DE1564537A1 - Process for the production of semiconductor devices - Google Patents
Process for the production of semiconductor devicesInfo
- Publication number
- DE1564537A1 DE1564537A1 DE19661564537 DE1564537A DE1564537A1 DE 1564537 A1 DE1564537 A1 DE 1564537A1 DE 19661564537 DE19661564537 DE 19661564537 DE 1564537 A DE1564537 A DE 1564537A DE 1564537 A1 DE1564537 A1 DE 1564537A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- components
- disc
- diodes
- parts
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical group 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- -1 silicon halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
- C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D471/04—Ortho-condensed systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76297—Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Description
PatentanmeldungPatent application
Ar meider: Radio Corporation of America New York, N, Y., V. St. A0 Poor: Radio Corporation of America New York, N, Y., V. St. A 0
Verfahren zur Herstellung von HalbleiteranordnungenProcess for the production of semiconductor devices
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf Halbleiteranordnungen und insbesondere auf ein verbessertes Verfahren zur Herstellung derselben. Das verbesserte Verfahren ist insbesondere vorteilhaft zur Herstellung neuer Formen von integrierten oder Festkörperschaltungen. Wenn auch die Erfindung erläuterungshalber im folgenden im Zusammenhang mit der Herstellung neuer Festkörperschaltungen, die Halbleiterdioden umfassen, beschrieben ist, so können viele Arten von Halbleiteranordnungen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden.The invention relates generally to semiconductor devices and more particularly to an improved method of making the same. The improved method is particular advantageous for making new forms of integrated or solid state circuits. Even if the invention for the sake of explanation in the following in connection with the production of new solid-state circuits that Semiconductor diodes include, is described, so many types of semiconductor devices according to the invention Process are produced.
Bei der Herstellung gewisser Festkörperschaltungen unter Verwendung von Halbleitermaterialien und unter Anwendung photolithographischer Herstellverfahren sind verhältnismäßig zahlreiche Arbeitsgänge, einige von diesen wiederholt, durchzuführen, um die verschiedenen Schaltungskomponenten und Schaltkreisverbindungen auszu-6351-66 In the manufacture of certain solid-state circuits using semiconductor materials and with application Photolithographic manufacturing processes are relatively numerous operations, some of these repeatedly to identify the various circuit components and circuit connections
B . 009831/0257 B. 009831/0257
Pee/JoPee / Jo
bilden. So sind beispielsweise die Arbeitsgänge (1) Aufbringen eines Photo-Widerstandes auf eine Halbleiterscheibe, (2) Belichten des Photo-Widerstandes und (j5) A'tzen des Photo-Widerstandes möglicherweise häufig während der Herstellung einer einzelnen Pestkörperschaltung zu wiederholen. Wenn alle auf oder in einer Halbleiterscheibe auszubildenden Schaltungskomponenten gleich und gleichartig orientiert sind, ist die Anzahl der photolithographischen Arbeitsgänge für ihre Ausbildung gewöhnlich kleiner als dann, wenn einige oder alle der auszubildenden Schaltungskomponenten verschiedenartig sind. Wenn auch die erstgenannte Anordnung mit gleichen und gleichartig orientierten Schaltungskomponenten wirtschaftlicher als die letztgenannte Anordnung mit ungleichen Komponenten erreicht werden kann, so sind gewöhnlich die gleichartigen Komponenten nicht geeignet orientiert, um bei vielen Schaltungsarten die erforderlichen Schaltkreisverbindungen vorzusehen.form. For example, operations (1) are application a photo resistor on a semiconductor wafer, (2) exposure of the photo resistor and (j5) a'tzen of the Photo-resistor may be repeated many times during the manufacture of a single plunger circuit. When all circuit components to be formed on or in a semiconductor wafer are oriented identically and in the same way are, the number of photolithographic operations for their formation is usually less than then if some or all of the circuit components to be formed are different. Even if the first-mentioned arrangement with the same and similarly oriented Circuit components can be achieved more economically than the latter arrangement with dissimilar components can, the components of the same type are usually not oriented appropriately for many types of circuits provide the necessary circuit connections.
Als Ausführungsbeispiel der Erfindung wird das verbesserte Verfahren zur Herstellung neuer Halbleiteranordnungen im . folgenden im Zusammenhang mit der Herstellung von Stromgleichrichtern beschrieben.As an embodiment of the invention, the improved method for the production of new semiconductor devices in. following related to the manufacture of power rectifiers described.
Gemäß einer Ausführungsform wird eine zusammengesetzte Scheibe aus Schaltungskomponenten, die voneinander durch ein Isoliermaterial getrennt sind, längs des Isoller-According to one embodiment, a composite slice is made up of circuit components that are separated from one another an insulating material are separated along the Isoller-
009831/0257009831/0257
materiales in zumindest zwei gesonderte Teile zerlegt und werden diese Teile in einer gewünschten Konfiguration oder Orientierung erneut zusammengebaut. Die Teile werden in der gewünschten Konfiguration aneinander befestigt derart, daß bestimmte Schaltungskomponenten elektrisch miteinander verbunden werden können, um die gewünschte Schaltung zu erhalten. Die Schaltungskomponenten können Kontaktflächen oder Anschlüsse an den gegenüberliegenden Hauptflächen der zusammengesetzten Scheibe besitzen, und zumindest eins der Teile der zusammengesetzten Scheibe kann nach dem Zerlegen der Scheibe umgewendet werden und in dieser Lage bei der vorerwähnten gewünschten Konfiguration vorliegen. Infolgedessen kann also bei einer gewünschten Konfiguration ein Anschluß einer Schaltungskomponente, der ursprünglich in der einen Hauptfläche der zusammengesetzten Scheibe lag, jetzt koplanar und neben einem Anschluß einer anderen Schaltungskomponente liegen, der ursprünglich in der entgegengesetzten Hauptfläche der zusammengesetzten Scheibe lag, wodurch ein elektrisches Verbinden dieser beiden Anschlüsse erleichtert wird. Das Verfahren gemäß der Erfindung eignet sich sehr gut zur Herstellung neuer Formen von in Reihe geschalteten Gleichrichtern und Gleichrichterbrücken.material divided into at least two separate parts and these parts are reassembled in a desired configuration or orientation. The parts will attached together in the desired configuration such that certain circuit components are electrically connected to one another can be connected to the desired circuit to obtain. The circuit components can have contact surfaces or connections on the opposite major surfaces of the composite disk, and at least one of the parts of the composite disk may after the dismantling of the disc are turned over and in this position in the aforementioned desired configuration are present. As a result, with a desired configuration, a connection of a circuit component, which originally lay in one major surface of the assembled disk, are now coplanar and next to a terminal of another circuit component that originally lay in the opposite major surface of the composite disk, creating an electrical Connecting these two connectors is made easier. The method according to the invention is very suitable for production new forms of series-connected rectifiers and rectifier bridges.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung beschrieben, in der durchgehend für entsprechende Teile gleiche Bezugsziffern verwendet sind. In derZeichnungThe invention is described below with reference to the drawing, in which the same reference numbers are used throughout for corresponding parts. In the drawing
009831/0257009831/0257
zeigen:demonstrate:
Fig. 1 in Teildarstellung eine Vorderansicht auf eine Scheibe aus Halbleitermaterial, die beim Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen gemäß der Erfindung verwendet wird;1 shows, in partial representation, a front view of a wafer made of semiconductor material which is used in the method of manufacturing semiconductor devices according to the invention;
Fig. 2 in Teildarstellung die Scheibe nach Fig. 1 nach einem ersten Verfahrensschritt;FIG. 2 shows a partial representation of the disk according to FIG. 1 after a first method step; FIG.
Fig. 3 im Teilquerschnitt einen Induktionsofen und in verkleinerter Explosivdarstellung die Teile der Scheibe und ein Substrat bei einer weiteren Verfahrensstufe gemäß der Erfindung;Fig. 3 shows in partial cross-section an induction furnace and in a reduced exploded view the parts of the disk and a substrate in another Process stage according to the invention;
Fig. 4 in einer Teilansicht die Scheibe und das Substrat, die unter Bildung eines Blockes miteinander verbunden sind; die gestrichelten Linien stellen die Ebenen dar, längs der zwecks Ausbildung der in Fig. 4agezeigten .Rillen der Block einzuschneiden ist;4 shows a partial view of the disk and the substrate, which are joined to one another to form a block are connected; the dashed lines represent the planes along the line Formation of the grooves shown in Fig. 4age the block is to be cut;
Fig. 4a in einem Teilquerschnitt gemäß der Linie 4a in Fig. 4 und in Richtung der Pfeile gesehen mit Rillen versehenen Block;4a in a partial cross-section along the line 4a grooved block in Figure 4 and in the direction of the arrows;
009831/0257009831/0257
Pig. 4b in einer Teilaufsicht den mit Rillen versehenen Block nach Fig. 4 ajPig. 4b the one provided with grooves in a partial view Block according to FIG. 4 aj
Pig. 5 und 6 in Teilquerschnitten ähnlich dem nach Fig. 4 a die Halbleiteranordnung in weiteren Bearbeitungsstufenj Pig. 5 and 6 in partial cross-sections similar to that of Fig. 4 a the semiconductor arrangement in further processing stages
Fig. 7 in einem Teilquerschnitt eine zusammengesetzte Scheibe aus passivierten Halbleiterkomponenten, die zwischen den in Pig. β angedeuteten horizontalen Ebenen liegt, nachdem.ein Isoliermaterial in die .Rillen des Blockes gepreßt worden ist;7 shows a composite in a partial cross-section Disk made of passivated semiconductor components between the pig. β indicated horizontal Layers after.an insulating material has been pressed into the grooves of the block;
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht der zusammengesetzten Scheibe nach Pig. 7, wobei die unterbrochenen Linien die Ebenen andeuten, längs derer für die Zerlegung der zusammengesetzten Scheibe in Teile Schnitte durchgeführt werden müssen;Figure 8 is a perspective view of the Pig assembled disk. 7, the broken lines indicating the planes along which cuts must be made in order to disassemble the assembled disk into parts;
Fig. 9 eine perspektivische Aufsicht auf eine gewünschte Konfiguration, die aus den wieder zusammengebauten Teilen der Scheibe nach Pig. 8 hergestellt Istj9 is a perspective top view of a desired one Configuration consisting of the reassembled parts of the disc according to Pig. 8 manufactured Istj
Pig. 10 eine Ausführungsform einer Halbleiteranordnung, welche den Streifen umfaßt, der zwischen denPig. 10 shows an embodiment of a semiconductor device comprising the strip extending between the
009831/0257009831/0257
durch die unterbrochenen Linien in Fig. 9 angedeuteten parallelen Ebenen liegt,parallel planes indicated by the broken lines in FIG. 9,
Fig. 10 a einen Schnitt gemäß der Linie 10 a - 10 a in Fig. 10, in Richtung der Pfeile gesehen;10 a shows a section along the line 10 a - 10 a in Fig. 10, seen in the direction of the arrows;
Fig. 11 ein schematlsches Schaltungsdiagramm der Anordnung nach Fig. 10;11 is a schematic circuit diagram of FIG Arrangement according to FIG. 10;
Fig. 12 und 12 a in perspektivischer Ansicht einen Teil der zusammengesetzten Scheibe nach Fig. 9, jeweils von oben und unten gesehen, wobei die elektrischen Verbindungen zwischen den Komponenten gemäß einer Brückenschaltung ausgebildet sind; und12 and 12a show a perspective view of part of the assembled pane according to FIG. 9, each seen from above and below, the electrical connections between the components being formed in accordance with a bridge circuit; and
Fig. V$ ein schematisches Diagramm der Brückenschaltung der in den Fig. 12 und 12 a gezeigten Ausführungsform. Fig. V $ is a schematic diagram of the bridge circuit of the embodiment shown in Figs. 12 and 12a.
Fig. 1 zeigt einen Abschnitt einer Scheibe 10, die aus einem Einkristall aus Halbleitermaterial, z. B. Silizium, Germanium oder Galliumarsenid, besteht. Die Scheibe 10 kann etwa eine Größe von 6,5 om und eine Dicke zwischen 0,1 und 0,5 mm besitzen und weist eine obere und eine untere Hauptfläche 12 und 14 auf. Die Besohreibungs-Fig. 1 shows a portion of a disc 10 made of a single crystal of semiconductor material, e.g. B. silicon, Germanium or gallium arsenide. The disc 10 can be approximately 6.5 µm in size and between 0.1 and 0.5 mm and has an upper and a lower main surface 12 and 14. The friction
009831/0257009831/0257
angaben, wie ζ. B. "obere" und "untere", sind nur relativ und hier nur zur Erleichterung der Beschreibung und nicht im Sinne einer Einschränkung der Erfindung verwendet.information such as ζ. B. "upper" and "lower" are only relative and used here only to facilitate the description and not to limit the invention.
Akzeptor- und Donatorstorstoffe können durch die einander gegenüberliegenden Flächen 12 und I^ der Scheibe 10 nach irgendeinem bekannten doppelten Diffusionsverfahren eindiffundiert werden, um jeweils p-Typ- und n-Typ-Zonen 16 und 18 in der Scheibe auszubilden. Diese doppelte Diffusion kann in bekannter Weise gesteuert derart werden, daß die p-Zone 16 sich von der Oberfläche 12 bis in eine Tiefe von etwa 0,05 mm erstreckt und eine pn-Grenζschicht 20 mit der n-Zone 18 bildet. Die pn-Grenζschicht 20 umfaßt eine Ebene, welche im wesentlichen parallel zu den einander gegenüberliegenden Hauptflächen 12 und 14 der Scheibe 10 liegt.Acceptor and Donatorstorstoffe can through each other opposite surfaces 12 and I ^ of the disc 10 after any known double diffusion method to form p-type and n-type regions 16, respectively and 18 to be formed in the disc. This double diffusion can be controlled in a known manner such that the p-zone 16 extends from the surface 12 to a depth of about 0.05 mm and a pn-size layer 20 forms with the n-zone 18. The pn-size layer 20 comprises a plane which is substantially parallel to the opposing major surfaces 12 and 14 of the disc 10 lies.
Anstelle des vorerwähnten doppelten Diffusionsverfahrens kann die pn-Grenzschicht 20 durch eine einfache Diffusion eines^ p-Typ-Störstoffes in eine n-Typ-Scheibe ausgebildet werden. Die pn-Grenzschicht 20 kann ebenfalls nach dem bekannten Verfahren des epitaxialen Aufwachsens hergestellt werden.. .Instead of the aforementioned double diffusion method, the pn junction 20 can be made by a single diffusion of a ^ p-type impurity is formed into an n-type disk will. The pn junction layer 20 can also be produced by the known method of epitaxial growth will.. .
Die Scheibe 10 wird auf einem geeigneten Substrat 22 (Pig. j5 und 4) befestigt, um ihre Handhabung und nach-The disk 10 is mounted on a suitable substrate 22 (Pig. J5 and 4) attached to their handling and after-
009831/0257009831/0257
folgende Behandlung zu erleichtern. Das Substrat 22 kann aus einer stark gedopten p-Typ-Scheibe aus Silizium (mit P+ bezeichnet) bestehen und auch ein T,11 einer fertigen Halbleiteranordnung v/erden. Die Scheibe 10 und das Substrat 22 sollten aus Materialien mit im wesentlichen gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten bestehen, um eine stabile Struktur beim fertigen Erzeugnis zu erhalten.to facilitate the following treatment. The substrate 22 can consist of a heavily doped p-type silicon wafer (with P + denotes) exist and also a T, 11 a finished V / ground semiconductor arrangement. The disk 10 and the substrate 22 should be made of materials with substantially the same There are thermal expansion coefficients in order to obtain a stable structure in the finished product.
Die Scheibe 10 und das Substrat 22 können durch Heißpressen miteinander verbunden werden. Wenn die aufeinanderstoßenden Flächen der Scheibe 10 und des Substrates 22 geätzt sind, wird bevorzugt eine der Berührungsflächen mit einer Schicht 24 aus Metall überzogen, z. B. mit einer Chrom-, Nickel-, Niobium-, Zirkon- oder Titanschicht. Die Metallschicht 24 kann auf die Oberfläche 12 der Scheibe 10 (Fig. 2) entweder durch Aufdampfenk, Plattieren oder Eintauchen der Scheibe 10 in ein feines Metallpulver oder Zwischenfügen einer dünnen Metallfolie zwischen Scheibe 10 und Substrat 22 aufgebracht werden. Die Dicke der Schicht 24 und auch die Abmessungen der anderen Teile sind deutlichkeitshalber vergrößert dargestellt. Vorzugsweise liegtThe disk 10 and the substrate 22 can be joined together by hot pressing. When the clashing Surfaces of the disc 10 and the substrate 22 are etched, one of the contact surfaces with a Layer 24 coated with metal, e.g. B. with a chrome, Nickel, niobium, zirconium or titanium layer. The metal layer 24 can be applied to the surface 12 of the disc 10 (Fig. 2) either by vapor deposition, plating, or immersion the disc 10 in a fine metal powder or interposing a thin metal foil between the disc 10 and Substrate 22 are applied. The thickness of the layer 24 and also the dimensions of the other parts are for the sake of clarity shown enlarged. Preferably lies
ο die Dicke der Metallschicht 24 zwischen 1000 und 100 000 Aο the thickness of the metal layer 24 between 1000 and 100,000 Å
Das Heißpressen der Scheibe 10 auf das Substrat 22 kann unter Druck in einem Induktionsofen 26 durchgeführt werden, wie in der Explosivdarstellung nach Fig. J5 angedeutetThe hot pressing of the disc 10 onto the substrate 22 can be carried out under pressure in an induction furnace 26, as indicated in the exploded view according to FIG. J5
00 9 Ö 31/025700 9 Ö 31/0257
ist. Die Metallschicht 24 auf der Scheibe 10 wird gegen die benachbarte Oberfläche 28 des Substrates 22 angeordnet, um einen Block ^O (Fig. 4) auszubildlen. Die Scheibe 10 und das Substrat 22 werden zwischen Kohleplatten 52 und J)k gesetzt, so daß in .Richtung der Pfeile 36 und 38 Druck auf die einander gegenüberliegenden Seiten 14 und 48 des Blockes 30 ausgeübt werden kann, während ausreichend Wärme vom Induktionsofen 26 geliefertwird, damit die Metallschicht 24 in die Scheibe 10 und in das Substrat 22 eindiffundiert und somit diese zu dem Block JO verbin-is. The metal layer 24 on the wafer 10 is placed against the adjacent surface 28 of the substrate 22 to form a block (Fig. 4). Disk 10 and substrate 22 are placed between carbon plates 52 and J) k so that pressure can be applied to opposite sides 14 and 48 of block 30 in the direction of arrows 36 and 38 while sufficient heat is supplied from induction furnace 26 so that the metal layer 24 diffuses into the disk 10 and into the substrate 22 and thus connects them to the block JO.
det. Wenn die Schicht 24 aus Chrom oder Titan besteht, kann das Heißpressen bei einer Temperatur zwischen 950 C und l400° C und bei einem Druck zwischen 14 kp/cm und 350 kp/cm durchgeführt werden. Das Heißpressen sollte im Vakuum oder in einer neutralen oder reduzierenden Atmosphäre durchgeführt werden, z. B. in einer Argon-* oder Wasserstoff atmosphäre. Niedrigere Temperaturen und Drücke können für Germanium oder III-V Halbleitermaterialien, z. B. Galliumarsenid, verwendet werden.det. If the layer 24 consists of chromium or titanium, can hot pressing at a temperature between 950 C and 1400 ° C and at a pressure between 14 kp / cm and 350 kp / cm can be carried out. The hot pressing should be done in Vacuum or in a neutral or reducing atmosphere, e.g. B. in an argon * or hydrogen the atmosphere. Lower temperatures and pressures can be used for germanium or III-V semiconductor materials, e.g. B. gallium arsenide, be used.
Nach Herstellung des Blockes JO werden unter Ausbildung einer Vielzahl von Mesas oder Plateauhöckern 40 zahlreiche Rillen 42 in den Block JO eingeschnitten, wie in den Pig. 4 a, 4 b und 5 dargestellt ist. Die gestrichelten Linien beim Block in Pig. 4 zeigen die Ebenen, längs der die Schnitte zur Ausbildung der Mesas 40 durchgeführtAfter the block JO has been produced, numerous grooves 42 are cut into the block JO , as in the pig, with the formation of a large number of mesas or plateau bumps 40. 4 a, 4 b and 5 is shown. The dashed lines at the block in Pig. 4 show the planes along which the cuts for forming the mesas 40 are made
009831/0257009831/0257
werden müssen. Jede der Rillen 42 erstreckt sich vollständig durch die Scheibe 14 und teilweise durch das Substrat 22, wobei sich eine Vielzahl von im wesentlichen gleichartigen Mesas 40 in einem weitgehend regelmäßigen Muster ergeben, wie aus der Aufsicht nach Fig. 4 b zu ersehen ist. Die Rillen 42 können aus dem Block ^O beispielsweise durch chemische und - elektrolytische Ätzverfahren, durch Sandstrahlbehandlung, Sägen, Schleifen oder Ultraschallbearbeitung (cavitroning: Ausarbeiten von Höhlungen durch Ultraschall) ausgenommen werden.Need to become. Each of the grooves 42 extends completely through the disc 14 and partially through the substrate 22, wherein there are a plurality of substantially similar Mesas 40 result in a largely regular pattern, as can be seen from the plan view according to FIG. 4b is. The grooves 42 can be from the block ^ O for example by chemical and electrolytic etching processes Sandblasting, sawing, grinding or ultrasonic machining (cavitroning: working out cavities by Ultrasound).
Es ist nun erforderlich, ein elektrisch isolierendes Material, z. B. erweichtes Glas, in die Rillen 42 zu pressen; da aber.die meisten Glasarten Verunreinigungen enthalten, die nachteilig die pn-Grenzschicht 20 beeinflussen können, ist es zweckmäßig, die Plateaufläche 14 jedes Mesas 40 und die die Rillen 42 begrenzenden Bereiche der Scheibe 10 und des Substrates 22 mit einer Schicht 44 aus einem elektrisch inerten Material zu überziehen, z. B. mit einer Siliziumdioxydschicht. Die Siliziumdioxydschicht 44 kann nach irgendeinem bekannten Veiflahren aufgebracht werden, z. B. durch unmittelbare Oxydation der Scheibe 10, falls diese selbst aus Silizium besteht, durch Aufdampfen von Siliziumdioxyd (SiO oder SiO intf O2), durch Dampfphasenniederschalg von Organosilanen oder durch Hydrolyse oder Oxydation von Siliziumhalogeniden. It is now necessary to use an electrically insulating material, e.g. B. softened glass to be pressed into the grooves 42; Since however, most types of glass contain impurities which can adversely affect the pn boundary layer 20, it is expedient to provide the plateau surface 14 of each mesa 40 and the areas of the disk 10 and of the substrate 22 delimiting the grooves 42 with a layer 44 of an electrically to coat inert material, e.g. B. with a silicon dioxide layer. The silicon dioxide layer 44 can be applied by any known method, e.g. B. by direct oxidation of the disc 10, if it consists of silicon itself, by vapor deposition of silicon dioxide (SiO or SiO intf O 2 ), by vapor phase deposition of organosilanes or by hydrolysis or oxidation of silicon halides.
009831/0257009831/0257
Das Siliziumdioxyd kann mit anderen Oxyden, z. B. Phosphorsilikat, Borsilikat oder Bleisilikat verändert werden, wenn die Scheibe 10 aus Galliumarsenid oder Germanium besteht. Die Dicke der Schicht.44 liegt vorzugs-The silicon dioxide can be mixed with other oxides, e.g. B. phosphorus silicate, borosilicate or lead silicate changed when the disc 10 is made of gallium arsenide or germanium. The thickness of layer 44 is preferably
o weise zwischen 5 000 und 10 000 A . Falls ein Glas hoher Reinheit (inert gegenüber der pn-Schicht) zur Verfugung steht, kann die Schicht 44 weggelassen werden.o wise between 5,000 and 10,000 A. If a glass higher Purity (inert to the pn-layer) available layer 44 can be omitted.
Danach wird eine Glasscheibe 46 (Pig. 6), die bis zum Erweichungspunkt erwärmt ist, in die mit Oxyd überzogenen Rillen 42 gepreßt. Der in Pig. 3 gezeigte Induktionsofen 26 kann zum Erweichen des Glases 46. verwendet werden. Zwischen dem Glas 46 und dem Substrat 22 kann ein Druck ausgeübt werden, indem man das Glas 46 auf die Ober fläche 14 jedes der überzogenen Mesas 40 legt und diese Gruppe zwischen den Blöcken j52 und j4 mit einem Druck zwischen 1,4 kp/cm und 35Q kp/cm und bei einer zur Erweichung des Glases 46 ausreichenden Temperatur zusammenpreßt. Wenn auch die Einbringungetides Glases 46 in die Rillen 42 leicht durch das vorbeschriebene Heißpressen erfolgen kann, kann <ädas Glas auch auf andere Art eingebracht werden, indem man es beispielsweise in diese Räume einsacken läßt, oder durch Sedimentation, Schmelzen oder Dampfniederschlag. Verschiedene Glassorten besitzen günstige thermische Expansionskennlinien im Hinblick auf die Verwendung zusammen mit Silizium oder anderen -·- 'Thereafter, a sheet of glass 46 (Pig. 6), which has been heated to the softening point, is pressed into the grooves 42 coated with oxide. The one in Pig. The induction furnace 26 shown in FIG. 3 can be used to soften the glass 46. Pressure can be exerted between the glass 46 and the substrate 22 by placing the glass 46 on the surface 14 of each of the coated mesas 40 and placing this group between the blocks j52 and j4 at a pressure between 1.4 kp / cm and 35Q kp / cm and at a temperature sufficient to soften the glass 46. Although the introduction of solid glass 46 into the grooves 42 can easily be done by the above-described hot pressing, the glass can also be introduced in another way, for example by allowing it to sink into these spaces, or by sedimentation, melting or steam precipitation. Different types of glass have favorable thermal expansion characteristics with regard to the use together with silicon or other - · - '
009831 /0257009831/0257
im Handel erhältlichen Halbleitermaterialien. Beispielsweise kann Corning ff 7070 Glas oder Owens-Illinois Glas ff KG 33 bei Siliziumscheiben IO verwendet werden. Corning ff 7520 Glas oder Owens-Illinois ffl/lQ Glas kann befriedigend bei Scheiben aus Germanium oder Galliumarsenid verwendet werden.commercially available semiconductor materials. For example, Corning ff 7070 glass or Owens-Illinois glass ff KG 33 can be used for silicon wafers IO. Corning ff 7520 glass or Owens-Illinois ffl / lQ glass can be used satisfactorily with panes made of germanium or gallium arsenide.
Nachdem das Glas 46 abgekühlt ist und sich in den .Rillen erhärtet hat, werden die einander gegenüberliegenden Hauptflächen des Blockes J>0 bis zu den Ebenen 47 und 49 geläppt, welche Ebenen durch die gEbrochenen Linien in Fig. 6 angedeutet sind, wobei man eine erste zusammengesetzte Scheibe 50 (Pig· 7) erhält. Die zusammengesetzte Scheibe 50 besitzt nun eine Vielzahl von gleichartig orientierten Gleichrichterkomponenten oder Dioden 52 (die früheren Mesas 40), die räumlich und elektrisch durch das Glas 46 voneinander getrennt sind. Die einander gegenüberliegenden Hauptflächen 54 und 56 der zusammengesetzten Scheibe 50 sind eben und enthalten einander gegenüberliegende exponierte Oberflächen, das heißt, Kontaktflächen oder Anschlüsse 14 a und 48 a, der Dioden 52, wie in den Fig. 7 und 8 gezeigt ist.After the glass 46 has cooled and has hardened in the grooves, the opposing main surfaces of the block J> 0 are lapped up to the planes 47 and 49, which planes are indicated by the broken lines in FIG first composite disk 50 (Pig x 7) obtained. The assembled pane 50 now has a multiplicity of rectifier components or diodes 52 (the earlier mesas 40) which are oriented in the same way and which are spatially and electrically separated from one another by the glass 46. The opposing major surfaces 54 and 56 of the composite disc 50 are planar and contain opposing exposed surfaces, that is, contact areas or terminals 14 a and 48 a, of the diodes 52, as shown in FIGS.
Die gleichartig orientierten Dioden 52 sind in der zusammengesetzten Scheibe 50 nicht geeignet orientiert, um elektrische Verbindungen zwischen ihnen anzubringenThe similarly oriented diodes 52 are in the composite Washer 50 not properly oriented to make electrical connections between them
009831/0257009831/0257
und damit bestimmte Schaltungsanordnungen herzustellen, wie z. B. den Stapel 60 (Fig. 10 und 10 a) aus in Reihe geschalteten Gleichrichtern. Deshalb wird die zusammengesetzte Scheibe 50 in eine Vielzahl von Teilen, z. B. die Teile 62, 64, 66 und 68, durch Schnitte längs der unterbrochenen Linien 55* 57 und 59 (Pig· 8) , welche durch das Glas 46 führen, zerlegt.and thus to produce certain circuit arrangements, such as. B. the stack 60 (Fig. 10 and 10 a) from in series switched rectifiers. Therefore, the composite disk 50 is made into a variety of parts, e.g. B. the Parts 62, 64, 66 and 68, by sections along broken lines 55 * 57 and 59 (Pig x 8) passing through lead the glass 46, disassembled.
Die Teile 62 - 68 werden nun in einer gewünschten Konfiguration wieder zusammengebaut. Beispielsweise werden die Teile 64 und 68 umgewendet, d. h., um l80° um ihre Längsachse gedreht, wie in Pig. 9 gezeigt ist. Die Teile 62 - 68 werden nun erneut unter Ausbildung der gewünschten Konfiguaration zu einer ebenen zusammengesetzten Scheibe 70 zusammengebaut. Die Teile 62 - 68 können miteinander unter Bildung der zusammengesetzten Scheibe 7° verbunden werden, indem man diese erneut in dem Induktionsofen 26 erhitzt, bis das Glas 46 erweicht und die Teile aneinander festhängen. Erforderlichenfalls kann ein ausreichender Druck auf die Teile 62 - 68 ausgeübt werden, um deren Zusammenbacken beim Erweichen des Glases zu bewirken» Die Teile 62 - 68 können auch auf andere Weise, z. B. mittels geeigneter Kitte, Kunststoffe oder metallischer Leiter, z. B. Blei, aneinander befestigt werden. Wenn auch bei der vorstehenden Beschreibung die zusammengesetzte Scheibe 50 in vier Teile getrennt worden 1st und dieseThe parts 62-68 are now in a desired configuration reassembled. For example, the parts 64 and 68 are turned over, i. that is, by 180 ° around hers Long axis rotated, as in Pig. 9 is shown. The parts 62 - 68 are now again forming the desired Configuration assembled into a flat composite disc 70. The parts 62 - 68 can with each other connected to form the composite disc 7 ° by placing them again in the induction furnace 26 heated until the glass 46 softens and the parts stick together. If necessary, a sufficient Pressure must be applied to parts 62-68 to cause them to stick together to cause the glass to soften »The parts 62 - 68 can also be used in other ways, e.g. B. by means of suitable putty, plastics or metallic conductors, e.g. B. lead, are attached to each other. if Also in the above description, the composite disk 50 has been separated into four parts and these
009931-/0257009931- / 0257
Teile in der Konfiguration gemäß der zusammengesetzten Scheibe 7° zusammengefügt worden sind, so kann die zusammengesetzte Scheibe 50 auch in zwei oder in' mehr Teile zerlegt werden, um in irgendeiner gewünschten Konfiguration wieder erneut zusammengefügt zu werden. Ferner kann die zusammengesetzte Scheibe 70 auch aus Teilen von verschiedenen zerlegten Scheiben hergestellt werden. Beispielsweise können die Teile 62, 64, 66 und 68 jeweils von vier verschiedenen zusammengesetzten Scheiben 50 stammen.Parts have been joined together in the configuration according to the assembled disk 7 °, so the assembled Disk 50 also dismantled into two or more parts to be reassembled in any desired configuration. Furthermore, the compound Disk 70 can also be made from parts from various disassembled disks. For example, can parts 62, 64, 66 and 68 each originate from four different composite discs 50.
Zur Herstellung des Gleichrichterstapels 60 (Fig. 10 und 10 a), der vier in Reihe geschaltete Dioden 52 umfaßt, wird ein Abschnitt 71* der zwischen den beiden durch die unterbrochenen Linien 72 und 74 (Fig. 9) angedeuteten parallelen Ebenen liegt, aus der zusammengesetzten Scheibe 70 herausgenommen. Der Abschnitt 71 kann hierbei längs der durch das Glas 46 führenden Linien 72 und 74 nach irgend einer geeigneten Art, zum Beispiel durch ultraschallbehandlung, Sandstrahlbehandlung oder chemische Ätzverfahren, ausgeschnitten werden.To produce the rectifier stack 60 (FIGS. 10 and 10 a), which comprises four series-connected diodes 52, becomes a section 71 * between the two by the dashed lines 72 and 74 (Fig. 9) indicated parallel planes, removed from the composite disc 70. The section 71 can here along lines 72 and 74 leading through glass 46 in any suitable way, for example by ultrasound treatment, Sandblasting or chemical etching process, can be cut out.
In Fig. 9 und in den nachfolgenden Figuren sind einige der Dioden 52 mit einem zusätzlichen Bezugsbuchstaben versehen, um die relative Lage der einzelnen Dioden 52 bei der jeweiligen Anordnung leichter bezeichnen zu können.In Fig. 9 and in the subsequent figures, some of the Diodes 52 are provided with an additional reference letter to indicate the relative position of the individual diodes 52 in the to be able to designate the respective arrangement more easily.
009831/0257009831/0257
An dem herausgenommenen Abschnitt 1Jl werden jetzt geeignete Verbindungen angebracht, um den in den Fig. 10 und 10 a dargestellten Gleichrichterstapel βθ auszubilden. Hierbei wird der Anschluß 48 a einer Diode 52 a (Fig. 10 a) bei der Ausführungsform 60 mit dem Anschluß 14 a der benachbarten Diode 52 b durch eine Verbindung 76 aus beispielsweise metallischer Farbe verbunden, und der Anschluß 48 a der Diode 52 b wird mit dem Anschluß 14 a der benachbarten Diode 52 c durch eine aufgemalte elektrische Leitung 78 verbunden. In ähnlicher Weise wird die Diode 52 d durch eine aufgemalte elektrische Leitung 80 in Reihe geschaltet mit der Diode 52 c. Die ündanschlüsse 82 und 84 des Gleichrichterstapels 60 können auf die Anschlüsse 14 a und 48 a der Dioden 52 a und 52 d jeweils aufgemalt werden. Wie ersichtlich, können also benachbarte.Dioden, die geeignet in einem solchen Abschnitt orientiert sind, zu einem Stapel mit in Reihe geschalteten Gleichrichterelementen geschaltet werden, indem man lediglich benachbarte Dioden mittels verhältnismäßig kurzer Verbindungen an gegenüberliegenden Seiten des Abschnittes verbindet.Suitable compounds are now attached to the taken-out section 1 Jl to those shown in Figs. 10 and 10 illustrated a rectifier stack βθ form. Here, the connection 48 a of a diode 52 a (FIG. 10 a) in the embodiment 60 is connected to the connection 14 a of the adjacent diode 52 b by a connection 76 of, for example, metallic paint, and the connection 48 a of the diode 52 b is connected to the terminal 14 a of the adjacent diode 52 c by an electrical line 78 painted on. Similarly, the diode 52 d is connected in series with the diode 52 c by a painted electrical line 80. The and terminals 82 and 84 of the rectifier stack 60 can be painted onto the terminals 14 a and 48 a of the diodes 52 a and 52 d, respectively. As can be seen, neighboring diodes which are suitably oriented in such a section can be connected to form a stack with rectifier elements connected in series by merely connecting neighboring diodes by means of relatively short connections on opposite sides of the section.
Statt die Verbindungen aufzumalen, können diese auch durch Metallaufdampfen, durch Anlöten von Drähten, durch Anbringen von Leitungsklemmen oder nach irgendweichen anderen bekannten Arten angebracht werden«Instead of painting the connections, you can also use metal vapor deposition, soldering wires or attaching them from line clamps or any other known species are attached «
009 8 31/0257009 8 31/0257
Pig. 11 zeigt das Schaltungsdiagramm für die Gleichrichter anordnung 60, in der die Dioden 52 a- 52 d durch die Verbindungen 76 - 80 in Reihe geschaltet sind und die Anschlüsse der fcleichrichteranordnung 60 durch die Anschlüsse 82 und 84 gebildet werden.Pig. 11 shows the circuit diagram for the rectifier arrangement 60, in which the diodes 52 a-52 d through the connections 76-80 are connected in series and the connections of the rectifier arrangement 60 through the connections 82 and 84 are formed.
In den Fig. 12 und 12 a fet als Ausführungsbeispiel eine Gleichrichterbrücke 90 dargestellt, welche aus einem Abschnitt der wieder zusammengefügten Scheibe 70 (Fig. 9) besteht, welcher Abschnitt die vier mit 52 e, 52 f, 52 g und 52 h bezeichneten Dioden umfaßt. Die Anschlüsse 14 a und 48 a (Fig. 9) der Dioden 52 e und 52 f sind jeweils elektrisch durch einen Leiter 92 (Fig. 12), z. B. metallische Farbe, miteinander verbunden; die Anschlüsse 14 a und 48 a der Dioden 52 g und 52 h sind in ähnlicher Weise über einen Leiter 94 miteinander verbunden. Die Leiter 92 und 94 können von der Hauptfläche 96 der Festkörperschaltung 90 bis zur angrenzenden Oberfläche 98 verlaufen, um einen bequemen Zugang für elektrische Anschlußleitungen zu erzielen. Auf der gegenüberliegenden Hauptfläche 99 sind die Anschlüsse 14 a beider Dioden 52 f und 52 h über einen Leiter 100 miteinander verbunden, und die Anschlüsse 48 a der beiden Dioden 52 e und 52 g sind in ähnlicher Weise über einen Leiter 102 miteinander verbunden. Die Leiter 100 und 102 können ebenfalls von der Hauptfläche 99 zur angrenzenden Fläche 104 verlaufen,In Figs. 12 and 12 a fet as an embodiment Rectifier bridge 90 shown, which consists of a section the reassembled disc 70 (Fig. 9), which section the four with 52 e, 52 f, 52 g and 52h designated diodes. The connections 14 a and 48 a (Fig. 9) of the diodes 52 e and 52 f are respectively electrically by a conductor 92 (Fig. 12), e.g. B. metallic paint, bonded together; the connections 14 a and 48 a of the diodes 52 g and 52 h are connected to one another in a similar manner via a conductor 94. The ladder 92 and 94 can be from major surface 96 of the solid-state circuit 90 to the adjacent surface 98 run to to achieve convenient access for electrical connection lines. On the opposite main surface 99 the connections 14 a of both diodes 52 f and 52 h are connected to one another via a conductor 100, and the connections 48 a of the two diodes 52 e and 52 g are connected to one another in a similar manner via a conductor 102. The conductors 100 and 102 can also run from the main surface 99 to the adjacent surface 104,
009831 /0257009831/0257
damit die Festkörperschaltung bequem in den gewünschten Gesamtschaltkreis eingeschaltet werden kann.thus the solid-state circuit conveniently in the desired Entire circuit can be switched on.
Fig. IJ zeigt schematisch den Schaltkreis der Gleichrichterbrücke 90. In Fig. 15 stellen die Leiter 92 und 94
die Eingangsklemmen dar, an denen die gleichzurichtende Spannung angelegt wird, und die Leiter 100 und 102 stellen
die Ausgangsklemmen dar, an denen die gleichgerichtete
Spannung in bekannter Weise abgenommen werden kann*Fig. IJ shows schematically the circuit of the rectifier bridge 90. In Fig. 15, the conductors 92 and 94 represent
represent the input terminals to which the voltage to be rectified is applied, and the conductors 100 and 102 represent the output terminals to which the rectified
Voltage can be removed in a known manner *
Aus den vorstehenden Ausführungen ist ersichtlich, daß nach
dem Verfahren gemäß der Erfindung, ausgehend von verhältnismäßig
billigen zusammengesetzten Scheiben mit »gleichartig orientierten, elektrisch voneinander isolierten
Schaltungskomponenten, Festkörperschaltungen hergestellt werden können. Wenn auch beim beschriebenen Ausführungsbeispiel
für die Herstellung neuer Gleichrichteranordnungen eine zusammengesetzte Scheibe verwendet wurde, die eine
Vielzahl gleichartiger Dioden besitzt, so können zur Herstellung
anderer Festkörperschaltungen auch zusammengesetzte Scheiben, die andere Schaltungskomponenten, z. B.
Transistoren, enthalten, verwendet werdai. Ferner können
auch zumindest einige Teile von verschiedenen zerlegten
Scheiben, die unterschiedliche Sehaltungskömponenten besitzen, unter Ausbildung einer gewünschten Konfiguration
miteinander verbunden werden, wobei dann die Schaltungs-From the foregoing it can be seen that according to the method according to the invention, starting from relatively inexpensive composite panes with "similarly oriented, electrically insulated from one another."
Circuit components, solid-state circuits can be manufactured. Even if a composite disk was used in the described embodiment for the production of new rectifier arrangements, which has a large number of diodes of the same type, composite disks, which contain other circuit components, e.g. B. transistors included, werdai used. Furthermore, at least some parts of different can also be disassembled
Slices, which have different Sehaltungskömponenten, are connected to each other to form a desired configuration, the circuit then
0098317025700983170257
verbindungen zwischen den Komponenten in der neuen Konfiguration leichter angebracht werden können. Infolgedessen fallen auch Änderungen bei der Wahl der Komponenten als auch bei den Arbeitsgängen des neuartigen Verfahrens in den .Rahmen der vorliegenden Erfindung. Die Erfindung ist nicht auf das dargestellte Ausführungsbeispiel beschränkt, sondern umfaßt auch die für den Fachmann erkennbaren Abwandlungsmöglichkeiten .Connections between the components can be made more easily in the new configuration. Consequently changes in the choice of components as well as in the operations of the novel process are also included the framework of the present invention. The invention is is not limited to the illustrated embodiment, but also includes the possible modifications that can be recognized by a person skilled in the art .
00 9 831/025700 9 831/0257
Claims (1)
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US388237A US3369290A (en) | 1964-08-07 | 1964-08-07 | Method of making passivated semiconductor devices |
| US39173264A | 1964-08-24 | 1964-08-24 | |
| US46255765A | 1965-06-09 | 1965-06-09 | |
| US47797665A | 1965-08-06 | 1965-08-06 | |
| US478351A US3383760A (en) | 1965-08-09 | 1965-08-09 | Method of making semiconductor devices |
| US47835165 | 1965-08-09 | ||
| DER0043862 | 1966-08-08 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1564537A1 true DE1564537A1 (en) | 1970-07-30 |
| DE1564537B2 DE1564537B2 (en) | 1973-01-25 |
| DE1564537C DE1564537C (en) | 1973-08-02 |
Family
ID=
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1514818C3 (en) | ||
| DE1298630B (en) | Integrated circuit arrangement | |
| DE2133184A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor components | |
| DE2523307A1 (en) | SEMICONDUCTOR COMPONENTS WITH IMPROVED SERVICE LIFE | |
| DE1564191B2 (en) | METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED SEMI-CONDUCTOR CIRCUIT WITH DIFFERENT CIRCUIT ELEMENTS, ELECTRICALLY INSULATED CIRCUIT ELEMENTS, EACH OTHER AND AGAINST A COMMON SILICONE SUBSTRATE | |
| DE3603039A1 (en) | THIN FILM MAGNETIC HEAD AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
| DE2128884A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor components | |
| DE2340142A1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS | |
| DE2540352A1 (en) | METHOD OF SELECTIVE OXYDATION | |
| DE112019006032T5 (en) | SEMI-CONDUCTOR COMPONENT | |
| DE1178518C2 (en) | Process for the production of semiconductor components | |
| DE3230569A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR | |
| DE2117365A1 (en) | Integrated circuit and method of making it | |
| DE1489250A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing it | |
| DE3209666A1 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A BUILDING METAL CONTACT THEREOF | |
| DE2659303A1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENTS | |
| DE1272406B (en) | Miniature electronic combination unit | |
| DE2501074A1 (en) | TRANSISTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING IT | |
| DE1564537A1 (en) | Process for the production of semiconductor devices | |
| DE2900747C2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| DE1564537C (en) | Method for manufacturing a semiconductor circuit module | |
| DE2855972C2 (en) | Semiconductor arrangement with two integrated and anti-parallel connected diodes and process for their production | |
| DE1564535C (en) | Method for manufacturing a semiconductor component | |
| DE102021106952A1 (en) | DBC SUBSTRATE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR MANUFACTURING DBC SUBSTRATE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DBC SUBSTRATE | |
| DE2738614A1 (en) | Integrated circuit module - produced by glass film bonding one substrate for silicon island domains to another as carrier |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |