DE1931335C3

DE1931335C3 - Method for separating a body from a disk-shaped crystal and device for carrying out this method

Info

Publication number: DE1931335C3
Application number: DE19691931335
Authority: DE
Inventors: Reimer Dr. 8553 Ebermannstadt Emeis
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Filing date: 1969-06-20
Publication date: 1976-10-28

Description

In industriellen und auch in nichtindustriellen elektrischen Arbeitsgeräten, wie z. B. Küchengeräten, wird in zunehmendem Maße der Einsatz von Halbleiterbauelementen erforderlich, deren Leistung verhältnismäßig niedrig ist und deren äußere Abmessungen daher verhältnismäßig klein sein können.In industrial and also in non-industrial electrical work equipment, such as. B. kitchen appliances, the use of semiconductor components is increasingly required, the performance of which is proportionate is low and the external dimensions can therefore be relatively small.

Der Einsatz dieser kleinflächigen Halbleiterbauelemente in elektrischen Arbeitsgeräten einerseits und ihre große benötigte Stückzahl andererseits erfordern besonders wirtschaftliche Massenherstellungsverfahren. Diese Herstellungsverfahren müssen jedoch so beschaffen sein, daß sie insbesondere die elektrischen Eigenschaften der erzeugten Halbleiterbauelemente möglichst wenig beeinflussen.The use of these small-area semiconductor components in electrical work equipment on the one hand and their large numbers required, on the other hand, require particularly economical mass production processes. However, these manufacturing processes must be such that they in particular the electrical Influence the properties of the semiconductor components produced as little as possible.

Eine Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften eines Ha'.bleiterbauelementes kann insbesondere beim Abtrennen dieses Bauelementes von einer großflächigen Ausgangsscheibe mit einer Folge von zu den Hauptflächen dieser Scheibe parallelen Zonen abwechselnden Leitungslyps erfolgen. Beim Abtrennen der Halbleiterbauelemente durch Sägen oder Brechen kommt es an der Trennfläche zu tiefgehenden Zerstörungen der Kristallstruktur (damages), die die an der Trennfläche zutage tretenden pn-Übergänge praktisch kurzschließen, so daß sie keine Sperrfähigkeit besitzen. Man kann zwar die gestörten Kristallschichten an der Oberfläche der abgetrennten Halbleiterbauelemente durch Ätzen beseitigen, hierzu sind jedoch saure Ätzmittel, wie z. B. ein Gemisch aus Flußsäure und Salpetersäure, und lange Ätzzeiten erforderlich, so daß auch an dem Halbleiterbauelement befindliche Kontaktelektroden aus Metall durch das Ätzmittel angegriffen werden.The electrical properties of a semiconductor component can be influenced in particular in the case of Separation of this component from a large output disk with a sequence of to Main surfaces of this disk are made of parallel zones of alternating line lyps. When separating the Semiconductor components caused by sawing or breaking can become deep at the interface Destruction of the crystal structure (damages), the pn junctions that come to light at the interface practically short-circuit so that they have no blocking capability. You can see the disturbed crystal layers Remove by etching on the surface of the separated semiconductor components, but for this purpose are acidic Etchants, such as B. a mixture of hydrofluoric acid and nitric acid, and long etching times required so that Contact electrodes made of metal on the semiconductor component are also attacked by the etchant will.

Aui der Zeitschrift »Maschinenmarkt«, Jg. 75 (1969), Nr. 31, S. 647 f, ist bekannt, Halbleiterkristalle durchAlso in the magazine "Maschinenmarkt", vol. 75 (1969), No. 31, p. 647 f, is known to produce semiconductor crystals

so einen Sandstrahl zu zertrennen. Dazu wird das Halbleiterkristall offensichtlich auf eine ebene Unterlage gelegt. Dann wird ein aus einer Düse austretender Sandstrahl auf die Oberfläche des Körpers gerichtet, wobei die Düse kontinuierlich relativ zum Kristall bewegt wird. Bei diesem Schneidverfahren ist es jedoch möglich, daß der Sandstrahl nach dem Durchtrennen des Kristalls von der ebenen Unterlage umgelenkt oder reflektiert wird. Damit kann jedoch Material an unerwünscnten Stellen abgetragen werden. Außerdem ist zu bedenken, daß ein scheibenförmiges Halbleiterkristall, wie es beispielsweise in der Halbleitertechnik verwendet wird, sehr leicht ist. Damit könnte es unter Wirkung des Sandstrahls relativ zur Unterlage und zur Düse verschoben werden, wodurch Fehlschnitte möglieh sind.to cut such a sandblast. For this purpose, the semiconductor crystal is obviously placed on a flat surface placed. Then a sand jet emerging from a nozzle is directed onto the surface of the body, wherein the nozzle is continuously moved relative to the crystal. However, with this cutting method it is possible that the sandblast deflected or after cutting through the crystal from the flat surface is reflected. However, this can remove material from undesired places. Besides that It should be borne in mind that a disk-shaped semiconductor crystal, as it is, for example, in semiconductor technology used is very light. So it could be under the action of the sandblast relative to the base and to Nozzle can be moved, which means that incorrect cuts are possible.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Abtrennen eines Körpers von einem scheibenförmigen Kristall durch Anstrahlen mittels eines relativ zur Oberfläche des Körpers kontinuierlich bewegten, aus einer Düse austretenden Sandstrahls.The present invention relates to a method of severing a body from one disk-shaped crystal by means of an irradiation relative to the surface of the body continuously moving sandblast emerging from a nozzle.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, dieses Verfahren so weiterzubilden, daß Fehlschnitte vermieden und definierte Trennstellen erhalten werden.The invention is based on the object of developing this method in such a way that incorrect cuts are avoided and defined separation points are obtained.

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der scheibenförmige Kristall mit einer Hauptfläche auf einen Rost aufgelegt wird, der an der Auflagefläche einen Schlitz aufweist, daß der Kristall auf den Rost aufgeklebt wird und daß der Sandstrahl über dem Schlitz über den Kristall geführt wird und daß Sand aus dem Schlitz abgesaugt wird.The invention is characterized in that the disk-shaped crystal has a main surface a grate is placed, which has a slot on the support surface that the crystal on the grate is glued on and that the sandblast is guided over the slot over the crystal and that sand is out sucked off the slot.

Es ist zwar bereits aus der deutschen Auslegeschrift 1197012 und aus der US-Patentschrift 2985050 bekannt, zu schneidendes Gut auf mit Schlitzen oder Ausnehmungen versehene Unterlagen aufzulegerl. Bei dem zu schneidenden Gut hande't es sich jedoch offensichtlich um relativ schwere Werkstücke, bei denen das dem Anmeldungsgegenstand zugrunde liegende Problem nicht auftritt.It is already from the German Auslegeschrift 1197012 and from US Patent 2985050 known to aufzulegerl material to be cut on documents provided with slots or recesses. at the goods to be cut are obviously relatively heavy workpieces the problem on which the subject of the application is based does not arise.

Die Kristallstörungen (damages) an der Schnittfläche der von dem scheibenförmigen Kristall abgetrennten Körper sind außerordentlich gering und können mit Hilfe von alkalischen Ätzmitteln, welche an den Körpern befindliche Metalleleklroden nicht angreifen, innerhalb kürzester Zeit entfernt werden, so daß die Sperrfähigkeit von an den Schnittflächen zutage tretenden pn-Übergängen voll zur Wirkung kommt. Ferner erzielt man konturenscharfe Schnitte im scheibenförmigen Kristall, und die Kanten des abgetrennten Körpers sind frei von Ausbrechungen.The crystal defects (damages) on the cut surface of the cut from the disc-shaped crystal Bodies are extremely small and can with the help of alkaline corrosives, which are attached to the Do not attack metal electrodes located in the body, remove them within a very short time so that the Blocking ability of pn junctions emerging at the cut surfaces comes into full effect. Furthermore, you can achieve sharp cuts in the disc-shaped crystal, and the edges of the severed Bodies are free from breakouts.

Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens weist vorteilhaft einen Rost auf, der an der Auflagefläche für den scheibenförmigen Kristall mit kreuzweise parallelen Schlitzen versehen ist und aus einem Paket von deckungsgleichen Metallkämmen mit jeweils zwischen zwei Kämmen angeordneten Distanzsstücken besteht, welches in einem Rahmen fest eingespannt ist. Ein besonders einfach herzustellender Rost kann auch aus einem Metallblock bestehen, der anA device for carrying out the method according to the invention advantageously has a grate, which is provided with cross-parallel slots on the support surface for the disk-shaped crystal and from a package of congruent metal combs each arranged between two combs There is spacer pieces, which is firmly clamped in a frame. One that is particularly easy to manufacture The grate can also consist of a block of metal attached to

der Auflagefläche für den scheibenförmigen Kristall kreuzweise parallele Einschnitte aufweist und an seiner Unterseite mit in die Einschnitte mündenden Abzugsbohrungen versehen ist the support surface for the disk-shaped crystal has crosswise parallel incisions and on his Underside is provided with drainage holes opening into the incisions

Die Erfindung und ihre Vorteile seien anhand der Zeichnung an Ausführungsbeispielen näher erläutert:The invention and its advantages are explained in more detail with reference to the drawing of exemplary embodiments:

F i g. 1 zeigt die Seitenansicht einer Vorrichtung zum Abtrennen von Körpern von einem scheibenförmigen Kristall,F i g. 1 shows the side view of a device for separating bodies from a disk-shaped one Crystal,

F i g. 2 zeigt die perspektivische Ansicht des Rostes in Fig. I,F i g. 2 shows the perspective view of the grate in FIG Fig. I,

Fig.3 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt aus der Auflagefläche für scheibenförmige Kristalle des Rostes in F i g. 2,3 shows an enlarged section from the Support surface for disc-shaped crystals of the grate in FIG. 2,

Fig.4 zeigt einen Schnitt durch den Rost nach Fig. 2,4 shows a section through the grate according to Fig. 2,

Fig.5 zeigt eine andere Ausführungsform eines Rostes für die Vorrichtung nach Fig. 1,Fig.5 shows another embodiment of a Grate for the device according to Fig. 1,

Fig.6 zeigt einen Schnitt durch den Rosi nach F i g. 5.FIG. 6 shows a section through the Rosi according to FIG. 5.

Die Vorrichtung nach F i g. 1 weist einen Support 2 auf mit einer Öffnung 3, an der unten ein Absaugrohr 4 angeflanscht ist, welches mit einer nicht dargestellten Absaugeinrichtung verbunden ist. Auf dem Support 2 ist über der Absaugöffnung 3 ein Rost 5 angeordnet. Dieser Rost 5 ist durch zwei sich gegenüberliegende Winkelstücke 7 an dem Support 2 befestigt, die in Ausnehmungen 6 an zwei sich gegenüberliegenden Seitenflächen des Rostes 5 eingreifen und mit dem Support 2 verschraubt sind. Die Ausnehmungen 6 ermöglichen eine justierbare Befestigung des Rostes 5 am Support 2.The device according to FIG. 1 has a support 2 with an opening 3 on which a suction pipe 4 is located at the bottom is flanged, which is connected to a suction device, not shown. On the support 2 is A grate 5 is arranged above the suction opening 3. This grate 5 is formed by two opposing angle pieces 7 attached to the support 2, the recesses 6 on two opposite Engage the side surfaces of the grate 5 and are screwed to the support 2. The recesses 6 allow an adjustable fastening of the grate 5 on the support 2.

Auf der Auflagefläche 8 des Rostes 5. die vorteilhaft plangeläppt ist, sind vier, der Deutlichkeit halber nur gestrichelt angedeutete scheibenförmige Kristalle 9 mit einer ihrer Hauptflächen aufgelegt. Diese scheibenförmigen Kristalle 9 können vorteilhaft mit einem Zelluloselack an der durch das Läppen schwach aufgerauhten Auflagefläche 8 festgeklebt sein. Die scheibenförmigen Kristalle 9 können z. B. Siliziumscheiben sein, die an ihren Hauptflächen Metallüberzüge aufweisen und in denen eine Folge von mehreren zu den Hauptflächen parallelen Zonen abwechselnden Leitungstyps enthalten sind. Aus den Siliziumscheiben 9 sollen mit der Vorrichtung nach F i g. 1 eine Vielzahl kleiner Siliziumbauelemente hergestellt werden.On the support surface 8 of the grate 5. the advantageous is flat lapped, are four disc-shaped crystals 9, only indicated by dashed lines for the sake of clarity placed on one of their main surfaces. These disc-shaped crystals 9 can advantageously with a Cellulose varnish must be glued to the support surface 8, which has been slightly roughened by the lapping. the disc-shaped crystals 9 can, for. B. be silicon wafers that have metal coatings on their main surfaces and in which a sequence of several zones of alternating conductivity type parallel to the main surfaces are included. From the silicon wafers 9 with the device according to FIG. 1 a variety small silicon components are produced.

Über dem Support 7 ist ein vertikal auf die Auflagefläche 8 des Rostes 5 gerichtetes Sandstrahlgebläse 10 mit einer Düse 11 angeordnet, welche vorteilhaft eine schlitzförmige Austrittsöffnung hat.Above the support 7 is a sandblasting fan directed vertically onto the support surface 8 of the grate 5 10 arranged with a nozzle 11, which advantageously has a slot-shaped outlet opening.

Dieses Sandstrahlgebläse ist justierbar an einer horizontalen Haltestange 12 befestigt und weist oben einen Zuführschlauch 14 auf. Die Stange 12 ist ihrerseits justierbar in einem Halteteil 13 befestigt. Das Halteteil 13 kann sowohl in Richtung des in der Zeichenebene liegenden Pfeiles 18 als auch in Richtung senkrecht zur Zeichenebene parallel zur Auflagefläche 8 des Rostes 5 verschoben werden.This sandblasting blower is adjustably attached to a horizontal support rod 12 and has at the top a feed tube 14. The rod 12 is in turn adjustably fastened in a holding part 13. The holding part 13 can both in the direction of the arrow 18 lying in the plane of the drawing and in the direction perpendicular to the The plane of the drawing can be shifted parallel to the support surface 8 of the grate 5.

Wie die F i g. 2 und 3 zeigen, besteht der Rost 5 aus einem Rahmen 5a, in dem ein Paket von deckungsgleichen Metallkämmen 15 fest verspannt ist. Die Spitzen der Zähne dieser Metallkämme 15 bilden in ihrer Gesamtheit die Auflagefläche 8 des Rostes 5 für die scheibenförmigen Kristalle 9.As the F i g. 2 and 3 show, the grate 5 consists of a frame 5a in which a package of congruent Metal combs 15 is tightly clamped. The tips of the teeth of these metal combs 15 form in their The entirety of the support surface 8 of the grate 5 for the disk-shaped crystals 9.

Der Support 2 ist in einer Ebene parallel zur Auflagefläche 8 schwenkbar angeordnet. Er weist an seinem Umfang einen Zapfen 17 auf, dessen BewecMinpsmöelichkeit durch zwei Anschlagblöcke 18 begrenzt ist, die so angebracht sind, daß der Support 2 maximal um einen Winkel von 90° geschwenkt werden kann.The support 2 is pivotably arranged in a plane parallel to the support surface 8. He instructs its circumference a pin 17, the BewecMinpsmöelichkeit is limited by two stop blocks 18 which are attached so that the support 2 can be swiveled by a maximum of 90 °.

F i g. 4 zeigt einen Schnitt längs der strichpunktierten Linien A - B und B-CIn Fi g.2 durch den Rost 5 und den Support 2.F i g. 4 shows a section along the dash-dotted lines A - B and B- C in FIG. 2 through the grate 5 and the support 2.

Wie aus dem Schnitt A - B erkennbar ist, ist auf beiden Seiten des Rostes 5 zwisdien jeweils zwei Kämmen 15 ein streifenförmiges Abstandsstück 16 angeordnet. Hierdurch werden zu den Kämmen parallele Schlitze 21 in der Auflagefläche 8 gebildet. Wie aus dem Schnitt B- C hervorgeht, werden zu den Kämmen 15 senkrechte Schlitze 24 durch die Zwischenräume zwischen den einzelnen Zähnen der Kämme 15 gebildet.As can be seen from the section A - B , a strip-shaped spacer 16 is arranged on both sides of the grate 5 between two combs 15 in each case. As a result, slots 21 parallel to the combs are formed in the support surface 8. As can be seen from the section B-C , slots 24 perpendicular to the combs 15 are formed through the spaces between the individual teeth of the combs 15.

Nach dem Aufkleben der scheibenförmigen Kristalle 9 auf die Auflagefläche 8 des Rostes 5 wird das Sandstrahlgebläse 10 der öffnung der Düse 11 über einem Schlitz 21 angeordnet und durch Verschieben des Halteteils 13 in Richtung des Pfeiles 18 längs des Schlitzes 21 ausgehend vom Rahmen 5a des Rostes 5 mit gleichförmiger Geschwindigkeit bewegt. Durch den Sandstrahl wird durch zwei Scheiben 9 ein über dem Schlitz 21 liegender Trennschnitt erzeugt. Der Sand des Sandstrahles wird unterhalb des Rostes 5 durch die Öffnung 3 aus dem Schlitz 21 abgesaugt. Hierdurch wird ein Rückstau und Aufstauben des Sandes vermieden.After the disc-shaped crystals 9 have been glued onto the support surface 8 of the grate 5, the Sandblasting fan 10 of the opening of the nozzle 11 is arranged over a slot 21 and, by moving the Holding part 13 in the direction of arrow 18 along the slot 21 starting from the frame 5a of the grate 5 with moves at a constant speed. The sandblast is through two disks 9 one over the Slit 21 horizontal separating cut is produced. The sand of the sandblast is below the grate 5 by the Opening 3 sucked out of the slot 21. This avoids backlogging and dusting of the sand.

Nach dem Erzeugen des Trennschnittes über dem Schlitz 21 wird das Halteteil 13 senkrecht zur Zeichenebene in F i g. 1, d. h. in Richtung des Pfeiles 25 in Fig. 2, so verschoben, daß sich die Öffnung der Düse 11 über einem anderen Schlitz 21 befindet. Hierauf wird wieder ausgehend vom Rahmen 5a des Rostes 5 das Halteteil 13 und damit das Gebläse 10 in Richtung des Pfeiles 18 längs dieses anderen Schlitzes 21 mit gleichförmiger Geschwindigkeit bewegt und so ein weiterer Trennschnitt durch zwei scheibenförmige Kristalle 9 gelegt.After the separation cut has been made over the slot 21, the holding part 13 is perpendicular to the Drawing plane in FIG. 1, d. H. in the direction of arrow 25 in Fig. 2, shifted so that the opening of the nozzle 11 is located over another slot 21. Thereupon, starting from the frame 5a of the grate 5, the Holding part 13 and thus the fan 10 in the direction of arrow 18 along this other slot 21 moves at a constant speed and so another separating cut through two disk-shaped ones Crystals 9 placed.

Nach dem Erzeugen der über den zueinander parallelen Schlitzen 21 liegenden Trennschnitte durch die Scheibe 9 wird der Support 2 um 90° geschwenkt. Sodann werden durch die scheibenförmigen Kristalle 9 in derselben Weise wie vorher Trennschnitte längs der zu den Schlitzen 21 senkrechten Schlitze 24 in der Auflagefläche 8 des Rostes 5 geführt. Anschließend werden die von den Scheiben 9 abgetrennten kleinen Siliziumkörper z. B. mit Azeton von der Auflagefläche 8 des Rostes 5 abgelöst.After the cutting cuts located above the mutually parallel slits 21 have been produced the disc 9, the support 2 is pivoted through 90 °. Then the disk-shaped crystals 9 in the same way as before, separating cuts along the slits 24 in FIG. 4 perpendicular to the slits 21 Support surface 8 of the grate 5 out. Then the separated from the disks 9 small Silicon body z. B. detached from the support surface 8 of the grate 5 with acetone.

Bestehen die scheibenförmigen Kristalle 9 aus 0,3 mm dickem Silizium und weisen sie auf beiden Hauptflächen eine Nickelschicht von 3 bis 5 μ Dicke auf, so hat sich eine Schnittgeschwindigkeit von 3 bis 5 cm pro Minute bewährt. Die Schnittbreite beträgt vorteilhaft 0,2 mm. Diese Schnittbreite erzielt man mit einer Düse 11 mit einer schlitzförmigen öffnung, welche dne Breite von etwa 0,15 mm hat. Die Breite der Schlitze 21 bzw. 24 im Rost 5 ist vorteilhaft doppelt bis dreimal se groß wie die Breite der schlitzförmigen öffnung der Düse 11. Der verwendete Sand hat günstigerweise eine Korngröße von 10 bis 30 μ, vorzugsweise von 20 μ. If the disk-shaped crystals 9 consist of 0.3 mm thick silicon and if they have a nickel layer 3 to 5 μm thick on both main surfaces, a cutting speed of 3 to 5 cm per minute has proven useful. The cutting width is advantageously 0.2 mm. This cutting width is achieved with a nozzle 11 with a slot-shaped opening which is about 0.15 mm wide. The width of the slots 21 and 24 in the grate 5 is advantageously twice to three times the width of the slot-shaped opening of the nozzle 11. The sand used advantageously has a grain size of 10 to 30 μ, preferably 20 μ.

Nach dem Abtrennen von den Siliziumscheiben 9 werden die kleinen, bereits mit flächenhaften Elektroden versehenen Siliziumkörper in einer wässrigen Lösung von KOH oder NaOH 1 bis 2 Minuten lang geätzt. Die durch das Sandstrahlen verursachten Zerstörungen der Kristallstruktur (damages) an der Oberfläche dieser Siliziumkörper sind so gering, daß die zerstörte Kristallstruktur durch diese ÄtzbehandlungAfter being separated from the silicon wafers 9, the small, already flat electrodes provided silicon body in an aqueous solution of KOH or NaOH for 1 to 2 minutes etched. The damage to the crystal structure caused by sandblasting The surface of these silicon bodies is so small that the crystal structure is destroyed by this etching treatment

restlos abgetragen und die volle Sperrfähigkeit von an den Schnittflächen zutage tretenden pn-Übcrgängen erzielt wird, ohne daß es zu irgendwelchen Beschädigungen der Metallelektroden kommt. Das Gebläse 10 kann auch mehrere nebeneinander angeordnete Düsen aufweisen, so daß gleichzeitig mehrere parallele Trennschnitte durch die scheibenförmigen Kristalle 9 geführt werden können.completely removed and the full lockability from on The pn junctions revealed by the cut surfaces are achieved without any damage whatsoever the metal electrodes come. The fan 10 can also have several nozzles arranged next to one another have, so that at the same time several parallel separating cuts through the disk-shaped crystals 9 can be guided.

Die in F i g. 5 dargestellte weitere Ausführungsform des Rostes für eine Vorrichtung nach F ig. 1 be.steht aus einem quaderförmigen Metallblock 31, welcher an der Auflagefläche für die scheibenförmigen Halbleiterkörper 9 kreuzweise parallele Einschnitte 32 und 33 •aufweist. Im übrigen sind gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen wie in F i g. 2 versehen.The in F i g. 5 illustrated further embodiment of the grate for a device according to F ig. 1 pending a cuboid metal block 31 which is attached to the support surface for the disk-shaped semiconductor body 9 cross-parallel incisions 32 and 33 • has. Otherwise, the same parts are the same Reference symbols as in FIG. 2 provided.

Wie aus dem Schnitt D-D entsprechend Fig.6 hervorgeht, reichen diese kreuzweise parallelen Einschnitte 32 und 33 etwa bis zur halben Höhe des Metallblockes 31. Der untere Teil des Metallblockes 31 ist mit Absaugbohrungen 34 versehen, die vorteilhaft genau unterhalb der Kreuzungspunkte der kreuzweise parallelen Einschnitte 32, 33 im oberen Teil des ■fyletallblocks 31 angeordnet sind.As can be seen from the section DD according to FIG. 6, these cross-wise parallel incisions 32 and 33 extend approximately up to half the height of the metal block 31. The lower part of the metal block 31 is provided with suction bores 34, which are advantageously exactly below the intersection points of the cross-parallel incisions 32, 33 in the upper part of the ■ fyletallblocks 31 are arranged.

Der Rost 31 nach den F i g. 5 und 6 kann genauso wie der Rost 5 in F i g. 2 über der Absaugöffnung 3 auf dem Support 2 befestigt werden.The grate 31 according to FIGS. 5 and 6, like the grate 5 in FIG. 2 above the suction opening 3 on the Support 2 to be attached.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Method for separating a body from a disk-shaped crystal by blasting by means of a continuously moving relative to the surface of the body, emerging from a nozzle Sandblasting, characterized in that the disc-shaped crystal with a main surface is placed on a grate which has a slot on the support surface that the crystal is glued to the grate and that the sandblast is guided over the slot over the crystal and that sand is sucked out of the slot.

2. Apparatus for performing the method according to claim 1, characterized in that the Grate (5) on the support surface for the disc-shaped crystal (9) with crosswise parallel slots is provided and from a package of congruent combs (15) each with between two Combs arranged spacer pieces (16), which is firmly clamped in a frame (5a).

3. Apparatus for performing the method according to claim 1, characterized in that the Grate (5) consists of a metal block 31 which is attached to the support surface for the disc-shaped crystal (9) crosswise parallel incisions (32, 33) and on its underside with in the incisions opening withdrawal bores (34) is provided.

4. Device according to \ nspruch 2 or 3, characterized in that the grate on a support (2) is arranged in a to the support surface door the disk-shaped crystal (9) parallel plane is pivotable.

5. Apparatus according to claim 2 or 3, characterized in that the grate (5) on a support (2) is arranged above a suction opening (3) in the support (2), which is connected to a suction device connected.