DE19502827A1 - Projektions-Belichtungsgerät - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Projektions-
Belichtungsgerät zur Übertragung feiner Muster auf einen
Wafer und insbesondere auf ein Projektions-Belichtungsgerät,
das feine Muster unter Verwendung eines Strahls in dem
Bereich von dem Röntgenstrahlenbereich bis zu dem Vakuum-
Ultraviolettbereich überträgt.
In letzter Zeit gibt es mit der Entwicklung von
Halbleiter-Vorrichtungen mit höheren Packungsdichten einen
Bedarf an Projektions-Belichtungsgeräten mit höherer
Auflösung, um feinere Schaltkreismuster zu übertragen. Im
allgemeinen ist, wie wohlbekannt ist, die Auflösung eines
Projektions-Belichtungsgerätes höher, wenn die numerische
Apertur des optischen Projektionssystems größer ist, oder
wenn die Wellenlänge des Beleuchtungslichts kürzer ist. Wenn
jedoch die numerische Apertur erhöht wird, werden die
Komponenten mit großem Einfallswinkel in dem
Beleuchtungslicht, das auf einen Wafer einfällt, erhöht, und
entsprechend wird die Schärfentiefe verringert, was zu einer
Beeinträchtigung der Muster-Übertragungsgenauigkeit führt.
Aus diesem Grund sind viele Versuche gemacht worden, um
die Auflösung von Projektions-Belichtungsgeräten zu
verbessern, indem man als Beleuchtungslicht einen Strahl aus
Strahlen mit kurzer Wellenlänge wie beispielsweise
Röntgenstrahlen verwendet. Wenn jedoch die Wellenlänge eines
Strahls verringert wird, kann der Strahl in einem Material
leichter absorbiert werden. Zum Beispiel ist es in Bezug auf
einen Strahl in dem Bereich vom Röntgenstrahlenbereich zum
Vakuum-Ultraviolettbereich schwierig, ein optisches
Abbildungssystem unter Verwendung von Transmissionslinsen zu
verwenden, wie in dem Fall von herkömmlichen
Belichtungsgeräten unter Verwendung einer Quecksilberlampe
oder dergleichen als Lichtquelle. In solch einem Fall ist es
notwendig, ein optisches Abbildungssystem vom Reflexionstyp
zu verwenden. Zum Beispiel werden in den japanischen Patent-
Offenlegungsschriften Nr. 63-18626 und 63-312638 optische
Abbildungssysteme vom Reflexionstyp zur Übertragung von
Maskenmuster auf einen Wafer unter Verwendung von
Röntgenstrahlen beschrieben.
Gewöhnlich aber wird Synchrotron-Strahlung, die als ein
Beleuchtungsstrahl verwendet wird, im wesentlichen als eine
Punkt-Lichtquelle behandelt. Daher wird die räumliche
Kohärenz erhöht. Als ein Ergebnis tritt, wenn feine
komplizierte, auf einer Maske gebildete Muster übertragen
werden, eine Beeinträchtigung in einem projizierten Bild
aufgrund des Einflusses von Interferenz zwischen
nebeneinanderliegenden Mustern auf.
Hinsichtlich der vorstehend beschriebenen Probleme ist
es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Projektions-
Belichtungsgerät mit der Fähigkeit, feine Muster unter
Verwendung eines Strahls in dem Bereich von dem Röntgen
strahlenbereich zu dem Vakuum-Ultraviolettbereich zu
übertragen, bereitzustellen.
Um diese Aufgabe zu lösen, wird gemäß einer Gestaltung
der vorliegenden Erfindung ein Projektions-Belichtungsgerät
bereitgestellt, umfassend eine Strahlungsquelle zum
Emittieren eines Strahls in dem Bereich von einem Röntgen-
Strahlbereich zu einem Vakuum-Ultraviolettbereich, eine Maske
vom Reflexionstyp, auf der ein Schaltkreismuster gebildet
ist, ein optisches Beleuchtungssystem, das eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche durch den von der Strahlungsquelle
emittierten Strahl bildet und das die Maske vom Reflexionstyp
mit dem Strahl von der sekundären Lichtquellenoberfläche
bestrahlt, und ein optisches Projektionssystem, das das
Schaltkreismuster auf einen Wafer projiziert, indem es den
reflektierten Strahl von der Maske vom Reflexionstyp auf den
Wafer bündelt.
Gemäß einer weiteren Gestaltung der vorliegenden
Erfindung wird ein Projektions-Belichtungsgerät
bereitgestellt, umfassend eine Strahlungsquelle zum
Emittieren eines Strahls in dem Bereich von einem Röntgen-
Strahlbereich zu einem Vakuum-Ultraviolettbereich, eine Maske
vom Reflexionstyp, auf der ein Schaltkreismuster gebildet
ist, ein optisches Beleuchtungssystem, das die Maske vom
Reflexionstyp mit dem von der Strahlungsquelle emittierten
Strahl bestrahlt, und ein optisches Projektionssystem, das
eine Pupillenoberfläche durch den reflektierten Strahl von
der Maske vom Reflexionstyp bildet, und die das
Schaltkreismuster auf einen Wafer projiziert, indem es den
Strahl von der Pupillenoberfläche auf den Wafer bündelt.
Fig. 1 ist ein Diagramm eines Projektions-
Belichtungsgeräts gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 2a bis 2c sind Diagramme eines optischen
Lichtquellensystems, eines optischen Beleuchtungssystems bzw.
eines optischen Projektionssystems von Ausführungsform 1;
Fig. 3 und 4 sind Diagramme von Projektions-
Belichtungsgeräten gemäß den Ausführungsformen 2 bzw. 3;
Fig. 5a bis 5c sind Diagramme eines optischen
Lichtquellensystems, eines optischen Beleuchtungssystems bzw.
eines optischen Projektionssystems von Ausführungsform 3;
Fig. 6 und 7 sind Diagramme von Projektions-
Belichtungsgeräten gemäß den Ausführungsformen 4 bzw. 5;
Fig. 8a bis 8c sind Diagramme eines optischen
Lichtquellensystems, eines optischen Beleuchtungssystems bzw.
eines optischen Projektionssystems von Ausführungsform 5;
Fig. 9 und 10 sind Diagramme von Projektions-
Belichtungsgeräten gemäß den Ausführungsformen 6 bzw. 7;
Fig. 11a bis 11c sind Diagramme eines optischen
Lichtquellensystems, eines optischen Beleuchtungssystems bzw.
eines optischen Projektionssystems von Ausführungsform 7;
Fig. 12 und 13 sind Diagramme von Projektions-
Belichtungsgeräten gemäß den Ausführungsformen 8 bzw. 9;
Fig. 14a bis 14c sind Diagramme eines optischen
Lichtquellensystems, eines optischen Beleuchtungssystems bzw.
eines optischen Projektionssystems von Ausführungsform 9;
Fig. 15 und 16 sind Diagramme von Projektions-
Belichtungsgeräten gemäß den Ausführungsformen 10 bzw. 11;
Fig. 17a bis 17c sind Diagramme eines optischen
Lichtquellensystems, eines optischen Beleuchtungssystems bzw.
eines optischen Projektionssystems von Ausführungsform 11;
Fig. 18 ist ein Diagramm eines Projektions-
Belichtungsgerätes gemäß der Ausführungsform 12;
Fig. 19a bis 19d sind Diagramme von ersten räumlichen
Filtern, die jeweils in den Ausführungsformen 13 bis 16
verwendet werden;
Fig. 20a bis 20d sind Diagramme von ersten räumlichen
Filtern, die jeweils in den Ausführungsformen 17 bis 20
verwendet werden;
Fig. 21a bis 21d sind Diagramme von Masken vom
Reflexionstyp, die jeweils in den Beispielen 21 bis 24
verwendet werden;
Fig. 22a bis 22d sind Diagramme von Masken vom
Reflexionstyp, die jeweils in den Beispielen 25 bis 28
verwendet werden;
Fig. 23a und 23b sind Diagramme von zweiten räumlichen
Filtern, die jeweils in den Ausführungsformen 29 und 30
verwendet werden; und
Fig. 24a und 24b sind Diagramme von zweiten räumlichen
Filtern, die in den Ausführungsformen 31 bzw. 32 verwendet
werden.
Nachstehend werden die bevorzugten Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden
Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung. Eine Maske 15
vom Reflexionstyp ist vor einer Strahlungsquelle 11
angeordnet, wobei ein Spiegel 12, eine Blende 13 und ein
Spiegel 14 dazwischen angeordnet sind. Ein Spiegel 16 ist so
angeordnet, daß er einen reflektierten Strahl von der Maske
15 vom Reflexionstyp empfängt, und ein Wafer 17 ist so
angeordnet, daß er einen reflektierten Strahl von dem Spiegel
16 empfängt. Auf den Wafer 17 zu übertragende
Schaltkreismuster sind auf der Maske 15 vom Reflexionstyp
gezeichnet.
Als Strahlungsquelle 11 wird ein Speicherring oder ein
Beschleunigungsring eines Elektronenbeschleunigers verwendet,
und davon emittierte Synchrotronstrahlung wird als
Belichtungsstrahlung verwendet. Wie in Fig. 2a
veranschaulicht, ist der Spiegel 12 ein parabolischer Spiegel
und so angeordnet, daß er einen Strahl von der
Strahlungsquelle 11 auf eine Blendenoberfläche der Blende 13
fokussiert.
Der Spiegel 14 ein ellipsoidischer Spiegel, wie in Fig.
2b veranschaulicht, und ist so angeordnet, daß er einen
Brennpunkt auf der Blendenoberfläche der Blende 13 und einen
weiteren Brennpunkt auf der Maske 15 hat. Das heißt, der
Spiegel 14 ist auf einer Ellipse E₁ angeordnet, die
Brennpunkte an Stellen auf der Blende 13 und der Maske 15
hat. Die Spiegel 12 und 14 bilden ein optisches
Beleuchtungssystem und bilden eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche an einer Stelle auf dem Spiegel 14.
Der Spiegel 14 dient auch als ein erstes räumliches Filter.
Wie in Fig. 2c veranschaulicht, ist der Spiegel 16 ein
ellipsoidischer Spiegel, und er ist so angeordnet, daß er
einen Brennpunkt auf der Maske 15 und einen weiteren
Brennpunkt auf dem Wafer 7 hat. Das heißt, der Spiegel 16 ist
auf einer Ellipse E2 angeordnet, die Brennpunkte an Stellen
auf der Maske 15 und dem Wafer 17 hat. Eine
Pupillenoberfläche, die der sekundären Lichtquellenoberfläche
entspricht, ist an einer Stelle auf dem Spiegel 16 gebildet.
Der Spiegel 16 bildet ein optisches Projektionssystem und
dient auch als ein zweites räumliches Filter.
Von der Strahlungsquelle 11 emittierte
Synchrotronstrahlung bewegt sich zu der Maske 15 vom
Reflexionstyp über den Spiegel 12, die Blende 13 und den
Spiegel 14. Der von der Maske 15 reflektierte Strahl erreicht
den Wafer 17 über den Spiegel 16. Also werden die auf der
Maske 15 gezeichneten Schaltkreismuster auf den Wafer 17
übertragen. Wenn die beleuchtete Fläche auf der Maske 15
klein ist, können die Maske 15 und der Wafer 17 in
Synchronisation miteinander gemäß der Vergrößerung abgetastet
werden, um die gesamten Muster auf der Maske 15 auf den Wafer
17 zu übertragen.
Die Stellen, an denen die Spiegel 14 und 16 auf der
Ellipse E1 und E2 angeordnet sind, können so ausgewählt sein,
daß die Vergrößerung verändert wird. Somit kann ein
Röntgenstrahlen-Reduktionsprojektions-Belichtungsgerät
verwirklicht werden.
Das Gerät dieser Ausführungsform hat den Vorteil einer
erleichterten Instandhaltung bzw. Handhabung, da das optische
Beleuchtungssystem und das optische Projektionssystem
voneinander separat sind.
Fig. 3 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung. Dieses Gerät
ist in solch einer Weise angeordnet, daß in dem Gerät von
Ausführungsform 1 das optische Beleuchtungssystem und das
optische Projektionssystem so angeordnet sind, daß sich ihre
optischen Wege schneiden, wodurch der von dem gesamten Gerät
eingenommene Raum verringert wird. Es ist daher möglich, ein
kleineres Projektions-Belichtungsgerät aufzubauen. Es ist
bevorzugt, zuerst die Anordnung von Ausführungsform 1 in
einem Entwicklungsprozeß anzunehmen, und die Anordnung von
Ausführungsform 2 anzunehmen, wenn zufriedenstellende
Ergebnisse zugenommen haben.
Fig. 4 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung. Ein erstes
räumliches Filter 25a vom Absorptionstyp ist vor einer
Strahlungsquelle 11 angeordnet, wobei ein Spiegel 22, eine
Blende 23 und ein Spiegel 24 dazwischen angeordnet sind. Eine
Maske 15 vom Reflexionstyp ist vor dem räumlichen Filter 25a
angeordnet, wobei ein Spiegel 26 dazwischen angeordnet ist.
Ein Spiegel 27 ist so angeordnet, daß er einen von der Maske
15 vom Reflexionstyp reflektierten Strahl empfängt. Ein Wafer
17 ist vor dem Spiegel 27 angeordnet, wobei ein zweites
räumliches Filter 25b vom Absorptionstyp und ein Spiegel 28
dazwischen angeordnet ist.
Wie in Fig. 5a veranschaulicht, ist der Spiegel 22 ein
parabolischer Spiegel und so angeordnet, daß er einen Strahl
von der Strahlungsquelle 11 auf eine Blendenoberfläche der
Blende 23 fokussiert.
Wie in Fig. 5b veranschaulicht, sind die Spiegel 24 und
26 parabolische Spiegel und sind so angeordnet, daß sie einen
Brennpunkt auf der Blendenoberfläche der Blende 23 bzw. einen
Brennpunkt auf der Maske 15 haben. Die Spiegel 22, 24 und 26
und die Blende 23 bilden ein optisches Beleuchtungssystem,
und sie bilden auch eine sekundäre Lichtquellenoberfläche an
einer Position in dem ersten räumlichen Filter 25a. Wie in
Fig. 5c veranschaulicht, sind die Spiegel 27 und 28
parabolische Spiegel und so angeordnet, daß sie Brennpunkte
auf der Maske 15 bzw. auf dem Wafer 17 haben. Die Spiegel 27
und 28 bilden ein optisches Projektionssystem, und sie bilden
auch eine Pupillenoberfläche, die der sekundären
Lichtquellenoberfläche an einer Position in dem zweiten
räumlichen Filter 25b entspricht.
Von der Strahlungsquelle 11 emittierte Synchrotron-
Strahlung bewegt sich zu dem ersten räumlichen Filter 25a
über den Spiegel 22, die Blende 23 und den Spiegel 24.
Nachdem er durch das erste räumliche Filter 25a durchgegangen
ist, bewegt sich der Strahl zu der Maske 15 vom Reflexionstyp
über den Spiegel 26. Der von der Maske 15 reflektierte Strahl
bewegt sich zu dem zweiten räumlichen Filter 25b über den
Spiegel 27. Nachdem er durch das zweite räumliche Filter 25b
durchgegangen ist, erreicht der Strahl den Wafer 17 über den
Spiegel 28.
Die Krümmungen und die Anordnungsposition der Spiegel 24
und 26 können so ausgewählt sein, daß die Vergrößerung
verändert wird. Auch können die Krümmungen und die
Anordnungsposition der Spiegel 27 und 28 so ausgewählt sein,
daß die Vergrößerung verändert wird.
Das Gerät von Ausführungsform 3 ist insofern
vorteilhaft, daß der von dem gesamten Gerät belegte Raum
verringert werden kann, da das optische Beleuchtungssystem
und das optische Projektionssystem so gebildet sind, daß sie
einander schneiden.
Fig. 6 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung. Dieses Gerät
ist in solch einer Weise angeordnet, daß in dem Projektions-
Belichtungsgerät von Ausführungsform 3 das optische
Beleuchtungssystem und das optische Projektionssystem separat
voneinander angeordnet sind, wodurch die Instandhaltung bzw.
Handhabung erleichtert wird.
Fig. 7 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 5 der vorliegenden Erfindung. Ein erstes
räumliches Filter 35a vom Reflexionstyp ist vor einer
Strahlungsquelle 11 angeordnet, wobei ein Spiegel 32, eine
Blende 33 und ein Spiegel 34 dazwischen angeordnet sind. Eine
Maske 15 vom Reflexionstyp ist vor dem räumlichen Filter 35a
angeordnet, wobei ein Spiegel 36 dazwischen angeordnet ist.
Ein Spiegel 37 ist so angeordnet, daß er einen von der Maske
15 vom Reflexionstyp reflektierten Strahl empfängt. Ein Wafer
17 ist vor dem Spiegel 37 angeordnet, wobei ein zweites
räumliches Filter 35b vom Reflexionstyp und ein Spiegel 38
dazwischen angeordnet sind.
Wie in Fig. 8a veranschaulicht, ist der Spiegel 32 ein
parabolischer Spiegel und so angeordnet, daß er einen Strahl
von der Strahlungsquelle 11 auf eine Blendenoberfläche der
Blende 33 fokussiert.
Wie in Fig. 8b veranschaulicht, sind die Spiegel 34 und
36 parabolische Spiegel und so angeordnet, daß sie einen
Brennpunkt auf der Blendenoberfläche der Blende 33 bzw. einen
Brennpunkt auf der Maske 15 haben. Die Spiegel 32, 34 und 36
und die Blende 33 bilden ein optisches Beleuchtungssystem und
bilden auch eine sekundäre Lichtquellenoberfläche an einer
Position auf dem ersten räumlichen Filter 35a. Wie in Fig. 8c
veranschaulicht, sind die Spiegel 37 und 38 parabolische
Spiegel und so angeordnet, daß sie Brennpunkte auf der Maske
15 bzw. dem Wafer 17 haben. Die Spiegel 37 und 38 bilden ein
optisches Projektionssystem, und sie bilden auch eine
Pupillenoberfläche entsprechend der sekundären
Lichtquellenoberfläche an einer Position auf dem zweiten
räumlichen Filter 35b.
Von der Strahlungsquelle 11 emittierte Synchrotron
strahlung bewegt sich zu dem ersten räumlichen Filter 35a
über den Spiegel 32, die Blende 33 und den Spiegel 34.
Nachdem er durch das erste räumliche Filter 35a durchgegangen
ist, bewegt sich der Strahl zu der Maske 15 vom Reflexionstyp
über den Spiegel 36. Der von der Maske 15 reflektierte Strahl
bewegt sich zu dem zweiten räumlichen Filter 35b über den
Spiegel 37. Nachdem er von dem zweiten räumlichen Filter 35
reflektiert worden ist, erreicht der Strahl den Wafer 17 über
den Spiegel 38.
Die Krümmungen und die Anordnungsposition der Spiegel 34
und 36 können so ausgewählt sein, daß die Vergrößerung
verändert wird. Auch können die Krümmungen und die
Anordnungsposition der Spiegel 37 und 38 so ausgewählt sein,
daß die Vergrößerung verändert wird.
Das Gerät von Ausführungsform 5 hat den Vorteil einer
erleichterten Instandhaltung bzw. Handhabung, da das optische
Beleuchtungssystem und das optische Projektionssystem
voneinander separat sind.
Fig. 9 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 6 der vorliegenden Erfindung. Dieses Gerät
ist in solch einer Weise angeordnet, daß in dem Projektions-
Belichtungsgerät von Ausführungsform 5 das optische
Beleuchtungssystem und das optische Projektionssystem so
angeordnet sind, daß ihre optischen Wege einander schneiden,
wodurch der von dem gesamten Gerät eingenommene Raum
verringert wird. Als ein Ergebnis kann ein kleineres
Projektions-Belichtungsgerät aufgebaut werden.
Fig. 10 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 7 der vorliegenden Erfindung. Ein erstes
räumliches Filter 45a vom Reflexionstyp ist vor einer
Strahlungsquelle 11 angeordnet, wobei ein Spiegel 42, eine
Blende 43 und ein Spiegel 44 dazwischen angeordnet sind. Eine
Maske 15 vom Reflexionstyp ist vor dem räumlichen Filter 45a
angeordnet, wobei ein Spiegel 46 dazwischen angeordnet ist.
Ein Spiegel 47 ist so angeordnet, daß er einen von der Maske
15 vom Reflexionstyp reflektierten Strahl empfängt. Ein Wafer
17 ist vor den Spiegel 47 angeordnet, wobei ein zweites
räumliches Filter 45b vom Reflexionstyp und ein Spiegel 48
dazwischen angeordnet sind.
Wie in Fig. 11a veranschaulicht, ist der Spiegel 42 ein
parabolischer Spiegel und ist so angeordnet, daß er einen
Strahl von der Strahlungsquelle 11 auf eine Blendenoberfläche
der Blende 43 fokussiert.
Wie in Fig. 11b veranschaulicht, sind die Spiegel 44 und
46 parabolische Spiegel und so angeordnet, daß sie einen
Brennpunkt auf der Blendenoberfläche der Blende 43 bzw. einen
Brennpunkt auf der Maske 15 haben. Die Spiegel 42, 44 und 46
und die Blende 43 bilden ein optisches Beleuchtungssystem,
und sie bilden auch eine sekundäre Lichtquellenoberfläche an
einer Position auf dem ersten räumlichen Filter 45a. Wie in
Fig. 11c veranschaulicht, sind die Spiegel 47 und 48
parabolische Spiegel und so angeordnet, daß sie Brennpunkte
auf der Maske 15 bzw. auf dem Wafer 17 haben. Die Spiegel 47
und 48 bilden ein optisches Projektionssystem, und sie bilden
auch eine Pupillenoberfläche entsprechend der sekundären
Lichtquellenoberfläche an einer Position auf dem zweiten
räumlichen Filter 45b.
Jedes von dem ersten und räumlichen Filter 45a und 45b
ist aus einem Einkristall gebildet. Zum Beispiel ist die
(111)-Ebene eines kubisch-flächenzentrierten Einkristalls aus
Si, GaAs oder dergleichen als eine vorderseitige Oberfläche
freigelegt, wobei die Maske mit (100)-gebeugtem Licht, d. h.
von der Oberfläche reflektiertem Licht bestrahlt wird. Auf
diese Weise wird asymmetrisches gebeugtes Licht erhalten, so
daß die Vergrößerung ohne eine Aberration verändert werden
kann.
Von der Strahlungsquelle 11 emittierte Synchrotron-
Strahlung bewegt sich zu dem ersten räumlichen Filter 45a
über den Spiegel 42, die Blende 43 und den Spiegel 44.
Nachdem er von dem ersten räumlichen Filter 45a reflektiert
worden ist, bewegt sich der Strahl zu der Maske 15 vom
Reflexionstyp über den Spiegel 46. Der von der Maske 15
reflektierte Strahl bewegt sich zu dem zweiten räumlichen
Filter 45b über den Spiegel 47. Nachdem er von dem zweiten
räumlichen Filter 45b reflektiert worden ist, erreicht der
Strahl den Wafer 17 über den Spiegel 48.
Die Krümmungen und die Anordnungspositionen der Spiegel
44 und 46 können so ausgewählt sein, daß die Vergrößerung
verändert wird. Auch können die Krümmungen und die
Anordnungspositionen der Spiegel 47 und 48 so ausgewählt
sein, daß die Vergrößerung verändert wird.
Das Gerät von Ausführungsform 7 hat den Vorteil einer
erleichterten Instandhaltung bzw. Handhabung, da das optische
Beleuchtungssystem und das optische Projektionssystem
voneinander separat sind.
Fig. 12 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 8 der vorliegenden Erfindung. Dieses Gerät
ist in solch einer Weise angeordnet, daß in dem Projektions-
Belichtungsgerät von Ausführungsform 7 das optische
Beleuchtungssystem und das optische Projektionssystem so
angeordnet sind, daß ihre optischen Wege einander schneiden,
wodurch der durch das gesamte Gerät belegte Raum verringert
wird. Als ein Ergebnis kann ein kleineres Projektions-
Belichtungsgerät aufgebaut werden.
Fig. 13 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 9 der vorliegenden Erfindung. Ein erstes
räumliches Filter 55a vom Absorptionstyp ist vor einer
Strahlungsquelle 11 angeordnet, wobei ein Spiegel 52, eine
Blende 53 und ein Spiegel 54 dazwischen angeordnet sind. Eine
Maske 15 vom Reflexionstyp ist vor dem räumlichen Filter 55a
angeordnet, wobei ein Spiegel 56 dazwischen angeordnet ist.
Ein Spiegel 57 ist so angeordnet, daß er einen von der Maske
15 vom Reflexionstyp reflektierten Strahl empfängt. Ein Wafer
17 ist vor dem Spiegel 57 angeordnet, wobei ein zweites
räumliches Filter 55b vom Absorptionstyp und ein Spiegel 58
dazwischen angeordnet sind.
Wie in Fig. 14a veranschaulicht, ist der Spiegel 52 ein
parabolischer Spiegel und so angeordnet, daß er einen
Brennpunkt auf einem Krümmungsmagneten eines Beschleunigers,
der die Strahlungsquelle 11 darstellt, hat.
Wie in Fig. 14b veranschaulicht, sind die Spiegel 54 und
56 parabolische Spiegel und so angeordnet, daß sie einen
Brennpunkt auf einer Blendenoberfläche der Blende 53 bzw.
einen Brennpunkt auf der Maske 15 haben. Die Spiegel 52, 54
und 56 und die Blende 53 bilden ein optisches
Beleuchtungssystem, und sie bilden auch eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche an einer Stelle, die dem ersten
räumlichen Filter 55a entspricht. Wie in Fig. 14c
veranschaulicht, sind die Spiegel 57 und 58 parabolische
Spiegel, und sie sind so angeordnet, daß sie Brennpunkte auf
der Maske 15 bzw. dem Wafer 17 haben. Die Spiegel 57 und 58
bilden ein optisches Projektionssystem, und sie bilden auch
eine Pupillenoberfläche, die der sekundären
Lichtquellenoberfläche an einer Position auf dem zweiten
räumlichen Filter 55b entspricht.
Von der Strahlungsquelle 11 emittierte Synchrotron-
Strahlung bewegt sich zu dem ersten räumlichen Filter 55a
über den Spiegel 52, die Blende 53 und den Spiegel 54.
Nachdem er durch das erste räumliche Filter 55a durchgegangen
ist, bewegt sich der Strahl zu der Maske 15 vom Reflexionstyp
über den Spiegel 56. Der von der Maske 15 reflektierte Strahl
bewegt sich zu dem zweiten räumlichen Filter 55b über den
Spiegel 57. Nachdem er durch das zweite räumliche Filter 55b
durchgegangen ist, erreicht der Strahl den Wafer 17 über den
Spiegel 58.
Die Krümmungen und die Anordnungspositionen der Spiegel
54 und 56 können so ausgewählt sein, daß die Vergrößerung
verändert wird. Auch können die Krümmungen und die
Anordnungspositionen der Spiegel 57 und 58 so ausgewählt
sein, daß die Vergrößerung verändert wird.
Das Gerät von Ausführungsform 9 ist so angeordnet, daß
der Spiegel 52 einen Brennpunkt auf dem Krümmungsmagneten des
Beschleunigers hat, der die Strahlungsquelle 11 darstellt,
wodurch sichergestellt wird, daß die Synchrotron-Strahlung
als ein paralleler Strahl, der auf die Blende 53 auftrifft,
emittiert werden kann, selbst, wenn der Abstand zwischen der
Strahlungsquelle 11 und der Blende 53 oder dergleichen kurz
ist. Das Gerät von Ausführungsform 9 hat auch den Vorteil
einer erleichterten Instandhaltung bzw. Handhabung, da das
optische Beleuchtungssystem und das optische
Projektionssystem einander gegenüber liegen.
Fig. 15 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 10 der vorliegenden Erfindung. Dieses Gerät
ist in solch einer Weise angeordnet, daß in dem Projektions-
Belichtungsgerät von Ausführungsform 9 das optische
Beleuchtungssystem und das optische Projektionssystem im
allgemeinen parallel zueinander gebildet sind, wodurch der
durch das gesamte Gerät eingenommene Raum verringert wird.
Fig. 16 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 11 der vorliegenden Erfindung. Ein erstes
räumliches Filter 65a vom Reflexionstyp ist vor einer
Strahlungsquelle 11 angeordnet, wobei ein Spiegel 62, eine
Blende 63 und ein Spiegel 64 dazwischen angeordnet sind. Eine
Maske 15 vom Reflexionstyp ist vor dem räumlichen Filter 65a
angeordnet, wobei ein Spiegel 66 dazwischen angeordnet ist.
Ein Spiegel 67 ist so angeordnet, daß er einen reflektierten
Strahl von der Maske 15 vom Reflexionstyp empfängt. Ein Wafer
17 ist vor dem Spiegel 67 angeordnet, wobei ein zweites
räumliches Filter 65b vom Reflexionstyp und ein Spiegel 68
dazwischen angeordnet sind.
Wie in Fig. 17a veranschaulicht, ist der Spiegel 62 ein
parabolischer Spiegel und so angeordnet, daß er einen
Brennpunkt auf einem Krümmungsmagneten eines Beschleunigers
hat, der die Strahlungsquelle 11 darstellt.
Wie in Fig. 17b veranschaulicht, sind die Spiegel 64 und
66 parabolische Spiegel und so angeordnet, daß sie einen
Brennpunkt auf einer Blendenoberfläche der Blende 63 bzw.
einen Brennpunkt auf der Maske 15 haben. Die Spiegel 62, 64
und 66 und die Blende 63 bilden ein optisches
Beleuchtungssystem, und sie bilden auch eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche an einer Position auf dem ersten
räumlichen Filter 65a. Wie in Fig. 17c veranschaulicht, sind
die Spiegel 67 und 68 parabolische Spiegel und so angeordnet,
daß sie Brennpunkte auf der Maske 15 bzw. dem Wafer 17 haben.
Die Spiegel 67 und 68 bilden ein optisches Projektionssystem,
und sie bilden auch eine Pupillenoberfläche entsprechend der
sekundären Lichtquellenoberfläche an einer Position auf dem
zweiten räumlichen Filter 65b.
Von der Strahlungsquelle 11 emittierte Synchrotron-
Strahlung bewegt sich zu dem ersten räumlichen Filter 65a
über den Spiegel 62, die Blende 63 und den Spiegel 64.
Nachdem er von dem ersten räumlichen Filter 65a reflektiert
worden ist, bewegt sich der Strahl zu der Maske 15 vom
Reflexionstyp über den Spiegel 66. Der von der Maske 15
reflektierte Strahl bewegt sich zu dem zweiten räumlichen
Filter 65b über den Spiegel 67. Nachdem er von dem zweiten
räumlichen Filter 65 reflektiert worden ist, erreicht der
Strahl den Wafer 17 über den Spiegel 68.
Die Krümmungen und die Anordnungspositionen der Spiegel
64 und 66 können so ausgewählt sein, daß die Vergrößerung
verändert wird. Auch können die Krümmungen und die
Anordnungspositionen der Spiegel 67 und 68 so ausgewählt
sein, daß die Vergrößerung verändert wird.
Das Gerät von Ausführungsform 11 ist so angeordnet, daß
der Spiegel 62 einen Brennpunkt auf dem Krümmungsmagneten des
Beschleunigers hat, der die Strahlungsquelle 11 darstellt,
wodurch sichergestellt wird, daß die Synchrotron-Strahlung
als ein paralleler Strahl, der auf die Blende 63 einfällt,
emittiert werden kann, selbst, wenn der Abstand zwischen der
Strahlungsquelle 11 und der Blende 63 oder dergleichen kurz
ist. Das Gerät von Ausführungsform 11 hat auch den Vorteil
einer erleichterten Instandhaltung bzw. Handhabung, da das
optische Beleuchtungssystem und das optische
Projektionssystem einander gegenüberstehen.
Fig. 18 zeigt ein Projektions-Belichtungsgerät gemäß
Ausführungsform 12 der vorliegenden Erfindung. Dieses Gerät
ist in solch einer Weise angeordnet, daß in dem Projektions-
Belichtungsgerät von Ausführungsform 11 das optische
Beleuchtungssystem und das optische Projektionssystem im
allgemeinen parallel zueinander gebildet sind, wodurch der
durch das gesamte Gerät eingenommene Raum verringert wird.
Die sekundäre Lichtquellenoberfläche des optischen
Beleuchtungssystems ist an einer Einfallspupillenposition,
wie von der Maske 15 beobachtet. Demgemäß wirkt das erste
räumliche Filter, das auf der sekundären
Lichtquellenoberfläche angeordnet ist, als ein modifiziertes
Beleuchtungsfilter. Verbesserungen der
Abbildungseigenschaften, die durch Verwendung von
modifizierten Beleuchtungsfiltern erzielt werden, sind in
JJAP, Bd. 30 (1991), S. 3021 bis 3029 und JJAP, Bd. 32
(1991), S. 239 bis 243 beschrieben.
Eine runde bzw. zirkuläre reflektierende Platte,
beispielsweise wie die in Fig. 19a gezeigte, kann als der
Spiegel 14, der das erste räumliche Filter der
Ausführungsformen 1 und 2, das erste räumliche Filter 35a
oder 45a der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das erste
räumliche Filter 65a der Ausführungsformen 11 und 12 bildet,
verwendet werden, wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche
gemäß dem gewöhnlichen Beleuchtungsverfahren gebildet wird.
In ähnlicher Weise kann ein rundes Aperturfilter als das
erste räumliche Filter 25a der Ausführungsformen 3 und 4 oder
als das erste räumliche Filter 55a der Ausführungsformen 9
und 10 verwendet werden, wobei eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche gemäß dem gewöhnlichen
Beleuchtungsverfahren gebildet wird.
Eine reflektierende Platte aus einem ringförmigen Band,
beispielsweise wie die in Fig. 19d gezeigte, kann als der
Spiegel 14, der das erste räumliche Filter der
Ausführungsformen 1 und 2, das erste räumliche Filter 35a
oder 45a der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das erste
räumliche Filter 65a der Ausführungsformen 11 und 12 bildet,
verwendet werden, wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche
gemäß einem Beleuchtungsverfahren mit ringförmigem Band
gebildet wird. In ähnlicher Weise kann ein Aperturfilter mit
ringförmigem Band als das erste räumliche Filter 25a der
Ausführungsformen 3 und 4 oder das erste räumliche Filter 55a
der Ausführungsformen 9 und 10 verwendet werden, wobei eine
sekundäre Lichtquellenoberfläche gemäß einem
Beleuchtungsverfahren mit ringförmigem Band gebildet wird.
Eine zweigeteilte reflektierende Platte wie
beispielsweise die in Fig. 19c gezeigte kann als der Spiegel
14 verwendet werden, der das erste räumliche Filter der
Ausführungsformen 1 und 2, das erste räumliche Filter 35a
oder 45a der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das erste
räumliche Filter 65a der Ausführungsformen 11 und 12 bildet,
wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche gemäß einem
zweigeteilten Beleuchtungsverfahren gebildet wird. In
ähnlicher Weise kann ein zweigeteiltes Aperturfilter als das
erste räumliche Filter 25a der Ausführungsformen 3 und 4 oder
das erste räumliche Filter 55a der Ausführungsformen 9 und 10
verwendet werden, wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche
gemäß einem zweigeteilten Beleuchtungsverfahren gebildet
wird.
Eine viergeteilte reflektierende Platte wie
beispielsweise die in Fig. 19d gezeigte kann als der Spiegel
14 verwendet werden, der das erste räumliche Filter der
Ausführungsformen 1 und 2, das erste räumliche Filter 35a
oder 45a der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das erste
räumliche Filter 65a der Ausführungsformen 11 und 12 bildet,
wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche gemäß einem
viergeteilten Beleuchtungsverfahren gebildet wird. In
ähnlicher Weise kann ein viergeteiltes Aperturfilter als das
erste räumliche Filter 25a der Ausführungsformen 3 und 4 oder
das erste räumliche Filter 55a der Ausführungsformen 9 und 10
verwendet werden, wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche
gemäß einem viergeteilten Beleuchtungsverfahren gebildet
wird.
Eine reflektierende Platte mit ringförmigem Band mit
einem Halbton-Bereich, der aus einem Halbtonfilm 71, wie in
Fig. 20a gezeigt, gebildet ist, kann als der Spiegel 14
verwendet werden, der das erste räumliche Filter der
Ausführungsformen 1 und 2, das erste räumliche Filter 35a
oder 45a der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das erste
räumliche Filter 65a der Ausführungsformen 11 und 12 bildet,
wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche gemäß einem
Halbton-Beleuchtungsverfahren mit ringförmigem Band gebildet
wird. In ähnlicher Weise kann ein Aperturfilter mit
ringförmigem Band mit einem Halbton-Bereich als das erste
räumliche Filter 25a der Ausführungsformen 3 und 4 oder das
erste räumliche Filter 55a der Ausführungsformen 9 und 10
verwendet werden, wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche
gemäß einem Halbton-Beleuchtungsverfahren mit ringförmigem
Band gebildet wird.
Eine reflektierende Platte mit ringförmigem Band mit
einem aus einem Netzwerk 72 gebildeten Halbton-Bereich, wie
in Fig. 20b gezeigt, kann auch als der Spiegel 14 verwendet
werden, der das erste räumliche Filter der Ausführungsformen
1 und 2, das erste räumliche Filter 35a oder 45a der
Ausführungsformen 5 bis 8 oder das erste räumliche Filter 65a
der Ausführungsformen 11 und 12 bildet, wobei eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche gemäß einem Halbton-
Beleuchtungsverfahren mit ringförmigem Band gebildet wird,
wie in dem Fall von Ausführungsform 17. In ähnlicher Weise
kann ein Aperturfilter mit ringförmigem Band mit einem aus
einem Netzwerk gebildeten Halbton-Bereich als das erste
räumliche Filter 25a der Ausführungsformen 3 und 4 oder das
erste räumliche Filter 55a der Ausführungsformen 9 und 10
verwendet werden, wobei eine sekundäre Lichtquellenoberfläche
gemäß einem Halbton-Beleuchtungsverfahren mit ringförmigem
Band gebildet wird.
Eine unterteilte reflektierende Platte mit aus einem
Halbton-Film 73 gebildeten Halbton-Bereichen, wie in Fig. 20c
gezeigt, kann als der Spiegel 14 verwendet werden, der das
erste räumliche Filter der Ausführungsformen 1 und 2, das
erste räumliche Filter 35a oder 45a der Ausführungsformen 5
bis 8 oder das erste räumliche Filter 65a der
Ausführungsformen 11 und 12 bildet, wobei eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche gemäß einem unterteilten Halbton-
Beleuchtungsverfahren gebildet wird. In ähnlicher Weise kann
ein unterteiltes Aperturfilter mit einem Halbtonbereich als
das erste räumliche Filter 25a der Ausführungsformen 3 und 4
oder das erste räumliche Filter 55a der Ausführungsformen 9
und 10 verwendet werden, wobei eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche gemäß einem unterteilten Halbton-
Beleuchtungsverfahren gebildet wird.
Eine unterteilte reflektierende Platte mit aus einem
Halbton-Netzwerk 74 gebildeten Halbton-Bereichen, wie in Fig.
20d gezeigt, kann auch als der Spiegel 14 verwendet werden,
der das erste räumliche Filter der Ausführungsformen 1 und 2,
das erste räumliche Filter 35a oder 45a der Ausführungsformen
5 bis 8 oder das erste räumliche Filter 65a der
Ausführungsformen 11 und 12 bildet, wobei eine sekundäre
Lichtquellenoberfläche gemäß einem unterteilten Halbton-
Beleuchtungsverfahren gebildet wird, wie in dem Fall von
Ausführungsform 19. In ähnlicher Weise kann ein unterteiltes
Aperturfilter mit einem aus einem Netzwerk gebildeten
Halbton-Bereich als das erste räumliche Filter 25a der
Ausführungsformen 3 und 4 oder das erste räumliche Filter 55a
der Ausführungsformen 9 und 10 verwendet werden, wobei eine
sekundäre Lichtquellenoberfläche gemäß einem unterteilten
Halbton-Beleuchtungsverfahren gebildet wird.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen 1 bis
12 kann eine Phasenverschiebungs-Maske als Maske 15 vom
Reflexionstyp verwendet werden, um die Muster-
Abbildungseigenschaften zu verbessern. Entsprechende Phasen-
Verschiebungsverfahren sind in JJAP, Bd. 31 (1992), Seite
4131 bis 4136 beschrieben.
Beispielsweise kann eine Phasenverschiebungs-Maske vom
räumlichen Frequenz-Modulationstyp wie beispielsweise die in
Fig. 21a gezeigte verwendet werden, um die Auflösung zu
verbessern. Diese Maske ist in solch einer Weise gebildet,
daß sich wiederholende Muster aus einem ersten
reflektierenden Film 82 auf einem transparenten Substrat 81
gebildet sind, und eine Schicht aus einem zweiten
reflektierenden Film 83 auf jedem zweiten sich wiederholenden
Muster gebildet ist. Zum Beispiel wird ein diamantähnlicher
Kohlenstoffilm (DLC) als transparentes Substrat 81 verwendet,
und Gold oder Wolfram wird als erster oder zweiter
reflektierender Film 82 und 83 verwendet. Von dem ersten
reflektierenden Film 82 reflektiertes Licht und von dem
zweiten reflektierenden Film 83 reflektiertes Licht wirken,
indem sie einander durch die Wirkung eines Phasenunterschieds
zwischen ihnen auslöschen.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen 1 bis
12 kann eine kantenverstärkende Phasenverschiebungs-Maske vom
eingefaßten bzw. Rand-Typ wie die in Fig. 21b gezeigte als
Maske 15 vom Reflexionstyp verwendet werden, wobei man ein
schärferes projiziertes Bild erhält. Diese Maske ist in solch
einer Weise gebildet, daß die erste reflektierende Maske 82
auf dem transparenten Substrat 81 gebildet ist und ein
isoliertes reflektierendes Muster aus dem zweiten
reflektierenden Film 83 auf dem ersten reflektierenden Film
82 gebildet ist. Der erste reflektierende Film 82 hat einen
freigelegten Bereich mit einer vorbestimmten Breite rund um
das isolierte Muster, das aus dem zweiten reflektierenden
Film 83 gebildet ist. Ein Randbereich eines optischen Bildes
aus dem isolierten Muster wird durch das reflektierte Licht
von dem freigelegten ersten reflektierenden Film 82
ausgelöscht, wodurch das optische Bild verbessert wird.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen 1 bis
12 kann eine kantenverstärkende Phasenverschiebungs-Maske vom
Auslegertyp wie beispielsweise die in Fig. 21c gezeigte als
Maske 15 vom Reflexionstyp verwendet werden. Dadurch kann ein
schärferes projiziertes Bild erhalten werden, wie in dem Fall
der Ausführungsform 22. Diese Maske ist in solch einer Weise
gebildet, daß ein isoliertes Muster aus einer Laminierung aus
einem ersten reflektierenden Film 82 und einem zweiten
reflektierenden Film 83 auf einem transparenten Substrat 81
gebildet ist, und ein zusätzliches Muster aus reflektierendem
Film, das aus dem ersten reflektierenden Film 82 gebildet ist
und eine Breite hat, die kleiner als eine Auflösungsbreite
ist, an einem Abstand von einem Randende des isolierten
Musters angeordnet ist. Ein optisches Bild von dem isolierten
Muster kann durch von dem zusätzlichen reflektierenden Film
gebeugtem Licht verbessert werden.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen 1 bis
12 kann eine Phasenverschiebungs-Maske von Halbtontyp wie
beispielsweise die in Fig. 21d gezeigte als eine Maske 15 vom
Reflexionstyp verwendet werden. Dadurch kann auch ein
schärferes projiziertes Bild erhalten werden. Diese Maske ist
in solch einer Weise gebildet, daß ein Halbton-Film 84 aus
beispielsweise Kupfer oder dergleichen, mit der Eigenschaft,
daß er in einem Halbtonzustand in Bezug auf einen
Röntgenstrahlenbereich gehalten wird, auf einer Oberfläche
des transparenten Substrats 81 durch dessen gesamte Fläche
gebildet ist, und ein isoliertes reflektierendes Muster aus
einem zweiten reflektierenden Film 83 auf dem Halbton-Film 84
gebildet ist. Ein Randbereich eines optischen Bildes von dem
isolierten Muster wird durch einen Phasenunterschied des
reflektierten Lichts entsprechend dem Unterschied zwischen
den Höhen der Oberflächen des Halbton-Films 84 und des
zweiten reflektierenden Films 83 ausgelöscht, wodurch das
optische Bild verbessert wird.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen 1 bis
12 kann eine Phasenverschiebungs-Maske vom Randlinientyp wie
die in Fig. 22a gezeigte als die Maske 15 vom Reflexionstyp
verwendet werden, um die Auflösung zu verbessern. Diese Maske
ist in solch einer Weise gebildet, daß ein erster
reflektierender Film 82 auf einer Oberfläche des
transparenten Substrats 81 durch dessen gesamte Fläche
gebildet ist, und ein großes Muster aus einem zweiten
reflektierenden Film 83 auf dem ersten reflektierenden Film
82 gebildet ist. Ein abschattender Bereich S ist an dem Rand
des zweiten reflektierenden Films 83 durch die Wirkung der
Interferenz zwischen dem von dem ersten reflektierenden Film
82 reflektierten Licht und dem von dem zweiten
reflektierenden Film 83 reflektierten Licht gebildet.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen 1 bis
12 kann eine Phasenverschiebungs-Maske vom Abschattungs-
Verschiebungstyp wie beispielsweise die in Fig. 22b gezeigte
als Maske 15 vom Reflexionstyp verwendet werden, um den
Kontrast eines projizierten Bildes zu verbessern. Diese Maske
ist in solch einer Weise gebildet, daß ein erster
reflektierender Film 82 auf einer Oberfläche des
transparenten Substrats 81 durch die gesamte Fläche des
Substrats gebildet ist und vorbestimmte Muster aus dem
zweiten reflektierenden Film 83 auf dem ersten
reflektierenden Film 82 angeordnet sind. Ein abschattender
Bereich S ist auf Randbereichen der Muster des zweiten
reflektierenden Films 83 durch die Wirkung der Interferenz
zwischen von dem ersten reflektierenden Film 82 reflektierten
Licht und von dem zweiten reflektierenden Film 83
reflektiertem Licht gebildet.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen 1 bis
12 kann eine Phasenverschiebungs-Maske vom Abschattungs-
Verschiebungstyp mit einem abschattenden Bereich wie
beispielsweise die in Fig. 22c gezeigte als Maske 15 vom
Reflexionstyp verwendet werden, um den Kontrast eines
projizierten Bildes zu verbessern. Diese Maske ist in solch
einer Weise gebildet, daß eine Öffnung 82a in dem ersten
reflektierenden Film 82 der Maske aus Ausführungsform 26
gebildet ist, wodurch ein größerer abschattender Bereich S
gebildet wird.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen 1 bis
12 kann eine Phasenverschiebungs-Maske vom mehrstufigen Typ
wie beispielsweise die in Fig. 22d gezeigte als Maske 15 vom
Reflexionstyp verwendet werden, wobei die Freiheit der
Mustergestaltung erhöht ist. Diese Maske ist in solch einer
Weise gebildet, daß ein erster reflektierender Film 82 auf
einer Oberfläche des transparenten Substrats durch die
gesamte Fläche des Substrats gebildet ist und ein dritter
reflektierender Film 83 und ein vierter reflektierender Film
86 auf dem ersten reflektierenden Film 82 in einer
Vielstufenstruktur gebildet sind. Von dem dritten
reflektierenden Film 85 reflektiertes Licht hat eine Phase,
die zwischen der Phase des von dem ersten reflektierenden
Film 82 reflektierten Lichts und der des von dem vierten
reflektierenden Film 86 reflektierten Lichts dazwischenliegt,
wodurch das Auftreten eines dunklen Musters an dem Ende des
vierten reflektierenden Films 86 verhindert wird. Es ist
daher möglich, frei das Muster des vierten reflektierenden
Films 86 zu schneiden.
Die Pupillenoberfläche des optischen Projektionssystems
ist an einer Einfalls-Pupillenposition, wie von dem Wafer 17
aus gesehen. Demgemäß wirkt das zweite räumliche Filter, das
auf der Pupillenoberfläche angeordnet ist, als ein
Pupillenfilter. Pupillenfilter sind in "Kohgaku (Optik) II",
erste Auflage, veröffentlicht von Misuzu Shobo, S. 185 bis
196 beschrieben.
Eine runde bzw. zirkuläre reflektierende Platte wie
beispielsweise die in Fig. 23a gezeigte kann als Spiegel 16
verwendet werden, der das zweite räumliche Filter der
Ausführungsformen 1 und 2, das zweite räumliche Filter 35b
oder 45b der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das zweite
räumliche Filter 65b der Ausführungsformen 11 und 12 bildet,
wobei eine Pupillenoberfläche mit einer gewöhnlichen runden
Form gebildet wird. In ähnlicher Weise kann ein rundes
Aperturfilter als das zweite räumliche Filter 25b der
Ausführungsformen 3 und 4 oder das zweite räumliche Filter
55b der Ausführungsformen 9 und 10 verwendet werden, wobei
eine Pupillenoberfläche mit einer gewöhnlichen runden Form
gebildet wird.
Eine phasenreflektierende Platte mit ringförmigem Band
mit einem Halbton-Bereich 91, wie in Fig. 23b gezeigt, kann
als Spiegel 16 verwendet werden, der das zweite räumliche
Filter der Ausführungsformen 1 und 2, das zweite räumliche
Filter 35b oder 45b der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das
zweite räumliche Filter 65b der Ausführungsformen 11 und 12
bildet, wobei ein Phasenfilter mit ringförmigem Band auf der
Pupillenoberfläche gebildet wird, wodurch die Schärfentiefe
erhöht wird. In ähnlicher Weise kann ein Phasenfilter mit
ringförmigem Band als das zweite räumliche Filter 25b der
Ausführungsformen 3 und 4 oder das zweite räumliche Filter
55b der Ausführungsformen 9 und 10 verwendet werden, um die
Schärfentiefe zu erhöhen.
Eine phasenreflektierende Platte vom konjugierten Typ
mit einem Halbton-Bereich 92, wie in Fig. 24a gezeigt, kann
als Spiegel 16 verwendet werden, der das zweite räumliche
Filter der Ausführungsformen 1 und 2, das zweite räumliche
Filter 35b oder 45b der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das
zweite räumliche Filter 65b der Ausführungsformen 11 und 12
bildet, wobei ein Phasenfilter vom konjugierten Typ auf der
Pupillenoberfläche gebildet wird, wodurch die Schärfentiefe
erhöht wird. In ähnlicher Weise kann ein Phasenfilter vom
konjugierten Typ als das zweite räumliche Filter 25b der
Ausführungsformen 3 und 4 oder das zweite räumliche Filter
55b der Ausführungsformen 9 und 10 verwendet werden, um die
Schärfentiefe zu erhöhen.
Eine viergeteilte phasenreflektierende Platte mit einem
Halbtonbereich 93, wie in Fig. 24b gezeigt, kann als Spiegel
16 verwendet werden, der das zweite räumliche Filter der
Ausführungsformen 1 und 2, das zweite räumliche Filter 35b
oder 45b der Ausführungsformen 5 bis 8 oder das zweite
räumliche Filter 65b der Ausführungsformen 11 und 12 bildet,
wobei ein viergeteiltes Phasenfilter auf der
Pupillenoberfläche gebildet wird, wodurch die Schärfentiefe
erhöht wird. In ähnlicher Weise kann ein viergeteiltes
Phasenfilter als das zweite räumliche Filter 25b der
Ausführungsformen 3 und 4 oder das zweite räumliche Filter
55b der Ausführungsformen 9 und 10 verwendet werden, um die
Schärfentiefe zu erhöhen.
In einem optischen Projektionssystem wird von einer
Strahlungsquelle emittierte Synchrotron-Strahlung von einem
ersten Spiegel reflektiert und bewegt sich durch eine Blende
unter Bildung einer sekundären Lichtquellenoberfläche an
einer Stelle auf einem zweiten Spiegel. Der von dem zweiten
Spiegel reflektierte Strahl fällt auf eine Maske vom
Reflexionstyp ein, auf der zuvor ein Schaltkreismuster
gebildet worden ist. Eine Pupillenoberfläche wird an einer
Stelle auf einem dritten Spiegel durch den von der Maske
reflektierten Strahl gebildet. Der von dem dritten Spiegel
reflektierte Strahl erreicht einen Wafer. Das
Schaltkreismuster auf der Maske wird dadurch auf den Wafer
übertragen.
Claims (20)
1. Projektions-Belichtungsgerät, umfassend:
eine Strahlungsquelle zum Emittieren eines Strahls in dem Bereich von einem Röntgen-Strahlenbereich zu einem Vakuum-Ultraviolettbereich;
eine Maske vom Reflexionstyp, auf der ein Schaltkreismuster gebildet ist;
ein optisches Beleuchtungssystem, das eine sekundäre Lichtquellenoberfläche durch den von der Strahlungsquelle emittierten Strahl bildet und das die Maske vom Reflexionstyp mit dem Strahl von der sekundären Lichtquellenoberfläche bestrahlt; und
ein optisches Projektionssystem, das das Schaltkreismuster auf einen Wafer projiziert, indem es den reflektierten Strahl von der Maske vom Reflexionstyp auf den Wafer bündelt.
eine Strahlungsquelle zum Emittieren eines Strahls in dem Bereich von einem Röntgen-Strahlenbereich zu einem Vakuum-Ultraviolettbereich;
eine Maske vom Reflexionstyp, auf der ein Schaltkreismuster gebildet ist;
ein optisches Beleuchtungssystem, das eine sekundäre Lichtquellenoberfläche durch den von der Strahlungsquelle emittierten Strahl bildet und das die Maske vom Reflexionstyp mit dem Strahl von der sekundären Lichtquellenoberfläche bestrahlt; und
ein optisches Projektionssystem, das das Schaltkreismuster auf einen Wafer projiziert, indem es den reflektierten Strahl von der Maske vom Reflexionstyp auf den Wafer bündelt.
2. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 1,
ferner umfassend ein erstes räumliches Filter, das auf der
sekundären Lichtquellenoberfläche angeordnet ist.
3. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 2, wobei
das erste räumliche Filter ein Filter vom Reflexionstyp
umfaßt.
4. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 3, wobei
das erste räumliche Filter einen Spiegel umfaßt, der aus
einem Einkristall gebildet ist, mit der Eigenschaft,
asymmetrisches gebeugtes Licht zu erzeugen.
5. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 2, wobei
das erste räumliche Filter ein Filter vom Absorptionstyp
umfaßt.
6. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 1, wobei
die Maske vom Reflexionstyp eine Phasenverschiebungs-Maske
umfaßt.
7. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 1, wobei
das optische Beleuchtungssystem einen Parabolspiegel umfaßt.
8. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 1, wobei
das optische Projektionssystem einen Parabolspiegel umfaßt.
9. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 1, wobei
das optische Beleuchtungssystem einen elliptischen Spiegel
umfaßt.
10. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 1, wobei
das optische Projektionssystem einen elliptischen Spiegel
umfaßt.
11. Projektions-Belichtungsgerät, umfassend:
eine Strahlungsquelle zum Emittieren eines Strahls in dem Bereich von einem Röntgen-Strahlenbereich zu einem Vakuum-Ultraviolettbereich;
eine Maske vom Reflexionstyp, auf der ein Schaltkreismuster gebildet ist;
ein optisches Beleuchtungssystem, das die Maske vom Reflexionstyp mit dem von der Strahlungsquelle emittierten Strahl bestrahlt; und
ein optisches Projektionssystem, das eine Pupillenoberfläche durch den von der Maske vom Reflexionstyp reflektierten Strahl bildet, und das das Schaltkreismuster auf einen Wafer projiziert, indem es den Strahl von der Pupillenoberfläche auf den Wafer bündelt.
eine Strahlungsquelle zum Emittieren eines Strahls in dem Bereich von einem Röntgen-Strahlenbereich zu einem Vakuum-Ultraviolettbereich;
eine Maske vom Reflexionstyp, auf der ein Schaltkreismuster gebildet ist;
ein optisches Beleuchtungssystem, das die Maske vom Reflexionstyp mit dem von der Strahlungsquelle emittierten Strahl bestrahlt; und
ein optisches Projektionssystem, das eine Pupillenoberfläche durch den von der Maske vom Reflexionstyp reflektierten Strahl bildet, und das das Schaltkreismuster auf einen Wafer projiziert, indem es den Strahl von der Pupillenoberfläche auf den Wafer bündelt.
12. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 11,
ferner umfassend ein zweites räumliches Filter, das auf der
Pupillenoberfläche angeordnet ist.
13. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 12,
wobei das zweite räumliche Filter ein Filter vom
Reflexionstyp umfaßt.
14. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 13,
wobei das zweite räumliche Filter einen aus einem Einkristall
gebildeten Spiegel umfaßt, mit der Eigenschaft,
asymmetrisches gebeugtes Licht zu erzeugen.
15. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 12,
wobei das zweite räumliche Filter ein Filter vom
Absorptionstyp umfaßt.
16. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 11,
wobei die Maske vom Reflexionstyp eine Phasenverschiebungs-
Maske umfaßt.
17. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 11,
wobei das optische Beleuchtungssystem einen parabolischen
Spiegel umfaßt.
18. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 11,
wobei das optische Projektionssystem einen parabolischen
Spiegel umfaßt.
19. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 11,
wobei das optische Beleuchtungssystem einen elliptischen
Spiegel umfaßt.
20. Projektions-Belichtungsgerät nach Anspruch 11,
wobei das optische Projektionssystem einen elliptischen
Spiegel umfaßt.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10220324A1 (de) * | 2002-04-29 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5805365A (en) * | 1995-10-12 | 1998-09-08 | Sandia Corporation | Ringfield lithographic camera |
| JP3450622B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法 |
| JP2000091220A (ja) | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| EP1174769B1 (de) * | 2000-07-10 | 2006-12-13 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Projektionsapparat und lithographisches Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| DE10162093A1 (de) * | 2001-12-18 | 2003-07-10 | Bruker Axs Gmbh | Röntgen-optisches System mit Blende im Fokus einer Röntgen-Spiegels |
| JP3720788B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2005-11-30 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR100674959B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 비축상 프로젝션 광학계 및 이를 적용한 극자외선 리소그래피 장치 |
| US8027022B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective |
| DE102014208770A1 (de) | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik |
| DE102013223935A1 (de) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie |
| JP6540183B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2019-07-10 | 大日本印刷株式会社 | 変形照明用アパーチャおよび露光装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5222112A (en) * | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
| US5249215A (en) * | 1991-05-13 | 1993-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray exposure system with curved reflecting mirrors |
| JPH05283320A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | シンクロトロン放射装置 |
| EP0626621A1 (de) * | 1993-05-20 | 1994-11-30 | AT&T Corp. | Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung von Röntgenstrahlen eines Plasmas zur Erzeugung eines Musters |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5003567A (en) * | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
| JP3153230B2 (ja) * | 1990-09-10 | 2001-04-03 | 株式会社日立製作所 | パタン形成方法 |
| US5187726A (en) * | 1991-09-30 | 1993-02-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High resolution X-ray lithography using phase shift masks |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP00986794A patent/JP3499592B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-20 US US08/375,736 patent/US5524039A/en not_active Expired - Lifetime
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5222112A (en) * | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
| US5249215A (en) * | 1991-05-13 | 1993-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray exposure system with curved reflecting mirrors |
| JPH05283320A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | シンクロトロン放射装置 |
| EP0626621A1 (de) * | 1993-05-20 | 1994-11-30 | AT&T Corp. | Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung von Röntgenstrahlen eines Plasmas zur Erzeugung eines Musters |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| G. E. Sommargren, L. G. Seppala: Condenser optics,partial coherence, and imaging for soft-x-ray- projection lithography, In: Applied Optics, Vol. 32, Nr. 34, 1. Dez. 1993, S. 6938-6944 * |
| K. Kamon et al.: Photolithography System Using Annular Illumination, In: Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 30 (11/1991), Nr. 11B, S. 3021-3029 * |
| K. Kamon et al.: Photolithography System Using Modified Illumination, In: Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 32 (1/1993), Teil 1, Nr. 1A,S. 239-243 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10220324A1 (de) * | 2002-04-29 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür |
| US7336342B2 (en) | 2002-04-29 | 2008-02-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection method including pupillary filtering and a projection lens therefor |
| US7791711B2 (en) | 2002-04-29 | 2010-09-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection method including pupillary filtering and a projection lens therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0150572B1 (ko) | 1998-10-01 |
| DE19502827B4 (de) | 2004-07-08 |
| JPH07220997A (ja) | 1995-08-18 |
| US5524039A (en) | 1996-06-04 |
| JP3499592B2 (ja) | 2004-02-23 |
| KR950024026A (ko) | 1995-08-21 |
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