DE1549051A1 - Duennschicht-Magnetspeicher - Google Patents

Description

Unser Zeichen; S

Dünnschicht-Magnetspeicher

Die vorliegende Erfindung betrifft Magnetspeicher
für numerische Binärinformationen unter Verwendung, dünner anisotroper Magnetschichten,

Es ist ein Ziel der Erfindung, eine Anordnung eines Magnetspeichers dieser Art zu schaffen, bei der die Speicherelemente bzw. "-stellen" voneinander magnetisch isoliert sind, so daß insbesondere der sogenannte Kriecheffekt beseitigt ist, wobei die Anordnung eine vereinfachte Herstellung der Speicher ermöglicht.

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Ot/r Bekanntlich

Bekanntlich werden dünne Magnetschichten gewöhnlich so erzeugt, daß auf einen ebenen unmagnetischen Träger, der elektrisch leitend oder isolierend sein kann, eine ferromagnetische Schicht mit einer Dicke von-ungefähr 200 bis 1000 Ä aufgebracht wird, meist aus einer Eisen-Nickel-Legierung. Die Aufbringung erfolgt in Gegenwart eines orientierenden Magnetfeldes, das in der Schicht eine Anisotropieachse induziert, die eine leichte Magnetisierungsrichtung bildet· Im Ruhezustand kann die Magnetisierung daher in der Schicht den einen oder den anderen zweier stabiler Zustände einnehmen, welche durch die Richtungen der Anisotropieachse gegeben sind. Ein in dieser Schicht gespeichertes Informationselement stellt nach herkömmlicher Festlegung eine Ziffer 1 dar, wenn die Magnetisierung in der einen dieser Richtungen verläuft, während die Ziffer 0 dargestellt ist, wenn die Magnetisierung in der entgegengesetzten Richtung verläuft.

Dieser Magnetschicht werden zwei Gruppen von Leitern zugeordnet, die eine Anordnung von Wortreihen bilden, das sind Leiter parallel zur leichten Magnetisierungsrichtung, und eine Anordnung von Informations- und

Lesereihen

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Lesereihen, das "sind Leiter, die zu denjenigen der Wortreihen senkrecht stehen. Jede Speicherstelle befindet sich an der Kreuzung einer Wortreihe und einer Informations- oder Lesereihe. Die Leiter sind parallel zur dünnen Magnetschicht und in ihrer engen Nachbarschaft angeordnet. Die Anwendung eines solchen Speichers ist bekannt und kann wie folgt zusammengefaßt werden:

Um eine Information in-dem Speicher aufzuzeichnen, führt man einer Wortreihe '"einen einpoligen Stromimpuls zu. Das von ihm erzeugte Magnetfeld bewirkt eine Drehung der Magnetisierung um 90 zur leichten Magnetisierungsrichtung in der Schichtebene und in dem Sinne, der durch die Polarität des Impulses festgelegt ist. Mit einer leichten Verzögerung führt man einer Informatxonsrexhe einen längeren Stromimpuls zu. Am Ende des Stromimpulses in der Wortreihe kehrt die Magnetisierung der Speicherstelle, die durch die Kreuzung der Wort- mit der Informations· reihe festgelegt ist, in die leichte Magetisierungsrichtung zurück, und zwar in die eine oder in d.ie entgegengesetzte Richtung, je nach der Polarität des Informationsimpulses. Auf diese Weise ist eine Binär-

ziffer

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ziffer 1 oder O, in dem Speicher aufgezeichnet.

Um die an einer Stelle des Speichers befindliche Information zu lesen, genauer gesagt, um ein "Wort" des Speichers zu lesen, wird in die gewählte Wortreihe ein einpoliger Stromimpuls gesandt, der die Magnetisierung an jeder Speicherstelle dieses Wortes um 90 verdreht. Diese Verdrehungen indueieren in den Lesereihen, deren Leiter mit jenen der Informationsreihen identisch sein können oder nicht, Spannungsimpulse, welche die Ziffernsignale des auf diese Weise aus dem Speicher "herausgezogenen" numerischen Wortes bilden. Am Ende des Impulses in der Wortreihe und in Abwesenheit eines Informationsstromes kehrt die Magnetisierung an jeder Speicherstelle in die eine oder andere Richtung der Anisotropieachse zurück, was mit gleicher Wahrscheinlichkeit erfolgt. Wenn nicht weitere Maßnahmen getroffen werden, wird daher die zuvor in der Wortreihe gespeicherte Information durch das Ablesen zerstört.

Die Vorteile dieser Art Dtinnschicht-Magnetspeicher sind bekannt. Sie bestehen insbesondere in einer großen SchaItgeschwindigkeit und in der Möglichkeit einer

Aufzeichnung

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Aufzeichnung mit sehr hoher Informationsdichte, Bei den bekannten Ausführungen ist jedoch die Größe der nutzbaren, Signale beim Ablesen sehr gering, beispielsweise 0,5 bis 1 mV, was die Verwendung aufwendiger Verstärker bedingt. Außerdem unterliegt die Magnetschicht einem besonders unerwünschten Kriecheffekt. Diese Erscheinung rührt von magnetischen Streufeldern her, die auf die Speicherstellen einwirken und einwirken können} magnetisches Erdfeld, Überlagerungsfeld benachbarter Mägnetelemente, an den Speicherstellen auftretende Streufelder bei Einschalten benachbarter Reihen usw. Die Speicherelemente werden dadurch gestört. Diese Störung kann bis zur vollständigen Entmagnetisierung gehen, d. h. bis zu einem Verlust der Information an den Speicherstellen, Um diesen Mangel zu beseitigen, hat man vorgeschlagen, "Sperren" aus weichem Ferrit so. anzuordnen, daß die Verluste des Magnetflusses zwischen benachbarten Speicherstellen begrenzt werden.

Ein Dünnschicht-Magnetspeicher gemäß der vorliegenden Erfindung ist im wesentlichen dadurch gekennzeichnet, daß auf einem unmagnetischen Träger eine Anzahl von aus je einer dünnen Magnetschioht bestehenden parallelen Bändern angeordnet ist, deren Anisotropieachse

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in der Richtung der größten Ausdehnung der Bänder verläuft und die mit einer dünnen Schicht eines leitenden, unmagnetischen Werkstoffes bedeckt sind, und daß auf der mit den Bändern auf dem Träger beschichteten Fläche ein Block aus einem weichmagnetischen Werkstoff angeordnet ist, der eine Anzahl von Rillen aufweist, deren Ausrichtung senkrecht zu jener der Bänder steht und die im Abstand zueinander verlaufen sowie jeweils wenigstens einen isolierten elektrischen Leiter enthalten.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung hervor» Darin zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Teilansicht mines erfindungsgemäßen Speichers, wobei der Deutlichkeit halber ein ferromagnetischer Block mit zugehörigen Leitern im Abstand von der übrigen Anordnung dargestellt ist,

Fig. 2 ein Teilschnitt durch eine zusammengesetzte Anordnung, und

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Fig. 3 eine schematisierte Draufsicht auf einen Schnitt parallel zur Ebene der Bänder.

Xn den Figuren 1 und 2 ist mit 1 ein metallischer, unmagnetischer Block bezeichnet, der den Träger der Anordnung bildet und mit einer gleichmäßigen unmagnetischen Isolierschicht 2 bedeckt ist. Bei der Anwendung des Speichers dient der Trägerblock in elektrischer Hinsicht als Masse. Auf der Oberfläche der Isolierschicht 2 sind zusammengesetzte Bänder gebildet, von denen jedes in einer Zwischenschicht einen Film mit einer Dicke in der Größen-. Ordnung von beispielsweise 1000 Ä aus einer ferromagnetischen Legierung, vorzugsweise mit der Magnetostriktion Null, beispielsweise aus der bekannten Nickel-Eisen-Legierung 80/20 % enthält. Dieser Film weist eine einachsige Anisotropie auf, die in der Längsrichtung des Bandes orientiert ist. Jedes Band umfaßt auf seiner Zwischenschicht eine unmagnetische metallische Deckschicht hoher elektrischer Leitfähigkeit mit einer Dicke von beispielsweise 5 um. Die Bänder sind voneinander durch einen Zwischenraum b getrennt und haben jeweils eine Breite a, vgl. Fig. 3·

Di·

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Die oben beschriebene Anordnung kann beispielsweise wie folgt hergestellt werden: Auf einem Träger 1 aus Kupfer wird eine Isolierschicht 2 aus Siliziutnmonoxid mit einer Dicke der Größenordnung 2 um aufgebracht. Diese Isolierschicht wird sodann mit einer kontinuierlichen Schicht einer ferromagnetischen Nickel-Eisen-Legierung 80/20 $ in Gegenwart eines orientierenden Magnetfeldes überzogen. Die Dicke dieser Schicht kann, wie erwähnt, in der Größenordnung von 1000 Ä liegen. Auf die ferromagnetische Schicht wird eine Kupferschicht mit einer Dicke von der oben erwähnten Größenordnung der Metallschicht aufgebracht. Die Kupfer- und Eisen-Nickel-Legierungsschichten werden sodann graviert, so daß nur die gewünschten zusammengesetzten Bänder stehen bleiben, die zueinander parallel und in Richtung der Anisotropieachse der ferromagnetischen Schicht orientiert sind. Jedes Band besteht daher aus einer Zwischenschicht 3» die mit einer Deckschicht h aus Kupfer bedeckt ist. Das Band kann beispielsweise eine Breite der Größen ordnung von 16O um haben, und die Teilung kann die Größenordnung 635 pm aufweisen. Anschließend werden an den Enden der Bänder nicht dargestellte elektrische Kontakte angebracht·

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Statt die Schichten auf der Gesamtheit de'r Oberfläche des Blockes aufzubringen und sie dann zu gravieren, kann man sie bei einer anderen Ausführung auch mit irgendwelchen geeigneten Masken selektiv aufbringen.

Auf die erwähnte Anordnung wird ein elektrisch isolierender Block 5 aus einem weichmagnetischen Material aufgebracht. Dieser Block ist mit Rillen versehen, die zueinander parallel verlaufen und beispielsweise halbkreisförmigen Querschnitt haben, wobei die Rillen nach Aufsetzen des Blockes auf die Bänder h, 3 senkrecht zu diesen verlaufen. Jede Rille enthält einen isolierten elektrischen Leiter 6, beispielsweise aus Lackdraht, Das Material des Blockes 5 kann ein weicher HochfrequenzfeUlt mit einem spezifischen Widerstand von 10 Ohm/cm, einer Anfangspermeabilität von 20 und einer Grenzfrequenz von 100 MHz sein. Die Dicke des Blokkes beträgt beispiels 2 mm. In ihn werden die Rillen 7 eingearbeitet, welche beispielsweise an der Basis eine Breite der Größenordnung von 200 um und eine Tiefe der Größenordnung von 130 um sowie einen Nutenabstand von der Größenordnung 500 um haben. Die

Leiter

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Leiter 6 bestehen beispielsweise aus Kupferlackdraht mit einem Durchmesser der Größenordnung von 120 um. Die Leiter können in der Aussparung bzw. Rillen mit irgendeinem geeigneten Klebemittel, einem Lack oder einem Kunstharz befestigt sein. Der so ausgestattete Block 5 kann z. B. auf den unteren Teil der Speicheranordnung aufgeklebt sein, wobei das benutzte Klebemittel im Endzustand nicht mehr als wenige um Dicke aufweist.

In der Zeichnung ist die Breite der Bänder und die Breite an der Basis der Rillen im wesentlichen gleich groß gezeichnet, und die Zwischenräume zwischen den Bändern einerseits und den Rillen andererseits erscheinen im wesentlichen untereinander gleich. Es ist klar, daß die Zeichnung nicht maßstabsgetreu zu sein braucht und keine zahlenmäßige Festlegung bedeuten muß.

In der oben beschriebenen Anordnung ist ein Speicherpunkt durch eine Fläche der ferromagnetischen Schicht definiert, welche durch die Breite eines Bandes *l·, und durch die Orthogonalprojektion der beiden Kanten einer Rille 7 auf die ferromagnetische Schicht begrenzt ist. In der schematischen Ansicht Fig. 3 ist die Fläche

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jeder Speicherstelle mit 8 bezeichnet, während die Flächen der Bänder zwischen den Speicherstellen als Zwischenstücke 9 bezeichnet sind,.Jedes leitende Band stellt einen Leiter der Wortreihe dar, jeder Leiter 6 bildet eine Informations- oder Lesereihe. Die Funktion der Anordnung entspricht daher für sich der eingangs dargelegten Betriebsweise der Speicher dieser allgemeinen Art.

Die Anordnung gemäß vorliegender Erfindung hat jedoch den Hauptvorteil, daß die einzelnen Speicherstellen jeweils die Form eines quasi-geschlossenen Magnetkreises besitzen. In Fig. 2 sind zwei Speicherstellen und ihre Magnetkreise (l) und (il) dargestellt. Jeder Magnetkreis umfaßt das weichmagnetische Material des Blockes 5» das den Leiter 6 umgibt, einen Teil des unmagnetischen leitenden Bandes h und einen entsprechenden Teil der Magnetschicht 3· In diesem Magnetkreis bildet-das Material der Deckschicht h' zwei Luftspalte.

Im Ruhezustand befindet sich die Magnetisierung der Speicherstelle des Magnetkreises (i) in der Richtung 10 der Anisotropieachse, während die Magnetisierung

der

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der Speicherstelle des Magnetkreises (il) entlang der Richtung 11 verläuft. Der von dem Element bzw. der Zwischenschicht 3 ausgehende Magnetfluß wird an jeder Stelle quer über den Luftspalt in das weichmagnetische Material geführt, welches die Rille umgibt, die den Informations- und Leseleiter aufnimmt. Der Magnetfluß quer über den Magnetkreis ist um so mehr konzentriert, je kleiner die Dicke der Luftspalte ist, d. h, der Deckschicht k, und je größer die Permeabilität des Materials von Block 5 ist. Diese beiden Größen sind jedoch in keiner Weise kritisch, denn trotz der Anwesenheit nicht vernachlässigbarer Luftspalte setzt das Vorhandensein des Blockes 5 aus weichmagnetischem Material den Betrag des Entmagnetisierungsfeldes in der Mitte einer Speicherstelle stark herab, wenn die Permeabilität des Blockes 5 praktisch größer als 20 ist. Beispielsweise haben Versuche mit magnetischen Dipolen, deren Länge durch eine Rillenbreite von 200 um und durch einen Permeabilitätswert 20 des Materials von Block 5 definiert war, folgende Werte ergeben: Für eine Dicke der Deckschicht h von 5 pm betrug das Verhältnis des entmagnetisierenden Restfeldes in der Mitte des Dipols bei aufge-

aetztem

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setztetn Block 5 zu dem Entmagnetisierungsfeld an der gleichen Stelle bei Fehlen des Blockes ungefähr 20 #, und das Verhältnis war etwa 33 # für eine Dicke der Deckschicht k von 10 um. Besitzt das Material des Blockes 5 eine Permeabilität von kO, so betragen diese Verhältniswerte bei im übrigen gleichen Bedingungen jeweils ungefähr 15 $ bzw. 31 #.

Bei einem Aufzeichnungsvorgang wird nun ein Stromimpuls der leitenden Schicht k zugeführt. Die Gesamtheit der ferromagnetischen Schicht 3» welche dieser leitenden Schicht k in dem Vortband zugeordnet ist, erfährt einen Magnetfeld-Impuls quer zur Schicht 3· Wenigstens ein Leiter 6 erhält einen Informationsstrom, der ein Magnetfeld erzeugt. Dessen Magnetfluß wird von dem weichmagnetischen Material des Blockes 5 zusammengefaßt, so daß er sich quer über den Luftspalt, welcher die den Leiter und die Deckschicht k aufnehmende Rille bildet, rund um den Leiter 6 in der Schicht 3 schließt. In Fig. 2 ist gestrichelt die Richtung der Kraftlinien dieses Feldes entsprechend der Richtung des Stromes im Leiter 6 für die Speicherstellen (i) bzw. (il) dargestellt. Das so erzeugte Feld wirkt auf die Fläche (Fig. 3) der betreffenden Schicht 3» deren Magneti-

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sierung auf diese Weise in entsprechender Richtung ausgerichtet wird« Demgegenüber ist das Feld in der Nachbarschaft der Stellen 8 der Schicht praktisch Null, d, h. an jedem der Zwischenstücke 9> die diese Stelle einschließen. Bei einem Aufzeichnungsvorgang sind diese Zwischenstücke 9 daher nur im Feld des Stromes in der betreffenden Wortreihe ausgesetzt, während sie anschießend durch die Wirkung des Informationsstromes entmagnetisiert werden» Dies ist unabhängig von der Anzahl der aufeinanderfolgenden Aufzeichnungsvorgänge bzw, -perioden, welche auf die Speicherstelle 8 wirken kennen, die von den Zwischenstücken 9 umschlossen sind. Bei jedem Lesevorgang bleiben diese Zwischenstücke 9 von vornherein entmagnetisiert. Die Speicherstellen sind daher in jedem Band deutlich getrennt. Da die Wortbänder außerdem voneinander einen beträchtlichen Abstand haben, gibt es keine Übertragung der Information von einer Speicherstelle auf eine benachbarte Speicherstelle, die sich in einem benachbarten Band befindet. Bei der erfindungsgemäßen Anordnung ist daher tatsächlich jede Übertragung der Information zwischen den Speicherstellen unterbunden. Vorteilhaft beträgt das Verhältnis zwischen dem Abstand c zwischen den Rillen und der Breite d

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der Rillen mehr als 1, beispielsweise etwa 3/2. Das Verhältnis d/b kann kleiner als 1 gewählt werden und beispielsweise ohne weiteres in der Größenordnung 1/3 liegen.

Zugleich bewirkt die beschriebene.Anordnung eine Herabsetzung und in der Praxis eine Beseitigung des Kriecheffektes, welcher die Magnetisierung der Speicherstellen bei den früheren Ausführungen von Speichern dieser Art störte. Diese Störungen bestanden im Wachstum von gesättigten Magnetisierungsdomänen an den Grenzen einer Speicherstelle nach innen in zur Informationsriclitung entgegengesetzten Sinn unter der Einwirkung von Streufeldern beliebiger Herkunft auf die Speicherstelle. Diese Magnetisierungsdomänen mit entgegengesetztem Sinn wachsen im allgemeinen von am Umfang der Speicherstelle vorhandenen Domänen aus,.selbst wenn diese praktisch isoliert ist. Im Grenzfall führen sie zur Zerstörung der in der Speicherstelle enthaltenen Information. Die Tendenz zum Kriechen ist direkt mit dem Betrag des Koerzitivfeldes der ferromagnetischen Schicht verknüpft, mit dem Betrag des Entmagnetisierungsfeldes in der gesamten geometrischen Anordnung

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der Speicherstelle und mit dem Betrag der Streufelder, die auf die Speicherstelle wirken. Da bei der erfindungsgemäßen Anordnung der Magnetfluß an jeder Speicherstelle geschlossen ist, wird das Entmagnetisierungsfeld bei konstantem Koerzitivfeld offensichtlich verringert. Auch wird bei dieser Anordnung infolge der Rillen des Blockes für die Schließung der einzelnen Magnetkreise das ¥ort-Impuls-Streufeld, das für den erwähnten Kriecheffokt am bedeutsamsten ist, ersichtlich auf einen niedrigen Wert herabgesetzt. Das gleiche ist der Fall für die Resultierende der Dipol-Streufelder der benachbarten Elemente einer Speicherstelle und des Streufeldes, das von den Steuerströmen in den benachbarten Elementen herrührt. Alles dies trägt mithin dazu bei, die Kriecherscheinungen bei der erfindungs— gemäßen Anordnung minimal zu halten.

Da eine sehr gute magnetische Kopplung zwischen einer Speicherstelle und einem Leiter einer Lesereihe gegeben ist, hat das nutzbare Lesesignal eine Amplitude in der Nähe seines theoretischen ¥ertes. Weil ferner das Entmagnetisierungsfeld der Speicherstelle beträchtlich herabgesetzt ist, be*eht die Möglichkeit,

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eine dickere ferromagnetische Schicht 3 zu verwenden, als dies bei Speichern dieser Art üblich ist, wodurch infolgedessen die Signalamplitude vergrößert wird ·

Die sehr starke Kopplung zwischen jeder Speicherstelle in der Schicht 3 und dem zugeordneten Leiter 6, die beträchtliche Herabsetzung des Entmagnetisierungsfeldes in Richtung der leichten Magnetisierungsachse dieser Schicht und die Tatsache, daß jede Speicherstelle durch einen Magnetkreis gebildet ist, der unabhängig oder im wesentlichen unabhängig von den übrigen ist, ermöglichen zudem die Herstellung von Speichern mit größerer Informationsdichte pro Flächeneinheit als bei den früheren Ausführungsformen von Speichern dieser Art. Jede Speichersti.le kann eine kleinere Fläche haben und bei gleicher Anzahl von Informationselementen kann ein gemäß der Erfindung angeordneter Speicher viel kleiner ausgeführt werden, als ein herkömmlicher Speicher dieser Art.

Schließlich können bei einem erfindungsgemäßen Speicher die Beträge der Steuerströme auf einem Minimum gehalten werden. Für den Wort-Strom ist dies wegen der

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Nähe der Schicht 3 gegenüber dem ¥ort-Leiter k möglich sowie wegen der geringen möglichen Abmessungen der SpeicherstelLe; für den Informationsstrom liegt der Grund in der Konzentration des Informationsfeldes rund um den Leiter 6 herum infolge des weichmagnetischen Materials, das diesen Leiter umgibt.

In den Rahmen der Erfindung fallen auch alle Ausführungsformen, Herstellungs- und Anwendungsmöglichkeiten, die sich aus den dargestellten und erläuterten Beispielen ergeben» Insbesondere kann eine erfindungsgemäße Magnetspeicher-Anordnung vorteilhaft als dünne magnetische Schicht 3 eine zusammengesetzte Schicht vom Typ der "gekoppelten Schichten" enthalten, wie sie beispielsweise in der französischen Patentschrift 1 383 012 unter dem Titel "Magnetische Dünnschicht-Anordnung und ihre Anwendung bei Magnetspeichern" beschrieben ist. In diesem Falle kann der Speicher außerdem mit einem nicht löschenden Leseverfahren verwendet werden, da der Wort-Strom bei der Ablesung eine geringere Stärke besitzt, als sie für den Wort-Strom für die Aufzeichnung im Speicher notwendig ist.

Sämtliche

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Sämtliche aus der Beschreibung, den Ansprüchen und der Zeichnung hervorgehenden Merkmale und Vorteile der Erfindung einschließlich konstruktiver Einzelheiten und Verfahrensschritte können auch in beliebigen Kombinationen erfindungswesentlich sein.

Patentansprüche

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Claims (5)

Patentansprüche

1. Magnetspeicher für Binärinfortnationen unter Verwendung dünner anisotroper Magnetschichten, die zwei Leiteranordnungen zugeordnet sind, welche ein System von Wortreihen bilden, bei dem die Leiter parallel zur leichten Magnetisierungsrichtung verlaufen, sowie ein System von Informations- und Lesereihen, dessen Leiter senkrecht zu denen der Wortreihen stehen, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem unmagnetischen Träger eine Anzahl von aus je einer dünnen Magnetschicht bestehenden parallelen Bändern angeordnet ist, deren Anisotropieachse in der Richtung der größten Ausdehnung verläuft und die mit einer dünnen Schicht eines leitenden, unmagnetischen Werkstoffs bedeckt sind, und daß auf der gesamten mit den Bändern auf dem Träger beschichteten Fläche ein Block aus einem weichmagnetischen Werkstoff angeordnet ist, der eine Anzahl von Rillen aufweist, deren Ausrichtung senkrecht zu jener der Bänder steht und die im Abstand zueinander verlaufen sowie jeweils wenigstens einen isolierten elektrischen Leiter enthalten.

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2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dünnen Magnetschichten der Bänder aus einer ferromagnetischen Legierung mit der Magnetostriktion Null bestehen,

3. Speicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis zwischen dem Abstand der einzelnen Rillen und der Breite jeder Rille in der Größenordnung von 3/2 liegt und daß das Verhältnis zwischen der Breite jeder Rille und dem Abstand zwischen den Bändern in der Größenordnung von 1/3 liegt.

h, Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der unmagnetische Träger aus einem leitenden Werkstoff besteht.

5. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis h, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Band eine Verbund-Magnetschicht umfaßt, die aus der Überlagerung zweier anisotroper Magnetschichten besteht, die durch eine Zwischenlage von unmagnetischem Material getrennt sind, welche den Kopplungsfaktor bestimmt»

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