DE1947888A1 - Kernstrahlungsdetektor und eine Anordnung zur Erfassung der energiearmen Kernstrahlung sowie der Kernstrahlung in aggressiven Medien - Google Patents
Kernstrahlungsdetektor und eine Anordnung zur Erfassung der energiearmen Kernstrahlung sowie der Kernstrahlung in aggressiven MedienInfo
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 31
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- -1 compound compound Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000005516 deep trap Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
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- Power Engineering (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
194788a
Dipl.-lng. R. Beetz 53O-14.941P 22.9.I969
Fizichesky Institut imeni P.N. Lebedeva, MOSKAU (UdSSR)
UND BIKB ANORDNUNG ZUR ERFASSUNG
DSK MMGIEAttMEN KWNmBJuILUHa SOWIE DBIl KERNS1DiIAHLUNG
IN AGGHESSIVBN MEBIBN
Dte vorliegende iärf indung- beaiehtr- sich auf Kera«
strahlungsdetektoren und auf Anordnungen zur Erfassung der
energiearmen Kernstrahlen, sowie der Kernstrahlen in aggressiven Medien. \
Bs ist bekannt, zur Erfassung von energiearmen Ksmetrsi*
len, beiepielswtise dar fon überschwerem Waeaeratoff R- |
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• BAD ORlOiNAL
14
oder Kohlenstoff C emmitierten Elektronen Anordnungen mit. Szintillationszähler!! in Zusammenschaltung mit Sekundärelektronenvervielfachern sowie Durchfluß- und Siliziumdetektoren einzusetzen. Die Szintillationszähler und Durchflußdetektoren liefern aber eine niedrige Zählausbeute und haben ungünstige spektronietrische Eigenschaften. Daneben sind sie kompliziert im Aufbau und in der Handhabung. Auch den Anordnungen mit Detektoren auf Sillziumbasis sind Nachteile eigen. Und zwar sie bedürfen einer Kühlung, da ihre Auffangausbeute bei Zimmertemperatur durch den hohen Rauschpegel des Detektors stark beeinträchtigt wird.
oder Kohlenstoff C emmitierten Elektronen Anordnungen mit. Szintillationszähler!! in Zusammenschaltung mit Sekundärelektronenvervielfachern sowie Durchfluß- und Siliziumdetektoren einzusetzen. Die Szintillationszähler und Durchflußdetektoren liefern aber eine niedrige Zählausbeute und haben ungünstige spektronietrische Eigenschaften. Daneben sind sie kompliziert im Aufbau und in der Handhabung. Auch den Anordnungen mit Detektoren auf Sillziumbasis sind Nachteile eigen. Und zwar sie bedürfen einer Kühlung, da ihre Auffangausbeute bei Zimmertemperatur durch den hohen Rauschpegel des Detektors stark beeinträchtigt wird.
Die Siliziuindetektoren werden neben den Detektoren
auf Siliziumkarbidbasis auch in bekannten Anordnungen zur
Erfassung der Kernstrahlung in aggressiven Medien, wie Säure- oder Laugenlösungen, eingesetzt. Es hat sich aber
erwiesen, daß, da die chemische Beständigkeit der Siliziumdetektoren für diese Aufgabe nicht ausreicht, ein Siliziumdetektor
in alkalischem Medium geätzt und in saurem Medium oxydiert wird wenn er sich mit ihnen unmittelbar berührt
besonders bei erhöhten Temperaturen. Die Detektoren auf der
.Basis des Siliziumkarbides haben zwar eine höhere chemische Beständigkeit, liefern jedoch eine niedrige Zählausbeute
und haben ein niedriges Signal/xiausch-Verhältnis. Ein
weiterer Mangel der beiden letzterwähnten Detektoren liegt iii der lniconatana ihror Kenndaten und in ihrer niedrigen
Lebensdauer, die durcu. die beträchtliche Änderung der üigen-
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schäften dieser Geräte im Laufe des Betriebs bedingt sind,
Ss wurden bis jetzt keine Versuche unternommen, einen Kernstrahlungsdetektor auf Diamantbasis zur Erfassung von
energiearmen Kernstrahlen oder Kernstrahlen in aggressiven Medien anzuwenden. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die
Diamantdetektoren mit ihrer niedrigen Zählausbeute und ungünstigen spektrometrischen Eigenschaften sowie wegen der
Polarisationserscheinungen bei dauernder Bestrahlung bis jetzt dieser Aufgabe nicht gewachsen waren.
Inzwischen wurde von uns ein neuartiger Kernstrahlungsdetektor auf der Diamantbasis (Patentanmeldung Nr. P 1764-066$)
vorgeschlagen. Dieser. Detektor stellt im Grunde eine Dianiantkristallplatte
das ,die mit zwei Kontakten versehen ist. Der
eine Kontakt befindet sich auf der der Strahlung ausgesetzten Plattenseite und wirkt als Sperrkontakt gegenüber
den Ladungsträgern, während der andere auf der nicht bestrahlten Plattenseite angeordnete Kontakt aus einem Werkstoff
besteht, fähig ist,,Ladungsträger in Verbindung mit Diamanten unter der Wirkung des angelegten elektrischen "Feldes zu
injizieren. Die Dicke des zwischen den Kontakten liegenden Arbeitsbereiches der Diamantkristallplatte ist nicht größer
als die Weglänge, die die Ladungsträger im Dianiantkristall
unter der Wirkung des angelegten elektrischen Feldes
zurücklegen. Derartige Diamantdetekoten eignen sich zwar zur
feststellung der ettergis&rm&& KtmBtr&tile» mA »ur
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s^hung von radioaktiven aggressiven Medien. Sie sind aber
nicht allen Anforderung der Praxis gewachsen.
Mit der vorliegenden Erfindung soll ein Kernetrahlungadetektor angegeben werden, der eine hohe Zählausbeute bei
Erfassung von energiearmen Kernstrahlen liefert und eine hohe Zeitkonstant auoh bei aggressiven radioaktiven Meßmedien besitzt.
In Übereinstimmung mit dem gestellten Ziel wird der
Erfindung die Aufgabe zugrunde gelegt, einen Werkstoff für den Sperrkontakt des Diamantdetektors zu finden, der die
Kontaktdicke genügend klein wählen läßt, um die energiearmen Kernstrahlen ohne Energieverluste durchzulassen, und
dabei beständig gegen unmittelbar angreifende aggressive
Medien ist.
Die gestellte Aufgabe wird bei einem S^ahlungsdetektor
in Form einer Di amantkr ist allplatte mit zwei Kontakten, die zum Anlegen elektrischen Feldes dienen, von denen einer, auf
der der Strahlung ausgesetzten Plattansei te befindliche Kontakt als Sperrkontakt gegenüber den Ladungsträgern wirkt,
während der gegenüberliegende Kontakt auf der uabestrahltea
Plattenkette mot einen Wirkstoff besteht, der fähig let,
Ladu&getrfcger In Verbindung ait Diamanten unter der Wirkung
de« angelegten tlekirUohan felde« Zu in^leleren, wobei die
Picke d'e§ «wischen den biidea Kontakten liegenden Arbfit«^
. eetf ieh#e der Digaantkriatallplattβ nicht größer ist ale die
die di· JiUmgnra^er U Diaaantkrietall unttr de»
(5e4ure4 gtlösir, daß der 'ßperrkonteirt aus e
rf I
Metallkarbid hergestellt ist.
für die Erfassung von energiearmen Kernstrahlen eignet
sich nach der Erfindung am besten das ülaffcalkarbid als Sperrkontaktwerkstoff,
während £ür die Kernstrahlungsmessung in aggressiven Medien das Platinkarbid günstiger ist.
Auf der Basis dieser Detektoren können Anordnungen zur
Erfassung energiearmer lernstrahlen bzw · Kernstrahlen in aggressiven Medien aufgebaut werden sie weisen neben dem
Dimantdetektor mit Verstärker und Registriergeräte für das
Detektorausgangssignal sowie eine Speisestromquelle für den
Detektor auf. Der erwähnte Detektor wird nach der Erfindung
von einem hermetisch abgedichteten Gehäuse umschlossen, dessen Fensteröffnung mit dem Sperrkontakt dicht abgeschlossen wird.
Der Erfindungsgedanke wird nachstehend an einem Ausführungsbeispiel
mit Bezugnahme auf beigefügte Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnung zeigt eine Anordnung mit erfindungsgemäßem
Detektor in schematisoher Darstellung.
Bei der in der Zeichnung wiedergegebenen Anordnung zur Erfassung der Kernstrahlen wird der Kernstrahlungsdetektor 1 ;
durch eine Diamantkriatallplatte ζ gebildet» die an den
gegenüberliegenden Seltaa mit Kontakten 3, 4 versehen 1st«
Der Kontakt 2 ist warn «inarn Matallkarbid hergestellt
und t£rkt gegenüber dtn Ladungsträgern al· Bperrkontakt.
"■■■■-■ . .,Ji * ■
Df r &uf der anderen Flattens·!*« Ufgtndt Kontakt 4 >·«
iHtht dagegtü au* lines ttrka^©ff» der fähig itt, X,a4unea«
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d·« aneelistan elt^teriatlwfn ftXdtp iu in j liiere. Jfc ke»n
beiipieliweiit dusch Dotitrun^ d«r O^effläühenaefeiofet üm<_
Di· Mvfam:.
des zwischen den Kontakten 3, 4 liegenden Arbeitsbereiches
der Platte 2r,ist nicht größer als die Weglänge, die die
Ladungsträger im Diamantkristall unter der Wirkung des angelegten elektrischen Feldes zurücklegen. Sie ergibt sich
aus der Beziehung
Darin bezeichnen M die Ladungsträgerbeweglichkeit
(Elektronen- und Defektelektronenbeweglichkeit), 0C die Lebensdauer
dieser Ladungsträger, E die angelegte elektrische Feldstärke und £ die Entfernung, welche die Ladungsträger
unter der Einwirkung des elektrischen Feldes zurücklegen.
Um die Energieverluste in der Kernstrahlung soweit wie möglich zu vermindern, wird der ßperrkontakt durch
welchen die zu erfassenden Kernstrahlen in den Diamantdetektor gel-zigen, so schwach bemessen, daß er praktisch
alle Kernstrahlen durchläßt» Die Kontaktdicke ist besonders wichtig bei Erfassung von energiearmen Kernstrahlen
da die Ausgangssignale des Detektors hler einen niedrigen Pegel haben. Auch bei Erfassung von Kernstrahlen mit kontinuierlichem
Energiespektrum ist die Kontaktdicke von großer Bedeutung, da sie die Zählausbeute beeinflußt. Wie
die Untersuchungen zeigten, wird ein solcher für die ernergiearmen Kernstrahlen durchlässiger Sperrkontakt durch
die Karbide der Metallen, beispielsweise durch das
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karbid gebildet.
Die wiclitige Voraussetzung für die zuverlässige Funktion
der Anordnung bei Kernstrahlungserfassung in aggressiven
Medien ist die ausreichende Beständigkeit des Sperrkontaktes gegenüber dem radioaktiven Meßmedium, mit dem
er in Berührung kommen soll. Wie die Versuche zeigten, sind unter den Metallkarbiden auch solche zu finden, die einen
Sperrkontakt herstellen lassen, der praktisch allen aggressiven Medien gut standhält. Ein solches ist beispielsweise
das Platinkarbid. Ein Sperrkontakt aus Platinkarbid kann zudem noch sehr schwach bemessen werden und ist dann wie
erwähnt für die einfallende Strahlung praktisch völlig durchlässig. Damit wird die Feststellung auch energiearmer Kernstrahlen
in aggressiven Medien mit einer hohen Aui'f angaüsbeu*
te ohne weiteres möglich.
Der Detektor 1 wird vom Gehäuse 5 J&it einer Fensteröffnung
6 umgeben. Die Dichtungen 7, 8 aus Isolierstoff verhindern die Durchdringung des radioaktiven Meßmediums
in das Gehäuse 5 und lassen die damit verbundene Kurzschlußgefahr
für den elektrischen Stromkreis des Detektors vermeiden. In der Dichtung 7 ist ebenfalls eine Fensteröffnung
9 vorhanden, die auf der Achse der Fensteröffnung 6 im Gehäuse 5 liegt und ähnliche Form besitzt. Die Dichtung 7
liegt dicht am Rand der Fensteröffnung und trägt neben dem Sperrkontakt 3 des Diamantdetektors zur Abschließung des
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Gehäuses 5 an der Seite seiner öffnung 6 bei. Die zweite
Dichtung 8 hat wie die Dichtung 7 auch die Aufgabe, den Diamantdetektor im Gehäuse 5 festzuhalten. Das Gehäuff 5
und die Dichtung 7 bestehen aus einem Werkstoff, der beständig
gegenüber dem radioaktiven Meßmediua ist. Im Gehäuse
5 befindet sich weiter eine Absohlußplatte 10 mit Durchbrüchen
für die metallene Ausführungen 11, 12, die gegen Platte 10 durch Dichtungen 13i, 14 isoliert werden. Die Ausführung
11 ist mit dem Sperrkontakt 3 des Diamantdetektors 1 durch einen Draht 15 verbunden, der durch die öffnung
16 in der Dichtung 8 durchgeführt ist. Die Ausführung 12 ist dagegen am injektierenden Kontakt 4 des Diamantdetektors
1 durch einen Draht 17 angeschlossen, der durch die andere öffnung 18 in der Dichtung 8 hindurchgeführt ist. Die
Verbindung der Drähte 15, 17 mit dem Sperr- und dem injizierenden
Kontakt erfolgt beispielsweise mit einer Silfcorpaate,
die entsprechender thermischer Behandlung unterworfen ., |
wird. Die Anpreßkraft für die Dichtungen 7, 8, die den Detektor 1 und da* Gehäuse 5 an der Seite der Fensteröffnung
6 naeh außen abschließen, wird durch eine Spannmutter
20, dl· Mn in 4a* Gehäuse 5 eindreht, erseugt und Über ;
Federring der Feder 19 und AbeßhluSplatte 10 übertragen.
ile kann vereonie4*ll e&nge«tellt werden.
Die ßpeiefspannung wird m der Ausführung 12 des ß*~
tefctors angelegt und da« MeJtlgnftlf da« die einfallend·
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Kernstrahlung im Detektor erzeugt, wird an der Ausführung 11 abgenommen. Dementsprechend sind an der Ausführung
11 ein Verstärker 21 mit nachgesohaltetem Registriergerät 22 und an der Aueführung 12 eine Speise at romquell θ
über Wideretand 25 angeschlossen.
Man kann auch die Ausführung 11 erden und die Ausführung 12 sowohl zur Speisespannungszuführung als auch zur
Abnahme des Meßsignals benutzen. In diesem Falle wird an
dieser der Verstärker mit Regiestriergerät über Trennkondensator angeschlossen.
Man baut den Detektor mit, seinem Gehäuse 5 in eine
Steckverbindung ein, womit es an der Anschluß seit e vollkommen abgedichtet wird. Eine Steckverbindung erleichtert
außerdem die Zuführung von elektrischen Verbindungsleitungen zu dem Detektor. Sodann wird der Detektor in das zu
untersuchende radioaktive Medium eingebracht und unter
Spannung der Gleichstromquelle 24 gesetzt. Die zu erfassende
Strahlung fällt in den Diamantdetektor an der Seite des Sperrkontaktea ein und ruft darin eine Ionisation auf. Die
si oh bei dieser Ionisation bildenden Ladungsträger (ELektronen und Defektelektron!*) bewegen, sich unter der Wirkung
der angelegten elektrisches, Itides su. den Kontakten.J},
Wird em laäisiereadeis, lenttsi 4 $*» positive® Potential
geXftgt; β® ilt&t er dl«; Haktpo&ea ssaf wä&*$gii alt
tltktrosta sum 8perrko$*«&* 3 fft&äem. Sin ftU aer
0098*0/111« BAD
IO
- V-
- V-
nen bleibt auf dem Wege zum Sperrkontakt 4 an Haftstellen, die in einem Diamantkristall immer vorhanden sind, zurück.
Dadurch wird die Diamantkristallplatte polarisiert. Der injizierende Kontakt 4 hat die Aufgabe, diese Polarisation
zu beseitigen. Da im Diamanten tiefliegende Haftstellen existieren, sind die Injektionsströme vom Kontakt 4 durch
die Raumladung, die mit diesen Haftstellen verbunden ist, begrenzt. Somit entsteht durch die Injektionsströme keine
wesentliche Leitfähigkeit und folglich auch kein Hauschen. Tritt jedoch eine Störung des PeId- und Ladungsgleichgewiehtes
infolge der durch die einfallende Kernstrahlung hervorgerufenen Polarisation auf, so stellen die vom Kontakt
4 injizierten Ladungsträger den ursprünglichen stationären
Zustand des Kristalls wieder her.
Ebenso wie die Elektronen, können auch die Defektelektronen
auf d n Wege zum Kontakt 3 zum kleinen Teil an den Haftstellen haften bleiben. Diese zurückgebliebenen Defektelektronen
befinden sich aber in der Ionisierungszone und können von Ladungsträgern mit entgegensetztem Vorzeichen,
also von Elektronen neutralisiert werden. Da die elektrische feldstärke im Bereich des Sperrkontaktes 3 höher ist,
verringern sich bei Erfassung von Kernstrahlen mit hoher ionisierenden Wirkung die Verluste im Elektronenlooh-Plasma.
Bas am Sperrkontakt 3 des Diamantdetektors 1 abgenomme-
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iae Signal gelangt auf den Eingang des Verstärkers 21 und von
diesem zum Registriergerät 22. Das letztere kann beispielsweise eine Impulsuntersetzungsschaltung sein.
In einigen flüssigen radioaktiven Medien wird die Kernstrahlungsmessung
durch Adsorptionserscheinungen erschwert, die die Meßergebnisse erheblich verfälschen. Der störende
Einfluß der Adsorption läßt sich aber durch entsprechende Maßnahmen bis auf Minimum schwächen.
Werden größere wirksame Detektorflächen erfordert, so kann man zwei Detektoren gleichzeitig einsetzen. Sie
werden dabei so angeordnet, daß ihre injizierenden Kontakte miteinander in Berührung kommen, während die Sperrkontakte
dem Meßmedium ausgesetzt werden. Es läßt, sich weiter ein ganzes Mosaikfeld aus Diamantdetektoren zusammenstellen.
Die vorliegende Anordnung kann auch im Bereich der erhöhten Meßmediumdrücke eingesetzt werden. Eine Grenze
wird hier nur durch die Festigkeit des Gehäuses und die Dichtheit des Detektors gesetzt. Bei einigen Ließ aufgaben
kann die Anordnung dadurch vereinfacht werden, daß der detektor mit einer beständigen gegenüber dem jeweiligen
Meßmedium Kompuoundmasse vergossen wird.
Die vorgeschlagene Anordnung mit Kernstrahlungsdetektor
auf Diamantbasis besitzt eine Heine von Vorzügen. Sie
eignet sich zur Erfassung sowohl energiearmer Kernstrahlen als auch der Kernstrahlen mit geringex^ Reichweite, die von
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festen, pulver art igen, flüssigen und gasförmigen Medien
ausgesendet werden, weil der Sperrkontakt des Diaiaantdetektors
wegen seiner geringen Dicke für die einfallende Kernstrahlung
praktisch durchlässig ist, Sie läßt sich weiter auch bei Teilchenbeschleunigern einsetzen. Die extrem
hohe chemische Festigkeit des Diamanten, aus dem der Detektor hergestellt ist, verleiht in Verbindung mit hoher
Beständigkeit des Sperrkontaktes gegenüber den aggressiven Üeßmedien der Anordnung eine hohe Zeitkonstanz der Keniidaten
auch bei Strahlungsmessung in aggressiven Medien. In einem Diamanbdetektor treten infolge seinen hohen Widerstandes
und der großen Breite des verbotenen Energiebandes des Diamanten nur vernachlässigbar kleines Strom- und Wärmeraueishea
bei Zimmertemperatur auf. Dadurch arbeitet die Anordnung praktisch rauschfrei. Ihre weitere Vorteile sind
die hohe Empfindlichkeit, gute Zählausbeute, hohes Ehergieauflösungsvermögen
und ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis sowohl bei Zimmertemperatur als auch bei höheren Temperaturen.
Die Anordnung hat einen einfachen Aufbau, ist zuverlässig und einfach in der Bedienung* Die gute Heinigungsjaöglichkeit
erleichtert die Entfernung von radioaktiven Verunreinigungen nach der Messung.
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Claims (4)
- PatentansprücheKernstrahlungsdetektor, gebildet durch eine Diamantkristallplatte, die mit zwei Kontakten zum Anlegen eines elektrischen Feldes an den gegenüberliegenden Seiten versehen ist, von denen einer sich auf der der Strahlung ausgesetzten Plattenseite befindet und als Sperrkontakt gegenüber den Ladungsträgern wirkt, während der gegenüberliegende Kontakt an der nicht bestrahlten Plattenseite aus einem Werkstoff besteht, der in Verbindung mit Diamanten unter der Einwirkung des angelegten elektrischen Feldes Ladungsträger injizieren kann, wobei die Dicke des zwischen den Kontakten liegenden Arbeitsbereiches der Diamantkristallplatte nicht größer ist als die Weglänge, die die Ladungsträger im Diamantkristall unter der Einwirkung des angelegten elektrischen Feldes zurücklegen, dadurch gekennzeichnet, daß der Sperrkontakt (3) aus einem Metallkarbid besteht.
- 2. Kernstrahlungsdetektor nach Anspruch 1 zur Erfassung von energiearmen Kernstahlen, dadurch gekennzeichnet, daß der Sperrkontakt (3) aus Tantalkarbid besteht.
- 3. Kernstrahlungsdetektor nach Anspruch 1 zur Erfassung von. Kernstrahlen in aggressiven Medien, dadurch gekennzeichnet, daß der Sperrkontakt (3) aus Platinkarbid besteht.0Ö984O/111S UDORKiINALA -ι* -
- 4. Anordnung zur Erfassung von energiearmen Kernstrahlen und Kernstrahlen in aggressiven Medien, mit einem Kernstrahlungsdetektor nach Anspruch 1, mit Geräten zur Verstärkung und Registrierung des Detektorsignals und mit einer Speisestromquelle für den Detektor, dadurch gekennzeichnet, daß der Kernstrahlungsdetektor sich in einem hermetisch abgeschlossenen Gehäuse (5) mit einer Fensteröffnung (6) befindet, die durch den Sperrkontakt (5) des Detektors verschlossen ist.009840/1118Leerseite
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1272308 | 1968-09-20 | ||
SU1272308 | 1968-09-20 | ||
SU1302862A SU273884A1 (de) | 1969-01-31 | 1969-01-31 | |
SU1302862 | 1969-01-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1947888A1 true DE1947888A1 (de) | 1970-10-01 |
DE1947888B2 DE1947888B2 (de) | 1977-05-05 |
DE1947888C3 DE1947888C3 (de) | 1978-01-12 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2019474B1 (de) | 1973-11-16 |
DE1947888B2 (de) | 1977-05-05 |
BE739202A (de) | 1970-03-23 |
JPS5029355B1 (de) | 1975-09-22 |
FR2019474A1 (de) | 1970-07-03 |
US3638022A (en) | 1972-01-25 |
GB1238839A (de) | 1971-07-14 |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |