DE4105192A1 - Polarimetrisches verfahren und vorrichtung zur bestimmung von eigenschaften von materialoberflaechen und transparenten materialien sowie zur winkelmessung - Google Patents
Polarimetrisches verfahren und vorrichtung zur bestimmung von eigenschaften von materialoberflaechen und transparenten materialien sowie zur winkelmessungInfo
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Description
Das Verfahren und die Vorrichtung ermöglicht in
Abhängigkeit von den bekannten Größen einer zu
untersuchenden Oberfläche oder eines transparenten
Materials und der gegebenen Aufgabenstellung vielfältige
Untersuchungen, die entweder Detailaussagen oder
gemittelte Aussagen über die jeweilige Oberfläche oder
das jeweilige Material zulassen.
Es läßt elektromagnetische Strahlung auf eine Oberfläche
oder durch ein transparentes Material fallen und
untersucht den Anteil an s- und p-polarisierter
Strahlung im reflektierten und/oder transmittierten
Strahl, wodurch man eine Intensitätsdifferenz erhält, die
sowohl von den optischen Konstanten des Materials als
auch vom Einfallswinkel der Strahlung bestimmt wird als
auch von der Oberflächenstruktur, wobei die Fleckgröße
größer oder kleiner als die typische Struktur des
Materials gewählt werden kann.
Man kann somit Aussagen entweder über die typische
Struktur, den Einfallswinkel oder die optischen
Konstanten der Oberfläche des transparenten Materials
erhalten.
Materialuntersuchungen oder Messungen von
Beschichtungsstärken mit den verschiedenen klassischen
Varianten der Ellipsometrie und Polarimetrie sind seit
langem bekannt.
Für Profiluntersuchungen von Oberflächen werden im
allgemeinen andere Verfahren angewendet, da klassische
elliptometrische und polarimetrische Messungen zum einen
sehr empfindlich von Oberflächenverschmutzungen gestört
werden können, zum anderen klassische elliptometrische
und polarimetrische Messungen im Verhältnis aufwendig zu
automatisieren sind.
Probleme bei der Automatisierung ergeben sich auch bei
den hergebrachten Methoden für im Verhältnis einfache
Probleme wie das Messen von Neigungswinkeln.
Für Profiluntersuchungen werden üblicherweise eher
Verfahren wie das Autofokusverfahren oder bei diffus
reflektierenden Oberflächen auch das
Triangulationsverfahren angewendet. Mit diesen Verfahren
wird jeweils punktweise durch mittelbare
Entfernungsmessung die lokale Höhe der
Oberflächenstruktur gemessen und es kann somit nach
Messung einer hinreichenden Anzahl von Punkten die
Oberflächenstruktur erhalten werden.
Die lokale oder globale Neigung der Oberflächenstruktur
kann jedoch nur mittelbar als Ableitung der erhaltenen
Höhenlinie erhalten werden.
Diese Verfahren nutzen nicht die Eigenart von
elektromagnetischer Strahlung, daß s- und p-polarisierte
Anteile der einfallenden Strahlung unterschiedlich stark
reflektiert bzw. transmittiert werden.
Messungen von Rauhigkeiten oder Oberflächenbeschädigungen
werden im Bereich der optischen Meßtechnik entweder
indirekt durch Profilmessungen mit oben genannten
Verfahren realisiert, oder es werden Effekte wie zum
Beispiel die Strahlaufweitung von an der Oberfläche
reflektierten Stahlung ausgewertet. Zuletztgenannte
Verfahren sind jedoch in ihrer Genauigkeit und
Aussagekräftigkeit stark begrenzt. Auch diese Verfahren
nutzen jedoch nicht die Eigenart von elektromagnetischer
Strahlung, daß s- und p-polarisierte Anteile der
einfallenden Strahlung unterschiedlich stark reflektiert
bzw. transmittiert werden.
Messungen von Drehwinkeln und Werkstückausrichtungen
werden z. B. mittels in Deckung bringen von Lichtzeigern
mit Markierungen realisiert, auch diese Verfahren nutzen
jedoch nicht die Eigenart von elektromagnetischer
Strahlung, daß s- und p-polarisierte Anteile der
einfallenden Strahlung unterschiedlich stark reflektiert
bzw. transmittiert werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die von den
unter Patentanspruch 1, 2 genannten Materialeigenschaften
abhängigen Unterschied (z. B. die Differenz) der
Reflexionskoeffizienten für s- und p-polarisierte
Strahlung auszuwerten. Diese beiden
Reflexionskoeffizienten werden in der Literatur
üblicherweise mit Rs und Rp bezeichnet. Ein
entsprechendes Verhalten zeigen auch die mit Ts und Tp
bezeichneten Transmissionskoeffizienten. Der Unterschied
zwischen den jeweiligen Koeffizienten (gegebenenfalls
nach Anspruch 4 durch ihren Mittelwert dividiert) wird im
folgenden als Meßwert bezeichnet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
das Objekt mit weiter unten spezifizierter Strahlung
bestrahlt wird. Liegt keine Oberflächenverschmutzung,
Verunreinigung etc. vor, wächst die Differenz der
beiden Reflexions- (oder Transmissions-) koeffizienten
von null bei senkrechtem Strahlungseinfall bis zu einem
Maximum beim sogenannten Brewsterwinkel, um danach wieder
abzufallen. Der Meßwert ist also abhängig vom Winkel
zwischen dem Strahl und der Flächennormalen und somit zur
Bestimmung von lokalen Oberflächenneigungen geeignet.
Außerdem ist der Meßwert abhängig vom komplexen
Brechungsindex des untersuchten Materials,
was in der einschlägigen Literatur an vielen Stellen
dargestellt wird, sowie von seiner
Mikrooberflächenstruktur was, nur zum Teil mathematisch
faßbar ist.
Wird Strahlung, welche von einem Gebiet komme, welches
groß ist im Vergleich zur Oberflächenstruktur, auf den
Detektor gegeben, so ist der Meßwert proportional einem
gewichteten Mittel aus den beitragenden
Oberflächenneigungen. Oberflächenrauhigkeiten z. B. können
erfindungsgemäß durch die eben beschriebene Weise nach
Anspruch 13, 14, 15 ohne den Umweg der Profilbestimmung
gemessen werden.
Korrelationslängen von den Meßwert beeinflussenden
Strukturen wie Rauhigkeit oder Verunreinigungen bzw.
Verunreinigungseinschlüsse können erfindungsgemäß dadurch
bestimmt werden, daß nach Anspruch 14 oder 15 das
Verhalten des Meßwertes bei verschiedenen
Strahlquerschnitten ausgewertet wird. Die
Korrelationslänge der Struktur kann aus dem mittleren
Strahldurchmesser bestimmt werden, ab dem sich der
Meßwert nicht mehr wesentlich ändert.
Geschieht der Strahleneinfall unter einem Winkel zur
mittleren Flächennormalen (Anspruch 7), wird
erfindungsgemäß zum einen die Genauigkeit der
Winkelbestimmung erhöht, denn die Veränderung des
Meßwertes pro Veränderung des Einfallwinkels ist bei
mittleren Einfallwinkeln größer als bei kleinen
Einfallwinkeln. Zum Anderen wird im wesentlichen nur
noch der Neigungswinkel der Projektion der
Flächennormalen in die Ebene, welche den Strahlengang
enthält, erfaßt.
Eine Information über die Richtung der Flächennormalen
kann erfindungsgemäß erhalten werden, indem nach Anspruch
5 und 6 ein Triggersignal (mit der gleichen Frequenz wie
die Drehfrequenz der Polarisationsrichtung und konstanten
Phasenverhältnissen zwischen Triggersignal und
Polarisationsrichtungssignal des einfallenden Strahls)
auf die Auswerteeinheit gegeben wird. Die Phasendifferenz
zwischen Meßwertsignal und Triggersignal ergibt Auskunft
über die Richtung der Flächennormalen, sie ist abhängig
von der Depolarisation durch die Wechselwirkung an der
Oberfläche.
Wird bei bekannter Oberflächenstruktur eine
Verunreinigung/Beschichtung auf oder in das Material
gebracht, so verändert sich der Meßwert eines nach
Anspruch 1-19 aufgebauten Gerätes entsprechend der
Menge etc. und den optischen Eigenschaften dieses
Stoffes, so daß erfindungsgemäß ein solcher Aufbau/ein
solches Verfahren auch zum Messen solcher
Verunreinigungen verwendet werden kann.
Wird erfindungsgemäß nach Anspruch 13, 14, 15 die
Strahlung, welche mit einem größeren Gebiet
wechselwirkte, auf den Detektor geleitet, so ist der
Meßwert abhängig von den Flächenanteilen der bestrahlten
Materialien, deren Oberflächenstrukturen etc. und deren
optischen Eigenschaften, so daß man mit einem derartigen
Aufbau (eventuell unter erfindungsgemäßer Zuhilfenahme von
z. B. Blenden nach Anspruch 19) z. B. Flächendeckungen
bestimmen kann.
Weitere der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist es,
die im allgemeinen mit klassischen polarimetrischen
Messungen verbundene Drehwinkelbestimmung von Polarisator
oder Analysator zu vermeiden.
Dieses - und die Messung der unter Anspruch 1, 2
angeführten Materialeigenschaften - wird erfindungsgemäß
dadurch gelöst, daß das zu untersuchende Material z. B.
mit polarisierter Strahlung bestrahlt wird (Anspruch
1, 2), dessen Polarisationsrichtung sich z. B. - bei großen
Anforderungen an die Genauigkeit - mit wählbarer
Periodenlänge um die Strahlachse dreht (Anspruch 5) und
von einem Detektor die Strahlung nach der Wechselwirkung
erfaßt wird, und vom Detektorsignal vor allem die
periodischen Intensitätsschwankungen (Anspruch 5) und
gegebenenfalls deren Verhältnis zum Mittelteil (Anspruch
4) und gegebenenfalls die Phasenbeziehung zu einem
Triggersignal (Anspruch 6) erfaßt wird.
An die Stelle der oben beschriebenen Strahlung kann
erfindungsgemäß z. B. auch unpolarisiert Strahlung treten
(s. u.).
Die notwendige Charakteristik des Strahls wird z. B.
dadurch erreicht, daß z. B.
- a) unpolarisierte Strahlung nach oder vor der Wechselwirkung durch einen Polarisations-Chopperdiscfilter geleitet wird.
- b) wie unter a) mit dem Unterschied, daß linear polarisierte Strahlung der Strahlungsquelle so in seiner Strahlungsrichtung ausgerichtet wird, daß die Oberfläche mit definierten - vorzugsweise gleichen Anteilen - von s- und p-polarisierter Strahlung bestrahlt wird.
- c) linear polarisierte Strahlung einer Strahlungsquelle mit einer Faradayzelle periodisch in seiner Polarisationsrichtung gedreht wird.
- d) wie unter a) mit dem Unterschied, daß an die Stelle eines Chopperpolarisators z. B. eine geeignete Kerrzelle tritt.
Störende Polarisationseffekte, die nicht durch die zu
messende Oberfläche bedingt sind, können apparativ oder
durch Eichung ausgeglichen werden.
Die Auswertung des Detektorsignals kann z. B. nach
Anspruch 4 durch geeignete
Operationsverstärkerschaltungen oder/und - nach A/D-
Wandlung durch einen Rechner geschehen.
Das Verfahren kann auch als bildgebendes Verfahren
verwendet werden, wenn nach Anspruch 11 oder 14 oder 15
vorgegangen wird.
Konzentrationsbestimmungen o. ä. von optisch aktiven (die
Polarisationsachse drehenden) Flüssigkeiten o. ä. können
vorteilhaft erreicht werden, wenn erfindungsgemäß nach
Anspruch 18 sowohl vor als auch nach der Wechselwirkung
der Strahlung mit dem zu messenden Medium ein
Polarisations-Chopper o. ä. vorgesehen wird, und diese z. B.
in zeitlicher Abfolge in verschiedenen Phasenbeziehungen
betrieben werden. Dieses kann besonders effizient
geschehen, wenn die Frequenzen beider Chopper nahe
beieinanderliegen, das Verschwinden der Phasendifferenz
z. B. durch einen Referenzstrahl registriert wird, oder im
Falle der Verwendung von Kerrzellen von vornherein
bekannt ist, und die Zeit von diesem Moment bis zum
nächsten Intensitätsminimum (oder auch Maximum) bestimmt
wird.
Soll der Meßwert mit großer Genauigkeit ermittelt
werden, wird dies erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß
mit einem oder mehreren der Ansprüche 3, 4, 5, 20 verfahren
wird;
soll der Meßwert mit geringem Aufwand ermittelt werden, wird dies erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß auf Anwendung von einem oder mehreren der Ansprüche 3, 4, 5, 20 verzichtet wird;
soll der Meßwert z. B. zur Materialerkennung mit oder ohne z. B. Strukturerkennung dienen, wird dies erfindungsgemäß besonders vorteilhaft dadurch erreicht, daß mit Ansprüchen 8 oder 9 verfahren wird, wodurch für jede Wellenlänge/Wellenlängenkombination ein spezifischer Meßwert erhalten werden kann; eine ähnliche Vergrößerung der Meßwertaussage kann erzielt werden, wenn bei transparenter Strahlung sowohl reflektierte wie transmittierte Strahlung ausgewertet wird.
Soll der störende Einfluß von Fremstrahlung vermieden werden, so kann dieses erfindungsgemäß durch Verfahren nach Anspruch 4, 10 geschehen.
Ist bei gegebenem Aufbau nicht sicher gewährleistet, daß alle relevanten Strahlungsanteile den Detektor treffen, bzw. diesen gleichmäßig auf seinen sensiblen Bestandteilen treffen, so ist erfindungsgemäß nach Anspruch 11 vorzugehen.
soll der Meßwert mit geringem Aufwand ermittelt werden, wird dies erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß auf Anwendung von einem oder mehreren der Ansprüche 3, 4, 5, 20 verzichtet wird;
soll der Meßwert z. B. zur Materialerkennung mit oder ohne z. B. Strukturerkennung dienen, wird dies erfindungsgemäß besonders vorteilhaft dadurch erreicht, daß mit Ansprüchen 8 oder 9 verfahren wird, wodurch für jede Wellenlänge/Wellenlängenkombination ein spezifischer Meßwert erhalten werden kann; eine ähnliche Vergrößerung der Meßwertaussage kann erzielt werden, wenn bei transparenter Strahlung sowohl reflektierte wie transmittierte Strahlung ausgewertet wird.
Soll der störende Einfluß von Fremstrahlung vermieden werden, so kann dieses erfindungsgemäß durch Verfahren nach Anspruch 4, 10 geschehen.
Ist bei gegebenem Aufbau nicht sicher gewährleistet, daß alle relevanten Strahlungsanteile den Detektor treffen, bzw. diesen gleichmäßig auf seinen sensiblen Bestandteilen treffen, so ist erfindungsgemäß nach Anspruch 11 vorzugehen.
Die erzielbaren Vorteile wurden z. T. schon im Rahmen der
Kritik am Stand der Technik angedeutet, liegen aber vor
allem darin begründet, daß mit dem Gegenstand dieses
Patentes eine einfache, hochgenaue, im Verhältnis
störungsunempfindliche Alternative zur hergebrachten
Polarimetrie/Ellipsometrie gegeben ist, die sich
darüber hinaus durch gute Anbindbarkeit an
Datenverarbeitungsanlagen, gute Automatisierbarkeit und
Verzichtbarkeit auf mechanisch bewegte Teile auszeichnet.
Im Ausführungsbeispiel 1 wird kohärentes stark gebündeltes
Licht eines Lasers (1) über einen 50%-Spiegel (2)
senkrecht auf das zu untersuchende Material (3) gegeben
(Anspruch 7). Ist das Licht des Lasers linear
polarisiert, sollte die Polarisationsrichtung des Lichtes
so gelegt werden, daß - nach der Reflexion am Spiegel -
die Intensitäten von zur mittleren Materialoberfläche s-
und p-polarisiertem Lichtanteil gleich sind.
Nach der Reflexion an der Materialoberfläche sind die
Intensitäten der beiden Strahlanteile (bei gegebenen
optischen Konstanten der Oberfläche) um so
unterschiedlicher je größer der Winkel zwischen
Lichtstrahl und der lokalen Flächennormalen ist. Der
reflektierte Lichtstrahl (4) wird durch einen sich mit
fester Frequenz drehenden Chopperpolarisator (5) geleitet
(Anspruch 5, 20). Das auf den Detektor (6) fallende Licht
durchläuft ein Intensitätsminimum, wenn der Polarisator
gerade den zur bestrahlten Oberfläche p-polarisierten
Strahlanteil durchläßt und ein Maximum, wenn gerade der
s-polarisierte Anteil durchgelassen wird.
Die Signalspannung des Detektors wird auf zwei
verschiedene Meßverstärker (7 und 8) gegeben. Der
Verstärker 7 ist Frequenzselektiv verstärkend (mit
möglichst kleinem Q-Wert) und verstärkt nur
Wechselsignale der Frequenz des Chopperpolarisators
(Anspruch 5). Der Verstärker 8 verstärkt nur den
Gleichspannungsanteil des Detektorsignals. In einer
geeigneten Elektronik (9) (z. B. unter Verwendung von
Operationsverstärkern) werden die Ausgangssignale der
beiden Verstärker dividiert (Anspruch 4). Nach einer A/D-
Wandlung im A/D-Wandler (10) kann der Meßwert von einem
Rechner (11) weiterverarbeitet werden, und/oder von einem
Schreiber oder ähnlichem Anzeigegerät angezeigt werden.
Hat der Rechner eine große Rechenleistung kann die
Auswerteelektronik (9) weggelassen werden und diese
Aufgabe vom Rechner mitübernommen werden.
Wird auch noch der Zeitpunkt des Signalmaximums in bezug zur
Stellung des Choppers zu diesem Zeitpunkt gebracht d. h.
die Phasenbeziehung zwischen Detektorsignal und Chopper
ausgewertet (Anspruch 6), so kann neben dem Betrag der
Neigung der Oberflächennormalen auch die Richtung der
lokalen Oberflächennormalen bestimmt werden.
Der bis jetzt beschriebene Aufbau kann noch durch ein
Linsensystem (12) ergänzt werden (Anspruch 11), welches
dafür sorgen kann, daß
- a) auch bei der Reflexion stark abgelenkte Strahlen auf den Detektor geleitet werden,
- b) der Detektor immer im selben Detektorgebiet getroffen wird,
- c) auch bei einer Lichtquelle mit nicht so kleinem Lichtstrahlquerschnitt nur das von einem möglichst kleinen Gebiet der Oberfläche reflektierte Licht ausgewertet wird (Anspruch 15). Letzteres kann auch unter Verwendung von Blenden erreicht werden (Anspruch 19).
Ebenso wie der reflektierte Lichtstrahl kann auch der
eventuell transmittierte Lichtstrahl ausgewertet werden.
Statt senkrecht zur mittleren Flächennormalen der
Oberfläche gewähltem Lichteinfall kann auch ein schräger
Lichteinfall gewählt werden (Anspruch 7). Der Spiegel (2)
kann unter diesen Umständen entfallen und die Elemente
5, 6, 12 sollten dann entlang der mittleren Ausfallachse
angeordnet werden. Bei diesem modifizierten Aufbau wird
eine größere Genauigkeit der Winkelbestimmung erzielt,
und in erster Näherung (ohne Verwendung diesen Effekt
kompensierender Logik) nur die Projektion der Neigung in
die Ebene des Strahlengangs gemessen.
Die Amplitude des Verstärkers 7 ist abhängig von dem
gewählten Einfallwinkel, der lokalen Oberflächenneigung,
der Wellenlänge des verwendeten Lichtes und den
"optischen Konstanten" namentlich der komplexen
Dielektrizitätskonstanten bzw. dem komplexen
Brechungsindex. Handelt es sich um eine hinreichend
glatte reflektierende Oberfläche, so kann statt der in
diesem Fall bekannten lokalen Oberflächenneigung der
komplexe Brechungsindex des Materials bestimmt werden und
diese Information zur Materialerkennung o. ä. genutzt
werden. Da bei dünnen Beschichtungen oder
Oberflächenverschmutzungen sowohl die Beschichtung als
auch die darunterliegende Oberfläche reflektiert, kann in
diesem Fall (bei bekannten optischen Konstanten) die
Beschichtungsstärke bestimmt werden.
Mehr Informationen sind zu erhalten wenn die optischen
Konstanten nicht nur bei einer sondern bei mehreren
Wellenlängen bestimmt werden. Es muß in diesem Falle
entweder ein in der Wellenlänge durchstimmbarer Laser
oder eine nichtmonochromatische Strahlungsquelle unter
Zuhilfenahme von Wellenlängenfiltern (Anspruch 9)
verwendet werden. Bei diesem Aufbau kann eine
Materialerkennung o. ä. auch noch gelingen wenn die lokale
Oberflächenneigung nicht bekannt ist.
Ebenso wie die reflektierte Strahlung kann auch die
transmittierte Strahlung ausgewertet werden, wobei das
Detektorsignal in diesem Falle nicht nur durch die
Strukturen an der Oberfläche, sondern auch durch die
Strukturen im Inneren des Materials bestimmt wird.
Werden beide Lichtstrahlen ausgewertet, so kann
entschieden werden, ob eine Veränderung des Meßwertes im
Verhältnis zum letzten von Strukturen der oberen
Oberfläche, oder dem Inneren und der unteren Oberfläche
verursacht wurde.
Ein für alle Materialien gleichermaßen ausgezeichneter
Winkel des Strahlungseinfalls ist der senkrechte
Strahlungseinfall. Soll ein Material in eine definierte
Ausrichtung gebracht werden, so ist der Strahleneinfall
vorzugsweise entlang der einzustellenden
Oberflächennormalen zu wählen und das Material so in
seiner Lage zu verändern, daß das Signal am A/D-Wandler
minimiert wird.
Wird das Material mit einem Lichtstrahl eines
Durchmessers beschienen (Anspruch 13, 15), welcher größer
als die den Meßwert beeinflussenden Strukturlängen (z. B.
Rauhigkeitslängen) ist, so wird sich ein Signal am A/D-
Wandler einstellen welches z. B. im Falle von rauhen
Oberflächen ein gewichtetes Mittel der im bestrahlten
Gebiet vorliegenden lokalen Oberflächenneigungen
darstellt, und somit in diesem Fall eine Aussage eben
über die Rauhigkeit des Materials zuläßt. Durch Einfügen
geeigneter Blenden (Anspruch 19) in den reflektierten
Strahl kann der Beitrag von z. B. besonders großen
Neigungswinkeln aus dem gewichteten Mittel eliminiert
werden. Bei Verwendung von Kreisblenden veränderlichen
Durchlaßquerschnitts kann der Beitrag der einzelnen
Oberflächenneigungswinkel zur Rauhigkeit ermittelt werden.
Wird das Material mit einem Lichtstrahl veränderlichen
Durchmessers beschienen (Anspruch 14, 15), so wird sich
bei verschiedenen Strahlquerschnitten ein unterschiedlich
großes Signal am A/D-Wandler einstellen, sich jedoch ab
einem bestimmten Strahldurchmesser für größere
Strahldurchmesser nicht mehr wesentlich verändern. Aus
diesem Strahldurchmesser kann dann die Korrelationslänge
der räumlichen Inhomogenität senkrecht zum
Strahlungseinfall bestimmt werden.
Wird das Material (z. B. ein planes Werkstück auf einer
Unterlage mit identischen Umrissen) mit einem Lichtstrahl
eines Durchmessers beschienen welcher größer als seine
Abmessungen ist (Anspruch 13, 15), und erzeugt die
Unterlage z. B. einen viel größeren Meßwert als das
Werkstück so zeichnet sich in diesem Fall ein zur Deckung
kommen von Werkstück und Unterlage durch einen
minimierten Meßwert aus. Ein entsprechender Effekt
kann auch erzielt werden, wenn die Unterlage deutlich
größer ist als das Werkstück, und in den reflektierten
Strahlengang eine Blende mit den Umrissen des Werkstückes
gebracht wird.
Wird sowohl im einfallenden wie auch im transmittierten
Lichtstrahl ein Chopperpolarisator positioniert und
unterscheiden sich die Drehfrequenzen der beiden
Polarisatoren nur wenig (Anspruch 18), so kann mit einem
solchen Aufbau die optische Aktivität des durchstrahlten
Mediums bestimmt werden. Dieses kann z. B. geschehen indem
die Zeitdifferenz zwischen dem Auftreten des minimalen
Meßwert des durch das Medium geleiteten Strahles und dem
entsprechenden Minimum des Meßwertes eines nicht durch
das Medium geleiteten Referenzstrahles bestimmt wird, was
gleichbedeutend mit der Bestimmung des Phasenverhältnisses
zwischen den beiden Strahlen ist.
Ist die Durchlaßrichtung der Polarisatoren (z. B. bei
Verwendung von Kerr- oder Faradayzellen hinreichend
exakt bekannt kann auf die Verwendung des
Referenzstrahles verzichtet werden.
Es kann z. B. mittels Logg-In-Verstärkertechnologie das
Phasenverhältnis zwischen den Änderungen der Intensitäten
des durch das Medium getretenen Strahls und des
Referenzstrahles bestimmt werden.
Alternativ können die Polarisatoren auch bei identischer
Frequenz betrieben werden, und es kann das
Phasenverhältnis der Polarisatoren periodisch geändert
werden.
Es wird ein transparentes Material mit einem parallelen
Lichtbündel bestrahlt. Das aus den einzelnen Punkten des
Mediums austretende Licht wird jeweils einzeln den
Elementen eines Detektorenarrays zugeführt, wobei diese
Zuführung direkt, durch Linsen oder Glasfaserkabel
geschehen kann. Das Signal jedes einzelnen Elementes wird
in der beim Ausführungsbeispiel 1 besprochenen Art und
Weise aufbereitet. Die Meßwerte der Detektoren können
als Bild dargestellt werden, indem z. B. die Farbe der
einzelnen Bildpunkte durch den Meßwert jeweils eines
Detektors bestimmt wird.
Ebenso kann bei schrägem oder auch senkrechtem
Lichteinfall auch das reflektierte Licht ausgewertet
werden.
Erläuterungen zu Figuren
zu Fig. 1
1 Laser
2 50%-Spiegel
3 zu untersuchende Oberfläche
4 reflektierter Lichtstrahl
5 Chopperpolarisation
6 Detektor
7 frequenzselektiver Verstärker
8 mittelnder Verstärker
9 Komparator
10 AD-Wandler
11 Rechner oder Schreiber
12 Sammellinse
2 50%-Spiegel
3 zu untersuchende Oberfläche
4 reflektierter Lichtstrahl
5 Chopperpolarisation
6 Detektor
7 frequenzselektiver Verstärker
8 mittelnder Verstärker
9 Komparator
10 AD-Wandler
11 Rechner oder Schreiber
12 Sammellinse
zu Fig. 2
13 Monitor
14 Auswerteeinheit
15 Detektorarray
16 zu untersuchendes lichtdurchlässiges Material
17 einfallender paralleler Lichtstrahl
18 Chopperpolarisator
14 Auswerteeinheit
15 Detektorarray
16 zu untersuchendes lichtdurchlässiges Material
17 einfallender paralleler Lichtstrahl
18 Chopperpolarisator
Claims (20)
1. Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von
Materialeigenschaften, dadurch gekennzeichnet, daß die zu
untersuchende Oberfläche mit elektromagnetischer
Strahlung bestrahlt wird und die Intensitätsanteile von
s- und p-Polarisation in der von der zu untersuchenden
Oberfläche reflektierten elektromagnetischen Strahlung
gemessen werden, indem mindestens eine
Polarisationsfolie in den Strahlengang gebracht wird,
und mit diesen Meßwerten Oberflächeneigenschaften und
Materialeigenschaften bestimmt werden können wie
Rauhigkeit, Unregelmäßigkeiten, Beschädigung,
Korrelationslänge von Oberflächenstrukturen,
Korrelationslänge von Unregelmäßigkeiten,
Korrelationslänge von Beschädigungen, Neigung,
Oberflächenprofil, Verschmutzungsgrad oder
Verschmutzungsart, Beschichtungsstärke oder
Beschichtungsart sowie auch Drehwinkelbestimmungen,
Ausrichtungsbestimmung, Flächendeckungsbestimmung und
Materialerkennung damit vorgenommen werden können.
2. Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung von
Materialeigenschaften transparenter Materialien,
dadurch gekennzeichnet, daß das zu untersuchende Material
mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt wird und die
Intensitätsanteile von s- und p-Polarisation in der von
der zu untersuchenden Oberfläche transmittierten
elektromagnetischen Strahlung gemessen werden, indem
mindestens eine Polarisationsfolie in den Strahlengang
gebracht wird,
und mit diesen Meßwerten Oberflächeneigenschaften und
Materialeigenschaften bestimmt werden können wie
Rauhigkeit, Unregelmäßigkeiten, Beschädigung,
Korrelationslänge von Oberflächenstrukturen oder
Einschlüssen, Korrelationslänge von Unregelmäßigkeiten,
Korrelationslänge von Beschädigungen, Neigung,
Oberflächenprofil, Verschmutzungsgrad oder
Verschmutzungsart, Beschichtungsstärke oder
Beschichtungsart, Verunreinigungsstärke,
Verunreinigungslokalisation sowie auch
Drehwinkelbestimmung, Ausrichtungsbestimmung,
Flächendeckungsbestimmung und Materialerkennung damit
vorgenommen werden können.
3. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-2, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß die zu untersuchenden
Polarisationsanteile der Strahlung mit dem oben erwähnten
anisotropen Medium vorzugsweise zeitlich abwechselnd auf
den selben Detektor geleitet werden, oder auch - von
mindestens zwei - räumlich getrennten Detektoren
registriert werden.
4. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-3, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz o. ä. der
Intensitäten der s- und p-polarisierten Strahlanteile
auf den Mittelwert der Intensitäten von diesen beiden
Strahlanteilen bezogen wird.
5. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-4, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß von den Intensitäten der
transmittierten oder reflektierten Strahlung periodisch
abwechselnd die Intensitäten des s- und p-polarisierten
Anteils gemessen werden, und nur die Oberwelle dieses
Signals gegebenenfalls nach Durchgang durch einen
frequenzselektiven Meßverstärker ausgewertet werden und
gegebenenfalls in bezug zum Mittelwert beider Anteile in
bezug gesetzt werden.
6. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 5, 20, dadurch
gekennzeichnet, daß das zusätzlich bei jeder Periode zu
bestimmter Zeit ein Triggersignal gegeben wird, oder ein
Referenzsignal gleicher Frequenz und konstanter Phase
(bezogen auf Frequenz und Phase der Drehung der
Polarisationsrichtung der elektromagnetischen Strahlung
durch den Polarisator) auf die Auswerteeinheit gegeben
wird.
7. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-6, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlungseinfall
entweder schräg oder senkrecht geschehen kann. Im
letzteren Fall ist bei Reflektionsmessungen ein
geeigneter Strahlteiler wie z. B. ein halbdurchlässiger
Spiegel vorzusehen für den Fall, daß die reflektierte
Strahlung ausgewertet werden soll.
8. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-7, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle entweder
monokromatisch, nicht monokromatisch oder in der
Wellenlänge durchstimmbar ist.
9. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-8, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß - gegebenenfalls
durchstimmbare oder wechselbare - Wellenlängenfilter in
den Strahlengang gebracht werden um jeweils nur einen
Spektralbereich der Strahlungsquelle auszuwerten.
10. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-9, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß Wellenlängenfilter in den
Strahlengang gebracht werden, um Störungen durch
Fremdlicht zu minimieren.
11. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-10, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß die vom untersuchten Objekt
reflektierte oder transmittierte Strahlung mittels einer
geeigneten Konstruktion aus z. B. Linsen, Hohlspiegeln oder
sogenannten Floureszenzkollektoren, sowie gegebenenfalls
auch Diffusorscheiben o. ä. auf einen oder mehrere
Detektoren gegeben wird.
12. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-11, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß das zu untersuchende Objekt
nur in einem kleinen Gebiet bestrahlt wird und die
Gesamtheit des Meßergebnisses gegebenenfalls durch eine
Anzahl von solchen Bestrahlungen an verschiedenen Orten
erhalten wird.
13. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-11, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß das zu untersuchende Objekt
in einem Gebiet gewählter Größe bestrahlt wird und die
Gesamtheit des Meßergebnisses gegebenenfalls durch eine
Anzahl von solchen Bestrahlungen an verschiedenen Orten
erhalten wird.
14. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-11, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß das zu untersuchende Objekt
in einem Gebiet veränderlicher Größe bestrahlt wird und
die Gesamtheit des Meßergebnisses gegebenenfalls durch
eine Anzahl von solchen Bestrahlungen an verschiedenen
Orten erhalten wird.
15. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-11, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß das zu untersuchende Objekt
in einem Gebiet gewählter Größe bestrahlt wird, jedoch
nur die von einem kleinerem Gebiet fester oder
veränderlicher Größe reflektierte oder transmittierte
Strahlung ausgewertet wird und die Gesamtheit des
Meßergebnisses gegebenenfalls durch eine Anzahl von
solchen Bestrahlungen an verschiedenen Orten erhalten
wird.
16. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-14, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß das beschriebene Verfahren
mit den bekannten Verfahren zur
Oberflächenstrukturerkennung mittels
Triangulationsverfahren, Autofokusverfahren oder
Strahlaufweitungsverfahren kombiniert werden kann, wobei
der gleiche Meßstrahl für beide Verfahren verwendet
werden kann, dieser aber gegebenenfalls nach der
Wechselwirkung mit dem zu untersuchenden Material geteilt
werden kann.
17. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-16, 20,
dadurch gekennzeichnet, daß die - vorzugsweise mit einem
Detektorarray - erhaltenen Meßwerte bildlich dargestellt
werden, so das in jedem Bildpunkt eine Aussage über die
lokalen Materialeigenschaften enthalten ist.
18. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-17, 20,
speziell zur Messung der optischen Aktivität dadurch
gekennzeichnet, daß sich
im Strahlengang sowohl vor als auch nach der
Wechselwirkung mit dem zu untersuchenden Material jeweils
ein Chopperpolarisator o. ä. befindet, wobei
gegebenenfalls ein nicht mit dem zu untersuchenden
Material wechselwirkender Referenzstrahl durch diese
Polarisatoren geleitet wird, und a) die Frequenzen der
Chopperpolarisatoren sich - vorzugsweise gering -
unterscheiden, oder b) die Frequenzen beider
Polarisatoren gleich sind und diese in einem bekannten
(vorzugsweise periodisch veränderlichen) Phasenverhältnis
stehen.
19. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 13, 15,
dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich Blenden in den
Strahlengang gebracht werden.
20. Verfahren und Vorrichtung nach Anspruch 1-19,
dadurch gekennzeichnet, daß ergänzend zu Anspruch 1, 2
anstelle der Polarisationsfolie allgemein ein
doppelbrechendes/optisch aktives Medium/Apperatur in den
Strahlengang gebracht wird, und dieses sowohl vor als
auch nach der Wechselwirkung der Strahlung mit dem Medium
im Strahlengang positioniert sein darf, wobei die
hierdurch zu erzielende Strahlungscharakteristik z. B.
dadurch erreicht werden kann, daß
- a) unpolarisierte Strahlung nach oder vor der Wechselwirkung durch einen Polarisations-Chopperdiscfilter geleitet wird.
- b) wie unter a) mit dem Unterschied, daß linear polarisierte Strahlung der Strahlungsquelle so in seiner Strahlungsrichtung ausgerichtet wird, daß die Oberfläche mit definierten - vorzugsweise gleichen Anteilen - von s- und p-polarisierter Strahlung bestrahlt wird.
- c) linear polarisierte Strahlung einer Strahlungsquelle mit einer Faradayzelle periodisch in seiner Polarisationsrichtung gedreht wird.
- d) wie unter a) mit dem Unterschied, daß an die Stelle eines Chopperpolarisators z. B. eine geeignete Kerrzelle bzw. zwei Kerrzellen mit zueinander senkrechten optischen Achsen treten. Störende Polarisationseffekte, die nicht durch die zu messende Oberfläche bedingt sind, können apparativ oder durch Eichung ausgeglichen werden. Die Auswertung des Detektorsignals kann z. B. nach Anspruch 4 durch geeignete Operationsverstärkerschaltungen oder/und nach A/D- Wandlung durch einen Rechner geschehen.
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DE4105192A DE4105192C2 (de) | 1990-02-26 | 1991-02-20 | Verfahren zum Bestimmen von Oberflächenrauhigkeiten und dergleichen |
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---|---|---|---|
DE4005995 | 1990-02-26 | ||
DE4105192A DE4105192C2 (de) | 1990-02-26 | 1991-02-20 | Verfahren zum Bestimmen von Oberflächenrauhigkeiten und dergleichen |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4105192A1 true DE4105192A1 (de) | 1991-08-29 |
DE4105192C2 DE4105192C2 (de) | 1996-07-04 |
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ID=6400976
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---|---|
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CN114384068A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-22 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 用于测量大尺寸各向同性激光介质中弱各向异性的测量装置及测量方法和应用 |
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---|---|---|---|---|
DE102012010190B4 (de) | 2011-07-18 | 2022-08-18 | Lufthansa Technik Aktiengesellschaft | Verfahren, Vorrichtung und Endoskop sowieAufsatz |
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- 1991-02-20 DE DE4105192A patent/DE4105192C2/de not_active Expired - Fee Related
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CN114384068A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-22 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 用于测量大尺寸各向同性激光介质中弱各向异性的测量装置及测量方法和应用 |
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---|---|
DE4105192C2 (de) | 1996-07-04 |
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