DE1752727A1 - Verfahren zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Verfahren zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe

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DE1752727A1 DE19681752727 DE1752727A DE1752727A1 DE 1752727 A1 DE1752727 A1 DE 1752727A1 DE 19681752727 DE19681752727 DE 19681752727 DE 1752727 A DE1752727 A DE 1752727A DE 1752727 A1 DE1752727 A1 DE 1752727A1
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Description

PHK 2316 Va/Rji
Dipl.-lng. ERICH E. WALTHER
Anmelder: N. V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKE«
Akte: PHH- 2316
Anmeldung vomt 4, Juli 1968
"Verfahren zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe"
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe, bei dem eine zu zerlegende Scheibe auf einer Kunststoffolie befestigt und längs einer Anzahl in der von der Folie abgekehrten Scheibenoberfläche angebrachter Nuten in eine Vielzahl Stücke zerlegt wird. Ein derartiges Verfahren ist bekannt und wird z.B. zur Herstellung von Halbleiterkristallen für ein Halbleiterbasiselement, wie z.B. einen Transistor, angewandt.
Beim bekannten Verfahren wird die Halbleiterscheibe auf einer selbstklebenden Folie festgeklebt vnd
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dann längs einer Anzahl in der Scheibe gekratzter Nuten durch auf geeignete Weise auegeübte Biegemomente zerbrochen. Dann werden in einec ein geeignetes Lösungsmittel enthaltenden Bad die Scheibenstücke von der Folie entfernt, gereinigt und sortiert. Oa bei diesen Vorgängen die regelmässige Ordnung der Scheibenstücke, die nach dem Zerbrechen der Scheibe mit ihren Bruchflächen aneinander anliegen, gestört wird, muss Nachher wieder eine zusätzliche Ausrichtbearbeitung durchgeführt werden, damit die Scheibenstücke je in einer vorgeschriebenen Lage weiteren Bearbeitungsmaschinen zugeführt werden können. Bei dem hier beschriebenen Verfahren muss somit eine verhältnismässig grosse Anzahl viel Zeit beanspruchender und kostspieliger Vorgänge durchgeführt werden.
Die Erfindung hat den Zweck, ein erheblich einfacheres Verfahren zu schaffen, so dass die Herstellungskosten bedeutend verringert werden.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass es vorteilhaft ist, wenn die Ordnung der Scheibenstücke nicht zwischenzeitlich gestört, sondern aufrechterhalten wird, bis diese Scheibenstücke der Reihe nach den erwähnten Bearbeitungsmaschinen zugeführt werden. Infolgedessen können die obenerwähnten Sortierungsvorgänge durchgeführt werden, wenn die Scheibenstücke nooh auf der Folie festgeklebt sind.
Diese beabsichtigte Reihenordnung lfiast eich
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gv.t verwirklichen, wenn nach der 3rfindung die Folie plastisch gedehnt wird, wodurch die auf der Folie befestigten Scheibenstücke dauernd in einem Abstand voneinander liegen. *<enn zwischen den betreffenden Scheibenstücken Abstände von z.B, 0,5 mm aufrechterhalten werden, lassen sich die Scheibenstücke leichter auf Beschädigungen prüfen als wenn sie auf der Folie mit ihren Bruchflächen aneinander anliegen, "wenn die -Scheibenstüoke in einen Abstand voneinander gebracht werden, ergibt sich weiter noch der Vorteil, dass mit einer an ein Unterdrucksystem angeschlossen Hohlnadel gearbeitet werden kann, die mit ihrer Säugöffnung jeweils ein als brauchbar befundenes Scheibenstück von der Folie entfernen kann, ohne dass benachbarte Scheibenstücke einen störenden Einfluss haben oder selber beeinflusst werden. Auch dadurch, dass die Orientierung der auf Abstand gebrachten Scheibenstücke nahezu nicht gestört wird, kann diese Hohlnadel also grundsatzlich sämtliche Scheibenstücke auf die gleiche vorgerichtete Weise entfernen, woduroh eine gesonderte Ausrichtung jedes der Scheibenstücke in bezug auf die Nadel überflüssig wird.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung, das eine weitgehende Mechanisierung der Herstellung und der weiteren Verarbeitung von Kristallen für Halbleitervorrichtungen ermöglicht, wird die Folie vorzugsweise allseitig in ihrer eigenen Ebene gedehnt, wenn die Halbleiterscheibe
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längs mindestens zweier sich schneidender Scharen paralleler Nuten zerlegt worden ist.
Ee hat sich .reiter herausgestellt, dass es empfehlenswert ist, wenn die Halbleiterscheibenstücke wenigstens beim Dehnen der Folie elektrostatisch auf dieser Folie festgehalten werden. Dabei wird vorteilhaft eine nicht vorgedehnte elektrostatisch gut aufgeladene Folie verwendet, auf der sich die üoheibenetücke beim Durchführen der Dehnungsbearbeitune gut halten und dennoch nach der Dehnungebearbeitung durch die erwShnte Nadel leicht von der Folie entfernt werden können. Dadurch brauchen somit nicht die bekannten selbstklebenden Folien angewandt zu werden; die Unterseite der Halbleiterscheibe wird also nicht verunreinigt. Infolgedessen wird die bisher stets notwendige Reinigung der gelösten Scheibenstücke überflüssig. Ein geeignetes Material für die Folie ist z.B. das unter dem Handelsnamen "Genotherm 1000" käuflich erhältliche Material.
Die Erfindung besieht sich weiterhin auf eine Vorrichtung zum Durchführen des obenbeechriebenen Verfahrens. Diese Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass sie mit einer an ein Unterdruoksyetem anschliessbaren Kammer und ferner mit Mitteln versehen ist, mit denen eine eine Anzahl von dcheibenstflcken tragende und den Umfangerand der Kammer verschliessende Folie vorzugsweise durch Wärmestrahlung derart erhitzt wird, dass diese Folie 109821/0525
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durchbiegt und somit in ihrer eigenen Ebene eine bleibende Ausdehnung erlangt, wenn in der Kammer ein Unterdruck hervorgerufen wird.
Die Erfindung wird kurz cn Hand der Zeichnung näher erläutert» Es zeigen:
Pig. 1 eine Draufsicht auf eine Folie mit einer darauf befestigten Halbleiterscheibe,
Fig. 2 die Zerlegung der Scheibe nach Fig. 1, Fig. 3 schematisch im Querschnitt die Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach der Erfindung! und
Fig. 4 eine mit Hilfe der Vorrichtung nach Fig. 3 bearbeitete Folie mit ocheibenstücken.
In Fig. 1 bezeichnet 1 eine nicht vorgedehnte elektrostatisch gut aufgeladene Kunststofffolie, auf der ,ine Halbleiterscheibe 3 elektrostatisch gehaltert wird. Die Folie besteht aus dem unter dem Handelsnamen "Genotherm 1000" käuflich erhältlichen Material, das eich als besonders geeignet erwiesen hat. Die Scheibe 3 soll in eine Vielzahl Stücke zerlegt werden, die je als ein Kristall für eine Halbleitervorrichtung dienen können.
Zu diesem Zweck werden in der Oberfläche der Scheibe 3 durch eine Kratzbearbeitung zwei sich schneidende Scharen paralleler Nuten 5 und 7 angebracht· Dann wird die licheibe auf eine federnde Schicht 9 gelegt, die ihrerseits auf der steifen Platte 11 eines nioht dargestellten 109821/0525
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hin- und herbwegbaren Schlittens ruht. Das Ganze wird von einer Rolle 13 angedrückt* Wenn der Sohlitten unter der Rolle bewegt wird, wird die Scheibe 3 den Einfluss von Biegemomenten ausgesetzt und zerbricht sie lange der Nuten 3 und 7*
Die so erhaltene Folie 1 mit ScheibenetücKenwird bei dem Verfahren nach der Erfindung auf den Oberrand eines Gehäuses I5 gelegt und mit Hilfe eines Ringes 17 festgeklemmt.
Bei der Anordnung nach Fig. 3 wird die Folie dadurch erhitzt, dass eine gerade über ihr angeordnete nicht dargestellte Erhitzungelampe in Betrieb gesetzt wird. Anschliessend wird In der von der Folie 1 verschlossenen Kammer 19 ein unterdruck hervorgerufen, su welohem Zweok eine Oeffnung 21 in der Wand der Kammer verwendet wird, die an ein Unterdrückerstem angeschlossen ist. Infolgedessen wird diese Folie allseitig gedehnt und nimmt nacheinander die Lagen 23 und 25 ein und biegt durch, bis sie in der Lage 27 auf der Oberseite einer steifen Platte 2$ ruht, die zuvor auf ein· Erhöhung 31 in Boden des Gehäuses 15 gelegt worden ist. Dann wird die Lampe ausgeschaltet, wodurch die Folie abkühlt und ihr· Dehnung aufrechterhalten wird. Erst dann wird der Unterdruok in der Kammer 19 beseitigt· In der letzten Lag· liegen sämtliche Scheibenstücke auf der Foil· in einiger
Entfernung voneinander, was in Fig. 4 näher darg*tt«llt
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ist. In der Praxis ist ein günstiger Abstand 0,5 nun. Sann wird der Hittelteil der Folie, auf dem sich die Scheibenstücke befinden, von dem übrigen Teil der Folie abgetrennt.
Ks empfiehlt sich, die obere FlSche der Platte 29 mit einer Leimschicht zu versehen, wodurch die sich auf dieser Platte erstreckende Folie etwas gehaltert wird. Dadurch wird die Hantierbarkeit der Platte 29 mit der Folie 1 erheblich erhöht.
Die so erhaltene Platte 29 mit der mit Scheibenstücken versehenen Folie 1 kann nun einer visuellen Kontrolle unterworfen werden, wobei die Scheibenstücke mit ungeeigneten Bruchflächen auf der Ausseneeite mit einem geeigneten Farbstoff markert werden· Diese Scheibenstücke sind beispielsweise in Fig. 4 dunkel gefärbt. Anschlieesend wird die Platte 29 mit der Folie geeigneten Bearbeitungsmaschinen zugeführt, in denen nur die brauchbaren Scheibenetücke nacheinander mit Hilfe eines unter Unterdruck arbeitenden Aufnahmekopfes oder einer Aufnahaenadel von der Folie gelöst werden können. Da die Scheibenetücke in einiger Entfernung voneinander liegen, üben beim Lösen eines brauchbaren ächeibenstückes von der Folie benachbarte Scheibenstücke keinen störenden Einfluss aus, wShrend die Lagerung der benachbarten Scheibenstücke selber auch nicht vom betreffenden Aufnahmekopf beeinflusst wird.
Auch dadurch, dass die ursprüngliche Ordnung
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der Scheibenstücke auf der Folie durch die Dehnungsbearbeitung kaum gestört ist, kann mit einer auf diese Weise zugeführten Folie besondere schnell gearbeitet werden. Es genügt bereits, wenn die Winkellagen nur einiger Scheibenstücke auf einer Folie z.B. der Scheibenstücke 53 und 33» in bezug auf einen Aufnahmekopf auegerichtet werden. Für die übrigen Scheibenstücke ist dies dann praktisch nicht mehr notwendig} es ist dann genügend, wenn die Platte 29 in zwei zueinander senkreohten Richtungen in bezug auf den Aufnahmekopf oder die -Nadel bewegt wird.
Der Deutlichkeit halber ist in Fig. 3 die Erhöhung 31 in bezug auf die weiteren Abmessungen des Gehäuses 15 verhältnismässig gross dargestellt. In Wirklichkeit sind sowohl die Höhe als die Breite dieser Erhöhung erheblich geringer. Er dürfte einleuchten, dass der Abstand zwischen der nicht durchgebogenen Folie und der Platte 29 ein Mass für den Dehnungegrad der Folie ist. Dieses Mass lässt sich also dadurch einstellen, dass der betreffende Abstand geregelt wird, z.B. dadurch, dass auf die Erhöhung 3I Hilfsstüoke gelegt werden, die den betreffenden Abstand verringern.
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Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    1. Verfhären zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe, bei dem eine zu zerlegende Scheibe auf einer Kunststoffolie befestigt und längs einer Anzahl in der von der Folie abgekehrten Scheibenoberfläche angebrachter Nuten in eine Vielzahl Stücke zerlegt wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Zerlegen der Scheibe die Folie plastisch gedehnt wird, wodurch die auf der Folie befestigten Scheibenstücke dauernd in einen Abstand voneinander liegen* 2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Scheibe längs mindestens zweier sich schneidender Scharen paralleler Nuten in Stücke zerlegt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Folie in ihrer eigenen Ebene allseitig gedehnt wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheibenstücke beim Dehnen der Folie elektrostatisch auf der Folie festgehalten werden.
    4. Verfahren nach Anspruch 1,2 oder 3, daduroh gekennzeichnet, dass die Folie mit den durch Dehnung der Folie in Abstand voneinander gebrachten Scheibenstücken auf einer steifen Unterlage befestigt wird, die Scheibenstücke visuell auf etwaige Beschädigungen geprüft und dann nur die brauchbaren Scheibenstücke von der Folie entfernt und an einer von der Folie entfernten Stelle weiteren Bearbeitungen unterworfen werden. 109821/0525
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    5. Folie, die durch das Verfahren nach Anspruch
    1, 2 oder 3 Bit einer Anzahl dauernd in Abstand τοneinander liegender Halbleiterscheibenstücke versehen ist.
    6. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3t dadurch gekennzeichnet, dass sie eine an ein Unterdrucksystem anβenlessbare Kammer und Mittel enthält, mit denen eine eine Anzahl Scheibeηstücke tragende und den Umfangsrand der Kammer verschiiessende Polie vorzugsweise durch Wärmestrahlung derart erhitzt wird, dass diese Folie durch Durchbiegen dauernd in ihrer eigenen Ebene gedehnt wird, wenn in der Kammer ein Unterdruck hervorgerufen wird.
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DE19681752727 1967-07-08 1968-07-05 Verfahren und Vorrichtung zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe Pending DE1752727B2 (de)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3870196A (en) * 1973-09-28 1975-03-11 Laurier Associates Inc High yield method of breaking wafer into dice
US3918150A (en) * 1974-02-08 1975-11-11 Gen Electric System for separating a semiconductor wafer into discrete pellets
US3920168A (en) * 1975-01-15 1975-11-18 Barrie F Regan Apparatus for breaking semiconductor wafers
US4085038A (en) * 1976-12-15 1978-04-18 Western Electric Co., Inc. Methods of and apparatus for sorting parts of a separated article
US4203127A (en) * 1977-07-18 1980-05-13 Motorola, Inc. Package and method of packaging semiconductor wafers
US4744550A (en) * 1986-04-24 1988-05-17 Asm America, Inc. Vacuum wafer expander apparatus
EP0363548B1 (de) * 1988-10-10 1994-03-23 International Business Machines Corporation Verfahren zum Brechen eines plattenförmigen Werkstücks, insbesondere eines Halbleiterplättchens, und Vorrichtung zum Brechen des genannten zwischen zwei Folien sandwichartig angeordneten Werkstücks
US5029418A (en) * 1990-03-05 1991-07-09 Eastman Kodak Company Sawing method for substrate cutting operations
US5362681A (en) * 1992-07-22 1994-11-08 Anaglog Devices, Inc. Method for separating circuit dies from a wafer
US6541852B2 (en) 1994-07-07 2003-04-01 Tessera, Inc. Framed sheets
US6228685B1 (en) 1994-07-07 2001-05-08 Tessera, Inc. Framed sheet processing
US5668062A (en) * 1995-08-23 1997-09-16 Texas Instruments Incorporated Method for processing semiconductor wafer with reduced particle contamination during saw
US6182546B1 (en) 1997-03-04 2001-02-06 Tessera, Inc. Apparatus and methods for separating microelectronic packages from a common substrate
US6217972B1 (en) 1997-10-17 2001-04-17 Tessera, Inc. Enhancements in framed sheet processing
US20090061597A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Kavlico Corporation Singulator method and apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2970730A (en) * 1957-01-08 1961-02-07 Motorola Inc Dicing semiconductor wafers
US3040489A (en) * 1959-03-13 1962-06-26 Motorola Inc Semiconductor dicing
NL284964A (de) * 1961-11-10 1900-01-01
US3448510A (en) * 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3384279A (en) * 1966-08-23 1968-05-21 Western Electric Co Methods of severing brittle material along prescribed lines

Also Published As

Publication number Publication date
SE330415B (de) 1970-11-16
US3537169A (en) 1970-11-03
ES355847A1 (es) 1970-01-01
AT296389B (de) 1972-02-10
CH483726A (de) 1969-12-31
FR1574319A (de) 1969-07-11
DE1752727B2 (de) 1972-05-10
GB1233083A (de) 1971-05-26
BE717795A (de) 1969-01-08
NL6709523A (de) 1969-01-10

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