DE1907168A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1907168A1
DE1907168A1 DE19691907168 DE1907168A DE1907168A1 DE 1907168 A1 DE1907168 A1 DE 1907168A1 DE 19691907168 DE19691907168 DE 19691907168 DE 1907168 A DE1907168 A DE 1907168A DE 1907168 A1 DE1907168 A1 DE 1907168A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
clamping arrangement
current collector
arrangement
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19691907168
Other languages
English (en)
Other versions
DE1907168B2 (de
Inventor
Anderson Nils Eric
Goeran Lilja
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ABB Norden Holding AB
Original Assignee
ASEA AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASEA AB filed Critical ASEA AB
Publication of DE1907168A1 publication Critical patent/DE1907168A1/de
Publication of DE1907168B2 publication Critical patent/DE1907168B2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Halbleiteranordnung
Halbleiteranordnungen für große Stromstärken umfassen gewöhnlich ein halbleitendes System mit einer halbleitenden Scheibe aus Silizium oder Germanium, die oft auf einer oder beiden Seiten mit einer an der Halbleiterscheibe durch Lötung oder Legierung befestigten Stützplatte aus einem Material mit ungefähr demselben Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das halbleitende Material versehen ist. Es sind Halbleiteranordnungen bekannt, bei denen das Halbleitersystem in Druckkontakt mit einem Sockel aus einem Material mit guter Wärmeleitfähigkeit, z.B. Kupfer, auf seiner einen Seite und mit einem Stromabnehmer auf seiner anderen Seite steht. Der Stromabnehmer kann dabei gegen das Halbleitersystem mit einer Spannanordnung gepreßt werden, die vom Stromabnehmer durch einen zwischenliegenden Isolierkörper isoliert ist. Das halbleitende System, die Spannanordnung und der Isolierkörper sind in den genannten bekannten Halbleiteranordnungen in einem hermetisch geschlossenen Gehäuse angeordnet, das aus dem Sockel und einer mit dem Sockel zusammengefügten Haube besteht, die das Halbleitersystem, den Stromabnehmer, den Isolierkörper und die Spannanordnung umschließt.
909884/1103
Das hermetische Verschliessen des Gehäuses umfaßt zeitraubende Lötungen, u.a. zwischen seinen metallischen und keramischen Teilen, wodurch die Herstellungskosten hoch werden.
Gemäß der Erfindung hat es sich als möglich erwiesen, eine ausreichend wirksame Dichtung für das Halbleitersystem ohne Verwendung von zeitraubenden Lotungen und ohne Anordnung eines Isolierkörpers zwischen der Spannanordnung und dem Stromabnehmer zustandezubringen. Es können so die Herstellungskosten auf einen Bruchteil der früher erforderlichen herabgesetzt v/erden. Weil Lötungen vermieden werden, kann man auch Fugen zwischen verschiedenen Materialien vermeiden, was eine erheblich verbesserte Korrosionsbeständigkeit zur Folge hat.
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, z.B. eine Kristalldiode, einen Thyristor oder einen Transistor, für große Stromstärken, in der ein halbleitend.es System auf einem Sockel angeordnet ist und ein Stromabnehmer gegen die vom Sockel abgekehrte Seite des halbleitenden Systems mit einer Spannanordnung gedrückt gehalten wird, deren Gegenhalter ein mit dem Sockel zusammenhängender Teil ist, und ist dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Spannanordnung und dem Gegenhalter eine Dichtung aus Isoliermaterial angeordnet ist, die zwischen der Spannanordnung und dem Gegenhalter gepreßt gehalten wird, die einen inneren, das Halbleitersystem enthaltenden Raum von dem außerhalb der vom Stromabnehmer abgekehrten Seite der Spannanordnung liegenden äußeren Raum abdichtet.
909884/1103 _5_
Mit dem Ausdruck große Stromstärken sind Stromstärken in der Größenordnung 10 Amp. und darüber gemeint.
Die Spannanordnung kann mit Vorteil aus einer oder mehreren Scheibenfedern bestehen.
Das Halbleitersystem kann aus einer Halbleiterscheibe z.B. aus Silizium oder Germanium bestehen, die auf einer oder beiden Seiten mit dünnen Metallsehichten versehen ist, die auf die Halbleiterscheibe z.B. durch Legierung, Aufdampfen oder Kathodenzerstäubung oder durch elektrolytischen Belag aufgebracht sind. Die Metallsehichten können in Verbindung mit der Dotierung der Halbleiterscheibe oder in einem getrennten späteren Prozess ausgebildet werden. Als geeignete Metal-le für die Schichten können beispielsweise Gold, Silber, Kupfer, Aluminium, Nickel, Blei, Zinn und Legierungen, die mindestens eins dieser Metalle enthalten, genannt werden. Das Halbleitersystem kann u.a. auch aus einer Halbleiterscheibe bestehen, die auf ihrer einen oder beiden Seiten mit Stützplatten aus Molybdän, Wolfram oder einem anderen Material mit ungefähr demselben Wärmeausdehnungskoeffizienten wie die Halbleiterscheibe versehen ist. Solche Stützplatten können in herkömmlicher Weise an der Halbleiterscheibe befestigt sein. Es ist auch möglich, Metallsehichten und Stützplatten auf den Seiten der Halbleiterscheibe ganz wegzulassen. Dabei besteht das Halbleitersystem nur aus der Halbleiterscheibe. In diesem letzteren Fall ist es zweckmäßig, Halbleiterscheiben mit hochdotierten Außenschichten zu verwenden.
909884/1103 -4-
Als Beispiel von geeignetem Material für die Dichtung können verschiedene Plaste und Elaste genannt werden, z.B. Polyimid, wie ein Polyimid aus Pyromellitsäuredianhydrid und Paraphenylendiamin, Polytetrafluorathylen, Polykarbonat, Polyäthylenglykolterephtalat, Silikongummi und Fluorgummi, wie ein Kopolymerisat von Hexafluorpropylen und Vinylidenfluorid. Es ist besonders zweckmäßig, Material mit guter Beständigkeit gegen Fliessen, wie Polyimid, zu verwenden. Die Dichtung kann aus einer Folie bestehen und mit Vorteil die Form eines Schlauches oder einer Hülse haben.
Wenn die Dichtung so angeordnet wird, daß sie sich längs des Halbleitersystems erstreckt, kann man der Halbleiteranordnung kleine Abmessungen geben ohne zu riskieren, daß ein Kontakt zwischen dem Halbleitersystem und Teilen des Gehäuses entsteht, die vom Halbleitersystem isoliert werden sollen.
Nach einer Ausführungsform der Erfindung ist um die Spannanordnung und den Stromabnehmer nach dem inneren Raum zu eine zusätzliche Dichtung angeordnet, die in der Spannanordnung und zwischen der Spannanordnung und dem Stromabnehmer eventuell vorkommende Spalte von dem inneren Raum abdichtet. Dadurch wird die Gefahr von Leckage von der Umgebung in den inneren Raum über diese Spalte vermieden.
Die Zusatzdichtung kann mit Vorteil aus einer nach oben zu offenen Dose aus metallischem Material, vorzugsweise Kupfer,
909884/11.0 3 - - "5"
bestehen, in der der Stromabnehmer und die Spannanordnung angeordnet sind, wobei der Boden der Dose zwischen dem halbleitenden System und dem Stromabnehmer liegt. Es hat sich gezeigt, daß der Boden der Dose, wenn er dünn ist, etwas fHessen und dabei Nachteilen entgegenwirken kann, die durch Ungleichmäßigkeiten der einander zugekehrten Seiten des Stromabnehmers und des halbleitenden Systems verursacht werden können, d.h. die Dose trägt dazu bei, den Kontakt zwischen dem halbleitenden System und dem Stromabnehmer zu verbessern.
Fach einer vorteilhaften Ausführungsfora der Erfindung mit wirksam eingekapseltem Halbleitersystem ist die Halbleiteranordnung mit einem Imprägnierungeharz imprägniert. Dabei werden besonders gute Resultate erreicht, wenn die Imprägnierung als Vakuumimprägnierung ausgeführt wird und wenn solche Imprägnierungsharze verwendet werden, die keine Lösungsmittel enthalten und die ohne Abgabe von flüchtigen oder gasförmigen Komponenten härten. Beispiele von zweckmäßigen Imprägnierungsharzen sind Silikonharze, besonders lösungsmittelfreie, Epoxiharze und ungesättigte Esterharze. Bei der Imprägnierung dringt das Imprägnierungsharz ein und dichtet vorkommende Spalte, z.B. Spalte zwischen der Spannanordnung und dem Stromabnehmer oder zwischen der Spannanordnung und der Dichtung.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist zusammenhängend mit dem Segenhalter in Richtung vom Sockel weg ein Ver-
-6-909884/1103
längerungsteil angeordnet, der außerhalb der Spannanordnung einen nach außen offenen Raum bildet, in dem ein an Ort und Stelle geformtes Plastmaterial, z.B. Duroplast oder ein Thermoplast, z.B. ein Epoxiplast, ein Polyesterplast, ein Polykarbonatplast, ein Fluorplast oder ein Silikonplast, angeordnet ist. In dieser Weise wird eine Halbleiteranordnung erhalten, deren Halbleitersystem besonders gut gegen die Einwirkung sowohl der äußeren Atmosphäre als auch gegen mechanische Beschädigungen, z.B. Stösee, geschützt ist. Wenn der Stromabnehmer an einem zentral angeordneten Metallkörper angeschlossen ist, der sich durch eine öffnung in der Spannanordnung und durch den Verlängerungsteil erstreckt, ist es vorteilhaft, eine Vertiefung im oben genannten Plastmaterial anzuordnen, die sich zwischen dem Metallkörper und der Verlängerung erstreckt. Dadurch wirkt man nämlich dem Entstehen von inneren Spannungen im Plastmaterial entgegen, die zu Bildung von Bissen führen können.
Das Plastmaterial im Raum außerhalb der Spannanordnung kann eventuell ein Füllmittel, z.B. Quarzmehl, enthalten. Das Plastmaterial kann die Form eines Gießpiasts haben, das in den Raum eingegossen wird, oder einer Pressmasse, die eingepreßt wird, wobei die Halbleiteranordnung in einem Presswerkzeug angeordnet wird. Es kann auch die Form einer Spritzmasse haben, die durch Spritzen aufgebracht wird, wobei die Halbleiteranordnung in einem Spritzwerkzeug angeordnet wird.
-7-
909884/1103
Die Erfindung ist im folgenden anhand der Zeichnung erläutert, in der Pig· 1 und '?.. zwei Ausführungsformen einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung im Schnitt durch die Stromrichtung zeigen.
Die in den Figuren gezeigten -Dioden sind für eine Stromstärke von z.B. 150 Amp. vorgesehen. Eine runde Siliziumscheibe 10 des p-n-n+ -Typs ist auf der einen Seite mit einer nicht gezeigten Aluminiumschicht an einer Stützplatte 11 aus Molybdän f| oder einem anderen Material mit ungefähr demselben Wärmeausdehnungskoeffizienten festgelötet und auf der anderen Seite mit einem Goldantimonkontakt in der Form einer Schicht 12 versehen. Das aus den Elementen 10, 11 und 12 bestehende runde Halbleitersystem ist auf einem Sockel angeordnet, der aus einer Erhöhung 13 in einer Ausnehmung 14 im Kopf 15 eiaes Bolzens 16 aus Kupfer oder Aluminium besteht. In der Anordnung nach Fig. 1 ist das Halbleitersystem mit der Stützplatte 11 auf dem Sockel 13 angeordnet und in der Anordnung nach Fig. 2 liegt es mit der Ie- λ gierten Schicht 12 am Sockel 13 an. Der Stromabnehmer 17 liegt unter Druck an der Oberseite des Halbleitersystems an. Eine Lötfuge gibt es nicht zwischen dem Halbleitersystem und dem Stromabnehmer, sondern der Kontakt zwischen ihnen wird nur durch Druck erreicht. Der Druck wird von der Spannanordnung 18 ausgäbt, die aus einer Preßscheibe 19 und Tellerfedern 20 besteht, die an der oberen Stirnfläche des Stromabnehmers anliegen.
-8-
909884/1103
— ο —
In der Anordnung nach Fig. 2 kann es zweckmäßig sein, eine Silber- oder Goldfolie zwischen der Stützplatte 11 und dem Stromabnehmer 17 anzuordnen.
Der Kontakt zwischen dem Sockel und dem Halbleitersystem kann auch nur durch Druck zustandegebracht werden. Dabei kann es zweckmäßig sein, in der Anordnung nach Pig. 1 eine Gold- oder Silberfolie zwischen der Stiitzplatte 11 und dem Sockel 15 anzuordnen. Das Halbleitersystem kann auch am Sockel festgelötet sein, z.B. mit einem Gold-Zinn-Lot.
Der Stromabnehmer ist mit einem zentral angeordneten, steifen, massiven zylindrischen Anschlußleiter 21 aus Kupfer oder Aluminium zusammengefügt, der sich durch das Loch 22 cter Spannanordnung erstreckt.
Der Bolzen 16 bzw. der Kopf 15 ist mit einem nach oben gerichteten zylindrischen Verlangerungsteil 23 versehen, der in eine Einbuchtung 24 übergeht, die als Gegenhalter für die Spannanordnung 18 dient. Die Einbuchtung wiederum geht in einen anderen zylindrischen Verlängerungsteil 25 über, der außerhalb der Spannanordnung einen nach oben offenen Raum 26 bildet. Der Bolzen und seine Teile 15, 23, 24 und 25 sind aus einem einzigen Material, z.B. Kupfer oder Aluminium, in einem einzigen zusammenhängenden Stück hergestellt.
-9-909884/1103
Zwischen der Spannanordnung 18 und dem Gegenhalter 23 ist eine Dichtung 27 aus einer Polyimidfolie (z.B. "Kapton" von Du Pont) angeordnet. Die Dichtung erstreckt sich vorbei am Halbleitersystem, so daß die Dimensionen des Bolzens klein gehalten werden können, ohne daß die Gefahr vorliegt, daß ein Kontakt zwischen dem Halbleitersystem an seiner Oberseite in der in Pig. 2 gezeigten Ausführung entsteht. Diese Dichtung dichtet einen inneren Raum 28, der das Halbleitersystem enthält, vom Raum außerhalb der Spannanordnung ab.
Innerhalb der Dichtung 27 ist eine Zusatzdichtung angeordnet, die den inneren Raum 28 von in der Spannanordnung 18 oder zwischen der Spannanordnung 18 und dem Stromabnehmer 17 eventuell vorkommenden Spalten abdichtet. Wie in Fig. 1 dargestellt, besteht diese Zusatzdichtung aus einer nach oben zu offenen Dose 29 aus Kupfer. Die Dicke der Wand bzw. des Bodens der Dose ist erheblich kleiner als die des Stromabnehmers. Wie auch in Pig· besteht die Dichtung aus einem ringförmigen Plansch 30 aus Me- % tall, z.B. Kupfer, der an der Kantenseite des Stromabnehmers festgelötet ist.
Der Raum 26 ist mit einem Plastmaterial 31> z.B. einer mineralgefüllten wärmehärtbaren Epoociharzpreßmasse (wie CIBA MJ 801 von CIBA AG)- gefüllt oder mit einer mineralgefüllten wärtaehärtbaren Silikonspritzmasse (wie DC 305 von Dow Corning Corp.). Beim Aufbringen des Plastmaterials wird dieses durch die Dich-
-10-909884/1103
tungen 27 und 29 bzw. 30 daran gehindert, in den inneren Raum einzudringen. Wie in Pig. 2 dargestellt, ist eine Vertiefung 32 im Plastmaterial angeordnet. Die Vertiefung ist konzentrisch mit dem Verlangerungsteil 25 und dem Anschlußleiter 21.
Falls die Halbleiteranordnung aus einem Thyristor oder einem Transistor besteht, kann ein erforderlicher zusätzlicher Zuleiter zum Halbleitersystem angeordnet werden, z.B. indem man ihn durch ein für ihn vorgesehenes Loch durch das Plastmaterial 31 und die Spannanordnung 18, den Stromabnehmer 17 und in vorkommenden Fällen durch die Zusatzdichtung 29 führt.
-1 1-
909884/1103

Claims (8)

Patentansprüche t
1. Halbleiteranordnung, z.B. eine Kristalldiode, ein Thyristor oder ein Transistor für große Stromstärken, in der ein halblejtendes System auf einem Sockel angeordnet ist und ein Stromabnehmer ge{,en die vom Sockel abgekehrte Seite des halbleitenden Systems mit einer Spannanordnung gedrückt gehalten wird, deren Gegenhr^ter einen mit dem Sockel zusammenhängenden Teil bildet, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Spannanordnung (19» 20) und dem Gegenhalter (23) eine Dichtung (27) aus Isoliermaterial angeordnet ist, die zwischen der Spannanordnung und dem Gegenhalter zusammengepreßt ist und die einen inneren, das Halbleitersystem enthaltenden Raum (28) von dem außerhalb der vom Stromabnehmer abgekehrten Seite der Spannanordnung gelegenen äußeren Raum (26) abdichtet.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dichtung (27) aus einer Folie aus Plast oder Elast besteht.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß um die Spannanordnung (19» 20) und den Stromabnehmer (17) nach dem inneren Raum (28) zu eine Zusatzdichtung (29) angeordnet ist, die innerhalb der Spannanordnung und zwischen der Spannanordnung und dem Stromabnehmer (17) eventuell vorkommende Spalte von dem inneren Raum abdichtet.
-12-909884/1103
4· Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzdichtung aus einer nach oben zu offenen Dose (29) aus metallischem Material, vorzugsweise Kupfer, besteht, in der der Stromabnehmer (17) und die Spannanordnung (19» 20) angeordnet sind, wobei der Boden der Dose zwischen dem halbleitenden System (10, 11, 12) und dem Stromabnehmer liegt.
5· Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dose (29) mit einem Imprägnierungs· harz imprägniert ist.
6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zusammenhängend mit dem Gegenhalter (25) in Richtung vom Sockel weg ein Verlängerungsteil (25) angeordnet ist, der außerhalb der Spannanordnung (19, 20) einen nach oben zu offenen Raum (26) bildet, in dem ein an Ort unü Stelle geformtes Plastmaterial angeordnet ist, beispielsweise ein Duroplast oder Thermoplast, z.B. ein Epoxiplast, ein Polykarbonatplast, ein Fluorplast oder ein Silikonplast.
7. Halbleiteranoranung nach Anspruch 6, bei der der Stromabnehmer an einem zentral angeordneten Metallkörper angeschlossen ist, der sich durch eine Öffnung der Spannanordnung und durch den Verlängerungsteil erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vertiefung ('52) im Plastmaterial angeordnet ist, die sich «wischen Metallkörper (21) und Verlängerung erstreckt.
8. Halbleiteranoranung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, daüurch gekennzeichnet, daß die Dichtung aus Isoliermaterial sich vorbei am Halbleitersystem auf den Sockel (13) zu erstreckt.
909884/ 1103
DE19691907168 1968-02-22 1969-02-13 Halbleiteranordnung Withdrawn DE1907168B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE229368A SE321994B (de) 1968-02-22 1968-02-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1907168A1 true DE1907168A1 (de) 1970-01-22
DE1907168B2 DE1907168B2 (de) 1973-07-12

Family

ID=20259695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691907168 Withdrawn DE1907168B2 (de) 1968-02-22 1969-02-13 Halbleiteranordnung

Country Status (9)

Country Link
CH (1) CH491497A (de)
DE (1) DE1907168B2 (de)
FI (1) FI44021C (de)
FR (1) FR2002396B1 (de)
GB (1) GB1247948A (de)
NL (1) NL6902215A (de)
NO (1) NO121055B (de)
RO (1) RO55124A (de)
SE (1) SE321994B (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1944515A1 (de) * 1969-09-02 1971-03-04 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Kunststoffuellung

Also Published As

Publication number Publication date
SE321994B (de) 1970-03-23
FI44021C (fi) 1971-08-10
CH491497A (de) 1970-05-31
NL6902215A (de) 1969-08-26
FR2002396B1 (de) 1976-10-01
NO121055B (de) 1971-01-11
FR2002396A1 (de) 1969-10-17
FI44021B (de) 1971-04-30
GB1247948A (en) 1971-09-29
DE1907168B2 (de) 1973-07-12
RO55124A (de) 1973-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006002452B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4321053C2 (de) Druckkontaktierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer druckkontaktierten Halbleitervorrichtung
DE102011077543A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2109116A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2712543A1 (de) In harz vergossene halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE10251248A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE4316639A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1013010B (de) Gehaeuse fuer einen Flaechengleichrichter
DE2012440C3 (de) Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente
DE2632154C2 (de) Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement
DE1907168A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1564665A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer solchen
DE1943219A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE1589488C3 (de) Halbleiteranordnung
DE1539652A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2825682A1 (de) Halbleiterbauelement mit isoliergehaeuse
DE1283969B (de) Halbleiterbauelement mit elektrisch isolierendem Zwischenkoerper zwischen dem Halbleiterkoerper und einem Gehaeuseteil, sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE2711711C3 (de) Halbleiteranordnung mit einem scheibenförmigen, zwischen Kühlkörpern eingespanntem Halbleiterbauelement
DE2729074C2 (de) Anordnung für ein gekapseltes Halbleiterschaltungsplättchen und Verfahren zu deren Herstellung
DE2942585A1 (de) Leistungs-halbleiterbauelement
DE2156522A1 (de) Innerer Aufbau von Verpackungen für Halbleiter
DE1964668B2 (de) Halbleiterbauelement
DE1110320B (de) Elektrische Isolierung fuer Halbleiteranordnungen
DE8328153U1 (de) Wärmeableitscheibe
DE1489097C (de) Halbleiter Gleichnchterzelle

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
BHN Withdrawal