DE1765625B2 - Kathodenzerstaeubungsvorrichtung zum aufbringen duenner schichten auf ein werkstueck - Google Patents
Kathodenzerstaeubungsvorrichtung zum aufbringen duenner schichten auf ein werkstueckInfo
- Publication number
- DE1765625B2 DE1765625B2 DE19681765625 DE1765625A DE1765625B2 DE 1765625 B2 DE1765625 B2 DE 1765625B2 DE 19681765625 DE19681765625 DE 19681765625 DE 1765625 A DE1765625 A DE 1765625A DE 1765625 B2 DE1765625 B2 DE 1765625B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chamber
- sub
- anode
- cathode
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
- C23C14/355—Introduction of auxiliary energy into the plasma using electrons, e.g. triode sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Kathodenzerstäubungsvorrifhtung
zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Werkstück in einer unter Niederdruck stehenden
und an eine Gasquelle anschließbaren Vakuumkammer, in der sich durch eine die Vakuumkammer umgebende
Magnetspule ein magnetisches Feld erzeugen läßt, in der hinter einer Lochblende eine auf negativem
Potential liegende Glühkathode mit einer in einem Rohr angeordneten Heizdrahtwicklung als
Elektronenquelle angeordnet ist, in der vor der Lochblende ein dichtes Plasma in Form eines länglichen,
längs der Symmetrieachse der Magnetspule gerichteten Bündels herstellbar ist, in der eine auf
gegenüber der Glühkathode positives Potential gebrachte Anode vorgesehen i:t und in der das zu bestäubende
Werkstück und eine das Zerstäubungsmaterial in festem Zustand enthaltende Auftreffplatte
auf gegenüberliegenden Seiten des Plasmabündels einander zugewandt angeordnet sind.
Bei einer bekannten Kaihüdenzerstäubungsvoi iiditung
dieser Art (US-PS 33 05 473) wird zwischen einer Glühkathode und einer Anode ein Elektronenstrom
erzeuet, der in dem zwischen Kathode und Anode gebildeten Raum auf neutrale Gasatome trifft.
Die bei der Ionisierung entstehenden positiven Ionen werden von einer an negativem Potential liegenden
Auftreffplatte angezogen und bewirken die Herauslösung feiner Pulverteile aus der Auftreffplatte. Die
Pulverteile lagern sich auf dem der Auftreffplatte gegenüberliegenden Werkstück ab. Die Auftreffplatte
und das Werkstück sind von einer Magnetspule umgeben. Die Anode liegt der Kathodenöffnung direkt
gegenüber, und die Auftreffplatte und das Werkstück sind zwischen Anode und Kathode angeordnet. Die
Anode dient ausschließlich der Beschleunigung der aus der Kathode austretenden Elektronen und damit
der I rzieiung einer hohen Energiedichte, trägt jedoch
zur Bündelung des Elektronenstrahls nicht bei.
Bei einer anderen bekannten Kathodenzerstäubungsvorrichtung (US-PS 32 94 669) is. die Kathode
im Innere:! eines Anodenrohres untergebracht. Das Werkstück befindet sich stirnseitig an einem offenen
Ende des Anodenrohres.
Bekannt ist auch ein Duoplasmatron (FR-PS 14 22 539), bei dem der von einer Kathode ausgesandte
Elektronenstrahl, nachdem er gebündelt worden ist, einen hydraulischen Widerstand durchläuft,
der den Beschleunigungsbereich des Elektronenstrahls von dem Pulverisierungsbereich trennt.
Ferner ist eine Kathodenzerstäubungsvorrichtuna bekannt (DT-AS 11 22 801), bei der innerhalb eines
Vakuumgefäßes eine rohrförmige Zerstäubungskathode vorgesehen ist, der eine stiftförmige Anode
gegenüberliegt. Die stiftförmige Anode ist von einer Magnetspule umgeben. Zwischen dem Kathodenbercich
und dem Anodenbereich weist das Vakuumgehäuse eine Einschnürung auf.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, bei einer Kathodenzerstäubungsvorrichtung der eingangs
genannten Art die Bündelung des von der Elektronenquelle ausgehenden Plasmastrahles zu verbessern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß im Bereich zwischen der Lochblende und
den ab- bzw. aufzustäubenden Teilen ein als Anode geschaltetes Metallrohr unmittelbar vor der Lochblende
angeordnet ist und daß die Magnetspule das anodische Metallrohr koaxial umfaßt.
Dadurch wird in vorteilhafter Weise bei der beschriebenen Kathodcnzerstäubungsvorrichtung unter
der Einwirkung des von der Magnetspule erzeugten magnetischen Feldes in dem anodischen Metallrohr
ein axiales Magnetfeld erzeugt, das einem im wesentlichen radialen elektrostatischen Feld, das sich
zwischen der Kathode und dem anodischen Metallrohr ausbildet, überlagert wird. Durch die Überlagerung
dieser beiden Felder beschreiben die Elektronen lange spiralförmige Bahnen um die Zylinderachse
herum. Man erhält daher eine ortliche Ionisierung in dem Zylindervolumcn im Bereich nahe der Achse.
Das auf diese Weise entlang der Zylinderachse gebildete Plasma wird in Form einer konzentrierten
axialen Säule nach oben gestoßen. Durch das vorteilhafte Zusammenwirken eines im wesentlichen
radialen elektrischen Feldes mit einem axialen Magnetfeld erreicht nii.n eine starke Bündelung des
17 6δ
Plasn.astrahles mit einer Vorrichtung, deren Bauform relativ kurz gehalten werden kann. Weu.cn der
konzentrierten Plasmabildung in der Achsenmitte reicht zur Erzeugung und Bündelung aes Plasmastrahljs
eine relativ geringe Energie aus.
Zweckmäßigerweise weisen die Heizdrahlwicklung. die Lochblende, das Metallrohr sowie die Spule
eine gemeinsame Symmetrieachse auf.
Vorteile ergeben sich auch dadurch, daß die Vakuumkammer aus zwei über ein Verbindungsstück
mit relativ geringem Querschnitt miteinander korrespondierenden Teilkammern besteht, daß sich in der
ersten Teilkammer die zur Elektronenquelle gehörende Vorrichtung, das Gaszuführungsteil sowie
das anodische Metallrohr befinden, daß in der zweiten Teilkammer die ab- bzw. aufzustäubenden Teile
sowie die Gasausströmöffnung angeordnet sind, und daß sich mit Hilfe des Verbindungsstücks in der
zweiten Teilkammer ein geringerer Druck als in der ersten Teilkammer herstellen läßt. Dadurch können
in den beiden Teilkammern unterschiedliche Unterdrücke aufrechterhalten werden, wobei diejenige
Teilkammer, in der das neutrale Plasma gebildet wird, noch stärker evakuiert wird als die Teilkammer,
in der sich die Auftreffplatte und das Werkstück befinden. Die Öffnung, die die beiden Teilkammern
voneinander trennt, muß zwar ausreichend groß sein, um das Plasmabündel frei hindurchtreten zu lassen,
ist im übrigen aber so eng wie möglich.
Mit der beschriebenen Vorrichtung kann man Schichten mit einer Dicke von einigen 10 μ pro
Stunde aufbringen. Als Pulverisiermaterial eignen sich Silber. Nickel, Titan, Tantal oder andere Substanzen,
die dünne Schichten bilden können. Die zu überziehenden Werkstücke können beispielsweise aus
Isoliermaterial bestehen, um elektrische Schaltungen mit dünnen Schichten herzustellen. Das zur Bildung
des Plasmas verwendete Inertgas ist vorzugsweise Argon.
Im folgenden werden zwei Ausführungsbeispielc der Erfindung an Hand der Figuren näher erläutert.
F i g. 1 zeigt eine erste Vorrichtung und
1: i g. 2 eine zweite Vorrichtung, welcher in der
Praxis die größere Bedeutung zukommt.
In Fig.] ist mit 1 ein abgeschlossener evakuiertcr
Raum bezeichnet; der Heizdraht 2 wird durch Stromwärmc durch die Leitungen 2 a, 2 b bis auf eine
Temperatur von 2000 bis 3000° C erhitzt. Der Heizdraht 2 ist in dem gekrümmten Rohr 3 angebracht,
das durch ein Umlaufsystem 4 mit Wasser gekühlt wird. An seiner Oberseite befindet sich ein Lochschirm
mit dem Loch 5 in der Mitte. Die bei 6 α gespeiste Anode 6 besteht aus einem an den beiden
Stirnseiten offenen Kupferrohr und hat in dem gewählten Ausführungsbeispiel einen Durchmesser von
40 mm und eine Höhe von 150 mm. Die Spule 7, die
koaxial zum Anodenrohr 6 verläuft, erzeugt in diesem Rohr ein magnetisches Feld von 200 bis
500 Gauß. Die Prallschcibc 8 besteht aus dem zu pulverisierenden Material und ist an einer Vorrichtung
8 η oberhalb des Anodenrohrcs 6 parallel zur Achse des Anodenrohres in der Nähe dieser Achse
aufgehängt. Die Prallscheibc wird durch den Ölkreis-Iauf9
rückgekühlt, wenn das Material, aus dem sie besteht, die auftretenden Temperaturen nicht aushält. Ö5
Die zu überziehende Platte 10 ist auf einer Halterung 11 aus nichtrostendem Stahl angebracht, die ihrerseits
elektrisch an Masse 11« liegt. Ein Einlaßschieber 12 sorgt für die Einführung inerten Gases, wie
z.B. Argon, das durch die Leitung 12a in den Rauml
eindringt. Eine nicht gezeichnete Ansaugpumpe ist über Rohr 13 mit dem zu evakuierenden Raum verbunden.
Bei dieser Vorrichtung werden die Elektronen vom Heizdraht 2 ausgesandt. Dieser weist eine Temperatur
von 2500° C auf. Durch das Rohr 3 werden die Elektronen zur Anode 6 geleitet, welche auf
einem positiven Potential zwischen 50 und 100 Volt liegt. Das magnetische Feld der Spule 7 hat eine
Stärke zwischen 100 und 500 Gauß und verläuft parallel zur Achse der Anode 6. Es dient dazu, die Elektronen
zur Anodenachse zurückzuführen, indem es eine Drehung um diese Achse verursacht. Durch das
Ventil 12 tritt Argon unter einem Druck von etwa 10~3 bis 10~4 Torr ein. Es findet einen in das Anodenrohr
6 eingebohrten Durchgang und wird von den vom Rohr 3 kommenden Elektronen ionisiert.
Wegen der Nähe der Elektronen zur Anode wächst das Verhältnis von ionisierten Argonmolekülen pro
Volumeneinheit beträchtlich an. Man erreicht einen lonisationsgraü von 25 °/o.
Die Höhe des Anodenstromes liegt in der Größenordnung von 9 A. Es fließt ein lonenstrom von etwa
300 bis 500 mA auf die Prallscheibe von 25 cm-; das entspricht einer Stromdichte von 12 bis 20 mA cm-.
Der lonenstrom wird von der Prallscheibe, die auf einem negativen Potential von 800 Volt liegt, angezogen.
Wenn das zu pulverisierende Material isolierluhig ist, verwendet man an der Prallscheibe eine
alternierend positive und negative Spannung mit einer Frequenz von 13 bis 20 MHz, um die Prallscheibe,
welche durch die Bombardierung mit Ionen pulverisiert wird, durch das Auftreffen von Elektronen
zu neutralisieren.
Der lonenfluß ist in der Nähe der Achse des Anodenrohres konzentriert, und die Prallscheibc ist nahe
bei der Achse, parallel zu dieser, angebracht, um eine möglichst hohe Ionenstromdichte zu erzielen. Normalerweise
ist das zu überziehende Objekt in einer Entfernung von höchstens 5 cm von der Prallschcibe
angebracht, derart, daß die freie mittlere Weglänge der Gasmoleküle größer ist als diese Entfernung und
daß die pulverisierten Teilchen nicht aus dem Raum zwischen der Prallscheibc und dem zu überziehenden
Objekt nach außen zurückgeworfen werden.
Mit einem solchen Aufbau erhält nrin eine Ablagerungsgeschwindigkeit,
die fünf- bis zehnmal so groß ist, wie diejenige, die man mit den älteren Vorrichtungen
erzielen konnte.
Fig. 2 zeigt eine weitere Ausführungsform der beschriebenen Vorrichtung, die eine Reihe von Abwandlungsmoglichkeiten
zuläßt.
Der Vakuumraum wird von zwei Kammern 14 und 15 gebildet, die durch ein Verbindungselement 16
miteinander in Verbindung stehen. Die Kammer 14 wird ,.lurch ein Umlaufsystcm 17 gekühlt und enthält
den über die Leitungen 18«, 18 6 gespeisten Heizdraht
18 und eine die Anode 19 bildende röhrenförmige Elektrode, die bei 19 α gespeist wird. Vor dem
Heizdraht 18 ist die mit einer axialen Öffnung 22« versehene Lochblende 22 angeordnet. Eine Magnetspule
20 oder ein Ringmagnet liegt koaxial zum Anodenrohr 19. Das Ventil 21 dient dazu, ein inertes
Gas oder ein beliebiges anderes Gas durch das Rohr 21 α einzuführen. Die Kammer 15 ist an ihrer Oberseite
mit einer abnehmbaren Abdeckung 15 a ver-
schlossen. Die Kammer 15 enthält eine bei 23 a angeschlossene Prallscheibe 23, die durch ein mit öl
oder Luft gespeistes; Umlaufsystem 24 gekühlt wird, und eine Halterung 25 für das zu überziehende Objekt
26. An das Rohr 27 der Kammer 25 ist eine nicht gezeichnete Ansaugpumpe angeschlossen.
Die Werte der verschiedenen Parameter, wie Heizfadentemperatur,
Anodenspannung, Anodenstrom, lonenstromdichte, Prallscheibenspannung und magnetisches
Feld liegen in der gleichen Größenordnung wie bei der Vorrichtung nach Fig. 1.
Diese Parameter können sich bei den beiden aufgeführten Ausführungsbeispielen etwa in den folgenden
Grenzen bewegen:
Heizfadentemperatur 2000 bis 2800° C
Anodenspannung 50 bis 200 Volt
Anodenstrom 1 bis 10 Ampere
lonenstromdichte bis 20 mA Vm-
Prallscheibenspannung 600 bis 1500 Volt
Magnetisches Feld bis 500 Gauß
Die in Fig. 2 gezeigte Vorrichtung erlaubt es, die
Strecke, die das das Anodenrohr verlassende neutrale Plasma durchfließt, zu vergrößern und Objekte von
einer bestimmten Größe ;αι beschichten. Zu diesem
Zweck sind die Kammern 14, 15 einzeln aufgebaut, um die Konstruktion zu vereinfachen. Die Kammer
14 hat eine Länge, die im wesentlichen gleich der Weglänge des Plasmastromes ist. Das Volumen der
Kammer 15 ist so bemessen, daß auf der Halterung 25
ίο Objekte mit einer relativ großen Oberfläche angeordnet
werden können.
Die beschriebene Vorrichtung bietet die folgenden Vorteile: Einerseits kann die das in Längsrichtung
weisende Feld erzeugende Spule nahe an der Achse des Elektrodenrohres angeordnet werden, andererseits
kann in der der Pulverisierung dienenden Kammer ein höheres Vakuum aufgebaut werden als in
dem Bereich, in dem sich das Plasma bildet. Auf diese Weise erhält man optimale Bedingungen für die
Pulverisierung und gleichzeitig in der röhrenförmigen Elektrode die günstigsten Bedingungen für die Bildung
eines Plasmas von hoher Dichte.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
.i st-
Claims (3)
1. Kathodenzerstäubungsvorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Werkstück in
einer unter Niederdruck stehenden und an eine Gasquelle anschließbaren Vakuumkammer, in der
sich durch eine die Vakuumkammer umgebende Magnetspule ein magnetisches Feld erzeugen läßt,
in der hinter einer Lochblende eine auf negativem Potential liegende Glühkathode mit einer in
einem Rohr angeordneten Heizdrahtwicklung als Elektronenquelle angeordnet ist, in der vor der
Lochblende ein dichtes Plasma in Form eines länglichen, längs der Symmetrieachse der Magnetspule
gerichteten Bündels herstellbar ist, in der eine auf gegenüber der Glühkathode positives Potential
gebrachte Anode vorgesehen ist und in der das zu bestäubende Werkstück und eine das Zerstäubungsmaterial
in festem Zustand enthaltende Auftreffplatte auf gegenüberliegenden Seiten des Plasmabündels einander zugewandt angeordnet
sind, dadurch gekennzeichnet, daß im
Bereich zwischen der Lochblende (5; 22 α) und den ab- bzw. aufzustäubenden Teilen (8, 10; 23,
26) ein als Anode geschaltetes Metallrohr (6; 19) unmittelbar vor der Lochblende (5; 22«) angeordnet
ist und daß die Magnetspule (7; 17) das anodische Metallrohr (6; 19) koaxial umfaßt.
2. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizdrahtwicklung
(2), die Lochblende (5), das Metallrohr (6) sowie die Spule (7) eine gemeinsame
Symmetrieachse aufweisen.
3. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vakuumkammer (1) aus zwei über ein Verbindungsstück (16) mit relativ geringem
Querschnitt miteinander korrespondierenden Teilkammern (14, 15) besteht, daß sich in der
ersten Teilkammer (14) die zur Elektronenquelle gehörende Vorrichtung (18, 22, 22 a), das Gaszuführungsteil
(21 a) sowie das anodische Metallrohr (19) befinden, daß in der zweiten Teilkammer
(15) die ab- bzw. aufzustäubenden Teile (23, 26) sowie die Gasauströmöffnung (27) angeordnet
sind und daß sich mit Hilfe des Verbindungs-Stücks (16) in der zweiten Teilkammer (15) ein
geringerer Druck als in der ersten Teilkammer (14) herstellen läßt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR111571 | 1967-06-22 | ||
FR111571A FR1534917A (fr) | 1967-06-22 | 1967-06-22 | Perfectionnements à l'obtention de dépôts par pulvérisation cathodique |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1765625A1 DE1765625A1 (de) | 1972-04-13 |
DE1765625B2 true DE1765625B2 (de) | 1976-01-29 |
DE1765625C3 DE1765625C3 (de) | 1976-09-16 |
Family
ID=
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2800852A1 (de) * | 1978-01-10 | 1979-07-12 | Kovalskij | Einrichtung zum ionenplasma-beschichten |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2800852A1 (de) * | 1978-01-10 | 1979-07-12 | Kovalskij | Einrichtung zum ionenplasma-beschichten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1534917A (fr) | 1968-08-02 |
US3616452A (en) | 1971-10-26 |
CH473908A (fr) | 1969-06-15 |
GB1233404A (de) | 1971-05-26 |
DE1765625A1 (de) | 1972-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0334204B1 (de) | Verfahren und Anlage zur Beschichtung von Werkstücken | |
EP0349556B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von festkörperoberflächen durch teilchenbeschuss | |
EP2795657B1 (de) | Vorrichtung zum erzeugen eines hohlkathodenbogenentladungsplasmas | |
DE3004546C2 (de) | Penning-Zerstäubungsquelle | |
DE68927043T2 (de) | Plasma-schalter mit einer chrom-kathode mit strukturierter oberfläche | |
DE3206882A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von material unter vakuum | |
CH696972A5 (de) | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung. | |
DE2307649B2 (de) | Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat | |
EP2030490B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines plasmas sowie verwendung derselben | |
WO2006000862A1 (de) | Beschichtungsvorrichtung zum beschichten eines substrats, sowie ein verfahren zum beschichten | |
DE3881579T2 (de) | Ionenquelle. | |
DE60021167T2 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma mit hoher Dichte | |
DE19924094A1 (de) | Vakuumbogenverdampfer | |
DE1765582B1 (de) | Vorrichtung zur kathodenzerstaeubung und zum anschliessenden bedampfen | |
DE1953659A1 (de) | Ionenquelle fuer die Zerstaeubung mit langsamen Ionen | |
DE1765625B2 (de) | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung zum aufbringen duenner schichten auf ein werkstueck | |
DE1765625C3 (de) | Kathodenzerstäubungsvorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Werkstück | |
DE102014110835B4 (de) | Vorrichtung zum Bedampfen eines Substrates innerhalb einer Vakuumkammer | |
DE3837487A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum aetzen von substraten mit einer magnetfeldunterstuetzten niederdruck-entladung | |
DE3030454C2 (de) | Vorrichtung zur großflächigen Abscheidung von haftfesten, insbesondere harten Kohlenstoffschichten | |
DE19600993A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur anodischen Verdampfung eines Materials mittels einer Vakuumlichtbogenentladung | |
EP1401249A2 (de) | Plasmaquelle | |
DE2655942C2 (de) | ||
DE10240337B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Separation von Partikeln aus einem von einem Target zur Beschichtung eines Substrates erzeugten Plasma im Vakuum | |
DE2342376A1 (de) | Vorrichtung fuer das auftragen von duennen schichten unter vakuum |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |