DE19518185C2 - Verfahren zur Agglomeratstrahl-Mikrostrukturierung - Google Patents
Verfahren zur Agglomeratstrahl-MikrostrukturierungInfo
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Abstract
Zur Mikrostrukturierung einer Werkstoffoberfläche in allen drei Raumrichtungen wird ein Clusterstrahl eingesetzt, der eine perforierte Maske durchsetzt und die Werkstoffoberfläche an den nicht maskierten Bereichen modifiziert, wobei die Maske und das Werkstück gegenüber dem Clusterstrahl in kontrollierter Weise bewegt werden.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren
zur Strukturierung, insbesondere zur Mikrostrukturierung,
eines Werkstückes in den drei Raumrichtungen mit Hilfe
eines Strahls beschleunigter Agglomerate von Atomen oder
Molekülen (Cluster).
Es ist bekannt, daß sich mit Agglomeratstrahlen die Ober
fläche eines Werkstückes lithographisch strukturieren läßt
(DE 42 27 237 C2). Dabei wird eine durch geeignete Perforation
strukturierte Maske auf die Werkstoffoberfläche aufgelegt,
oder in einem bestimmten Abstand von ihr gehalten, und das
Perforationsmuster mittels des Strahls beschleunigter
Agglomerate (Cluster) auf die Werkstückoberfläche proji
ziert. Der Durchmesser des Strahls ist dabei wesentlich
größer als die Abmessungen der Perforationsmuster, sodaß
diese überall gleichartig übertragen werden. Die Wechsel
wirkung der beschleunigten Cluster mit der Oberfläche
führt zu einem Ab- oder Aufbau von Material und damit zu
einer Strukturierung der Oberfläche.
Die Intensität des Agglomeratstrahls kann jedoch sowohl
räumlich als auch zeitlich variieren. Die zeitliche Ände
rung der Intensität eines Zink-Agglomeratstrahls wurde zum
Beispiel dadurch bestimmt, daß ein Werkstück hinter einer
gegenüber dem Strahl fixierten Blende gleichförmig vorbei
gezogen wurde, woraus sich eine konstante lokale Beschich
tungsdauer ergab. Die während dieser Beschichtungsdauer
jeweils aufgebrachte Schichtdicke spiegelte dann die zeit
liche Änderung der Intensität des Zink-Agglomeratstrahls
als Funktion des Ortes auf dem Werkstück wieder. (KfK-
Nachrichten 3/1993, S. 145 bis 150).
Im allgemeinen ist es erforderlich, solche zeitlichen oder
auch örtliche Schwankungen der Agglomeratstrahlintensität
im Hinblick auf eine gleichmäßige Bearbeitung des Werk
stückes auszugleichen. Das kann dadurch geschehen, daß das
Werkstück gegenüber dem Strahl so hin- und herbewegt wird,
daß sich die Intensitätsschwankungen auf alle zu struktu
rierenden Bereiche in gleicher Weise auswirken. Die Maske
muß dabei mit dem Werkstück mitbewegt werden, um eine
strukturgetreue Projektion der Muster der Maske auf das
Werkstück zu gewährleisten. Die Höhe bzw. Tiefe der
erzeugten Strukturen kann als Funktion des Ortes variiert
werden, indem bei gleichbleibenden Strahleigenschaften die
Geschwindigkeit der gemeinsamen Bewegung von Maske und
Werkstück gezielt verändert wird.
Die gemeinsame Bewegung von Maske und Werkstück gegenüber
dem Strahl kann auch deswegen erforderlich sein, weil sich
die Maske im Bereich des Strahlaufpralls erwärmt und daher
am jeweiligen Ort nur zeitweise dem Agglomeratbeschuß aus
gesetzt werden darf.
Es besteht nun aber auch der Wunsch, die Oberfläche in
lokal unterschiedlichem Maße auf- oder abzutragen, um
gezielt eine 3-dimensional variierende Oberflächenstruktur
zu erzeugen. Die Variation in der Strukturhöhe soll dabei
in lateralen Schritten möglich sein, die wesentlich klei
ner sind als der Durchmesser des Clusterstrahls. Zum Bei
spiel können Wellenstrukturen, Prismen oder halbkugelige
Linsen erforderlich sein.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
geeignet perforierte Maske während der Bestrahlung in
genau angepaßter Geschwindigkeit gegenüber der Werkstoff
oberfläche bewegt wird. Zur gemeinsamen Bewegung von Werk
stück und Maske gegenüber dem Strahl kommt dann die Bewe
gung der Maske gegenüber dem Werkstück hinzu, sodaß sich
in Bezug auf den Agglomeratstrahl die Maske und das Werk
stück in unterschiedlicher Weise bewegen.
Zusätzlich kann der Strahl während der Bewegung in seiner
Energie, Stromstärke oder auch Zusammensetzung, z. B. hin
sichtlich der Clustergrößenverteilung oder des Ionisie
rungsgrades, verändert werden, um eine unterschiedliche
Werkstückbearbeitung zu erreichen.
Schließlich können Werkstück und Maske gegenüber dem
Strahl gemeinsam oder getrennt verkippt werden, um auch
gegenüber der Werkstückoberfläche geneigte Strukturen zu
erzeugen.
Die Perforierung der Maske kann dabei aus feinen Löchern
bestehen, so daß viele Strahlen feinen Durchmessers das
Werkstück strukturieren und dazu in den beiden Raumrich
tungen parallel zur Oberfläche bewegt werden.
Es kann jedoch auch mit Vorteil so verfahren werden, daß
das Perforationsmuster geeignet so gestaltet wird, daß
bereits die Bewegung in einer Richtung eine 3-dimensionale
Höhenstruktur auf dem Werkstück erzeugt. Dadurch wird der
auf die Maske auffallende Strahl wesentlich besser ausge
nutzt und der Strukturierungsvorgang erheblich beschleu
nigt.
Die beigefügte Skizze Fig. 1 verdeutlicht, wie durch Ver
schiebung in einer Richtung eine Mikrolinsenstruktur
erzeugt werden kann. Die Variation in der Höhe z wird
dabei in y-Richtung durch die Änderung der Schlitzweite,
in x-Richtung durch eine geeignete Variation der Geschwin
digkeit der Maskenverschiebung in x-Richtung erzielt.
Mit dem vorgestellten Verfahren und der zugehörigen Vor
richtung lassen sich beispielsweise Mikrolinsen aus Dia
mant erzeugen, wozu bislang keine Möglichkeit bestand. In
ähnlicher Weise können natürlich auch beliebige andere
Materialien wie z. B. Glas, Silizium, Quarz, Metalle oder
Hartstoffe mit weitgehend frei wählbaren Strukturen verse
hen werden.
Claims (6)
1. Verfahren zur Mikrostrukturierung einer Werkstoffober
fläche mittels eines Strahls von Atomagglomeraten, der
eine perforierte Maske durchsetzt und die Werkstoffober
fläche an den nicht maskierten Bereichen modifiziert,
dadurch gekennzeichnet, daß eine sich in allen drei Raum
richtungen ändernde Struktur der Oberfläche durch kontrol
lierte Bewegung der Maske gegenüber dem Werkstück während
der Bestrahlung erzeugt wird, wobei sich die Maske und das
Werkstück in unterschiedlicher Weise gegenüber dem Agglo
meratstrahl bewegen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Agglomeratstrahl während der Bewegung von Maske und
Werkstück in seiner Energie, Stromstärke oder Zusammenset
zung verändert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
Maske und Werkstück gegenüber dem Strahl gemeinsam oder
getrennt verkippt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Anordnung von feinen Löchern als Perforation der Mas
ke verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Gestalt der Öffnungen in der Maske so gewählt wird,
daß bereits die Bewegung in einer Raumrichtung ausreicht,
um eine in drei Richtungen sich ändernde Struktur auf der
Werkstückoberfläche zu erzeugen.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Maske und das Werkstück gemeinsam gegenüber dem Strahl
bewegt werden.
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- 1995-05-21 DE DE19518185A patent/DE19518185C2/de not_active Expired - Fee Related
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