatsache,
daß durch das mechanische Zerhacken des Signals die
Hälfte der Signalintensität verloren geht. Dies ist
insbesondere in intensitätsschwachen Spektralgebieten
problematisch. Weiterhin ist die Auswertung eines
doppeltmodulierten Signals schwieriger und mit größe
ren Fehlern behaftet, d. h. im Ergebnis sinkt die Emp
findlichkeit.
Weitere Probleme speziell im UV-Bereich sind die ab
nehmende Detektorempfindlichkeit (Sekundärelektronen
vervielfacher) und die geringe Reflektivität der
Probe. Unter bestimmten Einfallswinkeln ergeben sich
daher Reflektivitäten von unter 1%. Aus diesem Grund
arbeiten kommerzielle UV-Ellipsometer effektiv nur
mit Proben hoher Reflektivität (Metalle, Halbleiter).
Auch die Absorption durch die Umgebungsluft unterhalb
200 nm stellt ein Problem dar. Zur Messung im Spek
tralgebiet unterhalb 200 nm werden deshalb Vakuum-
Ellipsometer eingesetzt (J. Barth et al., "Spectro
scopic Ellipsometry in the 6-35 eV Region", Handbook
of Optical Constants of Solids II, Academic Press,
San Diego, pp. 213-245). Die entscheidenden Nachteile
einer derartigen Meßapparatur sind der hohe Anschaf
fungspreis sowie die hohen Wartungs- und Betriebsko
sten für Vakuumtechnik.
In DD-WP 1 20 294 ist ein "Verfahren zur fotoelektri
schen Analyse des Polarisationszustandes einer Licht
welle" beschrieben, mit dem der den Polarisationszu
stand charakterisierende Intensitätsparameter, ins
besondere zur optischen Ellipsometrie von Material
proben, automatisch bestimmt werden kann. Bei dem
dort beschriebenen Verfahren wird die zu analysieren
de Lichtwelle bei Passieren eines rotierenden Analy
sators in ihrer Intensität in definierter Weise modu
liert und durch einen fotoelektrischen Empfänger in
ein proportionales elektrisches Signal gewandelt und
verstärkt. Im weiteren wird dann so verfahren, daß
mittels dreier Phasentastfunktionen, die phasenstarr
mit dem rotierenden Analysator synchronisiert sind,
aus dem amplitudenmodulierten Intensitätssignal auf
geeignete Weise definierte Phasenbereiche ausgeblen
det werden und durch nachfolgende elektronische In
tegration drei Anzeigewerte erhalten werden, die eine
eindeutige Charakterisierung des Polarisationszustan
des der untersuchten Lichtwelle gestatten sollen.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe
zugrunde, ein ellipsometrisches Meßverfahren zur Ver
fügung zu stellen, das schnelle und genaue Messungen
in intensitätsschwachen Spektralgebieten, insbesonde
re im UV-Bereich, auch an Proben geringer Reflektivi
tät und ohne kostspieligen apparativen Aufwand ermög
licht und damit den den Dynamik- und Wellenlängenbe
reich herkömmlicher Ellipsometer erweitert.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale
des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen
und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den jeweiligen Unteransprüchen.
Durch die erfindungsgemäße Kombination eines dynami
schen Ellipsometers mit einem Lock-In-Verstärker
unter Verwendung der Rotationsfrequenz der Polarisa
torvorrichtung oder der Analysatorvorrichtung als
Grundlage für die Lock-In-Referenzfrequenz ergibt
sich ein neuartiges ellipsometrisches Meßverfahren
mit einer Reihe von Vorteilen gegenüber herkömmlichen
Verfahren. Die Rotationsfrequenz liegt bevorzugt über
15 Hz.
Aufgrund der Symmetrie von Polarisatorvorrichtung und
Analysatorvorrichtung spielt es keine Rolle, welche
von beiden rotiert und welche unter einem bestimmten
Azimuthwinkel fixierbar ist. Nachfolgend soll exem
plarisch der Fall geschildert werden, daß die Polari
satorvorrichtung mit einer festen Frequenz rotiert
und die Analysatorvorrichtung unter einem variierba
ren Azimuthwinkel fixierbar ist.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren lassen sich die
Vorteile der Lock-In-Meßtechnik nutzen, ohne daß
durch den Einsatz eines mechanischen Choppers die
Signalintensität reduziert wird. Dies ist vor allem
in intensitätsschwachen Spektralgebieten von Bedeu
tung. Weiterhin lassen sich die Meßfehler bei doppel
modulierten Signalen vermeiden, da erfindungsgemäß
das dem Lock-In-Verstärker zugeführte Signal nur ein
fach moduliert ist.
Die erfindungsgemäße Verwendung des Lock-In-Verstär
kers erlaubt die exakte Trennung des Meßsignals vom
Rauschsignal bis hinab zu einem Signal-Rausch-Ver
hältnis von 1/2 und damit einen 1000-fach höheren
Dynamikbereich als bei Verfahren ohne Lock-In-Meß
technik. Überraschenderweise ist der Dynamikbereich
des erfindungsgemäßen Meßverfahrens auch im Vergleich
zu herkömmlichen, Chopper verwendenden ellipsometri
schen Lock-In-Meßverfahren bedeutend höher. Dies
dürfte in erster Linie daran liegen, daß keine Dop
pelmodulation des Signals erforderlich ist. Es genügt
bereits ein Detektorereignis pro Polarisatorumdreh
ung, um die ellipsometrischen Kenngrößen mit ausrei
chender Genauigkeit zu bestimmen.
Durch das erfindungsgemäße Meßverfahren werden somit
insbesondere auch Messungen an Proben mit geringer
Reflektivität in Spektralgebieten bis unterhalb
190 nm ohne Vakuumtechnik möglich.
Da aufgrund der Lock-In-Meßtechnik bei der Auswertung
des Meßsignals nur Signalanteile der Frequenz 2ω be
rücksichtigt werden, lassen sich Meßfehler aufgrund
von Frequenzanteilen höherer Ordnung vermeiden. Die
Restpolarisation der Lichtquelle oder die optische
Aktivität der Polarisationsvorrichtungen verfälschen
das Meßergebnis damit nicht. Dies vereinfacht auch
die Kalibrierung des Meßaufbaus.
Lock-In-Verstärker werden bei herkömmlichen ellipso
metrischen Meßverfahren nur zur Amplitudenmessung
benutzt. Im Gegensatz dazu können beim erfindungsge
mäßen elliptischen Meßverfahren sowohl die Amplitu
den- als auch die Phaseninformationen verwertet wer
den, so daß die Messungen schneller und einfacher
durchgeführt werden können. Dies soll nachfolgend
näher ausgeführt werden.
Der Lock-In-Meßverstärker detektiert das Ausgangssig
nal I(t) = a cos(2ωt + ϕ) in Amplitude a und Phase ϕ.
Somit lassen sich für jeden Analysatorazimuthwinkel
γ₂ die unnormierten Kenngrößen α′ und β′ finden:
α′ = -a cosϕ; β′ = a sinϕ (4)
Die Phase ϕ wird auf den Analysatorazimuthwinkel
γ₂ = 0° normiert, d. h. ϕ = 0° bei γ₂ = 0°. Wenn die
Einfallsebene nicht mit γ₂ = 0° übereinstimmt, dann
muß γ₂ bestimmt werden. Entsprechend wird dann die
Phase ϕ für diesen Azimuthwinkel γ₂ auf 0° normiert.
Ausgehend von Gleichung (4) läßt sich nun mit Hilfe
der Matrizenrechnung zeigen, daß die gesuchten inten
sitätsunabhängigen und normierten ellipsometrischen
Kenngrößen α und β wie folgt berechnet werden können:
α und β sind auf die Gesamtintensität I₀ normiert.
Der Normierungsfaktor C ergibt sich aus der zusätzli
chen Phasenverschiebung aufgrund der von 0° verschie
denen Analysatorposition zu
C = tan (60°-30°) = tan 30° (7)
Im Gegensatz zu herkömmlichen statischen Meßverfah
ren, welche eine Datenerfassung an mindestens drei
verschiedenen Azimuthwinkeln erfordern, sind beim er
findungsgemäßen ellipsometrischen Meßverfahren Mes
sungen an nur zwei unterschiedlichen Azimuthwinkeln
nötig, um die ellipsometrischen Kenngrößen mit aus
reichender Genauigkeit zu bestimmen. Dies führt zu
einer Beschleunigung des Meßvorganges. Zur Minimie
rung des Meßfehlers kann es in manchen Fällen vor
teilhaft sein, Messungen an weiteren Analysatorwin
keln vorzunehmen.
Erfindungsgemäß wird also ein dynamisches Meßverfah
ren, d. h. zeitlich veränderliche Polarisation des
Lichtes, mit einem statischen Meßverfahren, d. h. Mes
sung bei verschiedenen festen Analysatorazimuthwin
keln, zu einem neuen vereinfachten Meßverfahren kom
biniert.
Zur Erzeugung der Lock-In-Referenzfrequenz, welche
der doppelten Rotationsfrequenz der Polarisatorvor
richtung entspricht, kann es erforderlich sein, Aus
gangsimpulse der rotierenden Polarisatorvorrichtung
mittels einer Frequenzwandlervorrichtung, beispiels
weise einer Vorrichtung zur Frequenzvervielfachung
oder Frequenzteilung, entsprechend aufzubereiten.
Erhält man beispielsweise einen Impuls pro Umdrehung
der Polarisatorvorrichtung, so kann mittels eines
Frequenzverdopplers die Lock-In-Referenzfrequenz ge
neriert werden.
Weiterhin kann es erforderlich sein, mittels einer
Adaptionsvorrichtung das Ausgangssignal der Detektor
vorrichtung an die Lock-In-Spezifikationen anzupas
sen. Sekundärionenvervielfacher beispielsweise, wel
che zur Detektion von Licht im UV-Spektralbereich
eingesetzt werden, weisen hohe Ausgangssignalpegel
auf. Mittels einer Spannungsteilerschaltung kann der
Ausgangssignalpegel an den niedrigeren Eingangssig
nalpegel des Lock-In-Verstärkers angepaßt werden.
Zur spektralen Analyse der ellipsometrischen Kenngrö
ßen kann bei Verwendung polychromatischer Lichtquel
len das emittierte Licht mittels eines Monochromators
spektral zerlegt werden. Der Monochromator ist bevor
zugt zwischen Analysatorvorrichtung und Detektorvor
richtung oder direkt hinter der Lichtquelle angeord
net.
Obwohl es zur Bestimmung der ellipsometrischen Kenn
größen selbst in intensitätsschwachen Spektralgebie
ten nicht erforderlich ist, können einzelne Schritte
des erfindungsgemäßen Meßverfahrens oder auch das
gesamte Meßverfahren im Vakuum durchgeführt werden.
Auf diese Weise lassen sich Intensitätsverluste auf
grund von Absorption der umgebenen Luft reduzieren.
Zur Optimierung des Anteils des von der Probe reflek
tierten Lichtes ist es vorteilhaft, den Einfallswin
kel des Lichtes auf die Probe zu optimieren.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Er
findung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschrei
bung eines Ausführungsbeispiels und anhand der
Figuren. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung
zur Durchführung des erfindungsgemäßen el
lipsometrischen Meßverfahrens,
Fig. 2A eine Messung der ellipsometrischen Kenn
größe α = -cos(2Ψ) nach dem erfindungsgemä
ßen Verfahren und nach einem kommerziellen
Verfahren sowie eine theoretische Simula
tion der Messung, und
Fig. 2B eine Messung der ellipsometrischen Kenn
größe β = sin(2Ψ) cos(Δ) nach dem erfin
dungsgemäßen Verfahren und nach einem kom
merziellen Verfahren sowie eine theoreti
sche Simulation der Messung.
In Fig. 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines erfin
dungsgemäßen ellipsometrischen Meßverfahrens für den
UV-Spektralbereich schematisch dargestellt. Eine Deu
terium-Lichtquelle 1 emittiert unpolarisiertes Licht
mit einem Wellenlängenspektrum von 160 bis 600 nm.
Das Licht durchläuft zunächst UV-durchlässige Linsen
optiken aus MgF₂, CaF₂ oder Quarz zur Strahlführung
und Strahlfokussierung. Anschließend passiert es ein
mit einer Umlauffrequenz von ungefähr 40 Hz rotieren
des Rochon-UV-Quarz-Prisma 2 und wird linear polari
siert. Das polarisierte Licht trifft unter einem be
stimmten Winkel auf die Probe 3 und wird von dieser
reflektiert. Der Einfallswinkel wird so gewählt, daß
die Polarisationsempfindlichkeit der Probe maximal
ist (Brewsterwinkel). Bei der Probe 3 handelt es sich
im Beispielfall um ein Siliziumsubstrat, auf das eine
2.54 µm dicke SiO₂-Schicht aufgebracht ist.
Das reflektierte Licht erfährt infolge der Wechsel
wirkung mit der Probe 3 eine Polarisationsänderung
und passiert nach der Reflexion ein als Analysator
dienendes Rochon-UV-Quarz-Prisma 4 mit variierbarem
Azimuthwinkel. Das Licht, welches den Analysator pas
siert, wird anschließend einem Monochromator 5 zuge
führt, der das Licht monochromatisiert.
Licht eines engen Wellenlängenbereichs von typisch
unter 0.5 nm wird daraufhin von einem Sekundärelek
tronenvervielfacher 6 in ein mit der doppelten Rota
tionsfrequenz des Polarisators 2 oszillierendes elek
trisches Signal gewandelt. Der Sekundärelektronenver
vielfacher 6 wurde UV-sensibilisiert.
Das oszillierende elektrische Ausgangssignal des De
tektors 6 durchläuft anschließend ein Widerstands
netzwerk 7 zur Spannungsteilung. Das Ausgangssignal
des Spannungsteilers 7 wird einem Lock-In-Verstärker
8 zugeführt und dort phasenselektiv verstärkt.
Als Grundlage für das Referenzsignal für den Lock-In-
Verstärker 8 dient die Rotationsfrequenz des Polari
sators. Da das elektrische Detektorsignal die doppel
te Polarisatorfrequenz aufweist, muß ein rotations
synchrones Signal vom Polarisator 2 zunächst ent
sprechend aufbereitet werden. Dies geschieht mittels
einer geeigneten elektronischen Frequenzteilerschal
tung 9. Das Ausgangssignal der Frequenzteilerschal
tung 9 oszilliert mit der doppelten Rotationsfrequenz
der Polarisatorvorrichtung 2 und ist synchron zu die
ser.
Die vom Lock-In-Verstärker 8 ermittelten Amplituden-
und Phasenwerte des Detektorsignals werden über eine
IEEE-Schnittstelle 10 einem Rechner 11 zugeführt und
dort weiter verarbeitet.
Die Fig. 2A und 2B zeigen Meßprotokolle für die
ellipsometrischen Kenngrößen α und β für eine 2,54 µm
dicke SiO₂-Schicht auf einem Siliziumsubstrat, wobei
α = -cos(2Ψ); β = sin(2Ψ)cos(Δ) (8)
Im Vergleich zum erfindungsgemäßen Meßverfahren sind
eine Messung nach einem herkömmlichen Verfahren sowie
eine Simulation aus Literaturwerten dargestellt.
Es ist deutlich zu erkennen, daß das erfindungsgemäße
Verfahren eine exakte Messung unterhalb 200 nm ohne
Vakuumtechnologie ermöglicht und gut mit der simu
lierten Meßkurve übereinstimmt.
Claims (9)
1. Ellipsometrisches Meßverfahren, bei dem von
einer Lichtquelle (1) emittiertes Licht eine
rotierende Polarisatorvorrichtung (2) passiert,
von einer Probe (3) reflektiert wird und eine
nichtrotierende Analysatorvorrichtung (4) pas
siert oder
eine nichtrotierende Polarisatorvorrichtung (2) passiert, von einer Probe (3) reflektiert wird und eine rotierende Analysatorvorrichtung (4) passiert
und von einer Detektorvorrichtung (6) detektiert wird, wobei das von einem Lock-In-Verstärker (8) verstärkte Detektorsignal als Ausgangsmeßgröße dient,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Rotationsfrequenz der Polarisatorvor richtung (2) oder der Analysatorvorrichtung (4) als Grundlage für die Lock-In-Referenzfrequenz eingesetzt wird.
eine nichtrotierende Polarisatorvorrichtung (2) passiert, von einer Probe (3) reflektiert wird und eine rotierende Analysatorvorrichtung (4) passiert
und von einer Detektorvorrichtung (6) detektiert wird, wobei das von einem Lock-In-Verstärker (8) verstärkte Detektorsignal als Ausgangsmeßgröße dient,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Rotationsfrequenz der Polarisatorvor richtung (2) oder der Analysatorvorrichtung (4) als Grundlage für die Lock-In-Referenzfrequenz eingesetzt wird.
2. Ellipsometrisches Meßverfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß bei rotierender Polarisatorvorrichtung (2)
Analysatorvorrichtung (4) durch Messungen an
mindestens zwei festen Analysator-Polarisator
azimuthwinkeln die ellipsometrischen Kenngrößen
der Probe ermittelt werden.
3. Ellipsometrisches Meßverfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens bei den Analysator-/Polarisator
azimuthwinkeln γ = 30° und γ = 60° die ellipso
metrischen Kenngrößen α und β nach den Formeln
berechnet werden,
wobei C = tan 30°, α′ = -a cosϕ, β′ = a sinϕ, a die Lock-In-Amplitude und ϕ die Lock-In-Phase.
wobei C = tan 30°, α′ = -a cosϕ, β′ = a sinϕ, a die Lock-In-Amplitude und ϕ die Lock-In-Phase.
4. Ellipsometrisches Meßverfahren nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net,
daß aus einem zur Rotationsfrequenz der Polari
satorvorrichtung (2)/Analysatorvorrichtung (4)
synchronen Signal mittels einer Frequenzwandler-
Vorrichtung (9) die Lock-In-Referenzfrequenz er
zeugt wird.
5. Ellipsometrisches Meßverfahren nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net,
daß der Ausgangssignalpegel der Detektorvorrich
tung (6) mittels einer Adaptionsvorrichtung (7)
an den Eingangssignalpegel des Lock-In-Verstär
kers (8) angepaßt wird.
6. Ellipsometrisches Meßverfahren nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net,
daß die Lichtquelle (1) polychromatisches Licht
emittiert, welches mittels eines im Strahlengang
zwischen Lichtquelle (1) und Detektorvorrichtung
(6) angeordneten Monochromators (5) monochroma
tisiert wird.
7. Ellipsometrisches Meßverfahren nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net,
daß die Rotationsfrequenz der Polarisatorvor
richtung (2)/Analysatorvorrichtung (4) über
15 Hz beträgt.
8. Ellipsometrisches Meßverfahren nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net,
daß das Verfahren zumindest teilweise im Vakuum
durchgeführt wird.
9. Ellipsometrisches Meßverfahren nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net,
daß der Einfallswinkel des polarisierten Lichtes
auf die Probe (3) variiert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996122212 DE19622212C1 (de) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | Ellipsometrisches Meßverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996122212 DE19622212C1 (de) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | Ellipsometrisches Meßverfahren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19622212C1 true DE19622212C1 (de) | 1997-12-04 |
Family
ID=7795994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996122212 Expired - Fee Related DE19622212C1 (de) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | Ellipsometrisches Meßverfahren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19622212C1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10023477A1 (de) * | 2000-05-10 | 2001-11-29 | Sentech Instr Gmbh | Ellipsometer |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD120294A1 (de) * | 1975-06-20 | 1976-06-05 |
-
1996
- 1996-06-03 DE DE1996122212 patent/DE19622212C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD120294A1 (de) * | 1975-06-20 | 1976-06-05 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
A. Zuber et al., "Variable-angel spectroscopic ellipsometry for the deep UV characterisation of dielectric coatings", Thin Solid Films, 261 (1995), pp. 37-43 * |
J. Barth et al., "Spectroscopic Ellipsometry in the 6-35 eV Region", Handbook of Optical Constantsof Solids II, Academic Press, San Diego, pp. 213-345 * |
Nguyen et al., "Error correction for calibration and data reduction in rotating-polarizer ellipsometry: applications to a novel multi- channel ellipsometer", J. Opt. Soc. Am.A, Vol. 8, No. 6, Juni 1991, 919-931 * |
R. Kirsch, "Ein Fourier-Stokes-Analysatorsystem für polarisiertes Licht", Exper. Tech. Phys 23 (1975), p 583 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10023477A1 (de) * | 2000-05-10 | 2001-11-29 | Sentech Instr Gmbh | Ellipsometer |
DE10023477C2 (de) * | 2000-05-10 | 2002-09-19 | Sentech Instr Gmbh | Ellipsometer |
US6897955B2 (en) | 2000-05-10 | 2005-05-24 | Sentech Instruments Gmbh | Ellipsometer |
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D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
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