DE1931335B2 - METHOD FOR SEPARATING A BODY FROM A DISK-SHAPED CRYSTAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT THIS METHOD - Google Patents
METHOD FOR SEPARATING A BODY FROM A DISK-SHAPED CRYSTAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT THIS METHODInfo
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Description
In industriellen und auch in nichtindustriellen elektrischen Arbeitsgeräten, wie z. B. Küchengeräten, wird in zunehmendem Maße der Einsatz von Halbleiterbauelementen erforderlich, deren Leistung verhältnismäßig niedrig isi und deren äußere Abmessungen daher verhältnismäßig kle,n sein können.In industrial and non-industrial electrical work equipment, such as. B. kitchen appliances is increasingly required the use of semiconductor devices, their performance therefore relatively smal relatively cu r ig isi and its external dimensions, may be n.
Der Einsatz dieser kleinflächigen Halbleiterbauelemente in elektrischen Arbeitsgeräten einerseits und ihre große benötigte Stückzahl andererseits erfordern besonders wirtschaftliche Massenherstellungsverfahren. Diese Herstellungsverfahren müssen jedoch so beschaffen sein, daß sie insbesondere die elektrischen Eigenschaften der erzeugten Halbleiterbauelemente ^ möglichst wenig beeinflussen.The use of these small-area semiconductor components in electrical work devices on the one hand and the large number of pieces required on the other hand require particularly economical mass production processes. However, these manufacturing processes must be designed in such a way that, in particular, they influence the electrical properties of the semiconductor components produced as little as possible.
Eine Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften eines Halbleiterbauelementes kann insbesondere beim Abtrennen dieses Bauelementes von einer großflächigen Ausgangsscheibe mit einer Folge von zu den Hauptflächen dieser Scheibe parallelen Zonen abwechselnden Leitungstyps erfolgen. Beim Abtrennen der Halbleiterbauelemente durch Sägen oder Brechen kommt es an der Trennfläche zu tiefgehenden Zerstörungen der Kristallstruktur (damages), die die an der Trennfläche zutage tretenden pn-Übergänge praktisch kurzschließen, so daß sie keine Sperrfähigkeil besitzen. Man kann zwar die gestörten Kristallschichten an der Oberfläche der abgetrennten Halbleiterbauelemente durch Ätzen beseitigen, hierzu sind jedoch saure Ätzmitlei, wie z. B. ein Gemisch aus Flußsäure und Salpetersäure, und lange Ätzzeiten erforderlich, so daß auch an dem Halbleiterbauelement befindliche Kontaktelektroden aus Metall durch das Ätzmittel angegriffen werden.The electrical properties of a semiconductor component can be influenced in particular when Separation of this component from a large output disk with a sequence of to Main surfaces of this disc are made of parallel zones of alternating conductivity type. When separating the Semiconductor components caused by sawing or breaking can become deep at the interface Destruction of the crystal structure (damages), the pn junctions that come to light at the interface practically short-circuit so that they have no blocking wedge. You can see the disturbed crystal layers Remove by etching on the surface of the separated semiconductor components, but for this purpose are acidic Etching agents, such as B. a mixture of hydrofluoric acid and nitric acid, and long etching times required so that Contact electrodes made of metal on the semiconductor component are also attacked by the etchant will.
Aus der Zeitschrift »Maschinenmarkt«, Jg. 75 (1969), Nr. 31, S. 647 f. ist bekannt, Halbleiterkristalle durch einen Sandstrahl zu zertrennen. Dazu wird das Halbleiterkristall offensichtlich auf eine ebene Unterlage gelegt. Dann wird ein aus einer Düse austretender Sandstrahl auf die Oberfläche des Körpers gerichtet. wobei die Düse kontinuierlich relativ zum Kristall bewegt wird. Bei diesem Schneidverfahren ist es jedoch möglich, daß der Sandstrahl nach dem Durchtrennen des Kristalls von der ebenen Unterlage umgelenkt oder reflektiert wird. Damit kann jedoch Material an unerwünschten Stellen abgetragen werden. Außerdem ist zu bedenken, daß ein scheibenförmiges Halbleiterkristall, wie es beispielsweise in der Halbleitertechnik verwendet wird, sehr leicht ist. Damit könnte es unter Wirkung des Sandstrahls relativ zur Unterlage und zur Düse verschoben werden, wodurch Fehlschnitte möglich sind.From the magazine "Maschinenmarkt", vol. 75 (1969), No. 31, pp. 647 f., It is known to cut semiconductor crystals by means of a sandblast. For this purpose, the semiconductor crystal is obviously placed on a flat surface. Then a sand jet emerging from a nozzle is directed onto the surface of the body. wherein the nozzle is continuously moved relative to the crystal. With this cutting method, however, it is possible that the sandblast is deflected or reflected by the flat surface after cutting through the crystal. However, this can remove material in undesired places. It should also be borne in mind that a disk-shaped semiconductor crystal, such as is used, for example, in semiconductor technology, is very light. In this way, under the action of the sandblast, it could be displaced relative to the base and the nozzle, as a result of which incorrect cuts are possible.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Abtrennen eines Körpers von einem scheibenförmigen Kristall durch Anstrahlen mittels eines relativ zur Oberfläche des Körpers kontinuierlich bewegten, aus einer Düse austretenden Sandstrahls.The present invention relates to a method of severing a body from one disk-shaped crystal by means of an irradiation relative to the surface of the body continuously moving sandblast emerging from a nozzle.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, dieses Verfahren so weiterzubilden, daß Fehlschnitte vermieden und definierte Trennstellen erhalten werden.The invention is based on the object of developing this method in such a way that incorrect cuts are avoided and defined separation points are obtained.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der scheibenförmige Kristall mit einer Hauptfläche auf einen Rost aufgelegt wird, der an der Auflagefläche einen Schlitz aufweist, daß der Kristall auf den Rost aufgeklebt wird und daß der Sandstrahl über de:n Schlitz über den Kristall geführt wird und daß Sand aus dem Schlitz abgesaugt wird.The invention is characterized in that the disc-shaped crystal with one main surface is placed on a grate, which is on the support surface has a slot that the crystal is glued to the grate and that the sandblast over de: n Slot is passed over the crystal and that sand is sucked out of the slot.
Es ist zwar bereits aus der deutschen Auslegeschrift 1197 012 und aus der US-Patentschrift 23 85 050 bekannt, zu schneidendes Gut auf mit Schlitzen oder \usnehmungen versehene Unterlagen aufzulegen. Bei dem zu schneidenden Gut handelt es sich jedoch offensichtlich um relativ schwere Werkstücke, bei denen das dem Anmeldungsgegenstand zugrunde liegende Problem nicht auftritt.It is already from the German Auslegeschrift 1197 012 and from US Patent 23 85 050 known to place the material to be cut on slits or recesses. at the material to be cut, however, is obviously relatively heavy workpieces where the problem on which the subject of the application is based does not arise.
Die Kristallstörungen (damages) an der Schnittfläche der von dem scheibenförmigen Kristall abgetrennten Körper sind außerordentlich gering und können mit Hilfe von alkalischen Ätzmitteln, welche an den Körpern befindliche Metallelektroden nicht angreifen, innerhalb kürzester Zeit entfernt werden, so daß die Sperrfähigkeit von an den Schnittflächen zutage tretenden pn-Übergängen voll zur Wirkung kommt. Ferner erzieh man konturenscharfe Schnitte im scheibenförmigen Kristall, und die Kanten des abgetrennten Körpers sind frei von Ausbrechungen.The crystal defects (damages) on the cut surface of the cut from the disc-shaped crystal Bodies are extremely small and can with the help of alkaline corrosives, which are attached to the Do not attack metal electrodes located in the body and remove them within a very short time so that the Blocking ability of pn junctions emerging at the cut surfaces comes into full effect. Furthermore, sharp cuts are made in the disc-shaped crystal, and the edges of the severed one Bodies are free from breakouts.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens weist vorteilhaft einen Rost auf, der an der Auflagefläche für den scheibenförmigen Kristall mit kreuzweise parallelen Schlitzen versehen isi und aus einem Paket von deckungsgleichen Metallkämmen mit jeweils zwischen zwei Kämmen angeordneten Distanzsstücken besteht, welches in einem Rahmen fest eingespannt ist. Ein besonders einfach herzustellender Rost kann auch aus einem Metallblock bestehen, der anA device for carrying out the method according to the invention advantageously has a grate, which is provided with cross-parallel slits on the support surface for the disk-shaped crystal and from a package of congruent metal combs each arranged between two combs There is spacer pieces, which is firmly clamped in a frame. One that is particularly easy to manufacture The grate can also consist of a block of metal attached to
der Auflagefläche für den scheibenförmigen Kristall kreuzweise parallele Einschnitte aufweist und an seiner Unterseite mit in die Einschnitte mündenden Abzu^sbohrungen versehen ist.the support surface for the disc-shaped crystal has crosswise parallel incisions and on its underside with drainage holes opening into the incisions is provided.
Die Erfindung und ihre Vorteile seien anhand der Zeichnung an Ausführungsbeispielen näher erläutert:The invention and its advantages are explained in more detail with reference to the drawing of exemplary embodiments:
F i g. 1 zeigt die Seitenansicht einer Vorrichtung zum Abtrennen von Körpern von einem scheibenförmigen Kristall,F i g. 1 shows the side view of a device for Separating bodies from a disc-shaped crystal,
F i g. 2 zeigt die perspektivische Ansicht des Rostes in Fig.».F i g. 2 shows the perspective view of the grate in FIG.
Fig. 3 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt aus der Auflagefläche für scheibenförmige Kristalle des Rostes in Fig. 2,Fig. 3 shows an enlarged section from Support surface for disc-shaped crystals of the grate in Fig. 2,
Fig.4 zeigt einen Schnitt durch den Rost nach F i g. 2.FIG. 4 shows a section through the grate according to FIG. 2.
Fig. 5 zeigt eine andere Ausführungsform ein'.-s Rosies für die Vorrichtung nach F i g. 1,Fig. 5 shows another embodiment a'-s Rosies for the device according to FIG. 1,
Fig. 6 zeigt einen Schnitt durch den Rost nach F i g. 5.Fig. 6 shows a section through the grate F i g. 5.
Die Vorrichtung nach Fig. 1 weist einen Support 2 auf mit einer Öffnung 3, an der unten ein Absaugrchr 4 angeflanscht ist, welches mit einer nicht drrgestelhen Absaugeinrichtung verbunden ist. Auf dem Support 2 ist über der Absaugöffnung 3 ein Rost 5 angeordnet Dieser Rost 5 ist durch zwei sich gegenüberliegende Winkelstücke " an dem Support 2 befestigt, die in Ausnehmungen 6 an zwei sich gegenüberliegenden Seitenflächen des Rostes 5 eingreifen und mit dem Support 2 verschraubt sind. Die Ausnehmungen 6 ermöglichen eine justierbare Befestigung des Rostes 5 am Support 2.The device according to FIG. 1 has a support 2 on with an opening 3, at the bottom a suction device 4 is flanged, which is connected to a non-drrgestelhen suction device. On the support 2 is A grate 5 is arranged above the suction opening 3. This grate 5 is formed by two opposing angle pieces "attached to the support 2, the recesses 6 on two opposite Engage the side surfaces of the grate 5 and are screwed to the support 2. The recesses 6 allow an adjustable fastening of the grate 5 on the support 2.
Auf der Auflagefläche 8 des Rostes 5. die vorteilhaft plangeläppt ist, sind vier, der Deutlichkeit halber nur gestrichelt angedeutete scheibenförmige Kristalle 9 mit einer ihier Hauptflächen aufgelegt. Diese scheibenlörni'gen Kristalle 9 können vorteilhaft mit einem Zclluloselack an der durch das Läppen schwach aufgerauhten Auflagefläche 8 festgeklebt sein. Die scheibenförmigen Kristalle 9 können z. B. Siliziumscheiben sein, die an ihren Hauptflächen Metallüberzüge aufweisen und in denen eine Folge von mehreren zu den Hauptflächen parallelen Zonen abwechselnden Leitungstyps emhalten sind. Aus den Sil;ziumscheiben 9 sollen mit der Vorrichtung nach Fig. 1 eine Vielzahl kleiner Siliziumbauelemente hergestellt werden.On the support surface 8 of the grate 5, which is advantageously lapped flat, four disc-shaped crystals 9, which are only indicated by dashed lines for the sake of clarity, with one of their main surfaces, are placed. These disk-shaped crystals 9 can advantageously be glued to the support surface 8, which has been slightly roughened by the lapping, with a cellulose varnish. The disc-shaped crystals 9 can, for. B. be silicon wafers which have metal coatings on their main surfaces and in which a sequence of several zones of alternating conductivity type parallel to the main surfaces are contained. From the Sil ; A large number of small silicon components are to be produced with the device according to FIG. 1.
Über dem Support 7 ist ein vertikal auf die Auflagefläche 8 des Rostes 5 gerichtetes Sandstrahlgebläse 10 mit einer Düse 11 angeordnet, welche vorteilhaft eine schlitzförmige Austrittsöffnung hat.Above the support 7 is a sandblasting fan directed vertically onto the support surface 8 of the grate 5 10 arranged with a nozzle 11, which advantageously has a slot-shaped outlet opening.
Dieses Sandstrahlgebläse ist justierbar an einer horizontalen Haltestange 12 befestigt und weist oben einen Zuführschlauch 14 auf. Die Stange 12 ist ihrerseits justierbar in einem Halteteil 13 befestigt. Das Haltetcil 13 kann sowohl in Richtung des in der Zeichenebene liegenden Pfeiles 18 als auch in Richtung senkrecht zur Zeichenebene parallel zur Auflagefläche 8 des Rostes 5 verschoben werden.This sandblasting blower is adjustably attached to a horizontal support rod 12 and has at the top a feed tube 14. The rod 12 is in turn adjustably fastened in a holding part 13. The holding piece 13 can both in the direction of the arrow 18 lying in the plane of the drawing and in the direction perpendicular to the The plane of the drawing can be shifted parallel to the support surface 8 of the grate 5.
Wie die Fig. 2 und 3 zeigen, besteht der Rost 5 aus einem Rahmen 5a, in dem ein Paket von deckungsglei- do chen Metallkämmen 15 fest verspannt ist. Die Spitzen der Zähne dieser Meiallkämme 15 bilden in ihrer Gesamtheit die Auflagefläche 8 des Rostes 5 für die scheibenförmigen Kristalle9.As FIGS. 2 and 3 show, the grate 5 consists of a frame 5a in which a package of overlap Chen metal combs 15 is firmly clamped. The tips of the teeth of these Meiallkämme 15 form in their All of the support surface 8 of the grate 5 for the disc-shaped crystals 9.
Der Support 2 ist in einer Ebene parallel zur 6s Auflagefläche 8 schwenkbar angeordnet. Hr ν eist an seinem l/mfang einen Zapfen 17 auf, dessen Bewegungsmöglichkeit durch zwei -Xnschlagblöcke 18 begrenzt ist, die so angebracht sind, daß der Support 2 maximal um einen Winkel von 90° geschwenkt werden kann.The support 2 is in a plane parallel to the 6s Support surface 8 arranged pivotably. Hr ν eist his l / mfang a pin 17, the possibility of movement is limited by two stop blocks 18, which are attached so that the support 2 can be swiveled by a maximum of 90 °.
F i g. 4 zeigt einen Schnitt längs der strichpunktierten Linien A - B und B-Cm F i g. 2 durch den Rost 5 und den Support 2.F i g. 4 shows a section along the dash-dotted lines A - B and B-Cm F i g. 2 through the grate 5 and the support 2.
Wie aus dem Schnitt A - B erkennbar ist, ist auf beiden Seiten des Rostes 5 zwischen jeweils zwei Kämmen 15 ein streifenförmiges Abstandsstück 16 angeordnet. Hierdurch werden zu den Kämmen parallele Schlitze 21 in der Auflagefläche 8 gebildet. Wie aus dem Schnitt B-C hervorgeht, werden zu den Kämmen 15 senkrechte Schliize 24 durch die Zwischenräume zwischen den einzelnen Zähnen der Kämme 15 gebildet.As can be seen from the section A - B , a strip-shaped spacer 16 is arranged on both sides of the grate 5 between two combs 15 in each case. As a result, slots 21 parallel to the combs are formed in the support surface 8. As can be seen from the section BC , slots 24 perpendicular to the combs 15 are formed by the spaces between the individual teeth of the combs 15.
Nach dem Aufkleben der scheibenförmigen Kristalle 9 auf die Auflagefläche 8 des Rostes 5 wird das Sandstrahlgebläse 10 der Öffnung der Düse 11 über einem Schlitz 21 angeordnet und durch Verschieben des Haheteils \3 in Richtung des Pfeiles 18 längs des Schlitzes 21 ausgehend vom Rahmen 5a des Rostes 5 mit gleichförmiger Geschwindigkeit bewegt. Durch den Sundsirahl wird durch zwei Scheiben 9 ein über dem Schlitz 21 liegender Trennschnitt erzeugt. Der Sand des Sandstrahles wird unterhalb des P.ostes 5 durch die Öffnung 3 aus dem Schlitz 21 abgesaugt. Hierdurch wird ein Rückstau und Aufstäuben des Sandes vermieden.After the disc-shaped crystals 9 have been glued to the support surface 8 of the grate 5, the sandblasting fan 10 of the opening of the nozzle 11 is arranged over a slot 21 and, by moving the handle 3 in the direction of the arrow 18 along the slot 21, starting from the frame 5a of the grate 5 moves at a constant speed. A separating cut above the slot 21 is produced through the Sundsirahl by two disks 9. The sand of the sandblast is sucked out of the slot 21 below the post 5 through the opening 3. This avoids backlogging and dusting of the sand.
Nach dem Erzeugen des Trennschnittes über dem Schütz 21 wird das Haltcteil 13 senkrecht zur Zeichenebene in Fig. ί. d. h. in Richtung des Pfeiles 25 in Fig. 2, so verschoben, daß sich die Öffnung der Düse 11 über einem anderen Schlitz 21 befindet. Hierauf wird wieder ausgehend vom Rahmen 5a des Rostes 5 das Halteteil 13 und damit das Gebläse 10 in Richtung des Pfeiles 18 längs dieses anderen Schlitzes 21 mit gleichförmiger Geschwindigkeit bewegt und so ein weiterer Trennschnitt durch zwei scheibenförmige Kristalle 9 gelegt.After the separation cut has been made over the contactor 21, the holding part 13 is perpendicular to the plane of the drawing in FIG. that is, shifted in the direction of arrow 25 in FIG. 2 so that the opening of the nozzle 11 is located above another slot 21. Then, starting from the frame 5a of the grate 5, the holding part 13 and thus the fan 10 is moved in the direction of the arrow 18 along this other slot 21 at a constant speed and a further severing cut is made through two disk-shaped crystals 9.
Nach dem Erzeugen der über den zueinander parallelen Schlitzen 21 liegenden Trennschnitte durch die Scheibe 9 wird der Support 2 um 90° geschwenkt. Sodann werden durch die scheibenförmigen Kristalle 9 in derselben Weise wie vorher Trennschnitte längs der zu den Schlitzen 21 senkrechten Schlitze 24 in der Auflagefläche 8 des Rostes 5 geführt. Anschließend werden die von den Scheiben 9 abgetrennten kleinen Siliziumkörper z. B. mit Azeton von der Auflagefläche 8 des Rostes 5 abgelöst.After the cutting cuts located above the mutually parallel slits 21 have been produced the disc 9, the support 2 is pivoted through 90 °. Then the disk-shaped crystals 9 in the same way as before, separating cuts along the slits 24 in FIG. 4 perpendicular to the slits 21 Support surface 8 of the grate 5 out. Then the separated from the disks 9 small Silicon body z. B. detached from the support surface 8 of the grate 5 with acetone.
Bestehen die scheibenförmigen Kristalle 9 aus 0.3 mm dickem Silizium und weisen sie auf beiden Hauptflächen eine Nickelschicht von 3 bis 5 μ. Dicke auf, so hat sich eine Schnittgeschwindigkeit von 3 bis 5 cm pro Minute bewährt. Die Schnittbreite beträgt vorteilhaft 0,2 mm. Diese Schnittbreite erzielt man mit einer Düse 11 mil einer schlitzförmigen Öffnung, welche eine Breite von etwa 0,15 mm hat. Die Breite der Schlitze 21 bzw. 24 im Rost 5 ist vorteilhaft doppelt bis dreimal so groß wie die Breite der schlitzförmigen öffnung der Düse 11. Der verwendete Sand hat günstigerweise eine Korngröße von 10 bis 30 μ. vorzugsweise von 20 μ. The disk-shaped crystals 9 consist of 0.3 mm thick silicon and they have a nickel layer of 3 to 5 μ on both main surfaces. Thickness, a cutting speed of 3 to 5 cm per minute has proven itself. The cutting width is advantageously 0.2 mm. This cutting width is achieved with a nozzle 11 with a slot-shaped opening which has a width of about 0.15 mm. The width of the slots 21 and 24 in the grate 5 is advantageously twice to three times as large as the width of the slot-shaped opening of the nozzle 11. The sand used advantageously has a grain size of 10 to 30 μm. preferably of 20 μ.
Nach dem Abtrennen von den Siliziumscheiben 9 werden die kleinen, bereits mit flächenhaften Elektroden versehenen Siliziumkörper in einer wässrigen Lösung von KOH oder NaOH 1 bis 2 Minuten lang geätzt. Die durch das Sandstrahlen verursachten Zerstörungen der Kristallstruktur (damages) an der Oberfläche dieser Siliziumkörper sind so gering, daß die zerstörte Kristallstruktur durch diese ÄtzbehandlungAfter being separated from the silicon wafers 9, the small, already flat electrodes provided silicon body in an aqueous solution of KOH or NaOH for 1 to 2 minutes etched. The damage to the crystal structure caused by sandblasting The surface of these silicon bodies is so small that the crystal structure is destroyed by this etching treatment
restlos abgetragen und die volle Sperrfähigkeit von an den Schnittflächen zutage tretenden pn-Übergängen erzielt wird, ohne daß es zu irgendwelchen Beschädigungen der Metallelektroden kommt. Das Gebläse 10 kann auch mehrere nebeneinander angeordnete Düsen aufweisen, so daß gleichzeitig mehrere parallele Trennschnitte durch die scheibenförmigen! Kristalle 9 geführt werden können.completely removed and the full blocking ability of the pn junctions emerging at the cut surfaces is achieved without any damage to the metal electrodes. The fan 10 can also have several juxtaposed nozzles so that several parallel Separating cuts through the disc-shaped! Crystals 9 can be guided.
Die in Fig. 5 dargestellte weitere Ausführungsform des Rostes für eine Vorrichtung nach F i g. 1 besteht aus einem quaderförmigen Metallblock 31, welcher an der Auflagefläche für die scheibenförmigen Halbleiterkörper 9 kreuzweise parallele Einschnitte 32 und 33 aufweist. Im übrigen sind gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen wie in F i g. 2 versehen.The further embodiment shown in FIG of the grate for a device according to FIG. 1 consists of a cuboid metal block 31 which is attached to the Support surface for the disk-shaped semiconductor body 9 crosswise parallel incisions 32 and 33 having. Otherwise, the same parts are given the same reference numerals as in FIG. 2 provided.
Wie aus dem Schnitt D-D entsprechend Fig. 6As from the section DD according to FIG. 6
hervorgeht, reichen diese kreuzweise parallelen Einschnitte 32 und 33 etwa bis zur halben Höhe des Metallblockes 31. Der untere Teil des Metallblockes 31 ist mit Absaugbohrungen 34 versehen, die vorteilhaft genau unterhalb der Kreuzungspunkte der kreuzweise parallelen Einschnitte 32, 33 im oberen Teil desis apparent, these cross-parallel incisions 32 and 33 extend to about half the height of the Metal block 31. The lower part of the metal block 31 is provided with suction holes 34, which are advantageous exactly below the points of intersection of the crosswise parallel incisions 32, 33 in the upper part of the
ίο Metallblocks 31 angeordnet sind.ίο Metal blocks 31 are arranged.
Der Rost 31 nach den F i g. 5 und 6 kann genauso wie der Rost 5 in F i g. 2 über der Absaugöffnung 3 auf dem Support 2 befestigt werden.The grate 31 according to FIGS. 5 and 6 can be just like the grate 5 in FIG. 2 can be attached to the support 2 above the suction opening 3.
Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings
Claims (5)
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