DE1955637A1

DE1955637A1 - Automatische Gammakorrektur

Info

Publication number: DE1955637A1
Application number: DE19691955637
Authority: DE
Inventors: Cath Pieter Geert; Robin Williams
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1968-11-21
Filing date: 1969-11-05
Publication date: 1970-06-18
Also published as: US3584233A; GB1294454A; FR2030077A1; FR2030077B1

Description

PHA 20503

ι .-■■■■· ■· ■ vurjQ ■ ■ . J¥/RJ

ip!.-ir.;'j· -"·-■-' ι 11 -X

Anmelder: N. V. PHILIPS'GLOBLAMPENFABRIEKEN-

Akte: PHA-20503
Anmeldung vom ι 4. NOV. 1969

"Automatische Gammakorrektur"

Die Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf ein Videosignalsystem und insbesondere auf eine Schal- " tungsanordnung zur Korrektur der Nichtlinearität zwischen Videoaufnahme- und Wiedergabesystemen.

Die Elektronenstrahlröhre (Bildröhre)'eines Fernsehempfängers hat ein Lichtausgangssignal, das in bezug auf das zugeführte Videosignal niGht linear ist. Wenn keine Kompensation für diese Nichtlinearität vorgesehen wäre, würde die Signalwiedergabe nicht einwandfrei sein und die Farbwiedergabe, die Intensität und andere Video-Eigenschaften beeinträchtigt werden. Aus diesem Grunde

009826/1227

PHA 20503

wird das Videosignal durch einen Verstärker mit einer nicht linearen Durchlasscharakteristik vorbearbeitet. Diese als Gammakorrektur bezeichnete Bearbeitung kann entweder im Empfänger oder sendeseitig erfolgen. In der Praxis erfolgt es im Fernsehkamerasystem selbst.

Für Farbfernsehen sind die Anforderungen für Gammakorrekturschaltungen strenger geworden. Insbesondere gibt es ein Bedürfnis nach einer Schaltungsanordnung, welche die erforderliche Nichtlinearität aufweist und ebenfalls temperaturstabil ist.

Die Gammaiibertragungskennlinie lässt sich auf vielerlei Weise durch Verwendung nichtlin&ärer Schaltungselemente verwirklichen. Aber die Kennlinien dieser Elemente (Dioden, Transistoren usw.) sind temperaturabhängig und es ist nicht möglich, die Nichtlinearität dieser Elemente anzuwenden, ohne dass ebenfalls ihre Temperaturabhängigkeit beeinflusst wird. Die Temperatureffekte lassen sich durch Verwendung mehrerer Elemente ausgleichen, aber ein vollständiger Ausgleich ist mit einfachen Schaltungsahordnungen nicht möglich. Schaltungsanordnungen mit Diodennetzwerken und ausgeglichenen Nichtlinearitäten wurden bereits untersucht, aber diese Untersuchungen ergaben keine wesentlichen Verbesserungen gegenüber bisher verwendeten Schaltungen.

Die vorliegende Erfindung bezweckt daher, eine Gammakorrekturschaltungsanordnung mit einer kennzeichnen-

00002571227

PHA 20503

den Nichtlinearitatskompensation zu schaffen.

Weiter bezweckt die Erfindung, eine Gammakorrekturschaltungsanordnung zu schaffen, die den Temperaturausgleich mit den erforderlichen Nichtlinearitätsgrad

aufrechterhält.

Bei der Suche nach einer verbesserten Gammakorrektur schaltungsanordnung wurden die Kennlinien des Feldeffekttransistors studiert.

Es ist bekannt, dass "ein Feldeffekttransistor (FET) einen derartigen Vorspannungspunkt hat, dass sein Senkenstrom (l_rf) über einen beträchtlichen Bereich der Quelle-zu-Senkenspannung (V, ) sich nicht mit der Temperatur ändert. Dies geschieht, wenn die geeignete Sperrvorspannung der Torelektrode des Feldeffekttransistors zugeführt wird. Damit jedoch die Nichtlinearität der Ausgangskennlinie des Feldeffekttransistors (i, gegen V, ) ungefähr die Form der Gammakurve hat, muss die Senke-zuQuellenspannung über einen Zehn-Volt-Bereich geändert werden. Dies ist ein zu grosser Spannungshub für diese Anwendung da die vorhandenen Spannungspegel in den Aufnahmesystemen in der Korrekturstufe etwa ein oder zwei Volt betragen.

Es wurde jedoch gefunden, dass es einen anderen Teil der Ausgangskennlinie des Feldeffekttransistors gibt, der die erforderliche Nichtlinearität aufweist, und dennoch nur einen Signalpegel von ca. 1 Volt (Maximum)

009825/1227

PHA 20503

erfordert. Wenn die Torelektrode eines Feldeffekttransistors in Durchlassrichtung vorgespannt ist, (d.h. für einen n-leitenden-Feldeffekttransistor positiv, für einen p-leitenden Feldeffekttransistors negativ), dann hat die sich daraus ergebende Senkenstrom (i.) gegen Senke-zuQuellenspannung - (v)-Kennlinie für 0-(V_ds) >1 Volt

eine Gestalt^ die der in Fernsehsystemen verwendeten Gammakorrekturkurve nahezu genau entspricht. Weiter wurde, gefunden, dass es möglich ist, einen Temperaturkoeffizienten für diese Kennlinie zu erhalten, die der Zahl Null nähert.

Dadurch, dass die Torelektrode des Feldeffekttransistors in Durchlassrichtung vorgespannt wird, wird die Senke konstant bleiben, wenn die Temperatur steigt. Dies kommt dadurch, dass die durch die abgenommene Mobilität der Majoritätsträger im Feldeffekttransistorkanal verursachte Abnahme des Senkenstroms durch eine Zunahme der Leitfähigkeit, verursacht durch das Injizieren von Minoritätsträgern aus der in Durchlassrichtung vorgespannten Torelektrode, ausgeglichen wird. Obschon der Ist-Wert der Tor-zu-Quellenspannung (v ) von Feldeffekttransistor zu Feldeffekttransistor je nach den Tor- und Kanaldotierungspegeln etwas schwankt, ist der Effekt derselbe.

Eine noch grössere Annäherung an die Gammakurve lässt sieh durch Vorspannung der Torelektrode gerade

009825/1227

PHA 20503

unter 1 Volt erhalten. Aber mit einem diesem Vorspannungspegel entsprechenden V -Wert wird der Senkenstrom zunehmen, je nachdem die Temperatur gesteigert wird. Durch absichtliche Einführung eines Widerstandes in die Torspeisespannung wird zur Überwindung dieses Effektes ein Gegenkopplungseffekt hervorgerufen. Die Tor-zu-Quellenspannung wird bei zunehmender Temperatur wegen des zu- . M

nehmenden Torstromes abnehmen, und wird den Senkenstrom abnehmen lassen. Diese Effekte können ebenfalls hervorgerufen werden um über einen kleinen Bereich der zu verwendenden V, auszugleichen.

Es ist erwünscht, die Verstärkungskennlinie der Korrekturschaltung zu variieren. Aber die Endpunkte der Korrekturkurve müssen auf festen Werten liegen bleiben, damit ein genauer Ausgleich gewährleistet ist. Um dies zu erreichen wird von einem vorzugsweise in Durchlassrichtung vorgespannten Feldeffekttransistor eine gewünschte Kurve erhalten-. Ein Signal mit einer angenommenen Linearität wird von der Charakteristik abgezogen, z.B. durch einen Differenzverstärker und die daraus ergebende Funktion wird O-Endpunkte haben. Eine Änderung der Verstärkungscharakteristik wird die Form der sich daraus ergebenden Funktion ändern, aber die Endpunkte werden auf Null liegen bleiben. Danach wird die lineare Funktion wieder eingeführt und die sich daraus ergebende Funktion stellt die gewünschte Gammakorrekturkurve dar.

009825/1227

PHA 20503

Ausführungsbeispiel der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Fernsehaufnahmesystems,

Fig. 2 eine Garamakorrekturkurve, Fige 3 die erfindungsgemässe Grundschaltung, Fig. h eine Abänderung der Fig. 3» Fig. 5 eine graphische Darstellung des Verhältnisses zwischen den Signalen nach der Erfindung,

Fig. 6 eine detaillierte Darstellung der Schaltungsanordnung nach der Erfindung,

Fig. 7 eine Darstellung der Signale. ¥ie in Fig. 1 dargestellt, wird ein Fernsehaufnahmesystem normalerweise eine Kameraröhre 10 mit einer Linse 11 enthalten, um ein Bild auf geeignete Weise in ein elektrisches Ausgangssignal umzuwandeln, welches Signal wie»jder einer Reihe von Vorverstärkern 12 und danach einer Korrektureinheit 13 zugeführt wird. Die Korrekturschaltung enthält die konventionelle Korrekturschal tungs anordnung und verursacht auf bekannte Weise einen Frequenzausgleich, eine Schwarzpegelkorrektur, eine Anklammerung, eine Hinzufügung von Horizontal- und Vertikal -Austastimpuls en und so weiter. Das korrigierte Videosignal wird dann einer Rege!schaltungseinheit 14 zugeführt, welche die Gammakorrekturschaltung 15 und die

0 09825/12 27

PHA 20503

unterschiedlichen Konturschaltungen 16, wie die Aperturkorrektur usw. enthält. Die Anordnung liefert schliesslich an einem geeigneten Ausgang 17 ein akzeptierbares Videosignal. .

' Wie obenstehend erwähnt, weist die Elektronenstrahlröhre eine inherente Nichtlinearität auf. Das bedeutet mit anderen Worten, dass die entsprechend einen

Signal erzeugte auffallende Lichtmenge nicht proportio- ^

nal zur Änderung im. Signal änd'ert, sondern entsprechend einer nichtlinearen Funktion, oder Gamma ändert.

Die Gammakorrekturschaltung muss eine Übertragungscharakteristik aufweisen wie

in der E = Ausgangsspannung,

E c Eingangsspannung ist.

Der Faktor 1/?f darf von Röhre zu Röhre etwas

abweichen, aber in der Praxis ist es ein bestimmter Nenn-^Wert 2T2 *

Um Unterschiedein den Aufnahmeröhren auszugleichen muss die übertragungscharakteristik mit einer einzigen Potentiometerregelung einstellbar sein, um Ganunaänderungen von _+ 10$ zu geben und die Endpunkte der Ubertragungskurve müssen wenn die Gammaregelung geändert wird, fixiert bleiben.

Fig. 2 zeigt das Verhältnis zwischen der Ein-

009825/1227

PHA 20503

gangs- und Ausgangsspannung E₁ und E entsprechen der Ubertragungskennlinie der Gainmakorrekturschaltung. Die zwei Endpunkte werden festgelegt, und diese müssen immer fixiert bleiben, ungeachtet der Änderung, die innerhalb der Gammakorrektureinheit auftreten kann.

F±g. 3 zeigt eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung des erforderlichen Signals, welche Schaltungsanordnung einen Feldeffekttransistor 18 mit einer Torelektrode 19, einer Senke 20 und einer Quelle 21 enthält, Der verwendete Feldeffekttransistor ist z.B. ein 2N 3823. Die Senke des Feldeffekttransistors ist mit dem Umkehreingang eines konventionellen Hochleistungsfunktionsverstärkers 22 mit mehreren Eingängen verbünden. Der nicht invertierenden Eingangsklemme des Verstärkers wird das nicht korrigierte Videosignal (x) zugeführt. Ein Potential V spannt den Feldeffekttransistor zum Bereich seigs *

ner gewünschten Charakteristik in Durchlassrichtung vor.

Eine noch grössere Annäherung der Gammakurve lässt sich durch Vorspannung der Torelektrode gerade unter 1 Volt erreichen. Aber mit einem diesem Vorspannungspegel entsprechenden V -¥ert wird der Senkenstrom bei

gs

zunehmender Temperatur zunehmen. Durch absichtliche Einführung eines Widerstandes in die Torspeisespannung wird zur Überwindung dieses Effektes ein Gegenkopplungseffekt erzeugt. Die Tor-zu-Quellenspannung wird wegen des zunehmenden Torstromes mit zunehmdner Temperatur abnehmen

009825/12 27

PHA 20503

und wird den Senkenstrom abnehmen lassen* Diese Effekte können ebenfalls hervorgerufen werden um über einen schmalen Bereich der zu verwendenden V, auszugleichen.

Wie in Fig. 4 dargestellt, dienen die Widerstände 23 und 24 zu einer genauen Vorspannung des Feldeffekttransistors 18, und zählen den Widerstand in der Torspeisespannung hinzu, während der Widerstand 25 (R₁) eine genaue Rückkopplung für den Verstärker schafft. · \

Die Teilerschaltung 23-24 stellt die genaue Impedanz (ca. 100 für die dargestellte Musterwerte) zur Erhaltung eines ideellen Temperaturausgleiches in der Torschaltung dar.

Die in den Fig. 3 und 4 dargestellte Schaltung erzeugt E = f (x) + x, in der f (x) die !„-gegen-V, -Kennlinie des Feldeffekttransistors und der Eingang

x=V, ist. Für einen η-leitenden Feldeffekttransistor ds

wird V auf ein positives Potential (ca. 0*9 V) gelegt, wobei die I,, V, -Kennlinie automatisch temperaturmässig ausgeglichen wird. Die Eingangsspannung (x) wird dem ' nicht invertierenden Eingang des Funktionsverstärkers zugeführt und die Ausgangsspannung wird dann durch Addition der zwei Spannungeabfalle χ und IjR₁ erhalten, wodurch E = IjI₁ + x, (vorausgesetzt, dass der Funktionsverstärker ideal ist) und IjR₁ = f(x) entsteht. Daher kann durch die Wahl eines geeigneten R₁-Wertes (R₁ wird derart gewählt, dass wenn V. = χ = 1V, f (x) = 1V und folglich E = 2V ist), E eingestellt werden.

009825/1227

PHA 20503

In den Fig. 1 oder 5 ist die ideale Gammakorrekturübertragungscharakteristik dem Wert f(x) fast gleich. Eine noch grössere Annäherung lässt sich durch Einführung eines Widerstandes R (Fig. 4) über den Feld-~ effekttransistor und durch Einstellung seines Wertes und des Wertes V erhalten, damit die beste Übereinstimmung

gS ,o

der I,, V, -Charakteristik mit der Gammakurve erhalten wird. In diesem Fall ist I, der Gesamtström in der FeId-

effekttransistorsenke und dem Widerstand R. Aber in der Praxis ist ein Verfahren zur Einstellung der vollständigen Gammakurve erforderlich um mit den Kennlinien der vorhergehenden Anordnung (z.B. der Aufnahmeröhre bei Fernsehkamera's) übereinzustimmen. Es sei auch erwähnt, dass wenn die Gammakorrekturschaltung eingestellt ist, die zwei Endpunkte der Ubertragungskurve fixiert bleiben müssen.

Das Wesentliche dieses Verfahrens ist die Linearität der Funktion (x) von der Gammakurve f (x) zur Bildung von (f(x) - x) zu subtrahieren. Die Funktion wird durch o( , die Verstärkung der Korrekturschaltung, multipliziert. Danach wird (x) zur Funktion o^ (f (x) - x) zurückaddiert. Dies ergibt O^ (f (x) - x) + x. Die Endpunkte dieser Kurve sind unabhängig von ©( , denn wenn χ , = O und wenn χ =1, (f (x) - x) ist Null.

Wenn d\ = 1 ist, ist θ( (f (x) - x) + χ = f (χ) , was die Gammakurvenfunktion ist, und wenn βί derart ein-

009825/1227

PHA 20503

gestellt wird, dass sie nicht 1 ist» ändert sich gleichsam die Gamma der Übertragungscharakteristik, während die Endpunkte der Gammakurve fixiert bleiben. Eine Schaltungsanordnung mit dem obenstehenden Verhältnis ist in Fig. dargestellt«

Die Schaltungsanordnung nach Fig. 6 zeigt einen η-leitenden Feldeffekttransistor 26 mit einer Torelektrode 27* einer Senkenelektrode 28 und ein~r Quellen- ™ elektrode 29. Zwei Widerstände 30 und 31 zwischen einer Spannungsquelle +V und einem Bezugspunkt, wie z.B.* Erde, erzeugen an der Torelektrode 27 eine Vorspannung in Durchlassrichtung und führen einen Temperaturausgleich an der Torelektrode herbei. Dir .. "sgangs- oder Senkenelektrode 28 ist mit dem Invertereing; .mg 32A eines Differenzeingangshochleistungsfunktionsverstärkers 32 verbunden, der mit einer Gegenkopplung mit einem festen Widerstand 33 und einem regelbaren Widerstand ^k versehen g ist. Das nicht korrigierte Videoeingangssignal wird dem nicht invertierenden Eingang 32B des Verstärkers 32. zugeführt, über ein RC-Netzwerk, das aus einem einem Kondensator 36 parallelgeschalteten Widerstand 35 besteht. Der Eingang 32 B ist ebenfalls mit einem Pegeleinstellpotentiometer 37 verbunden, der einen mit einem einstellbaren Widerstand 39 verbundenen festen ersten Widerstand 38, und einen zweiten festen Widerstand ^O enthält, die alle zwischen einer Quelle positiver und negativer Span-

009825/1227

PHA 20503

nung +V bzw. -V liegen. Der Pegeleinstellpotentiometer 37 ist für die Wirkung der Schaltungsanordnung nicht wichtig und könnte fortgelassen werden. Das am Ausgang 42 des Verstärkers 32 erscheinende Ausgangssignal wird über ein Vorspannungsnetzwerk aus den Widerständen 42 und 43 einem nicht invertierenden Eingang 44A eines zweiten Differenzeingangsfunktionsverstärkers 44 zugeführt. Der Verstärker 44 enthält einen Gegenkopplungswiderstand 45 und erhält das Videoeingangssignal am Invertereingang 44b. Das Signal vom Ausgang 46 des Verstärkers 44 wird über ein Potentiometer 47 über einen Widerstand 48 dem invertereingang 49A eines dritten Differenzeingangsfunktionsverstärkers 49 mit einem Gegenkopplungswiderstand 50 zugeführt Das Videοeingangssignal wird ebenfalls über einen Widerstand 51 dem Invertereingang 49A des Verstärkers 49 zugeführt, und der nicht invertierende Eingang 49B des Verstärkers 49 wird über einen Widerstand 52 mit einem Bezugs- oder Massenpotential verbunden«

Das am Ausgang 53 des Verstärkers 49 erscheinende Signal wird üner einen Ausgangswiderstand 54 einem Belastungswiderstand R^ zugeführt.

Die in der Figur dargestellten Werte sind nur als Beispiel gemeint und haben keine begrenzende Bedeutung.

In der ersten Stufe dieser Schaltung wird Y₁ = f(x) + x, wie obenstehend beschrieben, gebildet, Dieses Signal und χ wird dann dem zweiten Funktions-».verstärker 44 zur Erzeugung von Y~ = 2(f (x) - x) in der zweiten

0 09 825/1227

PHA 20503

Stufe zugeführt. Danach wird Y = -2 (2β (f (x) - x) + x) =■ -2 (o( (f (^x) - ^x) + ^x) ^mi* dem dritten Funktionsverstärker 49 gebildet. Die belastete Ausgangsspannung E = -g-Y«. Der Gesamt-Gammaregelpotentiometer ist 47 und die Spannung am Schleifer des Potentiometers 47 wird das A -fache der Spannung V sein, wobei /-> zwischen 0 /> -—> 1 einstellbar sein kann. Die Variabele/^ entspnicht /S = —— , so dass eine Änderung zwischen 0 und 1 zwischen 0 und 2 schwankt.

Auf diese Weise stellt das Einstellpotentiometer 47 den ¥ert vonO( ein. Der Gammaregelbercieh ist äusserst' gross, wennOi = 0 ist, das Ausgangs signal X ist folglich linear. WennQ^ zunimmt wird die Ausgangskurve zunehmend nichtlinear beim Durchgang durch die ungefähre Gammakurve f (x), wenn C\ = 1 ist. Die Verhältnisse zwischen den Ubertragungscharakteristiken für mehrere Werte von ©( für die Schaltung nach Fig. 6 sind in Fig. 7 dargestellt.

Der Ausgangspegel wird auf Null Volt am Anfang' des Hubs (wenn das Eingangssignal χ = 0 ist) mittels des Potentiometers 39 (Verstärker-Offset-Ausgleich) eingestellt.

Der Ausgangspegel über den Belastungswiderstand R_L kann am Ende des Hubs (wenn χ = 1V) mittels des Potentiometers 34 auf 1 Volt eingestellt werden. Eine Änderung des Potentiometers 37 ändert die wirksame^ der Anordnung,

009825/1227

PHA 20503

welche die Änderungsausgleichskurven, wie diese in den Fig. 5 und 7 dargestellt sind, erzeugt.

Bei einer obengenannten Ausführung wird das Einstellpotentiometer 47 die Q der Kurve variieren und die Endpunkte werden fixiert bleiben. Wenn die Gammakurve für manche Einstellung des Potentiometers 47 in der Nähe der Mitte seiner Bereiches keine ausreichende Annäherung "* ist, kann die Vorspannung des Tores des Feldeffekttransistors zur Übereinstimmung geändert werden. Dazu könnte der Widerstand 31 auch einstellbar gemacht werden.

Obschon die Erfindung anhand bestimmter Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, dürfte es einleuchten, dass im Rahmen der Erfindung für den Fachmann Änderungen in der Form und den Einzelheiten gemacht werden können.

009825/1227

Claims

PHA 20503

Patentansprüche;

Iy Gammakorrekturschaltungsanordnung, dadurch gekennzeichnet, dass diese Schaltungsanordnung einen Feldeffekttransistor mit einer Tor-, einer Quelle- und einer Senkeelektrode, Mittel zum Vorspannen der Torelektrode des genannten Feldeffekttransistor auf einen der gewünschten Korrekturkurve annäherenden Bercieh enthält, wobei der genannte Bereich eine Nulltemperaturkoeffi? ^ntkurve schafft, wobei die Senke-Quellenstrecke des genannten Feldeffekttransistors mit einem Eingang eines Differenzeingangsfunktionsverstärkers gekoppelt ist, während das nicht korrigierte Signal dem anderen Eingang des genannten Verstärkers zugeführt wird, und Mittel zur Herleitung eines in seiner Linearität korrigierten Signals vom Ausgang des genannten Verstärkers enthält.

2. Gammakorrekturschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung |

einen über die Quelle-Senkenstrecke des Feldeffekttransistors geschalteten Widerstand enthält.

J. Gammakorrekturschaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,* dass die Schaltungsanordnung einen Widerstand in der Torelektrodenschaltung des genannten Feldeffekttransistors enthält. k. Gammakorrekturschaltungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung Mittel zum Vorspannen in Durch-

009825/1227

PHA 20503

lassrichtung der Torelektrode des genannten Feldeffekttransistors enthält, wobei die Senke-Quellenstrecke des genannten Feldeffekttransistors mit dem Invertereingang eines Differenzeingangsfunktionsverstärkers verbunden ist, während das nicht korrigierte Signal dem nicht invertierenden Eingang des genannten Verstärkers zugeführt wird. 5 . Gammakorrekturschaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung einen zweiten Differenzeingangsfunktionsverstärker enthält, wobei der Ausgang des genannten ersten Funktionsverstärkers mit dem nicht invertierenden Eingang des
zweiten Differenzeingangsfunktionsverstärkers verbunden ist, während das genannte nicht korrigierte Signal dem
Invertereingang des genannten zweiten Verstärkers zugeführt wird, wobei Einstellmittel den Ausgang des genannten zweiten Verstärkers mit dem invertierenden Eingang
eines dritten Dif f erjenzeingangsfunktionsverstärker verr binden, während eine Quelle des Bezugspotentials mit dem nicht invertierenden Eingang des genannten dritten Verstärkers verbunden ist, und Ausgangsmittel vorhanden
sind, die zur Erzeugung eines in seiner Linearität korrigierten Signals mit dem Ausgang des genannten dritten
Verstärkers verbunden sind.

6. Gammakorrekturschaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung Mittel enthält, die zur Variierung der Verstärkung der

009 825/12 27

1855637

PHA 20503

genannten Schaltungsanordnung zwischen dem genannten zweiten und dritten Funktionsverstärker liegen. 7. Gammakorrekturschaltungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung ein ohmsches Spannungsteilernetzwerk enthält, das zur Durchführung einer Vorspannung in Durchlassrichtung mit der Torelektrode des genannten Feld-

effekttransistors verbunden ist, wobei das genannte ^

ohmsche Spannungsteilernetzwerk weiter eine Vorspannung und einen Widerstand in de Torelektrode einführt, deren bzw. dessen Grosse .ausreicht um den genannten Transistor in einem Temperaturkoeffizientteil mit einem Wert von nahezu Null seiner Charakteristik arbeiten zu lassen.

009825/1227