DE19531756C1 - Lasersystem - Google Patents
LasersystemInfo
- Publication number
- DE19531756C1 DE19531756C1 DE1995131756 DE19531756A DE19531756C1 DE 19531756 C1 DE19531756 C1 DE 19531756C1 DE 1995131756 DE1995131756 DE 1995131756 DE 19531756 A DE19531756 A DE 19531756A DE 19531756 C1 DE19531756 C1 DE 19531756C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser
- coating
- reflection
- laser system
- active medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/061—Crystal lasers or glass lasers with elliptical or circular cross-section and elongated shape, e.g. rod
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0619—Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
- H01S3/0625—Coatings on surfaces other than the end-faces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094084—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light with pump light recycling, i.e. with reinjection of the unused pump light, e.g. by reflectors or circulators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Lasersystem mit einem in
nerhalb eines Laserresonators vorgesehenen laseraktiven Medi
um, bei dem die äußeren Begrenzungsflächen des Laserresona
tors eine hoch- bzw. teilreflektierende Spiegelanordnung auf
weisen.
Bei einem solchen Lasersystem bestehen die seitlichen Begren
zungen des laseraktiven Mediums im Falle von Gaslasern aus
den seitlichen Begrenzungen der Laserkammer, und im Falle von
Festkörperlasern aus den seitlichen Begrenzungen des Laser
kristalls. Insbesondere an diesen seitlichen Begrenzungen
finden Reflexionen von spontan bzw. induziert emittierten
Photonen statt, die durch Rückreflexion in das verstärkende
laseraktive Medium dort zu Verlusten für den eigentlich ge
wünschten Grundmodus sowie zu Instabilitäten (Rauschen) der
gewünschten Laserstrahlung führen können. Dieser störende Ef
fekt ist dann besonders groß, wenn an den Rändern der den Re
sonator begrenzenden äußeren Flächen Totalreflexion stattfin
det, und das laseraktive Medium hochverstärkend ist. Bei den
bisher bekanntgewordenen Lasersystemen wurde die Anregung von
höheren Moden, obwohl häufig unerwünscht, in Kauf genommen
oder mittels anderer Maßnahmen unterdrückt. Gleiches gilt für
die höheren Schwellen, geringeren Wirkungsgrade, sowie für
das Rauschen, welche unter anderem durch die erwähnten Ver
lustmechanismen verursacht werden.
Aus der DE 42 07 824 A1 ist ein Laserkristall für einen Fest
körperlaser oder -verstärker bekanntgeworden, bei dem der La
serkristall aus einem das Pumplicht nichtabsorbierenden und
einem absorbierenden Material mit gleichem Brechungsindex und
thermischem Ausdehnungskoeffizienten schichtweise aufgebaut
ist, und diese Schichten nach dem Verfahren des "optischen
Kontakts" miteinander verbunden sind. Insbesondere bestehen
die Schichten aus dotiertem und undotiertem Material des
gleichen Wirtsgitterkristalls oder Wirtsgitterglases. Durch
diese Maßnahme wird neben einer Erhöhung des Wirkungsgrades
eine verbesserte Strahlqualität bei vermindertem Kühlungsbe
darf des Lasersystems erzielt.
Aus der JP-PATENT ABSTRACTS 07111350 A ist ein Festkörperla
ser bekanntgeworden, bei dem der Kernbereich des stabförmigen
neodymdotierten YAG-Laserkristalls mit einem Mantelmaterial
aus undotiertem YAG-Kristall umgeben ist, welches gegenüber
dem Kernmaterial brechungsindexangepaßt ist und im wesentli
chen keine Absorption des Anregungslichtes und des Laserlich
tes zuläßt. Durch diese Maßnahme soll eine annähernd gleich
förmige Ausbildung der Laserverstärkung erzielt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Lasersystem zur
Verfügung zu stellen, bei dem eine Anregung von höheren Moden
und die dadurch verursachten Verluste vermindert oder besei
tigt werden können.
Diese Aufgabe wird durch ein Lasersystem nach Anspruch 1 ge
löst.
Die Erfindung sieht vor, die äußeren, insbesondere die seit
lichen Begrenzungen des aktiven Lasermediums und/oder wenig
stens teilweise (außerhalb der für den gewünschten Modus er
forderlichen aktiven Laserspiegelbereiche) die stirnseitigen
Endbegrenzungen mit einer für die Wellenlänge der Laserstrah
lung reflexionsvermindernden oder absorptiven Beschichtung zu
versehen, um eine störende Rückreflexion von Photonen in das
laseraktive Medium zu unterbinden. Hierbei ist es für die ab
sorptive Wirkung des aufgebrachten Beschichtungsmaterials von
Vorteil, wenn sein Brechungsindex dem Brechungsindex des Ma
terials des laseraktiven Mediums angepaßt ist, oder, zur Ver
meidung von Totalreflexion, einen etwas größeren Wert als der
des laseraktiven Mediums besitzt.
Wird der Laser optisch gepumpt, kann es insbesondere bei
transversaler Pumpanordnung notwendig sein, daß die für die
Laserstrahlung absorptive Beschichtung für die Pumpstrahlung
durchlässig ist oder die absorptive Schicht an den Eintritts
stellen des Pumplichtes entfernt ist. Bei longitudinaler Pump
anordnung kann die absorptive Schicht sowohl für die Laser-,
als auch die Pumpstrahlung absorptive Wirkung zeigen.
Die absorptive bzw. reflexionsvermindernde Beschichtung kann
aus Metall, Halbleitermaterial, dielektrischen Material, so
wie aus Kunststoff bestehen. Die Materialien können aufge
dampft, gesputtert, mechanisch aufgebracht (insbesondere ge
spritzt) oder auf sonstige Weise aufgebracht sein.
Bei einer bevorzugten Anwendung bezieht sich die Erfindung
auf einen Nd:YAG-Laser mit einem stabförmigen Kristall als laserakti
ven Medium. Der Laser kann vorzugsweise in transversaler
Richtung diodengepumpt sein.
Weitere Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben
sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbei
spiels anhand der Figur.
Der in der Figur dargestellte Nd:YAG-Laser 1 besitzt ein in
nerhalb des Laserresonators 2 vorgesehenes laseraktives Medi
um 3 in der Form eines stabförmigen Kristalles, bei welchem Laserreso
nator 2 die äußeren Begrenzungen 4 und 5 wenigstens teilweise
eine hoch- bzw. teilreflektierende Spiegelschicht aufweisen.
Die seitlichen Begrenzungsflächen 4 des Laserresonators 2 ist
mit einer reflexionsvermindernden und/oder absorptiven Be
schichtung 6 annähernd voll flächig mit Ausnahme eines frei
bleibenden Eintrittsfensters 7 für die Laserpumpstrahlung 8
versehen. Das Laserlicht 9 tritt aus der Laseröffnung 10 un
beeinflußt von der reflexionsvermindernden und/oder absorpti
ven Beschichtung 6 aus. Für den Einsatz als Hochleistungsla
serdiode weist das Material der Absorptionsschicht 14 bis 17
insbesondere Germanium oder Silizium auf.
Claims (7)
1. Lasersystem mit einem innerhalb eines Laserresonators (2)
vorgesehenen laseraktiven Medium (3), bei dem die äußeren Be
grenzungen (4, 5) des Laserresonators wenigstens teilweise
eine hoch- bzw. teilreflektierende Spiegelanordnung aufwei
sen,
dadurch gekennzeichnet, daß
wenigstens eine der äußeren Begrenzungsflächen (4, 5) des la
seraktiven Mediums (3) mit Ausnahme einer den Austritt des
Laserlichtes (9) erlaubenden Laseröffnung (10) wenigstens an
nähernd vollflächig mit einer Beschichtung (6) aus einem für
das Laserlicht (9) reflexionsvermindernden und/oder absorptiven Mate
rial versehen ist.
2. Lasersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Beschichtung (6) ein gegenüber dem Material des laserak
tiven Mediums brechungsindexangepaßtes Material aufweist.
3. Lasersystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die reflexionsvermindernde und/oder absorptive Be
schichtung (6) für eine Laserpumpstrahlung (8) wenigstens
teilweise durchlässig ist.
4. Lasersystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die äußeren Begrenzungsflächen des laseraktiven Me
diums (3) ein Eintrittsfenster (7) zur Einstrahlung einer La
serpumpstrahlung (8) in das laseraktive Medium aufweisen, und
die reflexionsvermindernde und/oder absorptive Beschichtung
(6) auf den äußeren Begrenzungsflächen (4, 5) des laserakti
ven Mediums (3) mit Ausnahme des Eintrittsfensters (7) zur
Einstrahlung der Laserpumpstrahlung (8) und mit Ausnahme der
den Austritt des Laserlichtes erlaubenden Laseröffnung (10)
wenigstens annähernd voll flächig auf den äußeren Begrenzungs
flächen (4, 5) des laseraktiven Mediums (3) aufgebracht ist.
5. Lasersystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die reflexionsvermindernde und/oder absorptive Beschichtung
(6) für die Laserpumpstrahlung (8) wenigstens teilweise un
durchlässig ist.
6. Lasersystem nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das Material der reflexionsvermindernden und/oder absorp
tiven Beschichtung (6) ein Metall, ein Halbleitermaterial,
ein dielektrisches Material oder ein Kunststoffmaterial auf
weist, welches auf der äußeren Begrenzungsfläche (4, 5) des
laseraktiven Mediums (3) aufgedampft, gesputtert oder mecha
nisch aufgebracht, insbesondere gespritzt ist.
7. Lasersystem nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß das Lasersystem ein Nd:YAG-Laser (1) mit einem stabförmi
gen Kristall als laseraktives Medium (3) ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1995131756 DE19531756C1 (de) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | Lasersystem |
TW085109644A TW366614B (en) | 1995-08-29 | 1996-08-08 | Laser system |
PCT/DE1996/001500 WO1997008789A2 (de) | 1995-08-29 | 1996-08-09 | Lasersystem |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1995131756 DE19531756C1 (de) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | Lasersystem |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19531756C1 true DE19531756C1 (de) | 1996-12-05 |
Family
ID=7770666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1995131756 Expired - Fee Related DE19531756C1 (de) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | Lasersystem |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19531756C1 (de) |
TW (1) | TW366614B (de) |
WO (1) | WO1997008789A2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1717914A1 (de) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Compagnie Industrielle des Lasers Cilas | Aktives Element für Laser-Quelle und Laser-Quelle mit diesem aktiven Element |
FR2885267A1 (fr) * | 2005-04-28 | 2006-11-03 | Cie Ind Des Lasers Cilas Sa | Element actif pour source laser et source laser comportant un tel element actif. |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2779937B1 (fr) | 1998-06-23 | 2000-08-11 | Sofradim Production | Tissu prothetique isoelastique ajoure |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4207824A1 (de) * | 1992-03-12 | 1993-09-23 | Deutsche Aerospace | Laserkristall fuer einen festkoerperlaser oder -verstaerker |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3684980A (en) * | 1970-10-13 | 1972-08-15 | Texas Instruments Inc | High effective absorption coefficient solid state laser rods |
GB2215906B (en) * | 1988-02-10 | 1992-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | Laser device |
US4899347A (en) * | 1989-05-11 | 1990-02-06 | General Electric Company | Solid state laser gain medium with diamond coating |
US5335237A (en) * | 1992-10-29 | 1994-08-02 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Parasitic oscillation suppression in solid state lasers using absorbing thin films |
JPH07111350A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nissin Electric Co Ltd | 固体レーザー装置 |
-
1995
- 1995-08-29 DE DE1995131756 patent/DE19531756C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-08 TW TW085109644A patent/TW366614B/zh active
- 1996-08-09 WO PCT/DE1996/001500 patent/WO1997008789A2/de active Application Filing
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4207824A1 (de) * | 1992-03-12 | 1993-09-23 | Deutsche Aerospace | Laserkristall fuer einen festkoerperlaser oder -verstaerker |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP-Patents-Abstracts 07111350 A * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1717914A1 (de) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Compagnie Industrielle des Lasers Cilas | Aktives Element für Laser-Quelle und Laser-Quelle mit diesem aktiven Element |
FR2885267A1 (fr) * | 2005-04-28 | 2006-11-03 | Cie Ind Des Lasers Cilas Sa | Element actif pour source laser et source laser comportant un tel element actif. |
FR2885266A1 (fr) * | 2005-04-28 | 2006-11-03 | Cie Ind Des Lasers Cilas Sa | Element actif pour source laser comportant un tel element actif |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1997008789A3 (de) | 1997-04-10 |
WO1997008789A2 (de) | 1997-03-06 |
TW366614B (en) | 1999-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69424552T2 (de) | Tiefblauer mikrolaser | |
US4965803A (en) | Room-temperature, laser diode-pumped, q-switched, 2 micron, thulium-doped, solid state laser | |
DE102017125099B4 (de) | Laserkomponente und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE69731475T2 (de) | Frequenzverdoppelter Laser mit einem quasiphasenangepassten nichtlinearen Element innerhalb des Resonators | |
EP0855769B1 (de) | Monolithischer, nichtplanarer Ringlaser mit Güteschaltung im Einfrequenzbetrieb | |
DE60302451T2 (de) | Pumpverfahren für laserresonator und lasersystem | |
DE4200204A1 (de) | Selbstverdoppelnder mikrolaser | |
DE19907722A1 (de) | Lasersystem zur Erzeugung ultrakurzer Lichtimpulse | |
DE4011634C2 (de) | Festkörper-Laserstab und einen solchen Laserstab umfassender Laser | |
DE4041052A1 (de) | Lasermedium zur verwendung in einem plattenlaser | |
DE69837632T2 (de) | Dreiniveau-Lasersystem | |
DE60316929T2 (de) | Festkörperlaservorrichtung mit radialem valenzdotierungsprofil | |
DE69811929T2 (de) | Diodengepumpter laser unter verwendung von verstärkungsmedia mit starker thermaler fokussierung | |
DE69617938T2 (de) | Diodengepumpter laser mit kristallen mit starker thermaler fokussierung | |
DE69600544T2 (de) | Mikorlaserkavität und ihr Herstellungsverfahren | |
EP0790684A2 (de) | Glasfaserlaser mit Güteschaltung durch Uran-dotierten Kristall | |
DE4101403C2 (de) | Halbleiterlaser-gepumpter Festkörperlaser | |
DE19531756C1 (de) | Lasersystem | |
DE10204246B4 (de) | Festkörper-Laserverstärkersystem | |
DE2221057A1 (de) | Laser-oszillator-verstaerker-kombination zur erzeugung des grundmodus | |
DE60103725T2 (de) | Laserquelle | |
DE2843011A1 (de) | Beugungsbegrenzter laseroszillator | |
DE1614246B2 (de) | Auskopplungsvorrichtung fuer einen gepulsten laserstrahl | |
DE2252144A1 (de) | Optische koppelanordnung zwischen glasfaser und halbleiter-laser | |
DE69127315T2 (de) | Vorrichtung zum Pumpen eines schwach absorbierenden Lasermediums |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |