DE1909071U - Halbleiterbauelement. - Google Patents

Halbleiterbauelement.

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DE1909071U DE1964L0038360 DEL0038360U DE1909071U DE 1909071 U DE1909071 U DE 1909071U DE 1964L0038360 DE1964L0038360 DE 1964L0038360 DE L0038360 U DEL0038360 U DE L0038360U DE 1909071 U DE1909071 U DE 1909071U
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Description

Unser Zeichen; Z 7Hl$i
LIGlTES TELEGEAPHIQUES ET TEIEPHONIQUES 89 Rue de la Paisanderie, Paris I6e
Halbleiterbauelement
Die Erfindung "betrifft ein Halbleiterbauelement für grossere Leistungen, das in ein evakuiertes Gehäuse eingeschlossen ist, das aus einem Sockel und einer damit verbundenen Kappe besteht«
Bekanntlich besteht eines der Hauptprobleme bei der •Ausführung solcher Halbleiterbauelemente, wie Dioden, Transistoren oder dgl. in der !Abführung der Wärme, ■welche während des Betriebs im Halbleiterkörper entsteht. Diese Wärme muss über das evakuierte Gehäuse abgeführt werden, an dem gegebenenfalls Wärmestrahler angebracht sind. Daher muss der Halbleiterkörper in gut wärmeleitendem Kontakt mit dem Gehäuse stehen, er darf aber beim Einschliessen und der Fertigstellung nicht unzulässig erhitzt werden.
i/B a
Nach
Mach, der Erfindung wird dieses Problem dadurch gelöst, dass der Sockel ein im wesentlichen zylindrisches massives Metallteil ist, das am einen Ende eine flache Ausnehmung aufweist, auf deren Boden das Halbleiterplättchen wärmeleitend befestigt ist, und an deren Rand die Kappe gasdicht befestigt ist, dass durch den Sockel eine Mittelöffnung verläuft, in deren der -Ausnehmung angewandtes Ende ein Evakuierungsstutzen eingesetzt ist, und dass die Elektrodenanschlussleiter isoliert am Boden der •Ausnehmung befestigt und gasdicht durch die Kappe nach aussen geführt sind.
Bei dem erfindungsgemässen Halbleiterbauelement geht keine Stromzuführung durch den massiven Sockel, der in gut wärmeleitendem Kontakt mit dem Halbleiterplättchen steht.
Durch diesen Sockel geht ausschliesslich die Öffnung für die Evakuierung . Dadurch ist eine gute Wärmeabfuhr über den Sockel sichergestellt. Ferner sind alle Teile so ausgeführt, dass sie nach dem Anbringen des Halbleiterkörpers ohne Wärmezufuhr miteinander verbunden werden können, so dass eine unzulässige Erhitzung des Halbleiterkörpers ausgeschlossen ist,
Ferner
Ferner ist das nach der Erfindung ausgeführte Halbleiterbauelement besonders massiv und steif.
Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung eine Transistoranordnung dargestellt. In der Zeichnung zeigen:
Fig.1 einen Längsschnitt durch den Sockel des Transistorgehäuses,
3?ig.2 eine Oberansicht des Sockels von I?ig.1,
Fig.3 einen Längsschnitt durch die G-ehäusekappe für den Sockel von I1Ig. 1 und
Fig«4 eine Oberansicht der G-ehäusekappe von Fig.3.
Fig.1 zeigt den massiven Sockel 1 aus gut wärmeleitenäem Metall,, vorzugsweise Kupfer, dessen unterer Abschnitt mit einem AUsse)agewinde 2 versehen ist. Im oberen Abschnitt endet der Sockel in einer Ausnehmung A9 deren Rand 5 teilweise parallel zum Boden der Ausnehmung nach aussen umgebogen ist. Diese Ausnehmung enthält zwei exzentrisch liegende Vertiefungen 6 und 7, deren Tiefe kleiner als die Höhe des zylindrischen Teils des Sockels
ist,
ist, und eine Mittelöffnung 8, welche durch das ganze Teil 1 hindurchgeht. Der mittlere Anschnitt 3 des Sockels ist so ausgebildet, dass die Befestigung eines Wärmestrahlers möglich ist. Am unteren Ende des Sockels ist in die Mittelöffnung 8 ein Evakuierungsstutzen 9 eingesetzt, der am Boden einer zu diesem Zweck' geformten AUSfrehmung 10 angelötet ist. Rings um die -Ausnehmung 10 ist der Sockel derart verlängert, dass ein riiqsförmiger Schutzflansch 11 für den Stutzen 9 entsteht, der nach dem Auspumpen an der Stelle 12 geschlossen wird, wie in dünnen Linien in der Zeichnung angedeutet ist.
In die. im Boden der Ausne]amung 4 gebildeten Vertiefungen und 7 sind Isolatoren 13 bzw. 14 eingesetzt, die eine Mittelöffnung aufweisen, in welche jeweils eine Öse bzw. 1,6 eingesetzt ist. ü^rner ist jeder Isolator mit zwei Randkerben 17, 18 bzw. 19» 20 versehen, wie in Fig.2 dargestellt ist. Diese Isolatoren sind in ihren Vertiefungen durch Einklemmen befestigt, was durch die Randkerben ermöglicht wird.
Am oberen Teil der Ösen 15 und 16 ist je ein massiver leiter 21 bzw. 22 angelötet. Wie aus Fig.2 erkennbar ist, sind diese leiter elektrisch mit zwei beispielsweise drahtförmigeh Elektroden 23 bzw. 24 verbunden, die zu demHalbleiterplättchen 25 gehören.
Das
Das HaI]]Ie iterplätt ehe η wird "beispielsweise durch Anlöten in gut wärmeleitendem Kontakt am Boden der Ausnehmung 4 im Sockel 1 befestigt. Dieser Sockel bildet die dritte Elektrode, falls es sich um einen Transistor handelt.
Wie Fig.3 zeigt, besteht die Kappe im wesentlichen aus einer Metallschale 30, die an ihrem Umfang einen nach aussen umgebogenen Flansch 31 aufweist, der den gleichen Durchmesser wie der Flansch 5 des Sockels hat, und der zwei hohle leiter 32 und 33 trägt, die in Lötösen 34 enden. Diese sind elektrisch ,von der Schale 30 durch je eine G-lasperle 35 isoliert.
In der Praxis bestehen die Kappe 30 und die Leiter 32 und aus Kupfer. Es ist daher erforderlich, zu beiden Seiten jeder isolierenden Glasperle 35 Hülsen 36 bzw. 37 aus einer Legierung vorzusehen, die hermetisch dicht mit Glas verbunden werden kann, beispielsweise der unter der Bezeichnung "Kovar" bekannten Legierung. Die Schale 30 und die Leiter und 33 werden mit den Kovarteilen verlötet oder verschweisst, wie dies an sich bekannt ist. ■ . .. ■
Zum "Verschliessen des au's dem Sockel 1 und der Kappe 30 bestehenden Gehäuses wird eine kalte Verschweissung zwischen dem Flansch 31 und dem Flansch 5 vorgenommen und dann wird
zur
- c.
zur Herstellung des elektrischen Kontakts zwischen den Slektrodenanschlussleitern 21 und 32 bzw. 22 und 33 eine Kaliverformung des Kupfers durchgeführt» ilnschliessend erfolgt die Evakuierung des so gebildeten Gehääses
durch Auspumpen über den Stutzen 9<> Dieser wird dann
durch. Kaltquetschen geschlossen und abgeschnitten,
wie in MgJ an der ^teile 12 angedeutet ist. Der im
Innern der Aiisftefcummg am unteren Teil des bockels liegende Stutzen ist während der v/eiteren Handhabung mechanisch geschützt. Die Erfahrung hat gezeigt, dass bei verschiedenen •^•usführungsformen infolge des Vakuums die Gefahr einer Verformung der Kappe 30 besteht. Dieser Nachteil wird dadurch beseitigt, dass in der Kappe Rippen vorgesehen werden, wie bei 38 angedeutet ist, damit dieser Teil versteift wird.
Schutzansprüche

Claims (1)

  1. P.Ä.795 687*12.11.64
    Sch'utzansprüche
    1. -^a^bleiterbaue lerne nt für grössere Iieistungen., das in ein evakuiertes Gehäuse eingeschlossen ist, das aus einem Sockel und einer damit verbundenen Kappe besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Sockel ein im wesentlichen zylindrisches massives Metallteil ist, das am einen Ende eine flache Ausnehmung aufweist, auf deren Boden das Halbleiterplättchen wärmeleitend befestigt ist, und an deren Rand die Kappe gasdicht befestigt ist, dass durch den Sockel eine Mittelöffnung verläuft, in deren der Ausnehmung abgewandtes Ende ein Evakuierungsstutzen eingesetzt ist, und dass die Elektrodenanschlussleiter isoliert am Boden der Ausnehmung befestigt und gasdicht durch die Kappe nach aussen geführt sind.
    2ο Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass am Boden der Ausnehmung für jeden Elektrodenaaschlussleiter eine Vertiefung angebracht ist, dass in die Vertiefung ein Isolierteil eingeklemmt ist, das eine Mittelöffnung aufweist, in welche eine MetallÖse eingesetzt, ist, und dass der Elektrodenanschlussleiter an der Öse . angelötet i.st.....
    3.
    5. Halbleiterbauelement nach Anspruch. 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kappe für jeden Slektrodenanschlussleiter eine Öffnung aufweist, in welche eine Glasperle eingesetzt ist,die einerseits mit der Kappe und andrerseits mit dem hindurchgeführten Elektrodenanschlussleiter gasdicht verbündet ist.
    4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen die Glasperle und die Kappe einerseits und zwischen die Glasperle und den Elektrodenanschlussleiter andrerseits je eine Hülse aus einer Legierung eingesetzt ist, die eine dichte Metall-Glas-Yerbindung ermöglicht.
    5· halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektrodenansehlussleiter mit der zugehörigen
    Hülse durch Kaltverformung verbunden ist.
    6. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kappe und die Ausnehmung des Sockels je mit einem nach aussen umgebogenen Flansch versehen sind, und dass die beiden Flansche vakuumdicht verbunden sind.
    7. Halbleiterkauelement nach Anspruch 6, dadurch gekenn- zeichnet, dass die beiden Flansche durch Kaltversehweissen verbunden sind.
    8.
    8. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kappe durch Hippen versteift ist.
    9« ^albleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an dem der Ausnehmung abgewandten Ende des Sockels ein den Bvakuierungsstutzen umgebender
    ringförmiger Schutzflansch angeformt ist.
DE1964L0038360 1963-11-13 1964-11-12 Halbleiterbauelement. Expired DE1909071U (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
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DE1909071U true DE1909071U (de) 1965-01-28

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1964L0038360 Expired DE1909071U (de) 1963-11-13 1964-11-12 Halbleiterbauelement.

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DE (1) DE1909071U (de)
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FR1384685A (fr) 1965-01-08

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