DE19521275A1 - Gasdurchlaß mit selektiv wirkender Durchtrittsfläche sowie Verfahren zur Herstellung der Durchtrittsfläche - Google Patents
Gasdurchlaß mit selektiv wirkender Durchtrittsfläche sowie Verfahren zur Herstellung der DurchtrittsflächeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Gasdurchlaß mit einer se
lektiv wirkenden Durchtrittsfläche. Außerdem bezieht
sich die Erfindung auf Verfahren zur Herstellung einer
Durchtrittsfläche für einen selektiv wirkenden Gasdurch
laß. Gasdurchlässe dieser Art werden beispielsweise bei
Meß- oder Analysegeräten eingesetzt. Es soll erreicht
werden, daß leichte Gase bevorzugt, schwerere Gase weni
ger bevorzugt in z. B. ein Meßgerät eintreten.
Aus der DE-A-43 26 265 ist beispielsweise ein Lecksuch
gerät bekannt, dessen Testgasdetektor mit einem selekti
ven Einlaßsystem ausgerüstet ist. Als Testgas wird Heli
um verwendet. Der selektive Einlaß umfaßt eine von einer
Trennwand oder einer Membran gebildete Durchtrittsflä
che, deren Durchlässigkeit für Helium um viele Dekaden
über der Durchlässigkeit für andere Gase liegt. Diese
Eigenschaft haben z. B. Quarz, Quarzglas (SiO₂),
Pyrexglas oder auch Polymermembranen, z. B. aus FEP.
Meß- und Analysengeräte sollen generell eine hohe Emp
findlichkeit und eine kurze Ansprechzeit haben. Bei ei
nem Testgasdetektor nach der DE-A-43 26 265 soll deshalb
erreicht werden, daß möglichst viel Helium in möglichst
kurzer Zeit durch die Durchtrittsfläche hindurchtritt.
Dieses ist nur möglich, wenn die Durchtrittsfläche zum
einen möglichst groß und zum anderen möglichst dünn aus
gebildet ist. Dem steht jedoch entgegen, daß die Durch
trittsfläche in aller Regel mit einem Differenzdruck be
aufschlagt ist. Der Innenraum des Meßgerätes ist evaku
iert; außen herrscht Atmosphärendruck. Der Größe und der
Dicke der Durchtrittsfläche sind wegen dieser Differenz
druckbelastung Grenzen gesetzt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,
einen selektiv wirkenden Gaseinlaß zu schaffen, der mit
relativ großen Druckdifferenzen beaufschlagbar ist und
dennoch eine relativ große und relativ dünne Durch
trittsfläche aufweist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß
die selektiv wirkende Durchtrittsfläche von einer Mehr
zahl nebeneinander liegender Fenster gebildet wird. Bei
dieser Lösung sind die einzelnen Fenster der Durch
trittsfläche sehr klein. Je kleiner die Fensterflächen
sind, desto dünner können die fensterbildenden Schichten,
Membranen o. dergl. sein, um dem herrschenden Differenz
druck standhalten können. Wenn beispielsweise 200 qua
dratische Fenster aus Quarzglas mit einer Kantenlänge
von 0,7 mm vorgesehen sind, dann bilden diese eine Ge
samtdurchtrittsfläche von 0,98 cm². Eine Durchtrittsflä
che dieser Art ist bereits dann mit einem Differenzdruck
von einer Atmosphäre belastbar, wenn die Dicke der ein
zelnen Fensterflächen etwa 5 bis 10 µm beträgt.
Es ist bekannt, daß durch Heizen eines Werkstoffes die
Ansprechzeit verkürzt und der Gasdurchsatz erhöht werden
kann. Bei einem Gaseinlaß nach der Erfindung ist es
durch die planare Anordnung möglich, dünnschicht-tech
nisch Metallstrukturen als Heizwendeln auf die Fenster
aufzubringen. Dadurch besteht die Möglichkeit, die Be
heizung auf die einzelnen Fenster zu beschränken. Die
Gefahr, daß in der Umgebung befindliche Klebestellen
verstärkt entgasen oder undicht werden, besteht nicht.
Vorzugsweise bestehen die die Durchtrittsfläche bildenden
Fenster aus Quarz, Quarzglas oder ähnlichen Materialien
(z. B. Pyrex-Glas), da diese mit Hilfe von Verfahren,
wie sie aus der Dünnschichttechnologie bekannt sind, mit
vertretbaren Kosten hergestellt werden können.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung sollen
anhand von in den Fig. 1 bis 4 schematisch darge
stellten Ausführungsbeispielen erläutert werden. Es zei
gen
Fig. 1 ein Druckmeßgerät mit einem Gasdurchlaß
nach der Erfindung,
Fig. 2 eine Draufsicht auf den Durchlaß mit einer
aus 16 Fenstern bestehenden Durchtrittfläche
sowie
Fig. 3 und 4 sind Skizzen zur Erläuterung der
Herstellung von Durchtrittsflächen nach
Verfahren, wie sie aus der Dünnschicht
technologie bekannt sind.
In den Fig. 1 und 2 ist der erfindungsgemäße Durchlaß
generell mit 1 bezeichnet. Es ist der Durchlaß zu einem
nur als Symbol dargestellten Vakuummeßgerät 2.
Der Durchlaß 1 umfaßt den Flansch 3, der der Halterung
einer Scheibe 4 dient. Die Scheibe 4 ist mit einer Mehr
zahl von Fenstern 5 ausgerüstet, welche die Gasdurch
trittsflächen bilden. Da die Fenster 5 relativ klein
sind, können die fensterbildenden Schichten, Membranen
o. dergl. sehr dünn sein, um mit einem bestimmten Diffe
renzdruck beaufschlagt zu werden. Die Erfindung ermög
licht es, Gasdurchlässe mit relativ großen und dennoch
relativ dünnen Gasdurchtrittsflächen auszurüsten.
Zweckmäßig wird als Material für die Durchtrittsflächen
bzw. Fenster Quarz oder Quarzglas eingesetzt, da zur Be
arbeitung dieses Materials eine Vielzahl von Verfahren
aus der Halbleitertechnik bekannt sind.
Anhand der Fig. 3 wird eine Methode der Herstellung von
aus Quarzglas bestehenden Durchtrittsflächen erläutert.
Hierbei wird von einem Siliziumwafer 4 ausgegangen. Die
ser wird durch einen Oxidationsprozeß mit SiO₂ beschich
tet (Schichten 6,7 in Fig. 3a). In der Regel geschieht
dies in einem Gemisch aus Wasserdampf und Sauerstoff bei
Temperaturen um 1100°C und führt in Abhängigkeit von den
Prozeßparametern zu Oxidschichtdicken von ca. 5 µm. Nach
dem Oxidationsprozeß wird die Vorder- und Rückseite der
Si-Wafer gegen die nächsten Prozeßschritte passiviert,
z. B. mit einer 300 nm dicken PECVD-SiC-Schicht. An
schließend wird auf der Rückseite des Si-Wafers die Fen
stergeometrie und -anordnung über einen Photolithogra
phieprozeß definiert. Dies führt zu Öffnungen im Photo
lack und zu der Möglichkeit, an diesen Stellen die Pas
sivierung und die SiO₂-Schicht über einen Ätzprozeß,
z. B. reaktives Ionenätzen, zu entfernen (Fig. 3b). An
schließend können in einem weiteren Ätzprozeß, z. B.
naßchemisches Ätzen von Si in KOH, die Fenster freige
ätzt werden (Fig. 3c).
Anstelle der Oxidation zur Herstellung von SiO₂-Schich
ten können auch andere Beschichtungsprozesse, wie z. B.
plasmaunterstützte CVD oder Niederdruck-CVD-Prozesse zur
Herstellung von dünnen Schichten aus Materialien dienen,
die die gewünschten Selektivitätseigenschaften besitzen.
Ein weiteres Verfahren zur Herstellung gasselektiver
Membranen ist in Fig. 4 beschrieben. Hierbei wird ein
Substrat 4, z. B. ein Siliziumwafer, mit einem anderen
Substrat 8 aus einem gasselektiven Material, z. B. Pyrex-
Glas, vakuumdicht verbunden, z. B. durch anodisches Bon
den (Fig. 4a, b). Die Rückseite des Substrats 4 wird mit
einer entsprechenden Passivierung 9 versehen, die später
photolithographisch strukturiert werden kann. In einem
mechanischen oder chemischen Bearbeitungsschritt
(Schleifen, Polieren, Abätzen, etc.) wird das gasselek
tive Material bis auf eine bestimmte Membrandicke abge
dünnt (Fig. 4c). Über einen Photolithographie- und Ätz
prozeß werden Fensteröffnungen auf der Rückseite des
Substrats 7 definiert (Fig. 4d), die dann in einem weite
ren Ätzprozeß freigeätzt werden (Fig. 4e).
Die aus Quarz, Quarzglas, Pyrexglas o. ä. bestehenden
Fensterflächen 5 werden zweckmäßig jeweils mit einer
Heizwendel ausgerüstet. Dieses kann durch dünnschicht
technische Verfahren geschehen. Leitendes Material wird
über ein Vakuumbeschichtungsverfahren aufgebracht und in
Kombination mit einem Photolithographieprozeß mäander
förmig strukturiert, z. B. über einen Lift-off- oder ei
nen Ätzprozeß. In Fig. 2 sind Heizwendeln dieser Art
angedeutet und mit 10 bezeichnet. Die Heizwendeln werden
elektrisch kontaktiert (gebondet), damit sie in einem
Stromkreis einschaltbar sind. Durch diese Art der Behei
zung kann jede der Membranen punktuell auf hohe Tempera
turen (ca. 500°C) gebracht werden, ohne das gesamte
Substrat 4 zu erhitzen. Dadurch wird vermieden, daß sich
evtl. vorhandene Klebeverbindungen, durch die die
Scheibe 4 mit dem Flansch 3 verbunden ist, aufheizen und
entgasen oder undicht werden. Außerdem wird der Strom
verbrauch reduziert und damit ein Aufheizen des gesamten
Nachweissystems vermieden.
Der Einsatz des erfindungsgemäßen Gasdurchlasses ist be
sonders zweckmäßig bei Testgasdetektoren für Lecksucher,
die mit leichten Gasen, vorzugsweise mit Helium als
Testgas arbeiten (siehe DE 43 26 265). Auch bei Analy
sengeräte für leichte Gase (H2, HD, D2, 3He, He usw.)
ist der Einsatz des beschriebenen Gasdurchlasses zur Er
höhung des Gasdurchsatzes und zur Verbesserung der An
sprechzeit vorteilhaft.
Claims (13)
1. Gasdurchlaß (1) mit selektiv wirkender, aus Quarz,
Quarzglas, Pyrex-Glas, o. ä. bestehender Durch
trittsfläche, dadurch gekennzeichnet, daß die se
lektiv wirkende Durchtrittsfläche von einer Mehr
zahl nebeneinanderliegender Fenster (5) gebildet
wird.
2. Gasdurchlaß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß ein Array von kleinen Fenstern zur Bildung
einer großen Gesamtdurchtrittsfläche vorgesehen wird
(z. B. 200 quadratische Fenster (5) mit einer Kan
tenlänge von 0,7 mm zur Bildung einer Durchtritts
fläche von etwa 1 cm²).
3. Gasdurchlaß nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die fensterbildenden Membranen aus
einem Beschichtungs- oder Aufwachsprozeß resultie
ren.
4. Gasdurchlaß nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß das fensterbildende Substrat (8)
über eine vakuumdichte Verbindung mit einem ande
ren Substrat (4) (z. B. Pyrexglas anodisch gebondet
mit Silizium) verbunden wird, und anschließend eine
mechanische oder chemische Bearbeitung zur Her
stellung von dünnen Membranen und der Definition
der Durchtrittsöffnungen erfolgt.
5. Gasdurchlaß nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Herstellung der Durchtrittsöff
nungen in dem Substrat (4) durch einen Ätzprozeß
(z. B. anisotropes Ätzen von Silizium in KOH) statt
finden kann.
6. Gasdurchlaß nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß das aus einem Beschichtungs- oder
Aufwachsprozeß resultierende Material aus Silizi
umoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Silizi
umcarbid, Pyrex-Glas oder einem anderen Hartglas
besteht.
7. Gasdurchlaß nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß jedes der Fenster (5) mit einer Heiz
wendel (10) ausrüstbar ist.
8. Verfahren zur Herstellung einer aus Quarzglas be
stehenden Durchtrittsfläche für einen Gaseinlaß
(1), welche von einer Vielzahl nebeneinanderliegen
der Fenster (5) gebildet wird, dadurch gekennzeich
net, daß eine Siliziumscheibe (4) mit einer Silizi
umoxidschicht beschichtet wird, auf ihrer Rückseite
mit einer Passivierungs- und einer Photolackschicht
(6) versehen wird, daß die Photolackschicht (6)
über eine Maske belichtet wird, die die Form der
gewünschten Durchtrittsfläche definiert, daß die
belichteten Photolackbereiche entfernt werden und
daß in den von Photolack freien Bereichen zuerst
die Passivierung und dann das Silizium entfernt
wird, so daß nur noch die aus Siliziumoxid beste
hende Schicht stehen bleibt und die gewünschten aus
vielen Fenstern (5) bestehenden Durchtrittsflächen
bildet.
9. Verfahren zur Herstellung einer aus Quarzglas be
stehenden Durchtrittsfläche für einen Gaseinlaß
(1), welche von einer Vielzahl nebeneinanderliegen
der Fenster (5) gebildet wird, dadurch gekennzeich
net, daß die Membran aus einem gasselektiven Mate
rial, z. B. Pyrexglas, besteht, das vakuumdicht mit
einem anderen Substrat 7, z. B. Silizium, verbunden
werden kann, dieses Material durch einen mechani
schen oder chemischen Bearbeitungsschritt abgedünnt
wird und von der Rückseite her Fensteröffnungen
über dünnschichttechnische Verfahren definiert und
geätzt werden können.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Entfernung des Siliziums durch
naßchemisches Ätzen, z. B. in KOH erfolgt.
11. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß jedes der Fenster (5) mit einer Heiz
wendel (10) vergehen werden kann, die durch dünn
schichttechnische Verfahren (z. B. Vakuumbeschich
tungsverfahren, Photolithographie, Ätzen) aufge
bracht wird.
12. Anwendung eines Gaseinlasses (1) mit den Merkmalen
der Patentansprüche 1, 2, 3, 4, 5, 6 oder 7 bei einem
Testgasdetektor mit einem leichten Gas, vorzugs
weise Helium, als Testgas.
13. Anwendung eines Gaseinlasses (1) mit den Merkmalen
der Patentansprüche 1, 2, 3, 4, 5, 6 oder 7 bei ei
nem Analysengerät für leichte Gase.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19521275A DE19521275A1 (de) | 1995-06-10 | 1995-06-10 | Gasdurchlaß mit selektiv wirkender Durchtrittsfläche sowie Verfahren zur Herstellung der Durchtrittsfläche |
JP50256197A JP3955323B2 (ja) | 1995-06-10 | 1996-06-01 | 選択作用性透過面を有するガス流路及びその透過面の製法 |
CN96194699A CN1108851C (zh) | 1995-06-10 | 1996-06-01 | 具有选择性作用的穿透面的气滤及制造此穿透面的方法 |
US08/973,930 US6277177B1 (en) | 1995-06-10 | 1996-06-01 | Gas passage with selectively acting penetration surface and process for producing the penetration surface |
DE59610940T DE59610940D1 (de) | 1995-06-10 | 1996-06-01 | Verfahren zur herstellung eines gasdurchlasses mit selektiv wirkender durchtrittsfläche sowie nach diesem verfahren hergestellter gasdurchlass |
EP96918657A EP0831964B1 (de) | 1995-06-10 | 1996-06-01 | Verfahren zur herstellung eines gasdurchlasses mit selektiv wirkender durchtrittsfläche sowie nach diesem verfahren hergestellter gasdurchlass |
PCT/EP1996/002378 WO1996041677A1 (de) | 1995-06-10 | 1996-06-01 | Gasdurchlass mit selektiv wirkender durchtrittsfläche sowie verfahren zur herstellung der durchtrittsfläche |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19521275A DE19521275A1 (de) | 1995-06-10 | 1995-06-10 | Gasdurchlaß mit selektiv wirkender Durchtrittsfläche sowie Verfahren zur Herstellung der Durchtrittsfläche |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19521275A1 true DE19521275A1 (de) | 1996-12-12 |
Family
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Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19521275A Withdrawn DE19521275A1 (de) | 1995-06-10 | 1995-06-10 | Gasdurchlaß mit selektiv wirkender Durchtrittsfläche sowie Verfahren zur Herstellung der Durchtrittsfläche |
DE59610940T Expired - Lifetime DE59610940D1 (de) | 1995-06-10 | 1996-06-01 | Verfahren zur herstellung eines gasdurchlasses mit selektiv wirkender durchtrittsfläche sowie nach diesem verfahren hergestellter gasdurchlass |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59610940T Expired - Lifetime DE59610940D1 (de) | 1995-06-10 | 1996-06-01 | Verfahren zur herstellung eines gasdurchlasses mit selektiv wirkender durchtrittsfläche sowie nach diesem verfahren hergestellter gasdurchlass |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6277177B1 (de) |
EP (1) | EP0831964B1 (de) |
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CN (1) | CN1108851C (de) |
DE (2) | DE19521275A1 (de) |
WO (1) | WO1996041677A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10031882A1 (de) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Leybold Vakuum Gmbh | Sensor für Helium oder Wasserstoff |
DE10122733A1 (de) * | 2001-05-10 | 2002-11-14 | Inficon Gmbh | Testleckvorrichtung |
DE10162126A1 (de) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Inficon Gmbh | Gasdurchlass mit selektiv wirkenden Gasdurchtrittsflächen |
ITTO20080683A1 (it) * | 2008-09-18 | 2010-03-19 | Univ Degli Studi Genova | Dispositivo di fuga di riferimento per la calibrazione delle perdite |
EP2273531A1 (de) | 2009-07-08 | 2011-01-12 | Varian SPA | Gasprobennahmevorrichtung und Gasanalysegerät |
DE202011100428U1 (de) | 2011-04-26 | 2011-07-14 | Vacom Vakuum Komponenten & Messtechnik Gmbh | Vorrichtung zum Schutz von vakuumtechnischen Einrichtungen |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8075558B2 (en) | 2002-04-30 | 2011-12-13 | Surgrx, Inc. | Electrosurgical instrument and method |
ITTO20030032A1 (it) * | 2003-01-24 | 2004-07-25 | Varian Spa | Membrana permeabile selettivamente ai gas e metodo per la sua realizzazione. |
JP4431144B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2010-03-10 | バリアン・インコーポレイテッド | 密封品における大規模漏れの検出方法および装置 |
US7955331B2 (en) | 2004-03-12 | 2011-06-07 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument and method of use |
DE102004034381A1 (de) * | 2004-07-16 | 2006-02-16 | Inficon Gmbh | Gassensor und Verfahren zum Betreiben einer Getterpumpe |
DE102004045803A1 (de) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Inficon Gmbh | Leckprüfverfahren und Leckprüfvorrichtung |
DE102004062101A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-13 | Inficon Gmbh | Selektiver Gassensor |
CN100437070C (zh) * | 2004-12-30 | 2008-11-26 | 清华大学 | 一种标准漏孔的制作方法 |
DE102005021909A1 (de) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Inficon Gmbh | Schnüffellecksucher mit Quarzfenstersensor |
DE102006026125A1 (de) * | 2006-06-03 | 2007-12-06 | Inficon Gmbh | Gassensor |
JP5145148B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2013-02-13 | 株式会社アルバック | ヘリウム検出ユニット |
US8756978B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-06-24 | Inficon Gmbh | Leak detector with optical tracer gas detection |
US8361196B2 (en) * | 2010-04-09 | 2013-01-29 | Inficon Gmbh | Gas-selective membrane and method of its production |
JP2012189537A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Murata Mfg Co Ltd | ガスセンサ |
JP5862046B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2016-02-16 | 株式会社村田製作所 | 水素ガスセンサ |
CN108139322B (zh) * | 2015-10-16 | 2021-03-02 | 英福康有限责任公司 | 具有非暴露电极的气体放电单元中的示踪气体的光学检测 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3121799A1 (de) * | 1981-06-02 | 1982-12-23 | Alexander Wiegand Gmbh U. Co Armaturen- U. Manometerfabrik, 8763 Klingenberg | Messmembrane gegen druckmedien-diffusion |
EP0352371A2 (de) * | 1988-07-27 | 1990-01-31 | VARIAN S.p.A. | Heliumleckdetektor |
DE4223455A1 (de) * | 1992-04-01 | 1993-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterdrucksensor und Herstellungsverfahren |
US5333504A (en) * | 1992-09-01 | 1994-08-02 | Rosemount Inc. | High overpressure low range pressure sensor |
DE4326265A1 (de) * | 1993-08-05 | 1995-02-09 | Leybold Ag | Testgasdetektor, vorzugsweise für Lecksuchgeräte, sowie Verfahren zum Betrieb eines Testgasdetektors dieser Art |
DE4326267A1 (de) * | 1993-08-05 | 1995-02-09 | Leybold Ag | Lecksuchgerät |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3828527A (en) * | 1972-09-28 | 1974-08-13 | Varian Associates | Leak detection apparatus and inlet interface |
US3939695A (en) * | 1974-02-26 | 1976-02-24 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Apparatus for detecting leaks |
DK441587A (da) * | 1986-10-23 | 1988-04-24 | Sulzer Ag | Indretning til afstoetning af en metallisk mikrofilterfolie |
SE463654B (sv) * | 1988-03-11 | 1991-01-07 | Nils Goeran Stemme | Membranstruktur samt saett att framstaella densamma |
NL9401260A (nl) * | 1993-11-12 | 1995-06-01 | Cornelis Johannes Maria Van Ri | Membraan voor microfiltratie, ultrafiltratie, gasscheiding en katalyse, werkwijze ter vervaardiging van een dergelijk membraan, mal ter vervaardiging van een dergelijk membraan, alsmede diverse scheidingssystemen omvattende een dergelijk membraan. |
-
1995
- 1995-06-10 DE DE19521275A patent/DE19521275A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-06-01 EP EP96918657A patent/EP0831964B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-01 JP JP50256197A patent/JP3955323B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-01 CN CN96194699A patent/CN1108851C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-01 US US08/973,930 patent/US6277177B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-01 WO PCT/EP1996/002378 patent/WO1996041677A1/de active IP Right Grant
- 1996-06-01 DE DE59610940T patent/DE59610940D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3121799A1 (de) * | 1981-06-02 | 1982-12-23 | Alexander Wiegand Gmbh U. Co Armaturen- U. Manometerfabrik, 8763 Klingenberg | Messmembrane gegen druckmedien-diffusion |
EP0352371A2 (de) * | 1988-07-27 | 1990-01-31 | VARIAN S.p.A. | Heliumleckdetektor |
DE4223455A1 (de) * | 1992-04-01 | 1993-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterdrucksensor und Herstellungsverfahren |
US5333504A (en) * | 1992-09-01 | 1994-08-02 | Rosemount Inc. | High overpressure low range pressure sensor |
DE4326265A1 (de) * | 1993-08-05 | 1995-02-09 | Leybold Ag | Testgasdetektor, vorzugsweise für Lecksuchgeräte, sowie Verfahren zum Betrieb eines Testgasdetektors dieser Art |
DE4326267A1 (de) * | 1993-08-05 | 1995-02-09 | Leybold Ag | Lecksuchgerät |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10031882A1 (de) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Leybold Vakuum Gmbh | Sensor für Helium oder Wasserstoff |
WO2002003057A1 (de) | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Inficon Gmbh | Sensor für helium oder wasserstoff |
DE10122733A1 (de) * | 2001-05-10 | 2002-11-14 | Inficon Gmbh | Testleckvorrichtung |
WO2002090917A2 (de) * | 2001-05-10 | 2002-11-14 | Inficon Gmbh | Testleckvorrichtung |
WO2002090917A3 (de) * | 2001-05-10 | 2003-03-20 | Inficon Gmbh | Testleckvorrichtung |
US7422627B2 (en) | 2001-12-18 | 2008-09-09 | Inficon Gmbh | Gas transmitter with selective gas permeable surfaces |
DE10162126A1 (de) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Inficon Gmbh | Gasdurchlass mit selektiv wirkenden Gasdurchtrittsflächen |
ITTO20080683A1 (it) * | 2008-09-18 | 2010-03-19 | Univ Degli Studi Genova | Dispositivo di fuga di riferimento per la calibrazione delle perdite |
WO2010032201A1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | Universita' Degli Studi Di Genova | Reference leakage device for leak calibra tion |
DE112009002117T5 (de) | 2008-09-18 | 2011-07-21 | Universita Degli Studi Di Genova | Referenzleckvorrichtung zur Leckkalibrierung |
EP2273531A1 (de) | 2009-07-08 | 2011-01-12 | Varian SPA | Gasprobennahmevorrichtung und Gasanalysegerät |
EP2273530A1 (de) | 2009-07-08 | 2011-01-12 | Varian SPA | Gasprobennahmevorrichtung und Gasanalysegerät |
DE202011100428U1 (de) | 2011-04-26 | 2011-07-14 | Vacom Vakuum Komponenten & Messtechnik Gmbh | Vorrichtung zum Schutz von vakuumtechnischen Einrichtungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP3955323B2 (ja) | 2007-08-08 |
EP0831964B1 (de) | 2004-03-17 |
EP0831964A1 (de) | 1998-04-01 |
DE59610940D1 (de) | 2004-04-22 |
WO1996041677A1 (de) | 1996-12-27 |
US6277177B1 (en) | 2001-08-21 |
CN1187781A (zh) | 1998-07-15 |
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