DE1916958A1 - Method and device for the direct recording of light patterns - Google Patents

Method and device for the direct recording of light patterns

Info

Publication number
DE1916958A1
DE1916958A1 DE19691916958 DE1916958A DE1916958A1 DE 1916958 A1 DE1916958 A1 DE 1916958A1 DE 19691916958 DE19691916958 DE 19691916958 DE 1916958 A DE1916958 A DE 1916958A DE 1916958 A1 DE1916958 A1 DE 1916958A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photoconductive element
field
photoconductive
areas
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691916958
Other languages
German (de)
Other versions
DE1916958B2 (en
Inventor
Onofrio Anthony D
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Western Atlas Inc
Original Assignee
Litton Business Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Litton Business Systems Inc filed Critical Litton Business Systems Inc
Publication of DE1916958A1 publication Critical patent/DE1916958A1/en
Publication of DE1916958B2 publication Critical patent/DE1916958B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/22Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G17/00Electrographic processes using patterns other than charge patterns, e.g. an electric conductivity pattern; Processes involving a migration, e.g. photoelectrophoresis, photoelectrosolography; Processes involving a selective transfer, e.g. electrophoto-adhesive processes; Apparatus essentially involving a single such process
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/153Charge-receiving layers combined with additional photo- or thermo-sensitive, but not photoconductive, layers, e.g. silver-salt layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

1 .April 1969 Gzx/goeApril 1, 1969 Gzx / goe

LITTON INDUSTRIES, IncLITTON INDUSTRIES, Inc

Methode und Gerät zur direkten Aufnahme von Lichtmustern.Method and device for the direct recording of light patterns.

Die Erfindung betrifft eine Methode zur direkten Aufnahme von Lichtmustern und insbesondere eine Methode zur direkten Aufnahme von Lichtmustern durch selektives dielektrisches Erwärmen von Aufnahmematerial, im allgemeinen blattförmiges Material, zur Aufnahme von Temperaturen entsprechend den Lichtmusterintensitäten vorbestimmter Größe. Bei der Erfindung handelt es sich im einzelnen um eine Methode zur Aufnahme von Lichtmustern, wobei im Bereich einer photoleitenden Platte, die Lichtmusterintensitäten von vorbestimmter Größe ausgesetzt wird , hochfrequente elektrische Felder durch das aneinanderliegende Aufnahmeblattmaterial gewerden The invention relates to a method for the direct recording of light patterns and in particular to a method for the direct recording of light patterns by selective dielectric heating of recording material, generally sheet material, for recording of temperatures according to the light pattern intensities predetermined size. The invention is specifically a method of recording light patterns, with in the area a photoconductive plate exposed to light pattern intensities of predetermined magnitude, high frequency electrical Fields through the adjoining receiving sheet material

führt Y^ so daß die resultierenden Potentialgradienten in dem Aufnahmeblattmaterial dieses zur Temperaturaufnahme in Bereichen, die durch dat> einfallende Lichtmuster bestimmt werden, dielektrisch erwärmen.leads Y ^ so that the resulting potential gradients in the receiving sheet material this for temperature recording in areas which are determined by the incident light pattern, dielectrically heat.

Bei einer erfindungsgemäßen Ausführungsform wird das Äufnahmeblattmaterial in Form von sichtbar veränderlichen, wärmeempfindlichen Blättern zwischen eine photoleitende Platte und eine leitende Platte gelegt. Hauptsächlich während der Einwirkung eines Lichtmusters auf die photoleitende Platte, aber wenigstens während der Lebensdauer ihrer Leitfähigkeitsveränderung, wird eine Viechs el spannung vorbestimmter Größe und Frequenz zwischen photoleitende und lei-In one embodiment of the present invention, the receiving sheet material is in the form of visibly variable, thermosensitive sheets between a photoconductive plate and a conductive plate placed. Mainly during exposure to a light pattern on the photoconductive plate, but at least during its life Their change in conductivity becomes a Viechs el voltage predetermined size and frequency between photoconductive and conductive

tende Platte gelegt. Das Leitfähigkeitsmuster auf der photoleitenden Platte, welches durch Lichtmusterintensitäten vorbestimmter Größe erzeugt wurde, bewirkt, daß das elektrische Feld zwischen den beiden Platten so geführt wird, daß die resultierenden Potentialgradienten das Aufnahmeblatt in Gebieten der Ebene des Aufnahmeblattes, die durch das Lichtmuster festgelegt wurden, in vorbestimmter Zeit durch dielektrische Erwärmung sichtbar verändern.tending plate. The conductivity pattern on the photoconductive Plate, which has been generated by light pattern intensities of a predetermined size, causes the electric field between the two plates is guided so that the resulting potential gradient the recording sheet in areas of the plane of the recording sheet, which were determined by the light pattern, in a predetermined Visibly change time through dielectric heating.

Bei einer zweiten Ausführungsforiji der Erfindung werden auseinanderliegende Elektroden, an welche eine Wechselspannung vorbestimmter Größe und Frequenz angelegt werden soll, bezüglich einer photoleitenden Platte und eines parallelen Aufnahineblatfces so angeordnet, daß das elektrische Feld zwischen den Elektroden in den Ebenen der photoleitenden Platte und des Aufnahmeblattes verläuft. Wie bei der ersten Ausführungform wird die photoleitende Platte einem Lichtmuster ausgesetzt und während der Lebensdauer der Leitfähigkeitsveränderung die Wechselspannung angelegt. Als Folge davon führt das Leitfähigkeitsmuster in der photoleitenden Platte, welches durch Lichtmusterintensitäten vorbestimmter Größe erzeugt wurde, das elektrische Feld zwischen den Elektroden in der weise, daß die resultierenden Potentialgradienten das Aufnahmeblatt in Bereichen in der Ebene des Aufnahmeblattes in vorbestimmter Zeit dielektrxsch erwärmen, welche durch das Lichtmuster festgelegt wurden.In a second embodiment of the invention, spaced apart Electrodes to which an alternating voltage of a predetermined magnitude and frequency is to be applied, with respect to a photoconductive one Plate and a parallel recording sheet so arranged that the electric field between the electrodes runs in the planes of the photoconductive plate and the receiving sheet. As in the first embodiment, the photoconductive plate is a Exposed to light patterns and during the lifetime of the conductivity change the AC voltage is applied. As a result, the conductivity pattern in the photoconductive plate, which generated by light pattern intensities of a predetermined size the electric field between the electrodes in such a way that the resulting potential gradient the recording sheet in Heat areas in the plane of the recording sheet dielectrically in a predetermined time, which is determined by the light pattern became.

Ein Merkmal der Erfindung besteht in der Tatstache, daß das Aufnahmeblatt, oder die Aufnahmeblätter, auf eine AufnahmetemperaturA feature of the invention is the fact that the receiving sheet, or the recording sheets, to a recording temperature

9Q9845/U329Q9845 / U32

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

dielektrisch erwärmt werden können, um Positive oder Negative eines Lichtmusters zu erzeugen, welches auf eine anliegende photoleitende Platte fällt. Der Unterschied zwischen Positiv und Negativ wird durch Steuerung des Beleuchtungspegels, der das Lichtmuster festlegt, erreicht.can be dielectrically heated to produce positives or negatives of a light pattern, which is incident on an adjacent photoconductive Plate falls. The difference between positive and negative is made by controlling the level of lighting that creates the light pattern determined, achieved.

Dies geschieht aufgrund der Tatsache, daß ein Lichtmuster aus Bereichen niedriger und hoher Intensität zusammengesetzt ist, und aufgrund der Entdeckung, daß ein Aufnahmeblatt auf Aufnahmetemperatur erhitzt und dadurch markiert wird, gegenüber Bereichen der photoleitenden Platte, welche nur Lichtmusterintensitäten einer bestimmten Größe ausgesetzt wurden. Es tritt jedoch keine Markierung gegenüber Bereichen der photoleitenden Platte auf, welche Lichtmusterintensitäten einer Größe ausgesetzt wnden, die entweder niedriger oder höher als die vorbestimmte Größe war, welches die Lichtintensität ist, bei der Markierung eintritt. Wenn dementsprechend die Intensität der Beleuchtung bestimmter Bereiche eines Lichtmusters über oder unter die vorbestimmte Größe gelegt wird, und die Intensität der Beleuchtung anderer das Lichtmuster bestimmender Bereiche bis zu der vorbestimmten Größe angehoben oder verringert wird, so entsteht eine Umkehrung der markierten Bereiche.This happens due to the fact that a light pattern is made up of areas is composed of low and high intensity, and due to the discovery that a recording sheet is at recording temperature is heated and thereby marked, opposite areas of the photoconductive plate which only have light pattern intensities have been exposed to a certain size. However, there is no marking against areas of the photoconductive plate, which Light pattern intensities of a magnitude that are either was lower or higher than the predetermined size the Light intensity is at which marking occurs. If accordingly the intensity of the illumination of certain areas of a light pattern is set above or below the predetermined size, and the intensity of the illumination of other areas determining the light pattern is increased up to the predetermined size or is reduced, there is a reversal of the marked areas.

Bei der zweiten Ausführungsform kann entsprechend ihrer Anordnung der hemmende Effekt von Lichtintensitäten, die höher als die vor» bestimmte Intensität sind, eine Markierung des Aufnahinebl attes gegenüber Bereichen der photoleit enden Platte fördern, welche überhaupt keinem Licht oder Licht einer intensität ausgesetztIn the second embodiment, according to their arrangement the inhibiting effect of light intensities that are higher than the predetermined intensity, a marking of the recording sheet to promote areas of the photoconductive plate which are not exposed to any light or light of any intensity

80984*7, 4 ;<,80984 * 7, 4; <,

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

wurden, welche niedriger als die vorbestimmte Intensität ist. Die Markierung dieser Bereiche wird jedoch begünstigt, wenn aneinanderliegende Bereiche der photoleitenden Platte gleichzeitig Licht von vorbestimmter Intensität, einer sogenannten Markierungsintensität, ausgesetzt wurden.which is lower than the predetermined intensity. However, the marking of these areas is favored if they are adjacent Areas of the photoconductive plate simultaneously light of a predetermined intensity, a so-called marking intensity, were exposed.

Diese Erfindung beschäftigt sich also allgemein mit einer Methode Pl und einem Gerät zur Aufnahme von Lichtmustern unter Anwendung von Hochfrequenzenergie, wobei hochfrequente elektrische Felder durch Bereiche eines Aufnahmeblattes geführt werden, welche entsprechend den Lichtmusterintensiteten, die auf eine photoleitende Platte
fallen, ausgewählt werden, so daß die resultierenden Potentialgradienten ausschließlich solche Bereiche des Aufnahmeblattes auf
Aufnahmetemperatur dielektrisch erwärmen, welche, in der Ebene
des Aufnaluneblattes, durch Lichtmusterbereiche festgelegt werden, die sich von anderen Bereichen unterscheiden.
This invention is thus generally concerned with a method P1 and a device for recording light patterns using high frequency energy, with high frequency electric fields being passed through areas of a recording sheet which correspond to the light pattern intensities on a photoconductive plate
fall, are selected so that the resulting potential gradients only on those areas of the recording sheet
Dielectrically heat the recording temperature, which, in the plane
of the recording sheet, can be determined by light pattern areas that are different from other areas.

Erfindungsgemäß wird ein Gerät benutzt, welches eine photoleitende Platte enthält, deren Veränderungen in der Leitfähigkeit aufgrund einfallender Lichtmuster dahingehend wirken, daß ein hochfrequentes elektrisches Feld, welchesdahindurchgeführt wird, so deformiert wird, daß die Potentialgradienten, die aus der so erzeugten Diskontinuität des Feldes entstehen, Teile eine· anliegenden Aufnahmeblattes auf Aufnahmeteaperatur erwärmen, dessen Bereiche
in der Ebene des Blattes thermisch verändert werden, entsprechend dem einfallenden Lichtmuster, welches dielektrische Energie dort
hindurchfährt·
According to the invention a device is used which contains a photoconductive plate, the changes in conductivity due to incident light patterns act to the effect that a high-frequency electric field, which is passed through it, is deformed in such a way that the potential gradients that arise from the discontinuity of the field thus generated, Heat parts of an adjacent recording sheet to recording temperature, the areas of which
are thermally changed in the plane of the sheet, according to the incident light pattern, which dielectric energy there
drives through

BAD ORIG?|sjal"/" BAD ORIG? | Sjal " / "

19189581918958

Entsprechend einem Merkmal der Erfindung ist eine Anordnung vorgesehen, in der eine ftbene photoleitende Platte angrenzend an auseinanderliegende Elektroden gehalten wird, um als Ergebnis eines aufgebrachten Lichtmusters ein entsprechendes Muster von Durchführungen in der Ebene einer photoleitenden Platte und eines Aufnahmeblattes, welches daran anliegt, für die Linien des elektrischen Flusses zu erzeugen, der zwischen den Elektroden entsteht, wenn eine hochfrequente Spannung an die Elektrodengelegt wird.According to one feature of the invention, an arrangement is provided, in which a flat photoconductive plate is adjacent to spaced apart Electrodes are held to form a corresponding pattern of leadthroughs as a result of an applied light pattern in the plane of a photoconductive plate and a recording sheet, which rests thereon, for the lines of the electrical Generate flux that arises between the electrodes when a high-frequency voltage is applied to the electrodes.

Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung ist ein Gerät zur Aufnahme mit Hilfe selektiver dielektrischer Erwärmung eines sichtbar veränderlichen wärme empfindlichen Auf riahuiblat tes vorgesehen. Positive oder Negative eines Lichtmusters werden je nach Wunsch über Steuerung des Beleuchtungspegels durch das Lichtmuster erzeugt, das auf die photoleitende Platte fällt. Dadurch werden bevorzugte Führungen in dem A^fnahmeblatt für ein hochfrequentes elektrisches Feld geschaffen.According to a further feature of the invention is a device for recording with the help of selective dielectric heating of a visible changeable heat sensitive on riahuiblat tes provided. Positive or negatives of a light pattern are generated as required by controlling the lighting level through the light pattern, falling on the photoconductive plate. This will be preferred Guides in the record sheet for a high-frequency electric Field created.

Betrachtet man die verschiedenen Merkmale und Ausführungsbeispiele, dicj bisher erwähnt wurden, so kann die vorliegende Erfindung als eine Methode zum Drucken, Markieren, Verdoppeln, Aufne'innen oder dergleichen durch Erzeugung sichtbarer Muster auf thermisch veränderbarem dielektrischen .Material auf dem wiege selektiver Anwendung eines hochfrequenten elektrischen Viechseifeldes auf solche Bereiche des Materials angesehen werden, welche dem Muster entsprechen, wobei dtis hochfretniente elektrische Viechseifeld eine genügende Intensität hat, um durch dielektrisch erzeugte Wärme thermischeLooking at the various features and embodiments, dicj have been mentioned so far, the present invention can be used as a method for printing, marking, doubling, recording or the like by generating visible patterns on thermally changeable dielectric .material on the cradle selective application a high-frequency electrical Viechseifield on such areas of the material can be considered which correspond to the pattern, with the high-frequency electrical chemical field of sufficient intensity has to be thermal by dielectrically generated heat

90984S/U32 BAD Or,q,NAL90984S / U32 BAD O r, q, NAL

Veränderungen aufgrund der Molekularreibung zu erzeugen, die in einer Veränderung der Erscheinung der dem Lichtniuster entsprechenden Bereiche resultieren. Hierbei wird ein Lichtmuster entsprechend dem gewünschten Muster auf ein photoleitendes Element aufgebracht, wodurch das hochfrequente elektrische Wechselfeld mit Hilfe des photoleitenden Elementes in das Material geführt wird. Die besten Ergebnisse werden erreicht, wenn das Material polar-dielektrisch ist. Es versteht sich, daß das photoleitende Element ein hochfrequentes Wechselfeld mit Diskontinuitäten in der Feldintensität an Stellen hervorruft, die mittels des Leitfähigkeitsmusters dem gewünschten Muster entsprechen, das durch die Aufbringung des Lichttnusters darin aufgebaut wurde. Das Material wird für eine bestimmte Zeit dem Feld ausgesetzt, um das Aussehen solcher Bereiche des Materials zu verändern, die hohen Feldintensitäten ausgesetzt sind. Hierbei werden solche Bereiche, die niedrigen Feldintensitäten ausgesetzt sind, im wesentlichen nicht verändert. Demzufolge führen an Stellen innerhalb eines ausgedehnten Dberflacheiibereiches des photoleitenden Elementes die hochleitenden Bereiche dieses Elementes relativ hohe Feldintensitäten in das Material dort, wo das dielektrische Material verändert werden soll, um darauf Markierungen entsprechend dem gewünschten Muster zu hinterlassen. Relativ niedrige Feldintensitäten werden dagegen in Bereichen niedriger Leitfähigkeit des photoleitenden Elements im übrigen Teil des ausgedehnten Oberflächenbereiclies vorgesehen.To produce changes due to the molecular friction, resulting in a change in the appearance of the corresponding to the light niuster Areas result. Here, a light pattern is applied to a photoconductive element according to the desired pattern, whereby the high-frequency alternating electric field is guided into the material with the help of the photoconductive element. The best Results are achieved when the material is polar-dielectric. It is understood that the photoconductive element is a high frequency Alternating field with discontinuities in the field intensity causes at points that by means of the conductivity pattern the correspond to the desired pattern that was built up by the application of the light pattern therein. The material is made for a specific Time exposed to the field to change the appearance of those areas of the material exposed to high field intensities are. In this case, those areas that are exposed to low field intensities are essentially not changed. As a result, lead at locations within an extensive surface area of the photoconductive element, the highly conductive areas of this element relatively high field intensities in the material where the dielectric material is to be changed, in order to make markings on it to leave according to the pattern you want. In contrast, relatively low field intensities are found in areas of low conductivity of the photoconductive element provided in the remaining part of the extended surface area.

Entsprechend einem oben erwähnten Ausführungsbeispiel wird das hochfrequente Wechselfeld zwischen einer Elektrode, welche dasAccording to an embodiment mentioned above, the high-frequency alternating field between an electrode that has the

90984B/.U32 ,90984B / .U32,

:. - V BAD ORIGINAL:. - V BAD ORIGINAL

photoleitende Element einschließt, und einer anderen Elektrode erzeugt. Die Impedanzbedingungen für das Feld werden so eingestellt, daß relativ hohe und relativ niedrige Impedanzstellen für das Feld geschaffen werden, indem ein Abbild des gewünschten Musters auf das photoleitende Element projiziert wird. Das Material wird zwischen das photoleitende Element und die andere Elektrode gelegt, um dadurch das Material dem Feld auszusetzen. In der Praxis benutzt man zwei parallele, im wesentlichen ebene Elektroden, von denen eine das photoleitende Element in Form einer photoleitenden Schicht einschließt, die infolge der Projektion des Abbildes Bereiche aufweist, welche Wege mit relativ niedriger Impedanz für das Feld, und andere Bereiche, welche Wege mit rela tiv hoher Impedanz für das Feld aufweisen. Di· Bereiche stimmen mit dem gewünschten Muster überein. Wenigstens eine Schicht thermisch veränderbaren dielektrischen Materials wird zwischen die Elektroden gelegt. Das Feld wird zwischen den Elektroden erzeugt. Hierdurch wird eine Feldverteilung erzeugt, di· aus Bereichen relativ hoher und relativ niedriger Feldintensität besteht.includes photoconductive element, and another electrode is generated. The impedance conditions for the field are set so that relatively high and relatively low impedance points for the field can be created by projecting an image of the desired pattern onto the photoconductive element. The material is placed between the photoconductive element and the other electrode, thereby exposing the material to the field. In practice one uses two parallel, essentially flat electrodes, one of which is the photoconductive element in the form of a photoconductive one Includes layer which, as a result of the projection of the image, has areas which have relatively low impedance paths for the Field, and other areas that have relatively high impedance paths for the field. The areas match the desired pattern. At least one layer thermally changeable dielectric material is placed between the electrodes. The field is created between the electrodes. In this way, a field distribution is generated that is composed of areas relatively higher and relatively low field intensity.

Entsprechend einer anderen ebenfalls oben erwähnten Ausführungsform wird das hochfrequente Wechselfeld über das photoleitendeAccording to another embodiment also mentioned above, the high-frequency alternating field is via the photoconductive

we I'd a n we'd at

Element geführt. Die Impedanzbedingungen für das FeldYso eingestellt, daß Stellen mit relativ hoher und relativ niedriger Impedanz für das Feld durch die Projektion eines Abbildes des gewünschten Mueters auf da· photoleitend· Element geschaffen werden. Das Material liegt an das photoleitende Element an. Die Führung des •!•ktria«h«n Feld·· wird insbesondere dadurch erreicht, daß w«ch-Element led. The impedance conditions for the field are set in such a way that locations with relatively high and relatively low impedance for the field are created by projecting an image of the desired diameter onto the photoconductive element. That Material is in contact with the photoconductive element. The management of the •! • ktria «h« n field is achieved in particular by w «ch-

9 0 9 8 k 5 / · U 3 }. BAD ORIGINAL9 0 9 8 k 5 / · U 3 }. BATH ORIGINAL

selnde Potentiale zwischen einem Paar verlängerter Elektroden in einer Ebene entlang der Ebene des photGleitenden Elements und des Materials angewendet werden.Selective potentials between a pair of elongated electrodes in a plane along the plane of the phot sliding element and the Materials are applied.

Die Auswahl zwischen Arbeitsbedingungen, die zu einem Positiv oder einem Negativ führen, wird dadurch getroffen, daß entweder maximale Lichtintensitäten des Lichtmusters auf das photoleiLende Element in dem Bereich aufgebracht werden, in dem Markierung eintritt, um dadurch ein Negativ des Lichtmusters zu erzeugen, oder daß minimale Lichtintensitäten des Lichtmusters auf das photoleitendo Element in dem Hereich aufgebracht werden, in dem Markierung {Mitsteht, um dadurch ein Positiv des Lichtmusters zu erzeugen. In beiden Fällen wird der gesamte Beleuchtungspegel, der auf das photoleitende Element fällt, in der Weise gesteuert, daß Licht einer vorbestimmten Intensität, der Markierungsintensität, eine Impedanzanpassung zwischen aneinanderliegenden Bereichen des photoleitenden Elements und das Materials hervorruft, wenn dieses dem elektrischen Feld vorbestimniter Frequenz ausgesetzt wird. Hierdurch wird eine dielektrische Erwärmung des photoleitenden Elements hervorgerufen und seine Impedanz auf einen vernachlässigbaren Wert erniedrigt. In der Praxis wird dies auf geeignete Weise dadurch erreicht, daß wenigstens eine Vorbestrahlungs-Lichtquelle zur Steuerung des gesamten Beleuchtungspegele benutzt wird. Wenn insbesondere der gesamte Lichtintensitätspegel, der von einer oder mehreren zusätzlichen Lichtquellen geliefert wird, eine Beleuchtung des photoleitenden Elemente im Bereich der Intensitäten hervorruft, bei denen Markierung eintritt, wird in Bereichen hohen IntensitätspegelsThe choice between working conditions that lead to a positive or a negative is made by either maximum light intensities of the light pattern on the photoconductive end Element are applied in the area in which the marking occurs, thereby producing a negative of the light pattern, or that minimal light intensities of the light pattern on the photoleitendo Element are applied in the area, in the marking {Stands to thereby create a positive of the light pattern. In both cases, the total lighting level applied to the photoconductive element falls, controlled in such a way that light of a predetermined intensity, the marking intensity, an impedance matching between adjacent areas of the photoconductive element and the material, when this causes the electrical Field is exposed to a predetermined frequency. This will caused dielectric heating of the photoconductive element and lowered its impedance to a negligible value. In practice this is suitably achieved by having at least one pre-irradiation light source for control of the entire lighting level is used. In particular, if the total light intensity level that of one or more additional Light sources is supplied, causes an illumination of the photoconductive elements in the range of intensities at which Marking occurs is in areas of high intensity level

90984 5/U 3 2 bad original90984 5 / U 3 2 bad original

das angewendeten Lichtmusters der gesamte Beleuchtungspegel in Bereiche einer Impedanzfehlanpassung zwischen dem photoleitenden Element und dem Material gehoben» Hierdurch wird Markierung des Materials in Bereichen hoher Intensität des Lichtmusters verhindert, so daß ein Positiv des Lichtmusters entsteht.the applied light pattern the total lighting level in areas of impedance mismatch between the photoconductive Element and material raised »This prevents marking of the material in areas of high intensity of the light pattern, so that a positive of the light pattern is created.

Weitere Merkmale der erfindungsgemäßen Methode schließen die Benutzung eines plattenförmigen photoleitenden Elementes und von üblichem wärmeempfindlichen dielektrischen Material oder andererseits von gewöhnlichem Papier ein. Die thermische Veränderung, die durch dielektrisch angewendete Wärme in gewöhnlichem Papier erzeugt wird, besteht in einem Dunkelwerden, hedingt durch wenigstens teilweise eintretende Verkohlung,Further features of the method according to the invention include the use of a plate-shaped photoconductive element and of ordinary thermosensitive dielectric material or otherwise from ordinary paper. The thermal change caused by dielectrically applied heat in ordinary paper is generated, consists in a darkening, hedged by at least partial charring,

Im Rahmen der Erfindung ist ein Gerat zur Erzeugung sichtbarer Markierungen oder Muster von Markierungen auf dielektrischem Material vorgesehen, welches aufgrund von Wärmeanwendung in seiner Erscheinungsform verändert werden kann, wie z.B. Papier, wärmeempfindliches Material oder ähnliche dielektrische Materialien, insbesondere ein Gerät zum Drucken, Markieren, Aufnehmen und/oder Vervielfältigen, wobei ein hochfrequentes elektrisches Wechselfeld aufgebaut wird. Dieses Feld besitzt Diskontinuitäten der Feldintensität an Stellen, welche in ihrer Gestalt der des Musters entsprechen, das erzeugt werden soll. Es sind Mittel vorgesehen, um dielektrisches Material dem Feld auszusetzen. Hierbei wird eine dauerhafte Veränderung der Erscheinung durch dielektrisch erzeugte Wärme in solchen Bereichen des Materials verursacht, welche demIn the context of the invention, a device for generating is more visible Markings or patterns of markings provided on dielectric material, which due to the application of heat in its Appearance can be changed, such as paper, heat-sensitive Material or similar dielectric materials, in particular a device for printing, marking, recording and / or Duplicate, whereby a high-frequency alternating electric field is built up. This field has discontinuities in field intensity in places that correspond in their shape to that of the pattern that is to be generated. Means are provided for dielectric Exposing material to the field. This is a permanent one Change in appearance caused by dielectrically generated heat in those areas of the material which the

909846/U32909846 / U32

BAD ORIGINAL,BATH ORIGINAL,

Feld hoher Intensität ausgesetzt wurden. Das Gerät enthält ein photoleitendes Element, auf das das gewünschte Abbild projiziert wird. Das Leitfähigkeitsmuster, welches so in dem photoleitenden Element gebildet wurde, erzeugt die Diskontinuitäten in der Feldintensität des Musters. Normalerweise wird ein plattenförmiges photoleitendes Element benutzt, welches Teil einer Eleketrode bildet, welche aus einer Schicht leitendem transparentem Materials zwischen einer Schicht isolierendem transparentem. Materials und einer Schicht photoleitendem, normalerweise isolierendem Materials zusammengesetzt ist. Dann wird das hochfrequente elektrische Wechselfeld zwischen der leitenden transparenten Schicht und einer weiteren Elektrode aufgebaut. Das Aufnahniematerial befindet sich zwischen diesen. Andererseits kann ein Paar von Elekjetroden, das sich gemeinsam im Abstand entlang dem photoleitenden Element befindet, angewendet werden, um den Fluß des hochfrequenten elektrischen lifechself eldes über das photoleitende Element zu konzentrieren, wobei wenigstens ein Blatt thermisch veränderbaren dielektrischen Materials, wie z.B. Papier oder wärmeempfindliches Aufnahmematerial, an das photoleitende Element angelegt wird. Vorteilhafterweise enthält eine vollständige Anordnung einen normalerweise ruhenden Oszillator, der für kurze Zeitspannen angeregt werden kann, welche ausreichen, thermische Veränderungen in der Erscheinung des dielektrischen Materials nur an den Stellen hervorzurufen, die einem Feld hoher Intensität ausgesetzt sind. Optimale Ergebnisse werden erreicht, wenn die Frequenz des Oszillators im wesentlichen der Frequenz entspricht, bei der der Verlustfaktor des Materials ein Maximum besitzt»Exposed to high intensity field. The device contains a photoconductive element onto which the desired image is projected. The conductivity pattern that is so in the photoconductive Element formed creates the discontinuities in the field intensity of the pattern. Usually a plate-shaped photoconductive element used, which forms part of an electrode, which is made of a layer of conductive transparent material between a layer of insulating transparent. Material and a layer of photoconductive, usually insulating material is composed. Then the high-frequency alternating electrical field between the conductive transparent layer and a built up another electrode. The recording material is located between these. On the other hand, a pair of electrodes that is jointly spaced along the photoconductive element, be applied to concentrate the flow of the high frequency electric lifechself eldes through the photoconductive element, wherein at least one sheet of thermally alterable dielectric material, such as paper or thermally sensitive recording material, is applied to the photoconductive element. Advantageously A complete arrangement usually contains one dormant oscillator, which can be excited for short periods of time, which are sufficient to cause thermal changes in appearance of the dielectric material only at the points exposed to a high intensity field. Optimal results are achieved when the frequency of the oscillator is substantially corresponds to the frequency at which the loss factor of the material has a maximum »

BADBATH

909*4-8/1432909 * 4-8 / 1432

- 11 -- 11 -

Zusätzliche Merkmale des erfindungsgemäßen Gerätes schließen Anordnungen zur Projektion eines Abbildes des gewünschten Musters
auf das photoleitende Element, zur Halterung von Blättern des
Wiedergabematerials in Berührung mit dem photoleitenden Element, und Beleuchtungsanordnungen, die zusätzlich zu dem Abbild des
Additional features of the device according to the invention include arrangements for projecting an image of the desired pattern
on the photoconductive element, for holding sheets of the
Reproduction material in contact with the photoconductive element, and lighting arrangements in addition to the image of the

Lichtmusters eine Vorbelichtungsintensität auf das photoleitendeLight pattern a pre-exposure intensity on the photoconductive

ο in.
Element richten, Die Bedeutung der Benutzung von Anordnungen zur Anwendung zusätzlicher Vorbelichtungsquellen liegt in der Tatsache, daß die Vorbelichtungsintensität so eingestellt, oder so einstellbar ist, daß Lichtintensitäten einer Größe erzeugt werden,
die eine Änderung der Impedanz des photoleitenden Elements in Richtung einer Anpassung an die Impedanz des Aufnahmetnaterials bewirken| auf diese Weise wird Wärme in dem photoleitenden Element erzeugt und somit seine Impedanz auf einen vernachlässigbaren Wert verringert, wodurch die erhöhte Spannung an aneinanderliegenden Teilen des Aufiialuneinaterials diese dielektrisch erwärmt und thermisch
verändert.
ο in.
Align the element, The importance of the use of arrangements for the application of additional pre-exposure sources lies in the fact that the pre-exposure intensity is set, or so adjustable, that light intensities of a magnitude are produced
which cause a change in the impedance of the photoconductive element in the direction of adaptation to the impedance of the receiving material | in this way heat is generated in the photoconductive element and thus its impedance is reduced to a negligible value, whereby the increased voltage on adjacent parts of the non-metallic material heats them dielectrically and thermally
changes.

Weitere Merkmale, Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der neuen Erfindung ergeben sich aus den beiliegenden Darstellungen von Ausführungsbeispiel on sowie aus der folgenden Beschreibung.Further features, advantages and possible applications of the new invention emerge from the accompanying illustrations of exemplary embodiments on as well as from the following description.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 eine schematische Darstellung der Grundelemente einer
ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform, später als
"Parallel-Plattenanordnung" bezeichnet (ein Aufnahmebl'att liegt in Arbeitsposition),
Fig. 1 is a schematic representation of the basic elements of a
first embodiment of the invention, later than
"Parallel plate arrangement" (one recording sheet is in the working position),

909 8/, 5 /U32909 8 /, 5 / U32

- ϊ C -\ ·■:- *■-' :\ i> X . ~- BAD ORIGINAL- ϊ C - \ · ■: - * ■ - ': \ i> X. ~ - BAD ORIGINAL

Fig. 2 eine Ansicht ähnlich der von Fig. 1, bei der ein Lichtmuster von einem Dokument reflektiert und auf die photoleitende Platte gerichtet vrird, wobei die Lichtintensitäten so eingestellt sind, daß die Aufnahme eines Negativs des Dokumentes erfolgt,FIG. 2 is a view similar to that of FIG. 1, in which a light pattern reflected from a document and directed onto the photoconductive plate, the light intensities are set so that a negative of the document is recorded,

Fig. 3 eine Ansicht ähnlich der von Fig. 1, bei der ein Lichtmuster auf die photoleitende Platte fällt, wobei die Lichtintensitäten durch eine Vorbelichtungsquelle auf eine Intensität angehoben werden, daß das Aufnahmematerial in den Bereichen markiert wird, die nicht von dem Muster betroffen wurden, während, durch gleichzeitige Anwendung hoher Lichtintensität, die Markierung in Bereichen verhindert wird, die von dem Muster getroffen wurden, mit dem Ergebnis, daß Positive des Dokuments aufgenommen werden,FIG. 3 is a view similar to that of FIG. 1, in which a light pattern is incident on the photoconductive plate, the light intensities being impinged on by a pre-exposure source an intensity can be raised that the recording material is marked in the areas not affected by the pattern, while, through simultaneous application high light intensity that prevents marking in areas hit by the pattern the result that positives of the document are accepted,

ψ Fig. k ein elektrisches Ersatz-Schaltbild der Parallel-Plattenaufnahnieanordnung uüch Fig. 1 , ψ Fig. k shows an electrical equivalent circuit diagram of the parallel plate mounting arrangement and Fig. 1,

Fig. 5 ebenfalls ein elektrisches Ersatz-Schaltbild entsprechend Fig. 1, das Reihen-Äquivalent-Schaltkreise jedes Schaltungsweges von Fig.k darstellt,Fig. 5 is also an electrical equivalent circuit diagram corresponding to Fig. 1 showing series equivalent circuits of each circuit path of Fig. K ;

Fig. 6 eine Kurve, welche die Veränderung in der Größe derFig. 6 is a graph showing the change in the size of the

Reihen-Äquivalent-Impedanz der photoleitenden Schicht mit Veränderungen des Widerstandswertes der photoleitenden Schicht bedingt durch Veränderungen der Licht inten—Series equivalent impedance of the photoconductive layer with changes in the resistance value of the photoconductive layer due to changes in the light intensity

9 0 98 U./ 1 A3/ _/_9 0 98 U. / 1 A3 / _ / _

BADBATH

- 13 sität wiedergibt,- 13 reflects the situation,

Fig. 7 Kurven, die die Beziehung der Energieabgabe in derFig. 7 are graphs showing the relationship of energy output in the

photoleitenden Schicht und in dem Aufnahmeblatt zu Veränderungen im Widerstandswert der photoleitenden Schicht bei Veränderungen der Lichtintensität wiedergibt,photoconductive layer and changes in the receiving sheet in the resistance value of the photoconductive layer when the light intensity changes,

Fig, 8 eine schematische Darstellung einer zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform, im folgenden als lfZweidraht-Anordnung" bezeichnet, wobei ein Aufnahmeblatt in Arbeitsposition liegt,8 shows a schematic representation of a second embodiment according to the invention, hereinafter referred to as "lf two-wire arrangement", with a receiving sheet in the working position,

Fig. 9 eine Ansicht ähnlich der von Fig. 8, die die Aufnahme eines Positivs eines Lichtmusters wiedergibt,Fig. 9 is a view similar to that of Fig. 8 showing the receptacle of a positive of a light pattern,

Fig. 10 eine Ansicht ähnlich der von Fig. 8, tue die Aufnahme eines Negativs eines Lichtmusters wiedergibt,Figure 10 is a view similar to that of Figure 8, do the pickup reproduces a negative of a light pattern,

Fig. 11 ein schematisches Diagramm, welches das elektrischeFig. 11 is a schematic diagram showing the electrical

Äquivalent der Zweidraht-Aufnahmeanordnung von Fig. 8 darstellt,Equivalent to the two-wire take-up arrangement of FIG. 8 represents

Fig. 12 ein schematisches Diagramm, welches die Schaltung mit den Reihen-Äquivalenten der Parallel-Schaltkreise von Fig, Il darstellt, undFig. 12 is a schematic diagram showing the circuit with the series equivalents of the parallel circuits of Fig, II represents, and

9098 4-5/1432 BAD ORIGINAL9098 4-5 / 1432 BAD ORIGINAL

. - Ik - . - Ik -

Fig. 13 eine Ansicht ähnlich der von Fig. 9, welche die Aufnahme eines Positivs eines Lichtmusters unter Benutzung einer Vorbelichtungsquelle von Markierungsintensität darstellt, da diese Anordnung auch eine Verkürzung der Aufnahmezeit bewirkt. ■ - : ■ :; ; . ■:- · .13 is a view similar to that of FIG. 9, which shows the recording of a positive of a light pattern using a pre-exposure source of marking intensity, since this arrangement also has the effect of reducing the recording time. ■ - : ■:; ; . ■: - ·.

In den folgenden Zeichnungen bezeichnen gleiche öezugszeichen ehe oder entsprechende Elemente in den verschiedenen Figuren. Fig.l zeigt ein Aufnahmematerial in Form eines Aufnahmeblattes 15. Das ■ Aufnahmeblatt ist vorzugsweise hergestellt oder besteht aus polar-, dielektrischem Material, welches einen Verlustfaktor mit einem Spitzenwert bei einer bestimmten Frequenz aufweist. Demgegenüber sind nichtpolar-dielektrische Materialien durch einen Verlustfaktor ausgezeichnet, der über den gesamten Frequenzbereich im wesentlichen konstant und reLativ niedrig ist. Vorzugsweise besteht das Aufrialimemater ial aus einem oder mehreren Papierblätterri l6 , von " welchen jedes eine wärmeeinpf in^dliche Deckschicht 17 besitzt, wel- f ehe sich sichtbar chemisch verändert oder transparent wird, wenn seine Temperatur auf eine spezifische Aufnahmetemperatur, die sogenannte Markierungstemperatur, erhöht wird. Hierdurch wird die farbige Oberfläche des Papierträgerblattes freigelegt. Solche Aufnahmeblätter sind im Handel als thermographisches Kopierpapier bekannt.In the following drawings, the same reference symbols denote before or corresponding elements in the various figures. Fig.l shows a recording material in the form of a recording sheet 15. The ■ recording sheet is preferably made or consists of polar, dielectric material, which has a loss factor with a peak value at a certain frequency. In contrast, non-polar dielectric materials are characterized by a loss factor which is essentially constant and relatively low over the entire frequency range. Preferably, the Aufrialimemater consists ial from one or more Papierblätterri l6, of "which each one wärmeeinpf has in ^ lethal covering layer 17, WEL f before visibly chemically modified or becomes transparent when its temperature to a specific uptake temperature, the so-called marker temperature increases, This exposes the colored surface of the paper carrier sheet, and such receiver sheets are known in the trade as thermographic copier paper.

Die Arbeit Δ ¥, die erforderlich ist, um die Temperatur T eines Materials um einen Betrag _Λ T zu erhöhen, also von der Umgebungstemperatur zu einer spezifischen Aufnahmetemperatur, der Markie-The work Δ ¥ that is required to obtain the temperature T of a Material to increase by an amount _Λ T, i.e. from the ambient temperature to a specific recording temperature, the marking

90984B/U32 BAD OR1G1NAL90984B / U32 BAD OR 1 G 1 NAL

rungstemperatur, bei der erf induiigsgemäß eine sichtbare Veränderung auftritt, berechnet sich nach der folgenden wohlbekannten Gleichung:tion temperature at which, according to the invention, a visible change occurs is calculated according to the following well-known equation:

Aw » M.s. At . (ο)Aw »M.s. At. (ο)

Hierbei bedeutet M die Masse eines Materialvolumens einer Fläche A und einer Dicke d multipliziert mit der Dichte,und S die spezifische Wärme des Materials.Here, M means the mass of a material volume of an area A. and a thickness d multiplied by the density, and S the specific Warmth of the material.

Um diese Arbeit in einer bestimmten Zeit t aufzubringen, ist ein Leistungsaufwand ( V arbeit/Zeiteinheit) von M.S. /\ T erforder-In order to accomplish this work in a certain time t, an effort (V work / time unit) of MS / \ T is required.

t lieh. Somit beträgt die erforderliche Leistung:t borrowed. Thus the required performance is:

Al« ms Δt . (ι)Al « ms Δt . (ι)

Die Leistung, die in dem dielektrischen Material abgegeben wird, wird durch die folgende Gleichung wiedergegeben:The power dissipated in the dielectric material is represented by the following equation:

Ld = E2«XCdf . (2)L d = E 2 «XCd f . (2)

HiorbP* ist L dip Spannung oder der Potentialgradient über einem Einhci t sviirf t»l des Materials winor Fläche A, einer Dickt» d" und einer Dielektrizitätskonstante e, ο das 2(| -fache» der Frequenz f, d der Verlustfaktor des Materials bei der angewendetenHiorbP * is L dip voltage or the potential gradient across a unit of material in area A, a thickness of "d" and a dielectric constant e, ο 2 (| -fold »the frequency f, d is the loss factor of the material at the applied

Frequenz und C (» KAe) die kapazität des Einheitswürfles des Matt
terials.
Frequency and C (» KAe ) the capacity of the unit cube of the mate
terials.

Setzt man die erforderliche Leistung «j L mit der verbrauchten Leistung L jrleich und löst nach /\T auf, so erhält man dieIf one equates the required power «j L with the consumed power L jr and dissolves for / \ T , one obtains the

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

- 16 -folgende Gleichung:- 16 -following equation:

Δτ » e2 w 0V . (3)Δτ » e2 w 0 V. (3)

M sM s

Somit erfordert das dielektrische Ervrärmen oder die Erhöhung der Temperatur eines Aufnahmeblattes oder von Aufnahmeblättern auf eine spezifische Aufnahmetemperatur in einer gegebenen Zeit eine vorbestimmte .Kombination von Spannung und Frequenz} je höher die Frequenz, desto niedriger ist die Spannung und umgekehrt. Die obere Grenze der Spannung wird durch die Durchbruchsspannung des Aufnahmeblatt·· gegeben, welches dielektrisch erwärmt werden soll. Der Verlustfaktor des Aufnahmeblattmaterials hat vorzugsweise bei der ausgewählten Frequenz oder nahe dabei ein Maximum.Thus, the dielectric heating or increasing the Temperature of a recording sheet or sheets to a specific recording temperature in a given time a predetermined .Combination of voltage and frequency} the higher the frequency, the lower the voltage and vice versa. The upper limit of the voltage is determined by the breakdown voltage of the recording sheet given which is to be dielectrically heated. The loss factor of the receiving sheet material is preferably at selected frequency or near a maximum.

In Fig. 1 ist eine photoleitende Platte gezeigt, welche eine Elektrodenanordnung l8 bildet. Diese besitzt eine transparente Gla·- oder Glimmer-Auflage 19 mit einem leitenden transparenten Überzug \ 21. Unter dem transparenten leitenden Überzug 21 liegt eine photoleitende, normalerweise isolierende Schicht 22, die in einer Ausführung die phosphoriszierende Substanz Sylvania P-20 in einem Mischungsverhältnis von 2,5:1 mit Acrylharz 100 (Union Carbide: LKSA/OIOO) enthält. Diese photoleitende, normalerweise isolierende Schicht ist irvfeiner Dicke der Größenordnung von etwa 80 Mikrometer (0,003 inch) aufgebracht und besitzt eine Dielektrizitätskonstante von 3· Die plattenförmige Anordnung l8 kann geeigneterweise in einem (nicht gezeigten) Rahmen gehalten werden. Das Aufnahmeblatt 15 wird vorzugsweise mit seinem wärmeempfindlichen Über-In Fig. 1, a photoconductive plate is shown which forms an electrode assembly 18. This has a transparent Gla · - or mica pad 19 with a conductive transparent coating \ 21. In the transparent conductive coating 21 is a photoconductive normally insulating layer 22, which in one embodiment, the phosphorescent substance Sylvania P-20 in a mixing ratio of 2.5: 1 with acrylic resin 100 (Union Carbide: LKSA / OIOO). This photoconductive, normally insulating layer is applied to a fine thickness on the order of about 80 micrometers (0.003 inch) and has a dielectric constant of 3. The plate-shaped arrangement 18 can suitably be held in a frame (not shown). The recording sheet 15 is preferably used with its heat-sensitive cover

90984 5/U3 2 BAD original90984 5 / U3 2 BAD original

- 17 -- 17 -

zug 17 der Elektrode l8 zugekehrl und in direktem Kontakt mit der Schicht 22 angeordnet. Das photoleitende Element in Form der Schicht 22 zusammen mit dem leitenden überzug 21 auf der Glasplatte 19 einerseits und ein leitendes Element oder eine Platte 23 in direktem Eontakt mit dem Aufnahmeblatt andererseits bilden Plattenelektroden und vervollständigen den Schichtaufbau, der als Parallel-Platt enanordnung bezeichnet wird.train 17 of the electrode 18 facing and in direct contact with the Layer 22 arranged. The photoconductive element in the form of the layer 22 together with the conductive coating 21 on the glass plate 19 on the one hand and a conductive element or plate 23 in direct contact with the receiving sheet on the other hand form plate electrodes and complete the layer structure, which is referred to as a parallel plate arrangement.

Eine hochfrequente konstante Spannungsquelle 2k kann an die Elektroden für eine bestimmte Zeit t angelegt werden, die von einem elektronischen Zeitgeber 25 vorgegeben wird. In dieser Zeit muß die Aufnahme ausgeführt werden, während die photoleitende Elektrodenanordnung l8 einem Lichtmuster ausgesetzt wird, das aufgenommen werden soll. Die Quelle 2k kann die Form eines Hartley-Oszillators haben.A high-frequency constant voltage source 2k can be applied to the electrodes for a specific time t, which is predetermined by an electronic timer 25. During this time, recording must be carried out while the photoconductive electrode assembly 18 is exposed to a light pattern to be recorded. The source 2k can be in the form of a Hartley oscillator.

In Fig. 1 ist ein Originaldokument 26, welches nachgebildet werden soll, dargestellt. Die Oberfläche des Dokuments hat dunkle Bereiche 27 und weiße oder hellere Bereiche 28, welche beide zusammen ein Lichtmuster bestimmen. Wenn das Originaldokument von Lampen beleuchtet wird, so wird das davon reflektierte Licht durch eine Linse 30 auf die photoleitende Schicht 22 der Elektrodenanordnung l8 projiziert. Wenn, wie in Fig. 2, bei der das gleiche Original 26 kopiert werden soll, die Intensität des von den weißen Bereichen reflektierten Lichtes eine vorbestimmte Intensität, allgemein alsG bezeichnet, und höher als die von den Bereichen 27 reflektierte ist und eine Spannung V einer vorbestimmten Größe und eine Frequenz f an den Elektroden l8 und 23 für die Zeit t angelegt wird,Referring to Figure 1, there is an original document 26 which is to be replicated should, shown. The surface of the document has dark areas 27 and white or lighter areas 28, which both together determine a light pattern. If the original document of lamps is illuminated, the light reflected therefrom is passed through a lens 30 onto the photoconductive layer 22 of the electrode arrangement l8 projected. If, as in Fig. 2, the same original 26 to be copied, the intensity of the from the white areas reflected light has a predetermined intensity, generally denoted as G, and higher than that reflected from areas 27 and a voltage V of a predetermined magnitude and a frequency f are applied to the electrodes l8 and 23 for the time t,

9Q9845/U32 -/-9Q9845 / U32 - / -

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

wird der Widerstandswert der photoleitenden, normalerweise isolierenden Schicht 22 in Bereichen, die von Licht der Intensität G getroffen wurden, mit dem Ergebnis in einer noch zu beschreibenden Weise sehr stark erniedrigt, daß die Dichte des elektrischen Flusses durch Bereiche des Aufnahmeblattes, die an Bereiche der Schicht 22 anliegen, die durch Licht der Intensität G getroffen wurden, zunimmt. Auf diese Weise erreicht der Potentialgradient oder der Spannungsabfall über diesen Bereichen des Aufnahmeblattes im wesentlichen den Wert E und ist damit hinreichend groß, um bei der angewendeten Frequenz das Aufnahmeblatt auf die Aufnahmetemperatur in einer Zeit t zu erwärmen. Die so entwickelte Wärme erzeugt sie tbare Markierungen in der Schicht 17 des Aufnahmematerialblattes in Bereichen 31 (Fig.. 2) entsprechend den Dokumentbereichen 28 (Fig. l). Das heißt, daß das Aufnahmematerial in entgegengesetzten Bereichen der photoleitenden Platte 22, die von Licht einer Intensität G getroffen wurden, markiert wird, wodurch ein Negativ des Lichtmusters entsteht, welches von dem Originaldokument 26 projiziert wurde.is the resistance of the photoconductive, usually insulating Layer 22 in areas struck by light of intensity G, with the result in a yet to be described Way that very much lowers the density of the electric flow through areas of the recording sheet which abut areas of the layer 22 which have been struck by light of intensity G, increases. In this way, the potential gradient or voltage drop across these areas of the receiving sheet is essentially achieved the value E and is thus large enough to bring the recording sheet to the recording temperature at the frequency used to heat up in a time t. The heat developed in this way produces a beneficial effect Markings in the layer 17 of the recording material sheet in areas 31 (FIG. 2) corresponding to the document areas 28 (Fig. L). That is, the recording material in opposite Areas of the photoconductive plate 22 exposed to light of an intensity G, is marked, creating a negative of the light pattern projected from the original document 26 became.

Immer, wenn die Intensität des Umgebungslichtes höher als die Intensität G des Lichtes ist, welches die Markierung bewirkt, wird die photoleitende Elektrodenanordnung l8 normalerweise yon dem Umgebungslicht abgeschirmt. Wenn jedoch der Pegel des Umgebungslichtes niedriger als die Intensität G des Lichtes ist, die zur Bewirkung der Markierung oder der Aufnahme erforderlich ist, braucht die Anordnung l8 nicht von dem Umgebungslicht abgeschirmt ,zu werden. .. . -/- Whenever the intensity of the ambient light is higher than the intensity G of the light which causes the marking to become the photoconductive electrode assembly 18 is normally shielded from ambient light. However, if the level of ambient light is lower than the intensity G of the light required to effect the marking or recording the arrangement 18 not to be shielded from the ambient light. ... - / -

909845/1432 /. ßAD original909845/1432 /. ß AD original

Venn, wie in Fig. 3t die photoleitende Elektrodenanordnung l8 von Lampen 32 beleuchtet wird, die alleine für Licht von Markierungsinteneität G sorgen und die Elektrodenanordnung l8 gleichzeitig dem Licht ausgesetzt ist, das 'von dem Dokument 26 reflektiert wird, bei dem das von den weißen Bereichen 28 reflektierte Licht eine höhere Intensität, allgemein als G bezeichnet, besitzt, so verhindert die letztere eine Markierung des Aufnahmeblattes an den Bereichen der photoleitenden Schicht 22, die durch Licht eine*Intensität G getroffen wurde. Dann ist das aufgenommeneVenn, as in FIG. 3t, the photoconductive electrode arrangement 18 is illuminated by lamps 32, which are solely for light of marking intensity G and the electrode arrangement 18 is simultaneously exposed to the light reflected from the document 26 in which the light reflected from the white areas 28 has a higher intensity, generally referred to as G, in this way, the latter prevents marking of the recording sheet in the areas of the photoconductive layer 22 which are exposed to light an * intensity G was hit. Then that is recorded

Original-Original-

Muster ein Positiv des Lichtmusters, das von dem»Dokument projiziert wurde.Pattern a positive of the light pattern projected from the »document became.

Zur Erläuterung dieses Verhaltens kann die Parallel-Plattenanordnung von Fig. 1 bei Betrachtung der Wege durch einen Elementarbereich von der Platte 21 zu der Platte 23 in einem elektrischen Ersatzschaltbild nach Fig. k dargestellt werden. In Fig. k enthält jeder wirksame Weg durch einen solchen Elementarbereich ein Parallel-RC-Glied 33, welches das elektrische Verhalten des Materials der photoleitenden Schicht 23 wiedergibt, in Reihe mit einem Parallel-RC-Glied 3^i welches die Eigenschaften des Aufnahmeblattmaterials wiedergibt. Typischerweise ist der Reaktanzwert X der photoleitenden Schicht im wesentlichen gleich dem Reak-To explain this behavior, the parallel plate arrangement of FIG. 1 can be represented in an electrical equivalent circuit diagram according to FIG. K when considering the paths through an elementary area from the plate 21 to the plate 23. In Fig. K , each effective path through such an elementary region contains a parallel RC element 33, which reproduces the electrical behavior of the material of the photoconductive layer 23, in series with a parallel RC element 3 ^ i which reproduces the properties of the receiving sheet material . Typically, the reactance value X of the photoconductive layer is essentially equal to the reactance

tankwert X des Aufnahmeblattes. Der Dunkelwiderstandswert R , cr phtank value X of the recording sheet. The dark resistance value R, c r ph

der photoleitend€·η Schicht ist größer als der Widerstandswert R des Aufnalimeblattee und beide, R und R , sind bei den angewendeten Hochfrequenzen größer als die entsprechenden Reaktanzwertethe photoconductive layer is greater than the resistance value R of the recording sheet and both, R and R, are with the applied High frequencies greater than the corresponding reactance values

X und X . Bei lOO Megahertz, der Frequenz, bei der der Verlust-Cph CrX and X. At 100 megahertz, the frequency at which the loss- C ph C r

9098 Λ W , 39098 Λ W, 3

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

faktor für typische Aufnahmeblattmaterialien nahe bei seinem Spitzenwert liegt, und wenn man einen vom Licht getroffenen Elementarbereich von 0,25 cm χ 0,25 cm (0,1 inch χ 0,1 inch) Fläche und eine Dicke der Schicht 22 und des Aufnahmeblattes 15 von jeweils etwa ÖO Mikrometer (0,003 inch) annimmt und für die Dielektrizitätskonstanten der photoleitenden Schicht und des Aufnahmeblattes jeweils einen Wert von etwa 3 nimmt, so haben diese Parameter folgende ^ Werte; ,factor for typical receiver sheet materials is close to its peak, and considering a light struck elemental area of 0.25 cm by 0.25 cm (0.1 inch by 0.1 inch) area and a thickness of layer 22 and receiver sheet 15 of about ÖO micrometers (0.003 inch) each and takes a value of about 3 for the dielectric constants of the photoconductive layer and the receiving sheet, these parameters have the following values; ,

R , (dunkel oder Umgebungslicht) «■ 3 x 10 0hmR, (dark or ambient light) «■ 3 x 10 0hm

H « ll.ß KiI. ohmH'll.ß KiI. ohm

X = 700 0hm C PhX = 700 ohms C P h

X = 700 0hm. cX = 700 ohms. c

Fig. 5 zeigt die Serien-Äquivalent-Schaltung der photoleitenden Schicht und das Aufnahmeblattmaterials in jedem Weg eines Elementarbereichs, wobei die zu der photoleitenden. Schicht und dem Aufnahmeblatt gehörenden Parallelschaltungen 33 und 3k sich aufFig. 5 shows the series equivalent circuit of the photoconductive layer and the receiving sheet material in each path of an elementary region, the one to the photoconductive. Layer and the recording sheet belonging parallel circuits 33 and 3k on

* einen Äquivalent-Widerstandswert R und einen Äquivalent-Reaktanz- * an equivalent resistance value R and an equivalent reactance

verri ligern et*verri ligern et *

wert X Yi wobei die Werte R und X auf bekannte Weise durch eq eq eqvalue X Yi where the values R and X are represented in a known manner by eq eq eq

die folgenden Ausdrücke bestimmt sind:the following expressions are intended:

r2r2

RR.
eqeq
aa RR. SS. RR. RXRX CC.
XX
eqeq
22 ++ X2 X 2
CC.
-JR-JR 2X 2 X
CC.
22 X2 X 2
CC.

(4) (5)(4) (5)

9 0 9 8 U S / 1 A 3 , BAD9 0 9 8 U S / 1 A 3, BAD

In diesen Gleichungen ist, wenn R>X :In these equations, if R> X:

·' C· 'C

x2 x 2

R ett - __£_ und X » -JX R Ceq C R ett - __ £ _ and X »-JX R C eq C

und somit die Reihenimpedanz:and thus the series impedance:

X2 Z = c - jX (6)X 2 Z = c - jX (6)

3 R C 3 R C

wenn:if: R
eq
R.
eq
R aR a X X c « X
C
eq
X
C.
eq
so folgt:so follows: zz R
= 2
R.
= 2
undand
und somit:and thus: R
= 2
R.
= 2
.J3 .J 3

rfenn R<X , so folgt:rf R <X, then it follows:

R * R und X a -rrJR * R and X a -rrJ

eq c Xeq c X

1 eq c 1 eq c

und somit: .D2and thus: . D 2

Zo-R ^p- . (8)Z o -R ^ p-. (8th)

S ΛS Λ

Da, wie oben erwähnt, der Widerstandswert des Aufnahmeblattes R größer als sein Reaktanzwert bei der angewendeten Frequenz ist, Since, as mentioned above, the resistance value of the recording sheet R is greater than its reactance value at the frequency used,

diethe

so ist Äquivalentimpedanz Z des Aufnahmeblattes, wenn man dieso is the equivalent impedance Z of the recording sheet when you consider the

r Aufnahmeblattparameter der obigen Formeln einsetzt}r uses the recording sheet parameters of the above formulas}

X2 X 2

r r konstant* -/··r r constant * - / ··

909845/1432 ' sad original909845/1432 'sad original

Der Widerstandswert der photoleitenden Schicht jedoch verändert oich umgekehrt mit der Lichtintensität und, wenn der Widerstandswert unter den Wert ihres Reaktanzwertes bei den angewendeten Frequenzen gebracht werden könnte, so wäre die Größe der Äquivalent-Reihßnimpedanz Z der photoleitenden isolierenden Schicht, wieThe resistance value of the photoconductive layer, however, changes inversely with the light intensity and when the resistance value could be brought below the value of their reactance value at the frequencies used, the size of the equivalent series impedance would be Z of the photoconductive insulating layer, such as

Sph
in der Kurve 35 der Fig. 6 dargestellt, bei einem relativ niedrigen
S ph
shown in curve 35 of Fig. 6, at a relatively low

Wert, verglichen mit der Größe der Äquivalent-Reihenimpedanz ZValue compared to the magnitude of the equivalent series impedance Z

^ (Gleichung 9) des Aufnahmeblattmaterials. Somit erscheint im wesentlichen die gesamte Spannung V über der Aufnahmeblattimpedanz Z und wird wirksam, um das Aufnahmeblatt in einer Zeit t auf^ (Equation 9) of the receiving sheet material. Thus appears in essence the total voltage V across the recording sheet impedance Z and takes effect on the recording sheet at a time t

r
Aufnahmetemperatur dielektrisch zu erwärmen. Folglich ist die natürlicherweise zu erwartende Betriebsweise der Parallel-Plattenanordnung die Erzeugung von Negativen, d.h. das Markieren des Aufnahmematerials, welches an solchen Bereichen der photoleitenden Schicht anliegt, die von dem Licht getroffen wurden (Fig.2).
r
To heat the recording temperature dielectrically. Consequently, the naturally expected mode of operation of the parallel plate arrangement is the generation of negatives, ie the marking of the recording material which is in contact with those areas of the photoconductive layer that have been struck by the light (FIG. 2).

Bis jetzt wurde jedoch kein käufliches photoleitendes Material ψ gefunden, dessen Widerstandswert auch bei Exposition sehr hoher Lichtintensitäten auf Werte gebracht werden kann, die sich ihren Reaktanzwert nähern, geschweige denn wesentlich niedriger ist als ihr Reaktanzwert bei Frequenzen in dem angewendeten 100 Mega-Hertz-Bereich. In Fig. 6 stellt die Kurve 35 den Verlauf vonSo far, however, no commercially available photoconductive material ψ has been found whose resistance value, even when exposed to very high light intensities, can be brought to values that approach their reactance value, let alone is significantly lower than their reactance value at frequencies in the applied 100 megahertz range . In Fig. 6, the curve 35 represents the course of

_ und_ and

Z auf halblogarithmischer Skala^R , auf einer logarithmischenZ on a semi-logarithmic scale ^ R, on a logarithmic scale

Sph pn S ph pn

Skala dar, und die gepunktete Linie kl teilt die Kurve 35 in demScale represents, and the dotted line kl divides the curve 35 in the

Punkt, in dem der Wert von R . dem Wert X gleich ist. Da je-Point at which the value of R. is equal to the value X. Since every-

p cph pc ph

doch, wie oben erwähnt, R , durch Lichteinwirkung nicht auf diesen Wert gebracht werden kann, bleibt der Impedanzwert Z der photo- but, as mentioned above, R, cannot be brought to this value by the action of light, the impedance value Z remains the photo-

ph /ph /

Ö0984S/U32Ö0984S / U32

BAD OMGiHALBAD OMGiHAL

leitenden Schicht innerhalb des Bereiches der Kurve 35 auf der rechten Seite der Linie ^l in Fig. 6 hoch und die Spannungsteilung zwischen den Impedanzen der photoleitenden Schicht und des Aufnahmeblattes in der Schaltung nach Fig. 5 vollzieht sich so, daß der Spannungsabfall über der Aufaahmeblattimpedanz Z ,dessenconductive layer within the area of curve 35 on the right side of the line ^ l in Fig. 6 high and the voltage division between the impedances of the photoconductive layer and the receiving sheet in the circuit of FIG. 5 takes place so that the voltage drop across the Aufaahmeblattimpedanz Z, whose

r konstante Größe durch die gepunktete Linie 38 wiedergegeben ist,r constant magnitude is represented by the dotted line 38,

zur Markierung nicht ausreicht.is insufficient for marking.

In Abwesenheit eines photoleitenden Materials, dessen Widerstandswert unter seinen Heaktanzwert gebracht werden kann, der bei Mega-Hertz-Frequenzen sehr niedrig ist, kann dieser Vorgang das Aufnahmeblatt an den von Licht getroffenen Bereichen der photoleitenden ""Schicht nicht selektiv dielektrisch erwärmen.In the absence of a photoconductive material, its resistance value can be brought below its heactance value, which is at mega-Hertz frequencies is very low, this process can affect the light-struck areas of the photoconductive sheet "" Do not selectively heat the layer dielectrically.

Bei experimentellen Versuchen, den Widerstandswert der photoleitenden Schicht 22 mit Lichtpunkten hoher Intensität G herunterzubringen, wurde unerwartet festgestellt, daß das Aufnahmeniaterial in Bereichen markiert wurde, die an Bereichen der Schicht 22 außerhalb des Punkts anlagen. Das bedeutet, da8 Bereiche, die einer niedrigeren Intensität G ausgesetzt waren, markiert wurden. Diese niedrigere Intensität G wurde durch ein Lichthalo um den Lichtfleck hoher Intensität erzeugt. Das Halo entstand offensichtlich aus innerer Heilektion in dem Glas oder wurde durch Umgebungslicht der Intensität G erzeugt. Auf diese rfeise wurde gefunden, daß das Materialproblem in der Parallelplnttenanordnung durch Regelung des Beleachtungspegels gelöst werden konnte. Hierbei wird eine Lichtintensität ü ausgewählt, bei der, wie man jetzt glaubt,In experimental tests, the resistance value of the photoconductive Bringing down layer 22 with spots of high intensity G, it was unexpectedly found that the recording material has been marked in areas that are on areas of the layer 22 outside of the point. This means that there are areas that one lower intensity G were marked. These lower intensity G was due to a halo of light around the light spot high intensity generated. The halo was evidently formed from internal healing in the glass or was caused by ambient light of intensity G. In this way it was found that the Material problem in the parallel system arrangement due to regulation the exposure level could be solved. Here is a Light intensity ü selected at which, as is now believed,

909 8 4b/ι43 2 ,909 8 4b / ι43 2,

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

die Energieabgabe in der photoleitenden Schicht ein Maximum hat. Hierdurch wird das Erwärmen der photoleitenden Schicht gefördert, um deren Widerstandswert niederiger als ihren Reaktanzwert zu machen. Im einzelnen wurde gefunden, daß,durch Anwendung einesthe energy output in the photoconductive layer has a maximum. This promotes the heating of the photoconductive layer, to make their resistance value lower than their reactance value. Specifically, it has been found that, by using a

der
Lichtintensitätspegels G den Widerstandswert der photoleitenden
the
Light intensity level G is the resistance value of the photoconductive

Materialien 22 gegen den des Aufnahmeblattes vermindern wurde, ein viel höherer Wert als der der Photoleiterreaktanz bei 100Materials 22 versus that of the receiver sheet would decrease, a value much higher than that of the photoconductor reactance at 100

erreicht wurde Mega-Hertz, und im einzelnen ein Weri% so daß die Reihen-Äquivalent-Impedanzen der photoleitenden Schicht und des Aufnahmeblattes, Z und Z , jeweils im wesentlichen angepaßt wurden. EinMega Hertz was achieved, and specifically a value of 1% so that the series equivalent impedances of the photoconductive layer and the receiver sheet, Z and Z, were substantially matched, respectively. A

ph r
Maximum an Energie wurde hier über der photoleitenden Schicht in Bereichen abgegeben, die von der Lichtintensität G getroffen wurden.
ph r
The maximum amount of energy was emitted here over the photoconductive layer in areas that were hit by the light intensity G.

In Fig. 7 gibt die Kurve 36 die Veränderung der Energieabgabe über der Serien-Äquivalent-Iinpedanz der photoleitenden Schicht nach Fig. 5 mit der Veränderung der Photoleiterimpedanz wieder, die durch Veränderungen in R . mit der Lichtintensität verursacht wird. Die Kurve 37 gibt die Veränderung in der Energieabgabe über der konstanten Aufnahmeblattimpedanz mit Veränderungen der Impedanz der photoleitenden Schicht wieder. Man sieht, daß in Übereinstimmung mit bekannten physikalischen Gesetzen ein Maximum an Energie über der photoleitenden Schicht abgegeben wird, wenn ihre Impedanz der des Aufnahmeblattes angepaßt ist. Dies ist die Bedingung, die durch den Schnittpunkt zwischen der Kurve 35 und der Linie 38 in Fig. 6 und den Schnittpunkt zwischen den Kurven36 und 37 und der Linie in Fig. 7 angezeigt wird. Die Energieabgabe in Form von WärmeIn FIG. 7, curve 36 transfers the change in the energy output the series equivalent impedance of the photoconductive layer according to Fig. 5 again with the change in photoconductor impedance caused by changes in R. caused by the intensity of the light. the Curve 37 gives the change in the energy output over the constant recording sheet impedance with changes in the impedance of the photoconductive layer again. You can see that in agreement with known physical laws a maximum of energy is given off over the photoconductive layer if its impedance is the of the recording sheet is adapted. This is the condition indicated by the intersection between curve 35 and line 38 in FIG. 6 and the intersection between curves 36 and 37 and the line is displayed in FIG. The energy output in the form of heat

909045/1432. BAD 909045/1432. BATH

wirkt in der Art, da der Widerstandswert des photoleitenden Materials sich umgekehrt zur Temperatur verändert, aaß der Widerstandswert des Photoleiters unter seinen Reaktanzwert gebracht wird mit dem Ergebnis, daß die Reihen-Äquivalent-Impedanz Z des Photolei- acts in such a way that the resistance value of the photoconductive material changes inversely with the temperature, a a ß the resistance value of the photoconductor is brought below its reactance value with the result that the series equivalent impedance Z of the photoconductor

Sph ter-RC-Gliedes schnell auf einen vernachlässigbaren Wert abfällt, was durch die Reihen-Äquivalent-Impedanz Kurve 35 links von der Linie kl in Fig. 6 gezeigt wird. Demzufolge erscheint fast die gesamte Spannung V über der Aufnahmeblattimpedanz Z und besitzt S ph ter-RC element drops rapidly to a negligible value, which is shown by the series equivalent impedance curve 35 to the left of the line kl in FIG. As a result, almost all of the voltage V appears across the recording sheet impedance Z and has

eine Größe E1 die ausreicht, um das Aufnahmeblatt auf eine Aufnahmetemperatur in einer Zeit t in Bereichen zu erwärmen, die an den Bereichen der photoleitenden Platte anliegen, die von der Lichtintensität G getroffen wurden. Somit werden Negative, wie in Fig. 2, erzeugt.a size E 1 which is sufficient to heat the recording sheet to a recording temperature in a time t in areas which are in contact with the areas of the photoconductive plate which have been struck by the light intensity G. Thus, negatives as in Fig. 2 are produced.

Wie oben in Zusammenhang mit Fig. 3 bemerkt wurde, können genau so gut Positive das einfallenden Lichtmusters aufgenommen werden. Der unerwartete Effekt, daß Licht relativ niedriger Intensität G eine Impedanzanpassung zwischen der photoleitenden Schicht und dem Aufnahmeblatt bewirkt, wodurch eine Erwärmung in der photoleitenden Schicht und demzufolge eine Erniedrigung ihres Widerstandswertes (und Impedanzwertes) auf einen vernachlässigbaren Wert entsteht. Hierdurch können, wie oben erwähnt, sowohl Negative als auch Positive erzeugt werden.As noted above in connection with FIG. 3, exactly the same can good positives of the incident light pattern can be received. The unexpected effect that light of relatively low intensity G a Impedance matching between the photoconductive layer and the receiving sheet causes heating in the photoconductive layer and consequently a decrease in its resistance value (and impedance value) to a negligible value. In this way, as mentioned above, both negatives and positives can be generated.

Wenn die auf den Photoleiter, d.h. das photoleitende Material der Schicht 22, fallende Lichtintensität GR. auf einen solchen Wert verringert, daß Z kleiner als Z (gepunktete Linie 38»Fig.6)When the on the photoconductor, i.e. the photoconductive material of the Layer 22, GM falling light intensity. to such a value reduces that Z is smaller than Z (dotted line 38 »Fig.6)

ph rph r

ist, (Ui., daß eine Fehlanpassung eintritt, oder auf einen solchenis, (Ui. that a mismatch occurs, or to such a

909845/U3-2 _/.909845 / U3-2 _ /.

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

Wert (links von der Linie 39> Fig. 7)» daß ungenügend Energie in der photoleitenden Schicht zu ihrer merklichen Erwärmung und damit Verminderung ihres Widerstandswertes R , (und Z ) und zur Value (to the left of the line 39> Fig. 7) »that there is insufficient energy in the photoconductive layer to noticeably heat it up and thus reduce its resistance value R, (and Z) and for

ph s , phph s, ph

genügend großen Spannung an der Aufnahmeimpedanz Z abgegebenSufficiently large voltage delivered at the recording impedance Z.

r wird; damit würde keine Markierung in Bereichen auftreten, wor will; thus no marking would occur in areas where

Licht hoher Intensität G auf die photoleitende Schicht auffällt.High intensity light G is incident on the photoconductive layer.

CmICmI

Im einzelnen wird, um ein Positiv des Dokuments 26 zu erhalten, die photoleitende Schicht 22 Umgebungslicht ausgesetzt oder einem Vorbeieuchtungs- oder Untergrundlicht, welches von Lampen 32 der oben bezeichneten Markierungsintensität G erzeugt wird. Dieses führt zu einer Impedanzanpassung zwischen den Parametern der photoleitenden Schicht und des Aufnahmeblattes, so daß eine Markierung an den oben bezeichneten Stellen bewirkt wird. Die photoleitende Platte wird jedoch gleichzeitig Licht mit hoher Intensität G ausgesetzt, welches von Bereichen 28, wie in Fig. 3 gezeigt, über Steuerung der Lampen 29 reflektiert wird. Hierdurch soll eine Fehlanpassung zwischen den Impedanzen der photoleitenden Schicht und des Aufnahmeblattes bewirkt werden. Unter diesen Bedingungen liegt, wie oben erwähnt, eine ungenügende Spannung über dem Aufnahmeblatt, welches an Bereiche der photoleitenden Schicht grenzt, die durch Licht der Intensität G getroffen wurdeni Hierdurch wird sein dielektrisches Erwärmen verhindert, wodurch ein Positiv, wie in Fig. 3 gezeigt, zu dem Original 26 von Fig. 1 gebildet wird. In particular, in order to obtain a positive of the document 26, the photoconductive layer 22 is exposed to ambient light or a Vorbeieuchtungs- or background light, which from lamps 32 of the Marking intensity G referred to above is generated. This leads to an impedance matching between the parameters of the photoconductive layer and the receiving sheet, so that a marking is effected at the points indicated above. However, the photoconductive plate becomes light of high intensity at the same time G exposed, which of areas 28, as shown in Fig. 3, is reflected by controlling the lamps 29. This is intended to result in a mismatch between the impedances of the photoconductive Layer and the receiving sheet are effected. Under these conditions, as mentioned above, there is insufficient voltage across the receiving sheet, which is attached to areas of the photoconductive layer that were struck by light of intensity Gi thereby its dielectric heating is prevented, thereby forming a positive as shown in FIG. 3 to the original 26 of FIG.

In Fig. 8 wird eine Ausführungsform gezeigt, die als Zweidraht-Anordnung bezeichnet wurde. Ein Paar von auseinanderliegenden Drahtelektroden k2 und 43 mit einem Durchmesser in der Größen- In Fig. 8 there is shown an embodiment which has been referred to as a two-wire arrangement. A pair of spaced apart wire electrodes k2 and 43 with a diameter on the order of

909845/1432909845/1432

- 27 -- 27 -

Ordnung von etwa 0,63 cm (0,250 inch) erstrecken sich über die Breite einer geeignet gehaltenen photoleitenden plattenförmigen Elektro.de mit einer photoleitenden, normalerweise isolierenden Schicht 44, welche selbsttragend oder in Seidengewebe getränkt oder auf Seidengewebe aufgebracht sein kann} es kann aber auch ein Überzug auf Glas oder Glimmer sein. In einer Ausführungsform wurde die photoleitende Platte aus Sylvania P-l4 Photoleitermaterial, gemischt in einem Verhältnis voi. 2,5! 1 mit Union Carbide Harz LKSA-OlOO und in Seidengewebe imprägniert, hergestellt. Die photoleitende Platte 44 wird geeignet in Berührung mit den Elektroden 42 und 43 gehalten. Ein Aufnahmeblatt 15 kann mit seinem wärmeempfindlichen Überzug 17 gegen und in engem Rontakt mit der photoleitenden Platte 44 gehalten werden. Wenn eine Hochfrequenz-Wechselspannung E von einer Quelle 45 an die auseinanderliegenden Elektroden 42 und 43 für eine Zeit t gelegt wird, die von einem elektronischen Zeitgeber ,25 festgelegt wird, wird ein elektrisches Feld aufgebaut, welches sich durch die Ebenen der photoleitenden Platte 44 und das Aufnahmeblattes 15 erstreckt. Bei dieser Ausführungsform kann die Funktion der photoleitenden Platte 44 als die einer Elektrode angesehen werden, d.h. als Weiterführung der Zuführungselektroden 42, 431 da sie die Dichte des elektrischen Feldes als Funktion ihrer Leitfähigkeit steuert. In den dunklen Bereichen oder in den Bereichen, die der Umgebungsbeleuchtung ausgesetzt sind, was der Fall sein kann, wie in der Beschreibung der Parallel-Plattenanordnung erwähnt wurde, ist die Dichte des Feldes nicht groß genug in dem Aufnahmematerial, um dieses auf Aufnahme- d.h. Markierungstemperatur in einer vorbestimmten Zeit t zu erwärmen.Order of about 0.63 cm (0.250 inch) extend across the Width of a suitably held photoconductive plate-shaped Elektro.de with a photoconductive, normally insulating layer 44, which is self-supporting or impregnated in silk fabric or can be applied to silk fabric} but it can also be a coating on glass or mica. In one embodiment the photoconductive plate was made of Sylvania P-l4 photoconductive material, mixed in a proportion voi. 2.5! 1 with Union Carbide LKSA-OlOO resin and impregnated in silk fabric. The photoconductive plate 44 is suitably in contact with the electrodes 42 and 43 held. A recording sheet 15 can with its heat-sensitive Overlay 17 can be held against and in close contact with photoconductive plate 44. When a high frequency alternating voltage E is applied from a source 45 to the spaced electrodes 42 and 43 for a time t determined by a electronic timer, 25 is set, an electric field is built up, which is spread through the layers of photoconductive Plate 44 and the receiving sheet 15 extends. In this embodiment For example, the function of the photoconductive plate 44 can be regarded as that of an electrode, i.e. as a continuation of the Lead electrodes 42, 431 as they increase the density of the electrical Field as a function of its conductivity. In the dark Areas or in those areas exposed to ambient lighting, which may be the case, as in the description the parallel plate arrangement was mentioned, the density of the field is not large enough in the recording material to accommodate it Uptake, i.e. marking temperature in a predetermined time t to warm up.

9098U/U3,:9098U / U3 ,:

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

Wie in Fig, 8 gezeigt, kann das zu reproduzierende Abbild ein photographisches Negativ 46 mit transparentem, d.h. lichtdurchlässigen Dereichen 47 und dunklen, d.h. nicht lichtdurchlässigen Bereichen 48 sein. Eine Lampe 49 richtet Licht durch das Negativ 46 über die Kollimierungslinse 51 und das Licht, welches durch die transparenten Dereiche 47 dringt, wird durch eine Linse 52 auf die photoleitende Platte 44 abgebildet. Andererseits kann Licht durch Reflektion von weißen Dereichen 28 eines Originaldokuments 26, welches reproduziert werden soll, in der in Fig. 1 gezeigten Weise durch eine Linse 52 auf die photoleitende Platte gerichtet werden.As shown in Fig. 8, the image to be reproduced may be a photographic negative 46 which is transparent, i.e. translucent The rich 47 and dark, i.e. not translucent Areas 48 be. A lamp 49 directs light through the negative 46 through the collimating lens 51 and the light passing through the transparent area 47 penetrates through a lens 52 mapped onto the photoconductive plate 44. On the other hand, light can be caused by reflection from white areas 28 of an original document 26 to be reproduced, as shown in Fig. 1, through a lens 52 onto the photoconductive plate be judged.

Die Zweidraht-Anordnung unterscheidet sich von der Parallel-Plattenanordnung darin, daß das Feld, welches zwischen den Elektroden und 43 aufgebaut ist, sich durch die Ebenen der photoleitenden Schicht 44 und die Ebene des Aufnahmeblattes 15 mit dem Ergebnis erstreckt, daß die Quellenspannung E normalerweise, d.h. bei gleichmäßiger Lichtverteilung, gleichmäßig über jeden Elementar-Heihenabschnitt zwischen den Elektroden abfällt. Nimmt man drei Abschnitte a, b und c und eine Quellenspannung E an, so liegt eine Spannung — über jedem Abschnitt im Dunkeln oder bei Umgebungsbeleuchtung, was der Fall sein kann. Wenn Licht auf einen der Abschnitte gerichtet wird, z.D. den Abschnitt b, was den Widerstandsweit der photoleitenden Platte vermindert, so würde die Größe seiner Impedanz in Übereinstimmung mit der Kurve 35 in Fig. 6 ebenfalls abfallen, mit dem Ergebnis, daß die Spannungsabfälle über den Abschnitten a und c entsprechend zunehmen. Wenn dieser genügend groß ist, um den größeren Teil des Feldes hineinzuführen, würdenThe two-wire arrangement differs from the parallel plate arrangement in that the field established between electrodes 16 and 43 extends through the planes of photoconductive layer 44 and the plane of receiving sheet 15 with the result that the source voltage E is normally , ie with uniform light distribution, drops evenly over each elementary height section between the electrodes. Assuming three sections a, b and c and a source voltage E, there is a voltage - over each section in the dark or with ambient lighting, which may be the case. If light is directed onto one of the sections, e.g. section b, which reduces the resistance of the photoconductive plate, the magnitude of its impedance would also decrease in accordance with curve 35 in FIG. 6, with the result that the voltage drops across the Increase in sections a and c accordingly. If this is large enough to bring in the greater part of the field, would

9 0 9 8 U 5 / ι k 3 2 w' 9 0 9 8 U 5 / ι k 3 2 w '

SADSAD

dadurch die anliegenden Abschnitte des Aufnahmeblattes in einer gewissen Zeit t dielektrisch erwärmt. Die natürlicherweise erwartete Arbeitsweise der Zweidraht-Anordnung ist daher die Erzeugung von Positiven; d.h., es tritt keine Markierung in Bereichen des Aufnahmeblattes auf, welche an Bereiche der photoleitenden Schicht kk angrenzen, die von Licht getroffen wurden.as a result, the adjacent sections of the recording sheet are dielectrically heated in a certain time t. The naturally expected mode of operation of the two-wire arrangement is therefore the generation of positives; that is, no marking occurs in areas of the receiving sheet which adjoin areas of the photoconductive layer kk which have been struck by light.

Wie oben erwähnt, wurde bisher kein photoleitendes Material gefunden, dessen Widerstandswert unter seinen Reaktanzwert bei den angewendeten Frequenzen gebracht werden kann. Eine genügende Verminderung des Widerstandswertes der photoleitenden Platte in Richtung ihres Reaktanzwertes auf der rechten Seite der Linie kl in Fig.6 kann jedoch mit Licht hoher Intensität G erreicht werden, um einen genügenden SpannungsZuwachs an den nicht vom Licht getroffenen Bereichen zu bewirken, damit die entsprechend angrenzenden BereicheAs mentioned above, no photoconductive material has yet been found whose resistance value can be brought below its reactance value at the frequencies used. A sufficient reduction in the resistance value of the photoconductive plate in the direction of its reactance value on the right-hand side of the line kl in FIG adjacent areas

t des Aufnahmeblattes markiert werden. t of the recording sheet are marked.

Es soll, hier bemerkt werden, daß, wenn der Widerstandswert der photoleitenden Schicht unter ihren Reaktanzwert gebracht werden könnte, was die Impedanz des photoleitenden Materials, welches von Licht getroffen wurde, z.B. im Abschnitt b, auf einen vernachlässigbaren Wert führen würde, die Spannung an jedem der Abschnitte a und c im wesentlichen gleich der Hälfte der Quellenspannung wäre und Markierung in der Art eintreten würde, daß Positive in kürzuren Zeitintervalle!! entstellen.It should be noted here that when the resistance value is the photoconductive layer could be brought below its reactance value, which affects the impedance of the photoconductive material hit by light, e.g. in section b, would result in a negligible value, the voltage at each of the sections a and c would be substantially equal to half the source voltage and marking would occur such that positives in shorter time intervals !! disfigure.

Wenn in den Fig. 8 und 9 das Licht von der Lampe ^9 eine hohe Intensität G hat, wird die Markierung des Aufnahmeblattes in Berei-If in Figs. 8 and 9 the light from the lamp ^ 9 has a high intensity G, the marking on the recording sheet is

9 0 9 8 k b / U 3 2 "7"9 0 9 8 k b / U 3 2 " 7 "

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

... 30 -... 30 -

chen, die an die von der Lichtintensität GQ getroffeneri Bereiche angrenzen, entsprechend den lichtdurchlässigen Bereichen 47 verhindert; sie tritt aber in Bereichen des Aufnahmeblattes auf, wo kein Licht der Intensität Gr) auffällt. Auf diese iiteise wird ein Positiv (Fig. 9) des photographischen Negativs 46 erzeugt.surfaces, which adjoin the areas struck by the light intensity G Q , are prevented in accordance with the transparent areas 47; however, it occurs in areas of the recording sheet where no light of intensity G r) is incident. In this way, a positive (FIG. 9) of the photographic negative 46 is produced.

Wenn jedoch das Licht der Intensität G von der Lampe 49 wie im β folgenden mit niedrigerer Intensität aufgebracht wird, so tritt W Markierung des Aufnahmeblattes in Bereichen auf, die an Bereiche der photoleitenden Schicht angrenzen, die von der Lichtintensität G getroffen wurden, entsprechend den lichtdurchlässigen Bereichen 47· Auf diese Weise wird ein Negativ des photographischen Negativs 46 wie in Fig. 10 erzeugt.However, when the light of the intensity G of the lamp 49 as below in β is applied with lower intensity, so W marker enters the recording sheet in areas on adjoining areas of the photoconductive layer, which have been hit by the light intensity G, corresponding to the light-transmissive Areas 47 · In this way, a negative of the photographic negative 46 as in Fig. 10 is produced.

Für eine mehr ins einzelne gehende Erläuterung nach der angenommenen Theorie zur Erklärung der beobachteten Positiv- und Negativ-Markierungseffekte in der Zweidraht-Anordnung wird auf Fig. 11 ^ verwiesen, welche ein elektrisches Aquivalent-Schaltkreisdiagramm der Anordnung von Fig. 8 zeigt, und auf Fig. 12, welche eine Reihen-Äquivalent-Schaltung der Parallel-RC-SchaLtkreise von Fig. H wiedergibt. Die gepunkteten Linien 50 in Fig. 11 und 12 deuten die Grenzfläche zwischen photoleitender Platte 44 und Aufnahmeblatt 15 von Fig. 8 an.For a more detailed explanation after the accepted one Theory to explain the positive and negative labeling effects observed in the two wire arrangement, reference is made to Fig. 11 ^ which is an electrical equivalent circuit diagram 8, and FIG. 12 which shows a series equivalent circuit of the parallel RC circuits of FIG reproduces. The dotted lines 50 in Figs. 11 and 12 indicate the interface between photoconductive plate 44 and receiving sheet 15 from Fig. 8 onwards.

In der Zweidraht-Anordnung ist der Widerstand Ii des Aufnahmeblattes größer als sein Reaktanzwert X und der Dunkel(oder Umgebungs-In the two-wire arrangement, the resistance is Ii of the receiver sheet greater than its reactance value X and the dark (or ambient

r
lichtJ-Photoleitungsschicht- Widerstandswert R ist größer als ihr
r
lightJ photoconductive layer resistance value R is greater than yours

Reaktanfcwert X . Bei dieser Anordnung ist,nimmt man einen E lein en.-Reactant value X. With this arrangement, one takes a leash.

ph 90984 5/ ι 43 2 -V- ph 90984 5 / ι 43 2 -V-

BAD ORIGiNAtBATH ORIGINAL

tarbereich von etwa Ο,θ63 cm (0,01 square inches) in der Ebene der photoleitenden Platte an, der Reaktanzweit der photoleitenden Platte höher als der Reaktanzwert bei der Parallel-Plattenanordnung ebenso wie der Wert der Kapazität sich, wenn das Feld in den Ebenen eier Platte verläuft, durch einen Dereich A bestimmt, welcher das Produkt der Dicke der photoleitenden Platte und einer Einheitsbreite des Photoleitcrs und einer Dicke d in Feldrichtung ist. Typische Vierte sind, ηimini man an, daß ein Bereich der photoleitenden Schicht, der von Licht getroffen wird, etwa O,O63 cm (0,01 square inches) wie in Fiel hat :tar range of about Ο, θ63 cm (0.01 square inches) in the plane of the photoconductive plate, the reactance value of the photoconductive plate is higher than the reactance value of the parallel plate arrangement just as the value of the capacitance, if the field runs in the planes of a plate, is determined by a region A, which defines the Product of the thickness of the photoconductive plate and a unit width of the photoconductor and a thickness d in the field direction. Typical fourths are, ηimini one assumes that a region of the photoconductive layer, struck by light, about 0.063 cm (0.01 square inches) as in Fiel has:

H1/. . , χ = 10C Ohm
ph (dunkel)
H 1 /. . , χ = 10 C ohms
ph (dark)

R = 1,6 χ 10' 0hmR = 1.6 10 ' 0hm

X = 0,o χ 106 0hmX = 0, o χ 10 6 0hm

X a 0,u x 10 0hm.X a 0, u x 10 0hm.

c
r
c
r

Nimmt man Elementarabschnitte a, b und c einschließlich der photoleitenden Platte kk und des Aufnahmeblattes 15 zwischen den Elektroden an, so ist joder Abschnitt durch ein erstes, in Reihe geschaltetes Parallo1-RC-Glied 53 ausgezeichnet, welches einen Weg in der Fläche der photoleitenden Platte wiedergibt, mit einem zweiten parallel verbundenen RC-Glied <jk als Nebenschluß versehen, welches einen rfo.c durch die Dicke der photoleitenden Platte wiedergibt und in Reiht» mit einem Parallel-RC-ülied 55 geschaltet ist, welches die Aufiiahmeblatt-Parameter darstellt. Die Abschnitte b und c sind ähnlich aufgebaut. Fig. 12 zeigt die Reihen-Äquivalente der Glieder 53, 5'l und 55 von Fig. 11. Die Reihen-Äquivalent-impedanz des Gliedes 53 ist mit Z (Serie) bezeichnet, die des Gliedes 5k Assuming elementary sections a, b and c including the photoconductive plate kk and the receiving sheet 15 between the electrodes, each section is distinguished by a first parallel RC element 53 connected in series, which has a path in the surface of the photoconductive plate reproduces, provided with a second parallel connected RC element <jk as a shunt, which reproduces a rfo.c through the thickness of the photoconductive plate and is connected in series with a parallel RC element 55, which represents the recording sheet parameters. Sections b and c have a similar structure. FIG. 12 shows the series equivalents of the members 53, 5'l and 55 of FIG. 11. The series equivalent impedance of the member 53 is denoted by Z (series), that of the member 5k

9 ü 9 8 ι ' ■ : ·'. 3 i 9 ü 9 8 ι '■ : ·'. 3 i

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

rait Z (parallel) und die dee Gliedes 55 mit Zrait Z (parallel) and the link 55 with Z

sph Sr s ph S r

Im folgenden wird die Erzeugung von Positiven diskutiert. Mit einer Quellenspannung E an den Elektroden 42 und ky hat jeder Abschnitt die Spannung -r an seinem ireihengeschalteten Photoleiter-RC-Glied 53 oder Z (Serie) und eine Spannung -r an der parallel geschalte-The generation of positives is discussed below. With a source voltage E on the electrodes 42 and ky , each section has the voltage -r on its series-connected photoconductor RC element 53 or Z (series) and a voltage -r on the parallel-connected-

s Ph 3 s P h 3

ten Reihenkombination der RC-Glieder 5k und 55 der photiLeitendenth series combination of the RC elements 5k and 55 of the photoconductive

derthe

Platte und des Aufnahmeblattes. In Bezug auf Fig. 12 istVSpannungsabfall an der Aufnahmeblattimpedanz Z , wiedergegeben durch dasPlate and recording sheet. Referring to Figure 12, V is voltage drop at the recording sheet impedance Z, represented by the

E r E r

Glied 55 von Fig. 11, kleiner als ~ um den Betrag des Spannungsabfalles an dem Glied <jk oder Z (parallel). Wenn Licht von hoher Member 55 of FIG. 11, less than ~ by the amount of the voltage drop across the member <jk or Z (parallel). When light from high

Intensität G auf den Abschnitt b gerichtet wird, was z.B. in Fig.9 gezeigt ist, so wird diese den Wert von Z (Serie) merklich ver-Intensity G is directed to the section b, which is shown e.g. in Fig. 9 is shown, this will noticeably reduce the value of Z (series)

Sph ringern (und Z parallel in geringerem Maß als die Widerstands- S ph ring (and Z parallel to a lesser extent than the resistance

8ph ist 8 ph is

fähigkeit in Dickenrichtung der photoleitenden SchichtVviel höher als die Widerstandsfähigkeit in Flächenrichtung ). Hierdurch wird die Spannung an den übrigen Abschnitten a und c genügend erhöht , so daß eine Zunahme des Spannungsabfalls an dem Aufnahmeblatt Z in diesen Bereichen bewirkt wird und Markierung in einer be- ability in the thickness direction of the photoconductive layer (much higher than the resistance in the plane direction). As a result, the tension on the remaining sections a and c is increased sufficiently so that an increase in the tension drop on the receiving sheet Z is brought about in these areas and marking is

r
stimmten Zeit t, wie oben erwähnt, eintritt.
r
correct time t, as mentioned above, occurs.

Im folgenden wird die Erzeugung von Negativen diskutiert. Man nimmt an, daß derselbe Mechanismus zur Anpassung der Impedanz aneinander- grenzender Teile der photoleitenden Platte und des Aufnahmeblattes wie tiei der Negativ-Parallelplatten-Arbeitaweise für die Negativaufnahme bei der Zweidraht-Anordnung, d,h. für den Markierungseffekt, wo da« Licht einfällt, vorausgesetzt werden kann. Venn in einem bestimmten Abschnitt die Impedanz Z (parallel) und Z -/- The generation of negatives is discussed below. It is believed that the same mechanism for matching the impedance of adjoining portions of the photoconductive plate and the recording sheet as that of the negative-parallel-plate operation for negative recording in the two-wire arrangement, i.e. for the marking effect where light can be assumed. If in a certain section the impedance Z (parallel) and Z - / -

909845/U32 ph bad original909845 / U32 ph bad original

der photoleitenden Platte und des Aufnahmeblattes angepaßt sind, wird maximale Energie in diesem Abechnitt der photoleitenden Schicht abgegeben und die darin erzeugte Wärme verringert ihren Widerstandswert unter ihren Reaktanzwert. Wenn daher entsprechend Fig. 12 der Beleuchtungspegel oder die Intensität des Lichtes von der Lampe auf eine Intensität G verringert wird, so daß Z (Serie) sichthe photoconductive plate and the receiving sheet are matched, maximum energy becomes in this section of the photoconductive layer dissipated and the heat generated therein reduces its resistance value below its reactance value. Therefore, if according to FIG. 12 of the Illumination level or the intensity of the light from the lamp is reduced to an intensity G so that Z (series) becomes

Sph nicht wesentlich ändert, um in einer Zeit t Positivaufnahme zu S ph does not change significantly to get positive at a time t

fördern, wie oben erwähnt, so wird der Spannungsabfall an dem Glied 53 für Z (parallel) und die reihfingeschaltete Impedanz Z alspromote, as mentioned above, the voltage drop across the limb 53 for Z (parallel) and the series-connected impedance Z as

ph rph r

konstante Spannungsquelle erscheinen. Die Veränderung in Zconstant voltage source appear. The change in Z

3Ph (parallel) mit Licht der niedrigen Intensität G wird jedoch Z 3 Ph (parallel) with light of low intensity G, however, becomes Z

1 3Ph 1 3 Ph

(parallel) in Richtung einer Anpassung mit der Aufnahmeblattimpedanz Z bewegen, rfenn dies, wie in Zusammenhang mit Fig. 7 er-(parallel) in the direction of matching with the recording sheet impedance If you move Z, do this as described in connection with FIG.

r
läutert, eintritt, wird die Energieabgabe in dem zugehörigen photoleitenden Plattenabschnitt Warme erzeugen und seinen Widerstandswert unter den seines Reaktanzwertes führen und gleichzeitig die
r
Cleans, occurs, the energy output in the associated photoconductive plate section will generate heat and lead its resistance value below that of its reactance value and at the same time the

Impedanz Z (parallel) auf einen vernachlassigbaren Wert, mit S Impedance Z (parallel) to a negligible value, with S.

p E p E

dem.Ergebnis, daß die gesamte Spannung — an Z (Serie) an derThe result is that the entire voltage - at Z (series) at the

3 83 8

Aufnahmeblattimpedanz Z erscheint und ausreicht, den Markierungs-Recording sheet impedance Z appears and is sufficient to

r
effekt in einer Zeit t zu erzeugen. Dies geschieht in Bereichen, wo Licht der Intensität G in dem Lichtmuster die photoleitende Platte trifft, wie in FLg. 10 gezeigt.
r
to produce the effect in a time t. This happens in areas where light of intensity G in the light pattern hits the photoconductive plate, as in FLg. 10 shown.

In Bezug zu Fig. 13 kann eine Positiv-Aufnahme begünstigt, d.h. beschleunigt werden, wenn das gesamte photoleitende Element, einschÜGßlich der Abschnitte a und c, die nicht dem Licht der hohen Intensität G von der Lampe k() ausgesetzt sind, gleichzeitig einem Untergrundlicht, d.h. einer Vorbelichtung von MarkierungsintensitätReferring to Fig. 13, positive recording can be promoted, that is, accelerated, if the entire photoconductive element, including the portions a and c which are not exposed to the high intensity light G from the lamp k ( ) , are simultaneously exposed to background light , ie a pre-exposure of marking intensity

909845/U32 -/~909845 / U32 - / ~

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

G von Vorbelichtungsquellen, wie z.B. Lampen 56, ausgesetztG exposed to pre-exposure sources such as lamps 56

erklärt, wird, um eine Markierung»wie im Falle der Negativ-AufnahmeVzu fördern. is explained, in order to promote a marking "as in the case of the negative recording".

Entsprechend der Energie, die zur Erzeugung einer Markierung oder Aufnahme erforderlich ist, erfordert der Effekt in Zeitintervallen in der Größenordnung von 5 Millisekunden etwa 2000 V pro Millimeter (50 volts/mil). Größerer Abstand zwischen den Elektroden in der fc Zweidraht-Anordnung erfordert größere Eingangsspannungen, da C (Gleichung 3) mit zunehmendem Abstand abnimmt. Vom praktischen Standpunkt aus ist der Abstand zwischen den Elektroden in der Zweidraht-Anordnung auf etwa 0,63 cm (250 mils) beschränkt. Somit ist die Größe des Bildes, das reproduziert werden kann, auf Maschinenschriftbuchstaben begrenzt, die Bereiche in der Größenordnung von etwa 0,063 cm (0,01 square inch) haben.According to the energy required to generate a mark or Recording is required, the effect requires about 2000 V per millimeter at time intervals on the order of 5 milliseconds (50 volts / mil). Larger distance between the electrodes in the fc two-wire arrangement requires higher input voltages, since C (Equation 3) decreases with increasing distance. From a practical standpoint, the distance between the electrodes is in the two-wire arrangement limited to about 0.63 cm (250 mils). So is the size of the image that can be reproduced on typed letters which have areas on the order of about 0.063 cm (0.01 square inches).

Bei der Parallel-Plattenanordnung ist jedoch die Dicke des Aufnahmeblattmaterials zwischen den plattenförmigen Elektroden l8 und 23 " konstant mit Veränderungen im Bereich der Abbildungen, so daß jede beliebige Plattengröße mit der gleichen Größe der Eingangespannung verwendet werden kann.In the case of the parallel plate arrangement, however, the thickness of the receiving sheet material is between the plate-shaped electrodes 18 and 23 ″ constant with changes in the area of the images, so that each any plate size can be used with the same size of the input voltage.

Die obengenannten Merkmale können auf ähnliche Weise in eine Maschinenschrift anordnung eingebaut werden, in der Tastaturbetätigung durch Auswahl und Einlegen von Negativen 46 (Fig. 8) Licht der Jntenajfcst G das Buchstabenbereiches 47 erzeugt und auf die photoleitende Platte von Fig. 1 oder Fig. 8 zur Markierung, d„h. Aufnahme, richtit. Die Merkmale eignen sich zum Gebrauch in Kopier-The above features can be typed in a similar manner arrangement can be installed, in the keyboard operation by selecting and inserting negatives 46 (Fig. 8) light the window G generated the letter area 47 and on the photoconductive Plate of Fig. 1 or Fig. 8 for marking, i.e. Admission, right. The features are suitable for use in copier

909845/1432 -/-909845/1432 - / -

&m ORfGfNAL & m ORfGfNAL

maschinenι wo das einfallende Licht auf die photoleitende Platte von einem au kopierenden Original reflektiert werden kann. Weitere Anwendungen schließen z.B. Registrierstreifen-Schreiber ein, wenn das Aufnahmeblatt zur Bildung einer Zeitbasis bewegt wird, und Faksimili-Schreiber, wobei der bewegte Schreibstift die Form einer informationsmodulierten Lichtquelle annimmt. Im weitesten Sinne kann dann dieser Prozeß zur Erzeugung fortlaufender Aufnahmen beliebiger Lichtmuster benutzt werden, entweder in der Form sichtbarer Markierungen auf einem Aufnahmeblatt oder als latente Veränderungen, die im folgenden entwickelt werden können.maschinenι where the incident light hits the photoconductive plate may be reflected from an original being copied. Further Applications include, for example, strip chart recorders when the recording sheet is moved to form a time base, and facsimile pens, the moving pen being in the shape of a adopts information-modulated light source. In the broadest sense This process can then be used to produce continuous recordings of any desired Light patterns are used, either in the form of visible markings on a recording sheet or as latent changes, which can be developed in the following.

Die hier beschriebenen Photoleiter-Plattenanordnungen benutzen vorzugsweise Harze, um relativ glatte, feste, abriebwiderstandsfähige Oberflächen zu bilden, und die Bezeichnung "photoleitendes Element" oder "Elektrode" wird benutzt, um in ihrem Anwendungsbereich auch Schichtenanordnungen solcher harzphotoleitenden Haterialmischungen einzuschließen. Es soll hier jedoch erwähnt werden, daß Photoleitermaterialien direkt auf eine Trägerplatte gebracht werden können, z.B. durch Aufschmelzen oder Aufdampfen. So werden di· Ausdrücke "Fhotoleitendes Element", "Elektrode" und "Platte" gattungsmäßig benutzt.The photoconductor plate assemblies described herein preferably use resins to make them relatively smooth, strong, abrasion resistant Surfaces to form, and the term "photoconductive element" or "electrode" is used to refer to in their scope also layer arrangements of such resin photoconductive material mixtures to include. It should be mentioned here, however, that photoconductor materials are placed directly on a carrier plate can be, e.g. by melting or vapor deposition. Thus the expressions "photoconductive element", "electrode" and "plate" used generically.

90S845/U3290S845 / U32

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

Claims (26)

PatentansprücheClaims 1.ι Methode zum Drucken, Markieren, Vervielfältigen, Aufnehmen oder dergleichen, dadurch gekennzeichnet, daß sichtbare Muster auf thermisch veränderbarem dielektrischen Material (15) auf dem Wege selektiver Anwendung eines hochfrequenten elektrischen Wechselfeldes auf solchen Bereichen des Materials (15) erzeugt werden, welche dem Muster entsprechen, wobei das hochfrequente elektrische Wechselfeld genügende Intensität besitzt, um durch dielektrisch erzeugte Wärme thermische Veränderungen durch Molekularreibung zu erzeugen, die zu einer Veränderung der Erscheinung der Bereiche führt, die dem Muster entsprechen, indem ein Lichtinuster, welches dem gewünschten Muster entspricht, auf ein photoleitendes Element (22, kk) aufgebracht wird und das hochfrequente elektrische Wechselfeld in das Material (15) auf dem Wege über das photoleitende Element (22, kk) geführt wird.1.ι method for printing, marking, copying, recording or the like, characterized in that visible patterns are generated on thermally variable dielectric material (15) by means of selective application of a high-frequency alternating electric field on those areas of the material (15) which correspond to the pattern, the high-frequency alternating electric field having sufficient intensity to generate thermal changes by means of molecular friction through dielectrically generated heat, which leads to a change in the appearance of the areas that correspond to the pattern by creating a light pattern that corresponds to the desired pattern, is applied to a photoconductive element (22, kk) and the high-frequency alternating electric field is guided into the material (15) on the way via the photoconductive element (22, kk). 2. Methode nach Anspruch 1,dadurch gekennzeic hn e t, daß das Material (15) ein polardielektrisches Material ist.2. Method according to claim 1, characterized in that it is marked hn e t that the material (15) is a polar dielectric material. 3. Methode nach Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß dae photoleitende Element (22, kk) ein hochfrequentes elektrisches Wechselfeld mit Diskontinuitäten in der Feldintensität an Stellen bildet, welche dem gewünschten Muster entsprechen auf dem Wege des Leitfähigkeitsmusters, welches darin durch Aufbringung des Lichtmusters ausgebildet3. Method according to claims 1 or 2, characterized in that the photoconductive element (22, kk) forms a high-frequency alternating electric field with discontinuities in the field intensity at points which correspond to the desired pattern on the way of the conductivity pattern which is created therein by applying the Light pattern formed 9 Ü 9 8 U b / 1 h 3 1 9 9 8 Ü U b / h 1 3 1 -/-- / - BAD ORIG/NALBAD ORIG / NAL wurde, und daß das Material (15) dem Feld für eine Zeit ausgesetzt wird, die ausreicht, die Erscheinung solcher Bereiche des Materials zu verändern, welche hohen Feldintensitäten ausgesetzt sind, ohne daß solche Bereiche, die niedrigen Feldintensitäten ausgesetzt sind, wesentlich verändert werden.and that the material (15) was exposed to the field for a time which is sufficient to change the appearance of those areas of the material which are exposed to high field intensities are without significantly changing those areas that are exposed to low field intensities. 4. Methode nach Ansprüchen 1 bis 3 ι dadurch geken nzeichnet, daß an Stellen des ausgedehnten Flächenbereichs des photoleitenden Elements die Bereiche hoher Leitfähigkeit des photoleitenden Elements (22, 44) relativ hohe Feldintensitäten in das Material (15) an solchen Stellen führen, wo das dielektrische Material (15) zu verändern ist, um darauf Markierungen auszubilden, die dem gewünschten Muster entsprechen, während relativ niedrige Feldintensitäten an Bereichen mit niedriger Leitfähigkeit des photoleitenden Elements (22, 44) in dem übrigen Teil des ausgedehnten Flächenbereichs vorgesehen sind.4. Method according to claims 1 to 3 ι thereby geken nzeich, that in places of the extensive surface area of the photoconductive element the areas of high conductivity of the photoconductive element (22, 44) have relatively high field intensities in the material (15) in such places where the dielectric material (15) is to be changed to make markings on it to form that correspond to the desired pattern, while having relatively low field intensities in areas low conductivity of the photoconductive element (22, 44) are provided in the remaining part of the extended surface area. 5. Methode nach Ansprüchen 3 oder 4, dadurch geken nzeichnet, daß das hochfrequente elektrische Wechselfeld zwischen einer Elektrode, die das photoleitende Element (22) οLnschließt, und einer anderen Elektrode (23) ausgebildet wird, die impedanzbedingungen für das Feld so angepaßt sind, daß Stellen mit relativ hoher Impedanz und relativ niedriger Impedanz für das Feld durch Projizieren eines Abbildes des gewünschten Musters auf das photoleitende Element erzeugt werden, und daß das Material (15) zwischen dein photoleitenden Element (22) und5. Method according to claims 3 or 4, characterized by geken, that the high-frequency alternating electrical field between an electrode, which the photoconductive element (22) οLnloses, and another electrode (23) is formed, the impedance conditions for the field are adapted so that places with relatively high impedance and relatively low impedance for the field by projecting an image of the desired pattern onto the photoconductive element, and that the material (15) between the photoconductive element (22) and 9 0 9 ü h :■> / ι 4 3 Ί 9 0 9 o'clock : ■> / ι 4 3 Ί BAD ORIGINALBATH ORIGINAL der anderen Elektrode (23) liegt, wodurch das Material (15) dem Feld ausgesetzt wird.the other electrode (23), whereby the material (15) is exposed to the field. 6. Methode nach Anspruch 5i gekennzeichnet durch die Denutzung von zwei parallelen im wesentlichen ebenen Elektroden ( Io , 23) > von denen eine (liJ) das photoleitende Element (22) in Form einer photoleitenden Schicht einschließt, welche auf Projektion des Abbildes hin Bereiche besitzt, die Wege mit relativ niedriger Impedanz für das Feld bilden, und andere Bereiche, die Wege mit relativ hoher Impedanz für das Feld bilden, wobei die Bereiche dem gewünschten Muster entsprechen, durch wenigstens eine Schicht des thermisch veränderbaren dielektrischen Materials (15), die zwischen den Elektroden (l8, 23) liegt und dadurch, daß das Feld zwischen den Elektroden ausgebildet wird, wodurch ej.ne Feldverteilung erzeugt wird, die aus Bereichen relativ hoher Feldintensität und anderen Bereichen relativ niedriger Feldintensität zusammengesetzt ist.6. The method according to claim 5i characterized by the use of two parallel, substantially flat electrodes (Io, 23)> one of which (liJ) is the photoconductive element (22) includes in the form of a photoconductive layer, which on projection of the image has areas, the paths with relatively low impedance form for the field, and other areas that form relatively high impedance paths for the field, the areas corresponding to the desired pattern, through at least one layer of the thermally alterable dielectric Material (15) between the electrodes (l8, 23) and in that the field is formed between the electrodes, whereby a field distribution is generated, those from areas of relatively high field intensity and other areas is composed of relatively low field intensity. 7. Hethode nach Ansprüchen '} oder 4, d a d u r c h ς e k c η η-zeichnet, daß das hochfrequente elektrische I7echselfeld ausgebildet ist, um über das photoleitende Element (44) zu laufen, die Impedanzb ed Lngunßen für das Feld so eingestellt sind, daß Stellen mit relativ holier Impedanz und relativ niedriger Impedanz für das Feld durch Projizieren eines Abbildes des gewünschten Musters auf das photoleitende Element (44) erzeugt werden, und daß das Material ( 15 ) an dein phot οίο 1 toad en Element (44) anliegt.7. Hethode according to claims '} or 4, characterized ς ekc η η-characterized in that the high-frequency electrical alternating field is designed to run over the photoconductive element (44), the Impedanzb ed Lngunßen for the field are set so that places be generated with relatively holier impedance and relatively low impedance for the field by projecting an image of the desired pattern onto the photoconductive element (44), and that the material (15) is applied to your phot οίο 1 toad en element (44). 9 0 9 8 4 ä / 1 4 39 0 9 8 4 ä / 1 4 3 ORIGINAL"7"ORIGINAL " 7 " 8. Methode nach Anspruch 71 d a d u r c h gekennzeichnet, daß die Führung des elektrischen Feldes durch Anwendung von Wechselpotentialen zwischen einem Paar von verlängerten Elektroden (li2t k'}) erreicht wird, die in einer Ebene aufgestellt sind, welche an die Ebene des photoleitenden Elements (4'i) und des Materials (15) angrenzt.8. The method according to claim 71, characterized in that the guidance of the electric field is achieved by applying alternating potentials between a pair of elongated electrodes ( l i2 t k '}) which are set up in a plane which is adjacent to the plane of the photoconductive element (4'i) and the material (15) adjoins. c). Methode nach Ansprüchen 1 bis ο , d a d u r c h g e k e η η-zeichnet, daß maximale Lichtiritensi täten des Liclitmusters, welche axif das photoleitende Element (22) aufgebracht werden, so ausgewählt werden, daß sie in dem Hereich G liegen, bei dem Markierung auftritt, wodurch ein Negiitiv des Lichtmusters erzeugt wird (Fig. 2). c ). Method according to claims 1 to ο, characterized in that maximum light levels of the licit pattern, which axif the photoconductive element (22) are applied, are selected so that they lie in the range G at which marking occurs, whereby a Negative of the light pattern is generated (Fig. 2). 10. Methode nach Ansprüchen 1 bis 0 , d a d u r c h g e k e π nzeichnet, daß riiinimale Lichtintensitäten des Lichtmusters, die auf das photoleitende Element (22) aufgebracht werden, so ausgewählt werden, daß sie in dem Bereich G liegen, bei dem Markierung auftritt, wodurch ein Positiv des Lichtmusters erzeugt wird (Fig. 3)·10. The method according to claims 1 to 0, d a d u r c h g e k e π nzeich, that minimum light intensities of the light pattern, which are applied to the photoconductive element (22) are selected so that they lie in the region G in which Marking occurs, creating a positive of the light pattern (Fig. 3) 11. Methode nach Ansprüchen 9 oder 10,dadurch gekennzeichnet, daß der Gesamtbeleufchtungspegel, der auf das photoleitende Element (22, kk) einfällt, auf solche Weise geregelt wird, daß Licht einer vorbestimmten Intensität G eine Impedanzanpassung zwischen aneinanderliegenden Bereichen des photoleitenden Elements (22, kk) und des Materials (15) be-11. The method according to claims 9 or 10, characterized in that the overall lighting level which is incident on the photoconductive element (22, kk) is regulated in such a way that light of a predetermined intensity G is an impedance match between adjacent areas of the photoconductive element (22 , kk) and the material (15) 90984S/U3290984S / U32 BAD ORIGINALBATH ORIGINAL - 4ο -- 4ο - Feld wirkt wird, wenn diese dem elektrischeriYvorbestimmter Frequenz ausgesetzt werden, wodurch dielektrisches Erwärmen des photoleitenden Elements (22t 44) und Verminderung seiner Impedanz auf einen vernachlässigbaren Wert verursacht wird.The field is effective when this corresponds to the electrical or predetermined frequency are exposed, thereby dielectrically heating the photoconductive element (22t 44) and reducing its impedance is caused to a negligible amount. 12. Methode nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch die Benutzung wenigstens einer vorbelichtenden Lichtquelle (32, 56) zur Steuerung des gesamten Beleuchtungspegelö. 12. The method according to claim 11, characterized by the use of at least one pre-exposure Light source (32, 56) for controlling the overall lighting level. 13· Methode nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Gesamtpegel der Lichtintensität G , der von der oder den zusätzlichen Lichtquellen geliefert wird, Beleuchtung des photoleitenden Elemente (22, 44) in dem Bereich der Intensitäten vorsieht, bei welcher Markierung auftritt, so daß Bereiche hoher Intensität des angewendeten Lichtmuetere auf einen gesamten Beleuchtungepegel G0 in Bereiche der Impedanz-Fehlanpassung zwischen dem photoleitenden Element (22, 44) und dem Material (15) ansteigen, wodurch Markierung des Materials (15) in Bereichen hoher Intensität des Lichtmusters verhindert wird, um ein Positiv des Lichtmuetere zu erzeugen.13. Method according to claim 12, characterized in that the total level of light intensity G supplied by the additional light source or sources provides illumination of the photoconductive element (22, 44) in the range of intensities at which marking occurs, so that Areas of high intensity of the applied light pattern increase to a total illumination level G 0 in areas of impedance mismatch between the photoconductive element (22, 44) and the material (15), thereby preventing marking of the material (15) in areas of high intensity of the light pattern to create a positive of the light pattern. l4. Methode nach Ansprüchen 1 bis 13, gekennzeichnet durch die Benutzung eines plattenförmigen photoleitenden Elements (22, 44).l4. Method according to claims 1 to 13, characterized by using a plate-shaped photoconductive Elements (22, 44). ß4D ORIGINAL ß 4D ORIGINAL 9Ü984b/U329Ü984b / U32 15. Methode nach Ansprüchen 1 bis l4, gekennzeichnet durch die Benutzung üblichen wärmeempfindlichen dielektrischen Materials (l5)·15. Method according to claims 1 to l4, characterized by using conventional thermosensitive dielectric Materials (l5) 16. Methode nach Ansprüchen 1 bis l4, dadurch gekennzeichnet, daß das Material (15) Papier ist und die ther·- mische Veränderung durch dielektrisch aufgebrachte Wärme in einer Schwärzung besteht, entsprechend einer wenigstens teilweise eintretenden Verkohlung.16. Method according to claims 1 to l4, characterized in that that the material (15) is paper and the thermal mixed change by dielectrically applied heat consists in a blackening, corresponding at least partially occurring charring. 17· Gerät zur Erzeugung sichtbarer Markierungen oder Mustern von Markierungen auf dielektrischem Material, welches sich durch Wärmeeinwirkung in seiner Erscheinung verändert, wie Papier, wärmeempfindliches Material oder ähnliche dielektrische Materialien, insbesondere zum Drucken, Markieren, Aufnehmen und/ oder Vervielfältigen, dadurch gekennzeichnet, daß ein hochfrequentes elektrisches Wechselfeld darin aufgebaut wird, welches Diskontinuitäten in der Feldintensität an Stellen aufweist, die in ihrer Gestalt denen des Musters,17 · Device for producing visible markings or patterns of markings on dielectric material which penetrates The appearance of heat changes, like paper, heat sensitive material or similar dielectric material, in particular for printing, marking, recording and / or copying, characterized in that that a high-frequency alternating electric field is built up in it, which discontinuities in the field intensity in places whose shape corresponds to that of the pattern, entsprechen, welches erzeugt werden soll,Vdaß eine Einrichtung vorgesehen ist, um das dielektrische Material (15) dem Feld auszusetzen, wodurch eine dauernde Veränderung in der Erscheinung durch dielektrisch erzeugte Wärme in sole lie η Bereichen des Materials (15) verursacht wird, welche der hohen Feldintensität ausgesetzt sind, daß auf ein photoleitendes Element (22, 44) das gewünschte Abbild projiziert wird, wodurch das Leitfähigkeitsmuster in dem photoleitenden Element (22, 44) gebildet wird, das diecorrespond to which is to be generated, Vthat a device is provided is to expose the dielectric material (15) to the field, resulting in a permanent change in appearance due to dielectrically generated heat in sole lie η areas of the material (15) is caused, which are exposed to the high field intensity that on a photoconductive element (22, 44) the desired Image is projected, creating the conductivity pattern is formed in the photoconductive element (22, 44) which the 5909846/14325909846/1432 BAD ORIGINALBATH ORIGINAL Diskontinuitäten in der Feldintensität des Musters erzeugt.Discontinuities created in the field intensity of the pattern. l8. Gerät nach Anspruch 17»gekennzeichnet durch ein plattenförmiges photoleitendes Element (22, 44).l8. Apparatus according to Claim 17 »characterized by a plate-shaped photoconductive element (22, 44). 19· Gerät nach Anspruch lO, dadurch gekennzeichn et, daß das photoleitende Element Teil einer Elektrode (l8) ψ bildet, die aus einer Schicht leitendenten transparenten Materials (21) zwischen einer Schicht isolierenden transparenten Materials (19) und einer Schicht photoleitenden, normalerweise isolierenden Materials (22) zusammengesetzt ist.19 · Device according to claim 10, characterized in that the photoconductive element forms part of an electrode (18) ψ , which consists of a layer of conductive transparent material (21) between a layer of insulating transparent material (19) and a layer of photoconductive, normally insulating Materials (22) is composed. 20. Gerät nach Anspruch 19,dadurch gekennzeichnet, daß das hochfrequente elektrische Wechselfeld zwischen der leitenden transparenten Schicht (21) und einer weiteren Elektrode (23) ausgebildet wird, wobei das Aufnahmematerial (15) dazwischen gelegt wird (Fig. l).20. Apparatus according to claim 19, characterized in that that the high-frequency alternating electrical field between the conductive transparent layer (21) and another Electrode (23) is formed, wherein the recording material (15) is placed therebetween (Fig. L). 21. Gerät nach Ansprüchen 17 oder l8, gekennzeichnet durch ein Paar von Elektroden (42, 43)» die voneinander im Abstand entlang dem photoMtenden Element (44) angeordnet sind, um den Fluß des hochfrequenten elektrischen Wechselfeldes über das photoleitende Element (44} zu konzentrieren, mit wenigstens einem Blatt thermisch veränderbaren dielektrischen Materials, wie Papier oder wärmeempfindliches Aufnahmematerial (15)1 welches an das photoleitende Element (44) angelegt ist21. Apparatus according to claims 17 or l8, characterized by a pair of electrodes (42, 43) »separated from each other spaced along the photomagnetic element (44) are to the flow of the high frequency alternating electric field focus on the photoconductive element (44}, with at least a sheet of thermally alterable dielectric material such as paper or thermosensitive recording material (15) 1 which is applied to the photoconductive element (44) !Fig. 8.) V-! Fig. 8.) V- 9098A5/14329098A5 / 1432 BAD ORIGINAL BATH ORIGINAL 22. Gerät nach Ansprüchen 17 bis 21, gekennzeichnet durch einen normalerweise ruhenden Oszillator (24, 45), der für kurze Zeitperioden angestoßen werden kann, die ausreichen, um thermische Veränderungen der Erscheinungen des dielektrischen Materials (l5) nur an Stellen zu verursachen, die Feldern hoher Intensität ausgesetzt werden·22. Apparatus according to claims 17 to 21, characterized by a normally resting oscillator (24, 45), which can be initiated for short periods of time that are sufficient in order to cause thermal changes in the appearance of the dielectric material (15) only in places which Exposed to high intensity fields 23· Gerät nach Anspruch 22,dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenz des Oszillators (2k, k^) im wesentlichen der Frequenz entspricht, bei der der Verlustfaktor des Materials (15) ein Maximum hat.23 · Device according to claim 22, characterized in that the frequency of the oscillator (2k, k ^) corresponds essentially to the frequency at which the loss factor of the material (15) has a maximum. 24. Gerät nach Ansprüchen 17 bis 22, gekennzeichnet d u r c h Anordnungen zum Projizieren eines Abbildes des gewünschten Musters auf das photoleitende Element (224 44). 24. Apparatus according to claims 17 to 22, characterized by arrangements for projecting an image of the desired pattern onto the photoconductive element (22 4 44). 25· Gerät nach Ansprüchen 17 bis 24, gekennzeichnet25 · Device according to claims 17 to 24, characterized durch Anordnungen zum Halten von Blättern aus Aufnahmeinaterial (15) in Kontakt mit dei/photoleitenden Element (22, 44).by means for holding sheets of receiving material (15) in contact with the photoconductive element (22, 44). 26. Gerät nach Ansprüchen 17 bis 25, gekennzeichnet durch eine Beleuchtungsanordnung (32, 56),welche eine vorbelichtende Lichtintensität auf das photoleitende Element zusätzlich zu dem Abbild des Lichtmusters richtet.26. Apparatus according to claims 17 to 25, characterized by a lighting arrangement (32, 56), which a pre-exposing light intensity on the photoconductive element in addition to the image of the light pattern. 27· Gerät nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß die vorbelichtende Lichtintensität einreguliert oder27 · Device according to claim 26, characterized in that the pre-exposing light intensity is regulated or 90984b/Hi 3290984b / Hi 32 BAD 0RIG,NAL BAD 0RIG , NAL einregulierbar ist, um Lichtintensitäten einer Größe 6 zu erzeugen, daß eine Veränderung in der Impedanz des photoleitenden Elements (22, 44) in Richtung einer Anpassung mit der Impedanz des Aufnahmematerials (15) bewirkt wird, um Wärme in dem photoleitenden Element (22, 44) zu bilden und somit seine Impedanz auf einen vernachlässigbaren Wert zu verringern, wodurch die angewachsene Spannung . aneinanderliegende Ab- ^ schnitte des Aufnahmematerials (15) dielektrisch erwärmt und thermisch verändert ♦ . .Can be adjusted to light intensities of a size 6 to produce a change in the impedance of the photoconductive element (22, 44) towards matching with the impedance of the recording material (15) is caused to generate heat to form in the photoconductive element (22, 44) and thus reduce its impedance to a negligible value, thereby increasing the tension. adjacent spacing ^ Sections of the recording material (15) dielectrically heated and thermally changed ♦. . 9 U 9 8 L, : ; , > 3 29 U 9 8 L,:; , > 3 2 LeerseiteBlank page
DE19691916958 1968-04-22 1969-04-02 ELECTROPHOTOGRAPHIC PROCESS FOR PRODUCING A PICTURE RECORDING ON A DIELECTRIC RECORDING MATERIAL AND EQUIPMENT FOR CARRYING OUT THE PROCESS Pending DE1916958B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72292568A 1968-04-22 1968-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1916958A1 true DE1916958A1 (en) 1969-11-06
DE1916958B2 DE1916958B2 (en) 1972-04-06

Family

ID=24904011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691916958 Pending DE1916958B2 (en) 1968-04-22 1969-04-02 ELECTROPHOTOGRAPHIC PROCESS FOR PRODUCING A PICTURE RECORDING ON A DIELECTRIC RECORDING MATERIAL AND EQUIPMENT FOR CARRYING OUT THE PROCESS

Country Status (6)

Country Link
CA (1) CA958459A (en)
DE (1) DE1916958B2 (en)
FR (1) FR2006642A1 (en)
GB (1) GB1238552A (en)
NL (1) NL6904556A (en)
SE (1) SE358978B (en)

Also Published As

Publication number Publication date
DE1916958B2 (en) 1972-04-06
CA958459A (en) 1974-11-26
SE358978B (en) 1973-08-13
GB1238552A (en) 1971-07-07
FR2006642A1 (en) 1970-01-02
NL6904556A (en) 1969-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3017898A1 (en) METHOD FOR FASTENING FLASH LIGHTING OF TONER IMAGES ON COPY SUBSTRATES AND DEVICE FOR FIXING TONER IMAGES
DE2256327A1 (en) ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE WITH A LIGHT-SENSITIVE PART WITH A STRONG ELECTRICALLY INSULATING LAYER
DE1437260A1 (en) Method and device for recording information
DE1522745A1 (en) Electrophoretic imaging process
DE1474362A1 (en) Device for storing information
DE2260934B2 (en) ELECTROPHORETIC RECORDING DEVICE FOR THE ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF SOUND IMAGES
DE2003389A1 (en) Development device
DE2805471C2 (en) Electrophotographic apparatus with a high voltage supply device for alternating current corona discharge
DE1916958A1 (en) Method and device for the direct recording of light patterns
DE1916958C (en) Electrophotographic process for producing an imagewise record on a dielectric recording material and apparatus for carrying out the process
DE2846293A1 (en) ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE
DE2458637B2 (en) Heating device for a fluorescent lamp
DE2914820C2 (en) Process for melting powder or sheet-like thermoplastic material by means of pulse exposure on a base
DE2440486C3 (en) Optical storage material with a storage layer, the structure of which can be changed by external radiation
DE2250097A1 (en) DEVICE FOR CONTROLLING THE EXPOSURE INTENSITY, IN PARTICULAR WITH COPY MACHINES
DE2914821C2 (en) Process for melting powder or sheet-like thermoplastic material by means of pulse exposure on a base
DE1133428B (en) Bistable, electro-optical circuit arrangement
DE3133168C2 (en) Device for keeping constant the luminous flux supplied by a fluorescent tube of a fiber optic for a copier
DE1497516C (en) Electroluminescent panel for image intensification and image reversal in film viewers
DE2933724A1 (en) Thermal fixer for photocopier - has spiral flash tube to elongate thermal effect, and supply several flashes per copy length
AT227450B (en) Electro-optical device
DE2544637A1 (en) METHOD AND DEVICE FOR FUSIONING DOUBLE SIDED TONER IMAGES
AT142666B (en) Method and device for copying optical and acoustic images.
DE1960969C3 (en) Photographic material for a transfer process and a transfer process
DE1497169C3 (en) Process for producing a charge image on an insulating surface