DE19536792A1 - Verfahren zur Stofftrennung aus einem flüssigen Gemisch durch Kristallisation - Google Patents
Verfahren zur Stofftrennung aus einem flüssigen Gemisch durch KristallisationInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stofftrennung aus
einem flüssigen Gemisch durch Kristallisation.
Die Kristallisation, insbesondere die fraktionierte Kristallisation, ist ein
thermisches Trennverfahren, das bevorzugt Anwendung bei der Trennung
flüssiger Stoffgemische findet. Besonders effektiv ist die Kristallisation bei
der Trennung temperaturempfindlicher Stoffe, bei der Trennung azeotro
per Gemische oder bei Stoffen mit niedrigen relativen Flüchtigkeiten.
Die Verfahren der fraktionierten Kristallisation beruhen auf der Bildung
oder dem Wachstum von Kristallen an gekühlten Flächen. Hierbei wird
das zu reinigende Stoffgemisch in den entsprechenden Kristallisator
eingefällt und anschließend an den gekühlten Flächen eine feste Phase
ausgefroren, die sich in ihrer Zusammensetzung von der flüssigen Phase
unterscheidet. Nachdem ein bestimmter Anteil des eingesetzten Stoff
gemisches ausgefroren ist, wird die verbleibende flüssige Restphase
abgetrennt. Üblicherweise erfolgt dies durch einfaches Abfließenlassen der
Restphase. In DE-OS 26 06 364 ist ein Verfahren zur Stofftrennung aus
einem flüssigen Gemisch durch fraktionierte Kristallisation beschrieben,
bei dem man das flüssige Gemisch wiederholt in turbulenter Strömung
durch eine indirekt gekühlte Kristallisationszone leitet mit der Maßgabe,
daß die Kristallisationszone stets gefüllt ist. Eine Weiterentwicklung dieses
Verfahrens beschreiben EP-B O 279 439 und DE-OS 37 08 709, bei dem
die auf einer Kühlfläche ausgefrorenen Kristallschichten mit einer Reini
gungslösung in Kontakt gebracht und damit gereinigt werden. In den
beiden letztgenannten Druckschriften wird auch das Vorhandensein einer
dünnen Impfkristallschicht auf den Kühlflächen offenbart, die durch einen
kristallisierten Rieselfilm aus der vorangegangenen Kristallisationsstufe
nach dem Entleeren der Schmelze entsteht. Zur Bildung dieser Impf
kristallschicht ist nach Ablassen des Kristallisates in der vorangegangenen
Kristallisationsstufe eine starke Unterkühlung erforderlich.
In DE-AS 17 69 123 wird beschrieben, daß die Kristallisation durch die
Bildung lokaler Kristallisationszentren infolge starker Unterkühlung aus
gelöst werden muß. Als weitere Variante wird das Auslösen der Kristalli
sation durch spontane Keimbildung infolge einer starken Unterkühlung
eines dünnen Flüssigkeitsfilms, der aus der vorangegangenen Kristallisa
tion stammt, angegeben. Es wird auch darauf hingewiesen, daß die
spontane Keimbildung bei besonders tiefen Temperaturen des Kühlmittels
erfolgen muß. Nachteilig ist hierbei insbesondere, daß zur Kühlung ein
hoher energetischer Aufwand erforderlich ist.
Nachteilig bei der Unterkühlung ist, daß der gesamte Kristallisator
abgekühlt werden muß. Nach dem Festfrieren der Impfschicht muß der
gesamte Apparat wieder in die Nähe der Gleichgewichtstemperatur
aufgeheizt werden, da infolge der zu großen Temperaturdifferenzen
zwischen Impfschicht und Gleichgewichtstemperatur der zu reinigenden
Schmelze unkontrolliertes Kristallwachstum zu Beginn der Kristallisation
auftreten würde. Das Aufheizen des Apparats vor der Kristallisation
bringt je nach vorausgegangener Unterkühlung große energetische Nach
teile.
In der Patentschrift EP-B 0 218 545 wird darauf hingewiesen, daß bei
der Kristallisation der Beginn der Kristallisation bei gewissen Materialien
Probleme bieten kann, d. h. die Auslösung der Kristallbildung ist vielfach
nicht reproduzierbar. Zur Lösung dieses Problems schlägt die Patent
schrift vor, Einbauten in der Kristallisationsvorrichtung vorzusehen, die
vorteilhaft mit Perforationen versehen sind, um zu Beginn der Kristallisa
tion die Flüssigkeitsverteilung zu verbessern. Nachteilig ist hierbei neben
dem zusätzlichen apparativen Aufwand der energetische Aufwand, der
zum Kühlen und Heizen der Einbauten erforderlich ist.
Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, die Verfahren zur Stofftren
nung durch fraktionierte Kristallisation so zu modifizieren, daß gegenüber
den bisher bekannten Verfahren deutliche Vorteile im Hinblick auf den
Reinigungsaufwand und damit die Wirtschaftlichkeit der Reinigung erzielt
werden.
Überraschenderweise wurde getunden, daß sich dieses Problem dadurch
lösen läßt, indem man vor der Kristallisation auf diejenigen Flächen des
Kristallisators, von denen aus während der Kristallisation Kristalle wach
sen, eine zweiphasige Impfschicht, bestehend aus Schmelze oder Lösung
und in dieser Schmelze oder Lösung suspendierten Kristallen des zu
trennenden Gemisches, aufbringt.
Somit betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Stofftrennung aus einem
flüssigen Gemisch durch Kristallisation in einem Kristallisator, wobei man
vor der Kristallisation auf diejenigen Flächen des Kristallisators, von
denen aus während der Kristallisation Kristalle wachsen, eine zweiphasige
Impfschicht in Form einer Suspension von einer Schmelze oder Lösung
des zu trennenden Gemisches mit darin suspendierten Kristallen des
Gemisches aufbringt. Bevorzugte Ausführungsformen des Verfahrens sind
in den Unteransprüchen definiert.
Hierbei umfaßt gemäß der Erfindung der Begriff "Impfschichten" auch
aus einer Suspension sedimentierte und auf eine Kristallisatorfläche
festgefrorene Kristalle.
Die Erfindung bietet den Vorteil, daß zur Auslösung der Kristallisation
der Impfschicht keine Unterkühlung der Schmelze oder Lösung mehr
erforderlich ist. Damit wird ein unkontrolliertes Kristallwachstum, das
leicht zu Einschlüssen von Verunreinigungen fährt und somit den Reini
gungseffekt herabsetzt, vermieden. Außerdem ist die Auslösung der
Kristallisation in jedem Fall reproduzierbar. Daneben wurde gefunden,
daß eine Schmelze oder Lösung mit suspendierten Kristallen die Flächen
des Kristallisators besser benetzt als eine einphasige Impfschicht, wie sie
in EP-B 0 218 545, DE-AS 17 69 123 und DE-OS 37 08 709 beschrie
ben ist. Die bessere Benetzung fährt zu einer homogenen Belegung des
Kristallisators mit einer Impfschicht und damit auch zu einer erheblich
verbesserten Trennwirkung der Kristallisation. Somit wird die Reinigungs
wirkung der Kristallisation verbessert, ohne daß hierzu irgendwelche
zusätzlichen Einbauten, wie in EP-B 0 218 545 vorgesehen, oder eine
Unterkühlung der Schmelze und des Kristallisators, wie in DE-AS 17 69 123
beschrieben, was zu den oben genannten Nachteilen fährt, erforder
lich wären.
Die Durchführung des erfindungsgemäßen Kristallisationsverfahrens unter
liegt an sich keiner Beschränkung. Grundsätzlich können alle Kristallisato
ren verwendet werden, deren Funktion auf der Bildung von Kristallen
auf gekühlten Flächen beruht. Das erfindungsgemäße Verfahren kann als
dynamisches oder statisches Verfahren durchgeführt werden oder als
Kombination dieser beiden Verfahren. Bei den statischen Verfahren, wie
sie z. B. in US 3 597 164, EP 0 323 377 und FR 2 668 946 beschrieben
sind, wird die flüssige Phase nur durch freie Konvektion bewegt, während
bei den dynamischen Verfahren die Kristallisation bei einer erzwungenen
Konvektion der flüssigen Phase durchgeführt wird. Dies kann durch eine
erzwungene Strömung in volldurchströmten Wärmeüberträgern erfolgen,
wie z. B. in DE 37 36 603 beschrieben, oder durch die Aufgabe eines
Rieselfilms auf eine gekühlte Wand erfolgen, wie es z. B. DE-AS 17 69 123
und EP-B 0 218 545 beschreiben.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist sowohl für die Kristallisation aus der
Schmelze der abzutrennenden Substanz als auch aus einer Lösung der
abzutrennenden Substanz in einem Lösungsmittel anwendbar und eignet
sich allgemein für alle Substanzen, die sich auf einer gekühlten Fläche
auskristallisieren lassen. Besondere technische Bedeutung hat die fraktio
nierte Kristallisation aus der Schmelze erlangt. Besonders zur Trennung
geeignete flüssige Gemische sind solche mit einem Schmelzpunkt von -50°C
bis +300°C, die sich bei den angewandten Temperaturen nicht
zersetzen und vorzugsweise z. B. N-Vinylpyrrolidon, Naphthalin, Anthracen,
Bisphenol A, Benzoesäure, Monochloressigsäure, Acrylsäure, Methacryl
säure, Piperazin, Caprolactam, Xylol (Isomerentrennung), Hexamethylen
diamin, Toluoldiisocyanate (Isomerentrennung) und Diphenylmethandi
isocyanat (Methylendi(phenylisocyanat); Isomerentrennung) enthalten.
Die in dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendete Suspension kann
in unterschiedlichen Apparaten oder Vorrichtungen erzeugt werden. In
einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung friert man aus einer
Schmelze oder Lösung des zu trennenden Gemisches Kristalle aus und
bringt diese in die Schmelze oder Lösung ein. Bevorzugt werden in
sogenannten Kratzkühlern oder Rührkesseln insbesondere mit wandgängi
gen Rührern durch indirekte Kühlung Kristalle ausgefroren, die mit Hilfe
von Schabelementen von den gekühlten Wänden in die Suspension
gefördert werden. Daneben besteht auch die Möglichkeit, durch Abkühlen
der Schmelze oder Lösung entweder über den Kristallisator selbst oder
über in den Kristallisator oder andere Apparate eingebaute kühlbare
Elemente (z. B. Kühlfinger, Kühlstrecken oder Rührbehälter) Kristalle
direkt in der Schmelze oder Lösung zu erzeugen und auf diese Weise
eine Suspension zu erzeugen. Dies hat den Vorteil, daß die Kristalle
nicht abgeschabt werden müssen. Die Verwendung kühlbarer Elemente ist
vorteilhaft, da nicht der gesamte Kristallisator abgekühlt werden muß. Es
ist auch möglich, daß man im Kristallisator oder außerhalb von diesem
eine Suspension erzeugt und die Kristalle aus der Suspension im Kristal
lisator auf die Kristallisationsflächen sedimentieren läßt, wo sie als
Impfkristalle wirken. Der Feststoffgehalt der Suspension liegt zwischen 0 g
Feststoff/g Suspension und 60 g Feststoff/g Suspension.
In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung bringt man die Suspen
sion auf die Kristallisatorflächen auf, indem man den Kristallisator mit
der Suspension fällt und anschließend entleert. Nach der Entleerung
verbleibt eine Suspensionsschicht auf den Kristallisatorflächen, die dann
(bei ihrer Gleichgewichtstemperatur) angefroren wird. Entsprechend kann
verfahren werden, wenn die Suspension im Kristallisator selbst erzeugt
wird. Daneben besteht auch die Möglichkeit, die Suspension über übliche
Verteilervorrichtungen, wie Überlaufwehre, Düsen oder Spaltverteiler, auf
die Kristallisatorflächen aufzubringen. Dadurch kann ein Befüllen des
Apparates mit anschließendem Entleeren vermieden werden.
Erfindungsgemäß geeignete Verfahren zur Durchführung der Kristallisation
sind z. B. in US 5 329 021, DE 26 06 364, DE 17 69 123 und EP 0 475 893
beschrieben. Erfindungsgemäß wird nach Aufbringen der Impfschicht
das zu reinigende Stoffgemisch als Schmelze oder Lösung in den Kristal
lisator eingefüllt und anschließend an den gekühlten Flächen des Kristal
lisators eine feste Kristallisatphase ausgefroren. Da bereits zu Beginn der
Kristallisationsschritte eine kristalline Phase als Impfschicht vorliegt, muß
das zu reinigende Stoffgemisch zur Kristallisatbildung nicht mehr unter
kühlt werden. Beim Befüllen des Kristallisators ist die zu reinigende
Schmelze oder Lösung entweder auf Schmelztemperatur oder wenige
Grad Celsius über der Schmelztemperatur, um eine Kristallbildung in den
Zuführleitungen zu vermeiden. Werden die Kristalle aus der Suspension
aussedimentiert und festgefroren, bedarf es keines Entleerens und an
schließenden Füllens mit Rohschmelze oder -lösung mehr. In diesem Fall
kann sofort kristallisiert werden.
Nach Ausfrieren eines bestimmten Anteils des eingesetzten Stoffgemisches
trennt man die beiden Phasen voneinander, was z. B. durch einfaches
Abfließenlassen oder Abpumpen der flüssigen Rückstandsphase erfolgen
kann. Anschließend erwärmt man die abgetrennte kristalline Phase auf
eine Temperatur, bei der sich die Kristalle verflüssigen und unterwirft
diese Schmelze oder Lösung ggf. weiteren Kristallisationsschritten. Ebenso
kann die Rückstandsphase weiteren Kristallisationsschritten unterworfen
werden, wie es weiter unten näher beschrieben ist. Der Kristallisation
können sich weitere Reinigungsschritte anschließen. Besonders geeignet
sind ein Waschen der Kristallschicht mit Reinigungsflüssigkeit, wie es z. B.
in DE-OS 37 08 709 beschrieben ist, und/oder die Durchführung eines
sogenannten Schwitzens der Kristallschicht. Beim Schwitzen wird die
Temperatur der Kristallschicht angehoben, wobei bevorzugt die höher
verunreinigten Bereiche der Kristallschicht abschmelzen und so eine
zusätzliche Reinigungswirkung erzielt wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird in einer oder mehreren Kristallisa
tionsstufen durchgeführt. Allgemein kann man die Kristallisationsstufen in
Reinigungsstufen und Abtriebsstufen einteilen. Zur Erhöhung der Trenn
wirkung können sich einer Kristallisationsstufe weitere Reinigungs-(Kristal
lisations-)stufen anschließen, in denen jeweils das Kristallisat der vorher
gehenden Stufe kristallisiert wird. Zur Erhöhung der Ausbeute des
Verfahrens können sogenannte Abtriebsstufen vorgesehen sein, in denen
die flüssige Rückstandsphase Abtriebs-(Kristallisations)stufen unterzogen
wird. Vorzugsweise wird hierbei nach dem Gegenstromprinzip vorgegan
gen, bei dem die Kristallisatströme den Stufen mit der nächsthöheren
Stufennummer und die Kristallisationsrückstandsströme den Stufen mit der
nächstniedrigeren Stufennummer zugeführt werden. Die Anzahl der
Kristallisationsstufen und damit auch der Reinigungs- und Abtriebsstufen
hängt von der Trennaufgabe ab und kann vom Fachmann im Rahmen
üblicher Versuche ermittelt werden.
Prinzipiell kann zur Erzeugung der Suspension jede im Prozeß auftreten
de Zusammensetzung der Schmelze oder Lösung verwendet werden. In
einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird zur Erzeugung
der Suspension eine Schmelze oder Lösung verwendet, die reiner als die
in der jeweiligen Stufe zu kristallisierende Schmelze oder Lösung ist.
Vorzugsweise wird das die jeweilige Kristallisationsstufe verlassende
geschmolzene Kristallisat verwendet.
Die Erfindung wird anhand des folgenden Beispiels, das eine bevorzugte
Ausführungsform der Erfindung darstellt, näher erläutert.
N-Vinylpyrrolidon mit einer Ausgangsverunreinigung von 0,6 Gew.-% (be
zogen auf 100 Gew.-% N-Vinylpyrrolidon (diese Verunreinigungskonzen
tration entspricht der im US-Patent US-A-5 329 021 genannten Ver
unreinigungskonzentration)) wurde in einem Kristallisator, wie er in der
Offenlegungsschrift DE-A-26 06 364 (BASF) beschrieben ist, in zwei
Reinigungsstufen und vier Abtriebsstufen kristallisiert. Hierbei wurde in
allen Kristallisationsstufen als Impfschicht auf die Flächen des Kristalli
sators eine zweiphasige Suspension bestehend aus N-Vinylpyrrolidon
schmelze mit suspendierten N-Vinylpyrrolidon-Kristallen aufgebracht. Zum
Erzeugen der Impfschicht wurde der Kristallisator mit der in der jeweili
gen Stufe zu reinigenden Schmelze gefüllt und durch Abkühlen des
Apparats eine Suspension erzeugt. Danach wurde der Apparat entleert
und die auf den Kristallisatorflächen verbleibende Suspension festgefroren.
Die Gleichgewichtstemperaturen der Schmelzen während der Kristallisa
tion in den einzelnen Stufen waren wie folgt:
Reinigungsstufe 5: 13,5 bis 12,9°C
Reinigungsstufe 6: 13,8 bis 13,6°C
Abtriebsstufe 1: 13,1 bis 12,6°C
Abtriebsstufe 2: 12,5 bis 11,4°C
Abtriebsstufe 3: 11,2 bis 8,5°C
Abtriebsstufe 4: 8,5 bis 4,3°C.
Reinigungsstufe 6: 13,8 bis 13,6°C
Abtriebsstufe 1: 13,1 bis 12,6°C
Abtriebsstufe 2: 12,5 bis 11,4°C
Abtriebsstufe 3: 11,2 bis 8,5°C
Abtriebsstufe 4: 8,5 bis 4,3°C.
Bis auf die Abtriebsstufe 4, die statisch gefahren wurde, wurden alle
anderen Stufen dynamisch gefahren. Das Verhältnis der in einer Stufe
ausgefrorenen Kristallmasse zur der in dieser Stufe eingesetzten Kristall
masse betrug 0,8 in der ersten Reinigungsstufe und 0,75 in der zweiten
Reinigungsstufe. In der ersten Reinigungsstufe wurde eine Verunreini
gungskonzentration von 0,102 Gew.-% (bezogen auf 100 Gew.-% N-
Vinylpyrrolidon) im Kristallisat erreicht. Gegenüber dem US-Patent
entspricht dies einer um den Faktor 4 niedrigeren Verunreinigungskon
zentration (dort betrug die Verunreinigungskonzentration 0,4 Gew.-%
(bezogen auf 100 Gew.-% N-Vinylpyrrolidon)). Das Kristallisat wird
danach einer zweiten Reinigungsstufe zugeführt und verläßt diese mit
einer Verunreinigungskonzentration von 190 ppm, was, gegenüber dem
US-Patent, in dem die Verunreinigungskonzentration 500 ppm betrug,
eine etwa um den Faktor 2,5 niedrigere Verunreinigungskonzentration
bedeutet.
Im Vergleich zu bekannten Verfahren wird somit mit dem erfindungs
gemäßen Verfahren durch die Aufbringung einer Impfschicht aus N-
Vinylpyrrolidon vor der jeweiligen Kristallisation bei gleichen Ausgangs
bedingungen, gleicher Zahl der Reinigungsstufen und gleicher ausgefrore
ner Kristallmasse bezogen auf die eingesetzte Schmelze oder Lösung,
eine um den Faktor 2,5 niedrigere Verunreinigungskonzentration im
gereinigten N-Vinylpyrrolidon erzielt. Bei gleicher Produktspezifikation
bedeutet dies eine Einsparung von Reinigungsstufen und damit eine
erhebliche Reduzierung des erforderlichen Trennaufwands.
Claims (8)
1. Verfahren zur Stofftrennung aus einem flüssigen Gemisch durch
Kristallisation in einem Kristallisator, dadurch gekennzeichnet, daß
man vor der Kristallisation auf diejenigen Flächen des Kristallisators,
von denen aus während der Kristallisation Kristalle wachsen, eine
zweiphasige Impfschicht in Form einer Suspension von einer Schmel
ze oder Lösung des zu trennenden Gemisches mit darin suspendier
ten Kristallen des Gemisches aufbringt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die
Suspension erzeugt, indem man aus einer Schmelze oder Lösung des
zu trennenden Gemisches Kristalle ausfriert und diese in die Schmel
ze oder Lösung einbringt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
man die Impfschicht aufbringt, indem man die Suspension in den
Kristallisator füllt oder die Suspension im Kristallisator selbst er
zeugt, anschließend den Kristallisator entleert und die auf den
Kristallisatorflächen verbleibende Suspensionsschicht anfriert.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
man die Impfschicht aufbringt, indem man die Suspension über
Verteilervorrichtungen auf die Kristallisatorflächen aufbringt.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß man die Kristallisation in einer oder mehreren
Kristallisationsstufen durchführt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß man bei
Durchführung der Kristallisation in mindestens zwei Stufen zur
Erzeugung der Suspension eine Schmelze oder Lösung verwendet, die
reiner als die in der jeweiligen Stufe zu kristallisierende Schmelze
oder Lösung ist.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß man die Kristallisation statisch oder dynamisch
durchführt.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß man flüssige Gemische mit einem Schmelzpunkt
von -50°C bis +300°C, vorzugsweise enthaltend die Verbindungen
N-Vinylpyrrolidon, Naphthalin, Anthracen, Bisphenol A, Benzoesäure,
Monochloressigsäure, Acrylsäure, Methacrylsäure, Piperazin, Capro
lactam, Xylol, Toluoldiisocyanat, Diphenylmethandiisocyanat oder
Hexamethylendiamin, einsetzt.
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