DE1564035A1 - Kondensatoren - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft anodische Oxyd-Trockenkondensatoren und insbesondere ein verbessertes Verfahren zur Herstellung
anodischer Oxyd-Trockenkondensatoren mit einer verbesserten volumetrisehen Wirksamkeit.
Die Trockenkondensatoren vom anodischen Oxydtyp bestehen aus einem Basismetall, einer darauf befindlichen dielektrischen
Schicht, die aus einem anodisch gebildeten Metalloxyd besteht,
und einer metallischen Gegenelektrode. Es ist bekannt, daß die Gegenelektrode auf der anodischen Oxyd-dielektrischen
Schicht mittels Vakuumverdampfung eines Metalle niedergeschlagen
wurde. Bei dew herkömmlichen Vakuumverdampfungs-NiederseSilagßiigsvörfahren
zieht sich das Metall, das nieder-
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Pafenfanwäfte Oipl.-Irrg. Ate'fir. Licht, Dipl.-Wirtsch.-Ing. Axe! Hansmann, Dipl.-Phys. Sebastian Herrmann
8 MCMCHEN. 2, THERESjgNSTRASSE 33 · Telefon: nz\ 02 ■ Telegramm-Adrette i Upatli/Mönchen
geschlagen werden soll, von der Quelle zu dem zu bedeckenden Substrat in einer Linie einer sichtbaren Bahn, Dadurch
wird die Niederschlagung einer Gegenelektrode auf anderen Oberflächen als flachen Oberflächen, wie beispielsweise
auf Draht oder aufgewickeltem Draht verhindert. Ebenfalls wird die Niederschlagung einer Gegenelektrode auf den Seitenwänden
der Poren einer porösen Schicht wie beispielsweise einer anodischen Oxydsehieht verhindert, wobei das Metall
normalerweise vollständig die Poren füllt. Da die Kapazität eines Kondensators proportional ist zu der Fläche der Gegenelektrode,
ist die volle volumetrische Wirksamkeit der Troekenkondensatoren vom anodischen Oxydtyp nicht realisiert worden.
Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, einen Trockenkondensator vom anodischen Oxydtyp herzustellen, der eine
erhöhte volumetrische Wirksamkeit besitzt.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Trockenkondensators vom anodischen Oxydtyp mit erhöhter
volunetrischer Wirksamkeit durch die Bildung einer anodischen Oxyd-dielektrischen Schicht auf einer Basismetallelektrode
und durch anschließende Bildung einer Metallgegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß erstens die Basismetallelektrode
vor der Bildung der anodischen Oxydschicht geätzt wird und zweitens die metallische Gegenelektrode gebildet wird, indem
die anodische Oxydschicht mit einer in der Hitze zersetzbaren organometallischen Verbindung, vorzugsweise mit einer Metal1-carbonylverbindung,
aus der nach der Zersetzung ein freies
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Metall entsteht, in Kontakt gebracht wird, and die zersetzbare
Verbindung auf eine Temperatur oberhalb ihrer Zersetzungstemperatur erhitzt wird, um die Verbindung zu
zersetzen und eine metallische Gegenelektrode auf und innerhalb der anodischen Oxydschicht niederzuschlagen.
Die Basismetallelektrode besteht vorzugsweise aus
Aluminium, normalerweise in der Form eines fortlaufenden Drahtes. Die organometallische Verbindung ist vorzugsweise
Niekelcarbonyl, Eisencarbonyl, Kupferearbonyl oder Kobaltcarbonyl.
Vorzugsweise wird die organoaetallisehe Verbindung mit der anodischen Oxydschicht in Eontakt gebracht, indem
ein inertes Trägergas durch eine zersetzbare flüssige organometallische Verbindung geleitet wird, das Trägergas und die
organometallische Verbindung erhitzt werden, um die Verbindung
zu verdampfen und sie dann im Dampfzustand mit der anodischen Oxydschicht in Kontakt zu bringen.
Die Erfindung betrifft ebenfalls Kondensatoren, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden. Insbesondere
betrifft die Erfindung einen Aluminiumoxydkondensator, der dadurch hergestellt wird, daß ein Aluminiumbasismetall aufgerauht
wird, anodisch darauf Aluminiumoxyd niedergeschlagen wird, daß Basismetall mit Nickelcarbonyl entweder in einer flüssigen
oder in einer gasartigen Form in Kontakt gebracht wird und daß Carbonyl zersetzt wird, um eine Nickelgegenelektrode innerhalb
der Poren des Aluminiumoxyds niederzuschlagen. Vorzugsweise befindet sich das Basismetall in der Form einer Drahtspule.
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Durch das Ätzen der Basiselektrode werden zahlreiche
gleichartige Oberflächen gebildet. Dadurch entsteht eine Basis Hit einer großen Oberfläche ohne daß die Gesamtgröße
der Basis vergrößert wird. Die auf der Basis niedergeschlagene anodische Oxydschicht hat ebenfalls eine größere Oberfläche.
Die Verwendung der in der Hitze zersetzbaren Metallearbonylverbindung für die Niederschlagung der Gegenelektrode berücksichtigt
die vollständige Verwendung dieser großen Fläche, da die Verbindung in die porösen Flächen fließen kann und
die Wände davon bedeckt«, ohne daß die Poren mit dem Gegenelektrode-Bietall
gefüllt werden. Da die Kapazität des Kondensators proportional ist zu der Fläche der Gegenelektrode, wird ein
Kondensator nit einer erhöhten volumetrischen Wirksamkeit hergestellt.
Die Metallbasis, die die erste Elektrode des Kondensators ist und auf der die anodische Oxyd-dielektrische Schicht niedergeschlagen
wird, kann die For« einer flachen Platte, wie beispielsweise einer Metallfolie besitzen, hat aber vorzugsweise
die Form einer Drahtspirale, da die Spirale eine größere Metalloberfläche je Volumeneinheit besitzt und die Herstellung
des Kondensators erleichtert. Das Metall kann aus Aluminium, fantal, Niob oder aus einer Metallegierung, wie beispielsweise
Titan-Zirkon oder Titan-Molybdän bestehen, wobei Aluminium
bevorzugt wird.
Die Metallbasis wird vorzugsweise geätzt, um zahlreiche Poren und Löcher innerhalb der Oberfläche der Basis zu schaffen
und dadurch die Oberfläche der Basis zu vergrößern. Das Basis-
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Bietall kann chemisch geätzt werden, indem das Metall in ein saures Bad, beispielsweise in ein Salzsäure- oder in
ein Dichroaatbad«eingetaucht wird. Das Basismetall kann
ebenfalls mechanisch beispielsweise mittels eines Sandgebläses geätzt werden. Alle bekannten Mittel zur Ätzung einer
Metallfläche können in dem Verfahren nach der Erfindung verwendet werden.
Nach der Ätzung der Metallbasis wird eine anodische Oxyd-dielektrisehe Schicht auf das Basismetall niedergeschlagen.
Das anodische Oxyd wird durch Anodisieren eines Metalls, wie beispielsweise Aluminium, Tantal, Niob oder
einer Metallegierung.wie beispielsweise Titan-Zirkon oder Titan-Molybdän gebildet, wobei Aluminium bevorzugt wird.
Das Anodisieren wird durchgeführt, indem das Metall in einen filmbildenden Elektrolyten, wie beispielsweise Borsäure, Weinsäure,
Phosphorsäure und Salze davon, Glyeoboraten, Zitronensäure oder anderen für diese Zwecke bekannten Elektrolyten,
eingetaucht wird. Das Verfahren zur Bildung des anodischen Oxyds und die dazu verwendeten Spannungen sind gut bekannt
und bedürfen keiner weiteren Erläuterung.
Die organometallischen Verbindungen, die in dem Verfahren nach der Erfindung verwendet werden, sind verdamplbare,ζersetzbare
Verbindungen, die nach ihrer Zersetzung kein freies elektrisch leitendes Metall liefern. Zu den verschiedenen
organoaetaiIisehen Verbindungen, die verdampft werden können,
und die n&ch Zersetzung bei höheren Temperaturen einen elektrisch
leitendem Mittal if il» niederschlagen, werden folgende Metall-
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carbonylverbindungen bevorzugt: Niekelearbonyl, Eisencarbonyl, Kupferearbonyl, Kobaltcarbonyl usw. Niekelcarbonyl wird besonders bevorzugt, da es leicht bei einer
Temperatur von annähernd 40 C verdampft werden kann und
sich bei einer Temperatur von weniger als 1OO°C zersetzt.
Die Metallbasis mit der darauf befindlichen anodischen Oxyd-dielektrischen Schicht wird vorzugsweise in einer
geschlossenen Kammer zur Abscheidung der Gegenelektrode eingesetzt. Die geschlossene Kammer ist mit Heizungsvorrichtungen versehen, so daß die organometallische Verbindung
innerhalb der Kammer verdampft werden kann. Die Heizvorrichtungen können sich in der Kammer selbst befinden, beispielsweise als elektrische Induktionsheizdrähte oder können
die Kammer von außen her beheizen, beispielsweise in Form eines Ofens oder von die Kammer umgebenden Dampfrohrleitungen·.
Die organometallische Verbindung wird zwar vorzugsweise innerhalb der Kammer verdampft, kann aber auch in einem davon getrennten Behälter verdampft werden und mittels geeigneter
Vorrichtungen in Dampfform der Kammer zugeführt werden. Ebenfalls kann ein erhitztes inertes Gas, wie beispielsweise Stickstoff ,dazu verwendet werden die Verdampfung der organometalIisehen
Verbindung hervorzurufen.
Die organometallische Verbindung wird der Kammer in einer
geeigneten Weise zugeführt, beispielsweise in einer Lösungsmittellösung oder in einer Flüssigkeit, und zwar abhängig von
der physikalischen Natur der Verbindung bei Zimmertemperatur.
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Wenn eine flüssige organometallisehe Verbindung wie
beispielsweise Niekelcarbonyl verwendet wird, dann wird
vorzugsweise ein inertes Trägergas durch die Flüssigkeit geleitet unddann das Trägergas zusammen mit der von ihm
transportierten Carbonylverbindung in die geschlossene Kammer eingeführt. Jedes inerte Gras kann zu diesem Zweck
verwendet werden, bevorzugt werden jedoch Stickstoff, Argon und Helium. Nach der Einführung in die Kammer wird die
Carbonylverbindung erhitzt, um zu verdampfen und den zu bedeckenden Gegenstand zu umgeben.
Die Zersetzung der organometallischen Verbindung wird auf geeignetem Wege erreicht. So kann die Verbindung zersetzt
werden, indem die Temperatur innerhalb der Beschichtungskammer
durch die Verwendung eines erhitzten Gases wie beispielsweise Dampf erhöht wird oder der beschichtete Gegenstand
in einem Ofen erhitzt wird. Alternativ kann auch ein elektrischer Strom durch den beschichteten Gegenstand geleitet
werden, um eine Erhöhung der Temperatur des Gegenstandes oberhalb der Zersetzungstemperatur der organometallischen Verbindung
zu verursachen.
Nach der Zersetzung der Metallgegenelektrode kann der Kondensator mit nichtleitenden Materialien, wie beispielsweise
mit einem Epoxy- oder Siliconharze eingekapselt werden.
Das Verfahren nach der Erfindung wird durch das folgende
Beispiel näher erläutert.
Ein Stück Aluminiumdraht (99,9 #iges reines Aluminium) mit
einem Durchmesser von 0,040 cm und einer Länge von 12,7 cm
wurde auf einem Kunststoffrohrstück, das einen Durchmesser von
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0,173 cm besaß, zu einer Spirale aufgewickelt. Die Drahtspirale
konnte chemisch oder elektrolytisch mittels bekannter Methoden geätzt werden. Die Spirale wurde dann in
ein Elektrolytbad eingetaucht, das Borsäure enthielt, and anodisiert bis eine Spannung ron 125 ToIt erreicht wurde.
Die anodisierte Spirale wurde getrocknet und in eine geschlossene Kammer hineingesetzt. Dann wurde Nickelearbonyl
mittels Stickstoffgas in die Kammer eingeleitet und die Kammer auf annähernd 450C erhitzt um das Nickelearbonyl zu
verdampfen und den Dampf die Poren der anodischen Oxydschicht durchdringen zu lassen. Die Temperatur wurde dann auf 1000C
erhitzt und die Carbonylverbindung zersetzte sieh, wobei sich eine Gegenelektrode aus Nickel auf der anodischen Oxydschicht
niederschlug. Ein Kontrollversuch, der unter den gleichen Bedingungen wie oben angegeben durchgeführt wurde,
jedoch ohne den Ätzungsschritt, ergab einen Kondensator, der eine Kapazität von 65000 Pico Farad bei 75 Volt besaß. Das
Volumen der Spirale betrug 0,0295 ear und die Kapazität entsprach 37 MPDS je 16,39 em5. Nach der Verkapselung dieser
Vergleichsprobe wurde eine Kapazität von 25 MPDS je 16,39 cm'
realisiert. Der nach dem Verfahren der Erfindung hergestellte Kondensator lieferte gegenüber der Vergleichsprobe eine 10
bis 12 Mal größere Kapazität im Bereiche von 370 bis WhK MPDS.
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Claims (2)
1. Verfahren zur Heratellong einen Troekenkondeae«tore
▼ob anedieohen Oxydtyp alt erhöhter rolueetriicher Wlrk··*-
keit durch die Bildung einer anedieohen Oxyd-dielektriechen
Sohicht aaf einer Baaieaetai!elektrode unft duroh an«ohUe8ende Bildung einer Metal!gegenelektrode, dadurch gekennselohnet,
daß eretene die laaiaaetallelektrede vor der Bildung der
anodlichen Oxydeohioht geätzt wird and sveitene die «etallieehe
Gegenelektrode gebildet wird, lnde» die «nedisehe Qxydsehioht
■it einer In der Hitze ersetzbaren erganenetallieohea Verbindung, Yerzugaveiee sit einer Äetallearbe»ylTer»iad«ie» a«a
der f&aeh der Semetzung ein freie· Metall entsteht, ia *emtakt
Vertiedong auf elae fe«peratnr
•reitst wir«, s» die ?er~
Qegen*!«fetrede aaf
.-Phyi. 5(JSas*onlfirrmarm
lchf, uP.-Wirfäai.-mg. ΑκβΓΡίαηίηιαηη, ΰΤρΓ
6 KCh1CHgK 2, ΤΗΕΈ6·Ι8Ν8ΐ?ϊΑββ8 83 · Teiefeni292ieS ■ T«!eeromm-Ae!r««»i I
Csr-':v3irb;HdwJS-?n» Ueüfssfo» Banfc A®, Pjtlol» MSn'then, Dep.-Kaiw VikiuaüenmarW, Konte-Nr. W39i38
!}■■:.r. *fa-.*U:ifc-jnii Μ"ΐ)ώ·.ΐ( 2v/3!eif- 0»5fflWfiß'Mlller»Wng# HmMt. K34fö · Po»heh«ek«Kon}Qi MOnchsn Nr. 14339?
C^iECMSiMWt PATSMfAMWAlI BiS. 8C-IKHOlB 8GHMtDY eA1_ Λ_
BAD ORIGiNAL
2. Verfahren nach Ansprach i, dadaroh gekennzeichnet,
daß die BaalMetallelektrode aas Altuiniiw besteht, vorzugsweise in der Fora ein·· fortlaufenden Drahtes.
3· Verfahren nach Ansprttohen 1 and 2, dadaroh gekennzeiohnet, daB als organoaetallisohe Verbindung Nickelcarbonyl,
Eisencarbonyl, Kupfercarbonyl «der KobaltoarbonyI verwendet
werden*
%. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 3t dadurch gekennzeichnet, defl die organeaetallische Verbindung alt der
anodisohen Oiydsohioht in Kontakt gebracht wird, iadea ein
inertes Trägergaa durch ein· zersetzbare flüssige organo-■etallisohe Verbindung geleitet wird, dafi TrÄgergas and die
organoaetalllache Verbindung zur Verdampfung der organo-■etallisohen Verbindung erhitzt werden und die verdampfte
Verbindung ait der anodisehen Oxydsohloht in Kontakt gebracht
wird.
5* Kondensator, dadttroh gekennzeichnet, dafi er nach dea
Verfahren der Ansprttohe 1 bis % hergestellt worden 1st.
BAD OBiGlNAL
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- 1966-09-23 DE DE19661564035 patent/DE1564035A1/de active Pending
Also Published As
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