DE1774317A1 - Keramische Informationsspeicher - Google Patents

Description

-UiQ GÜNTHER ΒΟΗΜΙΤΖ-ΗΕΙΓΓ · DIPL.-ING. HANS VOLLBACH

PATENTANWÄLTE! 1 7 7 Zt 3 1

S KOI₁N, Gereonshof 38 Telefon (92) 21 30 32

21. Mai 1968

Amtl. Zeichen

Anmelder in: S.W. Blisa Company

Akte Nr. 67079 Vo/W

Keramischer Informationsspeicher

Die Erfindung betrifft einen .Keramischen Informationsspeicher oä.cl.;l. mit einer Speicherplatte aus ferroelektrischem Material, die jeweils in einen von zwei stabilen Polarisationszuständen "versetzbar ist und die mit einer Steuer- bzw. Triebplatte od.dgl. aus piezoelektrischem Material verbunden ist, so daß diese beim Anlegen einer Spannung mechanische Kräfte auf die Speicherplatte sowohl senkrecht auf otiese als auch q_uer hierzu überträgt, wodurch " der von der Speicherplatte zusammen mit den auf ihr beidseitig' aufgebrachten elektrisch leitenden Schichten gebildete ferroelektrisch^ Kondensator bei der Abfrage eine Ausgangsspannung zwischen den beiden elektrisch leitenden Schichten liefert.

Bin solcher löscriungsxrei arbeitender Informationsspeicher ist. Gegenstand der älteren deutschen Patentanmeldung P 15 24 727.b der Anmelderin. Die Erfindung bezweckt insbesondere eine Verbesserung und weitere Ausgestaltung eines derartigen Informations-

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Speichers, wobei der erfindungsgemäße Informationsρp©ioher vorzugsweise als binärer Datenspeicher bzw. als binäre Speicherreihe' od.dgl. verwendet wird, bei dem bzw. der der AbIes©Vorgang bzw. das Ausspeichern der gespeicnerten binären Information löBchun_ri,sfrei, d.h. oline Informationsverlust vollzogen wird«. Die Erxindung umfaßt jedoch einen weiteren Anwendungsüereich; beispielsweise kann der erfinaungs-einäfee Informationsspeicher auch in Binär- und Ringzählersche.ltungen, Schieberegistern u.dgl.. Verwendung finden.

In neuerer Zeit ist der Verwendung keramischer Stoffe auf dem Oomputergebiet besondere Aufmerksamkeit geschenkt worden. Insbesondere richtete sich dabei die Aufmerksamkeit auf üie Ausnutzung der elektrostriktiven, piezoelektrischen und ferroelektrischen Eigenschaften, die bei diesen Stoffen vielfacn festgestellt wurden. Ferroelektrisch^ Speienervorrichtungen bzw* . " Kondensatoren weisen dielektrische Stoffe auf, die für die Speicherung von Informationen mehr von der inneren Polarisation als von der Oberflächenladung abhängen. Es sind verschiedene Stoffe dieser Art bekannt, wie z.B. Bariumtitanat, Rochellesalz, Bleimetaniobiat und Bleititanatzirkonatverbindungen. Diese Stoffe können in der Form von Einkristallen oder als Kerainikstoff e aare leitende Überzüge zur Bildung von

Anschlubpolen aufgebracht werden. Ferroelektrische Kondensatoren weisen zwei stabile Polarisationszustände, vergleichbar aen stabilen Remanenzzuständen von magnetischen Stoffen, auf, wenn sie

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elektrischen Feldern von entgegengesetzter Polarisation unterworfen werden; sie sind infolgedessen als binäre Speicherelemente ohne weiteres geeignet. Als Speicherelemente zeigen diese Stoffe Eigenschaften, die sie über einen gröberen Temperaturbereich als die ferromagnetischen Kerne verwendbar machen. Beispielsweise konnte festgestellt werden, dali diese Speicherelemente über einen Temperaturbereich von über -55° 0 bis +125° G verwendbar sind. Eine weitere Eigenschaft der ferroelektrischen Kondensatoren ist ™ die piezoelektrische Eigenschaft, d.h. die Eigenschaft, beim Anlegen von Potentialen über die Kondensatorklemmen ihre Abmessungen zu ändern bzw. umgekehrt eine Spannungsdifferenz zwischen den Klemmen in Abhängigkeit von mechanischen Drücken zu erzeugen, die auf die einander gegenüberliegenden Kondensatorflächen ausgeübt werden.

In der vorgenannten deutschen Patentanmeldung P 15 24 727.5 ist eine Speichervorrichtung mit ferroelektrischen Kondensatoren λ offenbart. Dieser Speicher w-eist ein Paar im wesentlichen flacher, ferroelektrischer Kondensatorenplatten auf, von denen die eine als Steuer- bzw. Triebplatte una die andere als Speicherplatte aient. Zwischen diesen beiden Platten befindet sich eine elektrisch leitfäiiige Schicht. Die Platten sind mittels eines elektrisch leitfähigen Bindemittels oder durch Wärmeverscnmelzung derart · , aneinander befestigt, daß die Triebplatte laechanisehe Kräfte , auf die Speicherplatte sowohl senkrecht auf deren Oberfläche als auch quer hierzu in Seitenrichtuiig übertragen kann, so daß

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die Speicherplatte hierdurch mechanisch beansprucht wird. Die Triebplatte ist permanent vorpolarisiert, während die Speicherplatte durch Anlegen eines elektrischen Potentials zwischen ihren beiden gegenüberliegenden ebenen Plattenflächen entweder negativ oder positiv polarisiert wird, so daß sie eine Binärinformation speichert, d.h. entweder negativ oder positiv polarisiert ist. Wenn eine Abfrage-Ausspeicherspannung an die einander gegenüberliegenden Flächen der Triebplatte gelegt wird, so ändert diese

W sowohl in ihrer Seitenrichtung als auch in der Richtung senkrecht zur Plattenebene ihre Abmessungen, wobei sie entsprechende mechanische Belastungen der Speicherplatte hervorruft, unter deren Wirkung ein von dem Polarisationszustand abhängiges Ausgangssignal erzeugt wird. Dieses Ausgangssignal vollzieht sich über eine Zeitdauer, die 'im wesentlichen derjenigen der angelegten Abfrage-Ausspeicherspannung entspricht. Wenn die Ausspeicherspannung eine der Polarisation der Triebplatte entgegengerichtete Polarität hat, so wird die Größe der Abfrage-Ausspeicherspannung

W hinreichend weit unterhalb der polarisations-Schwellwertspannung, d.h. derjenigen Spannung gehalten, die erforderlich ist, um die Triebplatte permanent zu polarisieren. Der Ausspeichervorgang vollzieht sich daher nicht löschend, d.h. ohne Informationsverlust, so daß dieser beliebig oft wiederholt werden kann, ohne daß ein automatischer Restaurierzyklus erfolgen muß, wie dies normalerweise bei Datenspeichern mit Selbstlöschung der Fall ist.

Zusätzlich zu dem vorstehend beschriebenen Ein-Eit-Informations-

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Speicher ist in der deutschen Patentanmeldung P 15 24 727.5 auch.

: ein Speicherblock bzw. eine Speicherreihe od.dgl. mit mehreren Wortreihen bzw. Zeichengruppen offenbart, von denen jede mehr

^; als nur eine Binärziffer umfaßt. Diese Speicherreihe weist für jede Zeichengruppe eine Triebplatte auf. Demgemäß ist für jede Zeichengruppe eine Anzahl ferroelektrischer Speicherplatten vorgesehen, die in Längsrichtung der einzigen Triebplatte im Abstand angeordnet und z.B. mittels eines elektrischen Binders so an der ' M Triebplatte befestigt sind, daß sie eine größere Anzahl einzelner Bits umfassen. Die Massenherstellung solcher Speicherreihen bedingt hier jedoch eine erhebliche Anzahl an Bearbeitungsstufen. ■

Der Erfindung liegt unter anderem die Aufgabe zugrunde, nicht löschende keramische Informationsspeicher bzw. Speicherreihen oder Speicherblöcke u.dgl. zu schaffen, die sich vergleichsweise wirtschaftlich in großen Stückzahlen herstellen lassen. Ferner bezweckt die Erfindung eine blockförmige keramische Speicher-

reihenvorrichtung, bei der die Streukapazität der Kondensatorkopplung möglichst gering ist. Ferner soll die mechanische Verbindung bei einem keramischen Speicher der genannten Art erhöht und darüber hinaus die Bit-Kapazität erhöht und hierbei der Bingangsscheinwiderstand eines jeden Speicher-Bits vermindert werden.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weist die keramische. ' Speicherreihe eine aus ferroelektrischem Material bestehende und

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jeweils in einen von zwei stabilen Polarisationszuständen versetzbare Speicherplatte sowie eine Steuer— bzw. iüriebplatte mit piezoelektrischen Eigenschaften auf, die gegenüber der Speicherplatte so orientiert ist, daß diese beiden Platten mit ihren Plattenflächen einander zugewandt sind, wobei zwischen den beiden Platten ein elektrisch leitender erster Streifen angeordnet ist, während an der anderen Fläche der Triebplatte ein elektrisch leitender Steuer-Leitetreifen befestigt ist, der zu dem ersten Leitstreifen im wesentlichen parallel in Überdeckung angeordnet ist, so daß zwischen diesen feilen ein Wortreihenteil bzw. ein Zeichengruppenteil gebildet wird. Hit der Speicherplatte ist hierbei eine Mehrzahl seitlich im Abstand und im wesentlichen parallel zueinander verlaufender elektrisch leitfähiger Bit-Leitstreifen verbunden, die quer zu dem Zeichengruppenteil verlaufen, so daß eine Anzahl von seitlich im Abstand angeordneter, dem Zeichengruppenteil zugeordneter Speicherplatten-Bits gebildet ;

wird. Die Platten sind hierbei so befestigt, daß beim Anlegen j

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einer Spannung zwischen dem ersten Leitstreifen und den Steuer- ^; Leitstreifen der Zeichengruppenteil der Triebplatte mechanische Kräfte auf die Speicherplatte sowohl in deren Seitenrichtung als auch senkrecht auf deren Plattenfläche überträgt, wodurch aufgrund der mechanischen Beanspruchung eine Abfrage des Speicherplatten-Bits erfolgt.

Q-emäß einem weiteren Merkmal der Erfindung ist zur möglichst j weitgehenden Verminderung der Kondenaatorkopplung zwischen den

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Steuer-Leitstreifen und den Bit-Leitstreifen eine Isolierung bzw. eine Entkopplung mit einer piezoelektrischen Platte vorgesehen, an deren einen Fläche eine elektrisch leitfähige Schicht befestigt ist und die zwischen der Speicherplatte und der Triebplatte eingeordnet ist.

Geraäii einem weiteren i-ierkiiial .der Erfindung weist die Speicherreihe eine zusätzliche Speicherplatte sowie eine weitere Triebplatte aer vorgenannten Art auf, so daß eine zweifach gesteuerte Speieherreihe gebildet wird.

Ferner ist eriindungögemäü eine Einzel-bit-Speichervorrichtung der in der deutschen Patentanmeldung P Io 24 727·5 offenbarten Ausbildung vorgesehen, die erfindungsgemäß jedoch mit einer Isolations- bzw. Entkopplungsplatte sowie mit einem Isolations-Entkopplungsstreifen od.dgl. aus leitfähigem Material versehen ist, die zwischen der Triebplatte und der Speicherplatte angeordnet sind.

ü-emäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist ein doppelt getriebener bzw. doppelt gesteuerter Einzel-Bit-Keramikspeicher mit zwei Triebplatten und zwei Speicherplatten vorgesehen, die zwischen aen Triebplytten angeordnet sind.

In der Zeichnung sind verschiedene bevorzugte Ausführungsbeispiele ' der Erfindung dargestellt; es zeigt:

Fi_c·. 1 ±ii schottischer Darstellung einen keramischen Einzel-

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Bit-Speicher zur Erläuterung des Prinzips, auf welchem die Erfindung beruht; . ·

Fig. 2 in perspektivischer Darstellung ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Ji¹Ig. 3 dee AuefuLrurgebeispial gemäß Pig. 2 in perspektivischer Darstellung mit voneinander getrennten und abgehobenen •Teilen des Speichers;

Fig. 4 in perspektivischer Darstellung ein zweites AusfUhrungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 4A das Ausfunrungsbeispiel gemäß Fig. 4 in etwas abgeänderter AusfUhrungsform ebenfalls in perspektivischer Darstellung;

Fig. 4B in perspektivischer Darstellung das Auafttnrungsbeispiel gemäß Fig. 4 in einer Ansicht aus einer anderen Richtung;

Fig. 40 das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4B in geänderter Ausführungsform ebenfalls in perspektivischer Darstellung;

Fig. 5 das Ausfunrungsbeispiel gemäß den Fig. 4 und 4B mit getrennten und voneinander abgehobenen Teilen des keramischen Informationsspeichers;

Fi;. 6 ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung in perspektivischer Darstellung;

Fi^. 6A das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 6 mit zusätzlichen Änderungen, ebenfalls in perspektivischer Darstellung;

Fin,· 6E die Ausführunrsform gemäß Fig. 6 in perspektivischer Darstellung, jedoch aus einer anderen Richtung;

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Fig· όθ die AusfUhrungsform gemäß Fig. OB mit einigen zusätzlichen Abänderungen in perapektiviscner Darstellung; Fig. .7 die Ausftihrungsform gemäß den Fig. ό und όΒ in perspektivischer Darstellung, wobei die Einzelteile voneinander getrennt und abgehoben sind;

Fig. 8 schematisch einen doppelt getriebenen Sinzel-Bit-Speicher mit Isolations- bzw. Entkopplungsmitteln, der gemäß dem Erfindungsprinzip nach Pig. 6 aufgebaut ist; %

Fig. 9 in perspektivischer Darstellung einen doppelt getriebenen Einzel-Bit-Speicher ähnlich demjenigen der Pig. 8, jedoch ohne Isolations- bzw. Entkopplungsmittel und mit einem Schaltkreis iiir die Polarisierung und daa Abfragen der Speichervorrichtung;

Fig. 10 schematisch eine äquivalente Schaltung für die Vorrichtung gemäß Fig. 1;

Fig. 11 sohematisch eine äquivalente Schaltung für die Vorrichtung gemäß Fig. 9; f Fig. 12 in perspektivischer Darstellung ein viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 12A in perspektivischer Darstellung die AusfUhrungsform

gemäß Fig. 12, jedoch aus einer anderen Blickrichtung; Fig. 13 in perspektivischer Darstellung die Ausführungsform gemäß Fig. 12, wobei die Einzelteile voneinander getrennt und entfernt sind;
Fig. 14 einen Einzel-Bit-Speicher gemäß dem vierten AusfUhrungs-

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beispiel der Erfindung zusammen mit dem Schaltkreis für das Abfragen der Speichervorrichtung,

Bevor die in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung im einzelnen beschrieben werden, sei in Zusammenhang mit, Fig. 1 das Erfindungsprinzip näher erläutert. Der in Fig. 1 dargestellte Einzel-Bit-Informationsspeicher 10, der auf dem Prinzip der älteren Patentanmeldung P 15 24 727.5 aufbaut, weist eine Speicherplatte 12 aus ferroelektrischem Material, wie z.B. Bariumtitanat, Rochellesalz, Bleimetaniobiat oder einer Bleititanatzirkonatverbindung, auf· Vorzugsweise ist die Speicherplatte 12 aus einer Bleititanatzirkonatverbindung hergestellt, da sich diese leicht polarisieren läßt, Die Steuerbzw. Triebplatte 14 besteht vorzugsweise aus einem ferroelektrischen Material, welches piezoelektrische Eigenschaften aufweist, wie der genannten Bleititanatzirkonatverbindung. Die Triebplatte kann jedoch auch aus einem anderen Material hergestellt werden, welches seine Abmessungen beim Anlegen eines elektrischen Signals ändert, wie z.B. einem magnetostriktiven Material, welches beim Anlegen an einen Strom seine physikalischen Abmessungen ändert. Die Triebplatte 14 ist permanent polarisiert; sie braucht nicht aus leicht polarisierbarem Material, wie z,B_f Bleititanatzirkonat, gefertigt zu werden.

Die Platten 12 und 14 sind in ihrem unbelasteten Zustand im wesentlichen flach ausgebildet; sie sind so orientiert, da£S sie im wesentlichen parallel übereinanderliegen. Die obere Fläche der

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Platte 12 ist mit einem überzug aus einer elektrisch, leitfähigen Schicht 16 versehen, während die Unterseite der Platte 14 einen Überzug einer elektrisch leitfähigen Scnicht Id trägt. Die Schichten 16 und 16 können aus irgendeinem geeigneten elektrisch leitfähi^en Material, wie Silber od.dgl. bestehen. Zwischen den einander zugewandten Flächen der Platten 12 und 14 befindet sich eine dritte Schicht 20 aus elektrisch leitfähigem Material. Die Schicht 20 kann aus einem leitfähigen Epoxy, wie Epoxysilberlot bestehen, so dak die einander zugewandten Flächen der Platten 12 ' und 14 sowonl elektrisch miteinander verbunden als auch mechanisch aneinander befestigt werden. Die Platte 14 kann daher bei ihrer Belastung die mechanischen Kräfte auf die Platte 12 übertragen, und zwar derart, daß die Platte 12 sowohl senkrecht zu ihrer Plattenebene als auch quer hierzu in Seitenrichtung beansprucht wird.

Die ütnehmer- bzw. QJriebplatte 14 kann dadurch permanent polarisiert werden, daß über ihre einander gegenüberliegenden ebenen ä Plattenflächen ein elektrisches Feld angelegt wird. Vfie Fig. 1 zeigt, ist die Schicht 13 an den Einzelpol eines Doppelkippschalters 3, od.dgl. elektrisch angeschlossen, mit dem die Schicht Io entweder an ein elektrisches Bezugspotential, wie die Erde, oder aber an eine Abfrage-Ausspeicherspannung einer Spannungsquelle 7. auie^bar ist.Entsprechend ist die Schicht 20 an den .' , Eiiizelpol eines Doppelkippschalters S₂ od.dgl. angeschlossen, über den die Schicht 20 entweder mit dem elektrischen Bezugs~

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potential, wie der Erde, oder aber mit einer Spannungsquelle B+ für die Polarisierung angeschlossen ist. Die Platte 14 kann dadurch polarisiert werden, daß die Schicht 20 an die B+-Spannungsquelle und die Schicht 18 an das Erdpotential angelegt wird. Hier-■ durch bildet sich über den einander gegenüberliegenden Plattenflächen ein elektrisches leid von einer solchen Größe aus, daß die Platte 14 polarisiert wird. Die Richtung des elektrischen ^ Feldes ist in Fig. 1 durch die Pfeile 22 angegeben. Anschließend können die Schalter S, und S₂ wieder in die in Fig. 1 gezeigte Sehaltsteilung für den späteren Ausspeichervorgang zurückgestellt werden.

Die binäre Information läßt sich in der Speicherplatte 12 dadurch speichern, daß zwischen den beiden einander gegenüberliegenden Plattenflächen ein elektrisches Feld entweder in der einen oder in der anderen Richtung erzeugt wird, so daß die Platte entweder die Binärzahl "1" oder die Binärzahl "O¹* speichert. Die Schicht w 16 ist an den Einzelpol eines Schalters S, angeschlossen, mit dem die Schicht 16 entweder mit einem Erdpotential oder mit dem Polarisationspotential einer B+-Spannungsquelle oder aber mit einem Ausgangskreis OUT verbunden werden kann. Wenn ein der Binärzahl' "1" entsprechendes Signal in der Speicherplatte 12 gespeichert werden soll, so werden die Schalter S₂ und S~ so eingestellt, daß das B+-Potential an der Schicht 16 und das Erdpotential an der Schicht 20 liegt. Bei der Stellung gemäß Fig. 1 speichert die

Speicherplatte 12 ein binäres "ü^M-Si_i:.U8l, da die Scnicht 20 an dem !+-Potential und die Schicht 16 an dem Erdpotential liegt.

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Bei der in Pig. 1 gezeigten Sehaltstellung der Schalter und S~ wird eine Abfrage-Eingangs spannung Yj__n an die Schicht 18 gelegt. Hat die angelegte Spannung Y. eine Polarität, die zu der Sichtung der Polarisation der Triebplatte entgegengesetzt ist, so wird die Größe dieser Abfragespannung erheblich unter der Polarisations-Schwellwertspannung gehalten, d.h. unter derjenigen Spannung, die erforderlich ist, um die Triebplatte 14 permanent zu polarisieren, damit der Abfrage- bzw. Ausspeichervorgang nicht informationslöschend wirkt. Das Anlegen des Aus- % speieher-Spannungsimpulses bewirkt, daß die Triebplatte in einer von ihrer Vorpolarisation sowie von der Polarität des angelegten Ausspeicher-Spannungsimpulses abhängigen Richtung sich entweder zusammenzieht oder ausdehnt. Die Richtung der Kontraktion bzw. der Expansion ist dabei sowohl senkrecht zu der Ebene der Platte 14 als auch quer hierzu in deren Seitenrichtung. Da die Platten 12 und 14 durch die Schicht 20 aus dem leitfähigen Epoxy miteinander verbunden sind, be.wirkt eine Änderung in den physikalischen Abmessungen der Platte 14 entsprechende Änderungen der physika- " lischen Abmessungen der Platte 12. Wenn die Speicherplatte auf diese Weise beansprucht wird, so liefert sie eine Spannung, die sich zwischen den Schichten 16 und 20 einstellt, wobei ihre Polarität an der Schicht 20 entweder positiv oder negativ ist, je nach dem Zustand der Vorpolarisierung der Speicherplatte sowie je nach der Wirkungsrichtung der mechanischen Beanspruchung. Bei der ÄusfUhrungsfarm gemäß Fig. 4 ist die Ausgangsspannung Vq ein negativer Impuls, der ein in der Platte 12 gespeichertes binäres "0^M-

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Signal repräsentiert.

■ Im folgenden wird nun das in den l'ig. 2 und 3 dargestellte Ausfiihrungsbeispiel des erfindungsgemäßen Informationsspeichers erläutert. Es handelt sich bei diesem Ausführungsbeispiel um eine monolithische keramische Reihe 30 mit einer Mehrzahl an Wortreihen bzw. Zeichengruppen, von denen jede eine Anzahl an Bits aufweist, die von einer Anzahl querverlaufender Bit-Zeilen ge-

W bildet wird. Es versteht sich, daß in Übereinstimmung mit dem Ausführungsbeispiel der Erfindung eine einzelne Wortreihe bzw. Zeichengruppe mit einer Anzahl an Bits oder aber eine Vorrichtung vorgesehen werden kann, welche eine Einzel-Bit-Speichervorrichtung darstellt. Wie Pig. 3 zeigt, weist die Seihe 30 eine Steuer- bzw. Triebplatte 32 und eine Speicherplatte 34 auf. Die Speicherplatte 34 besteht aus ferroelektrischem Material, wie Bariumtitanat, Rochellesalz, Bleimetaniobiat oder Bleititanatzirkonatverbindungen, um einige Stoffe als Ausführungsbeispiele zu nennen. Vorzugsweise

" ist die Platte 34 jedoch aus einer Bleititanatzirkonatverbindung gefertigt, da sich diese leicht polarisieren läßt. Die Triebplatte 32 kann aus irgendeinem Werkstoff bestehen, der unter der Wirkung eines elektrischen Signals seine Abmessungen ändert, z.B. aus magnetostriktivem Material, welches bei Stromdurchfluß den Dimensionsänderungen unterworfen wird. Vorzugsweise besteht die Triebplatte 32 aus ferroelektrischein Material mit piezo-

elektrischen Eigenschaften, wie der Bleititanatzirkonatlegierung. Im" Betrieb ist die Triebplatte 14 normalerweise dauerhaft polari-

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siert; sie braucht/daher nicht aus einem leicht polarisierbaren Werkstoff, wie der Bleititanatzirkonatverbindung gefertigt zu werden.

Die Platten 32 und 34 sind in ihr era unbelasteten Zustand angenähert flach und eben; sie sind parallel übereinander angeordnet, jjie Dicke der Platten 32 und 34 ist verhältnismäßig gering, um die erforderlicne Polarisierspaiinuiig möglichst gering zu halten. Die für die Polarisation erforderlicne Spannung beträgt dabei Λ z.B. 25 Volt Gleichstrom je 0,0254 nun Dicke bei Raumtemperatur. Es empfiehlt sich daher, die Dicke der Platten 32 und 34 möglichst klein, vorzugsweise in der Größenordnung von 0,05 mm oder darunter einzustellen.

Zusätzlich zu den Platten 32 und 34 weist die Speicherreihe 30 ein Paar Dämpfplatten 36 und 38 auf. Wie Pig. 3 zeigt, liegt die Dämpfplatte. 36 unterhalb der Platte 32, während die Dämpfplatte 38 oberhalb der Platte 34 an eordnet ist, wobei alle Platten im

wesentlichen parallel äbereinanderliegen. ',vie nachstehend noch näher erläuterx wird, dienen diese Dämpfplatten als akustischdispersive Mittel, welche Vibrationen der Speicherreihe absorbieren bzw. dämpfen, wenn die Ausspeichersi_:nv&l-Spannungsinipulse abertragen werden. Die- Dämpfplatten sollten erheblich dicker sein als die Platten 32 und 34, z.l··, etwa fünfzehnmal so dick wie diese Platten. Die Platten 3d und 33 kömiexx demgemäß eine Dicke'von ■.-.•"■ν- υ, <- -vT r.ie l.,5 mm aui.. -Bisen.

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Zwischen der Dämpfplatte 36 und der Triebplatte 32 ist eine größere Unzahl im Seitenabstand voneinander angeordneter und parallel verlaufender elektrisch leitfähiger Steuer-Leitstreifen 40 angeordnet. Diese aus elektrisch leitfähigem Material bestehenden Streifen weisen eine Schichtdicke auf, die im Verhältnis zur Streifenbreite sehr klein ist. Vorzugsweise hat jeder Streifen 40 eine Dicke in der Größenordnung von 0,00254 mm, wobei die Streifenbreite über die gesamte Längserstreckung etwa 1,02 mm beträgt. Die Breite der einzelnen Streifen ist daher um das Zehnfache größer als die Dicke der Triebplatte 32 bzw. der Speicherplatte 34. Der Seitenabstand zwischen den benachbarten parallelen Streifen beträgt etwa 0,254 mm; er ist so groß, daß ein Durchschlagen der elektrischen Isolation zwischen den benachbarten Streifen nicht möglich ist. Die Durchschlagsspannung zwischen den benachbarten Streifen liegt vorzugsweise in der Größenordnung von etwa 200 Volt.

In entsprechender Weise ist eine Anzahl im Seitenabstand angeordneter und parallel verlaufender elektrisch leitfähiger gemeinsamer Leitstreifen 42 zwischen der Triebplatte 32 und der Speicherplatte 34 angeordnet. Die Streifen 42 haben dieselben Eigenschaften" und Werte wie die oben erwähnten Streifen 40. Die Anordnung ist dabei so getroffen, daß jeweils ein Streifen 42 parallel über einem Streifen 40 liegt, wodurch eine Wortzeile bzw. eine Zeichenzeile zwischen diesen Teilen gebildet wird. Da zu beiden Seiten der Triebplatte 32 acht Streifen vorhanden sind,

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werden somit acht Wort- bzw. Zeichenzeilen gebildet.

Zwischen den Platten 34 und 33 ist eine Anzahl im Seitenabstand parallel angeordneter elektrisch leitfähiger Bit-Zeilenstreifen 44 angeordnet. Die Streifen 44 haben dieselben Eigenschaften wie die oben erwähnten Trieb-Zeilenstreifen 40. Die Bit-Zeilenstreifen 44 erstrecken sich jedoch'im wesentlichen senkrecht zu den Streifen 40 und 42, wie dies Fig. 3 erkennen läßt. Jeder Bit-Zeilenstreifen übergreift demgemäß einen bestimmten Abschnitt sämtlicher acht gemeinsamer Zeilenstreifen 42. Für die in Fig. 3 dargestellte Speicherreihe mit acht Bit-Zeilenstreifen und acht gemeinsamen Zeilenstreifen ergeben sich somit vierundsechzig ferroelektrische Speicherkondensatoren zwischen den übereinanderliegenden leitfähigen Teilen der Bit-Zeilenstreifen 44 und der gemeinsamen Zeilenstreifen 42. Diese bilden ferroelektrische Kondensatoren, die nachfolgend auch als Speicher-Bits bezeichnet werden.

Die Platten 32, 34, 36"und 38 können dadurch fest miteinander verbunden werden, daß die Streifen 40, 42'und 44 aus einem elektrisch leitfähigen Epoxy, wie Epoxysilberlot, hergestellt werden, so daß die Platten sowohl senkrecht zu ihren Plattenebenen als aucn in Seitenrichtung aneinandergehalten werden. Vorzugsweise werden die Platten jedoch durch Verschmelzen unter Wärme miteinander verbunden. Die Speicherreihe kann hierbei Inder Weise hergestellt werden, daß zunächst ein verhältnismäßig dünner Dämpfungsblock % aus akustiach-diepersivem Keramikmaterial

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in halbrohem Zustand, d.h. in einem Zustand, bei dem das mit einem Binder gemischte Keramikpulver noch nicht unter Sitzewirkung verschmolzen ist, gebildet wird. Vorzugsweise besteht das halbrohe Keramikmaterial aus einer pulverförmigen Bl eititanatzirkonatverbindung und einem geeigneten Binder, der beim Erhitzen oxydiert und fortbrennt, wie z.B. Paraffin. Die Streifen 40 werden dann dadurch hergestellt, daß Schichten aus pulver-

P förmigem leitfähigem Material, wie pulverförmigem Platinoxyd, z.B. durch Seidensiebung bzw. Seidenabschirmung auf die Oberfläche der Platte 36 aufgebracht werden, so daß die verschiedenen Schichten im Seitenabstand voneinander una parallel zueinander liegen. Anschließend wird eine weitere Schicht aus halbrohem Keramikmaterial, vorzugsweise Bleititanatzirkonatverbindung, auf die Oberseite der Streifen 40 aufgebracht, um die Triebplatte 32 zu bilden. Dann werden mehrere weitere Schichten aus pulverförmigem Platinoxyd auf die Oberfläche der Platte 32 auf-

W gebracht, welche die Streifen 42 bilden. Auf die Oberseite dieser letztgenannten Schicht wird nun eine weitere Schicht aus halbrohem Keramikmaterial, vorzugsweise Bleititanatzirkonatverbindung, gebracht, um die Speicherplatte 34 herzustellen. Auf die Oberfläche der Speicherplatte 34 werden zur Bildung der Streifen 44 dann weitere Schichten aus pulverförmigem leitfähi- ·. gern Material, vorzugsweise pulverförmigem Platinoxyd, aufgebracht. Schließlich wird zur Bilciung der Dämpf platte 38 eine weitere ver- _: ί hältnismäßlg dicke Schicht aus halbrohem Keramikmaterial aufge-

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bracht.'-Der geseilte öc^ichtKiörper wird dann bei einer Temperatur Yor± etwa 1310 bis 1390° C erhitzt, wobei das Material aufschmilzt, so dals jede Materials chi ent mit den benachbarten Schichten fest verbunden wird. 12s entsteht auf diese 'Weise ein monolithischer, einstöckiger keramischer Körper einer Speicherreihe, dessen Bin- ■ dung so beschaffen ist, daß jeder Wort- bzw. Zeichenteil der Triebplatte mechanische Kräfte auf den ihm zugeordneten Speicherplatten-Bit übertragen kann, wobei diese Kräfte sowohl senkrecht auf die Platte 34 als auch in deren Seitenrichtung wirken.

Das fertige blockförmige Ü-ebilde ist in Fig. 2 dargestellt. In der Oberfläche der Dämpfungsplatte 38 sind an den vier Ecken die Buchstaben A, B, Q und D vermerkt. Die Speicherreihe 30 ist sehr schmal, wobei ihre Abmessungen zwischen den benachbarten Ecken etwa 10,2 mm betragen. Da die Speicherreihe 30 acht Steuer-Zeilenstreifen 40, acht gemeinsame Zeileristreifen 42 und acht Bit-Zeilenstreifen 44' aufweist, müssen die elektrischen Anschlüsse der verschiedenen Streifen für die Speicherung der binären Information in den verschiedenen Bit-Zeilen genau vorgenommen werden, damit die Reihe abgefragt werden kann. Zu diesem Zweck springt die Dämpfungsplatte 36 an der rechten Seitenfläche AD der opeiciierreihe 30 etwas naati außen vor. Demgemäß erstrecken sich aie rechten iinden der Steuer-Zeilen 40 über die rechte Kante der Speicherplatte etwas hinaus, so daß Anschlüsse gebildet werden, an die die Steuer-Zeilen mit den elektrischen Drähten verlötet werden können. "Jüntfciprechena ragen die Dämpi'ungsplatte

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und die Triebplatte 32 zusammen mit den gemeinsamen Zeüenstreifen 42 aber die linke Seitenkante OB der Reihe 30 hinaus', 's ο daß auch hier Anschlüsse gebildet werden, an denen die gemeinsamen Zeilenstreifen 42 an elektrische Leiter angelötet werden können. Die ■ Dämpfungeplatte 36 und die Triebplatte 32 sowie die Speicherplatte 34 und die Bit-Zeilenstreifen 44 ragen über die Stirnkante AO der Heihe 30 hinaus, so daß auch hier Anschlüsse gebildet werden, an denen die Bit-Zeilenstreifen 44 mit den An-Schlußleitungen verlötet werden können.

Wie Fig. 2 zeigt, kann der Lese-Schreib-Schaltkreis bzw. der Einspeicher-Ausspeicherkreis gemäß Fig. 1 an die verschiedenen Bit-Zeilen, die gemeinsamen Zeilen sowie die Steuer-Zeilen angeschlossen werden. Der Schalter S-. wird dabei an einen Wort-Zeilenstreifen 40 angeschlossen, so daß er entweder mit dem Erdpotential oder mit einem Eingangs-Abfragepotential V. in Verbindung gebracht werden kann. Entsprechend wird der Schalter S₂- an einen ψ der gemeinsamen Zeilenstreifen 42 so angeschlossen, daß dieser entweder an das Erdbezugspotential oder an das B+-Polarisierpotential angelegt werden kann. Der Schalter S- ist mit einem der Bit-Zeilenstreifen 44 verbunden, so daß dieser entweder an das Erdpotential oder an das 3+~Polarisierpotential angelegt oder aber mit der Ausgangsklemme OUT verbunden werden kann. Zur besseren Übersicht ist in Fig. 2 jeder dieser Schalter nur jeweils einem Zeilenstreifen zugeordnet. Es versteht eich jedoch, daß entsprechende Schaltkreise mit jedem der verschiedenen Streifen'

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verbunden sind. Während die Schaltkreise hier als einfache Schalter dargestellt sind, können diese auch von anderer Ausbildung, z.B. mit einem statischen Element, einer Festkörperschaltung od.dgl. sein.

In Fig. 4 ist ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Speicherreihe 50 dargestellt. Obgleich das dargestellte Ausführungsbeispiel als eine Speicherreihe Mit einer Mehrzahl an Worten bzw. Zeichen sowie jeweils einer Mehrzahl zugeordne- ™ ter Bits dargestellt ist, kann diese Ausführungsform auch als ein Speicher für ein Einzelwort bzw. ein Einzelzeichen mit einer Mehrzahl diesem zugeordneter Bits oder als keramischer Einzel-Speicher-Bit hergerichtet werden* Diese in den Pig. 4» 4-A, 4B, 40 und 5 dargestellte erfindungsgemäße Ausführungsform entspricht weitgehend der in den Fig. 2 und 3 gezeigten Ausführungsform; demgemäß sind in allen diesen Figuren übereinstimmende Komponenten mit den gleichen Bezugsziffern versehen. Wie Fig. 5 erkennen läßt, weist

auch dieser Informationsspeicher eine Dämpfungsplatte 36, eine ^ Steuer- bzw. Triebplatte 32, eine Speicherplatte 34 und eine zweite Dämpfungsplatte 38 auf. In Übereinstimmung mit dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 sind auch hier acht Steuer-Zeilenstreifen 40 zwischen den einander zugewandten Flächen der Platten 32 und 36 und acht gemeinsame Zeilenstreifen 42 parallel über den Streifen 40 zwischen den Platten 32 und 34 vorgesehen. Schließlich sind auch in diesem Fäll acht Bit-Zeilenstreifen 44 zwischen den Flächen, der

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Platten 34 und 38 angeordnet, die sich quer ssu den Streifen 40 und 42 erstrecken.

Bei dieser Ausführungsform ist die Anordnung jedoch so getroffen, daß die Kondensatorkopplung zwischen den Steuer-Zeilenstreifen und den Bit-Zeilenstreifen auf ein Mindestmaß herabgesetzt wird. Zu diesem Zweck sind eine Isolations- bzw. Entkopplungsplatte 52 und ein Entkopplungsblech 54 aus elektrisch leitfähigem Material, wie z.B. Platin, vorgesehen. Wie Fig. 5 zeigt, liegt die Platte 52 parallel zwischen den Platten 32 und 34. Die Dicke der Platte 52 entspricht im wesentlichen der Dicke der Platte 32 bzw. 34.

Die Platte 52 kann aus einem piezoelektrischen Material herge-

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stellt werden; vorzugsweise besteht sie jedoch aus demselben ferroelektrischen Material wie die Platten 32 und 34. Das Entkopplungsblech 54 hat die Form eines dünnen Plattqhens bzw. einer dünnen Schicht aus elektrisch leitfähigem Material, vorzugsweise Platin. Das Blech 54 liegt zwischen der oberen Fläche der Platte 32 und der unteren Fläjche der Platte 52. Auch b^i diesfr Miführungsform der Erfindung sind die gemeinsamen Zeilenstreifen 42 zwischen den einander zugewandten Flächen der Platten 34 und 52 angeordnet.

Die Informationsreihe 50 wird in derselben Weise hergestellt, wie dies in Zusammenhang mit der Informationsreihe 30 im einzelnen beschrieben wurde. Dabei wird beim Aufbau des Speicherkörpers zusätzlich einej weitere Schicht aus pulverförmigem Platinoxyd auf die Oberseite der Triebplatte 32 aufgebracht, um das Ent- \

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kopplungsblech 54 zu bilden. Auf die Oberseite dieses Entkopplungsbleches 54 wird dann eine weitere Schicht aus halbroheci Kerainikiüäterial, vorzugsweise Bleititanatzirkonatverbindung aufgebrecht, um die Entkopplungsplatte 52 herzustellen. Auf die Gberseite der Sntkopplungsplatte 52 wird anschließend das elektrisch leitfähige Material, vorzugsweise pulverförmige Platinoxyd, gebracht, aus welchem die gemeinsamen Zeilenstreifen 42 hergestellt werden. Das gesamte Schichtgefiige wird dann auf eine m Temperatur vou angenähert 1310 bis 1390° 0 erhitzt, was ausreicht, UCi. das Material so weit aufzuscmnelzen, daß die einzelnen Schichten sich fest miteinander verbinden, wie dies oben im einzelnen erörtert wurde.

«ie jc'i£. 4 zeigt, sind bei dieser Ausführungai'orm die Kantenilachen iiu G-egensatz" zu der in Pig. 2 dargestellten Anordnung so ausgebildet, daß sie bündig und fluchtend miteinander abschließen. Die verschiedenen Bit-Zeilenstreifen 44 erstrecken sich bis an die Kantenfläche zwischen den Ecken AD. Diese Kanten- " fläche Kann als Bit-Fläche 56 bezeichnet werden. Damit die Bit-Zeilenstreifen für das Verlöten der Anschlußleitungen leicht zugänglich sind, ist ein verlötbares elektrisch leitfähiges Kontaktkissen 48 an jedem Streifen 44 an der Bit-Fläche 56 befestigt. Entsprechend erstrecken sich die Steuer-Zeilenstreifen 40 bis · zu der zwischen den Ecken A-O liegenden liantenfläche des Speichers 50. Diese Kantenfläche kann als Steuerfläche 60 bezeichnet werden. Zur Herstellung der ifleinmanschlüsse ist eine Anzahl verlötbarer,

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elektrischer Kontaktkissen 62 an der Steuerfläche 60 befestigt, wobei Jeweils ein Kontaktkiseen 62 mit einem der Steuer-Zeilenstreifen 40 elektrisoh verbunden ist.

Bei der AuefUhrungsform gemäß Fig. 4B erstrecken sich die gemeinsamen Zeilenstreifen 42 bis zu der zwisohen den Eckpunkten Β-Ώ verlaufenden Kantenfläche des Speicherkörpers 50. Diese Kantenfläche kann ale Knotenpunktfläche 64 bezeichnet werden. Wie Fig. 4B zeigt, erstreckt sich das Entkopplungeblech 54 zu der zwischen den Ecken B-G liegenden Kantenfläche des Speicherkörpers 50. Diese Kantenfläche kann ale Entkopplungsfläche 66 bezeichnet werden. Eine Anzahl verlötbarer elektrischer Kontaktkissen 68 ist an der Knotenpunktfläche 64 so verbunden, daß die einzelnen Kissen 68 Jeweils in elektrischen Kontakt mit einem der gemeinsamen Zeilenstreifen 42 stehen. Außerdem ist ein einziges außen verlötbares elektrisches Kontaktkiseen 70 an der Entkopplungefläche 66 befestigt, so daß ee in elektrischem Kontakt mit dem Entkopplungeblech 54 βtent. Obgleich in den Pig. 4 bis 40 nicht eigens dargestellt, versteht es sich, daß die verschiedenen Anechlußleitungen an den Schaltkreis, wie z.B. die Schalter S₁, S₂ und S, gemäß Fig. 2 angeschlossen werden, um die binäre Information der Speicherreihe zuzuführen und um diese abzufragen. Hierbei wird die Entkopplungsfläche 66 normalerweise an dieselbe Bezugspotentialquelle, wie das Erdpotential, angeschlossen wie die gemeinsamen Zeilen- bzw. Leitetreifen 42.

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Ih den Fig. b bis 11 ist ein drittes Ausf iihrungsbeispiel der Erfindung in Form eines zweifach gesteuerten bzw. getriebenen keramischen Informationsspeichers dargestellt. Die Pig. 6 und 7 zeigen eine zweifach gesteuerte, aus einem monolithischen Block bestehende keramische Speicherreihe 72. Obwohl hier die Speicherreihe 72 mehrere Wort- bzw. Zeichenzeilen aufweist, von denen jede mehrere Bits hat, kann diese Ausführungsform auch als Einzel-Wortzeile mit mehreren Bits oder wie in den Pig. 8 und 9 darge- ' m stellt, als keramische Speichervorrichtung mit Einzel-Bits hergestellt werden. Die Reihe 72 entspricht weitgehend der in den Pig. 4 und 5 dargestellten Öpeicherreihe 50; übereinstimmende Komponenten sind daher mit denselben Bezugsziffern versehen.

Wie Fig. 7 zeigt, weist die Speicherreihe 72 in Übereinstimmung mit der Speicherreihe 50 gemäß Pig. 4 eine untere und eine obere Däinpfungsplatte 36 bzw. 38, eine Triebplatte 32, eine Speicher-

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platte 34 und eine Isolations- bzw. )Sntkopplungsplatte 52 auf.

Außerdem ist die Reihe 72 mit einer Anzahl an Steuer-Zeilenstreifen 40 versehen, die zwischen den einander zugewandten Flächen der Platten 32 und 36 liegen, ferner mit einem Entkopplungebleoh 54 zwischen den Platten 32 und 52, einer Anzahl gemeinsamer Zeilenstreifen 42 zwischen den Platten 34 und 52 sowie schließlich einer Anzahl an Bit-Zeilenstreifen 44 zwiaohen den Platten 34 und 38.

Bei diesem'Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung ist in der Speicherreihe 72 jedoch eine zweite Speicherplatte 34', eine zweite Bnt-

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kopplungsplatte 52' und eine zweite Triebplatte 32 · zwischen den Platten 24 und 38 angeordnet. Die Platte 34? liegt parallel über der Platte 34, so daß die Unterseite der Platte 34' der Oberseite ier Platte 34 zugewandt ist. Die Bit-Zeilenetreifen 44 liegen zwischen den einander zugewandten Flächen der Platten 34 und 34'·

Die Entkopplungsplatte t>2 · ist zwischen den Platten 32· und 34', zu diesen parallel, angeordnet. Eine zweite Gruppe gemeinsamer Zeilenstreifen 42* befindet eich zwischen den einander zugewandten Flächen der Platten 34' und 52·. Die Streifen. 42' Bind so ausgerichtet, daß sie im wesentlichen parallel Über den Zeilenetreifen 42 zwischen den Platten 34 und 52 liegen. Bin zweites Isolierblech 54* liegt zwischen den Platten 52· und 32*. Schließlich ist hier eine zweite Gruppe an Steuer-Zeilenstreifen 40· zwischen den Platten 32* und 38 angeordnet. Die Streifen 40¹ sind βο orientiert, daß sie im wesentlichen parallel in Überdeckung zu den Streifen 42' liegen. Die Herstellungsmethode der Speioherreihe 72 entspricht derjenigen der oben beschriebenen Speioherreiiien 30 und 50, wobei in dem Schichtkörper zusätzlich noch die Platten 34% 52» und 32' sowie die Streifen 42· und 40' und das dünn· Blech 54' aufgebaut werden.

Durch Hitzesohmelzung erhält man einen blockförmigem Informationsspeicher 72 der in Fig. 6 dargestellten Art. pie Speicherreihe 72 weist in Übereinstimmung mit der Speicherreihe 50 bundig abschließende und miteinander fluohtende Kantenfläohen auf, die

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zwischen den Ecken A-D eine Bit-Fläche 56, zwischen den Ecken A-C eine Steuerfläche 60, zwischen den Ecken B-D eine Knotenpumctfläche 64 und zwischen den Ecken B-C eine Entkopplungsi'läche 66 bilden. Wie in Zusammenhang mit der Speicherreihe 50 besenrieben, erstrecken sich die Streifen 40 und 40¹ bis zu der Kantenfläche 60, wobei die Steuer-Zeilenstreifen 40 und 40' mittels verlötbarer elektrischer'Kontaktkissen 62 elektrisch miteinander verbunden sind. Entsprechend erstrecken sich die Bit-Zeilenstreifen 44 bis zur Fläche 56, an der ein Kontaktkisaen ™ 53 an jedem einzelnen Streifen 44 befestigt ist. Wie Fig. 6B zeigt, reichen die gemeinsamen Zeilenstreifen 42 und 42' bis an die Knotenpunktfläche 64. Die Streifen 42 und 42' sind hier gemäß Fig. 60 mittels verlötbarer elektrischer Kontaktkissen 68 elektrisch miteinander verbunden. Aus Fig. 6B ist zu ersehen, daß die Entkopplungsbleche 54 und 54' bis zur Fläche 66 reichen. Diese Bleche sind gemäß Fig. 60 mittels einee verlötbaren elektrischen Kontaktkissens 70 elektrisch untereinander verbunden.

Ein auf dem Prinzip der Fig. 6 und 7 beruhender zweifach getriebener keramischer Informationsspeicher 80 in Einzel-Bit-Ausfuhrung ist in Fig. 8 dargestellt. Zur Vereinfachung sind hier keine Dämpfungsplatten vorgesehen. Der Informationsspeicher 80 kann in der in Zusammenhang mit dem Speicher 72 beschriebenen Weise aus den Platten 32, 52, 34, 34', 52' und 32· hergestellt werden. Die Trieb- bzw. Steuerleitungen 40 und 40' sind hier an den einander abgewandten Flächen der Triebplatten 32 und 32' befestigt.·,

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Zwischen den Platten 32 und 52 liegt eine Entkopplungenchicht 54, zwischen den Platten 52 und 34 eine gemeinsame Leitschicht 42, zwischen den Platten 34 und 34' eine Bit-Leltßchicht 44, zwischen den Platten 34' und 52' eine gemeinsame leitschicht 42' und zwischen den Platten 52' und 32' eine Entkopplungsschicht 54'. Die Steuerleitschichten 40 und 40' sowie die Entkopplungeβchichten 54 und 54' und die gemeineamen Leitschichten 42 und 42' sind jeweils untereinander elektrisch verbunden.

In Fig. 9 ißt ein weiteres Ausfuhrungsbeispiel eines zweifach getriebenen Einzel-Bit-Informationsspeichers 90 dargestellt, der mit dem Informationsspeicher 80 gemäß Fig. 8 bis auf das Merkmal übereinstimmt, daß hier die Entkopplungsplatten 52 und 52' zusammen mit den Entkopplungsschichten 54 und 54' fehlen. Der Speicher umfaßt somit die Platten 32, 34, 34* und 32' zusammen mit den Schichten 40, 42, 44, 42' und 40'. Wie bei dem Informationsspeicher 72 sind die gemeinsamen Schichten 42 und 42' sowie die Steuerschichten 40 und 40' jeweils elektrisch untereinander verbunden. Die untereinander verbundenen Steuerschichten 40 und 40' sind an den Schalter S-, elektrisch angeschlossen, mit dem die Schichten entweder an das Erdpotential oder an eine nicht polarisierende Quelle der Ausspeicherspannung V^ anlegbar sind. Entsprechend sind die zusammengeschalteten gemeinsamen Schichten 42 und 42' an den behälter Sp elektrisch angeschlossen, mit dem diese Schichten entweder mit dem Erdpotential oder mit der Polarisierungs-E+-Spannungsquelle zu verbinden sind. Die Bit-Schicht

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ist elektrisch mit dem Schalter S„ verbunden, mit dem die Bit-Schicht entweder mit dein Brdpotential oder mit der Polarisierungs-B+-8pannung oder mit dem Ausgangskreis OUT verbunden werden kann.

Die Triebplatten 32 und 32' können entsprechend der Richtung der Pfeile 22 mittels eines elektrischen Feldes polarisiert werden, indem der Schalter S-. so betätigt wird, daß die Schichten 40 und 40' mit dem Erdpotential und über den Schalter Sp die Schichten

42 und 42· mit der 3+-Versorungsspannung verbunden werden. Die ^ Binäriiiformation läßt sich durch einmalige Polarisierung der Platten 32 und 32' in den Speicherplatten 34 und 34' speichern. Ein binäres ^w0"-Signal läßt sich dadurch in den Speicherplatten 34 und 34' speichern, daß an jede dieser Platten ein elektrisches Feld angelegt wird, wie dies durch die Pfeile 22 in Fig. 9 angedeutet ist. Dies wird dadurch erreicht, daß der Schalter S_? die B+-Spannung an die Schichten 42 und 42· anlegt, während der Schalter 3„ die Schicht 44 mit dem Erdpotential verbindet. Anschließend werden die Schalter S, , S« und. S, wieder in die in Fig. 9 gezeigte Schaltstellung für die Abfrage einer Ausspeicherspannung V. gebracht. Beim Anlegen der Auaspeicherspannung 7. werden die Triebplatten 32 und 32' mechanisch beansprucht, so daß diese mecnanische Kräfte senkrecht auf die Speicherplatten 34 und 34' sowie in deren Seitenrichtung übertragen. Hierbei erhält man zwischen den elektrisch miteinander verbundenen Schichten 42 und 42' und der Schicht 44 eine Ausgangsepannung

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V , mit negativer Polarität. Dieses Signal repräsentiert des in den Speicherplatten gespeicherte binäre "C-Si^nal.

Der zweiiVcl getriebene Einzel-Bit-Informationsspeicher 90 hat die Aufgabe, die mechanische Kupplungswirkung zu verdoppeln und zugleich die Kapazität eines jeden Bits zu erhöhen und hierdurch den Eingangsscheinwiderstand des Eits zur Erzielung einer grö£eren Ausgangespannung herabzusetzen.

In Fig. 10 ist schematisch ein äquivalenter Kreis flir einen Einzel-Bit-Speicher der in Fig. 1 dargestellten Art gezeigt. Der Kondensator O₁ repräsentiert die Kapazität des in Fig. 1 dargestellten Einzel-Bit-Informationsspeichers. Die Spannung

V entspricht dem Reihenspannungserzeuger deir tsinzeihöh Speicherzelle. In Fig. .11 ist ein äquivalenter SchäitkrMÖ für eiüeh doppelt getriebenen Einzel-Bit-Speicher 9Ö äörgSi£öi.ii§ bei dem die Kondensatoren G-, und Gp diö Kapazität dir keräaiicHfeii Speicherplatten 54 und 34* repräsentieren. Die KbHäiööäiÖiiil Q± tüid Gg Bind pärallelgeßchaltetj so däß die Qea&Äik&ipMiiäi Ö böirägi:

0 - G₁ + G₂

Die gespeicherte Energie ist demnach:

W * G \

wobei: W die gespeicherte Energie in Watt G die Kapazität, in Farad und

V die Spannung in Volt ist.

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In Pi_ü. 12 ist ein viertes Ausfiihrungsbeispiel der Erfindung in Form eines blockföruiigen, einstückigen keramisaaen Informationsspeichers 100 mit Doppel-Bit-Zeile und gemeinsamem Steuersystem dargestellt. Wie ersichtlich, ist die Speicherreihe 100 ein Einzel-Wort-, Vielfach-Bit-, Doppel-Bit-Zeilenspeicher. Es versteht sich, daß diese Ausfuhrungsform auch in anderer V/eise ausgebildet werden kann, z.B. als Vielfach-Wort-, /ielfacri-Bit-Zeilenspeicher oder, wie dies in Pig. 14 dargestellt ist, als Einzel-Bit-, ^

Doppel-Bit-Zeilen-lnformationsspeicuer.

Die Speicherreihe 100 -entspricht weitgehend dem Speicher 72 gemäß den Fig. 6 und 7, wobei übereinstimmende Komponenten mit den gleichen Bezugsziffern versehen sind. Der Speicher 100 weist somit eine untere und eine obere Dämpfungsplatte 36 bzw. 38, ein Paar Triebplatten 32 und 32' sowie ein Paar Isolations · bzw. jsiitKopplungsplatten 52 und 52' auf. Bei diesem Ausführungsbeispiel ibt jedoch zwischen die Entkopplungsplatten 52 und 52' eine einzige Speicherplatte 34" gelegt. Vorzugsweise weist diese Speicher- f platte 34^H eine Dicke a.uf, die etwa doppelt so groß ist wie die Dicke uer Speicherplatte 34 bzw. 34' der Fig. 7. Zwischen den KUtten 32 und 36 ißt ein einziger Steuer-Leitstreifen 40 angeordnet, der von einem Steuer-Leitstreifen 40' parallel überdeckt 'wird, welcher zwischen den blatten 32* und 3ö liegt. Ein Entkopplungsblech 54 befindet sich zwischen den Platten 32 und 52, während ein zweites Entkopplungsblech 54' zwischen den Platten 32' und 52' liegt. Zwischen den Platten 52 und 34" ist eine An-

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zahl an Bit-Seilenstreifen 44 angeordnet, die im seitlichen Abstand νoneinanderliegen und quer zu den Streifen 40 und 54 verlaufen. Eine zweite Gruppe an Bit-Zeilenetreifen 44' liegt zwischen den Platten 52' und 54". Die Streifen 44' liegen parallel aber den Streifen 44.

Nach der vorstehend beschriebenen Hitzeverschiuelzung weist der Speicherblock 100 vier miteinander fluchtende Kantenflächen auf, wie dies bei dem Speicher 72 der Fall ist. Die Kantenflächen umfassen eine Entkopplungsflache 66 und eine Steuerfläche 60. Ein elektrisches verlötbs.res Kontaktkissen 70 ist an der Entkopplungsflaehe 66 befestigt, so daß es in elektrischem Kontakt mit der einen Kante der Entkopplungsfläche 54 und 54' stent,^Entsprechend ist an der Steuerfläche 60 ein einziges elektrisch ,vjfrlötberes Kont^ktkissen 62 für die elektrische Verbindung,der .3teuerstreifen 40 und 40' befestigt. Die Eit-Zeilenstreifen 44 erstrecken sich bis zu der Bit-Fläche 56. An dieser Fläche ist eine Anzahl elektrisch leitfähiger, verlötbarer Kontaktkiseen 58 so befestig!, daß für jeden einzelnen Bit-Zeilenstreifen 44 eine elektrische . AnschlußKleinme gebildet wird. Entsprechend erstrecken sich die ■ Bit-Zeilenstreifen 44* zu der gegenüberliegenden Kantenfläche 56¹, an der ebenfalls eine Anzahl elektrisch leitender Kontaktkissen 58· befestigt ist, welche die elektrischen Klennuanschlüsse für die Enden der einzelnen Bit-Zeilenstreifen 44* bilden. .

In Fig. 14 ist der Einzel-Bit-, Doppel-Bit-Zeilen-Informationsspeicher 110 dargestellt, der gemäß dem Informationsspeicher 100

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hergestellt wurde. Zur Vereinfachung sind bei dem Speicher 110 die Dämpfungsplatten 36 und 3d fortgelassen. Der Speicher umfaßt somit die Triebplatten 32 und 32¹, Entkopplungsplatten 52 und 5^^f und e-ina einzige Speicherplatte 34*. Die Steuer-Zeiienstreifen 40 und 40' sind an den einander abgewandten Flächen der Platten 32 und 32* befestigt. Die Sntkopplungsschichten 54 und 54* liegen zwischen den platten 32 und 52 bzw. 32' und 52¹. Die Mt-Zeilen-. schicht 44' befindet sich zwischen den Platten 34" und 52', während die zweite Bit-Zeilensouicht 44 zwischen den Platten 34" und 52 ™ liegt. Die Schichten 40 und 40' sind untereinander sowie mit eine·" Scheiter S, elektrisch verbunden, mit dem diese Schichten entweder an eine Bezugspotentialquelle, wie das ürdpoter.tial, oder an eine Abfrage-Versorgungsquelle V. anlegbar sind. Die Schichten 54 und 54' sind untereinander sowie mit einer 0,50+- 3peisespannungsq_uelle verbunden. Die Scnicht 44 ist an einen oCi,alter 3. angeschlossen, uuer aen diese Sc.iicht entweder an aas 3.cdpotential oder an eine Polarisierungs-G·+— öpeisespannungs-

quelle oder an einen Ausgang skr eis 0-1 angelegt werden icann. 3ut- -.^:-.ii ^Ji ο jxt cj bc: i ei .λ, ΐ\ί'.^χ iidt eine ι JcL:...lter S₆ verbunden, Uiit dem diese Schicht entweder an das Brdpotential oder an die poiarisierungs-3+-3PaIiIiUn^rOv₁UeIIe bzw. an die Ausgangsleitung 0-2 'v.ijschlieiibar ist. Die Spannun.jsouelle O+ xst so ausgelegt, daß sie die vernMltniiifcßig dicke 3peicx:erplatte 34" zu polarisieren verra-jg, Ith. axe PIr-1ten 32, 52, 32' αηα 52' jeweils nur etwa hr-lb so dick sind wie aie Platte 34", Kann die erforderliche Polnrxsierurigs-

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epannung in der Größenordnung von 0,5Ci+ liegen.

Die Triebplatten 32 und 32* lassen sich, dadurch permanent.polari-

sieren, daß der Schalter S, an aas Srdpotential angelegt wird, wodurch sich an den Platten 32 und 32' ein elektrisches Feld in Richtung der Pfeile 22 aufbaut. Wenn ein binäres "1"-Signal in der Platte 34" gespeichert werden soll, so wird der Schalter S,-so geschaltet, daß die Schicht 44' an die G+'-Speisespannung angelegt wird; zugleich wird über den Schalter S₁- die Schicht 44 mit dem Brdpotential verbunden. Me Platte 34" wird hierdurch von dem in Pfeilrichtung gemäß Pig. 14 gerichteten Feld polarisiert. Gleichzeitig werden die Platten 52 und 52* in der in Jig.. 14 angegebenen Pfeilrichtung polarisiert. ¥erden die Schalter in die in Pig. 14 gezeigte Stellung zurückgeschaltet, so kann eine Abfrage-Ausspeicherspannung.V. an die Schichten 40 und 40' angelegt werden. Die. Triebplatten 32 und 32^f übertragen dabei die mechanische Kraft über die Isolations- bzw. Sntkopplungsplatten 52 und 52* auf die Speicherplatte'34", wobei sich zwischen den Ausgangsleitungen ö-l und 0-2 eine Ausgangsspannung Y_Q. mit positiver Polarität an der leitung 0-2 einstellt. Das entgegengesetzte Ergebnis wird erreicht, wenn die Platte 34" in entgegengesetzter Richtung polarisiert worden ist.

Es versteht sich, daß die Erfindung auf die in der Zeichnung dargestellten und Vorstehend besciiriebenen bevorzugten Ausfi.üirvu:gsbeispiele nicht bescrirünkt ist, sondern daß Änderungen vorgenommen werden können, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.

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Claims (1)

1. P a tent a η s ρ r ü c h e

   1. Keramischer Informationsspeicher mit einer Speicherplatte. aus ferroelektrischem Material, die jeweils in einen von zwei stabilen Polarisationszuständen versetzbar ist und die Kit einer Steuer- bzw. Triebplatte aus piezoelektrischem ksterial verbunden ist, so daß diese beim Anlegen einer Spannung mecnanische Kräfte auf die Speicherplatte sowohl senkrecht auf diese als auch quer hierzu überträgt,'wodurch der von der Speicherplatte zusammen mit den auf ihr beidseitig aufgebrachten elektrisch leitenden Schichten gebildete ferroelektrische Kondensator bei der Abfrage eine Ausgangsspannung zwischen den beiden elektrisch leitenden Schichten liefert, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherplatte (34), die auf ihren beiden gegenüberliegenden Flächen zumindest teilweise mittels einer festhaftenden Schicht (42, 44) aus elektrisch leitendem Material abgedeckt ist, an der einen dieser beiden elektrisch leitenden Schichten mit der einen Fly ehe einer Entkopplungsplatte (52) aus piezoelektrischem ii^;ite.ri'il, zumindest mit einem Teil dieser Fläche, verbunden ist, wüirend zwischen der gegenüberliegenden Fläche dieser Bnticopplun^spl'-.tte (52) und der einen Fläche der Triebplatte (32) eine dritte Schicht (p4) aus elektrisch leitendem Material liegt und an der anderen Fläche der Triebplatte eine vierte Schicht (40) aus-elektrisch leitendem Material befestigt is.t,

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   wobei die genannten Platten (32, 34, 52) so miteinander verbunden sind, daß beim Anlegen einer Spannung zwischen der dritten und vierten Schicht aus elektrisch leitendem Material die Triebplatte (32) die mechanischen Kräfte über aie Isolier-• platte (52) auf die Speicherplatte (34) überträgt.

   2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er mit Schaltmitteln (S-, bis S^ versehen ist, mit denen wahlweise

   ™ ein polarisierendes elektrisches Feld zwischen die an der Speiciierplatte (34) befestigten elektrisch leitenden Schichten (42,. 44) anlegbar ist, welches entweder in der Richtung von der ersten Schicht zu der zweiten Schicht oder,' umgekehrt, von der zweiten Schicht zu der ersten Schicht gerichtet ist und welches eine solche Größe hat, daß es zur Speicherung einer binären Information den Speicherplatten-Kondensator in der jeweiligen Richtung zu polarisieren geeignet ist, und daß eine G-leichstrom-Abfragespannung zwischen die dritte ¹OHd

   * die vierte Schicht zur Übertragung der mechanischen Kräfte von der Triebplatte (32) über die Entkopplungspl&tte (52) auf den Speienerkondensator, der Speicherplatte (34) anle£ba.r· ist, wodurch sich eine ü-leicnspannung über die. erste und zweite Schicht mit einer Polarität einstellt, die in "Übereinstimmung mit der Polarität der gespeicherten binären Information ist.

   3. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er eine zweite Entkopplungsplatte (52¹) und eine zweite Triebpiatte

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   (32 V) aufweist, wobei die zweite Entkopplungsplatte (52') zwiachen der zweiten Triebplatte (32^f} und der Speicherplatte (34) liegt, wobei zwischen der Speicherplatte (34) und der einen fläche der zweiten Triebplatte (32') eine fünfte Schicht (4-2) aus elektrisch leitendem ixiaterial liegt und an der anderen fläche der zweiten Triebplatte (32') eine sechste Schicht (54¹) aus elektrisch leitendem. Blaterial befestigt ist.

   '■o

   4. Speicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß einer- ' (| seits die vierte und sechste Schicht aus elektrisch leitendem Material und andererseits die dritte und fünfte Schicht aus deia elektrisch leitenden Material elektrisch miteinander verbunden sind.

   5. Speicher nacn Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß jede der '-(enannteix Platten aus ferroelektrischem Material besteht, aafe axe b^iasii ¹JrIe^iIrtten (32 ui.c 32') und die beiden Entkopplungsplatten (52,. 52') sämtlich im wesentlichen dieselbe Dicke ;--u±'weisen und daß die Speicherplatte (34") etwa zweimal so dicrc ist wie jede der anderen Platten,

   6. Speicher xxacn einem der Anspräche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß er eine zweite Speicherplatte (34') aufweist, die zwischen der einen Fläche der ersten Speicherplatte (34) und der zweiten Entkoppluugsple.tte (52^f) liegt, v/obei die fünfte oCiiicnt (42') aus elektrisch leitende^ riaterial zwischen den e in ana .er zugewandten flächen aer zweiten Sjjeicnerplatte

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   (34¹) und der zweiten üintkopplimgsplatte (52') liegt, während die sechste Schicht (4C¹V) aus elektrisch leitende^ kvterial zwischen der zweiten ^citüopplungspl&tte (52*) und der einen Fläche der zweiten Triebplatte (32¹) liegt, wobei eine sieote Schicht aus elektrisch leitendem Material mit der anderen Fläche der zweiten Triebplatte (32*) verbunden ist.

   7. Speicher nach .Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils die zweite und die fünfte Schicht (42, 42'), uie dritte und die sechste Schicht (54, 54') und die vierte und die siebte Schicht (40, 40') aus elektrisch leitendem Material untereinander elektrisch verbunden sind.

   8. Keramischer Speicher, insbesondere nach einem der vorhergehenden oder der nachfolgenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er zwei Speicherplatten (34, 34') uno. zwei Triebplatten (32, 32') aufweist, daß die beiden Speicherplatten durch eine erste Schicht (44) aus elektrisch leitfähigem Material verbunden und an aen Triebplatten eine zweite bzw. eine dritte Schient (54, 54') aus elektrisch: leitfih.i^em Material befestigt ist, daß ferner zwischen der einen Triebplatte und der einen Speicherplatte eine vierte Schicht (42) aus elektrisch leitfähigen: Material und zwischen der anderen Triebplatte und der anderen Speicherplatte eine fünfte Schicht (42'-) aus elektrisch leitendem Material angeordnet ist, wobei die zweite und dritte sowie die vierte und fünfte Schient je-

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   weils elektrisch.untereinander derart verbunden sind, daß beira Anlegen einer Spannung zwischen die verbundenen zweiten una dritten sowie aie vierten und fünften Schichten die Triebplatten (52, 32^! ) die iuecLanisehen Kräfte zur Erzeugung einer Spannung zwischen der ersten leitenden Schicht und den lnitein— · ander verbundenen vierten■und fünften Schichten auf die Spei~ oLe !-platten übertragen werden.

   9. Keramische öpeienerreihe, insbesondere nach einem oder mehreren der vorhergehenden oaer nachfolgenden Patentansprüche_f da-^ ■ ■durch gekennzeichnet, άε.£ zwischen der einen Seite der Speicherplatte (34, 34') und der anderen Seite der Triebplatte (32, 32·) eine Gruppe seitlich iiZ Abstand nebeneinander angeordneter und .χ..* wesentlicher- parallel verlsufender elektrischer gemeinsamer Leitstreifen (42) angeordnet ist und iait aer anderen Seite der Triebplatte eine Sruppe elektrisch leitender Steuer-Leitstreifen {A-Kj) verbunden ist, aie jeweils so gegenüber den einzelnen Leitstreifen der ersten Gruppe orientiert sind, aaß sie zur iilauiig eines ¥orts=ile^teils einander im wesentlichen überaecüeii, und dais an der anderen Seite der Speicherplatte (34) eine (fruppe seitlich nebeneinander im. wesentlichen parallel verlaufender elektrisch leitender üit-Leitstreifen (44) befestigt ist, die sich euer zu aen ¥ortzeileiiteilen erstrecken ; una demgexäK eine ti-rupp^ seitlich im Abstand angeordneter, jeweils eine..://fortzeileixteil zugeordneter Speicherplatten-Bits ■ bilden, derart, da£ bei^i Anlegen einer Spannung zwischen die

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   Steuer-Leitstreifen und die gemeinsamen Leitstreifen eines Wortzeilenteils diese die mechanischen Kräfte zur Abfrage der Speicherplatten-Bits und zur Erzeugung einer Ausgangsspannung derselben auf die Speicherplatte übertragen.

   10. Speicher nach Anspruch 9_f dadurch gekennzeichnet, daß die Triebplatte (32) aus ferroelektrischem Material besteht, das in einen von zwei stabilen Polarisationszuständen versetzbar ist. _/

   11. Speicher nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Triebplatte (32) und die Speicherplatte (34) im unbeanspruchten Zustand im wesentlichen flach sind und im wesentlichen parallele, ebene Flächen aufweisen.

   12. Speicher nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die genannten elektrisch leitenden Leitstreifen (40, 42, 44) wesentlich breiter und flacher als- dick sind«

   13. Speicher nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der elektrischen Leitstreifen eine Breite hat, die größer ist als die Dicke der genannten Platten (32, 34).

   14. Speicher nach einem der Ansprüche y bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Seitenabstand zwischen den benachbarten Leitstreifen (40, 42, 44) so groß ist, daß eine verhältnis-

   ■ mäßig hohe elektrische Isölations-Durchschlagsspannung vorhanden ist.

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   15* Speicher nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet-, daß der Seitenabs tarid zwischen den benachbarten Leitstreifen (4ü, 42, 44) kleiner ist als die Breite eines einzelnen Streifens und größer ist als die Dicke der einzelnen. Platten (32, 34).

   16. Speicher nach einem der Ansprüche 9 bis'. 15, dadurch gekennzeichnet, dais zur Verminderung der Kondensatorkopplung zwischen den Steuer-Leitstreifen und den gemeinsamen Leitstreifen Ent-, kopplungs— bzw. Isolierungsmittel (52) vorgesehen sina.

   17-· Speicher nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die ükitkopplung,Sfliittel eine Bntkopplungsplatte (52) aus piezoülektrischerii Material aufweisen, welche zwischen der Speicherplatte (34) und der Triebplatte (32) liegt, und daß zwischen der Entkopplungsplatte und der Triebplatte eine Entkopplungsscnient (54) aus elektrisch leitfähigem Haterial liegt, wobei die gemeinsamen Leitstreifen (42) zwischen der Entkopplungsplatte und der Speicherplatte liegen.

   Ιό. Speicher-nach einem der Ansprüche 9 bis-17, dadurch gekennzeichnet, daß er eine zweite Speicherplatte (34'), eine zweite Entkopplungsplatte (52'), eine zweite Triebplatte (32¹) und eine zweite ^ntkoppluii^sacnicht (54* ) sowie jeweils eine zweite Gruppe an oteu^r-leit&treiien (4O¹) und gemeinsamen Leitstreit'en (42¹/ aufv/üiat, daß die xsi't-Leitstreix'en (44) zwischen der brüten opeicnerplatte una tier zweiten Speicherplatte liegen und die zweite Üruppe aor ,,eraöinaamen Leitstreifen (42·) im wesent-

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   liclien parallel liber den gemeine amen Le its t reifen. (42) der ersten Gruppe zwischen der zweiten Speicherplatte (34') und der zweiten Eatkopplungsplatte (52¹) liegen; und daß die zweite Entkopplungsschicht (54¹) zwischen der zweiten Entkopplungsplatte (52') und der zweiten Triebplätte': (32') angeordnet ist, während die zweite Gruppe der Stouer-Leitstreifen (4O¹) im wesentlichen parallel über den gemeineainen Leitstreifen (42') der zweiten Gruppe liegen und an der zweiten !Trieb-P scheibe (32¹) befestigt sind.

   19. Speicher nach insprucn 18, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Steuer-Leitstreifen (40) der ersten Gruppe mit einem Steuer-Leitstreifen (4o^f) der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist.

   20. Speicher nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet,, daß jeder gemeinsame Leitstreifen (42) der ersten Gruppe mit einem gemeinsamen Streifen (42') der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist,

   21. Speicher nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Entkopplungsschichten (54, 54') untereinander elektrisch verbunden sind.

   22. Keramische Speicherreihe, insbesondere nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der einen Fläche der S-peicherplatte (34") des ferroelektrischen Speicherkondensators und der ihr zugewandten Fläche der Trieb-

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   platte (32) aus oiszoaleirtrlacheai keterial ein erster elektrischer Leitstreifen (54) angeordnet ist und daß an der anderen Triebpiatteiif lache ein elektrisch leitender Steuer-Leitstreifen (40) befestigt ist, der zur Bildung einer Wortzeile zu aeo. ersten elektrischen Leitstreifen im wesentlichen'parallel in überdeckunr, angeordnet ist, ä&ü ferner eine erste Gruppe von seitlich in Abstand im'wesentlichen parallel angeordneter elektrisch leitender bit-Leitstreifen (44) an der anderen Fläche der Speicherplatte (34") befestigt ist, die sich quer ^ zu dem ersten elektrischen Leitstreifen und den genannten Steuer-Leitstreifen erstrecken und demgemäß eine Gruppe.seitlich im Abstand angeordneterSpeicherplatten-Bits der ¥ort- bzw. Zeichenzeile bilden.

   23· Speicher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Speicherplatte (34") und der Triebplatte (32) eine Entkopplungsplatte (52) aus piezoelektrischem Material angeordnet ist, und daß der genannte erste Leitstreifen (54) zwischen der Entkopplungsplatte (52) und der Triebplatte (32) liegt.

   24. Speicher nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß er eine zweite Gruppe im wesentlichen paralleler, im Seitenabstand angeordneter elektrisch leitender Bit-Leitstreifen (44¹) zwischen der EntkoppluniiSplatte (52*) und der Speicherplatte (34") aufweist, wobei jeder Bit-Leitstreifen der ersten Gruppe mit einem solchen der zweiten Gruppe im wesentlichen parallel übereinander angeordnet ist. '

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   25. Speicher nach Anspruch 24 > dadurch gekennzeichnet, daß er eine zweite Triebplatte (32·) und eine zweite Bntkopplungsplatte (52*) aufweist, wobei diese Entkopplungsplatte zwischen der

   ■ Speicherplatte (54") und der zweiten Triebplatte liegt, daß ferner ein zweiter elektrischer Leitstreifen zwischen der Isolierplatte und der zweiten Triebplatte angeordnet ist, während ein zweiter elektrischer Steuer-Leitstreifen an der zweiten Triebplatte (32') so befestigt ist, daß sich-die beiden Steuer-Leitstreifen im wesentlichen parallel überdecken.

   26. Speicher nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden elektrischen Leitstreifen sowie die beiden Steuer-Leitstreifen (40, 40') elektrisch jeweils untereinander verbunden sind»

   27· Speicher nach Anspruch 231 dadurch gekennzeichnet, daß er eine zweite Speicherplatte -T34') sowie eine zweite Entkopplungsplatte (52·) aufweist, wobei letztere zwischen der ersten Speicherplatte (34) und der zweiten Entkopplungsplatte (52') liegt, daß ferner eine zweite Triebplatte (32¹) und ein zweiter elektrischer Leitstreifen vorgesehen ist, vpii denen der letztere zwischen der zweiten Triebplatte und der zweiten. Entkopplungsplatte liegt, wobei ein zweiter elektrischer Steuer-Leitstreifen (40¹) an der zweiten Triebscheibe befestigt ist.

   28. Speicher nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die

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   .beiden elektrischen Leitstreifen sowie die beiden elektrischen Steuer-Leitstreifen Jeweils untereinander elektrisch verbunden sind.

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