DE1916958B2

DE1916958B2 - ELECTROPHOTOGRAPHIC PROCESS FOR PRODUCING A PICTURE RECORDING ON A DIELECTRIC RECORDING MATERIAL AND EQUIPMENT FOR CARRYING OUT THE PROCESS

Info

Publication number: DE1916958B2
Application number: DE19691916958
Authority: DE
Inventors: Anthony West Hartford Conn DOnofno (V St A)
Original assignee: Litton Business Systems Inc
Current assignee: Western Atlas Inc
Priority date: 1968-04-22
Filing date: 1969-04-02
Publication date: 1972-04-06
Also published as: SE358978B; NL6904556A; DE1916958A1; CA958459A; FR2006642A1; GB1238552A

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Verehren zur Herstellung einer bildmäßigen Aufzeichnung auf einem dielektrischen Aufzeichnungs-Inaleria]. das. flächenparallel zu einer photoleittähigen Schicht, mit dieser zwischen zwei ebenen Elektrodenplatten angeordnet ist, bei dem die photoleitfähige Schicht bildmäßig belichtet und an die Elektroden c'iie Spannung angelegt wird, die ein elektrisches Feld erzeugt, dessen Intensitätsvcrteilung durch bildmäßige Belichtung der photoleilfähigen Schicht bestimmt wird.The invention relates to electrophotographic worship for making an imagewise record on a dielectric recording inaleria]. that. surface parallel to a photoconductive one Layer with this is arranged between two flat electrode plates, in which the photoconductive Layer exposed imagewise and applied to the electrodes the voltage that a generated electric field, its intensity distribution is determined by imagewise exposure of the photoconductive layer.

In der Bürotechnik, auf dem Gebiet der Dokumentation bzw. in vielen anderen Gebieten gewinnt das Problem der billigen und einfachen Herstellung von Vervielfältigungen immer größere Bedeutung. Es hat daher nicht an vielen Versuchen gefehlt, dieses Problem zu lösen.In office technology, in the field of documentation or in many other areas, the problem of cheap and simple manufacture wins of reproductions becoming more and more important. There has therefore not been a lack of many attempts to find this out Solve a problem.

Es ist bekannt, ityf photochemischem Wege Kopien herzustellen. Große Verbreitung hat in den letzten Jahren ein Verfahren gewonnen, das elektrophotographisch mit Ladungsbilder« als Zwisehcnbiltlcr arbeitel (Xerographie). Bei einem derartigen bekannten Verfahren wird zur Erzeugung eines Ladungsbildes Eiuf einem isolierenden Aufzeichnungsmaterial dieses sehr nahe an eine photoleitfahigo Schicht gebracht und auf dieser phatoleitfähigen Schicht ein primäres Ladungs- bzw. Leitfähigkeitsbild dadurch gebildet, daß sie einer bildmftßigen Belichtung ausgesetzt wird. Ein dem primären Ladungs- bzw, Leitfähigkeitsbild entsprechendes sekundäres Ladungsbild wird dabei auf dem isolierenden Aufzeichnungsmaterial dadurch hergestellt, daß ein elektrisches Gleichfeld zwischenIt is known ityf photochemical routes to make copies to manufacture. A process that uses electrophotography has gained widespread use in recent years with charge images "as an intermediary work (xerography). In a known method of this type, a charge image is generated On an insulating recording material this brought very close to a photoconductive layer and a primary on this phatoconductive layer An image of a charge or conductivity is formed by subjecting it to an imagewise exposure. A secondary charge pattern corresponding to the primary charge or conductivity pattern is created produced on the insulating recording material in that a constant electric field between

id photoleitfähiger Schicht und dem Aufzeichnungsmaterial erzeugt wird. Prinzipiell ist also die bildmäßige Differenzierung eines elektrischen Feldes mittels einer bildmäßig belichteten photoleitfähigen Schicht, um auf einem dielektrischen Material eine Aufzeichnung in Form eines Ladungsbildes zu erzielen, bekannt (deutsche Auslegeschrift L 063 899 und britische Patentschrift 1092 813).id photoconductive layer and the recording material is produced. In principle, the differentiation of an electric field in terms of images is by means of an imagewise exposed photoconductive layer to form on a dielectric material a Achieving a record in the form of a charge image is known (German Auslegeschrift L 063 899 and British Patent specification 1092 813).

Obwohl vorstehend geschilderte Verfahren in der Praxis weite Verwendung ^funden haben, haftet ihnen jedoch der prinzipielle Nachteil an, daß im Rahmen eines Belichtungsvorganges immer nur eine Kopie hergestellt werden kann.Although the methods described above have found wide use in practice, we are liable However, they have the fundamental disadvantage that in the context of an exposure process only one Copy can be made.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art unter An-Wendung eines anderen physikalischen Prinzips so zu verbessern, daß mehrere Kopien gleichzeitig innerhalb eines Belichtungsvorganges hergestellt werden können.The invention is based on the object of applying a method of the type mentioned at the beginning of another physical principle to improve that several copies at the same time within an exposure process can be produced.

Die Lösung dieser Aufgabe gelingt gemäß der Erfindung dadurch, daß während der Belichtung der photoleitfähigen Schicht oder innerhalb ihrer Relaxationszeit nach ihrer Belichtung ein hochfrequentes elektrisches Wechselfeld erzeugt wird, daß ein dielektrisches Aufzeichnungsmaterial verwendet wird, das durch Erwärmen auf eine Aufzeichnungstemperatur T sichtbar veränderbar ist und dessen Wirkwiderstand kleiner als der der unbeleuchteten photoleitfähigen Schicht ist. daß das Wechselfeld mit einer für die Erwärmung des dielektrischen Aufzeichnungsmaterials ausreichenden Feldstärke eine Zeit r aufrechterhalten wird, die von der Frequenz des Feldes, der Aufzeichnungstemperatur T. des dielekti ischen Aufzeichnungsmaterials sowie von der in dem Aufzeichnungsmaterial erzeugbaren Feldstärke abhängt, die eine Funktion des Impedanzverhältnisses zwischen photoleitfähiger Schicht und dielektrischem Aufzeichnungsmaterial ist. und daß die Intensitätsverteilung des Feldes in dem dielektrischen Aufzeichnungsmaterial bildmäßig differenziert wird durch eine bildmäßig verteilteThis object is achieved according to the invention in that a high-frequency alternating electric field is generated during the exposure of the photoconductive layer or within its relaxation time after its exposure Resistance is smaller than that of the unilluminated photoconductive layer. that the alternating field with a field strength sufficient for heating the dielectric recording material is maintained for a time r that depends on the frequency of the field, the recording temperature T. photoconductive layer and dielectric recording material. and that the intensity distribution of the field in the dielectric recording material is image-wise differentiated from an image-wise distributed one

5& Wirkwiderstandserniedrigung der photoleilfähiger Schicht unter den Wert ihrer Reaktanz, wo/u dii photoleitfähige Schicht mit einer Pelcucniungsstärki /, bildmäßig belichtet wird, die bei alleiniger An Wendung, ohne eine Erwärmung durch das hoch frequente r'ektrische Weehsclfeld. den Impeiian/wer der photoleitfähigen Schicht an den des dielektrischer Aufzeichnungsmaterials anpaßt.5 & Resistance lowering of the photoconductive Layer below the value of their reactance, where / u dii photoconductive layer with a pelcucniungsstarkki /, is exposed imagewise, which when used alone, without heating through the high Frequent electrical voltage field. the Impeiian / who of the photoconductive layer matches that of the dielectric recording material.

Um ein Negativ nach der Kopiervorlage zu gewin ncn, ist zweckmäßigerweise die maximale BclcitchIn order to obtain a negative after the master copy, it is advisable to use the maximum pitch

tungsstärke der bildmäßigen Belichtung aufdcr phoic leitfähigen Lifhicht gleich der Beleuchtungsstärke l_r Zur Herstellung eines Positivs nach der Kopicrvorlag dagegen wird die photoleitfähige Schicht total mit de Beleuchtungsstärke /, belichtet und dieser BelichtunThe intensity of the imagewise exposure on the photoconductive layer is equal to the intensity of illumination _. For the production of a positive based on the original, on the other hand, the photoconductive layer is totally exposed to the intensity of illumination and this exposure

überlagert bildmäßig belichtet. Der Unterschied zwi sehen Positiv und Negativ wird also in diesem Fa durch Steuerung des Beleuchtungspegels erzielt, de das Lichtmusler festlegt. Dies hat seinen Grund damsuperimposed imagewise exposed. So the difference between positive and negative becomes in this Fa achieved by controlling the level of lighting that the Lichtmusler sets. There is a reason for this

stärkei,, belichtet Und dieser Belichtung überlagert bildmäßig belichtet Wird, Es ist auch rriögÜchj ein Positiv del' Kopiervorlage- in der Weise herzustellen,-daß die minimale Beleuchtungsstärke der bildmäßigen hihi hih üb dstarkei ,, exposed and superimposed on this exposure Is exposed imagewise, It is also rriögÜchj a Positive del 'master copy- in the way to produce -that the minimum illuminance of the pictorial hihi hih over d

daß ein Lichtmuster aus Bereichen niedriger und hoher intensität zusammengesetzt ist. Und auf öfurtd der Entdeckung, daß das Aufzeichnungsmaterial inthat a light pattern from areas lower and high intensity is composed. And on öfurtd the discovery that the recording material in

den Bereichen auf Aufnahmetemperatur erhitzt Urtd . „___the areas heated to recording temperature Urtd. "___

dadurch sichtbar Verändert wird,- die Bereichen der 5 Belichtung auf der phololeitfähigen Schicht über der photolcitfähigeii Schicht gegenüberliegen^ die nur Beleuchtungsstärke 1_A liegt. Bclichttingsintensilätcn einer bestimmten öföße ausgesetzt wurden. Es, tritt jedoch keine Veränderungis visibly changed as a result, - the areas of exposure on the photoconductive layer are opposite to the photoconductive layer, which is only 1 _{A of} illuminance. Exposure intensities were exposed to a certain amount of exposure. There, however, no change occurs

in solchen Bereichen des Aufzeichnungsmaterialsin such areas of the recording material

Im Gegensatz zu den bekannten Verfahren unter Verwendung von Ladungs- oder LeitfähigkeitsbitderntIn contrast to the known method under Use of charge or conductivity bits

__ _ _t bei denen elektrostatische Felder zum Sichtbarmachen__ _ _t with which electrostatic fields to make visible

auf die solchen Bereichen der photoleitfahigen io eines latenten Bildes verwendet werden, bedient sich Schicht aesenüherliegcn. welche Belichtungsinfen- die Erfindung zur Bewirkung einer sichtbaren Aufsii.iten einer Größe ausgesetzt wurden, die entweder zeichnung hochfrequenter elektrischer Felder, die in niedriger oder höher als die vorher genannte vor- bildmäßiger Verteilung durch ein Aufnahmematerial bestimmte Größe ist. bei der sichtbare Verände- geführt werden, wobei die bildmäßige Differenzierung runs eintritt Wenn dementsprechend die Intensität 15 des Feldes durch eine photoleitfähige Schicht erfolgt. derReleuchtune bestimmter Bereiche eines Licht- die entsprechend einer bildmäßige·-. Belichtung ein musters über oder unter die vorbestimmte Größe Leitfähigkeitsbild aufweist, so daß die entsprechend aeleai wird und die Intensität der Beleuchtung anderer dem Leitfähigkeitsbild resultierenden Potentialgradas I ichtmuster bestimmender Bereiche bis zur vor- dienten des Feldes ausschließlich solche Bereiche des bestimmten Größe anaehoben oder verringert wird, so 20 dielektrischen Aufzeichnungsmaterials auf Aufzeichentsieht eine I mkehrung der veränderten Bereiche. nungstemperatur dielektrisch erwärmen, die in der I-s ist auch möalich. das elektrophotographische Ebene des \ufzeichnungsmaterials durch Bildbereiche Verfahren zur Herstcllune einer bildmäßigen Auf- der photoleitfahigen Schicht festgelegt werden, die zcichnune auf einem dielektrischen Aufzeichnungs- sich von anderen Bildbereichen durch ihre Leitmaterial. das flächenparallel zu einer photoleitfahigen 25 fähigketf unterscheiden.on which such areas of the photoconductive io of a latent image are used, the layer lying next to it makes use of. which exposure infen- the invention were exposed to the effect of a visible appearance of a size that either draws high-frequency electric fields that are lower or higher than the aforementioned exemplary distribution through a recording material is a certain size. in which visible changes are made, whereby the image-wise differentiation occurs when the intensity of the field accordingly occurs through a photoconductive layer. the illumination of certain areas of a light - which correspond to a pictorial · -. Exposure has a pattern above or below the predetermined size of the conductivity image, so that the corresponding aeleai and the intensity of the illumination of other areas of the potential gradient determining the conductivity image resulting in the light pattern is raised or reduced up to the point in front of the field, only those areas of the specific size are raised or reduced, Thus 20 dielectric recording material records a reversal of the changed areas. Heating the temperature dielectrically, which is also possible in the Is. the electrophotographic plane of the \ ufzeichnungsmaterials be determined by image areas method for Herstcllune an imagewise up the photoleitfahigen layer zcichnune on a dielectric recording from other image areas by their conductive material. differentiate between the surface parallel to a photoconductive 25 capability.

Schicht anseordnet ist. bei dem die photoleitfähige Es werden also sichtbare Muster auf thermischLayer is arranged. in which the photoconductive There are thus visible patterns on thermally

Schicht bildmäßia belichtet und mit dem dielektrischen veränderbarem dielektrischen Material auf dem Wege Auf/eichnunasmaterial einem elektrischen Feld aus- einer dem Muster entsprechend selektiven Anwendung aeset/t wird, dessen Iniensitätsverteiluna durch bild- eines hochfrequenten elektrischen Wechselfeldes auf mäßiee Belichtuna der photoleitfahigen Schicht be- 30 das Aufzeichnungsmaterial hergestellt, wobei das stimmt «ird. in der Weise durchzuführen, daß auf der hochfrequente elektrische Wechselfeld eine genügende photol.-itfähiaen Schicht zwei an deren Rändern ent- Intensität hat. um durch dielektrisch erzeugte Wärme lanal.iufende.' einander gegenüberliegende linienför- thermische Veränderungen auf Grund der Molekularmise F.Icktroden angeordnet werden und während der reibung zu erzeugen, die in einer sichtbaren Verände-Behclv.una der photoleitfähigen Schicht oder, inner- 35 rung der einem Lichtmuster entsprechenden beaufhalb ihrer Relaxationszev. nach ihrer Belichtuna. schlagten Bereiche resultieren.Layer imagewise exposed and with the dielectric changeable dielectric material on the way On / calibration material an electric field from a selective application according to the pattern aeset / t, whose initial distribution is based on a high-frequency alternating electric field According to the exposure of the photoconductive layer, the recording material is produced true «ird. to carry out in such a way that on the high-frequency alternating electric field a sufficient photoconductive layer has two at the edges ent- intensity. around by dielectrically generated heat lanal.iufende. ' opposing linear thermal changes due to the molecular mise F the photoconductive layer or, within 35, the area corresponding to a light pattern their relaxation period. according to their exposure. hit areas result.

durch \nlegen einer Spannung an die Elektroden ein Als Aufzeichnungsmaterial kann übliches wärmehochfrequentes VVechselfeld erzeugt wird, daß ein empfindliches dielektrisches Material oder gewöhndiclekirisehe> Aufzeichnungsmaterial verwendet wird. liehe« Papier benutzt werden Die thermische Wvdas durch Erwärmen auf eine Aufzeichnungstempera- 40 änderung, welche durch dielektrisch erzeugte Wärme tür T sichtbar veränderbar ist und dessen Impedanz in gewöhnlichem Papier bewirkt wird, besteh: in kleiner ist als die der unbeleuchteten photoleitfähigen einem Dunkelwerden, bedingt durch wenigstens icil-Schicht. daß das VVechselfeld mit einer für die Erwär- weise eintretende Verkohlung.By applying a voltage to the electrodes, the usual high-frequency alternating heat field can be generated as the recording material, using a sensitive dielectric material or conventional recording material. The thermal Wv, which is caused by heating to a recording temperature change, which is visibly changeable by dielectrically generated heat for T and whose impedance is effected in ordinary paper, consists: is smaller than that of the unilluminated photoconductive one when it becomes dark by at least icil-layer. that the alternating field with a charring which occurs for the heating.

muna des dielektrischen Aufzeichnungsmaterial aus- Bei der Durchführung des einen erfindungsgemaßenmuna of the dielectric recording material when carrying out the one according to the invention

reichenden Feldstärke eine Zeit ? aufrechterhalten 45 Verfahrens wird eine eleklrophotographische \uf-sufficient field strength a time? 45 procedure, an electrophotographic \ uf-

zeichnungseinnchlung verwendet, bestehend aus einem an eine Spannungsquelle angeschlossenen fistjhiaen Elektrodenpaar mit einer transparenten Elektrode, zwischen dem sich ein schichtförmiges dielektrischesdrawing embedding used, consisting of a fistjhiaen connected to a voltage source Electrode pair with a transparent electrode, between which there is a layered dielectric

photoleitfähiger Schicht und dielektrischem Aufzeich- 50 Aufzeichnungsmaterial zusammen niit einer phoionunasmaterial ist. und daß die Intensitätsverteflung leitfähigen Schicht befindet, bei der das dielektrische des Feldes m dem dielektrischen Aufzeichnungsmaie- Aufzeichnungsmaterial wärmeempfindlich ist und mi) rial bildmäßig differenziert wird, durch eine bildmäßig der photoJeiffähigen Schicht und der einen Elektrode verteilte Impedanzemiedrigung der photoleitfähigen in Kontakt steht, und die andere Elektrode die Schicht unter den Wert der Impedanz de? dielektrischen 55 transparente Elektrode ist und die Spannungsquel!<photoconductive layer and dielectric recording material together with a photoconductive material is. and that the intensity distribution is conductive layer in which the dielectric of the field m the dielectric recording material is heat sensitive and mi) rial is differentiated image-wise, by an image-wise photoconductive layer and the one electrode distributed impedance reduction of the photoconductive is in contact, and the other electrode the Layer below the value of the impedance de? dielectric 55 transparent electrode and the voltage source! <

* ---¹--*"- -- em_Hochfrequenzgenerator ist.* --- ¹ - * "- - em_high frequency generator is.

iur Durchführung des nebengeordneten Verfahren: wird eine elektrophotographische AufzeichnungseinIn order to carry out the ancillary process: an electrophotographic recording is made

11.IkIlCIlUVIi » w._w. .u...~ 11.IkIlCIlUVIi »w. _W. .u ... ~

wird, die \on der Frequenz des Feldes, der Aufzeichnungstemperatur T sowie von der in dem Aufzeichnungsmaterial erzeusbaren Feldstärke abhängt, die eine Funktion des Impedanzverhältnisses zwischenbecomes, the \ on the frequency of the field, the recording temperature T as well as that in the recording material achievable field strength depends on the a function of the impedance ratio between

Aufzeichnungsmaterial*, wozu die phoioleufärage Schicht mit einer Beleuchtungsstärke I.. die bei alleiniger Anwendung, ohne Erwärmung durch das hochfrequente elekirische Wechselfeld, den Impedanzweri Recording material *, including the phoioleufärage layer with an illuminance I .. that when used alone, without heating by the high-frequency electrical alternating field, the impedance value

pgp gpgp g

richtung verwendet, bestehend aus einem an einedirection used, consisting of one to one

«kr photokstfähigen Schicht an den des dielektrischen 60 Spansungsquelle angeschlossenen Elektrodenpaar«A photocellable layer on the pair of electrodes connected to the dielectric voltage source

Aufzekhnungsmaierials angepaßt oder mii einer dieser «inern schichifönnigen dielektrischen AufzeichnungsAdequate recording material or with one of these internal layered dielectric recording

sesenüber höheren Beleuchtungsstärke /_f behchiei material und einer photoleitfähteen Schicht, bei desesenüber higher illuminance / _f behchiei material and a photoconductive layer, both of which

wird. Um ein Negativ zu erhalten, ist es zweckmäßig. das dielektrische Aufzeichnunssmaterial wärmeenipwill. To get a negative it is convenient. the dielectric recording material heat nip

daß die maximale Beieuchinnasslärke der büdmäßigen jBndficfc ist und in Kontakt mit der photoieitfähiaeithat the maximum Beieuchinnasslärke is the south-wise jBndficfc and in contact with the photoconductivity

Belichtung auf der phoioieitiahigen Schicht gleich der «5 Schicht steht, das Elektrodenpaar aus zwei leitendeiExposure on the phoioieitiahigen layer is equal to the 5 layer, the pair of electrodes consists of two conductive elements

BdeochtiHigssiärke 1, ist. Ein Positiv der Kopier- Streifen gebildet ist. die auf der dem AufzeichnungsBdeochtiHigssiärke 1, is. A positive of the copier strip is formed. the one on the record

vorlage kann in der Weise hergestellt -werden, daß die material gegenüberliegenden Oberfläche der photoOriginal can be produced in such a way that the material opposite surface of the photo

phoiokitflnige Schk&t total mii der Be!euchrur_sgs- ieitSahigen Schicht längs zweier einander sesenübeiphoiokitflnige Schk t mii total of Be! euchrur _s GS ieitSahigen layer along two mutually sesenübei

22112211

ehe*,,before*,,

liegender Ränder angebracht sind, und die SpannungsijUelie ein Hochfrequenzgenerator ist.lying edges are attached, and the tension julie is a high frequency generator.

VöfteilhaftefWeiüe Werden die Anordnungen ftiit einem HöchfreqUehzgenefalöf, der für kürze Zeitspannen angeregt werden kann, verbünden. Optimale Ergebnisse werden erreicht, wenn die Frequenz des deftefafors }h1 wesentlichen der Frequenz entspricht, bei der der Verlustfaktor des ÄüfZeißlihühgsmaterials ein Maximum besitzt.The arrangements are partially liable a HöchstfreqUehzgenefalöf, which for short periods of time can be stimulated, ally. Optimal results are achieved when the frequency of the deftefafors} h1 essentially corresponds to the frequency, where the loss factor of the ÄüfZeißlihühgsmaterials has a maximum.

Die Erfindung ist in den folgenden Darstellungen Von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt:The invention is illustrated in the following representations of exemplary embodiments in conjunction with Drawings described in more detail. It shows:

F i g. 1 eine schematische Darstellung der Grundelemente einer Anordnung gemäß einer ersten erfindungsgemäßen Durchfuhrungsform des Verfahrens. epäter als »Parallel-Platlenanordnung« bezeichnet (ein Blatt Aufzeichnungsmaterial liegt in Arbeitsposition). F i g. 1 shows a schematic representation of the basic elements of an arrangement according to a first according to the invention How the procedure will be carried out. later referred to as "parallel plate arrangement" (a sheet of recording material lies in the working position).

Fig. 2 eine Ansicht ähnlich der von Fig. I. bei der nach einer Vorlage die photoleitfähige Schicht bildmäßig belichtet wird, vobei die Lichtintensitälen so auf die Aufzeichnungsintensität eingestellt sind, daß die Aufnahme eines Negativs der Vorlage erfolgt.FIG. 2 is a view similar to that of FIG which, according to an original, the photoconductive layer is exposed imagewise, with the light intensities are adjusted to the recording intensity that the recording of a negative of the original takes place.

Fi g. 3 eine Ansicht ähnlich der von Fig. 1, bei der nach einer Vorlage die photoleitfähige Schicht *5 bildmäßig belichtet wird, wobei die Lichtintensitäten durch eine zusätzliche Tolalbelichtungsquelle in den bildmäßig belichteten Bereichen auf eine Intensität angehoben werden, die über der Aufzeichnungsintensität /fliegt, so daß Positive der Vorlage aufgenommen werden.Fi g. 3 is a view similar to that of FIG according to a template the photoconductive layer * 5 is exposed imagewise, the light intensities by an additional Tolal exposure source in the image-wise exposed areas are raised to an intensity which is above the recording intensity / flies so that positives are added to the template will.

F i g. 4 ein elektrisches Ersatzschaltbild der Parallel-Platlenanordnung nach Fig. 1.F i g. 4 an electrical equivalent circuit diagram of the parallel plate arrangement according to Fig. 1.

F i g. 5 ebenfalls ein elektrisches Ersatzschaltbild entsprechend Fig. 1. das Reihen-Äquivalenl-Sdialtkreise jedes Schaltungsweges von F i g. 4 darstellt.F i g. 5 also shows an electrical equivalent circuit diagram corresponding to FIG. 1, the series equivalents / serial circles each circuit path of FIG. 4 represents.

F i g. 6 eine Kurve, weiche die Veränderung in der Größe der Reihen-Äquivalent-Impedanz der photoleitfähigen Schicht nvl Veränderungen des Widerstandswertes der photoleitfähigen Schicht bedingt durch Veränderungen der Lichtintensität wiedergibt.F i g. 6 is a graph showing the change in the magnitude of the series equivalent impedance of the photoconductive Layer nvl caused changes in the resistance value of the photoconductive layer through changes in light intensity.

F i g. 7 Kurven, die die Beziehung der Energieabgabe in der photoleitfähigen Schicht und in dem Aufzeichnungsmaterial zu Veränderungen im Widerstandswert der photoleitfähigen Schicht bei Veränderungen der Lichtintensität wiedergibt.F i g. 7 curves showing the relationship of energy output in the photoconductive layer and in the recording material to changes in the resistance value of the photoconductive layer when the light intensity changes.

F1 g 8 eine schematische Darstellung der Grundelemente einer Anordnung gemäß einer zweiten erfindungsgemäßen Durchfuhrungsform des Verfahrens, im folgenden als »Zweidraht-Anordnung« bezeichnet, wobei"ein Blatt Aufzeichnungsmaterial in Arbeitsposition liegt, F1 g 8 a schematic representation of the basic elements an arrangement according to a second embodiment of the method according to the invention, hereinafter referred to as a "two-wire arrangement", where "a sheet of recording material is in the working position,

F i g. 9 eine Ansicht ähnlich der von F i g. 8, die die Aufnahme eines Positivs einer Vorlage wiedergibt,F i g. 9 is a view similar to that of FIG. 8, which shows the recording of a positive of an original,

F i g. 10 eine Ansicht ähnlich der von F i g. 8. die die Aufnahme eines Negativs einer Vorlage wiedergibt, F i g. 10 is a view similar to that of FIG. 8. which reproduces the recording of a negative of an original,

F i g. 11 ein schematisches Diagramm, welches das elektrische Äquivalent der Zweidraht-Anordnung von Fig. 8 darstellt,F i g. 11 is a schematic diagram showing the electrical equivalent of the two-wire arrangement of FIG Fig. 8 illustrates

Fi g. 12 ein schematisches Diagramm, welches die Schaltung mit den Reihen-Äquivalenten der Parallel-Schaltkreise von Fi g. 11 darstellt, undFi g. 12 is a schematic diagram showing the Circuit with the series equivalents of the parallel circuits of FIG. 11 represents, and

F i g. 13 eine Ansicht ähnlich der von F i g. 9, welche die Aufnahme eines Positivs einer Vorlage unter Benutzung einer Vorbelichtungsquelle von der Aufzeichnungsintensität l_A darstellt, da diese Anordnung auch eine Verkürzung der Aufnahmezeit bewirkt.F i g. 13 is a view similar to that of FIG. 9, which shows the recording of a positive of an original using a pre-exposure source of the recording intensity I _A , since this arrangement also brings about a shortening of the recording time.

In den folgenden Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezügszeichen gleiche öder entsprechende Elemente ifi den verschiedenen Figuren. F i g. 1 zeigt eilt Aufzeichnungsmaterial iii Föriri eitles Blattes iS. das Vorzugsweise aus pölafdiefektrischem Material hergestellt ist oder besteht; Welches einen Verlustfaktor mil einem Spitzenwert bei eitler bestimmten Frequenz aufweist. Demgegenüber sind nicht pölafdieiektfiselle Materialien durch einen Verlustfaktor ausgezeichnet, der über den gesamten Frequenzbereich irrt wesönl* liehen konstant und relativ niedrig ist. Vorzugsweise besteht das Aufzeichnungsmalerhl aus einem oder mehreren Papier-Schichlträgern 16. von welchen jeder eine wärmeempfindliche Deckschicht 17 besitzt, welche sich sichtbar chemisch verändert oder transparent Wird, wenn seine Temperatur auf eine spezifische Äufzeichnungslcmperalur erhöht wird. Hierdurch'. ird die farbige Oberfläche des Schichtträgers freigelegt. Solche Aufzeichnungsmaterialien sind im Handel als thermographisches Kopierpapier bekannt.In the following drawings, the same denotes References identical or corresponding elements to the different figures. F i g. 1 shows fast recording material iii Föriri vain leaf iS. the Preferably made of polafdiefectric material is or consists; What a loss factor with a peak value at a certain frequency having. In contrast, pölafdieiektfiselle are not Materials are characterized by a loss factor that is wrong across the entire frequency range. borrowed is constant and relatively low. The recording marker preferably consists of one or a plurality of paper backings 16. each of which has a heat-sensitive cover layer 17, which chemically changes visibly or becomes transparent when its temperature rises to a specific one Recording length is increased. Through this'. earth exposed the colored surface of the substrate. Such recording materials are commercially available as known thermographic copier paper.

Die Arbeit I Jl'. die erforderlich ist. um die Temperatur Γ der wärmeempfindlichen Schicht eines Aufzeichnungsmaterial um einen Betrag 1T zu erhöhen, also von der Umgebungstemperatur zu einer spezifischen Aufzeichnungstemperatur, bei der eine sichtbare Veränderung auftritt, berechnet sich nach der folgenden wohlbekannten Gleichung:The work I Jl '. which is required. to increase the temperature Γ of the heat-sensitive layer of a recording material by an amount 1 T , i.e. from the ambient temperature to a specific recording temperature at which a visible change occurs, is calculated according to the following well-known equation:

= M ■ S ■ IT. = M ■ S ■ IT.

Hierbei bedeutet M die Masse eines Schichtvolumens von einer Fläche A urd einer Dicke d multipliziert mit der Dichte, und S die spezifische Wärme der wärmeempfindlichen Schicht.Here, M denotes the mass of a layer volume of an area A and a thickness d multiplied by the density, and S denotes the specific heat of the heat-sensitive layer.

Um diese Arbeit in einer bestimmten Zeit f aufzubringen, ist ein Leislungsaufwand (Arbeit/Zeiteinheit) vonIn order to do this work in a certain time f, a performance effort (work / time unit) from

r
erforderlich. Somit beträgt die erforderliche Leistung:r
necessary. Thus the required performance is:

IL= ^IL = ^

Die Leistung, die in dem dielektrischen Material abgegeben wird, wird durch die folgende Gleichung wiedergegeben:The power dissipated in the dielectric material is given by the following equation reproduced:

L_d = E² „, Cd L _d = E ² ", Cd

S-S-

fi Hierbei ist E die Spannung oder der Potentialgradient über einem Einheitswurfel des Materials einer Fläche A, einer Dicke d und einer Dielektrizitätskonstante e, ω das 2 π-fache der Frequenz /, d_f der Verlustfaktor des Materials bei der angewendetenfi Here, E is the voltage or the potential gradient over a unit cube of the material of an area A, a thickness d and a dielectric constant e, ω 2 π times the frequency /, d _f the dissipation factor of the material at the applied

Frequenz und C (=~j^ j die Kapazität des Einheitswürfels des Materials. Frequency and C (= ~ j ^ j the capacity of the unit cube of the material.

Setzt man die erforderliche Leistung AL mit der verbrauchten Leistung L_d gleich und löst nach J T auf. so erhält man die folgende Gleichung:If one equates the required power AL with the consumed power L _d and dissolves for JT. so we get the following equation:

MSMS

Somit erfordert das dielektrische Erwärmen oder die Erhöhung der Temperatur eines oder mehrerer Blätter Aufzeichnungsmaterial auf eine spezifische Aufzeichnungstemperatur in einer gegebenen ZeitThus, dielectric heating or raising the temperature requires one or more Sheets recording material to a specific recording temperature in a given time

209515/289209515/289

22112211

1916 9681916 968

ίοίο

eine vorbestimmte Kombination von Spannung und Frequenz, je höher die Frequenz, desto niedriger ist die Spannung und umgekehrt Die obere Grenze der Spannung wird durch die Durchbruchsspaiiiiung des Aufzeithnungxmaterials gegeben, welches dielektrisch erwärm! werden soll. Der Verlustfaktor des Aufzeichnungsmaterial·; hat vorzugsweise bei der ausgewählten Frequenz oder nahe dabei ein Maximum.a predetermined combination of voltage and Frequency, the higher the frequency, the lower the Voltage and vice versa The upper limit of the voltage is determined by the breakdown voltage of the recording material, which is dielectric warm up! shall be. The loss factor of the recording material ·; preferably has at the selected frequency or near a maximum.

fn F i g. I ist eine photoleitfahige Platte gezeigt, welche eine Elektrodenanordnung 18 bildet Diese besitzt «line transparente Glas- oder Glimmerschicht 19 mit einem leitenden transparenten überzug 21 Unter dem transparenten leitenden Überzug 21 liegt •ine photi'leiif ihiHe Schicht 22. die in einer Ausführung eine phosphoreszierende Substanz in einem Mischungsverhältnis von 2.5 I mil einem beliebigen hn Handel erhältlichen Acrylharz enthält. Diese ßhotoleitfähigc Schicht ist in einer Dicke der Größenordnung von etw;< 80 Mikrometer (0.(103 inchi aufgebracht und besitzt eine Dielektrizitätskonstante von .V Die plattenförmigen Anordnung 18 kann geeigneterweise in einem (nicht gezeigtem Rahmen gehalten werden Das Blatt 15 wird vorzugsweise mit leinem wärmeempfindlichen überzug 17 der Elektrode 18 zugekehrt und in direktem Kontakt mit dei Schicht 22angeordnet D^;e photoleitfahige Elektrodenanordnung 18 einerseits und die Gegenelektrode 23 mil dem dazwischenliegenden Blatt 15 bilden eine Aufzeichnungsanordnung, die als Parallel-Plattenanordnung bezeichnet wird.fn F i g. A photoconductive plate is shown which forms an electrode arrangement 18. This has a transparent glass or mica layer 19 with a conductive transparent coating 21. Below the transparent conductive coating 21 there is a photoconductive layer 22, which in one embodiment is phosphorescent Substance in a mixing ratio of 2.5 l with any commercially available acrylic resin. This photoconductive layer is applied to a thickness of about 80 micrometers (0. (103 inches) and has a dielectric constant of .V The plate-shaped arrangement 18 can suitably be held in a frame (not shown) Heat-sensitive coating 17 facing electrode 18 and arranged in direct contact with layer 22 ^{; a} photoconductive electrode arrangement 18 on the one hand and counter electrode 23 with sheet 15 in between form a recording arrangement which is referred to as a parallel plate arrangement.

Line hochfrequente konstante Wechselspannungsqueile 24 kann an die Elektroden für eine bestimmte Zeil f angelegt werden, die von einem elektronischen Zeitgeber 25 vorgegeben wird In dieser Zeit muß die Aufzeichnung ausgeführt werden, während die photoleiifähige Elektrodenanordnung 18 bildmäßig belichtet wird. Die Spannungstjuelle 24 kann die Form eines Hartley-Oszillators haben.Line high-frequency constant alternating voltage source 24 can be applied to the electrodes for a specific cell f, which is provided by an electronic Timer 25 is preset During this time, the recording must be carried out while the photoconductive Electrode assembly 18 is exposed imagewise. The tension junction 24 may be in the form of a Hartley oscillator.

In F i g. I ist eine Kopiervorlage 26. welche kopiert Werden soll, dargestellt. Die Oberfläche der Vorlage hat dunkle Bereiche 27 und weiße oder hellere Befeiche 28. welche beide zusammen ein Lichtbild bestimmen. Wenn die Kopiervorlage von Lampen 29 beleuchtet wird, so wird das davon reflektierte Licht durch eine Linse 30 auf die photoleitfahige Schicht 22 der Elektrodenanordnung 18 projiziert. Wenn, wie in F i g. 2. bei der die gleiche Kopiervorlage 26 kopien Werden soll, die Intensität des von den weißen Be- «eichen reflektierten Lichtes eine vorbestimmte Intensität hat, allgemein als G₁ bezeichnet, die höher als die des von den Bereichen 27 reflektierten Lichtes ist und auf der photoleitfähigen Schicht eine Beleuchtungsstärke Ι_Λ erzeugt, und eine Wechselspannung V einer vorbestimmten Größe und einer Frequenz f an die Elektroden 18 und 23 für die Zeit t angelegt wird, wird der Widerstandswert der photoleitfähigen Schicht 22 in den Bereichen, die von Licht der Intensität G, getroffen wurden, in einer noch zu beschreibenden Weise sehr stark erniedrigt, mit dem Ergebnis, daß die Dichte des elektrischen Flusses durch Bereiche des Aufzeichnungsblattes 15. die an Bereiche der photoleitfähigen Schicht 22 anliegen, die durch Licht der Intensität G₁ getroffen wurden, zunimmt. A ·\ίdiese Weise erreicht der Potentialgradient oder der Spannungsabfall über diesen Bereichen des Aufzeichnungsblattes 15 im wesentlichen den Wert E und ist damit hinreichend groß, um bei der angewendeten Frequenz ,die wärmeempfindliche Schicht auf die Aufzeichnungstemperatur in tuner Zeit t ?n erwärmen. Die so entwickelte Wärme erzeugt sichtbare Veränderungen in der Schicht 17 des Aufzeiehnungsblattes i5 in Bereichen 31 (Fig. 2) entsprechend den Vorlagebereichert 28 (Fig. !). Das heißt, daß das Aufzeichnungsmaterial in den den mit einer Intensität G, belichteten Bereichen der photoleitfähigen Platte 22 gegenüberliegenden Bereichen verändert wird, wodurch ein Negativ der Kopiervorlage entsteht.In Fig. I is a master copy 26. which is to be copied is shown. The surface of the original has dark areas 27 and white or lighter areas 28, which both together determine a light image. When the master copy is illuminated by lamps 29, the light reflected therefrom is projected through a lens 30 onto the photoconductive layer 22 of the electrode arrangement 18. If, as in FIG. 2. in which the same master copy 26 is to be copied, the intensity of the light reflected from the white areas has a predetermined intensity, generally referred to as G ₁ , which is higher than that of the light reflected from the areas 27 and on the photoconductive layer generates an illuminance Ι _Λ , and an alternating voltage V of a predetermined magnitude and a frequency f is applied to the electrodes 18 and 23 for the time t , the resistance value of the photoconductive layer 22 in the areas exposed to light of intensity G, were taken, very greatly reduced in a manner to be described, with the result that the density of the electrical flow through areas of the recording sheet 15 which are in contact with areas of the photoconductive layer 22 which have been struck by light of the intensity G ₁ increases. A * \ ί thus achieved the potential gradient or the voltage drop across these areas of the recording sheet 15 is substantially the value E, making it large enough at the applied frequency, the heat-sensitive layer on the recording temperature in tuner time t? Warm n. The heat developed in this way produces visible changes in the layer 17 of the recording sheet i5 in areas 31 (FIG. 2) corresponding to the original areas 28 (FIG.!). This means that the recording material is changed in the areas of the photoconductive plate 22 which are opposite the areas of the photoconductive plate 22 which are exposed with an intensity G 1, whereby a negative of the original is produced.

Immer, wenn die Intensität des Ümgebungslichte< höher als die intensität G₁ des Lichtes ist. welches die Veränderung bewirkt, wird die photoleitfahige Elektrodenanordnung 18 normalerweise \ on dem Lmgebungslkht abgeschirmt. Wenn jedoch der PeselWhenever the intensity of the ambient _{light is <higher than the intensity G 1 of} the light. which causes the change, the photoconductive electrode assembly 18 is normally shielded from the ambient light. However, if the pesel

i> des Umgebung,lichtes niedriger als die Intensität U₁ des Lichtes ist. braucht Jie Elektrodenanordnung i8 nicht von dem L'mgebungslicht abgeschirmt zu w erden Wenn, wie in F ι g. 3. die photoleitfahige Elektrodenanordnung 18 von Lampen 32 beleuchtet wird, die allein für Licht von Aufzeichnungsintensität G, sorgen und die Elektrodenanordnung 18 gleichzeitig dem Licht ausgesetzt ist. das von der Vorlage 26 reflektiert wird, bei dem das von den weißen Bereichen 28 reflektierte Licht eine höhere Intensität, allgemein als G₂ bezeichnet, besitzt, welche auf der photoleitfähigen Schicht eine Beleuchtungsst.iike l_c erzeugt. So verhindert die letztere eine Veränderung des Aufzeichnungsmaterials in den den mit einer Intensität G. belichteten Bereichen der photoleitfähigen Schuht 22 gegenüberliegenden Bereichen Die Kopie ist dann ein Positiv der Vorlagei> of the environment, light is lower than the intensity U _{1 of} the light. The electrode arrangement does not need to be shielded from the ambient light. If, as in FIG. 3. The photoconductive electrode arrangement 18 is illuminated by lamps 32 which only provide light of recording intensity G 1 and the electrode arrangement 18 is simultaneously exposed to the light. which is reflected from the original 26, wherein the light reflected from the white areas 28 light has a higher intensity, commonly referred to as G _2, which formed on the photoconductive layer a Beleuchtungsst.iike l _c. The latter thus prevents a change in the recording material in the areas of the photoconductive shoe 22 which are opposite the areas of the photoconductive shoe 22 exposed with an intensity G. The copy is then a positive of the original

Zur Erläuterung dieses Verhaltens kann die Parallel-Platten inordnimg von F i g. 1 bei Betrachtung der Wege durch einen Eleinentarbereich von der Phitte 21 zu der Platte 23 in einem elektrischen Ersatzschaltbild nach F i g 4 dargestellt werden. In F i g. 4 enthält jeder wirksame Weg durch einen solchen Elementarbereich ein P.iralleT-RC-Glied 33. welches das elektrische Verhalten des Materials der plunoleitfähigenThe parallel plates inordnimg of FIG. 1 when looking at the paths through an elementary area from Phitte 21 to the plate 23 are shown in an electrical equivalent circuit diagram according to FIG. In Fig. 4 contains Every effective path through such an elementary area has a P.iralleT-RC element 33. which is the electrical Behavior of the material of the plunoconductive

4c Schicht 23 wiedergibt, in Reihe mit einem Parallel-RC'-Glicd 34. welches die Eigenschaften des Aufzeichnungsmaterials wiedergibt. Typischervveise ist der Reaktanzwert Λ . der photoleitfähigen Schicht im wesentlichen gleich dem Reaktanzwcrt V₁ des Aufzeichnungsmaterials. Der Dunkelwiderstandswert Rr, der photoleitfähigen Schicht ist größer ak der Widerstandswert R_r des Aufzeichnungsmaterials und beide. R_ph und R^ sind bei den angewendeten Hochfrequenzen größer als die entsprechenden Reak-4c shows layer 23, in series with a parallel RC 'glicd 34. which shows the properties of the recording material. The reactance value Λ is typical. of the photoconductive layer is essentially equal to the reactance value V _{1 of} the recording material. The dark resistance value Rr, the photoconductive layer is larger ak the resistance R _r of the recording material and both. R _ph and R ^ are greater than the corresponding reac-

tanzwerte X _h und X Bei 100 Megahertz, der Frequenz, bei der der Verlustfaktor für typische Aufzeichnungsmaterialien nahe bei seinem Spitzenwert liegt, und wenn man einen vom Licht getroffenen Elementarbereich von 0.25 x 0.25 cm (0,1 x 0,1 inch) Fläche und eine Dicke der Schicht 22 und des Aufzeiehnungsblattes 15 von jeweils etwa 80 Mikrometer (0,003 inch) annimmt und für die Dielektrizitätskonstanten der photoleitfähigen Schicht und des Aufzeichnungsmaterials jeweils einen Wert von etwa 3 nimmt, so haben diese Parameter folgende Werte:dance values X _h and X at 100 megahertz, the frequency at which the loss factor for typical recording materials is close to its peak value, and assuming a light-struck elementary area of 0.25 x 0.25 cm (0.1 x 0.1 inch) area and assumes a thickness of layer 22 and recording sheet 15 of about 80 micrometers (0.003 inch) each and a value of about 3 for the dielectric constants of the photoconductive layer and of the recording material, these parameters have the following values:

R_ph (dunkel oder Umgebuneslicht) R _ph (dark or ambient light)

= 3 x 10^ä Ohm,
R, = 11.8 Kiloohm,
A'_c , = 700 Ohm,
«H: X_Cr = 700 0hm.= 3 x 10 ohms ^ä,
R, = 11.8 kiloohms,
A ' _c , = 700 ohms,
«H: X _Cr = 700 ohms.

f F i g. 5 zeigt die Serien-Äquivalent-Schaltung dei photoleitfähigen Schicht und des AufLeichnungsmate-f F i g. 5 shows the series equivalent circuit dei photoconductive layer and the recording material

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γ _ γ _

X]X]

R² R ²

(4)(4)

(5)(5)

in diesen Gleichungen ist, Worin R > X_e: in these equations, where R> X _e :

VlVl

R *i = R * i =

und somit die Reihenimpedanz:and thus the series impedance:

VlVl

- R ^JJit - R ^JJit

(6)(6)

so folgtso follows

R = X_c, R = X _c ,

11 ^ceq ^c eq RR. undand -iX-iX 2,-2, - 22 und somitand thus , SO, SO R Jx
- τ ~ y R Jx
- τ ~ y Wenn RWhen R <*_e.<* _e . folgtfollows ίί = R= R undand XX Z. = Z. = —Jk² - Jk ² XcXc und somitand thus - R -^JR2 - R - ^JR2

(7)(7)

X ' X '

(8)(8th)

Da, wie oben erwähnt, der Widerstandswert des Aufzeichnungsmaterials R_r größer als sein Reaktanzwert bei der angewendeten Frequenz ist, so ist die Äquivalentiihped'anz Z_s des Aüfzeichnungsmaterials, wenn man die Parameter des Aufzeichnürigsblattes der obigen Formeln einsetzt,Since, as mentioned above, the resistance value of the recording material R _{r is} greater than its reactance value at the frequency used, the equivalent impedance Z _{s of} the recording material, if one uses the parameters of the recording sheet of the above formulas, is

konstant.constant.

rials ifi jedem Weg eines Elemehtarbcreichs, wobei die zu del phötoleitfähigen Schicht Und dem Aüfzeidhnungsblatt gehörenden Parallelschaltungen 33 Und 34 sich auf einen Äquivalent* Widerstand-uvürt ii_eq Und einen Äquivalenf-ReaktanzWert X_tq verringern, Wobei die Werte R_cq Und X_eq auf bekannte Weise durch die folgenden Ausdrücke bestimmt sind:rials ifi each path of an elementary area, whereby the parallel circuits 33 and 34 belonging to the photoconductive layer and the information sheet are reduced to an equivalent * resistance value ii _eq and an equivalent reactance _value X tq, whereby the values R _cq and X _eq are known Way are determined by the following expressions:

Der Widerstandswert der photoleitfahigen Schicht jedoch verändert sich umgekehrt mit der Beleuchtungsstärke und, wenn der Widerstandswert unter den Wert ihres Reaktartzwertes bei den angewendeten Frequenzen gebfacht werden könnte, j>o wäre die Größe der Äquivalent^Reihenitnpedanz Z_s _h der photoleitfahigen Schicht, wie in der Kurve 35 der F i g. 6 dargestellt, bei einem relativ niedrigen Wert, verglichen mit der Größe der Äquivalent-Reihenimpe-The resistance value of the photoconductive layer, however, changes inversely with the illuminance and, if the resistance value could be doubled below the value of its reactivity value at the frequencies used, j> o would be the size of the equivalent series impedance Z _s _{h of} the photoconductive layer, as in FIG Curve 35 of FIG. 6, at a relatively low value compared to the size of the equivalent series impe-

dein?¹ Z,_p [Gleichung (O)"] des Aufzeichnungsmaferials. Somit erscheint im wesentlichen die gesamte Spannung V über der Auf/eichnungsblatt-Impedanz Z, Und wird wirksam, um das Aufzeichnungsblatt in einer Zeit ί auf Aufzeichnungstemperatur dielektrisch zu erwärmen. Folglich ist die natürlicherweise zu erwartende Betriebsweise der Parallel-Plattenanordnung die Erzeugung von Negativen, d. h. das sichtbare Verändern des Aüfzeichnungsmaterials. in den Bereichen, welche an solchen Bereichen der photoleit-your? ¹ Z, _p [equation (O) "] of the recording material. Thus, substantially all of the voltage V appears across the recording sheet impedance Z, and acts to dielectrically heat the recording sheet to recording temperature in a time ί the naturally to be expected mode of operation of the parallel plate arrangement, the generation of negatives, ie the visible change in the recording material.

zo fähigen Schicht anliegen, die von dem Licht getroffen Wurden (Fig. 2). zo capable layer, which were struck by the light (Fig. 2).

Bis jetzt wurde jedoch kein photoleitfähiges Material gefunden, dessen Widerstandswert auch bei Exposition mit sehr hohen Beleuchtungsstärken auf Werte erniedrigt werden kann, die sich ihrem Reaktanzwert nähern, geschweige denn wesentlich niedriger sind als ihr Reaktanzwert bei Frequenzen in dem angewendeten 100-Megahertz-Bereich. In F i g. 6 stellt die Kurve 35 den Verlauf von Z, _h auf halblogarith-Up to now, however, no photoconductive material has been found whose resistance value can be reduced to values which approach their reactance value even when exposed to very high illuminance levels, let alone are significantly lower than their reactance value at frequencies in the applied 100 megahertz range. In Fig. 6, curve 35 represents the course of Z, _h on a semi-logarithmic

mischer Skala und R_ph auf einer logarithmischen Skala dar. und die gepunktete Linie 41 teilt die Kurve 35 in dem Punkt, in dem der Wert von R_ph dem Wert X^ gleich ist. Da jedoch, wie oben erwähnt, R_ph durch Lichteinwirkung nicht auf diesen Wertmixer scale and R _ph on a logarithmic scale. and the dotted line 41 divides the curve 35 at the point where the value of R _ph is equal to the value X ^. However, since, as mentioned above, R _ph by exposure to light does not affect this value

gebracht werden kann, bleibt der Impedanzwert Z, _(l der photoleitfahigen Schicht innerhalb des Bereiches der Kurve 35 auf der rechten Seite der Linie 41 in F i g. 6 hoch, und die Spannungsteilung zwischen den Impedanzen der photoleitfahigen Schicht und des Aufzeichnungsblattes in der Schaltung nach F i g. 5 vollzieht sich so, daß der Spannungsabfall über der Aufzeichnungsblatt-Impedani. Z . dessen konstante Größe durch die gepunktete Linie 38 wiedergegeben ist, zur Aufzeichnung nicht ausreicht.can be brought, the impedance _{value Z, (l of} the photoconductive layer within the area of the curve 35 on the right side of the line 41 in Fig. 6 remains high, and the voltage division between the impedances of the photoconductive layer and the recording sheet in the circuit 5 takes place in such a way that the voltage drop across the recording sheet impedance, the constant magnitude of which is represented by the dotted line 38, is insufficient for recording.

In Ermangelung eines photoleitfahigen Materials, dessen Widerstandswert unter seinen Reaktanzwert gebracht werden kann, der bei Megahertz-Frequenzei sehr niedrig ist, kann dieser Vorgang das Aufzeichnungsmaterial in den den vom Licht getroffenen Bereichen der photoleitfahigen Schicht entsprechenden Bereichen nicht selektiv dielektrisch erwärmen. Bei experimentellen Versuchen, den Widerstandswert der photoleitfahigen Schicht 22 mit Lichtpunkten hoher Intensität G₂ herunterzubringen, wurde unerwartet festgestellt, daß das Aufzeichnungsmaterial in Bereichen verändert wurde, die an Bereichen der photoleitfahigen Schicht 22 außerhalb der punktförmig belichteten Bereiche anlagen. Das bedeutet, daß Bereiche des Aufzeichnungsmaterials, die einen Bereich der photoleitfahigen Schicht mit einer Belichtung niedrigerer Intensität G₁ verändert wurden. Diese niedrigere Intensität G₁ wurde durch ein Lichthalo um den Lichtfleck hoher Intensität erzeugt. Das Halo entstand offensichtlich aus innerer Reflexion in dem Glas oder wurde durch Umgebungslicht der Intensität G₁ erzeugt. Auf diese Weise wurde gefunden, daß das Materialproblem in der Parallelplatten-Anordnung durch Regelung des BeleuchtungspegelsIn the absence of a photoconductive material whose resistance value can be brought below its reactance value, which is very low at megahertz frequencies, this process cannot selectively dielectrically heat the recording material in the areas corresponding to the areas of the photoconductive layer struck by the light. In experimental attempts to bring down the resistance value of the photoconductive layer 22 with light points of high intensity G ₂ , it was unexpectedly found that the recording material was changed in areas which were in contact with areas of the photoconductive layer 22 outside the point-like exposed areas. This means that areas of the recording material which form an area of the photoconductive layer were changed with an exposure of lower intensity G ₁ . This lower intensity G ₁ was generated by a light halo around the high intensity light spot. The halo evidently resulted from internal reflection in the glass or was produced by ambient light of intensity G ₁ . In this way it has been found that the material problem in the parallel plate arrangement is solved by controlling the level of illumination

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gelöst werden konnte. Hierbei wird eine Lichtintensität G, ausgewählt, bei der, wie man jetzt glaubt, dje Energieabgabe in der photoleilfähigen Schicht ein Maximum hit. Hierdurch wird das Erwärmen der photoleitfähigen Schicht gefördert, um deren Widerstandswert niedriger als ihren Reaktanzwert zu machen. Im einzelnen wurde gefunden, daß durch Anwendung eines Lichtintensitätspegels G₁, der den Widerstandswert der photoleitfähigen Schicht 22 gegen den des Aufzeichnungsmateriais vermindern w>":rde, ein viel höherer Wen erreicht wird als der Reaitanzwert der photoleitiahigen Schicht bei 100 Megahertz, und im einzelnen ein solcher Wert erreicht wurde, daß die Reihen-Äquivalent-Impedanzen der photoleitfäh'^en Schirti und des Aufzeichnungsmaterials. Z_s ■ und rs Zs_T, jeweils im wesentlichen einander angepaßt wurden. Ein Maximum an Energie wurde hier Ober der photokitfähigen Schicht" in Bereichen abgegeben, die von der Lichtintensität G₁ getroffen wurden.could be solved. In this case, a light intensity G i is selected at which, as is now believed, the energy output in the photoconductive layer hits a maximum. This promotes heating of the photoconductive layer to make its resistance value lower than its reactance value. In particular, it has been found that by using a light intensity level G ₁ which decreases the resistance of the photoconductive layer 22 to that of the recording material, a much higher value than the reactance of the photoconductive layer at 100 megahertz is achieved, and more specifically such a value was reached that the series equivalent impedances of the photoconductive layers and of the recording material. Z _s ■ and rs Zs _T , were essentially matched to one another Released areas that were hit by the light intensity G _1.

In F ι g. " gib! die Kurve36 die Veränderung der Energieabgabe über der Serien-Äquivaieut-Impedanz der photoleitiahigen Schicht nach F i g. 5 mit der Veränderung der Impedanz der photoleitfähigen Schicht wieder, die durch Veränderungen des Widerstandes in R_rk der photoleitfähigen Schicht mit der Lichtintensität verursacht wird. Die Kurve 37 gibt die Veränderung in der Energieabgabe über der konstant bleibenden Impedanz des Aufzeichnungsmatenals mit Veränderungen der Impedanz der phoioleitfähigen Schicht wieder. Man sieht, daß in Übereinstimmung mit bekannten ph> sikalischen Gesetzen ein Maximum an Energie über der photoleitfähigen Schicht abgegeben wird, wenn ihre Impedanz der des Aufzeiehnungsmatenals angepaßt ist. Die* ist die Bedingung, die durch den Schnittpunkt zwischen der Kurve 35 und der Linie 38 in Fig 6 und den Schnittpunkt zwischen den Kurven 36 und 37 und der Linie 39 in F i g.7 angezeigt wird Die Energieahgabe in Form von Wärme wirkt, da der W idcrstandswert des photoleitfähigen Materials sich umgekehrt zur Temperatur verändert, in der Art. daß der Widerstandswert der photoleitfähigen Schicht unter ihren Reaktanzwert gebracht wird mit dem Ergebnis, daß die Reihen-Äquivalent-Impedanz Z_<N, des durch die photoieitfahije Schicht repräsentierten flC-Gliedes schnell auf einen vernachlässigbaren Wert abfallt, was durch die Reihen-Äquivalent-Impedanzkurve 35 links von der Linie 41 in F 1 g. 6 gezeigt wird Demzufolge fällt fast die gesamte Spannung i iiher der Impedanz Z₁, des Aufzeichnungsblattes ab und besitzt eine Große E. die ausreicht, um das Aufjcichnungsbldtt auf eine Aufzeichnungstemperatur in einer /ut r in den Bereichen zu erwärmen, die an den Bereichen der photoleilfahigen Schicht anliegen, die von der mit der Beleuchtungsstärke I₁. entsprechend der Lichtintensität G₁ belichtet wurden Somit werden Negative wie in F i g, 2 erzeugt.In FIG. The curve 36 shows the change in the energy output over the series equivalent impedance of the photoconductive layer according to FIG. 5 with the change in the impedance of the photoconductive layer caused by changes in the resistance in R _{rk of} the photoconductive layer with the light intensity Curve 37 shows the change in the energy output over the constant impedance of the recording material with changes in the impedance of the photoconductive layer. It can be seen that, in accordance with known physical laws, a maximum of energy is output over the photoconductive layer, when their impedance matches that of the recording material. The * is the condition indicated by the intersection between curve 35 and line 38 in FIG. 6 and the intersection between curves 36 and 37 and line 39 in FIG The energy output in the form of heat acts as the resistance value of the photoconductive material terials changes inversely with temperature, in such a way that the resistance value of the photoconductive layer is brought below its reactance value, with the result that the series equivalent impedance Z _<N , of the fC-member represented by the photoconductive layer rapidly to a negligible Value drops, which is indicated by the series equivalent impedance curve 35 to the left of the line 41 in F 1 g. 6 is shown a result, the total voltage of the recording sheet falls almost i iiher the impedance Z _1, and holds a large E. sufficient to the Aufjcichnungsbldtt to a recording temperature in a / r ut in the areas to heat applied to the areas of the photoconductive layer are applied, which is dependent on the one with the illuminance I ₁ . were exposed in accordance with the light intensity G _1. Thus, negatives as in FIG. 2 are produced.

Wie oben in Zusammenhang mit F i g. 3 bemerkt Wurde, können genaüsogut Positive einer Vorlage aufgenommen werden. Der unerwartete Effekt, daß 6σ Licht relativ niedriger Intensität G₁ eine Impedanz* anpassung zwischen der phololeätlahigett Schicht und dem Aufzeichnungsmaterial bewirk!» wodurch eine Erwärmung in der phötoleilfähigeft Schicht und demzufolge eine Erniedrigung ihres Widerstands* wertes (und Impedanzwertes) auf einen vernachlässig·' baren Wert entsteht, ermöglicht, wie oben erwähnt, sowohl Negative als aueh Positive herzustellen.As above in connection with FIG. 3 has been noticed, positives of a template can be accepted just as well. The unexpected effect that 6σ light of relatively low intensity G ₁ brings about an impedance * matching between the phololätlahigett layer and the recording material! " as a result of which a heating in the photophilic layer and consequently a lowering of its resistance value (and impedance value) to a negligible value occurs, enables, as mentioned above, both negatives and positives to be produced.

Wenn die auf die pholo]ei(fähige Schicht 22 feilende, an sich hohe Lichtintensität G₂, deren Widerstand R_h auf einen solchen Wert verringert, daß Z_tph kleiner als Z₁ (gepunktete Linie 38, F i g, 6) ist, so daß eine Fehlanpassung eintritt, oder auf einen solchen Wert (links von der Linie 39, F i g. 7), daß nicht genügend Energie in der photoleitiahigen Schicht abgegeben wird, um sie merlcjich zu erwärmen und damit ihren Widerstaridswert R._b (und Z_Sph) zu verringern, so daß ein genügend großer Teil der Spannung an der Aufnahrneimpedanz Z_J(. abfällt, würde keine Veränderung in Bereichen desAufzeichnungsmaterials auftreten, die den Bereichen der photoleitfähigen Schicht entsprechen, wo Licht der an sich hohen Intensität G₂ auffällt. Im einzelnen wird, um ein Positiv der Vorlage 26 zu erhalten, die photoleitlahige Schicht 22 Umgebungslichl ausgesetzt oder einer Vorbelichtung mittels Lampen 32 der oben bezeichneten Lichtintensität G₁, die die Aufzeichnungsbeleuch' u rg_s. stärke / _Λ erzeugen. Dieses führt zu einer Impedanzanpassung zwischen der photoleitfähigen Schicht und dem Aufzeichnungsmaterial, so daß eine Veränderung des Aufzeichnungsmaterials bewirkt wird. Die ph. :<->leitfähige Schicht wird jedoch gleichzeitig Lieh; mit hoher Intensität G₂ ausgesetzt, welches von Bereu hen 28 der Vorlage, wie in F ι g. 1 gezeigt, über Steuerung der Lampen 29 reflektiert wird. Hierdurch winj m den den hellen Bereichen der Vorlage entspreche-, kn Bereichen der Anordnung 15 18 eine Fehlanpawne zwischen den Impedanzen der photoleitfähigen Schuht und des Aufzeichnungsmatenals bewirkt Unter diesen Bedingungen fällt, wie oben erwähnt, in diesen Bereichen nur ein geringer Teil der Spannung an dem Aufzeichnungsmaterial ab. der nicht ausreicht eine dielektrische Erwärmung des Aufzeichnungsmaterial in diesen Bereichen zu bewirken, so daß. wie in Fi g 3 gezeigt, ein Positiv der Vorlage 26 \on F ι g. 1 gebildet wird If the inherently high light intensity G ₂ filing on the pholo] egg (capable layer 22 , the resistance R _{h of which is} reduced to such a value that Z _{tph is} less than Z ₁ (dotted line 38, FIG. 6), so that a mismatch occurs, or to such a value (to the left of the line 39, FIG. 7) that not enough energy is given off in the photoconductive layer to heat it up and thus its resistance value R. _b (and Z _Sph ) so that a sufficiently large part of the voltage across the recording impedance Z _{J (} . Drops, no change would occur in areas of the recording material which correspond to the areas of the photoconductive layer where light of the inherently high intensity G _{2 is} incident. Im Specifically, to a positive of the original to obtain 26 photoleitlahige layer 22 exposed Umgebungslichl or a pre-exposure means of lamps 32, the light intensity G ₁ indicated above, the strength of the Aufzeichnungsbeleuch 'u rg _s. / _Λ generate. This leads to an impedance matching between the photoconductive layer and the recording material, so that a change in the recording material is effected. The ph. : <-> conductive layer is however at the same time Lieh; exposed with high intensity G ₂ , which is from Bereu hen 28 of the template, as in F ι g. 1, is reflected via control of the lamps 29. This causes the areas of the arrangement 15 which correspond to the bright areas of the original to cause a mismatch between the impedances of the photoconductive shoes and the recording material Recording material. which is insufficient to cause dielectric heating of the recording material in these areas, so that. as shown in FIG. 3, a positive of the original 26 on FIG. 1 is formed

In F i g. 8 wird eine Ausführungsform gezeigt, die .<> /Acidrahtanordnung zu bezeichnen -t Em Paar von ,luseinanderhcgenden Drahtelektr< >den 42 und 43 mit einem Durchmesser in der Größenordnung von etwa O.M cm (0.25" mehl erstrecken sich über die Breite einer geeignet gehaltenen photoleitfähigen plattenförmigen Elektrode mit einer photoleitfahigen Schicht 44. welch: selbsttragend oder in Seideng. .vehe getränkt oder auf Seidengcwebe aufgebracht sein kann: sie kann aber aueh auf einem Schichtträger au< Glas oder Glimmer angeordnet sein Die photoleitfähige Platte44 wird in Berührung mit den Elektroden 42 und 43 gehalten Ein Aufzeichnun^sblatt If kann mit seiner wärmeempfindlichen Schicht 17 geger und in engem Kontakt mit der photoleiifähiger Schicht der Platte 44 gehalten werden Wenn eim Hochfrequenz-Wechselspannung £ von einer (Juelh 45 an die auseinanderlegenden Elektroden 42 und 4^ für eine Zeit t gelegt wird, die von einem elektronischer Zeitgeber 25 festgelegt wird, wird ein elektrische: Feld aufgebaut, Welches sich durch die Ebenen de photoleilfähigeri Platte 44 und des Aufzeichnungs blatles 15 erstreckt. Bei dieser Ausführungsform kam die Funktion der photolciifähigcn Platte 44 als dii einer Elektrode angesehen werden, d. h. als Weiler führung der Zufdhrurtgseleklroden 42, 43, da sie di Dichte des elektrischen Feldes als Funktion ihre Leitfähigkeit steuert. In den dunklen Bereichen ode in den Bereichen, die der Umgebungsbeleuchtuni ausgesetzt sind, was der Fall sein kann, wie in deIn Fig. 8 shows an embodiment to denote the. <> / acid wire arrangement -t Em Pair of 'wire electrodes' attached to one another > the 42 and 43 with a diameter of the order of magnitude of about O.M cm (0.25 "flour extending across the Width of a suitably held photoconductive plate-shaped electrode with a photoconductive one Layer 44. which: self-supporting or in silk thread. .vehe can be impregnated or applied to silk fabric: but it can also be placed on a layer support Glass or mica can be arranged The photoconductive Plate 44 is in contact with the electrodes 42 and 43 kept a record sheet If can with its heat-sensitive layer 17 Geger and in close contact with the photoconductive Layer of plate 44 to be held when a high-frequency alternating voltage £ from a (Juelh 45 to the separating electrodes 42 and 4 ^ for a time t is placed by an electronic Timer 25 is set, an electrical: field is built up, which extends through the levels de photoconductive plate 44 and the record blatles 15 extends. In this embodiment came the function of the photoconductive plate 44 as a dii an electrode, d. H. as a hamlet leading the Zufdhrurtgseleklroden 42, 43, since they di The density of the electric field as a function of its conductivity controls. In the dark areas or in the areas exposed to ambient lighting, which may be the case, as in de

1 9J6 9581 9J6 958

Beschreibung der Parallel-Piattenanordnung erwähnt wurde, ist die Pichte das Feldes in dem Aufzeichnungsmaterial nicht groß genug, um dieses auf die Aufzeichnungstemperatur T in einer vorbestimmten Zeit f zu erwärmen.Description of the parallel plate arrangement mentioned the density is the field in the recording material not large enough to bring this to the recording temperature T in a predetermined Time to heat up f.

Wie in F i g, 8 gezeigt, kann die zu reproduzierende Vorlage ein phatagraphisches Negativ46 mit transparenten, d_r h. lichtdurchlässigen Bereichen 47 und dunklen, d. h, nicht lichtdurchlässigen Bereichen 48, sein. Eine Lampe 49 richtet Licht durch das Negativ 46 über die Kollimatorlinse 51, und das Licht, welches durch die transparenten Bereiche 47 dringt, wird durch eine Linse 52 auf die photoleitiähige Schicht der Platte 44 abgebildet. Andererseits kann Licht durch Reflexion von weißen Bereichen 28 'einer Vorlage 26, welche reproduziert werden soll, in der in Fig. 1 gezeigten Weise durch eine Linse 52 auf die photoleitfähige Schicht der Platte 44 gerichtet werden.As in F ig shown 8, the original to be reproduced a phatagraphisches Negativ46 can with transparent, d _r h. translucent areas 47 and dark, d. i.e., non-translucent areas 48. A lamp 49 directs light through the negative 46 via the collimator lens 51, and the light which penetrates through the transparent areas 47 is imaged by a lens 52 onto the photoconductive layer of the plate 44. On the other hand, light can be directed through a lens 52 onto the photoconductive layer of the plate 44 through a lens 52 by reflection from white areas 28 'of an original 26 which is to be reproduced.

Die Zweidraht-Anordnung unterscheidet sich von der Parallel-Plattenanordnung darin, daß das Feld, welches zwischen den Elektroden 42 und 43 aufgebaut ist. sich durch die Ebenen der photoleitfähigen Platte 44 und die Ebene des Aufzeichnungsblattes 15 mit dem Ergebnis erstreckt, daß die Quellenspannung E normalerweise, d. h. bei gleichmäßiger Beleuchtung der photoleitfähigen Schicht, gleichmäßig über jeden Elementar-Reihenabschnitt zwischen den Elektroden abfällt. Nimmt man drei Abschnitte a. b und c und eine Quellenspannune E an. so Heut eineThe two-wire arrangement differs from the parallel plate arrangement in that the field which is built up between the electrodes 42 and 43. extends through the planes of the photoconductive plate 44 and the plane of the recording sheet 15 with the result that the source voltage E normally, ie with uniform illumination of the photoconductive layer, drops uniformly over each elementary row section between the electrodes. If you take three sections a. b and c and a source voltage E. so today one

bpannung , über jedem Abschnitt im Dunkeln odertension, over each section in the dark or

bei Umgebungsbeleuchtung. Wenn zusätzlich oder ausschließlich Licht auf einen der Abschnitte gerichtet wird./. B. den Abschnitt .'',derart, daß dieser Abschnitt mit einer solchen Beleuchtungsstärke belichtet würde, daß in diesem Bereich gegenüber den anderen Abschnitten der Widerstand der photolcitfähigen Schicht vermindert wird und ihre Impedanz in Übereinstimmung mit der Kurve 35 in F ι g. ft ebenfalls abfällt, werden die Spannungsabfälle über den Abschnitten α und ( entsprechend zunehmen. Wenn diese genügend groß sind, so daß der größere Teil des Feldes hierin verläuft, werden dadurch die anliegenden Abschnitte des Aufzeichnungsblattes in einer gewissen Zeit f dielektrisch erwärmt. Die natürlicherweise erwartete Arbeitsweise der Zweidraht-Anordnung ist daher die Erzeugung von Positiven, d. h.. es tritt keine Veränderung der wärmecmpfindlichen Schicht in Bereichen des Aufzeichnunasblattes auf. welche an Bereiche der photolcitfrhigen Schicht 44 angrenzen, die von Licht getroffen wurdenin ambient lighting. If light is additionally or exclusively directed onto one of the sections./. B. the section. '', In such a way that this section would be exposed to such an illuminance that the resistance of the photoconductive layer is reduced in this area compared to the other sections and its impedance corresponds to the curve 35 in FIG. ft also drops, the voltage drops across the sections α and (will increase accordingly. If these are large enough so that the greater part of the field runs therein, the adjacent sections of the recording sheet are thereby dielectrically heated in a certain time f. The naturally expected The mode of operation of the two-wire arrangement is therefore to generate positives, ie there is no change in the heat-sensitive layer in areas of the recording sheet which adjoin areas of the photoconductive layer 44 which have been struck by light

Wie oben erwähnt, wurde bisher kein photolcitfähigcs Material gefunden dessen Widerstandswerl unter seinen Reaktan/wert bei den angewendeten Frequenzen gebracht werden kann Eine genügende Verminderung des Widerstandswertes der photoleitfähigen Schicht in Richtung ihres Rcaktaiizwcrlcs auf der rechten Seite der Linie 41 in F i g. 6 kann jedoch mit Licht hoher Intensität G₂ erreicht werden, um einen genügenden Spannungszuwachs an den nicht vom Licht getroffenen Bereichen zu bewirken, damit die entsprechend angrenzenden Bereiche des Aufzeichnungsblaltcs markiert werden.As mentioned above, so far no photoconductive material has been found whose resistance value can be brought below its reactance value at the frequencies used. 6 can, however, be achieved with light of high intensity G ₂ in order to bring about a sufficient increase in tension in the areas not struck by the light so that the correspondingly adjacent areas of the recording blank are marked.

Es soll hier bemerkt werden, daß. wenn der Wider* slandswert der phololeilfäliigen Schicht unter ihien Reaktanzwert gebracht werden könnte, was die Impedanz des phntoleitfähigen Materials, welches von Licht getroffen wurde, z, B, im Abschnitt i>, auf einen vernachlässigbaren Wert fuhren würde, die Spannung an jedem der Abschnitte α und c im wesentlichen gleich 4er Hälfte der Quellspannung wäre und VeränderungIt should be noted here that. if the resistance of the photoconductive layer could be brought below its reactance value, which would bring the impedance of the phntoconductive material which was struck by light, e.g. in section i>, to a negligible value, the voltage at each of the sections α and c would be essentially equal to four times the source voltage and change

in der Art eintreten würde, daß Positive in kürzeren Zeitintervallen entstehen.in the manner that positives would occur in shorter periods Time intervals arise.

Wenn in den F i g, 8 und 9 das Licht von der Lampe 49 eine hohe Intensität G₂ hat, wird in den Bereichen des Aufzeichnungsblattes, die den entsprechend den lichtdurchlässigen Bereichen 47 von der Lichtintensität G₂ getroffenen Bereichen der photoleitfähigen Schicht" anliegen, verhindert; sie tritt aber in den Bereichen des Aufzeichnungsblattes auf, wo kein Licht der Intensität G₁ auf die anliegendeIf the light from the lamp 49 has a high intensity G _{2 in} FIGS. 8 and 9, the areas of the recording sheet which are in contact with the areas of the photoconductive layer "hit _{by the light intensity G 2 corresponding to the transparent areas 47" are prevented} ; but it occurs in the areas of the recording sheet where no light of intensity G ₁ hits the adjacent one

photoleitfähige Schicht auffallt. Auf diese Weise wird ein Positiv (F i g. 9) der Vorlage 46 erzeugt.photoconductive layer is noticeable. That way will a positive (FIG. 9) of the original 46 is generated.

Wenn jedoch das Licht von der niedrigen Intensität G₁ ist. tritt Veränderung des Aufzeichnungsblattes in den Bereichen auf. die den Bereichen der However, when the light is of the low intensity G ₁ . change of the recording sheet occurs in the areas. which the areas of

ίο photoleitenden Schicht anliegen, die entsprechend den lichtdurchlässigen Bereichen 47 von der Lichtintensität G₁ getroffen wurden. Auf diese Weise wird ein Negativ der Vorlage 46 wie in F i g. 10 erzeugt.
Für eine mehr ins einzelne gehende Erläuterung nach der angenommenen Theorie zur Erklärung der beobachteten Positiv- und Negativ-Markierungseflekte in der Zweidraht-Anordnung wird auf Fig. 11 verwiesen, welche ein elektrisches Äquivalent-Schaltkreisdiagramm der Anordnung von F ι g. 8 zeigt.ίο bear on the photoconductive layer, which were hit _{by the light intensity G 1 in accordance with the transparent areas 47.} In this way, a negative of the original 46 as in FIG. 10 generated.
For a more detailed explanation according to the assumed theory to explain the observed positive and negative marking reflections in the two-wire arrangement, reference is made to FIG. 11, which is an electrical equivalent circuit diagram of the arrangement of FIG. 8 shows.

und auf Fig. 12. welche eine Reihen-Äquivalent-Schaltung der Parallel-RC-Schaltkreise von Fig. Il wiedergibt. Die gepunkteten Linien 50 in F i g. 11 und 12 deuten die Grenzfläche zwischen der photoleitfähigen Schicht 44 und dem Auf/eichnungsblatt 15 von F i g. 8 an.and to Fig. 12. which is a series equivalent circuit the parallel RC circuits of Fig. II reproduces. The dotted lines 50 in FIG. 11 and 12 indicate the interface between the photoconductive Layer 44 and the recording sheet 15 of FIG. 8 at.

In der Zweidraht-Anordnung ist der Widerstand R, des Aufzeichnungsblattes größer als sein Reaktanzwert X,_r und der Dunkelloder Umgebungslicht)-Widerstandswert R_ph der photoleitfähigen Schicht istIn the two-wire arrangement, the resistance R i of the recording sheet is greater than its reactance value X, _r and the dark (or ambient light) resistance value R _{ph of the photoconductive layer}

größer als ihr Reaktanzwert X_t.. Bei gleicher Dielektrizitätskonstante und bei den gleichen Abmessungen des Schichtmaterialbereiches, wie sie den angegebenen Widerstandszahlcnwer'en bei der Parallel-Plattenanordnung zugrunde gelegt wurden, ist die Reaktanz der photoleitfähigen Schicht bei der Zweidraht-Anordnung größer als bei der Parallel-Plattenanordnung. Tvpische Zahlenwcrte für die Widerstände eines Schichtmatenalbereiches mit den angegebenen Abmessungen sind bei der Zweidraht-Anordnung:greater than its reactance value X _t .. With the same dielectric constant and with the same dimensions of the layer material area as they were based on the specified resistance values for the parallel plate arrangement, the reactance of the photoconductive layer is greater in the two-wire arrangement than in the Parallel plate arrangement. Typical numerical values for the resistances of a layer material area with the specified dimensions are for the two-wire arrangement:

/?„_Ä (dunkel) = 10^s Ohm./? " _Ä (dark) = 10 ^s ohms.

R, = 1.6 χ 10" Ohm R, = 1.6 χ 10 "ohms

X , = 0.8 y H)" OhmX, = 0.8 y H) "Ohm

X^r/_r = 0.8 * K)" Ohm X ^r / _r = 0.8 * K) "Ohm

Nimmt man Flementarabsehnilte a. b und c einschließlich der photoleitfähigen Schicht 44 und des Aufzeichnungsblattes 15 ^wis.hen den Elektroden an. so ist jeder Abschnitt durch ein erstes, in Reihe geschaltetes Parallei-RC-Glied 53 ausgezeichnet, welches einen Weg längs in der Fläche der photoleitfähigen Schicht wiedergibt, mit einem zweiten parallel verbundenen KC-Glied54 als Nebenschluß versehen. Welches einen Weg quer durch die photoleilfähige Schicht wiedergibt und in Reihe mit einem Parallel-If you take Flementarabsehnilte a. b and c including the photoconductive layer 44 and the recording sheet 15 ^ wis.hen the electrodes. Thus, each section is distinguished by a first parallel RC element 53 connected in series, which reproduces a path along the surface of the photoconductive layer, with a second KC element 54 connected in parallel as a shunt. Which reproduces a path across the photoconductive layer and in series with a parallel

KC-Glied SS geschaltet ist. welches die Aufzeichnungsblatt-Paramelcr darstellt. Die Abschnitte/; und c 3ind ähnlich aufgebaut. Fig. 12 zeigt die Reihen-Äquivalente der Glieder53. 54 und 55 von Fig. 11.KC element SS is switched. which represents the record sheet parameters. The sections/; and c 3ind have a similar structure. Fig. 12 shows the series equivalents of the members 53. 54 and 55 of FIG. 11.

■509 515/289■ 509 515/289

916916

Pie Refben-Äquivalent-impedanz des Gliedes 53 ist mit Z , (Sepie) bezeichnet, die des Gliedes 54 mit Z . (parallel) und die des Gliedes 55 mit Z„Pie Refben equivalent impedance of member 53 is with Z, (Sepie), that of member 54 with Z. (parallel) and that of link 55 with Z "

Im folgenden wird die Erzeugung von Positiven diskutiert. Mit einer Quellenspannung £ an den Elektroden 42 und 43 hat jeder Abschnitt die Span-The generation of positives is discussed below. With a source voltage £ at the Electrodes 42 and 43, each section has the span

nung y an seinem reihengeschalteten Photoleiter-RC-Glied53 oder Z,_ph (Serie) und eine Spannungy an der parallelgeschalteten Reihenkombination der ßC-GIieder54 und 55 der photoleitfahigen Schlicht und des Aufzeichnungsblattes. In bezug auf F i g. 12 ist der Spannungsabfall an der Aufzeichnungsblatt-ImpedanzZj, wiedergegeben durch das Glied 55voltage y on its series-connected photoconductor RC-member53 or Z, _ph (series) and a voltage y on the parallel-connected series combination of ßC-members54 and 55 of the photoconductive layer and the recording sheet. With respect to FIG. 12 is the voltage drop across the recording sheet impedance Zj represented by the member 55

von Fig. 11, kleiner als y um den Betrag des Spannungsabfalls an dem Glied 54 oder Z₅ , (parallel). Wenn Licht von hoher Intensität G₂ auf den Abschnitt h gerichtet wird, was z. B. in F i g. 9 gezeigt ist. so wird diese* den Wert von Z_{s (]} (Serie) merklich verringern (und Z, . [parallel] in geringerem Maß, da der Querwiderstand d_er photoleitiahigen Schicht viel höher ist als der Längswiderstand). Hierdurch wild die Spannung an den übrigen Abschnitten a und c genügend erhöht, so daß eine Zunahme des Spannungsabfalls an dem Aufzek-hnungsD -u Z_Sr in diesen Bereichen bewirkt wird und Veräna.rung in einer bestimmten Zeit r. wie ober erwähnt, eintritt. Im folgenden wird die Erzeugung von Negativen diskutiert. Man nimmt an. daß dabei derselbe Mechanismus zur Anpassung der Impedanz aneinander anliegender Flächenbereii.he dor photoleitfähigen Schicht und des AufzeichnungsblaHes vorausgesetzt werden kann wie bei der Herstellung von Negativen mit der Parallelplatten-Anordnung. Wenn in einem bestimmten Abschnitt die Impedanz Z₅ _h (parallel) und Z,_p der photoleitfähigen Schicht und des Aufzeichnungsblattes angepaßt sind, wird maximale Energie in diesem Abschnitt der photoleitfähigen Schicht abgegeben, und die darin erzeugte Wärme verringert ihren Widerstandswert unter ihren Reaktanzwert. Wenn daher entsprechend Fig. 12 die Intensität des Lichtes von der Lampe 49 auf eine Intensität G, verringert wird, so daß Z,_ph (Serie) sich nicht wesentlich ändert, um in einer Zeit t ein Positiv zu erzeugen, wie oben erwähnt, so wird der Spannungsabfall an dem Glied 53 für Z_!(i/i (parallel) und die reihengeschaltete Impedanz Z_v als konstante Spannungsquelle erscheinen. Die Veränderung von Z,_p/I (parallel) mit Licht der niedrigen Intensität G₁ wird jedoch Z, ,, (parallel) Jn Richtung einer Anpassung an die Impedanz Z, _r des AufzeichnungsblaHes verändern. Wenn dies, wie in Zusammenhang mit F i g. 7 erläutert, eintritt, wird die Energieabgabc in dem zugehörigen Bereich der photoleitfähigen Schicht Wärme erzeugen und dort deren Widerstandswert unter den ihres Reaktanzwertes führen und gleichzeitig die Impedanz Z₅ _h (parallel) auf einen vernachlässigbaren Wert erniedrigen, mit dem Ergebnis, daß die gesamteof Fig. 11, less than y by the amount of the voltage drop across member 54 or Z ₅ , (parallel). When light of high intensity G _{2 is directed} to the section h , which e.g. B. in Fig. 9 is shown. these * the value will decrease noticeably) Z _{s (]} (Series (and Z. [parallel] to a lesser extent, because the cross-resistance of d _e r photoleitiahigen layer is much higher than the series resistance). This wild the voltage at the The remaining sections a and c are increased enough so that an increase in the voltage drop across the recording D -u Z _{Sr is} caused in these areas and changes occur in a certain time r as mentioned above negative discussed. It is believed that this same mechanism for matching the impedance of abutting Flächenbereii.he dor photoconductive layer and the AufzeichnungsblaHes can be provided as in the preparation of negatives with the parallel-plate arrangement. If in a certain section, the impedance Z ₅ is taken. _h (parallel) and Z, _{p of} the photoconductive layer and the recording sheet are matched, maximum energy is emitted in this portion of the photoconductive layer and the heat generated therein reduces its resistance value below its reactance value. Therefore, as shown in Fig. 12, when the intensity of the light from the lamp 49 is decreased to an intensity G i so that Z, _ph (series) does not change significantly to produce a positive in a time t as mentioned above, so the voltage drop across the element 53 for Z _{! (i / i} (parallel) and the series-connected impedance Z _v will appear as a constant voltage source. However, the change in Z, _{p / I} (parallel) with light of low intensity G ₁ becomes Z, ,, (parallel) Jn direction for adaptation to the impedance Z _r of the AufzeichnungsblaHes change. If, as g in connection with F i. 7 explained, occurs, the Energieabgabc will produce in the associated area of the photoconductive layer of heat, where the Lead resistance value below that of their reactance value and at the same time reduce the impedance Z ₅ _h (parallel) to a negligible value, with the result that the entire

Spannung y an Z_Sph (Serie) an der Impedanz Z_Sf des Aufzejchnungsblattes abfällt und ausreicht, eine Markierung in ^ßinsr Zeit ι zu bewirken. Dies geschieht in Bereichen, wo UcIi t der Intensität G, die photoleitlahige Schicht trifft, wie in F i g. 10 gezeigt.Voltage y at Z _Sph (series) at the impedance Z _{Sf of} the recording sheet drops and is sufficient to cause ^{a marking in ß} insr time ι. This happens in areas where UcIi t of intensity G hits the photoconductive layer, as in FIG. 10 shown.

In bezug zu Fig. 13 kann eine Positivaufnahme begünstigt, d. Ii, beschleunigt werden, wenn die gesamte photeleitfähige Schicht, einschließlich der Abschnitte Q und c, die nicht entsprechend der bildmäßigen Belichtung dem Licht der hoheii Intensi-With reference to FIG. 13, a positive recording can be favored, i. Ii, be accelerated if the entire photoconductive layer, including sections Q and c, which do not correspond to the imagewise exposure to the light of the high

(o fat G-, von der Lampe 49 ausgesetzt sind, gleichzeitig einer überlagerten Belichtung, d, h, einer Vorbelichtung Von Markierungsintensität G₁, wie sie im Falle der Herstellung eines Negativs der Vorlage verwendet wird, durch Vorbelichtungsquellen, wie z. B, Lampen 56, ausgesetzt wird.(o fat G-, are exposed by the lamp 49, at the same time a superimposed exposure, i.e. a pre-exposure of marking intensity G ₁ , as it is used in the case of the production of a negative of the original, by pre-exposure sources, such as e.g. Lamps 56, is exposed.

; Entsprechend der Energie, die zur Erzeugung einer Markierung erforderlich ist, erfordert der EfTekt in Zeitintervallen in der Größenordnung von 5 Millisekunden etwa 2000V pro Millimeter. Ein größerer; According to the energy that is required to produce a marking, the EfTekt requires in Time intervals on the order of 5 milliseconds about 2000V per millimeter. A bigger one

Abstand zwischen den Elektroden in der Zweidraht-Anordnung erfordert eine größere Eingangsspannung, da die Kapazität Γ [Gleichung (3)] mit zunehmendem Abstand abnimmt. Vom praktischen Standpunkt aus ist der Abstand zwischen den Drahtelektroden in der Zweidraht-Anordnung auf etwa 0,63 cm beschränkt..Distance between the electrodes in the two-wire arrangement requires a larger input voltage, since the capacitance Γ [equation (3)] decreases with increasing distance. From a practical point of view the distance between the wire electrodes in the two-wire arrangement is limited to about 0.63 cm.

Bei der Parallel· Plattenanordnung ist der AbstandIn the case of the parallel plate arrangement, the distance is

zwischen den plattenförmigen Elektroden 18 und 23 nicht von der Größe der Abbildung abhängig, sondern nur von der Dicke des Aufzeichnungsblattes, so daß jede beliebige Plattengröße mit der gleichen Größe der Eiiigangsspannung verwendet werden kann.between the plate-shaped electrodes 18 and 23 does not depend on the size of the image, but only on the thickness of the recording sheet, so any disk size can be of the same size the input voltage can be used.

Die obengenannten Methoden können auf ähnliche Weise zur Herstellung in einer Maschinenschrift verwendet werden, wobei durch Tastaturbetätigung eine Auswahl und Einlegen von Negativen 46 (F i g. 8) Licht der Intensität G, innerhalb eines Buchstabenbereiches 47 auf die photoleitfahige Schicht von F i g. I oder 8 zur Aufzeichnung gerichtet wird.The above methods can be used in a similar manner to typing are used, with a selection and insertion of negatives 46 (Fig. 8) Light of intensity G, within a letter area 47 on the photoconductive layer from F i g. I or 8 is directed for recording.

Auch die Anwendung bei Kopiermaschinen durch Reflexbelichtung der photoleitfähigen Schicht mit einer zu kopierenden Vorlage ist möglich. Weitere Anwendungen schließen z. B. Registrierstreifen-Schreiber ein. wenn das Aufzeichnungsblatt zur BildungIt can also be used in copier machines through reflex exposure of the photoconductive layer a template to be copied is possible. Other applications include e.g. B. Chart recorder a. when the recording sheet to form

⁴^ einer Zeitbasis bewegt wird, und Faksimile-Schreiber, wobei der bewegte Schreibstift die Form einer informationsmodulierten Lichtquelle annimmt. Im weitesten Sinne kann dann die beschriebene Methode zur Erzeugung fortlaufender Aufzeichnungen beliebi- ⁴ ^ a time base is moved, and facsimile pen, the moving pen takes the form of an information-modulated light source. In the broadest sense, the described method for generating continuous records can then be used as desired.

gtr Lichtmuster benutzt werden, entweder in der Form sichtbarer Markierungen auf einem Aufzeichnungsblatt oder als latente Veränderungen, die nachfolgend entwickelt werden.gtr light patterns can be used, either in the form visible marks on a recording sheet or as latent changes that follow to be developed.

Die hier beschriebenen photoleitfähigen Platten-The photoconductive plate described here

anordnungen benutzen Tür die photoleitfahige Schicht vorzugsweise Harz-Bindcmittel-Schichtcn. um glatte, feste, abriebfeste Oberflächen zu erhalten. F können jedoch auch photoleitfahige Schichten au aufgeschmolzenen oder aufgedampften Photoleiurn ver-arrangements use door the photoconductive layer preferably resin-binder layers. for smooth, to obtain solid, abrasion-resistant surfaces. F can however, photoconductive layers made of melted or vapor-deposited photoliths are also

wendet werden.be turned.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

_f ι, electrophotographic process for
! Division of an imagewise recording on a dielectric recording material, which is arranged parallel to the surface of a photoconductive layer with the latter between two flat electrode plates, in which the photoconductive layer is imagewise exposed and a voltage is applied to the electrodes, which creates an electric field whose intensity distribution is determined by imagewise exposure of the photoconductive layer, characterized in that a high-frequency alternating electric field is generated during the exposure of the photoconductive layer or within its relaxation time after its exposure *. »'. rd, that a dielectric recording material is used , which can be changed visibly by heating to a recording temperature T and whose effective resistance is smaller than that of the unilluminated photoconductive layer, so that the alternating field with a field sufficient for heating the dielectric recording material A time t is maintained which depends on the frequency of the field, the recording temperature 7. of the dielectric recording material and on the field strength which can be generated in the recording material, which is a function of the impedance ratio between the photoconductive layer and the dielectric recording medium and that the intensity distribution of the field in the dielectric recording material is differentiated imagewise, by an imagewise distributed active resistance reduction of the photoconductive layer below the value of its reactance, for which the photoconductive layer is exposed imagewise with an illuminance l _A , which when used alone, without heating by the high-frequency electrical Alternating field, the impedance value of the photoconductive layer adapts to that of the dielectric recording material.

2. The method according to claim 1. for producing a negative of a master copy, characterized in that that the maximum illuminance of the imagewise exposure on the photoconductive Layer equal to the illuminance

3. The method according to claim 1. to 'production a positive of a master copy, characterized in that, that the photoconductive layer is totally exposed to the illuminance /, and this Exposure is superimposed imagewise exposed.

4. Electrophotographic process for the production of an imagewise recording on a dielectric recording material, the surface pair! is arranged to form a photoconductive layer, in which the photoconductive layer is exposed imagewise and exposed with the dielectric recording material to an electrical surface, the distribution of the degree of which is determined by imagewise exposure of the photoconductive eyes, characterized in that two mutually overlapping edges on the photoconductive layer .Line-shaped electrodes are arranged and during the exposure of the photoconductive layer Qlr, within its relaxation time after its exposure, by applying a voltage to the electrodes, a high-frequency alternating field is generated that a dielectric recording material is used that is visible by heating to a recording temperature T. is changeable and the impedance of which is smaller than that of the unilluminated photoconductive layer, that the alternating field is equipped with a for heating the dielectric recording material calibrating field strength a time f is maintained, which depends on the frequency of the field, the recording temperature T and on the field strength that can be generated in the recording material, which is a function of the impedance ratio between photolettable layer and dielectric recording material and that the intensity distribution of the field in the dielectric recording material is differentiated imagewise by an imagewise distributable impedance lowering of the dielectric recording material, for which purpose the photoconductive layer is provided with an illuminance /,. which, when used alone, without being heated by the high-frequency alternating electric field, the impedance value of the photoconductive layer is adapted to that of the dielectric recording material * or is exposed to one of these with a higher illuminance I _c.

5. The method according to claim 4 for producing a negative of a master copy, characterized in that that the maximum illuminance of the imagewise exposure on the photoconductive Layer is equal to the illuminance / 1.

6. The method according to claim 4 for producing cities positives of a master copy. \ .. aJurch that the photoconductive layer is totally exposed with the illuminance I and this exposure is superimposed imagewise exposed

7. The method according to claim 4 for producing a positive of a master copy, characterized in that that the minimum illuminance of the low-level exposure on the phololeitf.ihijMi Layer above the illuminance /, is.

S method according to claim I or one of the following lon objections, characterized in that that a dielectric material is used as the dielectric recording material.

'». Method according to claim 1 or one of the focussing claims. characterized in that. ■! «■ !! electrical recording material a paper not due: use surface! that a w iruK'.mphndlidie has the top layer, which changes visibly chemically or wn transparent
When its temperature is raised to a specific maintenance temperature (marking temperature) (therniographic copier paper).

10. The method according to claim I or one of the \ npriiche 2 to 8, characterized in that that the dielectric recording material used is a conventional paper and thermal paper Change by the electrically applied heat consists in a blackening, accordingly an at least partially occurring charring,

11 Method according to one of the preceding

I 916 958

Claims, church marked, flowed the frequency of the nngelpg-

| en field corresponds to the frequency at which the Loss factor of the dielectric recording material has a maximum.

12. Electrophotographic recording device to carry out the method according to claim 2, 3 and / or 8 to 11, from one to one Flat electrode pair connected to the voltage source with a transparent electrode, between which there is a layered dielectric Recording material is located together with a photoconductive layer, characterized in that that the dielectric recording material is heat sensitive and photoconductive Layer and the one electrode is in contact, and the other electrode f'nß the is transparent electrode and the voltage source is a high frequency generator.

13. Electrophotographic recording device for carrying out the method according to claims 4 to 7, from one to a voltage source connected pair of electrodes, a layered dielectric recording material and a photoconductive layer, characterized in that the dielectric recording material is heat-sensitive and is in contact with the photoconductive layer that the pair of electrodes consists of two conductive strips is formed. those on the surface of the photoconductive one opposite the recording material Layer are attached along two opposite edges, and that the The voltage source is a high frequency generator.

14. Device according to claim 12 or 13, characterized in that the frequency of the High frequency generator essentially corresponds to the frequency at which the loss factor of the dielectric recording material has a maximum.