DE1730741U - Im glas verschmolzene halbleiteranordnung, vorzugsweise richtleiter oder transistoren. - Google Patents

Im glas verschmolzene halbleiteranordnung, vorzugsweise richtleiter oder transistoren.

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DE1730741U
DE1730741U DE1955S0016255 DES0016255U DE1730741U DE 1730741 U DE1730741 U DE 1730741U DE 1955S0016255 DE1955S0016255 DE 1955S0016255 DE S0016255 U DES0016255 U DE S0016255U DE 1730741 U DE1730741 U DE 1730741U
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  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Description

Siemens & Halsfee . ■ MUxtehoiL, den Aktiengesellschaft " Wittelsbackarplats 4
PA 55/2155
Is Crlas verschmolzene Halbleitervorrichtung,, vorzugsweise
Biehtleiter oder SJransistor.
Ss ist h&ksXiHtt Halbleiterger-äte» wie a.B· Siöb storen, T'ieMiaioren, sit odei* ölme Vorspannung "betriebene rhotoseil©», ~ü@±Bl®it®Tt Varistoren, magnetisch" iiiia/ooer elektrisch steuerbare Halbleiterkörper» vorsugsweis© WiäerstätM.ef in eia allseitig oder teiiwsis© aus Slss "foestelisnäes SeJiäusö einsu- E& ist insbesondere aöcii vargescblagßB. ^orden^ die· orrio&tung seltJot ssuRgolist sat siiiös 3intörßlasittS . ssu man tieren, ttnd si© -ä&im ia dao Slasgehäuae einzuscliiseleen (Patentanaeldan=; S 42 566 ?IXIc/21g» I?ä 55/2069)- Me ,\llslssiX ist .ges-ahlt /iordon» a?s. '-ia-iurch ie
ts gegea I?siK5iitigS;eit zu arsielea* 3a "iialbloitergerlte allgemeinen liditöiapfindlieli sia£» liatte äiese VersscliluSfora -ss gcisaclit ? die CllasMille au-iaa tmd/oder innen alt einemundtzrchlässiges. ^aek ader 1^1«» insbesondere eineem en Laak» au überziehen. Ss aat sich jedoch liarsasgeatellt» daS -der r3tr5hluni?sschat3 durch den ParMborsui? dar eias^and nicht ausreicht, weil erstens der iitraliltin-gsochmts is allgemeinen 2iiciit da-aerhaft genug iat» «ad zweitens -ineh von vornherein 3ch%ierigkeiten tjeöt#hen» die strahlusgsunäurchMssige Schicht-aiaäeetens is der oeiriesfabrücation - frei'von kissen herzustellen.« 30 daS "bei steer gewissen Anzahl von Sxeiaplaren eins Meht-
bsv;· ätrahlungseiapfindliehkeit dos --Terätes zu beobachten war, ^as eines erhöhten ÄusaeiraS bei der Perti;-:keit bedeutete·
PA 55/2155 - 2 -
QemüQ der Neuerung vsirct dieser llachteil dadurch vermieden» d die im allgemeinen ohnehin im Serät zur besseren Festlegung der Halbleitervorrichtung vorgesehene Füllmasse sit einen strahlungsundurchlässigen Stoff gefärbt ist* Diese Maßnahme lcanu anstelle dos bisher angebrachten !Farbüberzüge β der Glaawanclung treten? es ist jedtoch zweckmäßig, die Färbung der Füllmasse jeaiäß der Erfindung zusätzlich zur färbung der <xlasober£läche vorzunehmen. Hierdurch wird die räumliche Dicke der Absorptionsschicht gerade in der Umgebung und rsuch besonders in der Richtung der gr33ten StraJilungseapfindlichkeit vergräSert. Iia selben Sinne wirkt es auch» wean die Gehäusewand — gegebenenfalls zusätzlich - aus durchfärbten, beispielsweise schwarzem Slase besteht·
T*st einen atrahlungasehutz möglichst für das gesamte in koamende Spefctrua zu erhalten, ist ©s vorteilhaft, die Wu schwarz zu färbeiu Gea^S eiiier besonderen Ausbildung der !Teuerung beeteiit dae färbemittel aus föin rerteiltee Sraphit, Kohlenstaub, oder sonstigem orgaaisoheÄ oder anorganischen Farbstoff.
Die Füllmasse gelbst besteht in bekannter «leise zweckmäßig aus einem plastisch .jedoch sehr Sflh bleibenden isolierenden Kunststoff, 2s iat u· U« zweckmäßig, den i?arbstof ^ -.ui^ einem löslichst apit viänaeMtenden Stoff herzueteilen, daait hierdurcii gleichseitig; die ^Srööleiträltigkeit 4er Füllmasse und die Abicühlung des Serätes ia Betriebe verbessert -^ird»
In der Zeichnung ist eine ilusführungs^ona der Vorrichtung; nach der Steuerung beispielsweise dargestellt. 1 bedeutet ein Seraaaiiuia^ Blättchen, dae von beiden Seiten mit einem Legiarungsiaetall 2 und 3 versehen ist, welche als Siaitter und Kollektor wirken. Bieser in -in sich bekannter "«'eise hergestellte Iiegierungstmnsistor ist mit den drei Zuführungen 4·» 5 (zu Saitter und liollektor) und β (zur 3asis) versehen, welche durch einen Sinterglasfuß 7 hindurchgeführt sind. Dieser iat auf einen glaskolben 8 aufgeschmolzen, '.velcher innen in bekannter eise mit eines schwarzen überzug 3 versehen ist· Üin größerer leil des Inneren des Gehäuses 3 ist
M 55/2155
sit eines nicht aushärtenden» elelstriscli isolierondon Siraststoff 115 .ausgefüllt, »veleher geiaIS des· Br££n&im : silt fsinem Sohlenstaub rlJt iat· Br bietet don Segiorimgstransistor 1» 2, 3 nach
Seitea. beoonä&rs ,1©äsali auch in β or Saicittmn^seisono rm.ch , einen guten Seirais geisen Lichts tr
l-as Äiisf-lliraagsbeispisl 'kann ao.oli in der 'i-eige a'bgefiaclert sein, dafs eiitwedöj? as Stelle das Hslafer» 3 tai^ ausStslieh das tllas* aas dam- die Hülle 3 bestelltf isaerlicii durchfärbt ist, und swar isweoiGHäSig ebenfalls sit schvjsrser F
6 S 1 Sexc

Claims (1)

  1. PA 55/2155 ~ 4 - τΛ3 74425^2 ?ig .^
    Schutgansnritehe
    · Ia einem Glasgehäuse verschmolzene Halbleitervorrichtung, beispielsweise !lichtleiter, Transistor oder -dgl.» dadurch gekennzeichnet, daö die ^füllmasse mit eines strahlungsun— durchlässigen Farbstoff gefärbt ist·
    2· Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, -iaS die ufehäusewa&ä aus durchfarbtea Slase besteht·
    » Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, ctis ^öitüusawanvi aus 3chwstraea CJlas un;i ais ^üllaasse schwar gefärbt ist.
    4· Vorrichtung nach. Anspruch 1,2 oder 5» da&urch S der Farbstoff hohe 'iäriaelsitfähi^keit besitzt*
    5. Vorrichtung nach einssi der Ansprüche 1 bis 4* dadurch gekenn zeichnet, &a3 der Farbstoff fein verteiltes iCohlepulvar bzw· iirapMtpulver ist.
    β. Vorrichtung «ie boscririeben miä dargestellt.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1188730B (de) * 1956-12-26 1965-03-11 Ibm Deutschland Anordnung zur Herstellung von Halbleiterdioden mit hermetisch abgeschlossener Glasumhuellung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1188730B (de) * 1956-12-26 1965-03-11 Ibm Deutschland Anordnung zur Herstellung von Halbleiterdioden mit hermetisch abgeschlossener Glasumhuellung
DE1227563B (de) * 1956-12-26 1966-10-27 Ibm Deutschland Montagevorrichtung fuer die maschinelle Herstellung von Halbleiterdiodenteilen

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