DE19620645A1

DE19620645A1 - Verfahren zur Herstellung selektiver Absorber

Info

Publication number: DE19620645A1
Application number: DE19620645A
Authority: DE
Inventors: Thomas Eisenhammer; Miladin Lazarov; Helmut Schellinger
Original assignee: Thomas Eisenhammer; Miladin Lazarov; Helmut Schellinger
Current assignee: EISENHAMMER, THOMAS, 80999 MUENCHEN, DE LAZAROV, M
Priority date: 1995-05-22
Filing date: 1996-05-22
Publication date: 1996-12-05
Anticipated expiration: 2016-05-23
Also published as: WO1996037739A1; AU5810796A; DE19620645C2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung selektiver Absorber. Der selektive Absorber enthält ein mittels Sol-Gel-Prozeß hergestelltes inhomogenes Material (Cermet) aus einer nicht-leitfähigen bzw. dielektrischen Matrix mit leitfähigen in die Matrix eingelagerten Partikeln.

Cermets bestehen aus einer nicht-leitfähigen oder dielektrischen Matrix, in die leitfähige oder metallische Partikel mit Durchmessern von typischerweise 5-30 nm eingelagert sind. Cermets werden seit längerem als selektive Absorber für solarthermische Anwendungen verwendet (G.A. Niklasson und C.G. Granqvist, J. Appl. Phys. 55, S. 3382 (1984)). Die Cermets stellen ein inhomogenes Material dar, das im kurzwelligen, solaren Spektralbereich (ca. 350-1500 nm) einen hohen Absorptionsgrad aufweist, während im langwelligeren infraroten Spektralbereich der Absorptionsgrad gering ist. Bekannt ist die industrielle Herstellung dieser Cermets für solarthermische Anwendungen mit galvanischen Verfahren (z. B. Nickel-pigmentiertes Al₂O₃) oder durch PVD-Verfahren. Beispiele hierfür sind Molybdän in SiO₂ oder Al₂O₃ (M. Gorlin et al., in Modeling of Optical Thin Films II, M.R. Jacobsen (Hrsg.), Proc. SPIE 1324, S. 214 (1990)) sowie Stahl in amorphem Kohlenstoff α-C:H (B. Window und G.L. Harding, Solar Energy 32, S. 609 (1984)).

Nachteilig bei den galvanischen Verfahren ist, daß für die Umwelt problemati sche Abfälle der verwendeten Galvanikbäder anfallen. Das PVD-Verfahren ist wegen der benötigten Vakuumanlagen technisch aufwendig und daher teuer. Während mit den galvanischen Verfahren leicht verschiedenste Substratgeome trien beschichtet werden können, ist dies mit PVD-Verfahren nur mit großem Aufwand möglich. Außerdem gelingt es mittels PVD-Verfahren auf unebenen Substraten eher schlecht, die für optische Schichten notwendige geringe Schicht dickentoleranz zu erreichen. Auch lassen sich mit den genannten Verfahren Größe und Form der leitfähigen Partikel sowie deren Volumenanteil in der Matrix nur schwer und nur begrenzt kontrollieren. Diese Faktoren haben aber einen wesentlichen Einfluß auf die optischen Eigenschaften eines Cermets. Ebenfalls ist es nicht möglich, chemisch kompliziert zusammengesetzte leitfähige Partikel in die Matrix einzubetten. Die Wahl der leitfähigen Partikel ist bei den oben genannten Verfahren stark eingeschränkt, z. B. auf Partikel aus elementar reinen Metallen (z. B. Gold, Kupfer, Nickel, Chrom, Molybdän, Eisen) oder Stahlpartikel. Ein weiteres Problem stellt die Oxidations- und Diffusionsstabilität der oft bei hohen Temperaturen und auch an Luft eingesetzten selektiven Absorber dar. Die selektiven Absorber degenerieren leicht durch Oxidation der Metallpartikel innerhalb der Matrix.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, ein Verfahren zur Herstellung eines selektiven Absorbers bereitzustellen, das leicht und umweltsi cher durchzuführen ist und die oben aufgezählten Nachteile vermeidet.

Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1. Vor teilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Von den Erfindern wurde gefunden, daß es vorteilhaft ist, zur Herstellung von selektiven Absorbern, die auf Cermets basieren, für die Bereitstellung der Cer mets das Sol-Gel-Verfahren anzuwenden.

Das Sol-Gel-Verfahren ist ein seit den 40er Jahren bekanntes Verfahren, ins besondere zur Herstellung von dielektrischen Keramiken und Beschichtungen mit elektrochromen Eigenschaften (z. B. Pach et al, J. of European Ceramic Society, 12 (1993), S. 249-255; Avellanieda C. et al, SPIE Vol. 2255, S. 38-51 (1994); Roy, R., Science Vol. 238, S. 1664-1669 (1987)). Die für einen Sol-Gel-Prozeß üblichen Schritte sind das Anfertigen einer Ausgangslösung, Aufbringen der Lösung auf ein Substrat, Gelieren dieser Lösung bzw. Aufbringen des Gels auf ein Substrat und Übergang des Gels in einen Festkörper, z. B. durch einen Trock nungs- oder Sinterprozeß. Beispielsweise ist es mittels eines solchen Verfahrens möglich einen Feuchtigkeitssensor herzustellen. Dazu werden Rußpartikel in einer Lösung, die durch Hydrolysieren von Siliciumalkoxid in einer bestimmten Menge Wasser erhalten wurde, dispergiert, wobei man das entstehende Sol (Ausgangslösung) auf einem isolierenden Substrat ausgelieren läßt und das sich ergebende Gel trocknet und sintert (Patent Abstracts of Japan C-646, Vol. 13, No. 466 (October 20, 1989)).

Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es möglich, einen selektiven Ab sorber bereitzustellen, der auf einem inhomogenen Material (Cermet) basiert, welches beliebig zusammengesetzte, aber definierte, leitfähige und dielektrische Komponenten enthält. Die Größe, die Form und der Volumenanteil der leitfähigen Partikel kann dabei in weiten Bereichen in definierter Weise variiert werden. Auch die Beschichtung von nicht-planaren Substraten ist problemlos möglich.

Erfindungsgemäß wird eine nicht-leitfähige oder dielektrische Matrix, in die leitfähige Partikel eingebettet sind, durch den Sol-Gel-Prozeß hergestellt. Zur Durch führung des Sol-Gel-Prozesses wird beispielsweise Niobchlorid (NbCl₅) in Butanol aufgelöst und mit Natriumbutoxid(Na(OBu)_n) unter Rückfluß vermischt. Dadurch kommt es zur Bildung von Nb(OBu_n)₅ und NaCl. Nach Abtrennen des NaCl wird ein Vorläufer-Sol erhalten, das durch Mischen mit Eisessig in ein Sol überführt wird. Eine andere Möglichkeit ein Sol (Ausgangslösung) herzustellen ist z. B. eine ca. 20% ige Wasser-Aluminiumhydroxid (Böhmit)-Mischung herzustellen und diese Mischung mit HNO₃ (pH = ca. 2) bei 55°C zu mischen. α-Al₂O₃-Impf kristalle werden in HNO₃ eingemischt und zu dem Böhmit-Hydrogel zugegeben. Die zwei Lösungen werden gründlich gemischt.

Verschiedenste Dielektrika können derart bzw. auf den Fachmann bekannte Weise in eine Ausgangslösung überführt werden, u. a. Al₂O₃, TiO₂, ZrO₂, Y₂O₃, SiO₂, Ta₂O₅, WO₃, V₂O₅, Nb₂O₅ oder CeO₂, und zwar in reiner Form oder als Mi schung. In die im Sol-Gel-Prozeß verwendete Ausgangslösung werden erfin dungsgemäß leitfähige Komponenten (Partikel) eingebracht, wobei eine Disper sion entsteht. Es ist allerdings auch möglich, die leitfähigen Partikel in das noch nicht allzu viskose entstehende Gel einzubringen. Unter leitfähigen Komponenten werden erfindungsgemäß Materialien verstanden, die bei Raumtemperatur (20°C) einen spezifischen elektrischen Gleichstromwiderstand von unter 10 0000 µΩcm aufweisen. Beispielsweise seien Materialien wie quasikristalline Legierungen (D. Shechtmann et al., Phys. Rev. Lett. 58 (1984), 1951; "Quasi cristals", C. Janot, Oxford University Press, Oxford, (1992)) genannt, die einen spezifischen Widerstand von ca. 5000 µΩcm aufweisen oder geeignet dotierte supraleitende Perowskite, die einen spezifischen Widerstand von ca. 10 000 µΩcm aufweisen. Auch manche Legierungen, wie Al₂Ru, weisen hohe spezifi sche Widerstände von 50 000 µΩcm auf. Im Gegensatz dazu sind dielektrische Materialien isolierend mit einem spezifischen Widerstand (in reinem Zustand) über 10¹⁰ Ωm. Die optimalen Eigenschaften im infraroten bis sichtbaren Spek tralbereich sind entsprechend unterschiedlich: Dielektrika weisen in weiten Teilen des Wellenlängenbereichs einen kleinen Imaginärteil k des komplexen Brechungs index = n + ik auf, typischerweise unter 0,01. Leitfähige Materialien weisen für Wellenlängen oberhalb der Plasmawellenlänge ein hohes k < 0,1 auf. Die für selektive Absorber geeigneten Materialien weisen ein solch hohes k auch im solaren Spektralbereich auf.

Erfindungsgemäß weisen die leitfähigen Partikel vorzugsweise Abmessungen im Bereich von (0,5 nm)³ [= 0,125 nm³] bis (1 µm)³ [= 1 µm³] auf, besonders bevorzugt im Bereich von (2 nm)³ bis (100 nm)³ auf.

Als leitfähige Partikel können Partikel aus weitgehend reinen Elementen ver wendet werden, wobei jedoch eine geringe Verunreinigung von bis zu 5 Atom prozenten, z. B. mit Sauerstoff oder Kohlenstoff, vorliegen kann. Die leitfähigen Partikel können aus Wolfram, Chrom, Platin, Gold, Silber, Nickel, Kobalt, Eisen, Titan, Zirkonium, Molybdän, Hafnium, Aluminium, Palladium, Vanadium oder Tantal bestehen. Ebenso können die Partikel aus einer Metallegierung oder einer leitfähigen Oxidkeramik bestehen. Unter Metallegierungen sind Materialien zu verstehen, die mit Ausnahme kleiner Verunreinigungen (unter 5 Atomprozent) aus den oben genannten Metallen oder Halbleitern (C, Ge, Si) bestehen. Bei den Metallegierungen ist die Klasse der quasikristallinen Materialien besonders geeignet, da die quasikristallinen Materialien hohe chemische Stabilität und ungewöhnliche optische Eigenschaften aufweisen. Besonders bevorzugt sind quasikristalline Materialien, die die folgenden Summenformeln erfüllen:

Al_aCu_bFe_cX_d mit 8 b 30,8 c 20,d 12 und a+b+c+d = 100

Al_aCu_bCo_cX_d mit 8 b 25,10 c 20,d 12 und a+b+c+d = 100

Al_aPd_bMn_cX_d mit 15 b 30,7 c 17,d 5 und a+b+c+d = 100

Ga_aMg_bZn_cX_d mit 30 b 35,50 c 55,d 5 und a+b+c+d = 100

Al_aCu_bLi_cX_d mit 10 b 15,25 c 35,d 5 und a+b+c+d = 100

Al_aCu_bRu_cX_d mit 8 b 25,10 c 20,d 12 und a+b+c+d = 100

In den obigen Formeln bedeutet X eine Verunreinigung, wie z. B. Na, O oder N oder ein oder mehrere der oben aufgelisteten Metalle. Ganz bevorzugt sind quasikristalline Materialien der folgenden Summenformeln: Al₆₅Cu₂₀Ru₁₅, Al₆₂Cu₂₀Co₁₅Si₃, Al_63,5Cu_24,5Fe₁₂, Al₆₄Cu₂₄Fe₁₂, Al₆₄Cu₂₂Fe₁₄, Al₆₀Cu₁₀Li₃₀, Al₆₅Cu₁₀Li₃₀, Al₆₅Cu₂₀Co₁₅, Ga₁₆Mg₃₂Zn₆₂ oder Al₇₀Mn₉Pd₂₁.

Eine andere Gruppe leitfähiger Materialien sind leitfähige Metalloxide, Metall nitride oder Metallcarbide sowie deren Mischungen. Besonders bevorzugt sind hierbei ZrN, TiN, HfN, CrN oder Ti_xAl_1-xN (mit 0,2 < x < 0,8), WC, ZrC, TiC oder HfC oder ein Oxynitrid MeN_xO_y (mit Me = Titan, Zirkonium oder Hafnium und 0,2 < x 1,5; 0,2 < y < 2,2; 0,4 < (x+y) < 2,2), sowie oxidische Metalle wie RuO_x und IrO_x (A.K. Goel et al., Phys. Rev. B 24, S. 7342, (1981)) und die bei entsprechender Dotierung leitfähigen Perowskite. Dazu zählen auch die häufig supraleitenden Oxidkeramiken, bevorzugt mit den folgenden Zusammen setzungen:
(Me)₂CuO₄ mit Me: Ca, Sr, Ba, Na, K, Lanthaniden
MeBa₂Cu₃O₇ mit Me: Y, Lanthanide
Bi₂Sr₂Ca_nCu_n+1O_2n+6 mit n = 0, 1, 2 Ta₂Ba₂Ca_nCu_n+1O_2n+6 mit n = 0, 1, 2.

Die Perowskite sind im kurzwelligen Spektralbereich stark absorbierend und erscheinen oft schwarz. Sie zeichnen sich durch hohe Oxidationsstabilität aus und werden in einem Oxidationsprozeß an Luft bei Temperaturen um 800°C gewonnen.

Mischungen der verschiedenen leitfähigen Partikel erweitern die Möglichkeiten, die optischen Eigenschaften zu variieren.

Die leitfähigen Partikel können beispielsweise durch Zerstäuben oder Verdamp fen in einer Inertgasatmosphäre (Helium, Neon, Argon, Krypton, Xenon) oder einer reaktiven Atmosphäre aus Sauerstoff oder Stickstoff oder einer Mischung der Gase bei einem Druck im Bereich von 1 Pa bis 10 000 Pa, bevorzugt 10 Pa bis 1000 Pa, hergestellt werden. Hierbei entstehen kleine Partikel mit Durch messern im Bereich von einigen Nanometern bis ca. 70 Nanometer. Größere Partikel können z. B. durch Mahlen hergestellt werden, wobei die Partikel mit Siebverfahren, Windsichten oder elektrostatische Abscheideverfahren in ge eignete Größenklassen getrennt werden können. Diese Verfahren haben den Vorteil, daß Partikel mit nahezu beliebiger Zusammensetzung erzeugt werden können und die Größe definiert eingestellt werden kann. Leitfähige Materialien mit Perowskitstruktur werden in einer Festkörperreaktion bei hohen Tempera turen hergestellt. Der dabei entstehende Sinterkörper besteht aus einzelnen, nanokristallinen Körnern, wobei durch Wahl der Prozeßparameter bei der Festkör pereaktion die Form und Größe der entstehenden Partikel in weiten Bereichen variiert werden kann. Die Partikel werden durch Mörsern getrennt.

Vorzugsweise werden die leitfähigen Partikel in einem Verfahrensschritt vor Zugabe zu der Ausgangsflüssigkeit bzw. dem Gel mit einer dielektrischen (z. B. oxidischen oder nitridischen) Schicht überzogen. Dies kann in einer reaktiven Atmosphäre aus Sauerstoff und/oder inerten Atmosphäre aus Stickstoff oder Edelgasen oder einer Mischung dieser Gase durch Oxidationsprozesse gesche hen. Die Beschichtung kann jedoch auch in einem weiteren Sol-Gel-Prozeß erfolgen. Diese Beschichtung hat mehrere Vorteile. Die Beschichtung kann eine homogene Dispersion der Partikel, ohne Agglomeration der Partikel, in Lösungen erleichtern. Weiterhin kann eine dichte, chemisch stabile Oxidhaut die chemische Stabilität der leitfähigen Partikel erhöhen und Diffusion der leitfähigen Partikel in die dielektrische Komponente verhindern. Besonders bevorzugt werden für den Zweck der Oxidationsstabilisierung stabile Al₂O₃-Schichten. Auf diese Weise können leitfähige Partikel gegen chemische Einflüsse und gegen Diffusion mit dichten dielektrischen Schichten stabilisiert werden. Das ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die im eigentlichen Sol-Gel-Prozeß hergestellte dielektrische oder nicht-leitfähige Komponente selbst nicht dicht genug ist, um die eingebette ten leitfähigen Partikel vor Sauerstoffzufuhr zu schützen, was eine Oxidation der leitfähigen Partikel verursachen würde. Auch können die Eigenschaften der inhomogenen Materialien (Cermets) in einem noch weiteren Bereich variiert wer den, wenn die die leitfähigen Partikel umgebende Schicht aus einem anderen Material als die dielektrische Komponente besteht. Mit Hilfe des dadurch einstell baren zusätzlichen Brechungsindexsprunges können die Eigenschaften der inhomogenen Materialien in vorteilhafter Weise weiter auf die Anwendung als selektiver Absorber optimiert werden.

Der Volumenanteil der leitfähigen Partikel im inhomogenen Material kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren in einem weiten Bereich von 0,1-60%, bevorzugt 1-40%, eingestellt werden, wodurch die Eigenschaften des Cermets entsprechend verändert werden. Im Sol-Gel-Prozeß hergestellte Materialien haben üblicherweise Hohlräume im Bereich von 0-20%.

Die inhomogenen Materialien (Cermets) können mittels Streichen, Sprühen, Tau chen oder Schleudern auf ein Reflektor-Substrat aufgebracht werden. Allerdings kann es dafür notwendig sein, übliche Additive zu verwenden, um die Viskosität und Oberflächenspannung der Lösung bzw. des Gels einzustellen. Damit ist die Beschichtung komplexer Substratgeometrien möglich, insbesondere von Rohren, die z. B. in der solarthermischen Stromerzeugung mit Parabolrinnenkraftwerken als selektive Absorber verwendet werden. Für selektive Absorber wird minde stens eine Schicht des mittels Sol-Gel-Prozeß hergestellten inhomogenen Materi als auf ein Reflektor-Substrat aufgebracht, wobei das Substrat die Metalle Kupfer, Aluminium, Molybdän, Silber, Gold oder deren Legierungen enthält oder daraus besteht. Es ist also auch eine Aufbringung auf mit hochreflektierenden Schichten beschichtete andersartige Substrate möglich. Die selektiven Eigen schaften werden mit Schichtdicken des Cermets im Bereich von 1 nm bis 10 µm, bevorzugt 10 nm bis 1 µm, erreicht. Es resultiert dabei ein selektiver Ab sorber mit hoher Absorption α_S im solaren Spektralbereich, während die Ab sorption im langwelligeren infraroten Spektralbereich für Wellenlängen oberhalb ca. 2 µm gering ist, d. h. die Reflexion hoch ist. Der hohe Reflexionsgrad im in fraroten Spektralbereich dient der Unterdrückung der Abstrahlungsverluste durch Wärmestrahlung, d. h. der selektiver Absorber weist einen kleinen Emissionsgrad ε auf. Die selektiven Eigenschaften können weiter verbessert werden, wenn mehrere Schichten mit unterschiedlichen Anteilen an leitfähigen Partikel ver wendet werden. Erfindungsgemäß ist es möglich, entsprechende Schichtsyste me durch mehrmaliges Aufbringen von Schichten mit unterschiedlichen Volu menanteilen der leitfähigen Partikel herzustellen. Weiter können zusätzlich rein dielektrische Schichten zur Verbesserung der Selektivität, d. h. zur Erhöhung des solaren Absorptionsgrads verwendet werden.

Die Erfindung wird nun weiter mit Bezug auf die Figuren erläutert, welche zeigen:

Fig. 1 Reflexionsgrad eines ersten Absorbers (Al₆₅Cu₂₀Ru₁₅-Partikel in einer Al₂O₃-Matrix auf einem Kupfersubstrat mit einer Al₂O₃-Antire flexionsschicht) als Funktion der Wellenlänge

Fig. 2 Reflexionsgrad eines zweiten Absorbers (TiN-Partikel in einer Al₂O₃- Matrix auf einem Kupfersubstrat mit einer Al₂O₃-Antireflexions schicht) als Funktion der Wellenlänge.

Die Erfindung wird nun weiter mit Bezug auf die folgenden Beispiele beschrie ben:

Beispiel 1

Quasikristalline, leitfähige Partikel eines Materials der Zusammensetzung Al₆₅Cu₂₀Ru₁₅ werden durch Ultramahlen erzeugt. Die entstehenden Partikel werden bei 400°C unter Sauerstoff bei einem Druck von 100 Pa oxidiert und es entsteht an der Oberfläche der Partikel eine ca. 8-10 nm dicke Oxidhaut (Al₂O₃), wobei keine weitere Oxidation der Partikel bei einer weiteren Behandlung bei 500°C an Luft unter Normaldruck stattfindet. Die Partikel werden in einer für die Erzeugung eines Sols von Al₂O₃ geeigneten Lösung (z. B. beschrieben in R. Roy, Science 238, S. 1664 (1987)) dispergiert. Da die quasikristallinen Partikel an der Oberfläche mit Al₂O₃ beschichtet sind, ist eine homogene Dispergierung der Partikel in der Lösung unproblematisch. Die Flüssigkeit wird durch Sprühen auf ein Kupfersubstrat aufgebracht und durch eine Temperbehandlung bei 600°C entsteht eine Cermet-Schicht aus quasikristallinen Partikeln in einer Al₂O₃-Matrix. Diese Schicht weist eine Dicke von 110 nm und einen Volumenanteil von quasikristallinem Material von 30% auf. In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine reine Al₂O₃-Schicht mit einer Schichtdicke von 60 nm aufgetragen, die als Antireflexionsschicht dient. Fig. 1 zeigt den Reflexionsgrad dieses Schicht systems als Funktion der Wellenlänge.

Beispiel 2

Leitfähige TiN-Partikel werden durch Mahlen mit einem mittleren Korndurch messer von 20 nm hergestellt. Die leitfähigen Partikel werden in einer für die Erzeugung von Al₂O₃ geeigneten Lösung (z. B. beschrieben in R. Roy, Science 238, S. 1664 (1987)) dispergiert. Ein Kupfersubstrat wird durch Schleudern mit der Flüssigkeit beschichtet, durch eine Temperbehandlung bei 600°C entsteht eine Cermet-Schicht mit einem Volumenanteil der leitfähigen Partikel von 20% sowie einer Schichtdicke von 130 nm. In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine reine Al₂O₃-Schicht mit einer Schichtdicke von 60 nm als Antireflexions schicht aufgetragen. Fig. 2 zeigt den Reflexionsgrad dieses Schichtsystems als Funktion der Wellenlänge.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung eines selektiven Absorbers aufweisend eine oder mehrere dünne Schichten auf einem Reflektor-Substrat, wobei mindestens eine der Schichten aus einem inhomogenen Material aus einer nicht-leitfähigen oder dielektrischen Matrix enthaltend leitfähige Partikel besteht, dadurch gekennzeichnet, daß

(a) in der Ausgangslösung des Sol-Gel-Prozesses leitfähige Partikel, deren spezifischer elektrischer Widerstand bei 20°C kleiner als 100 000 µΩcm ist, dispergiert werden, oder
(b) dem während des Sol-Gel-Prozesses entstehendem Gel leitfähige Partikel, deren spezifischer elektrischer Widerstand bei 20°C klei ner als 100 000 µΩcm ist, zugemischt werden, und
(c) die Schritt (a) entstehende Dispersion bzw. das in Schritt (b) ent stehende Gel auf ein Reflektor-Substrat aufgebracht wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangs lösung aus einem nicht-leitfähigen oder dielektrischen Material ausgewählt ist aus der Gruppe Al₂O₃, TiO₂, ZrO₂, Y₂O₃, SiO₂, Ta₂O₅, WO₃, V₂O₅, Nb₂O₅ oder CeO₂ oder einer Mischung davon, hergestellt ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als leitfähige Partikel solche mit einem Imaginärteil k des komplexen Bre chungsindexes der leitfähigen Partikel im solaren Wellenlängenbereich von 350 bis 1500 nm größer als 0,1 verwendet werden.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähigen Partikel regelmäßig oder unregelmäßig geformt sind und Volumina im Bereich von (0,5 nm)³ bis (1 µm)³ aufweisen.

5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähigen Partikel zu mindestens 95 Atomprozenten aus nur einem metallischen Element ausgewählt aus der Gruppe Wolfram, Chrom, Platin, Gold, Silber, Nickel, Kobalt, Eisen, Titan, Zirkonium, Molybdän, Hafnium, Aluminium, Palladium, Vanadium und Tantal bestehen.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähigen Partikel aus einer Metallegierung, einem leitfähigen Metall oxid, -nitrid oder -carbid oder Mischungen davon oder aus einer Oxidkeramik bestehen.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallegie rung Edelstahl, Messing oder Konstantan ist.

8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallegie rung zumindest teilweise in einer quasikristallinen Phase vorliegt, wobei der Volumenanteil der quasikristalline Phase in den leitfähigen Partikel 40% übersteigt.

9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das leitfähige Nitrid ZrN, TiN, HfN, CrN oder Ti_xAl_1-xN (mit 0,2 < x < 0,8) ist, das leitfähi ge Carbid WC, ZrC, TiC oder HfC ist oder ein Oxynitrid MeN_xO_y (mit Me = Titan, Zirkonium oder Hafnium und 0,2 < x 1,5; 0,2 < y < 2,2; 0,4 < (x+y) < 2,2).

10. Verfahren nach Anspruch 6, daß das leitfähige Oxid RuO_x, IrO_x, ein hoch dotierter Halbleiter oder eine oxidische Keramik mit Perowskit-Struktur ist.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß ein Gemisch leitfähiger Partikel verschiedener Zusammen setzung verwendet wird.

12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die leitfähigen Partikel durch Verdampfen oder Zerstäuben in einer Inertgasatmosphäre oder einer reaktiven Atmosphäre aus Sauer stoff oder Stickstoff oder einer Mischung der Gase bei einem Druck im Bereich von 1 Pa bis 10 000 Pa hergestellt werden.

13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die leitfähigen Partikel vor der Dispersion in der Ausgangs flüssigkeit oder dem Gel mit einer dielektrischen Schicht überzogen wor den sind.

14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß das Aufbringen der Dispersion bzw. des Gels auf das Re flektor-Substrat durch Streichen, Sprühen, Tauchen oder Schleudern erfolgt.

15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die mindestens eine Schicht des inhomogenen Materials auf dem Reflektor-Substrat eine Dicke von 10 nm bis 10 µm hat.

16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß das Reflektor-Substrat, auf das die mindestens eine Schicht aus inhomogenem Material als Absorberschicht aufgebracht wird, die Metalle Kupfer, Aluminium, Molybdän, Silber, Gold oder deren Legierungen enthält.

17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß neben der mindestens einen Schicht aus inhomogenem Material auch weitere Absorber- und/oder Antireflexions-Schichten auf dem Reflektor-Substrat aufgebracht sind.

18. Selektiver Absorber herstellbar nach dem Verfahren nach einem der An sprüche 1-7.