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Die
gegenständliche
Erfindung befaßt
sich mit der Erzeugung einer Prüfspannung,
vorzugsweise mit sehr niedriger Frequenz zur Prüfung der Isolation elektrischer
Betriebsmittel allgemein, insbesondere aber von verlegten Energiekabeln.
Dabei werden sowohl für
das Verfahren als auch für
die Prüfeinrichtung
Patentansprüche
erhoben.
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Vergleichbare
Verfahren nach dem Stand der Technik, mit denen es prinzipiell möglich wäre, Prüfspannungen
mit vorprogrammierbarer Kurvenform und vorzugsweise sehr niedriger
Frequenz zu erzeugen, besitzen entweder den Nachteil eines wesentlich
schlechteren Wirkungsgrades, da sowohl bei der Aufladung des meist
kapazitiven Prüflings
wie auch bei der Entladung Leistung in VDR-Elementen oder Widerständen umgesetzt
wird oder den Nachteil, daß störintensive
Bauteile, wie Funkenstrecken oder Nadelgleichrichter verwendet werden,
die eine gleichzeitige Diagnose des Isolationszustandes durch Messung
des Verlustfaktors oder durch Teilentladungsmessung erschweren.
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Der
Stand der Technik offenbart dazu die
DE 37 37 373 A1 , die ein Verfahren und eine
Schaltung zur Isolationsprüfung
von Prüflingen
mit großer
Eigenkapazität
und zur Ortung von Fehlern in Energiekabeln beschreibt. Bei der
technischen Lehre dieser Druckschrift besteht jedoch der Nachteil,
daß eine exakte
Schaltung der Prüfspannung
zu bestimmten Spannungswerten nicht möglich ist, so dass daraus Fehlertoleranzen
in der Fehlerortung hingenommen werden müssen.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs
genannten Art so weiterzubilden, daß mit wesentlich verbessertem Wirkungsgrad
und geringerem Geräteaufwand
eine niederfrequente Prüfspannung
erzeugt werden kann, deren Energiegehalt abhängig vom Spannungsverlauf am
Prüfling
ist.
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Gelöst wird
die Aufgabe durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und eine Vorrichtung
gemäß Anspruch
6. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den jeweiligen Unteransprüchen zu
entnehmen.
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Die
gegenständliche
Erfindung vereinigt durch die neuartigen Verfahren zur Erzeugung
einer sehr niederfrequenten Prüfspannung
die Vorteile der verschiedenen Erzeugungsverfahren nach dem Stand
der Technik und eliminiert gleichzeitig die wesentlichen Nachteile.
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Durch
die Erfindung wird die Erzeugung von Prüfspannungen verschiedener und
vorprogrammierbarer Frequenzen und Kurvenformen ermöglicht.
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Unter
anderem wird in der Erfindung ein elektronischer Hochspannungsschalter
mit extrem kurzer Schaltzeit verwendet, der im durchgeschalteten
Zustand niederimpedant ist und im nicht durchgeschaltenen Zustand
galvanisch hochisolierend wirkt. Dieser elektronische Hochspannungsschalter
kann schnell und definiert trennen und schließen. Durch Verwendung dieses
elektronischen Hochspannungsschalters wird Kontaktverschleiß durch
Abbrand, die Emission wesentlicher Störungen und damit die Beeinflussung
der Diagnose des Isolationszustandes vermieden.
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Mit
der vorliegenden Erfindung wird eine niederfrequente Prüfspannung
im Bereich 0 Hz bis 10 Hz erzeugt.
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Wesentliches
Merkmal der Erfindung ist, daß mit
einer Regelung zwei Schaltnetzteile angesteuert werden, die mit
dieser Regelung pulsbreitenmoduliert werden.
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Statt
der Pulsbreitenmodulation kann auch eine Pulsfrequenzmodulation
in Verbindung mit einer Pulsamplitudenmodulation durchgeführt werden.
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Wichtig
ist nur, daß mit
diesen modulierten Schaltnetzteilen entsprechende Primärwicklungen von
Hochspannungstransformatoren angesteuert werden, deren Sekundärwicklungen
auf Gleichrichterschaltungen wirken.
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Durch
die erfindungsgemäße Modulation
auf der Primärseite
des jeweiligen Hochspannungstransformators kann mit relativ klein
bauenden Hochspannungstransformatoren sekundärseitig durch Gleichrichtung
eine Gleich-Hochspannung mit geringer Welligkeit erzeugt werden.
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Mit
der erfindungsgemäßen Erzeugung
der Prüfspannung
wird erreicht, daß der
Prüfling
zunächst über eine
der beiden Gleichrichterschaltungen definiert aufgeladen wird und
in weiterer Folge eine definierte Entladung des Prüflings über einen elektronischen
Hochspannungsschalter erfolgt.
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Wichtig
ist hierbei, daß die
Gleichrichterschaltung entgegengesetzter Polarität im Bedarfsfall zur aktiven
Unterstützung
des Entladevorgangs verwendet wird. Damit wird die Entladezeit definiert
abgekürzt
und damit ist es nun erstmals möglich,
eine sehr niederfrequente Prüfspannung
mit beliebig wählbarer
Kurvenform zu verwenden. Wichtig hierbei ist, daß man nun entsprechend der
Kurvenform der Aufladung auch eine gleiche Kurvenform der Entladung
wählen
kann, weil zwei gegeneinander geschaltete Netzteile vorhanden sind,
die von der gleichen Regelung angesteuert werden.
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Auf
diese Weise ist es möglich,
beispielsweise eine Rechteckform, eine Sinusform, eine Dreiecksform
oder andere Kurvenformen der niederfrequenten Prüfspannung zu erzeugen.
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Alternativ
ist es möglich,
die Kurvenform bei der Aufladung unterschiedlich zu der Kurvenform
von der Entladung zu gestalten, weil dies über die entsprechende, unterschiedliche
Ansteuerung des Hochspannungsschalters verwirklicht werden kann.
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In
einer bevorzugten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung ist es
vorgesehen, als Hochspannungsschalter einen Halbleiterschalter zu
verwenden, der mit einem mechanischen oder auch elektronischen Umschalter
zusammenwirkt.
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In
einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist es vorgesehen, den
Hochspannungschalter als Serie von einzelnen Halbleiterschaltern
auszubilden, wobei jeder einzelne Halbleiterschalter für sich ansteuerbar
ist. Bei dieser Ausgestaltung wird eine schrittweise Entladung vorgesehen,
wobei zunächst die
Entladung über
Schutzelemente erfolgt, die durch die Ansteuerung der einzelnen
Schalter zur Wirkung gebracht werden. Schließt beispielsweise einer der Schalter,
welche in Serie geschaltet sind, dann ist die Spannungsfestigkeit
innerhalb der in Serie geschalteten Reihe vermindert, so daß die Schutzelemente der
Schalter, die noch nicht geschlossen sind, ansprechen und durchbrechen.
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Zu
jedem Schalter ist dementsprechend ein Schutzelement parallel geschaltet
und alle Schutzelemente können
sozusagen durch die Schalter schrittweise kurzgeschlossen werden.
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Bei
dieser Ausführungsform
kann auf einen mechanischen oder elektronischen Umschalter verzichtet
werden, weil die in Serie geschalteten, einzeln ansteuerbaren Schalter
die doppelte Spannungsfestigkeit haben, wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der
einzelne Hochspannungsschalter, der parallel mit einem Umschalter
kombiniert war. Beide Ausführungsformen
sind durch die Möglichkeit
der aktiven Entladung der Prüflingskapazität gekennzeichnet.
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Der
Regelung ist eine Steuerung vorgeschaltet, mit der die entsprechende,
gewünschte
Kurvenform der Aufladung und Entladung gewählt werden kann.
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Der
Erfindungsgegenstand der vorliegenden Erfindung ergibt sich nicht
nur aus dem Gegenstand der einzelnen Patentansprüche, sondern auch aus der Kombination
der einzelnen Patentansprüche
untereinander.
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Im
folgenden wird die Erfindung anhand von lediglich einen Ausführungsweg
darstellenden Zeichnungen näher
erläutert.
Hierbei gehen aus den Zeichnungen und ihrer Beschreibung weitere
erfindungswesentliche Merkmale und Vorteile der Erfindung hervor.
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Es
zeigen:
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1:
schematisiert eine erste Ausführungsform
einer Schaltung nach der Erfindung;
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2:
schematisiert eine zweite Ausführungsform
einer Schaltung nach der Erfindung;
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3:
Kurvenform einer Prüfspannung
als Beispiel.
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Die
Erzeugung der Prüfwechselspannung erfolgt
in mehreren Schritten aus einer Netzspannung.
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Mit
Hilfe eines Powerfactor Controllers 1 wird aus der Netzspannung
eine Gleichspannung erzeugt. Diese wird mit Hilfe von H-Brücken 2, 3 in Wechselspannungen
mit Netzfrequenz oder einem Vielfachen der Netzfrequenz umgewandelt.
Bei der Erzeugung der Wechselspannung wird dabei durch zeitliche
Variierung der Steuersignale an den Schaltelementen der H-Brücken 2, 3 durch
die Regelung 12 auch eine Modulation der Amplitude erreicht.
Durch Transformieren der so erzeugten Niederspannung wird mit Hilfe
von Hochspannungstransformatoren 4, 5 eine mit
sehr niedriger Frequenz amplitudenmodulierte Hochspannung erzeugt.
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Weiterführend werden
drei alternative Verfahren angewandt, um aus dieser Spannung bzw. diesen
Spannungen die gewünschte
Prüfspannung zu
generieren.
- 1) Wie in 1 dargestellt
werden aus zwei unabhängigen
Spannungen mit Hilfe von Gleichrichterschaltungen (zum Beispiel
Greinacher Vervielfachungsschaltungen) 6, 7 zwei
Gleichspannungen unterschiedlicher Polarität gegen Erdpotential und unabhängig voneinander
variierbarer Amplitude erzeugt. Die beiden Hochspannungsausgänge werden über einen
elektronischen Halbleiterschalter 8 mit Serienwiderstand 9 verbunden. Durch
ein Umschaltrelais 10 wird der zumeist kapazitive Prüfling 11 wahlweise
an den Ausgang der einen oder anderen Gleichrichterschaltung 6 oder 7 geschaltet.
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Die
Erzeugung der Prüfspannung
erfolgt derart, daß der
Prüfling
zunächst über eine
der beiden Gleichrichterschaltungen 6 beziehungsweise 7 definiert
aufgeladen wird, und in weiterer Folge eine definierte Entladung
des Prüflings über den
im Pulsbetrieb arbeitenden elektronischen Hochspannungsschalter 8,
den dazu in Serie liegenden Entladewiderstand 9 und die
zweite Gleichrichterschaltung 7 beziehungsweise 6 erfolgt.
Hierbei wird die zweite Gleichrichterschaltung 7 beziehungsweise 6 im
Bedarfsfall zur aktiven Unterstützung
des Entladevorganges verwendet. Im Spannungsnulldurchgang wird das
Umschaltrelais 10 umgeschaltet, so daß der Prüfling mit der zweiten Gleichrichterschaltung 7 beziehungsweise 6 direkt
verbunden ist und der Vorgang von Ladung und Entladung des Prüflings 11 wie oben
beschrieben für
die zweite Polarität
fortgesetzt wird. Durch kontinuierliche Wiederholung der Vorgänge wird
der Prüfling 11 mit
einer Wechselspannung beaufschlagt, deren Kurvenform und vorzugsweise
sehr niedrige Frequenz innerhalb der Grenzen durch Lade- und Entladezeitkonstanten,
die von der Geräteausgangsleistung
und der Last durch den Prüfling
bestimmt werden, über
die menügeführte Oberfläche der
Steuerung 13 vorprogrammierbar ist und durch eine Spannungs- und Stromregelung
garantiert wird.
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Der
dabei verwendete schnelle elektronische Hochspannungsschalter 8 ist
derart aufgebaut, daß durch Serienschaltung
von Halbleiterschaltelementen eine hohe Spannungsfestigkeit im geöffneten
Zustand erreicht wird. Die Steuersignale werden, von der Regelung 12 kommend,
transformatorisch übertragen,
so daß über mehrere
Isolierstrecken jedes Halbleiterschaltelement potentialgetrennt
und nahezu gleichzeitig angesteuert wird. Der elektronische Hochspannungsschalter 8 kann
mit Hilfe einer jedem Halbleiterschaltelement zugeordneten Steuerschaltung
definiert und schnell durchgeschaltet und geöffnet werden. Die einzelnen
Halbleiterschaltelemente sind durch parallelgeschaltete Schutzelemente
gegen Beanspruchung durch Überspannung
geschützt. Sie übernehmen
gleichzeitig den Schutz der Gleichrichterschaltungen gegen transiente
Spannungsüberhöhungen durch
Wanderwellen in Folge von möglichen
Durchschlägen
im Prüfling.
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Durch
die Regelung 12 wird der Verlauf der über den Spannungsteiler 14 gemessenen
Hochspannung zeitkritisch mit der gewünschten vorprogrammierten Kurvenform
und Amplitude verglichen und durch Eingriff auf die Schaltzeitpunkte
an den Schaltelementen der H-Brücken 2 und 3,
die Ansteuerung des elektronischen Hochspannungsschalters 8 und
Bestimmung des Schaltzeitpunktes am Umschaltrelais 10 die
Einhaltung garantiert. Während des
Umschaltvorganges am Relais 10 wird der elektronische Hochspannungsschalter 8 durch
die Regelung geschlossen, um Kontakterosion am Umschaltrelais 10 durch
Stromfluß und
Funkenbildung während
des Kontaktwechsels zu vermeiden.
- 2) Alternativ
zu 1) wird wie in 2 dargestellt auf die Verwendung
des Umschaltrelais 10 verzichtet und ausschließlich mit
passiven und elektronischen Bauelementen, die wahlweise transformatorisch
oder optisch angesteuert werden, gearbeitet. Der in 2 dargestellte
elektronische Hochspannungsschalter 15 unterscheidet sich
von der Ausführung
gegenüber
dem elektronischen Hochspannungsschalter 8 darin, daß die Halbleiterschaltelemente
einzeln und unabhängig
voneinander optisch oder transformatorisch angesteuert werden.
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Die
definierte Aufladung des Prüflings 11 erfolgt
derart, daß in
der positiven Halbwelle die im Verbindungszweig zwischen dem Prüfling 11 und
der Gleichrichterschaltung 6 liegenden Halbleiterschaltelemente
während
der Ladephase geschlossen sind und die Prüfspannung von der Regelung
entsprechend der vorprogrammierten Kurvenform durch Veränderung
der Schaltzeitpunkte an der H-Brücke 2 über den
Transformator 4 und die Gleichrichterschaltung 6 verändert wird.
Die Entladung der Prüflingskapazität erfolgt
durch schrittweises Schalten der zwischen dem Prüfling 11 und Gleichrichterschaltung 7 liegenden
Halbleiterschaltelemente. Der Entladestrom wird durch die zugehörigen Schutzelemente der
nicht durch Ansteuerung geschlossenen Schaltelemente begrenzt, so
daß die
Spannung am Prüfling entsprechend
der vorprogrammierten Kurvenform absinkt. Auch bei diesem Verfahren
wird im Bedarfsfall eine aktive Entladung durch Vorspannen der Gleichrichterschaltung 7 angewandt.
Adäquat
werden für
die Ladephase in der negativen Halbwelle alle Halbleiterschaltelemente
im Verbindungszweig zwischen dem Prüfling 11 und der Gleichrichterschaltung 7 geschlossen
und in der Entladephase wird durch schrittweises Schalten der Halbleiterschaltelemente
im Verbindungszweig zwischen Prüfling 11 und
Gleichrichterschaltung 6 das Absenken der Spannung am Prüfling bewerkstelligt.
- 3) In einer dritten Verfahrensvariante werden
die einzelnen Halbleiterschaltelemente im Gegensatz zum Verfahren
unter 2) nicht einzeln angesteuert sondern analog betrieben. Sonst
entspricht das Verfahren der Variante unter 2). Im Analogbetrieb von
Halbleiterschaltern wird die Energie im Halbleiterschalter selbst
vernichtet, es kann daher auf einen Stromfluß durch die Schutzelemente
verzichtet werden. Der Halbleiterschalter selbst ist damit das begrenzende
Element.
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In
den oben bezeichneten Ausführungsbeispielen
war angegeben worden, daß die
Gleichrichterschaltungen 6, 7 als Greinacher Vervielfachungsschaltungen
ausgeführt
sind. In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist es vorgesehen,
diese Gleichrichterschaltungen als reine Gleichrichterschaltung
oder als andere Vervielfacherschaltung auszubilden. Hierzu gibt
es eine Vielzahl von Möglichkeiten,
Einweggleichrichter, Mehrweggleichrichter, Spannungsverdoppler und
dergleichen Vervielfacherschaltungen mehr.
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Die
Bauteile mit den Bezugszeichen 2, 3 sind sogenannte
H-Brücken, bei
denen in der Regel vier Halbleiterschalter vorhanden sind, die so
angesteuert werden, daß jeweils
sich nur zwei im Durchgang befinden und hierdurch eine Ausgangswechselspannung
erzeugt wird.
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In
einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß jeweils
im Primärkreis
der Hochspannungstransformatoren 4, 5 eine Seriendrossel
angeordnet ist, die bevorzugt nicht-linear ausgebildet ist.
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Grund
für diese
Maßnahme
ist, daß der
Prüfling 11 kapazitiv
ist und eine entsprechende Rückwirkung
mit Stromspitzen auf die H-Brücken 2, 3 zu
befürchten
ist. Um diese Rückwirkungen
zu vermeiden wird bevorzugt eine nicht-lineare Drossel im Primärkreis der
jeweiligen Hochspannungstransformatoren 4, 5 verwendet.
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Ein
typischer Prüfspannungsverlauf
wird anhand der 3 in Verbindung mit der 1 näher erläutert.
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Im
Zeitpunkt t0 beginnt der Aufladevorgang, wobei über das
getaktete Schaltnetzteil 1 die H-Brücke 2 mit Gleichspannung
versorgt und von der Regelung 12 angesteuert wird, welche über den
Hochspannungstransformator 4 die Gleichrichterschaltung 6 beaufschlagt,
die demzufolge vom Zeitpunkt t0 angefangen
bis zum Zeitpunkt t1 einen Anstieg der Prüfspannung
U(6,7) erzeugt.
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In
diesem Zeitraum wirkt die Regelung 12 auf die H-Brücke 3,
in dem Sinne, daß sie
stillgelegt ist und keinerlei Spannung am Ausgang der Gleichrichterspannung 7 anliegt.
Gleichzeitig ist der Halbleiterschalter 8 geöffnet und
der Umschalter 10 befindet sich in der in 1 dargestellten
Position. Der Prüfling 11 wird
somit mit der Spannung U(11) nach 3 aufgeladen.
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Nach
Erreichen der Zeit t1 wird von der Regelung 12 die
H-Brücke 2 so
angesteuert, daß ein
weiterer Anstieg der Prüfspannung
vermieden wird, wodurch jetzt der Anstieg der Prüfspannung im Kurvenzweig 16 in
die gleich gerichtete Prüfspannung 17 übergeht.
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Die
Dauer zwischen den Zeiten t1 und t2 ist hierbei beliebig wählbar.
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Im
Zeitpunkt t2 wird die Regelung 12 entsprechend
wiederum angesteuert, wodurch ein Entladevorgang stattfindet. Es
wird hierbei der Kurvenzweig 18 durchlaufen. Hierbei wird
die H-Brücke 2 von
der Regelung 12 inaktiv geschaltet, daß am Ausgang der Gleichrichterschaltung 6 kein
Strom mehr fließen kann.
Von der Gleichrichterschaltung 6 wird der Prüfling 11 dementsprechend
nicht mehr nachgeladen.
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Durch
Pulsansteuerung des Halbleiterschalters 8 von der Regelung 12 her
wird dieser taktweise geöffnet
und geschlossen, wobei wahlweise die Pulsbreite und/oder die Frequenz
des Öffnens
und Schließens
dieses Halbleiterschalters 8 eingestellt werden kann.
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Damit
erfolgt eine gesteuerte Entladung über den Halbleiterschalter 8 und
den Widerstand 9.
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Würde nun
keine gesteuerte Entladung stattfinden, dann würde die Entladung des Prüflings 11 über den
getakteten Halbleiterschalter 8 und den Widerstand 9 entsprechend
eine RC-Entladekurve 22 mit exponentiellem Verlauf (3)
erfolgen.
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Durch
das taktweise Schalten des Halbleiterschalters 8 würde zunächst einmal – ohne die
erfindungsgemäßen Maßnahmen – ein Kurvenzweig
zwischen den Punkten t2–t3 durchlaufen,
d.h. es erfolgt eine relativ schnelle Entladung bis zum Zeitpunkt
t3. Ab diesem Zeitpunkt würde dann
entsprechend der RC-Zeitkonstante
eine sehr langsame Entladung weiter im Verlauf des Kurvenzweiges 22 stattfinden. Hier
setzen nun die erfindungsgemäßen Maßnahmen
ein, weil im Zeitpunkt t3 nun über die
Regelung 12 die H-Brücke 3 angesteuert
wird und über
die Gleichrichterschaltung 7 eine definierte Gegenspannung
an den Prüfling
angelegt wird.
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Der
Umschalter 10 ist hierbei noch in seiner oberen Schaltposition,
wie dies in 1 dargestellt ist.
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Es
erfolgt also ein kontrolliertes Absaugen der Ladung vom Prüfling über die
entgegengesetzt angelegte Spannung von der Gleichrichterschaltung 7.
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Zwischen
den Kurvenästen
t3 und tu wird also das
Saugen mit der Gleichrichterschaltung 7 verwirklicht.
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Im
Zeitpunkt tu wird der Umschalter 10 umgeschaltet
und derselbe Vorgang beginnt, wie oben beschrieben, in analoger
Weise.
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D.h.
also der untere Aufladezweig mit der H-Brücke 3 und der Gleichrichterschaltung 7 führt eine
gesteuerte Aufladung durch, wie dies anhand des Kurvenzweiges 16 bereits
schon erläutert
wurde. Es wird hierbei also der Kurvenzweig 19 durchlaufen.
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Der
Kurvenzweig 20 entspricht dem oben beschriebenen Kurvenzweig 17.
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Im
Zeitpunkt t4 findet dann die gesteuerte Entladung
im Bereich der Kurve 21 statt, so wie dies anhand der Kurve 18 erläutert wurde.
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Es
wird also nochmals wiederholt, daß eine Kurvenform entsprechend
der gestrichelten Kurve zwischen den Zeitpunkten t2 und
t3 erreicht wird, wenn kein gesteuertes,
pulsweises Entladen mit dem Hochspannungsschalter 8 stattfindet.
Wird hingegen der Hochspannungschalter 8 pulsweise betrieben,
so wie diese vorhin dargestellt wurde, dann wird der in durchgezogenen
Linien erläuterte
Kurvenzweig 18 zwischen den Punkten t2 und
t3 durchlaufen.
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Wenn
jetzt im Zeitpunkt t3 die gesteuerte Entladung
(Absaugung) stattfindet, dann wird weiterhin der Kurvenzweig zwischen
den Zeiten t3 und tu entsprechend
der durchgezogenen Linie durchlaufen.
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Wird
eine andere Kurvenform für
die Kurven 16, 18 bzw. 19, 21 gewünscht, dann
werden die Ansteuersignale der Regelung 12 entsprechend
geändert.
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Ebenso
kann die Kurvenform der Kurven 17 und 20 geändert werden,
z.B. kann eine durchgehende Sinuskurve erzeugt werden, wobei dann
die Kurvenzweige 17 und 20 vollständig entfallen.
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Für die Darstellung
in 2 gelten im wesentlichen die gleichen Erläuterungen,
d.h. das Umschalten des Umschalters 10 in den Zeitpunkten
t0 und tu wird bei
der Ausführungsform
nach 2 durch gesteuertes Schalten der einzelnen in
Serie geschalteten Schalter 23–28 verwirklicht.
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Beim
Aufladen im Bereich des Kurvenzweiges 16 sind die Schalter 23–25 geschlossen. Über die
H-Brücke 2,
den Transformator 4 und die Gleichrichterschaltung 6 wird
der Prüfling 11 entsprechend dem
Kurvenzweig 16 bis zum Zeitpunkt t1 aufgeladen,
es wird dann die Spannung gehalten im Bereich des Kurvenzweiges 17,
wobei die Stellung der Schalter 23–25 nicht verändert wird.
Es wird noch hinzugefügt,
daß während dieses
Zustandes die Schalter 26–28 geöffnet sind.
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In
dem Zeitpunkt t2 geschieht folgendes:
Die
Schalter 23–25 öffnen alle
gleichzeitig.
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Gleichzeitig
mit dieser Schaltung schließen nacheinander
folgend die Schalter 26, 27, 28 entsprechend
den von der Regelung 12 angegebenen Zeitpunkten.
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Über die
parallel zu den noch offenen Schaltern 26–28 geschalteten
Schutzelementen erfolgt eine gesteuerte Entladung, weil diese Schutzelemente
entsprechend in den Durchgangszustand gelangen.
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Als
Beispiel wird angegeben, daß im
Zeitpunkt t2 alle Halbleiterschalter 23–25 gleichzeitig
geöffnet
werden. In diesem Zustand sind alle Halbleiterschalter 26–28 ebenfalls
noch geöffnet.
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Im
Zeitpunkt t2 schließt nun der erste Halbleiterschalter 26 und über die
parallel geschalteten Schutzelemente 27a, 28a fließt nun ein
Entladestrom über
die Gleichrichterschaltung 7 gegen Erde.
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Etwa
auf einem Drittel der Kurvenstrecke der Kurve 18 wird dann
der zweite Halbleiterschalter 27 geschlossen und der Entladestrom
fließt
dann nur noch über
das Schutzelement 28a.
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Im
unteren Bereich der Kurve 18, kurz vor Erreichen des Nulldurchgangs,
wird auch der letzte Halbleiterschalter 28 geschlossen
und es liegt dann ein vollständiger
Kurzschluß über die
geschlossenen Halbleiterschalter 26, 27, 28 über die
Gleichrichterschaltung 7 zur Masse vor.
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Im
gezeichneten Ausführungsbeispiel
waren nur drei Halbleiterschalter 26, 27, 28 und
entsprechend auch drei Halbleiterschalter 23, 24, 25 für jede Halbwelle
der Prüfspannung
vorgesehen. In Wirklichkeit sind jedoch ein Vielfaches dieser Halbleiterschalter
vorhanden. So sind z.B. anstatt der Halbleiterschalter 26–28 in
Wirklichkeit bis zu 50 Halbleiterschalter vorhanden.
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Man
kann jedoch auch wesentlich mehr nehmen; die angewählte Anzahl
hängt davon
ab, wie stark treppenförmig
die Entladekurve 18, 21 sein darf.
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In
einer Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen werden, daß die sich
einstellende treppenförmige
Entladekurve dadurch geglättet
wird, daß über den
an sich inaktiven, anderen Zweig, nämlich die Schaltung aus den
Teilen 2, 4, 6 Ladung nachgeschoben wird,
um so gesteuert die treppenförmige Kurve „aufzufüllen", um dementsprechend
einen stark geglätteten
Verlauf zu erreichen.
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Dazu
müssen
die Schalter 23–25 geschlossen
sein und entsprechend wird über
die Regelung 12 der an und für sich inaktive Zweig 2, 4, 6 gesteuert angesprochen.
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In
einer anderen Ausgestaltung kann es vorgesehen sein, in der Entladephase – wie oben
beschrieben – nicht
alle Schalter 26–28 nacheinanderfolgend
zu schließen,
sondern einen oder mehrere Schalter (z.B. Schalter 27, 28)
geöffnet
zu lassen und statt dessen eine gesteuerte Absaugspannung zu erzeugen,
welches durch Ansteuerung mittels der Regelung 12 auf die
H-Brücke 3 erfolgt.
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In 3 ist
im unteren Teil der Spannungsverlauf an den Ausgängen der Gleichrichterschaltungen 6 und 7 schematisiert
dargestellt.
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Bezüglich der
Ausgestaltung nach 1 ist in 3 vom Zeitpunkt
t2 bis zum Zeitpunkt t3 im übrigen noch dargestellt,
daß der
Halbleiterschalter 8 mit hoher Taktfrequenz von z.B. 30
kHz getaktet wird, um so eine erste, gesteuerte Entladung vom Zeitpunkt
t2 bis zum Zeitpunkt t3 zu
verwirklichen.
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Ab
dem Zeitpunkt t3 erfolgt dann die Entladung
entsprechend der Kurve am Ausgang der Gleichrichterschaltung 7,
wobei zunächst
von t3 beginnend bis zum Zeitpunkt tu die Entladespannung stark ansteigt, um
so eine schnelle und gesteuerte Entladung im Kurvenbereich 18 im
Bereich von t3 bis tu zu
erreichen.
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Im
Umschaltzeitpunkt tu schaltet das Relais 10 um,
d.h. der Schalter kommt in seine untere Position und am Ausgang
der Gleichrichterschaltung 7 liegt dann direkt die Prüfspannung
an, wie sie im Kurvenzweig 19 besteht.
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Dies
geht bis zum Zeitpunkt t4, wo dann der gesamte
Vorgang umgekehrt wird und jetzt der Zweig 3, 5, 7 inaktiv
wird. Der Halbleiterschalter wird wieder impulsmäßig angesteuert, und danach
wird gesteuert der Zweig 2, 4, 6 in Betrieb
genommen und legt eine entsprechend gesteuerte Entladespannung an,
so wie dies anhand der vorherigen Beschreibung anhand der Elemente 3, 5, 7 erläutert wurde.
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So
folgt also das analoge Schalten der Elemente 2, 4, 6 ab
dem Zeitpunkt t4.
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- 1
- Gleichrichterschaltung
- 2
- H-Brücke
- 3
- H-Brücke
- 4
- Hochspannungstransformator
- 5
- Hochspannungstransformator
- 6
- Gleichrichterschaltung
- 7
- Gleichrichterschaltung
- 8
- Hochspannungsschalter
- 9
- Widerstand
- 10
- Umschalter
- 11
- Prüfling
- 12
- Regelung
- 13
- Steuerung
- 14
- Spannungsteiler
- 15
- Hochspannungsschalter
- 16
- Kurvenzweig
der Prüfspannung
- 17
- Kurvenzweig
der Prüfspannung
- 18
- Kurvenzweig
der Prüfspannung
- 19
- Kurvenzweig
der Prüfspannung
- 20
- Kurvenzweig
der Prüfspannung
- 21
- Kurvenzweig
der Prüfspannung
- 22
- Kurvenzweig
- 23
- Schalter
- 24
- Schalter
- 25
- Schalter
- 26
- Schalter
- 27
- Schalter
- 28
- Schalter
- 26a
- Schutzelement
- 27a
- Schutzelement
- 28a
- Schutzelement