DE1544222A1 - Vorrichtung zum Schmelzen und Verdampfen von Halbleiterstoffen,insbesondere von Selen - Google Patents
Vorrichtung zum Schmelzen und Verdampfen von Halbleiterstoffen,insbesondere von SelenInfo
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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Description
- Vorrichtung zum Schmelzen und Verdampfen von Halbleiterstoffen, insbesondere von Selen. Die Erfindung bezieht sich: auf eine Vorrichtung zum Schmelzen und Vsrdampfan von Halbleiterstoffen, insbesondere von Selen, In bzw. aus einer Wanne aus Metall.
- Es ist bekannt, zur Herstellung dünner gleichmäßiger Beschichtungen von Trägerplatten, z.B. zur Herstellung von Halbleiterschichten. Verdampfergefäße aus Metall zu verwenden, aus denen eine Schmelze, z.B. Selen, unter Erhitzung verdampft wird. Der Vorgang geschieht gewöhnlich in evakuierten Behältern. Dabei ist es wichtig, daß die zu verdampfenden Stoffe in de:e Verdampfervorrichtung nicht verunreinigt werden. Bisher war es mit Schwierigkeiten verbunden,. zu verhindern, daß Bestandteile der Verdampfungsgef'ße in das Schmel$gut gelangten, da die Verunreinigungen bei Halbleiterplatten u.a. die Sperrwirkung verringern.
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Schmelzen und Verdampfen von Halbleiterstoffen, insbesondere von Selen, in
b$w. aus einer Wanne aus Metall und besteht darin, daß die Vorrichtung einschließlich Venne und Deckel mit einen hoch- temperaturbeständigen" nichtmetallischen Überzug, z.S.Quarz .oder Aluminiumoxyd, überzogen ist. Der Überzug kann vorteil- haft im Plammapritzverfahren hergestellt werden und auch an der Unterseite der Abdeckvorrichtung Anwendung finden. Zuge- hörige Nachbeschickungseinrichtungen vorgeschmolzenen Verdamp- fungsgutes werden vorteilhaft mit gleicher Innenbeschichtung vie der Verdampfer ausgestattet. Die Figuren zeigen in sum Teil schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung nach der Erfindung im Schnitt, an Hand derer diese näher erläutert wird. Ein Wannenkörper 1 besteht aus Metall, vorzugsweise Aluminium oder Mahl, und weist eine schalenförmige Vertiefung 2 auf. Dieser Wannenkörper ist einschließlich des Deckels 3 mit einem Überzug 4 versehen, der aus nichtmetallischem, hochtemperatur- beständigen Stoff, x.B. Quarz oder Aluminiumoxyd, besteht. her Überzug 4 kann vorteilhaft nur in Bereich des Schmelzgutes 8, aber auch auf allen Außenflächen aufgetragen sein. Die Schichtdicke soll vorteilhaft wenigstens ca. 1 mm be- talten. Davnit eine gute Haftfähigkeit des Überzuges 4 erreicht wird, ist der Haftgrund vor dem Plaamspritzen mechanisch oder cheffach aufgerauht. Die Auflage- und Dichtstelle 5 ist vorteilhaft nach dem Überziehen plangeschliffen. Auch die übrigen Schichtflächer. können wahlweise überarbeitet sein. Eine Heizung 7 ist vor- gesehen, um das Schmelzgut 8 flüssig zu halten bzw, zu vor- dampfen. Um des Prinzip der Anwendung als Verdampfer zu ver- deutlichen, ist ein Rezipient 10 angedeutet, in dessen oberem Bereich die zu bedampfende Trägerplatte 11 dargestellt ist.. sie wird gewöhnlich in einen Objektträger über der Verdampfer- vorrichtung bewegt. Wahlreise kann der Wannenkörper 1 sowie der Deckel 3 auch als schaelzgetäß in Topffora ausgebildet sein. Der Decke. 3 wird lediglich zum SeLmelzen benutzt und vor den Aufdampfprozeß entfernt.
Claims (1)
- P a t e n t a n s p r ü c h o s 1.) Vorrichtung zum Schmelzen und Verdampfen von, Halb-' leiterstoffen, insbesondere von Selen, in bzw. aus einer Wanne aus Metall, dadurch gekennzeichnet, daB die Vorrichtung einschließlich Wanne und Deckel, mit einem hochtemperaturbeständigen, nlchtmetallischen Überzug, z.H. Quarz oder Aluminium-' oxyd, überzogen ist. 2.) Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug wahlweise auf alle Außenflächen des Vannenkärpers sowie des Deckels ausgedehnt ist-. 3.) Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug im Flemmspritzverfahren aufgetra- gen ist, und daß der Untergrund mechanisch oder chemieah aufgemuht ist. 4.) Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Wannenkörper sowie Deckel als SehmelsgefäB in Topfform ausgebildet ist. 5,) Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daB der Überzug durch Schleifen und Polieren, insbesondere an de" Dichtstelle meehan,.eeh bearbeitet ist. 6.) Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug gegen Selen beständig ist. ?.) Vorrichtung nach Anspruch 1, 4 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckel aus Quarz oder Aluminiumoxyd in massiver Form besteht.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL0054344 | 1966-08-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1544222A1 true DE1544222A1 (de) | 1970-02-26 |
Family
ID=7276088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661544222 Pending DE1544222A1 (de) | 1966-08-19 | 1966-08-19 | Vorrichtung zum Schmelzen und Verdampfen von Halbleiterstoffen,insbesondere von Selen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1544222A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012103885A1 (de) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | Solibro Gmbh | Abscheidevorrichtung und verfahren zur herstellung eines tiegels hierfür |
-
1966
- 1966-08-19 DE DE19661544222 patent/DE1544222A1/de active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012103885A1 (de) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | Solibro Gmbh | Abscheidevorrichtung und verfahren zur herstellung eines tiegels hierfür |
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