DE1947888B2 - Kernstrahlungsdetektor - Google Patents
KernstrahlungsdetektorInfo
- Publication number
- DE1947888B2 DE1947888B2 DE19691947888 DE1947888A DE1947888B2 DE 1947888 B2 DE1947888 B2 DE 1947888B2 DE 19691947888 DE19691947888 DE 19691947888 DE 1947888 A DE1947888 A DE 1947888A DE 1947888 B2 DE1947888 B2 DE 1947888B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- nuclear radiation
- radiation detector
- contact
- nuclear
- diamond crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 45
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 18
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000005516 deep trap Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- -1 powdery Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
35
Die Erfindung betrifft einen Kernstrahlungsdetektor nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Es ist bekannt, zur Erfassung energieermer Kernstrahlung,
z. D. der von überschwerem Wasserstoff oder Tritium H3 oder Kohlenstoff C14 emmitierten Elektronen,
Szintillationszähler in Zusammenschaltung mit Sekundärelektronenvervielfachern sowie Durchfluß-
und Siliziumdetektoren einzusetzen. Die Szintillationszähler und Durchflußdetektoren liefern aber eine
niedrige Zählausbeute und haben ungünstige spektrometrische Eigenschaften. Daneben sind sie kompliziert
im Aufbau und in der Handhabung. Auch den Detektoren auf Siliziumbasi:» sind Nachteile eigen, denn
sie bedürfen einer Kühlung, da ihre Auffangausbeute bei Zimmertemperatur durch den hohen Rauschpegel des
Detektors stark beeinträchtigt wird.
Die Siliziumdetektoren werden neben den Detektoren auf Siliziumkarbidbasis auch in bekannten Kern-Strahlungsdetektoren
zur Erfassung der Kernstrahlung in aggressiven Medien, wie Säure- oder Laugenlösungen,
eingesetzt. Es hat sich aber erwiesen, daß, da die chemische Beständigkeit der Siliziumdetektoren dafür
nicht ausreicht, ein Siliziumdetektnr in alkalischem Go Medium geätzt und in saurem Medium oxydiert wird,
wenn er diese unmittelbar berührt, insbesondere bei erhöhten Temperaturen. Die Detektoren auf der Basis
von Siliziumkarbid haben zwar eine höhere chemische Beständigkeit, liefern jedoch eine niedrige Zählausbeute
und haben ein niedriges Signal/Rausch-Verhältnis. Ein
weiterer Mangel der beiden letzterwähnten Detektoren liegt in der Inkonstanz ihrer Kenndaten und ihrer
niedrigen Lebensdauer, die durch die beträchtliche Änderung der Eigenschaften dieser Detektoren im
Laufe des Betriebs bedingt sind.
Es ist ferner ein gekapselter Kernstrahlungsdetektor zur Erfassung von energiearmen Kernstrahlen bekanntgeworden
(vgl. »Nuclear Instruments and Methods«, 40 (1966), S. 277-290), nämlich ein Silizium-Oberflächenspcrrschicht-Detektor,
der sich in einem hermetisch abgeschlossenen Gehäuse mit einer Fensteröffnung befindet, die durch einen Sperrkontakt des Detektors
verschlossen ist. Da aber dieser .Sperrkontakt eine aufgedampfte Goldschicht und zur Verminderung von
Oberflächenkriechströmen ein sogenannter »Randschutz« vorgesehen ist, indem der Gold-Silizium-Übergang
mit einem ersten Epoxyharz und die übrige Siliziumoberfläche mit einem zweiten Epoxyharz
abgedeckt ist, kann dieser bekannte Kernstrahlungsdetektor nicht bei unmittelbarer Berührung mit Säure- und
Laugelösungen arbeiten. Im übrigen ist es für denselben Kernstrahlungsdetektor noch bekannt, ihn an Geräte
zur Verstärkung und Registrierung des Detektorsignals und eine Speisestromquelle anzuschließen.
Demgegenüber ist es Aufgabe der Erfindung, einen Kernstrahlungsdetektor mit einem Sperrkontakt aus
einem Werkstoff anzugeben, der die Kontaktdickc genügend klein zu wählen gestattet, um energiearme
Kernstrahlung ohne Energieverluste durchzulassen, und
der dabei beständig gegen unmittelbar angreifende aggressive Medien ist, damit eine hohe Zeitkonstanz
auch bei aggressiven radioaktiven Meßmedien gegeben ist.
Ein Kernstrahlungsdetektor nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 ist allerdings bereits Gegenstand
eines älteren Vorschlags (DT-PS 17 64 066).
Der Kernstrahlungsdetektor nach dem älteren Vorschlag setzt KernstrahSungsdetektoren als bekannt
voraus, die aus einem natürlichen Diamantkristal! mit verringertem Stickstoffgehalt bestehen, der mit elektrischen
Kontakten ve-sehen ist, an die eine Potentialdifferenz angelegt wird, so daß bei Beaufschlagen des
Diamantkristalls mit Kernstrahlung in diesem Stromimpulse entstehen, die in einem äußeren Stromkreis
Spannungsimpulse hervorrufen, die ihrerseits verstärkt und registriert werden. Demgegenüber will der
Kernstrahlungsdetektor nach dem älteren Vorschlag mit dem an :hm angelegten elektrischen Feld ein
vollständiges Sammeln der Ladungsträger gewährleisten, eine gute Zählausbeute und ein hohes Energieauflösungsvermögen
erreichen und eine elektrische Polarisation verhindern, die sonst mit der Zeit zu einer
Verringerung der Impulsamplitude und der Zählausbeute führen würde.
Vom Gegenstand des älteren Vorschlags unterscheidet sich der Gegenstand der vorliegenden Erfindung
durch den kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1.
Erst durch den Erfindungsgegenitand wird die oben angeführte Aufgabe gelöst, nicht bereits durch den
Gegenstand des älteren Vorschlags.
Das heißt, erst der erfindunfesgemäße Kernstrahlungsdetektor
läßt auch gegenüber dem Gegenstand nach dem älteren Vorschlag energiearme Kernstrahlung
ohne Energieverluste durch und ist ds bei beständig gegen unmittelbar angreifende aggressive Medien,
damit eine hohe Zeitkonstanz auch bei aggressiven radioaktiven Meßmedien gegeben ist.
Für die Erfassung von energiearmen Kernstrahlen eignet sich nach der Erfindung am besten Tantalkarbid
als Sperrkontaktwerkstoff, während für die Kernstrah-
lungsmessung in aggressiven Medien das Platinkarbid
günstiger ist.
Schließlich ist der erfindungsgemäße Kernstrahlungsdetektor zur Erfassung von energiearmen Kernstrahlen
u.id Kernstrahlen in aggressiven Medien vorzugsweise derart ausgebildet, daß er sich in einem hermetisch
abgeschlossenen Gehäuse mit einer Fensteröffnung befindet, die durch den Sperrkontakt des Kernstrahlungsdetektors
verschlossen ist.
Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Kernstrahlungsdetektors wird anhand der aus einer
einzigen Figur bestehenden Zeichnung näher erläutert, in der er schematisch dargestellt ist.
Bei dem in der Zeichnung wiedergegebenen Kernstrahlungsdetektor zur Erfassung der Kernstrahlen wird ,
das Detektorelement 1 durch eine Diamantkristallplatte 2 gebildet, die an den gegenüberliegenden Seiten mit
Kontakten 3,4 versehen ist. Der Kontakt 3 ist aus einem
Metallkarbid hergestellt und wirkt gegenüber den Ladungsträgern als Sperrkontakt. Der auf der anderen
Piatienseite liegende Kontakt 4 besteht dagegen aus einem Werkstoff, der fähig ist, Ladungsträger in
Verbindung mit Diamanten unter der Wirkung des angelegten elektrischen Feldes zu injizieren. Er kann
beispielsweise durch Dotierung der Oberflächenschicht der Diamantkristallplatte 2 mit Bor gebildet werden.
Die Dicke ddes zwischen den Kontakten 3,4 liegenden
Arbeitsbereiches der Diamantkristallplatte 2 ist nicht größer als die Weglänge, die die Ladungsträger im
Diamantkristall unter der Wirkung des angelegten ,0
elektrischen Feldes zurücklegen. Sie ergibt sich aui. der Beziehung
Darin bezeichnen μ die Ladungsträgerbeweglichkeit J5
(Elektronen- und Defektelektronenbeweglichkeit), τ die Lebensdauer dieser Ladungsträger, E die angelegte
elektrische Feldstärke und δ die Entfernung, welche die Ladungsträger unter der Einwirkung des elektrischen
Feldes zurücklegen.
Um die Energieverkiste in der Kernstrahlung soweit wie möglich zu vermindern, wird der Sperrkontakt,
durch welchen die zu erfassenden Kernstrahlen in das Detektorelement t gelangen, so schwach bemessen, daß
er praktisch alle Kernstrahlen durchläßt. Die Kontakt- .,-dicke
ist besonders wichtig bei Erfassung von energiearmen Kernstrahlen, da die Ausgangssignale des
Detektorelements 1 hier einen niedrigen Pegel haben. Auch bei Erfassung von Kernstrahlen mit kontinuierlichem
Energiespektrum ist die Kontaktdicke von großer Bedeutung, da sie die Zählausbeute beeinflußt. Wie die
Untersuchungen zeigten, wird ein solcher für die energiearmen Kernstrahlen durchlässiger Sperrkontakt
durch Metallkarbide, beispielsweise durch Tantalkarbid, gebildet.
Die wichtige Voraussetzung für die. zuverlässige
Funktion des Kernstrahlungsdetektors bei Kernstrahlungserfassung
in aggressiven Medien ist die ausreichende Beständigkeit des Sperrkontaktes gegenüber
den radioaktiven Meßmedien, mit denen er in ^0
Berührung kommen soll. Wie die Versuche zeigten, sind unter den Metallkarbiden auch solche zu finden, die
einen Sperrkontakt herstellen lassen, der praktisch allen aggressiven Medien gut standhält. Ein solches ist
beispielsweise Platinkarbid. Ein Sperrkontakt aus Platinkarbid kann zudem noch sehr schwach bemessen
werden und ist dann, wie erwähnt, für die einfallende Strahlung praktisch völlig durchlässig. Damit wird die
Feststellung auch energiearmer Kernstrahlen in aggresiven Medien mit einer hohen Auffangausbeute ohne
weiteres möglich.
Das Detektorelemeni 1 wird von einem Gehäuse 5
mit einer Fensteröffnung 6 umgeben. Dichtungen 7, 8 aus Isolierstoff verhindern das Eindringen des radioaktiven
Meßmediums in das Gehäuse 5 und vermeiden die damit verbundene Kurzschlußgefahr für den elektrischen
Stromkreis des Deiektorelements 1. In der
Dichtung 7 ist ebenfalls eine Fensteröffnung 9 vorhanden, die auf der Achse der Fensteröffnung 6 im
Gehäuse 5 liegt und ähnliche Form besitzt. Die Dichtung 7 liegt dicht am Rand der Fensteröffnung und trägt
neben dem Sperrkontakt 3 des Detektorelements 1 zur Abschließung des Gehäuses 5 an der Seite seiner
Fensteröffnung 6 bei. Die zweite Dichtung 8 hat wie die Dichtung 7 auch die Aufgabe, das Detektorelement 1 im
Gehäuse 5 festzuhalten. Das Gehäuse 5 und die Dichtung 7 bestehen aus einem Werkstoff, der beständig
gegenüber den radioaktiven Meßmedien ist. Im Gehäuse 5 befindet sich weiter eine Abschlußplatte 10
mit Durchbrüchen für metallische Anschlüsse 11,12, die gegen die Anschlußplatte 10 durch Dichtungen 13, 14
isoliert werden. Der Anschluß 11 ist mit dem Speri kontakt 3 des Detektorelements 1 durch einen
Draht 15 verbunden, der durch eine Öffnung 16 in der Dichtung 8 durchgeführt ist. Der Anschluß 12 ist
dagegen am injizierenden Kontakt 4 des Detektorelements 1 durch einen Draht 17 angeschlossen, der durch
eine andere Öffnung 18 in der Dichtung 8 hindurchgeführt ist. Die Verbindung der Drähte 15, 17 mit dem
Sperr- und dem injizierenden Kontakt erfolgt beispielsweise mit einer Silberpaste, die entsprechender
thermischer Behandlung unterworfen wird. Die Anpreßkraft
für die Dichtungen 7, 8, die das Detektorelement 1 und das Gehäuse 5 an der Seite der
Fensteröffnung 6 nach außen abschließen, wird durch eine Spannmutter 20, die man in das Gehäuse 5 eindreht,
erzeugt und über einen Federring einer Feder 19 und die Anschlußplatte 10 übertragen. Sie kann verschieden
eingestellt werden.
Die Speisespannung wird am Anschluß 12 des Detektorelements 1 angelegt, und das Meßsignal, das
die einfallende Kernstrahlung im Detektorelement 1 erzeugt, wird am Anschluß 11 abgenommen. Dementsprechend
sind am Anschluß 11 ein Verstärker 21 mi ι nachgeschaltetem Registriergerät 22 und am Anschluß
12 eine Speise:.tromquelle 24 über einen Widerstand 23
angeschlossen.
Man kann auch den Anschluß U erden und den Anschluß 12 sowohl zur Speisespannungszuführung als
auch zur Abnahme des Meßsignals benutzen. In diesem Falle wird an dieser der Verstärker mit dem
Registriergerät 22 über einen Trennkondensator angeschlossen.
Der beschriebene Kernstrahlungsdetektor hat folgende Wirkungsweise.
Man baut das Detektorelement 1 mit seinem Gehäuse 5 in eine Steckverbindung ein, womit es an der
Anschlußseite vollkommen abgedichtet wird Eine Steckverbindung erleichtert außerdem die Zuführung
von elektrischen Verbindungsleitungen zu Detektorelement 1. Sodann wird das Detektorelement 1 in das zu
untersuchende radioaktive Medium eingebracht und unter Spannung der Gleichstromquelle 24 gesetzt. Die
zu erfassende Strahlung fällt in das Detektorelement 1 an der Seite des Sperrkoniaktes ein und ruft darin eine
Ionisation hervor. Die sich bei dieser Ionisation
bildenden Ladungsträger (Elektronen und Defektelektronen) bewegen sich unter der Einwirkung des
angelegten elektrischen Feldes zu den Kontakten 3, 4. Wird am injizierenden Kontakt 4 ein positives Potential
angelegt, so zieht er die Elektronen an, während die Defektelektronen zum Sperrkontakt 3 wandern. Ein
Teil der Elektronen bleibt auf dem Wege zum Kontakt 4 an Haftstellen, die in einem Diamantkristall immer
vorhanden sind, zurück. Dadurch wird die Diamantkristallplatte 2 polarisiert. Der injizierende Kontakt 4 hat
die Aufgabe, diese Polarisation zu beseitigen. Da im Diamanten tiefliegende Haftstellen existieren, sind die
Injektionsströme vom Kontakt 4 durch die Raumladung, die mit diesen Haftstellen verbunden ist, begrenzt. Somit
entsteht durch die Injektionsströme keine wesentliche i$
Leitfähigkeit und folglich auch kein Rauschen. Tritt jedoch eine Strömung des Feld- und Ladungsgleichgewichtes
infolge der durch die einfallende Kernstrahlung hervorgerufenen Polarisation auf, so stellen die vom
Kontakt 4 injizierten Ladungsträger den ursprünglichen »o
stationären Zustand des Kristalls wieder her.
Ebenso wie die Elektronen können auch die Defektelektronen auf dem Wege zum Kontakt 3 zum
kleinen Teil an den Haftstellen haftenbleiben. Diese zurückgebliebenen Defektelektronen befinden sich aber
in der Ionisierungszone und können von Ladungsträ gern mit entgegengesetztem Vorzeichen, also von
Elektronen, neutralisiert werden. Da die elektrische Feldstärke im Bereich des Sperrkontaktes 3 höher ist,
verringern sich bei Erfassung von Kernstrahlen mit hoher ionisierender Wirkung die Verluste im Elektronenloch-Plasma.
Das am Sperrkontakt 3 des Detektorelements 1 abgenommene Signal gelangt auf den Eingang des
Verstärkers 21 und von diesem zum Registriergerät 22. Das letztere kann beispielsweise eine Impulsuntersetzungsschaltung
sein.
In einigen flüssigen radioaktiven Medien wird die Kernstrahlungsmessung durch Adsorptionserscheinungen
erschwert, die die Meßergebnisse erheblich verfälschen. Der störende Einfluß der Adsorption läßt
sich aber durch entsprechende Maßnahmen bis auf ein Minimum verringern.
Werden größere wirksame Detektorflächen erfordert,
so kann man zwei Detektorelemcnte gleichzeitig einsetzen. Sie werden dabei so angeordnet, daß ihre
injizierenden Kontakte miteinander in Berührung kommen, während die Sperrkoni;akte dem Meßmedium
ausgesetzt werden. Es läßt sich weiter ein ganzes Mosaikfeld aus Detektorelementen zusammenstellen.
Der erfindungsgemäße Kernstrahlungsdetektor kann auch bei erhöhten Meßmediumdrücken eingesetzt
werden. Eine Grenze wird hier nur durch die Festigkeit des Gehäuses und die Dichtheit des Detektorelements
gesetzt. Bei einigen Meßaufgaben kann der Kernstrahlungsdetektor dadurch vereinfacht werden, daß das
Detektorelement mit einer gegenüber dem jeweiligen Meßmedium beständigen Kompoundmasse vergossen
wird.
Der erfindungsgemäße Kemstrahlungsdetektor auf
Diamantbasis besitzt eine Reihe von Vorzügen. Er eignet sich zur Erfassung sowohl energiearmer Kernstrahlen
als auch der Kernstrahlen mit geringer Reichweite, die von festen, pulverartigen, flüssigen und
gasförmigen Medien ausgesendet werden, weil der Sperrkontakt des Detektorelements wegen seiner
geringen Dicke für die einfallende Kernstrahlung praktisch durchlässig ist. Er läßt sich weiter auch bei
Teilchenbeschleunigern einsetzen. Die extrem hohe chemische Festigkeit des Diamanten, aus dem das
Detektorelement hergestellt ist, verleiht in Verbindung mit hoher Beständigkeit des Sperrkontaktes gegenüber
den aggressiven Meßmedien dem Kernstrahlungsdetektor eine hohe Zeitkonstanz der Kenndaten auch bei
Strahlungsmessung in aggressiven Medien. In einem Diamant-Detektorelement treten infolge seines hohen
Widerstandes und der großen Breite des verbotenen Energiebandes des Diamanten nur vernachlässigbar
kleines Strom- und Wärmerauschen bei Zimmertemperatur auf. Dadurch arbeitet der Kernstrahlungsdetektor
praktisch rauschfrei. Seine weiteren Vorteile sind die hohe Empfindlichkeit, gute Zählausbeute, hohes Energieauflösungsvermögen
und ein hohes Signal/Rausch-Verhältnis sowohl bei Zimmertemperatur als auch bei höheren Temperaturen. Der Kernstrahlungsdetektoi
hat einen einfachen Aufbau, ist zuverlässig und einfach in der Bedienung. Die gute Reinigungsmöglichkel·
erleichtert die Entfernung von radioaktiven Verunreini gungen nach der Messung.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Kernstrahlungsdetektor, gebildet durch eine Diamantkristallplatte, die an gegenüberliegenden s
Seiten mit zwei Kontakten zum Anlegen eines elektrischen Feldes versehen ist, von denen einer
sich auf der der Strahlung ausgesetzten Plattenseite befindet und als Sperrkontakt gegenüber den
Ladungsträgern wirkt, während der gegenüberliegende Kontakt an der nicht bestrahlten Plattenseite
aus einem Werkstoff besteht, der in die Diamantkristallplatte unter der Einwirkung des angelegten
elektrischen Feldes Ladungsträger injizieren kann, wobei die Dicke des zwischen den Kontakten
liegenden Arbeitsbereiches der Diamantkristallplatte nicht größer ist als die Weglänge, die die
Ladungsträger im Diamantkristall unter der Einwirkung des angelegten elektrischen Feldes zurücklegen,
dadurch gekennzeichnet, daß der Sperrkor.takt (3) aus einem Metallkarbid besteht.
2. Kernstrahlungsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sperrkontakt (3)
aus Tantalkarbid besteht.
3. Kernstrahlungsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sperrkontakt (3)
aus Platinkarbid besteht.
4. Kernstrahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
er sich in einem hermetisch abgeschlossenen Gehäuse (5) mit einer Fensteröffnung (6) befindet,
die durch den Sperrkontakt (3) des Kernstrahiungsdetektors verschlossen ist.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1272308 | 1968-09-20 | ||
SU1272308 | 1968-09-20 | ||
SU1302862 | 1969-01-31 | ||
SU1302862A SU273884A1 (de) | 1969-01-31 | 1969-01-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1947888A1 DE1947888A1 (de) | 1970-10-01 |
DE1947888B2 true DE1947888B2 (de) | 1977-05-05 |
DE1947888C3 DE1947888C3 (de) | 1978-01-12 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5029355B1 (de) | 1975-09-22 |
DE1947888A1 (de) | 1970-10-01 |
FR2019474B1 (de) | 1973-11-16 |
US3638022A (en) | 1972-01-25 |
BE739202A (de) | 1970-03-23 |
GB1238839A (de) | 1971-07-14 |
FR2019474A1 (de) | 1970-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2430295C2 (de) | Selbst Strom liefernder Neutronendetektor | |
DE69114036T2 (de) | Strahlungsdetektion und Strahlungsdetektor. | |
DE1814376A1 (de) | Pyroelektrischer Detektor | |
DE1914569A1 (de) | Radioaktives Zeitnormal | |
DE2949862A1 (de) | Festkoerperstrahlungsdetektor und anordnungen derselben | |
DE2920848C2 (de) | ||
DE69633183T2 (de) | Fotodetektor mit einem mosfet bestehend aus einem schwebenden gate | |
DE3002950A1 (de) | Ortungsempfindliches proportionalzaehlrohr hoher aufloesung mit kodierung durch verzoegerungsleitung zur messung der flaechenverteilung ionisierender strahlung | |
DE1947888C3 (de) | Kernstrahlungsdetektor | |
DE1950060C3 (de) | Kernstrahlungs-Nachweiseinrichtung mit einem von einer Diamantplatte gebildeten Detektor | |
DE2747872A1 (de) | Strahlennachweisvorrichtung | |
DE1947888B2 (de) | Kernstrahlungsdetektor | |
DE69208366T2 (de) | Strahlungsdetektoren | |
DE2807072A1 (de) | Sich selbst mit energie versorgender gammastrahlungsdetektor | |
DE1945885C3 (de) | Kernstrahlungsdetektor | |
CH510270A (de) | Kernstrahlungsdetektor, insbesondere zur Messung energiearmer Kernstrahlung sowie der Kernstrahlung in aggressiven Medien | |
DE2703324A1 (de) | Ionisationsstrahlungs-festkoerperdetektor | |
DE2239065A1 (de) | Ionisationskammer | |
DE1949138C3 (de) | Kernstrahlungsdetektor | |
DE3425561C2 (de) | Vorrichtung zur Messung von wärmetechnischen Kenngrössen einer Stoffprobe | |
DE1945885B2 (de) | Kernstrahlunggsdetektor | |
DE2537598A1 (de) | Feuerdetektor | |
DE1949138A1 (de) | Anordnung zur Messung spezifischer Energieverluste und zur Registrierung ionisierender Kernstrahlung auf gamma-Strahlungsuntergrund | |
DE889956C (de) | Ionisationskammer | |
CH513409A (de) | Einrichtung zur Messung von Kernstrahlung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |