DE1910071C - Auswahlschaltung - Google Patents

Description

Geberschaltung und mit Ausnahme der ersten je eine Die Erfindung wird im folgenden an einem Aus-

Auswahlsignal-Abfühlschaltung enthalten, daß die führungsbeispiel unter Bezug auf die Zeichnungen

Geberschaltung jeder Teilschaltung jeweils mit der näher erläutert- Es zeigt

Abfühlschaltung der nächstfolgenden Teilschaltung F i g. 1 ein Blockschaltbild eines Ausführungsbei- und mit der Abfühlschaltung der übernächsten Teil- 5 spiels der erfindungsgemäßen Auswahlschaltung,
schaltung verbunden ist und daß der Eingang der F i g. 2 ein Schaltbild der Abfüh!- und Geberschal-Geberschaltung und der Ausgang der Abfühlschaltung tung für die erfindungsgemäße Auswahlschaltung und jeder Teilschaltung zur Gewinnung des Einstellsigna's F i g. 3 einen gegenüber den Ausrührungsbeispielen des zugehörigen Auswahlschalters logisch verknüpft in F i g. 1 und 2 geänderten Schaltungsteil,
sind und das Einstellsignal einem abrufbaren Zwischen- io Die in F i g. 1 im Blockschaltbild dargestellte Ausspeicher zugeführt wird. wahlschaltung gemäß der Erfindung ist Teil eines

Eine vorteilhafte Ausbildung der Erfindung sieht Assoziativspeichers mit den einzelnen Wortspeichervor, daß die AuFwahlsignal-Geberschaltungen der stellen WO, Wl, Wl ... Bei dem in der älteren Teilschaltuiigen mit den Abfühlschaltungen der un- Patentanmeldung P 18 01 215.2-53 vorgeschlagenen mittelbar nachfolgenden Teilschaltungen an denselben 15 Assoziativspeicher wird der Speicherplatz für ein Knotenpunkt zwischen je zwei Impedanzen einer Wort derart ausgewählt, daß ein pro Wortspeicher-Impedanzkette angeschlossen sind und daß die Abfühl- stelle einmal vorhandener Wortauswahlschalter in schaltung einer defekten Teilschaltung eine höhere einen bestimmten stabilen Zustand umgeschaltet Eingangsimpedanz aufweist als irgendeine Impedanz wird. Der Schaltzustand dieses Wortauswahlschalters der Impedanzkette. 20 bestimmt bei dem anschließenden Auslesen bzw. Ein-

Weitere vorteilhafte Ausbildungen der Erfindung schreiben des Assoziativspeichers, zu welcher Speichersehen vor, daß die Elemente der Impedanzkette unter- stelle hzw. zu welchen Speicherstellen die Daten geeinander gleich sind, durch Wirkwiderstände oder leitet werden. Die Nachfolgeoperation bei dem bereits durch Dioden bzw. Gruppen parallelgeschalteter vorgeschlagenem Assoziativspeicher besteht dann dar-Dioden gebildet werden. a₅ in, daß der Auswahlschalter des zu dem genannten

Um zu verhindern, daß der Auswahlstrom im Falle Wortspeicher nächstliegenden Wortspeichers in diesen einer defekten unmittelbar angrenzenden Teilschaltung bestimmten stabilen Schaltzustand umgeschaltet wird, auch in die Abfühlschaltung der vorhergehenden Teil- Die im folgenden beschriebene erfindungsgemäße Ausschaltung fließt, sieht ein weiteres vorteilhaftes Aus- wahlschaltung bewirkt dabei, daß defekte Speicherführungsbeispiel der Erfindung vor, daß die Elemente 30 platze bei dieser Nachfolgeoperation übersprungen der Widerstandskette aus zwei in Reihe geschalteten werden.

Widerständen gebildet werden, an deren Verbindungs- Mit Ausnahme des ersten und letzten Speicherpunkt eine Virriegelungsschaltung angeschlossen ist. platzes weist jeder Wortspeicher eine Stromabfühl-

Eine weitere vorteilhafte Ausbildung der Erfindung schaltung S und eine Stromgeberschaltung G auf.

sieht vor, daß der Eingang der zu einer auswählbaren 35 Durch die jeweilige Ziffer nach den Buchstaben S

Teilschaltung gehörenden Auswahlsignal-Geberschal- und G in F i g. 1 wird ausgedrückt, zu welchem

tung über ein Inverter-Glied und der Ausgang der zu Speicher diese Schaltungen gehören. Der Ausgang

derselben Teilschaltung gehörenden Abfühlschaltung jeder Geberschaltung G und der Eingang jeder Ab-

die Eingänge eines UND-Gliedes zur Einstellung eines f Umschaltung S sind direkt mit Knotenpunkten einer

Auswahlschalters bilden. 40 Impedanzkette 1 verbunden, die aus gleichen in Reihe

Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung geschalteten Widerständen Λ1, Λ2, ... aufgebaut ist. besteht die Auswahlsignal-GeberschaUung aus einem Im einzelnen ist die Anordnung derart, daß die Ab-Stromübemahmeschalter, wobei der Kollektor eines fühlschaltung eines Wortspeichers direkt mit demder beiden den Stromübernahmeschalter bildenden selben Knotenpunkt der Impedanzkette verbunden Transistoren direkt mit der Impedanzkette und dem 45 ist wie die Geberschaltung des vorhergehenden Wort-Emitter eines Transistors der zur nachfolgenden Teil- Speichers, z. B. S(N+ 1) ist mit demselben Knotenschaltung gehörenden Abfühlschaltung verbunden ist, punkt wie G(N), mit N = 0,1, 2 ..., verbunden,
in dessen Kollektorkreis eine Verriegeiungsschaltung Die Funktion jeder Geberschaltung G besteht darin, und in dessen Basiskreis ein weiterer Steuertransistor auf einen Steuerimpuls am Eingang 2 hin einen Strom eingeschaltet ist. 50 zu erzeugen, der in den zugeordneten Knotenpunkt

Wenn die Erfindung sich auch mit besonderen Vor- der Impedanzkette 1 fließt. Der Steuerimpuls am Einteilen als Zusatz zu den Speicherelementen eines gang 2 wird auf übliche Art von einem (nicht gezeig-Assoziativspeichers verwenden läßt, ist sie dennoch ten) Auswahlschalter des Wortspeichers abgeleitet. Er nicht darauf beschränkt. Vielmehr kann sie überall kann beispielsweise von dem Ausgang einer (nicht dardort angewendet werden, wo elektrische Signale in 55 gestellten) Schaltung geliefert werden, die dann und aufeinanderfolgende Teilschaltungen geleitet werden nur dann eingeschaltet ist, wenn der Auswahlschalter sollen. In jedem derartigen Fall kann durch Anwen- sich in dem bestimmten stabilen Schaltzustand befindet dung der erfindungsgemäßen Maßnahmen gewähr- und wenn eine Nachfolgeoperation aufgerufen ist.
leistet werden, daß die Signale nicht zu einer defekten Die Funktion der Abfühlschaltungen besteht darin, Teilschaltung übertragen werden und auf diese Weise 60 einen Stromfluß am zugehörigen Knotenpunkt der verlorengehen. Besonders aktuell ist die erfindungs- Widerstandskette festzustellen und diese Information gemäße Auswahlschaltung auch im Zusammenhang über die Leitung 3 an das UND-Glied 4 weiterzumit auf einzelnen Halbleiterplättchen hergestellten leiten. Der andere Eingang des UND-Gliedes 4 wird Festkörperschaltungen, bei denen einerseits die Aus- durch den invertierten Eingang der Geberschaltung G beute an funktionsfähigen Teilschaltungen noch immer 65 desselben Wortspeichers dargestellt, so daß der Auszu wünschen läßt und andererseits die wenigen nicht gang 5 des UND-Gliedes 4 dann und nur dann akti funktionsfähigen Schaltungsteile meist mit den vielen viert wird, wenn die Abfühlschaltung S desselben funktionsfähigen Teilen untrennbar verbunden sind. Wortspeichers Strom liefert und die Geberschaitung G

desselben Wortspeichers keinen Strom liefert. Das defekten Speicher mit Hinsicht auf den sich dabe Signal 5 dient dazu, den Auswahlschalter des Wort- verringernden Stromanteil so groß werden kann, dai Speichers auf den obenerwähnten stabilen Schalt- die Wahrscheinlichkeil des Auftretens eines solcher zustand umzuschalten. Zustandes sehr gering ist. Es sollte noch erwähnt wer Jede Abfühlschaltung S ist mit abgetrennter Span- 5 den, daß es nicht möglich ist, das aus dem UND nungsversorgung so dimensioniert, daß sie bezüglich Glied 4 erhaltene Signal am Ausgang 5 direkt auf der des angeschlossenen Knotenpunktes einen wesentlich Auswahlschalter zu geben. Der Auswahlschalter würd höheren Eingangswiderstand aufweist als der Wider- dann in seinen stabilen Schaltzustand geschaltet wer stand der an den Knoten angeschlossenen Impedanz- den, den Eingang 2 der Geberschaltung desselber kette. Es sind weiterhin Mittel vorhanden, die Span- 10 Wortspeichers erregen und die Auswahl des nächster nungsversorgung eines defekten Wortspeichers ab- arbeitsfähigen Speichers einleiten. Das Auswahlsigna zuschalten. Ein solcher Defekt kann beispielsweise würde so alle Auswahlschalter passieren. Diese während der Herstellung des Assoziativspeichers oder Problem wird gelöst, indem man das Signal auf jede aber aus einem falschen Ergebnis während der Opera- Leitung 5 in einem entsprechenden Trigger speicher tion entdeckt werden. Jede Stromquelle kann beispiels- 15 und den Zustand dieses Triggers einige Zeit nach den weise über eine Sicherung mit dem Speicher verbunden Ende des Aufrufs für die Nachfoigeoperation, der fü sein; sie wird abgetrennt, wenn infolge zu hohen die Erregung der Leitung 2 notwendig ist, an der Stromes diese Sicherung durchbrennt. Ein Beispiel für Auswahlschalter desselben Wortspeichers weiterleitet diese Technik ist im IBM Technical Disclosure Bulle- In F i g. 2 sind die Schaltbilder einer Geberschal tin, Vol. 10, Nr. 5, Oktober 1967, S. 547, beschrieben. ₃₀ tung G(N) und einer Abfühlschaltung S(N+ 1) dar Da irgendeine Technik zur Abtrennung der Ver- gestellt, wie sie in der erfindungsgemäßen Auswahlsorgungsspannungsquelle benutzt werden kann, ist schaltung Verwendung finden. Wie gezeigt, sind du eine detailliertere Beschreibung nicht nötig. Lediglich Schaltungen an den Knoten zwischen den Widerzur besseren Illustration sind in Fig. 2 solche Ab- ständen R(N) und R(N+1) der Impedanzkette 1 an· trennschalter D zwischen der Versorgungsspannungs- 25 geschlossen. Die Geberschaltung G(N) besteht aus den quelle und der Abfühlschaltung S(W+ 1) einge- Transistoren Tl und 7*2, deren Emitter miteinandei zeichnet. und über einen großen Widerstand mit der Span-Die Arbeitsweise der Auswahlschaltung wird im nungsquelle Vl verbunden sind. Der Kollektor von folgenden unter der Annahme beschrieben, daß nur Transistor 7*1 ist direkt an eine Spannungsquelle Vl der zum Wortspeicher Wl gehörende Auswahlschal- 30 und der Kollektor von Transistor Tl an den Knoten ter in seinem vorherbestimmten stabilen Schaltzustand der Impedanzkette 1 angeschlossen. Die Basis von ist. Am Eingang 2 der Geberschaltung C1 liegt eine Transistor TZ liegt an Masse, während die Basis von entsprechende Spannung, so daß ein Stromfluß zum Transistor Ti mit der Eingangsleitung 2 (s. F i g. 1 Knoten zwischen den Widerständen Al und Rl der verbunden ist. Bei Verwendung von NPN-Transistoren Impedanzkette 1 verursacht wird. Wenn der Wort- 35 ist Vl eine positive und Vl eine negative Spannung, speicher Wl nicht defekt ist, fließt der Strom über die Die Abfühlschaltung S(N -I 1) besteht aus einem direkte Verbindung zwischen der Geberschaltung Cl Ausgangstransistor 7*3, einem Steuertransistor TA und und der Abfühlschaltung 52. Liegt am Eingang 2 der einem Transistor 7*5, der als Verriegelungsschaltung Geberschaltung Gl kein Signal an, ist das UND- mit einem Widerstand 6 parallel zur Kollektor-Glied 4 für das Ausgangssignal der Abfühlschaltung Sl 40 Emitter-Strecke des Transistors 5 geschaltet ist, und auf Durchgang geschaltet, infolgedessen wird der Aus- dessen Basis an einem Angriffspunkt am Widerstand 6 wählschalter des Wortspeichers Wl in seinen vorher- liegt. Der Kollektor von Transistor TZ ist über den bestimmten siabiien Zustand umgeschaltet, ist da- Widerstände mit der Spannungsquelle Vl und direkt gegen der Wortspeicher Wl defekt und W3 in Ord- mit der Ausgangsleitung 3 (s. F i g. 1) verbunden. Der nung, stellt die Abfühlschaltung 52 einen sehr großen 45 Emitter von Transistor 7*5 ist ebenfalls direkt an Eingangswiderstand bezüglich des Knotenpunktes diese Leitung angeschlossen. Der Emitter von Tranzwischen den Widerständen Al und Rl dar, so daß sistor7~3 ist direkt mit dem Knotenpunkt der Imsich der Strom an diesem Knoten zu gleichen Teilen pedanzkette 1 und fiber einen entsprechend bemessenen auf die Widerstände Rl und Rl aufteilt, wodurch die Widerstand mit der Basis des Steuertransistors 7*4 ver-Abfühlschaltung 51 und 52 aktiviert werden. Da 50 bunden. Der Kollektor dieses Transistors ist direkt an jedoch der Eingang 2 des Wortspeichers Wl erregt ist, die Basis des Transistors Γ3 und über einen Kollektorist der Ausgang 5 des UND-Gliedes 4 des Speichers widerstand an die Spannungsquelle Vl angeschlossen Wl nicht erregt, folgedessen wird nur der Auswahl- Der Emitter von Transistor 7*4 liegt auf Masseschalter des Wortspeichers Wi umgeschaltet. potential.

Wenn nun beide Speicher W1 und WZ defekt sind, 55 Im Ruhezustand der Auswahlschaltung fließt der teilt sich der Strom am Knotenpunkt zwischen den Strom in der Geberschaltung G(N) zwischen den Widerständen Rl und Rl derart auf, daß ein Drittel Spannungsquellen Vl und Vl über den Transistor 7*1. zur Abfühlschaltung 54 und zwei Drittel zur Abfühl- Wenn die Bauelemente der Abfühlschaltungen etwa schaltung 51 fließt Wenn allgemein π aufeinanderfol- gleiche elektrische Eigenschaften aufweisen, sind die gende Wortspeicher defekt sind, erreicht lediglich der 60 Potentiale an den Knotenpunkten der Impedanzkette Bruchteil l/(n + 1) des Stromes in der Impedanzkette gleich, und es fließt ein Strom von der Spannungsden nächsten funktionsfähigen Wortspeicher. Dieser quelle Vl durch den Transistor 7*3 der Abfühlschal Bruchteil kann unterhalb der Ansprechschwelle der tungen in die Impedanzkette. Auf ein Steuersignal aul Abfühlschaltung liegen, mit dem Ergebnis, daß kein der Leitung 2 hin wird Transistor Π der Gebernächster funktionsfähiger Wortspeicher aufgefunden 65 schaltung G(N) abgeschaltet, und Transistor 7*2 zieht wird. In der Praxis ist es jedoch möglich, die Abfühl- über seinen Kollektor einen Strom von dem Knotenschaltung bis zu solchen Schwellwertcn zu dimen- punkt der Impedanzkette. Wenn der Wortspeicher W sionieren, daß die Anzahl der aufeinanderfolgenden (N \ 1) nicht defekt ist, sind die Spannungsquellen V

der AbfühlschaltungSt/V-J-1) angeschaltet, und es wird über den von Transistor 7*4 gesteuerten Transistor Γ3 und den Transistor Tl der Geberschaltung ein Strom gezogen. Die aus dem Widerstand 6 und dem Transistor TS bestehende Verriegelungsschaltung hält die Kollektorspannung von Transistor Ti konstant. Eine Stromänderung durch Transistor T3 resultiert daher in einer Stromänderung auf der Ausgangsleitung 3.

Ist der Wortspeicher W(N+1) defekt und der Speicher W(N +2) nicht defekt, ist die Abfühlschaltung.S(W+l) infolge des Fehlens der Spannung Vl nicht arbeitsfähig, so daß der Strom durch den Transistor Tl, wie oben erklärt, zur Hälfte von der Abfühlschaltung S(N) und zur Hälfte von der Abfühlschaltung S(N + 2) gezogen wird.

Die beschriebene Auswahlschaltung gestattet nicht ein gleichzeitiges Abfühlen eines Eingangs und Erzeugen eines Ausgangs hinsichtlich desselben Wortspeichers. Dieser Nachteil kann mit einer Schaltungs änderung, wie sie in F i g. 3 gezeigt ist, vermiede werden. F i g. 3 zeigt einen Ausschnitt aus einer ab geänderten Impedanzkette 1. Jede als Widerstand da gestellte Impedanz R(N) der Kette ist ersetzt durch d Reihenschaltung zweier Impedanzen R(Nl) un R(Nl). Eine Verriegelungsschaltung C(N) üblich. Bauart, z. B. wie in F i g. 2 mit Transistor TS un Widerstand 6 dargestellt, wird an den Verbindungs punkt beider Teilimpedanzen geschaltet. In der An

ίο Ordnung nach F i g. 3 ist es nicht mehr nötig, dei Ausgang einer Abfühlschaltung S(N) zu sperren, wen eine Geberschaltung¹ G(N) betrieben wird. Es könne bei irgendeinem Wortspeicher Ausgang und Eingan gleichzeitig bewerkstelligt werden.

is Wie in den Zeichnungen dargestellt, werden d Impedanzen der Kette durch Widerstände dargestell Die Widerstände Al, R2 [Fig.l] bzw. R(Nl R(Nl) [F i g. 3] können jeder durch eine Diode od< durch mehrere parallelgeschaltete Dioden erset

ao werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

1310 071 ι

eines Transistors (7*3) der nachfolgenden Abfühl-

Patentansprüche: schaltung [S(N+1)] verbunden ist, in dessin

:< . Kollektorkreis eine Verriegelungsschaltung (6, TS)

1": Schaltungsanordnung zur Auswahl der nach- und in dessen Basiskreis ein weiterer Steuertransi-

sten funktionsfähigen Teilschaltung aus einer in 5 stör (74) eingeschaltet ist.
einer Reihe angeordneten Gruppe von •Teilschaltungen, insbesondere zur Speicherplatzauswahl bei

Assoziativspeichern, dadurch gekenn-

zeichnet, daß die auswählbaren Teilschaltungen (WO, IVl, ...) der Reihe mit Ausnahme der io

letzten je eine Auswahlsignal-Geberschaltung (GO, Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung

Gl, G2, ...) und mit Ausnahme der ersten (WO) zur Auswahl der nächsten funktionsfähigen Teilschal-

je eine Auswahlsignal-Abfühlschaltung (Sl, S2, iung aus einer in einer Reihe angeordneten Gruppe

...) enthalten, daß die Geberschaltung (GO, Gl, von Teilschaltungen.

Gl,...) jeder Teilschaltung (WO, Wl,...) jeweils 15 Eine derartige Auswahlschaltung kann insbesondere

mit der Abfühlschaltung (Sl, S 2,...) der nächst- bei einem Assoziativspeicher Verwendung finden,

folgenden Teilschaltung und mit der Abfühlschal- Obwohl bei einem derartigen Speicher gewöhnlich ein

tung der übernächsten Teilschaltung verbunden Datenwort durch Angabe wenigstens eines Teils des

ist und daß der Eingang (2) der Geberschaltung Wortinhaltes und nicht durch Angabe der genauen

und der Ausgang (3) der Abfühlschaltung jeder 30 Speicherstelle adressiert wird, kann die Flexibilität

Teilschaltung zur Gewinnung des Einstellsignals eines Assoziativspeichers erheblich vergrößert werden,

des zugehörigen Auswahlschalters logisch ver- wenn die zu speichernden Daten an bestimmten, vom

knüpft sind und das Einstellsignal einem abruf- Dateninhalt abhängigen Speicherstellen gespeichert

baren Zwischenspeicher zugeführt wird. werden können. Es kann beispielsweise wünschens-

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, da- »5 wert sein, die Instruktionen eines gegebenen Unterdurch gekennzeichnet, daß die Auswahlsignal- programms an unmittelbar benachbarten Stellen zu Geberschaltungen (GO, Gl, ...) der Teilschaltun- speichern. Um dieses Unterprogramm aufzurufen, ist gen (WO, Wi, ...) mit den Abfühlschaltungen (Sl, es dann lediglich nötig, das Kennwort der ersten S2, ...) der unmittelbar nachfolgenden Teilschal- Instruktion aufzurufen, woran sich als Nachfolgetungen (Wl, Wl, ...) an denselben Knotenpunkt 3° operation der Aufruf der jeweils »nächsten« Speicherzwischen je zwei Impedanzen (Rl, Rl, ...) einer stelle anschließt. Was im einzelnen unter »nächster* Impedanzkette (1) angeschlossen sind und daß die Speicherstelle zu verstehen ist, kann in jedem Einzelfall Abfühlschaltung (Sl, S2, ...) einer defekten Teil- willkürlich festgelegt werden. Eine typische Festlegung schaltung (Wl, Wl, ...) eine höhere Eingangs- könnte z.B. besagen, daß unter der »nächsten« impedanz aufweist als irgendeine Impedanz der 35 Speicherstelle die unmittelbar an eine gegebene Impedanzkette (1). Speicherstel'.e angrenzende und vom Eingang entfern-

3. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 tere Speicherstelle zu verstehen ist.

und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente Der Hauptvorteil eines Assoziativspeichers besteht

der Impedanzkette (1) untereinander gleich sind. darin, daß defekte Speicherstellen zugelassen werden

4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 4° können. Ein Ausfall von einzelnen Speicherzellen bis 3, gekennzeichnet durch Widerstände (Rl, Rl, während der Herstellung des Speichers oder während ...) als Elemente der Impedanzkette. seines Betriebes führt nämlich bei rein assoziativem

5 Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 Gebrauch des Speichers lediglich zu einer Verringerung bis 3, gekennzeichnet durch Dioden bzw. Gruppen der Speicherkapazität, da defekte Speicherstellen keine parallelgeschalteter Dioden als Elemente der Im- 45 Daten speichern können und demzufolge auch nicht pedanzkette (1). aufgerufen werden. Die Ursache dafür ist darin zu

6. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 sehen, daß ein derartiger Speicher ja gerade durch bis 4, gekennzeichnet durch zwei in Reihe geschal- einen Teil des Speicherinhaltes adressiert wird. Werden tete Widerstände (F i g. 3) als Elemente der Im- aber in einem solchen assoziativen Speicher Datenpedanzkette (1), an deren Verbindungspunkt zur 50 listen, z. B. Unterprogramme, gespeichert, besteht die Verhinderung eines Auswahlstromflusses in die Gefahr, daß bei Aufruf der »nächsten« Speicherstelle vorhergehende(n) Abfühlschaltung(en) eine Ver- eine nicht funktionsfähige, also defekte Speicherstelle riegelungsschaltung [C (N)] angeschlossen ist. ausgewählt würde, da hier die Adressierung in einer

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, vorgegebenen Reihenfolge erfolgt.

dadurch gekennzeichnet, daß der Eingang (2) der 55 Die Aufgabe der Erfindung besteht nun allgemein zu einer auswählbaren Teilschaltung (Wl, Wl, ...) darin, aus einer in einer Reihe angeordneten Gruppe gehörenden Auswahlsignal-Geberschaltung (Gi, von Teilschaltungen, z. B. einzelnen Speicherplätzen, G2, ...) über ein Inverter-Glied (/) und der Aus- auf ein Auswahlsignal hin die zu einer ersten funkgang (3) der zu derselben Teilschaltung gehörenden tionsfähigen Teilschaltung nächste funktionsfähige Abfühlschaltung (Sl, S2, ...) die Eingänge eines 60 Teilschaltung auszuwählen. Die zwischen diesen beiden UND-Gliedes (4) zur Einstellung eines Auswahl- Teilschaltungen übertragenen Signale sollen dabei an schalters bilden. eventuell dazwischenliegenden defekten Teilschaltun-

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, ge- gen vorbeigeführt werden, so daß für eine einwandkennzeichnet durch einen Stromübernahmeschalter freie Funktion der Gesamtschaltung Ausfälle einzelner als Auswahlsignäi-Geberschaiiun.^ [G(N)], wobei 65 Teilschaltungen zugelassen werden können.

der Kollektor eines (77) der beiden den Stromüber- Die Lösung dieser Aufgabe ist dadurch gekenn-

nahmeschalter bildenden Transistoren (Tl, Tl) zeichnet, daß die auswählbaren Teilschaltungen der direkt mit der Impedanzkette (1) und dem Emitter Reihe mit Ausnahme der letzten je eine Auswahlsignal-