DE1906727A1 - Halbleitervorrichtung mit einem oder mehreren Halbleiterkoerpern und aus einem solchen Koerper seitlich hinausragenden starren Leitern - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einem oder mehreren Halbleiterkoerpern und aus einem solchen Koerper seitlich hinausragenden starren Leitern

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Marechal Hubert Georges Joseph
Neuhuys Thierry Jean Paul
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2482329A (en) * 1946-05-27 1949-09-20 Rca Corp Apparatus for selective vapor coating
US3007028A (en) * 1955-06-28 1961-10-31 Nat Presto Ind Electrically heated device with plug-in thermostat
GB839081A (en) * 1957-12-13 1960-06-29 Westinghouse Electric Corp Improvements in or relating to evaporation processes for the deposition of metals, particularly for use in the making of semi-conductor devices
FR1497294A (fr) * 1965-10-22 1967-10-06 Motorola Inc Procédé pour la métallisation des semi-conducteurs et semi-conducteurs formes par ce procédé
FR1536321A (fr) * 1966-06-30 1968-08-10 Texas Instruments Inc Contacts ohmiques pour des dispositifs à semi-conducteurs

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