DE1920886C3 - Optishe Informationsspeichervorrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine optische Informationsspeichervorrichtung mit einer von einer Rückplatte getragenen Speicherfläche.

Es ist eine optische Informationsspeichervorrichtung bekannt, die Informationen als Bild auf einer Speicherfläche speichern kann, die an einer Rückplatte anhaftet. Die Bilder werden dabei durch einen auf die Speicherfläche fallenden Elektronenstrahl erzeugt und durch Erhitzen der Speicherfläche wieder gelöscht. Die dafür erforderliche Wärme wird durch ein elektrisches Heizelement erzeugt, das in der Nähe der Speicherfläche angeordnet ist. Bei der bekannten Informationsspeichervorrichtung kam es jedoch dabei dazu, daß die dünne Speicherfläche von dei Rückplatte abgelöst wunde, und zwar auf Grund der Unterschiede der thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Speicherfläche einerseits und der Rückplatte andererseits.

Aufgabe der Erfindung ist es, solche Ablösungen der Speicherfläche von der Rückplatte auf Grund der verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen den beiden Bauteilen zu verhindern, dabei aber gleichzeitig eine wirksame Löschung der auf der Speicherfläche gespeicherten Information zu ermöglichen und überdies eine elektrische Aufladung der Speicherfläche während des Betriebes ohne Verminderung der Auflösung der Speichervorrichtung zu vei hindern.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemaß dadurch gelöst daß die aus Alkali-Halogenid bestehende Speicherfläche eine durch feine Unterteilungen aufgerauhte Oberfläche erhält und zwischen sie und diejenige Seite der durchsichtigen Rückplatte, auf die die Speicherfläche aufgedampft ist, ein elektrischer Leiter eingebracht ist.

Bei einem solchen Aufbau der Informaüonsvorrichtung ist es möglich, gleichzeitig die Speicherflache zum Löschen der auf ihr gespeicherten Information zu erhitzen, jede Aufladung der Speicherfläche zu unterbinden und auf Grund der durch die feine Unterteilung aufgerauhten Oberfläche ein Ablösen der Speicherfläche von der Rückplatte auf Grund der Unterschiede im thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu vermeiden.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist an Hand der Zeichnung nachstehend beschrieben. Es

F i g. 1 einen Längsschnitt durch eine lichtübertragende Informationsspeichervorrichtung,

Fig.2a und 2b Draufsichten auf zwei Ausführungsformen einer in der Vorrichtung von F i g. 1 verwendbaren Speicherfläche,

Fig. 3 a und 3 b Schnitte in der Ebene I-I bzw. H-II von Fig. 2 a bzw. 2b,

F i g. 4 eine Draufsicht entsprechend den F i g. 2 a und 2 b auf eine abgewandelte Ausführungsform,

Fig.4a and 4b Schnitte in der Ebene III-III von F i g. 4,

F i g. 5 einen Schnitt durch eine andere Ausführungsform,

F i g. 6 im vergrößerten Maßstab, einen Teilschnitt durch eine weiter abgewandelte Ausführungsform, und

F i g. 7 und 8 Längsschnitte entsprechend F i g. 1 durch andere Beispiele einer Informationsspeichervorrichtung.

In der nachstehenden Beschreibung ist der Einfachheit halber eine Alkali-Halogenid-Speicherfläche beschrieben, die durch Aufdampfen von Kaliumchlorid gebildet ist.

Reine Alkali-Halogenid-Kristalle sind die ionischen Kristalle mit flächenzentriertem Raumgitter die im gesamten Spektralbereich von Ultrarot mil 4000 πΐμ bis Ultraviolett mit 200 ΐημ transparen sind. Wenn in derartigen Kristallen eine Gitterfehl stelle auftritt und einen Elektron an der einer Halo genion-Freistelle entsprechenden Gitterstelle gefanger wird, wird Licht einer bestimmten Wellenlänge ab sorbiert. Durch eine solche optische Absorption bil det sich ein F-Zentrum. Letzteres kann beispiels weise durch Bestrahlung der oben beschriebener Kristalle mit Elektronenstrahlen induziert werder und tritt nicht nur in Einkristallen auf, sondern aucl in einer durch Vakuumbedampfung gebildeter Fläche oder einer durch Bedampfung in Unterdruck atmosphäre hergestellten, feinkristallinen Fläche Die mittlere Wellenlänge des Bandes der optische! Absorption mit F-Zentrum (F-Band) schwankt ent

sprechend der Art des verwendeten Alkali-Halogenids und erstreckt sich durch nahezu das ganze sichtbare Spektrum: es ist bekannt, daß die mittlere Wellenlänge des F-Bandes von Natriumchlorid, Kaliumchlorid und Kaliumbromid bei Wellenlängen von πΐμ, 556 ma bzw. 625 ΐημ bei einer Halbwertbreite von etwa 100 πΐμ vorhanden ist.

Die durch Bestrahlung der aufgedampften feinkristallinen Fläche mit Elektronenstrahlen induzierten F-Zentren sind durch Erhitzen dieser Fläche wieder löschbar. Dadurch ist die aufgedampfte kristalline Alkali-Halogenid-Fläche als Speicherfläche unter Verwendung der Elektronenstrahlen als Schraubelement zum Aufzeichnen der jeweiligen Signale verwendbar. '⁵

F i g. 1 zeigt eine Informationsspeichervornchtung mit einem evakuierten Glaskolben 10, der eine Rückplatte 11 aus Glas oder Asbest mit einer Speicherfläche 12 aus Kaliumchlorid umschließt. Im Glaskol- A eine durch die Art des aufzudampfenden Materials und durch die Aufdampfungsbedingungen bestimmte Konstante (bei Aufdampfen von Kaliumchlorid unter einem Winkel von 45° beträgt A = 0,79),

B eine durch die Stärke der aufgedampften Schicht und die Beschleunigungsspannung des Elektronenstrahls bestimmte Konstante,

Q die Ladungsmenge,
t die Zeit (in Tagen),
£und£. Konstante (£₀ = 10,5 und £ = 0,36 bei

Verwendung von Kaliumchlorid), K die Boltzmann-Konstante und T die Temperatur ist.

fläche 12 aus Kaliumchlorid umschließt. Im Glaskol- Aus dieser Gleichung ergibt sich, was durch Verben 10 liegen weiter reflektierende Spiegel 13 unter 20 suche erhärtet wurde, daß zum Erzielen einer ausreieinem bestimmten Winkel der Speicherfläche 12 ge- chend hohen optischen Dichte des aufgezeichneten genüber. Eine Elektronenkanone 14 dient zum Ein- Bildes eine ziemlich hohe Ladung erforderlich ist. schreiben einer Information. Hat beispielsweise die als Speicherfläche dienende

Die Oberfläche der Rückplatte 11 ist mit einem Kaliumchloridschicht eine Dicke von 12,5μΐη (d.h. durchsichtigen Widerstandsmaterial beschichtet, das as 2,37 mg/cm²) und sind der Aufdampfungswinkel unten noch näher beschrieben wird. Das Wider- 45° und die Beschleunigungsspannung des Flektrostandsmaterial ist mit Elektroden 15 und 15' verbun- nenstrahls 27 kV, so müssen die Elektronenstrahlen den und dient als Heizelement. Die im Heizelement zum Erzielen eines Kontrastverhältnisses von 10 eine entwickelte Hitze wird zur Speicherfläche übertra- Ladung von 20 μθ./αη² und zum Erzielen eines Kongen, wodurch die in diese induzierten F-Zentren ge- 30 trastverhältnisses von 100 eine Ladung von 100 μΟ/ löscht werden. Da die Speicherfläche 12 durchsichtig cm² haben. Dafür sind folgende Voraussetzungen noist, eignet sie sich sowohl für eine lichtreflektierende
als auch eine lichtübertragende Speichervorrichtung.
Im vorliegenden Fall handelt es sich um eine lichtübertragende Informationsspeichervorrichtung. Die 35
Spiegel 13 übertragen das aus einer Lichtquelle 16
einfallende Licht durch einen Bandpaßfilter 17 zur
Speicherfläche 12. Der Bandpaßfilter 17 kann derart
angeordnet sein, daß sein Bandpaßzentrum mit dem
Zentrum des Absorptionsbandes der F-Zentren zu- 40
sammenfällt. Er kann gegebenenfalls auch völlig
wegfallen.

Die dargestellte Informationsspeichervorrichtung weist weiter, wie üblich Fokussierungsspulen 18 zum Fokussieren der Elektronenstrahlen auf einen Punkt, Ablenkspulen 19 zum Ablenken der von den Fokussierungsspulen 18 fokussierten Elektronenstrahlen, sowie eine Projektionslinse 20 zum Projizieren der Bilder der Speicherfiäche 12 auf. In diesem Beispiel dient die Speicherfläche also als Diapositiv in einem Diapositivprojektor. Da die Speicherfläche 12 aus feinen Kaliumchloridkristallen einer Größe von etwa 1 um besteht, kann sie mit vielen kleinen Bildern beschriftet werden.

Versuche hinsichtlich der Empfindlichkeit und des Speichervermögens von durch Vakuumbedampfung

1. Die Wärmekapazität der Speicherfläche muß so ausgelegt sein, daß die Fläche durch die Elektronenstrahlen nicht erhitzt wird, weil sonst die F-Zentren gelöscht würden;

2. die Wärmekapazität der Rückplatte muß vermindert werden, um das Löschen der F-Zentren in der Speicherfläche mit Hilfe des Heizelements zu unterstützen;

3. das Haftvermögen der Speicherfläche an der Rückplatte muß erhöht werden: die eine Stärke von etwa 10 μΐη aufweisende Speicherfiäche löst sich nämlich auf Grund der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten der beiden Teile leicht von der Rückplatte ab, und

4. die Speicherfläche muß vor elektrischer Aufladung geschützt werden: die aus aufgedampften polykristallinem Kaliumchlorid bestehende Schicht ist nämlich eher ein Isolator als ein Leiter, sie zeigt lediglich eine höhere Leitfähigkeit als ein Einkristall.

mit Kaliumchlorid hergestellten Speicherflächen zeigten, daß die optische Dichte (O.D.) der Speicherflächen im Falle einer nicht sehr hohen Dichte durch folgende Gleichung ausgedrückt werden kann:

-. _ , Intensität des einfallenden Lichtes

O. D. = log₁₀ -

Intensität des übertragenen Lichtes

V 0,001 / V

E KT Um den Bedingungen 1. und 2. zu genügen, ist eine Rückplatte einer Stärke von 50 bis 500 m zufriedenstellend verwendbar, falls diese aus Glas be-

steht. Der Bedingung 3. ist entsprochen, wenn die Spticherfläche in eine Vielzahl winziger, an der Rückplatte anhaftender Abschnitte bzw. Teile unterteilt ist. Gemäß Bedingung 4. wird auf die gesamte Speicherfläche vorzugsweise eine leitende Dünn-

schicht aufgebracht oder eine Vielzahl Drähte in Form zueinander paralleler Linien oder eines Gitters mit sehr kleinen Maschen.

Fig. 2a und 2b zeigen die Rückplatte 11, deren

5 * 6 ,

zwei Enden mit einem Paar Elektroden 21 und 21' gänzlich gelöscht werden. Eine Aufladung der zum Anschluß an Elektroden IS bzw. IS' versehen Speicherfläche ist verhindert. Weiter ist so die sind. Die Elektroden 21 und 21' bestehen aus einem Speicherfläche in voneinander getrennte Abschnitte geeigneten Material mit einem niedrigen Wider- unterteilt, so daß sich die Speicherfläche nicht auf standswert, wie ein leitender Anstrich, aufgedampftes S Grund der unterschiedlichen Wärmeausdehnungsko- oder plattiertes Metall. Die Elektroden 21 und IV effizienten von der Rückplatte ablösen kann,
sind untereinander durch eine Vielzahl von Heiz- Fig. 4, 4 a und 4b zeigen eine andere Art, die drähten verbunden. Die feinen Drähte 22 bzw. 22' Speicherfläche in getrennte Abschnitte zu unterteilen, können entweder parallel zueinander angeordnet sein Die Rückplatte 11 hat eine Vielzahl von Vertiefun-(Fi g. 2a) oder in Form eines Gitters (Fig. 2b). Die io gen 24, zwischen denen Stege 24' stehenbleiben. Auf Drähte 22 oder 22' sind vorzugsweise so fein wie der Unterseite der Vertiefungen 24 und der Oberseite möglich und in möglichst kleinen Abständen an- der Stege 24' sind jeweils transparente elektrisch leigeordnet. Beim gegenwärtigen Stand der Industrie tende Dünnschichten 25 und 25' übereinander ankönnen ausreichend zuverlässige Drähte mit einer geordnet. Diese Schichten bestehen beispielsweise Stärke von 10 μΐη oder darunter hergestellt und in 15 aus Zinncxid und dienen als Heizelemente zum Er-Abständen von 20 μιη oder weniger angeoidnet wer- wärmen der Speichernäche. In diesem Beispiel den. Vorteilhafterwei«*. ist der Anteil des gesamten braucht die Dünnschicht 25, die in die Vertiefungen Drahtbereiches zur gesamten Oberfläche der Rück- 24 eingebracht werden soll, nicht unbedingt transpaplatte auf ein Mindestmaß beschränkt. Die Drähte rent zu sein. Die Vertiefungen 24 können unter Verkönnen a»f unterschiedliche Weise an der Rückplatte ao wendung von geeignetem Widerstandsmaterial und befestigt werden. Nachstehend ist eine bevorzugte Flußsäure hergestellt sein, Das Verhältnis zwischen Ausführungsform beschrieben. der Breite α der Stege 24' zur Breite 5 der Vertiefun-Zuerst wird ein entsprechendes metallisches Mate- gen 24 kann entsprechend bestimmt werden. Die rial, wie Chrom, durch Vakuumaufdampfung als un- Speicherfläche 12' besteht aus dünnen Streifen Alunterbrochene Schicht auf die Oberfläche der Rück- 25 kali-Halogenid, die auf die Dünnschichten 25 und platte aufgebracht und dann ein geeignetes Photo- 25' aufgedampft sind.

widerstandsmaterial gleichmäßig aufgetragen. Man Die Dünnschichten 25 und 25' dienen nicht nur als ordnet eine negative Maske mit dem Muster der zu Heizelement für die Speicherflächen 12', sondern verlegenden Drähte 22 oder 22' auf der Widerstands- verhindern auch deren Aufladung. Zusätzlich kann fläche an. Diese Widerstandsfläche mit der negati- 30 ein weiteres Heizelement 25" an der gegenüberliegenven Maske wd rv⁴ ultravioletten Strahlen bestrahlt den Fläche der Rückplatte befestigt werden »nd entwickelt. Diejenigen Abschnitte der Wider- (F i g. 4 b). Es ist dort nicht dem Elektronenbombarstandsf.äche, die einer direkten Ultraviolettbestrah- dement des Elektronenstrahls ausgesetzt, und seine lung ausgesetzt waren, bilden dadurch das Muster Lebensdauer ist damit erhöht,
der Drähte 22 bzw. 22'. Diese Abschnitte werden ss Die konkav-konvexe Oberfläche der Speicherdann chemisch poliert, und das verbleibende Wider- fläche kann, an Stelle daß Vertiefungen in der Rückstandsmaterial wird entfernt. Dadurch werden die platte vorgesehen sind, durch Anordnen getrennter entsprechenden Teile der darunter befindlichen Me- Dünnschichten aus transparentem, leitendem Matetalloberfläche zur Außenseite im Muster der Drähte rial, teilweise auf die ebene Fläche der Rückplatte.

22 oder 22'. Durch Plattieren dieser Metalloberflä- 40 hergestellt werden, auf die die Alkali-Haiogenid-Krichenteile mit Nickel unter Verwendung der erhalte- stalle aufgedampft werden.

nen Drähte als Elektrode erhält man feine Drähte Andererseits kann auch die transparente, leitende mit einem Querschnitt in Form eines gestürzten Drei- Dünnschicht gleichmäßig auf die gesamte Oberfläche ecks (Fig. 3a und 3b). An Stelle der Plattierung der Rückplatte aufgebracht werden, wobei die Alkann eine Vakuumbedampfung von Nickel unter 45 kali-Halogenid-Kristalle getrennt auf die entstan-Verwendung einer Maske mit Schlitzen im Draht- dene, transparente leitende Oberfläche 25'" aufgemuster vorgenommen werden. dampft werden und eine Vielzahl von einzelnen Al-Auf die so mit den Elektroden 21 und 21' und kali-Halogenid-Schichten bilden. Diese voncinandei einem Muster aus Drähten 22 oder 22' versehene getrennten Alkali-Halogenid-Dünnschichten 21 kön-Rückplatte 11 werden anschließend Kaliumchlorid- 50 nen auch geformt werden, indem die Alkali-Halogekristalle aufgedampft, die die Speicherfläche 12 bil- nid-Kristalle auf die Rückplatte 11 von einer Verden, die durch die Drähte 22 oder 22' in kleine Teile dampfungsquelle 28 durch eine Maske 29 mit einen unterteilt ist (Fig. 3a bzw. 3b). Werden die Kali- Streifen-oder Gittermuster aufgedampft werden. Die umchloridkristaUe unter hohem Vakuum aufge- Maske 29 dient an der Stelle, die zur Rückplatte gedampft, ragt das aufgedampfte Kaliumchlorid nicht 55 richtet ist, als Begrenzung für das aufgedampfte Algenügend über die erhöhte Außenseite der Drähte kali-Halogenid.

mit dem Querschnitt in Form eines umgekehrten Um die Speicherfläche auf der Rückplatte noch Dreiecks. Werden sie jedoch in einer Argon-Atmo- besser festzulegen, kann die mit der Alkali-Halogesphärc unter vermindertem Druck aufgedampft, nid-Dünnschicht zu beschichtende Seite der Rückdringt der Kaliumchloriddampf bis zu den Flanken 60 platte durch eine Nachbehandlung mittels Sandverminderter Stärke der Drähte. strahlgebläse eine ungleichmäßig rauhe Oberflächt Gegebenenfalls kann zwischen die Drähte und die erhalten. Wie im vergrößerten Maßstab in Fig.( Rückplatte eine transparente leitende Dünnschicht dargestellt, ist die Rückplatte 11 aus Glas an einei

23 eingebracht werden (Fig.3b), die eine Aufla- Seite mit einem transparenten, dünnen, leitender dung der Speicherfläche 12 wirksam verhindert. 65 Heizelement 30 versehen. Die andere Seite hat ein«

Die auf diese Weise auf die Rückplatte aufge- im Querschnitt zickzackförmige Oberfläche 31. Dies«

brachten Drähte heizen die Speicherfläche auf. Die zickzackförmige Oberfläche 31 der Rückplatte 11

in dieser gespeicherten Informationen können so wird mit einer die gleiche Form erhaltenden transpa

7 8

renten leitenden Dünnschicht 32 versehen. Die Al- anhaftet, einen größeren Weißgrad an als die Oberkali-Halogenid-Kristalle werden auf die rauhe Ober- fläche, auf die das Kaliumchlorid gradlinig im rechfläche dieser leitenden Dünnschicht 32 aufgedampft, ten Winkel aufgedampft wird. Wird Licht derart von so daß die entstehende Alkali-Halogenid-Speicher- der Lichtquelle 16 a abgestrahlt, daß es die Innenfläche 33 eine leicht zickzackförmige Oberfläche hat. 5 fläche 35' des Konus 3S unmittelbar beleuchtet, dann Die Unebenheit der so gebildeten Speicherfläche, dient diese als Lichtstreuungsfläche, und die die gewöhnlich in der Größenordnung von einigen Speicherfläche wird durch das von der Innenfläche bis einigen Zehn Mikron liegt, trägt dazu bei, die von 35' her auffallende Licht gleichmäßig beleuchtet, den verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten Die Lichtausstrahlung von der Außenseite des Kozwischen der Alkali-Halogenid-Dünnschicht und der io nus 35 erleichtert es dem Betrachter, die in der Rückplatte herrührende Kraft zu teilen, so daß die Speicherfläche 12 α entstandenen Bilder zu sehen, da Dünnschicht nicht mehr von der Rückplatte abblät- das Licht durch vier verschiedene Glasflächen tritt, tem kann Darüber hinaus ist die mit den Alkali-Ha- bis es auf die Speicherfläche 12 α auftrifft und so an logenid-Kristallen zu bedampfende Fläche der Rück- dieser Fläche reflektiert wird. Ist darüber hinaus die platte nicht ganz genau parallel zur gegenüberliegen- 15 aus Kaliumchlorid bestehende Speicherfläche 12 α den ebenen Fläche der Rückplatte, und der Alkali- ziemlich dick, bilden sich die auf Grund der F-Zen-Halogenid-Dampf wird in einem Winkel zur Rück- tren entstandenen Bilder auf derjenigen Seite der platte übertragen, so daß ein erhöhtes Kontrastver- Speicherfläche 12 a, die auf die Elektronenkanone hältnis gegenüber der weiter oben angegebenen Glei- 14 α zu gerichtet ist. Dadurch erleichtert die Bestrahchung erzielbar ist. Da die Speicherfläche 33 eng an ao lung der Speicherfläche 12 a von der Innenfläche 35' der Oberfläche 31 der Rückplatte 11 anhaftet, nimmt des Konus 35 aus ein deutliches Betrachten der BiI-darüber hinaus das Auflösevermögen, trotz der rau- der.

hen Oberfläche der Rückplatte, im wesentlichen Vorteilhafterweise wird eine transparente, leitende nicht ab solange der Durchmesser des Elektronen- Dünnschicht auf die Innenseite des Konus 35 aufgestrahls größer ist als die Rauheit der durch Sand- as bracht, um die Speicherfläche 12 a mit den Elektrostrahlgebläse bearbeiteten Oberfläche. Eine im Quer- den 15 α und 15 b zu verbinden. An Stelle einer derschnitt zickzackförmige Oberfläche ist überdies leicht artigen Dünnschicht kann auch ein Graphitfilm aus herstellbar Maschen oder mit Kannelierungen oder eine Alumi-Die so angeordnete Speicherfläche ist auch vorteil- niumbedampfung treten. Durch Bearbeitung der Inhaft in einer entsprechend F i g. 7 aufgebauten Infor- 30 nenseite des Konus mit einem Sandstrahlgebläse ist mationsspeichervorrichtung verwendbar. Diese Vor- eine deutlichere Bildbetrachtung möglich. An Stelle richtung hat einen evakuierten Glaskolben 10 a mit dieser Sandstrahlbearbeitung kann Magnesiumoxideiner an der Kolbenfläche vorgesehenen Speicher- pulver auf die Innenseite des Konus aufgebracht werfläche 12 a einem Paar knopfförmigen Elektroden den, oder statt des mit Sandstrahlgebläse behandel-15 a und 15 a' zum Einspeisen von Spannung zwecks 35 ten transparenten Glases ist Milchglas verwendbar. Löschen der gespeicherten Information sowie eine Ein Schirm 36 hält das von der Lichtquelle 16 a ein-Elektronenkanone 14 α zum Einschreiben der Infor- fallende Licht vom Betrachter ab.

,■ _n Die Speicherfläche kann auch in einer Speicher-

Die informationsspeichervorrichtung hat weiter an vorrichtung gemäß Fig. 8 verwendet werden. Diese

der Außenseite des Glaskolbens 10 a Fokussierungs- 40 Vorrichtung enthält — im wesentlichen wie die Teile

spulen 18 a zum Fokussieren der Elektronenstrahlen, auf F i g. 1 und 7 — einen Glaskolben 10 δ mit einer

Ablenkspulen 19 α zum Ablenken der durch die Fo- Speicherfläche 12 b, einer Elektronenkanone 14 b,

kussierungsspulen 18 a fokussierten Elektronenstrah- Elektroden 156 und 15 6', einer Lichtquelle 16 6

len sowie eine Lichtquelle 16 a, z. B. eine ringförmige und anderen aus Gründen der Einfachheit nicht nä-Leuchtstofflampe zum Bestrahlen der Speicherfläche 45 her beschriebenen Teilen.

12 α Beim Formen der Speicherfläche 12 α in dieser In der letzten Ausführungsform der Speicherfläche Vorrichtung wird das Kaliumchlorid an einer Stelle ist nicht nur ein Widerstandsheizelement auf die 34 verdampft, wobei der Glaskolben 10 a aufrecht Rückplatte aufgebracht, um diese für das Auslösen gehalten wird Dadurch kann das Kaliumchlorid an der sonst auf der Speicherfläche verbleibenden Ladie eesamte innenfläche 35' eines Konus 35 des 50 düngen leitfähig zu machen, sondern die Speicher-Glaskolbens gelangen und dort anhaften. Wenn in fläche ist auch als rauhe Oberfläche geformt. Dadiesem Beispiel das Kaliumchlorid unter einem Win- durch ist verhindert, daß sie sich von der Rückplatte kel auf die Rückplatte 11 α aufgedampft wird, nimmt ablöst, ohne daß das Auflösevermögen beeinträchtigt die Oberfläche, an der das verdampfte Kaliumchlorid ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

! 920 Patentansprüche:

1. Optische Informationsspeichervorrichtung mit einer von einer Rückplatte getragenen Speicherfläche, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Alkali-Halogenid bestehende Speicherfläche (12) eine durch reine Unterteilungen aufgerauhte Oberfläche hat und zwischen sie und diejenige Seite der durchsichtigen Rückplatte (11), auf die die Speicherfläche aufgedampft ist, ein elektrischer Leiter eingebracht ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrische Leiter aus einer Vielzahl feiner Drähte (22) besteht, die in Abstand voneinander angeordnet sind (F i g. 3 a).

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die feinen Drähte (22) und die durchsichtige Rückplatte eine weitere durchsichtige und elektrisch leitfähige Dünnschicht (23) eingebracht ist (F i g. 3 b).

4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die der Speicherfläche (12, 12') zugewandte Seite der durchsichtigen Rückplatte (11) zum Erhalt der aufgerauhten Ober- as fläche eine Vielzahl von Vertiefungen (24) aufweist und der Leiter aus einer durchsichtigen elektrisch leitfähigen Dünnschicht (25, 25') besteht, die durch die Vertiefungen in sehr kleine Abschnitte unterteilt ist (Fig. 4a, 4b).

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf der von der Speicherfläche (12) abliegenden Seite der Rückplatte (11) ein weiteres Heizelement (25") vorgesehen ist (Fig. 4b).

6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der durchsichtigen Rückplatte (11) im Querschnitt zackenförmig ausgebildet ist (F i g. 6).

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der von der Speicherfläche (33) abliegenden Seite der Rückplatte (11) ein durchsichtiges elektrisch leitfähiges Heizelement (30) angeordnet ist.

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