DE19531756C1 - Lasersystem - Google Patents

Lasersystem

Info

Publication number
DE19531756C1
DE19531756C1 DE1995131756 DE19531756A DE19531756C1 DE 19531756 C1 DE19531756 C1 DE 19531756C1 DE 1995131756 DE1995131756 DE 1995131756 DE 19531756 A DE19531756 A DE 19531756A DE 19531756 C1 DE19531756 C1 DE 19531756C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
laser
coating
reflection
laser system
active medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE1995131756
Other languages
English (en)
Inventor
Johann Dipl Phys Luft
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE1995131756 priority Critical patent/DE19531756C1/de
Priority to TW085109644A priority patent/TW366614B/zh
Priority to PCT/DE1996/001500 priority patent/WO1997008789A2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19531756C1 publication Critical patent/DE19531756C1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/061Crystal lasers or glass lasers with elliptical or circular cross-section and elongated shape, e.g. rod
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/02ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0625Coatings on surfaces other than the end-faces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094084Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light with pump light recycling, i.e. with reinjection of the unused pump light, e.g. by reflectors or circulators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Lasersystem mit einem in­ nerhalb eines Laserresonators vorgesehenen laseraktiven Medi­ um, bei dem die äußeren Begrenzungsflächen des Laserresona­ tors eine hoch- bzw. teilreflektierende Spiegelanordnung auf­ weisen.
Bei einem solchen Lasersystem bestehen die seitlichen Begren­ zungen des laseraktiven Mediums im Falle von Gaslasern aus den seitlichen Begrenzungen der Laserkammer, und im Falle von Festkörperlasern aus den seitlichen Begrenzungen des Laser­ kristalls. Insbesondere an diesen seitlichen Begrenzungen finden Reflexionen von spontan bzw. induziert emittierten Photonen statt, die durch Rückreflexion in das verstärkende laseraktive Medium dort zu Verlusten für den eigentlich ge­ wünschten Grundmodus sowie zu Instabilitäten (Rauschen) der gewünschten Laserstrahlung führen können. Dieser störende Ef­ fekt ist dann besonders groß, wenn an den Rändern der den Re­ sonator begrenzenden äußeren Flächen Totalreflexion stattfin­ det, und das laseraktive Medium hochverstärkend ist. Bei den bisher bekanntgewordenen Lasersystemen wurde die Anregung von höheren Moden, obwohl häufig unerwünscht, in Kauf genommen oder mittels anderer Maßnahmen unterdrückt. Gleiches gilt für die höheren Schwellen, geringeren Wirkungsgrade, sowie für das Rauschen, welche unter anderem durch die erwähnten Ver­ lustmechanismen verursacht werden.
Aus der DE 42 07 824 A1 ist ein Laserkristall für einen Fest­ körperlaser oder -verstärker bekanntgeworden, bei dem der La­ serkristall aus einem das Pumplicht nichtabsorbierenden und einem absorbierenden Material mit gleichem Brechungsindex und thermischem Ausdehnungskoeffizienten schichtweise aufgebaut ist, und diese Schichten nach dem Verfahren des "optischen Kontakts" miteinander verbunden sind. Insbesondere bestehen die Schichten aus dotiertem und undotiertem Material des gleichen Wirtsgitterkristalls oder Wirtsgitterglases. Durch diese Maßnahme wird neben einer Erhöhung des Wirkungsgrades eine verbesserte Strahlqualität bei vermindertem Kühlungsbe­ darf des Lasersystems erzielt.
Aus der JP-PATENT ABSTRACTS 07111350 A ist ein Festkörperla­ ser bekanntgeworden, bei dem der Kernbereich des stabförmigen neodymdotierten YAG-Laserkristalls mit einem Mantelmaterial aus undotiertem YAG-Kristall umgeben ist, welches gegenüber dem Kernmaterial brechungsindexangepaßt ist und im wesentli­ chen keine Absorption des Anregungslichtes und des Laserlich­ tes zuläßt. Durch diese Maßnahme soll eine annähernd gleich­ förmige Ausbildung der Laserverstärkung erzielt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Lasersystem zur Verfügung zu stellen, bei dem eine Anregung von höheren Moden und die dadurch verursachten Verluste vermindert oder besei­ tigt werden können.
Diese Aufgabe wird durch ein Lasersystem nach Anspruch 1 ge­ löst.
Die Erfindung sieht vor, die äußeren, insbesondere die seit­ lichen Begrenzungen des aktiven Lasermediums und/oder wenig­ stens teilweise (außerhalb der für den gewünschten Modus er­ forderlichen aktiven Laserspiegelbereiche) die stirnseitigen Endbegrenzungen mit einer für die Wellenlänge der Laserstrah­ lung reflexionsvermindernden oder absorptiven Beschichtung zu versehen, um eine störende Rückreflexion von Photonen in das laseraktive Medium zu unterbinden. Hierbei ist es für die ab­ sorptive Wirkung des aufgebrachten Beschichtungsmaterials von Vorteil, wenn sein Brechungsindex dem Brechungsindex des Ma­ terials des laseraktiven Mediums angepaßt ist, oder, zur Ver­ meidung von Totalreflexion, einen etwas größeren Wert als der des laseraktiven Mediums besitzt.
Wird der Laser optisch gepumpt, kann es insbesondere bei transversaler Pumpanordnung notwendig sein, daß die für die Laserstrahlung absorptive Beschichtung für die Pumpstrahlung durchlässig ist oder die absorptive Schicht an den Eintritts­ stellen des Pumplichtes entfernt ist. Bei longitudinaler Pump­ anordnung kann die absorptive Schicht sowohl für die Laser-, als auch die Pumpstrahlung absorptive Wirkung zeigen.
Die absorptive bzw. reflexionsvermindernde Beschichtung kann aus Metall, Halbleitermaterial, dielektrischen Material, so­ wie aus Kunststoff bestehen. Die Materialien können aufge­ dampft, gesputtert, mechanisch aufgebracht (insbesondere ge­ spritzt) oder auf sonstige Weise aufgebracht sein.
Bei einer bevorzugten Anwendung bezieht sich die Erfindung auf einen Nd:YAG-Laser mit einem stabförmigen Kristall als laserakti­ ven Medium. Der Laser kann vorzugsweise in transversaler Richtung diodengepumpt sein.
Weitere Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbei­ spiels anhand der Figur.
Der in der Figur dargestellte Nd:YAG-Laser 1 besitzt ein in­ nerhalb des Laserresonators 2 vorgesehenes laseraktives Medi­ um 3 in der Form eines stabförmigen Kristalles, bei welchem Laserreso­ nator 2 die äußeren Begrenzungen 4 und 5 wenigstens teilweise eine hoch- bzw. teilreflektierende Spiegelschicht aufweisen. Die seitlichen Begrenzungsflächen 4 des Laserresonators 2 ist mit einer reflexionsvermindernden und/oder absorptiven Be­ schichtung 6 annähernd voll flächig mit Ausnahme eines frei­ bleibenden Eintrittsfensters 7 für die Laserpumpstrahlung 8 versehen. Das Laserlicht 9 tritt aus der Laseröffnung 10 un­ beeinflußt von der reflexionsvermindernden und/oder absorpti­ ven Beschichtung 6 aus. Für den Einsatz als Hochleistungsla­ serdiode weist das Material der Absorptionsschicht 14 bis 17 insbesondere Germanium oder Silizium auf.

Claims (7)

1. Lasersystem mit einem innerhalb eines Laserresonators (2) vorgesehenen laseraktiven Medium (3), bei dem die äußeren Be­ grenzungen (4, 5) des Laserresonators wenigstens teilweise eine hoch- bzw. teilreflektierende Spiegelanordnung aufwei­ sen, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der äußeren Begrenzungsflächen (4, 5) des la­ seraktiven Mediums (3) mit Ausnahme einer den Austritt des Laserlichtes (9) erlaubenden Laseröffnung (10) wenigstens an­ nähernd vollflächig mit einer Beschichtung (6) aus einem für das Laserlicht (9) reflexionsvermindernden und/oder absorptiven Mate­ rial versehen ist.
2. Lasersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (6) ein gegenüber dem Material des laserak­ tiven Mediums brechungsindexangepaßtes Material aufweist.
3. Lasersystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die reflexionsvermindernde und/oder absorptive Be­ schichtung (6) für eine Laserpumpstrahlung (8) wenigstens teilweise durchlässig ist.
4. Lasersystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die äußeren Begrenzungsflächen des laseraktiven Me­ diums (3) ein Eintrittsfenster (7) zur Einstrahlung einer La­ serpumpstrahlung (8) in das laseraktive Medium aufweisen, und die reflexionsvermindernde und/oder absorptive Beschichtung (6) auf den äußeren Begrenzungsflächen (4, 5) des laserakti­ ven Mediums (3) mit Ausnahme des Eintrittsfensters (7) zur Einstrahlung der Laserpumpstrahlung (8) und mit Ausnahme der den Austritt des Laserlichtes erlaubenden Laseröffnung (10) wenigstens annähernd voll flächig auf den äußeren Begrenzungs­ flächen (4, 5) des laseraktiven Mediums (3) aufgebracht ist.
5. Lasersystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die reflexionsvermindernde und/oder absorptive Beschichtung (6) für die Laserpumpstrahlung (8) wenigstens teilweise un­ durchlässig ist.
6. Lasersystem nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der reflexionsvermindernden und/oder absorp­ tiven Beschichtung (6) ein Metall, ein Halbleitermaterial, ein dielektrisches Material oder ein Kunststoffmaterial auf­ weist, welches auf der äußeren Begrenzungsfläche (4, 5) des laseraktiven Mediums (3) aufgedampft, gesputtert oder mecha­ nisch aufgebracht, insbesondere gespritzt ist.
7. Lasersystem nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Lasersystem ein Nd:YAG-Laser (1) mit einem stabförmi­ gen Kristall als laseraktives Medium (3) ist.
DE1995131756 1995-08-29 1995-08-29 Lasersystem Expired - Fee Related DE19531756C1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1995131756 DE19531756C1 (de) 1995-08-29 1995-08-29 Lasersystem
TW085109644A TW366614B (en) 1995-08-29 1996-08-08 Laser system
PCT/DE1996/001500 WO1997008789A2 (de) 1995-08-29 1996-08-09 Lasersystem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1995131756 DE19531756C1 (de) 1995-08-29 1995-08-29 Lasersystem

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19531756C1 true DE19531756C1 (de) 1996-12-05

Family

ID=7770666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1995131756 Expired - Fee Related DE19531756C1 (de) 1995-08-29 1995-08-29 Lasersystem

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE19531756C1 (de)
TW (1) TW366614B (de)
WO (1) WO1997008789A2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1717914A1 (de) * 2005-04-28 2006-11-02 Compagnie Industrielle des Lasers Cilas Aktives Element für Laser-Quelle und Laser-Quelle mit diesem aktiven Element
FR2885267A1 (fr) * 2005-04-28 2006-11-03 Cie Ind Des Lasers Cilas Sa Element actif pour source laser et source laser comportant un tel element actif.

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2779937B1 (fr) 1998-06-23 2000-08-11 Sofradim Production Tissu prothetique isoelastique ajoure

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4207824A1 (de) * 1992-03-12 1993-09-23 Deutsche Aerospace Laserkristall fuer einen festkoerperlaser oder -verstaerker

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3684980A (en) * 1970-10-13 1972-08-15 Texas Instruments Inc High effective absorption coefficient solid state laser rods
GB2215906B (en) * 1988-02-10 1992-09-16 Mitsubishi Electric Corp Laser device
US4899347A (en) * 1989-05-11 1990-02-06 General Electric Company Solid state laser gain medium with diamond coating
US5335237A (en) * 1992-10-29 1994-08-02 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Parasitic oscillation suppression in solid state lasers using absorbing thin films
JPH07111350A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Nissin Electric Co Ltd 固体レーザー装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4207824A1 (de) * 1992-03-12 1993-09-23 Deutsche Aerospace Laserkristall fuer einen festkoerperlaser oder -verstaerker

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP-Patents-Abstracts 07111350 A *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1717914A1 (de) * 2005-04-28 2006-11-02 Compagnie Industrielle des Lasers Cilas Aktives Element für Laser-Quelle und Laser-Quelle mit diesem aktiven Element
FR2885267A1 (fr) * 2005-04-28 2006-11-03 Cie Ind Des Lasers Cilas Sa Element actif pour source laser et source laser comportant un tel element actif.
FR2885266A1 (fr) * 2005-04-28 2006-11-03 Cie Ind Des Lasers Cilas Sa Element actif pour source laser comportant un tel element actif

Also Published As

Publication number Publication date
WO1997008789A3 (de) 1997-04-10
WO1997008789A2 (de) 1997-03-06
TW366614B (en) 1999-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69424552T2 (de) Tiefblauer mikrolaser
US4965803A (en) Room-temperature, laser diode-pumped, q-switched, 2 micron, thulium-doped, solid state laser
DE102017125099B4 (de) Laserkomponente und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69731475T2 (de) Frequenzverdoppelter Laser mit einem quasiphasenangepassten nichtlinearen Element innerhalb des Resonators
EP0855769B1 (de) Monolithischer, nichtplanarer Ringlaser mit Güteschaltung im Einfrequenzbetrieb
DE60302451T2 (de) Pumpverfahren für laserresonator und lasersystem
DE4200204A1 (de) Selbstverdoppelnder mikrolaser
DE19907722A1 (de) Lasersystem zur Erzeugung ultrakurzer Lichtimpulse
DE4011634C2 (de) Festkörper-Laserstab und einen solchen Laserstab umfassender Laser
DE4041052A1 (de) Lasermedium zur verwendung in einem plattenlaser
DE69837632T2 (de) Dreiniveau-Lasersystem
DE60316929T2 (de) Festkörperlaservorrichtung mit radialem valenzdotierungsprofil
DE69811929T2 (de) Diodengepumpter laser unter verwendung von verstärkungsmedia mit starker thermaler fokussierung
DE69617938T2 (de) Diodengepumpter laser mit kristallen mit starker thermaler fokussierung
DE69600544T2 (de) Mikorlaserkavität und ihr Herstellungsverfahren
EP0790684A2 (de) Glasfaserlaser mit Güteschaltung durch Uran-dotierten Kristall
DE4101403C2 (de) Halbleiterlaser-gepumpter Festkörperlaser
DE19531756C1 (de) Lasersystem
DE10204246B4 (de) Festkörper-Laserverstärkersystem
DE2221057A1 (de) Laser-oszillator-verstaerker-kombination zur erzeugung des grundmodus
DE60103725T2 (de) Laserquelle
DE2843011A1 (de) Beugungsbegrenzter laseroszillator
DE1614246B2 (de) Auskopplungsvorrichtung fuer einen gepulsten laserstrahl
DE2252144A1 (de) Optische koppelanordnung zwischen glasfaser und halbleiter-laser
DE69127315T2 (de) Vorrichtung zum Pumpen eines schwach absorbierenden Lasermediums

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee